JP2016511543A5 - - Google Patents

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図3Bにおいて、MTJ310は矩形形状を有し、MTJ310の容易軸は矩形形状の長軸に相当する。本開示の一態様によれば、頂部電極306および底部電極312は、MTJ310に印加されたスイッチング電流によって誘起される磁場の相加的な部分HおよびHがMTJ310内をMTJの容易軸に平行な方向に送られるように配置される。

Claims (8)

  1. 固定層と、自由層と、前記固定層と前記自由層との間のバリア層とを含む複数の磁気トンネル接合(MTJ)層と、
    前記複数のMTJ層のうちの第1のMTJ層に結合された第1の電極であって、前記複数のMTJ層から横方向に離れる方向に延びる第1の細長い部分を含第1の電極と、
    前記第1の電極の前記第1の細長い部分に結合された第1の接点ビアであって、前記第1の細長い部分と前記複数のMTJ層との間の横方向の変位が、前記第1の接点ビアからのMTJ層スイッチング電流によって誘起される磁場の第1の部分を前記複数のMTJ層に通過させるように構成された第1の接点ビアと、
    前記複数のMTJ層のうちの第2のMTJ層に結合された第2の電極であって、前記複数のMTJ層から横方向に離れる方向に延びる第2の細長い部分を含第2の電極と、
    前記第2の電極の前記第2の細長い部分に結合された第2の接点ビアであって、前記第2の接点ビアのフットプリントが、前記第2の細長い部分と前記複数のMTJ層との間の横方向変位に垂直な方向において、前記第1の接点ビアのフットプリントと一直線に整列しており、前記複数のMTJ層のうちの少なくとも一つの一部が前記第1の接点ビアと前記第2の接点ビアとの間に直接に配列されており、記横方向変位が、前記MTJ層スイッチング電流によって誘起される前記磁場の第2の部分を前記複数のMTJ層及び前記第2の接点ビアに通過させるように構成され、前記磁場の前記第2の部分が、前記磁場の前記第1の部分に加算され、前記複数のMTJ層を通過する前記磁場が増強される第2の接点ビアを備えるメモリセル。
  2. 前記複数のMTJ層は容易軸を形成し、前記第1の細長い部分および前記第2の細長い部分は、前記磁場を前記複数のMTJ層の前記容易軸に平行に誘起するように構成される、請求項1に記載のメモリセル。
  3. 前記複数のMTJ層は容易軸を形成し、前記第1の細長い部分および前記第2の細長い部分は、前記磁場を前記複数のMTJ層の前記容易軸に垂直に誘起するように構成される、請求項1に記載のメモリセル。
  4. 前記複数のMTJ層は容易軸を形成し、前記第1の細長い部分および前記第2の細長い部分は、前記磁場を前記複数のMTJ層の前記容易軸に対してある角度に誘起するように構成される、請求項1に記載のメモリセル。
  5. 前記第1の電極と前記第2の電極は、実質的に同じパターンを有する、請求項1に記載のメモリセル。
  6. 携帯電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、ハンドヘルドパーソナル通信システム(PCS)ユニット、ポータブルデータユニット、および/または固定ロケーションデータユニットに統合される、請求項1に記載のメモリセル。
  7. 複数の層を有する、電荷を磁気的に蓄積するための手段であって、前記複数の層が、固定層と、自由層と、前記固定層と前記自由層との間のバリア層とを含む手段と、
    電荷を磁気的に蓄積するための前記手段の前記複数の層のうちの第1の層に結合された第1の電極であって、電荷を磁気的に蓄積するための前記手段から横方向に離れる方向に延びる第1の細長い部分を含む第1の電極と、
    前記第1の電極の前記第1の細長い部分に結合された第1の接点ビアであって、前記第1の細長い部分と電荷を磁気的に蓄積するための前記手段との間の横方向の変位が、前記第1の接点ビアからのスイッチング電流によって誘起される磁場の第1の部分を電荷を磁気的に蓄積するための前記手段に通過させるように構成された第1の接点ビアと、
    電荷を磁気的に蓄積するための前記手段の前記複数の層のうちの第2の層に結合された第2の電極であって、電荷を磁気的に蓄積するための前記手段から横方向に離れる方向に延びる第2の細長い部分を含第2の電極と、
    前記第2の電極の前記第2の細長い部分に直接に結合された第2の接点ビアであって、前記第2の接点ビアのフットプリントが、前記第2の細長い部分と前記複数の層との間の横方向変位に垂直な方向において、前記第1の接点ビアのフットプリントと一直線に整列しており、前記複数の層のうちの少なくとも一つの一部が前記第1の接点ビアと前記第2の接点ビアとの間に直接に配列されており、記横方向変位が、前記スイッチング電流によって誘起される前記磁場の第2の部分を電荷を磁気的に蓄積するための前記手段及び前記第2の接点ビアに通過させるように構成され、前記磁場の前記第2の部分が、前記磁場の前記第1の部分に加算され、電荷を磁気的に蓄積するための前記手段を通過する前記磁場を増強する第2の接点ビアを備える装置。
  8. 電荷を磁気的に蓄積するための前記手段が、携帯電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、ハンドヘルドパーソナル通信システム(PCS)ユニット、ポータブルデータユニット、および/または固定ロケーションデータユニットに組み込まれる、請求項に記載の装置。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9385305B2 (en) 2013-02-19 2016-07-05 Qualcomm Incorporated STT-MRAM design enhanced by switching current induced magnetic field
US9024399B2 (en) * 2013-05-02 2015-05-05 Yimin Guo Perpendicular STT-MRAM having logical magnetic shielding
KR20160122885A (ko) 2015-04-14 2016-10-25 에스케이하이닉스 주식회사 전자장치
