JP2016508052A - 小型超音波トランスデューサーを分離するためのレイアウト及び方法 - Google Patents

Abstract

本開示は、ウェハーから複数の小型超音波トランスデューサーを分離する方法を提供する。方法は、複数の小型超音波トランスデューサーが形成されたウェハーを受け取ることを含む。各小型超音波トランスデューサーは、圧電材料を含むトランスデューサー膜を含む。方法は、ウェハーの表面から、ウェハーに複数のトレンチをエッチングすることを含む。各トレンチは、平面視にて小型超音波トランスデューサーの個別の一つを少なくとも部分的に取り囲む。各トレンチは、ほぼ丸み付けられた区分を含む。方法は、表面の反対の裏面からウェハーを薄くすることを含む。ウェハーを薄くすることは、トレンチが裏面に開口するように行われる。方法は、ウェハーにダイシング工程を実行し、お互いに小型超音波トランスデューサーを分離することを含む。ダイシング工程は、ウェハーに交差切断を形成することなく実行される。

Description

本開示は、概して、血管内超音波（ＩＶＵＳ）イメージングに関し、及び特には、ウェハーから複数のＩＶＵＳ超音波トランスデューサーを取り出すことに関する。

血管内超音波（ＩＶＵＳ）イメージングは、治療の必要を決定し、介入を案内し、及び／又はその効果を評価するために人体内の動脈といった管を評価する診断ツールとして心臓介入で幅広く用いられている。ＩＶＵＳイメージングシステムは、超音波エコーを用いて、対象の管の断面イメージを形成する。典型的には、ＩＶＵＳイメージングは、超音波信号（波）を出射し、かつ反射した超音波信号を受け取るＩＶＵＳカテーテル上のトランスデューサーを用いる。出射された超音波信号（超音波パルスと度々呼ばれる）は、大半の組織及び血液を簡単に透過することができるが、組織構造（例えば、管壁の様々な層）、赤血球、及び他の対象の構造から生じるインピーダンス変動の結果として部分的に反射される。患者インターフェイスモジュールを介してＩＶＵＳカテーテルに接続されたＩＶＵＳイメージングシステムは、受け取った超音波信号（度々、超音波エコーと呼ばれる）を処理し、ＩＶＵＳカテーテルが配置された場所の管の断面イメージを生成する。

ＩＶＵＳカテーテルは、典型的には、１以上のトランスデューサーを採用して超音波信号を送信し、反射した超音波信号を受け取る。これらのトランスデューサーは、ウェハー上に形成される。ウェハーは、各々がトランスデューサーを含む個別のダイを形成するように分離される必要がある。しかしながら、ウェハーからトランスデューサーを分離する慣例のレイアウト及び方法が制限を有する。例えば、典型的には、切断が、垂直方向又は水平方向のいずれかで為される。そのため、結果として得られるダイが、正方形又は長方形の形状となり、あるトランスデューサー用途において望まれない。

従って、慣例のウェハーレイアウト及びウェハーからトランスデューサーを分離する方法が意図した目的には概して十分であるものの、全側面において完全に満足できるものではない。

超音波トランスデューサーは、血管内超音波（ＩＶＵＳ）イメージングで用いられ、人体内の医療状態の評価に役立つ。その動作の一部として、超音波トランスデューサーは、トランスデューサーに電気信号を付与するために用いられる電極を有する。ウェハーから（各々がトランスデューサーを含む）個別のダイを抽出するため、ウェハーはダイスカットされる必要がある。本開示によれば、各超音波トランスデューサーが、平面視して丸い又はカーブした輪郭を有する基板上に形成される。丸み付けられた輪郭により、超音波トランスデューサーを含むダイが、正方形又は長方形状のダイとは相容れないトランスデューサー用途においてより柔軟に実施される。

本開示は、血管内超音波（ＩＶＵＳ）イメージングでの使用のための超音波トランスデューサーの様々な実施形態を提供する。例示の超音波トランスデューサーは、基板を含む。超音波トランスデューサーは、基板に形成されたウェルも含む。超音波トランスデューサーは、ウェル上に設けられたトランスデューサー膜も含む。トランスデューサー膜は、圧電層を含む。基板の少なくとも一部が、平面視してほぼ丸み付けられた輪郭を有する。

本開示は、更に、ウェハーを提供する。ウェハーは、基板と、基板上に形成された複数の小型超音波トランスデューサーを含む。各小型超音波トランスデューサーは、圧電材料を含むトランスデューサー膜を含む。各小型超音波トランスデューサーは、基板に形成されたトレンチにより平面視して少なくとも部分的に周囲される。トレンチの少なくとも一部が、平面視してほぼカーブした輪郭を有する。

