JP2016516226A5

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Info

Publication number: JP2016516226A5
Application number: JP2015558541A
Authority: JP
Filing date: 2014-02-14
Publication date: 2017-01-12
Anticipated expiration: 2034-02-14

Claims

カラーフィルタ層上に配置された透明非導電層上に配置された透明導電層内の静電容量式タッチセンサの電極構造を、パルス固体レーザを使用する直描レーザスクライビング工程によって形成する方法であって、
前記基板における前記レーザの波長、パルス長及びビームプロファイルが以下のように選択され、
ｉ）波長は２５７ｎｍ〜２６６ｎｍの範囲内、
ｉｉ）パルス長は５０ｆｓ〜５０ｎｓの範囲内、
ｉｉｉ）ビームプロファイルは前記基板にて前記ビームの全体にわたり略均一な前記出力又はエネルギー密度を有し、最大値（Ｅｍａｘ）と最小値（Ｅｍｉｎ）との間での前記出力又はエネルギー密度の均一性は１０％未満で、均一性は（Ｅｍａｘ−Ｅｍｉｎ）／（Ｅｍａｘ＋Ｅｍｉｎ）と定義される、
その結果、前記透明導電層内に溝が形成されて、各溝（groove）の両側の前記透明導電層の領域が、前記透明導電層の下の前記透明非導電層又は前記カラーフィルタ層への実質的な損傷なしに、電気的に隔絶される方法。
前記パルス長が、５０ｐｓ以下である、請求項１に記載の方法。
前記レーザ波長が、２５７．５ｎｍ又は２６６ｎｍのうちの１つから選択された、請求項１又は２に記載の方法。
Ｅｍａｘが、１．３ｘＥａｂｌを超えず、Ｅａｂｌが、前記透明導電層のアブレーションのしきい値エネルギー密度である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
前記電極構造が、送信電極構造と受信電極構造の両方を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
前記タッチセンサが、透明基板を含み、前記カラーフィルタ層が、前記透明基板上に準備され、前記非導電層が、前記ＲＧＢカラーフィルタ層の上に透明平坦化（transparent planarizing）層を形成し、前記透明導電層が、前記平坦化層の上に準備された、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
前記タッチセンサが、前記センサの上の透明カバーと前記センサの下の表示モジュールとを有する組立体の一部を構成するために使用される、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
前記レーザビームが、前記透明導電層の第１のサブ領域にわたって（over a first sub-area）走査され、そして前記透明導電層の別のサブ領域に進められそこで走査されるように構成され、この工程が、必要な前記領域（required areas）が走査され終わるまで繰り返される、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
形成される前記センサが、複数の前記サブ領域を含む、請求項８に記載の方法。
添付図面の図６〜図１１の１つ以上を参照して前述されたような、実質的に（substantially）カラーフィルタ層上に配置された透明非導電層上に配置された透明導電層内の静電容量式タッチセンサのための電極構造を形成する方法。
請求項１〜１０のいずれか一項に記載された方法を実行するように構成された装置であって、カラーフィルタ層上に配置された透明非導電層上に配置された透明導電層内の静電容量式タッチセンサの電極構造を直描レーザスクライビングにより形成するように構成されたパルスレーザ源を含み、前記レーザ源が、前記基板での波長、パルス長及びビームプロファイルを、
ｉ）波長は２５７ｎｍ〜２６６ｎｍの範囲内で、
ｉｉ）パルス長は５０ｆｓ〜５０ｎｓの範囲内で、
ｉｉｉ）ビームプロファイルは前記基板にて前記ビームの全体にわたり略均一な前記出力又はエネルギー密度を有し、最大値（Ｅｍａｘ）と最小値（Ｅｍｉｎ）との間での前記出力又はエネルギー密度の均一性は１０％未満で、均一性は（Ｅｍａｘ−Ｅｍｉｎ）／（Ｅｍａｘ＋Ｅｍｉｎ）と定義される、ように提供するように構成される装置。
前記パルス長が、５０ｐｓ以下である、請求項１１に記載の装置。
前記レーザ源が、前記透明導電層にわたって走査され、そこに一連の溝を形成するように構成された、請求項１１に記載の装置。
前記走査を実効化させる（effect）ように構成されたミラーと、前記レーザビームを前記透明導電層上に集束させるためのｆθレンズとを含む、請求項１１に記載の装置。
前記透明導電層の複数のサブ領域にわたってレーザを走査させるステップ・アンド・スキャン工程を実行するように構成された、請求項１１〜１４のいずれか一項に記載の装置。
前記レーザビームが、実質的に前記レーザビームより小さい直径を有するアパーチャを通って前記レーザビームに実質的にシルクハット形プロファイルを与えるように構成された、請求項１１〜１５のいずれか一項に記載の装置。
前記レーザビームが、前記レーザビームに実質的にシルクハット形プロファイルを与えるように構成された回折光学素子に通される、請求項１１〜１５のいずれか一項に記載の装置。
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法を実行するために使用される、請求項１１〜１７のいずれか一項に記載の装置。