US9711713B1 (en) * 2016-01-15 2017-07-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor structure, electrode structure and method of forming the same
US10276555B2 (en) * 2016-10-01 2019-04-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Method and system for providing a magnetic cell usable in spin transfer torque applications and including a switchable shunting layer
US10211393B2 (en) 2017-02-23 2019-02-19 Sandisk Technologies Llc Spin accumulation torque MRAM
US9953692B1 (en) 2017-04-11 2018-04-24 Sandisk Technologies Llc Spin orbit torque MRAM memory cell with enhanced thermal stability
US10790001B2 (en) 2019-01-04 2020-09-29 International Business Machines Corporation Tapered VA structure for increased alignment tolerance and reduced sputter redeposition in MTJ devices
WO2023026481A1 (ja) * 2021-08-27 2023-03-02 Tdk株式会社 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4756803B2 (ja) * 2001-09-28 2011-08-24 キヤノン株式会社 磁気メモリ装置の書き込み回路
US7289356B2 (en) 2005-06-08 2007-10-30 Grandis, Inc. Fast magnetic memory devices utilizing spin transfer and magnetic elements used therein
JP4693634B2 (ja) * 2006-01-17 2011-06-01 株式会社東芝 スピンfet
KR100706806B1 (ko) 2006-01-27 2007-04-12 삼성전자주식회사 자기 메모리 소자 및 그 제조 방법
JP2007299931A (ja) * 2006-04-28 2007-11-15 Toshiba Corp 磁気抵抗効果素子および磁気メモリ
JP4444257B2 (ja) * 2006-09-08 2010-03-31 株式会社東芝 スピンfet
US7598579B2 (en) 2007-01-30 2009-10-06 Magic Technologies, Inc. Magnetic tunnel junction (MTJ) to reduce spin transfer magnetization switching current
JP5062248B2 (ja) 2007-02-27 2012-10-31 ルネサスエレクトロニクス株式会社 磁気メモリチップ装置の製造方法
JP4384196B2 (ja) * 2007-03-26 2009-12-16 株式会社東芝 スピンfet、磁気抵抗効果素子及びスピンメモリ
US7738287B2 (en) 2007-03-27 2010-06-15 Grandis, Inc. Method and system for providing field biased magnetic memory devices
US7656700B2 (en) * 2007-09-17 2010-02-02 Seagate Technology Llc Magnetoresistive sensor memory with multiferroic material
JP5023395B2 (ja) * 2007-12-18 2012-09-12 株式会社東芝 磁気ランダムアクセスメモリ及びその書き込み方法
US8223532B2 (en) 2008-08-07 2012-07-17 Seagate Technology Llc Magnetic field assisted STRAM cells
US8227351B2 (en) * 2010-03-22 2012-07-24 Qualcomm Incorporated Fabrication of magnetic tunnel junction (MTJ) devices with reduced surface roughness for magnetic random access memory (MRAM)
US8411497B2 (en) 2010-05-05 2013-04-02 Grandis, Inc. Method and system for providing a magnetic field aligned spin transfer torque random access memory
US8674465B2 (en) * 2010-08-05 2014-03-18 Qualcomm Incorporated MRAM device and integration techniques compatible with logic integration
JP5214691B2 (ja) 2010-09-17 2013-06-19 株式会社東芝 磁気メモリ及びその製造方法
US9385305B2 (en) 2013-02-19 2016-07-05 Qualcomm Incorporated STT-MRAM design enhanced by switching current induced magnetic field

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