本開示は、更に、ウェハーから複数の小型超音波トランスデューサーを分離する方法も提供する。方法は：複数の小型超音波トランスデューサーが形成されたウェハーを受け取ることにして、各小型超音波トランスデューサーが、圧電材料を含むトランスデューサー膜を含む；ウェハーの表面からウェハーに複数のトレンチをエッチングすることにして、各トレンチが、平面視して小型超音波トランスデューサーの個別の一つを少なくとも部分的に囲み、また各トレンチが、ほぼ丸み付けられた区分を含む；表面とは反対の裏面からウェハーを薄くすることにして、ウェハーの薄化は、トレンチが裏面に開口するように実行される；及びウェハーにダイシング工程を実行し、お互いに小型超音波トランスデューサーを分離することにして、ダイシング工程が、ウェハーに交差切断（crossing cuts）することなく実行される、を含む。

上述の一般的な記述及び後述の詳細な記述の両方が例示及び元来の例示のものであり、本開示の範囲に限定することなく本開示の理解を提供することが意図される。この点について、本開示の追加の側面、特徴、及び利益が、後述の詳細な記述から当業者により明らかになる。

本開示の側面が、添付図面と共に読まれる時、後述の詳細の記述から最適に理解される。本産業における標準的な実務に応じて、様々な特徴が縮尺で描かれていないことが強調される。実際には、議論の明確化のため、様々な特徴の寸法が任意に増加又は減じられる。加えて、本開示は、様々な例において参照番号及び／又は文字を繰り返す。この繰り返しは、簡潔さ及び明確さの目的のためであり、それ自体が、論述された様々な実施形態及び／又は構成の間の関係を述べるものではない。

図１は、本開示の様々な側面に係る血管内超音波（ＩＶＵＳ）イメージングシステムの概略図である。 図２は、本開示の様々な側面に係る製作の異なるステージの超音波トランスデューサーの概略的な断側面図である。 図３は、本開示の様々な側面に係る製作の異なるステージの超音波トランスデューサーの概略的な断側面図である。 図４は、本開示の様々な側面に係る製作の異なるステージの超音波トランスデューサーの概略的な断側面図である。 図５は、本開示の様々な側面に係る製作の異なるステージの超音波トランスデューサーの概略的な断側面図である。 図６は、本開示の様々な側面に係る製作の異なるステージの超音波トランスデューサーの概略的な断側面図である。 図７は、本開示の様々な側面に係る製作の異なるステージの超音波トランスデューサーの概略的な断側面図である。 図８は、本開示の様々な側面に係る図２乃至７のトランスデューサーを含むウェハーの一部の概略的な平面図である。 図９は、本開示の様々な側面に係る図２乃至７のトランスデューサーを含むウェハーの一部の概略的な平面図である。 図１０は、本開示の様々な側面に係る角度付けられたトランスデューサーを有するトランスデューサーアセンブリーの概略的な断側面図である。 図１１は、本開示の様々な側面に係る分離工程を実行する方法のフローチャートである。 図１２は、本開示の様々な側面に係るトランスデューサーを含むウェハーの一部の概略的な平面図である。 図１３は、本開示の様々な側面に係るトランスデューサーを含むウェハーの一部の概略的な平面図である。 図１４は、本開示の様々な側面に係るトランスデューサーを含むウェハーの一部の概略的な平面図である。 図１５は、本開示の様々な側面に係るトランスデューサーを含むウェハーの一部の概略的な平面図である。 図１６は、本開示の様々な側面に係るトランスデューサーを含むウェハーの一部の概略的な平面図である。 図１７は、本開示の様々な側面に係るトランスデューサーを含むウェハーの一部の概略的な平面図である。

本開示の原理の理解を促進する目的のため、ここで図面に図示された実施形態に参照が為され、これを記述するために特定の用語が用いられる。しかしながら、本開示の範囲に如何なる限定も意図されないものと理解される。記述された装置、システム、及び方法の如何なる変更及び更なる変更、また本開示の原理の如何なる更なる適用は、本開示が関連する技術分野の当業者に通常に生じるように、十分に検討され、本開示内に含まれる。例えば、本開示は、心臓血管イメージングの観点から超音波イメージングシステムを提供するが、そのような記述は、この用途に限定されることを意図しないものと理解される。幾つかの実施形態においては、超音波イメージングシステムは、血管内イメージングシステムを含む。イメージングシステムは、小さいキャビティー内のイメージングを要求する任意の用途に等しく良く適合される。特には、一つの実施形態に関して記述された特徴、構成要素、及び／又はステップが、本開示の他の実施形態に関して記述した特徴、構成要素、及び／又はステップに組み合わされることが十分に検討される。しかしながら、簡潔さのため、これらの組み合わせの多数の反復が別々に記述されない。

主に２種類の今日汎用されているカテーテルがある：固体（solid-state）及び回転式（rotational）。例示の固体カテーテルは、カテーテルの周囲に分配され、電子マルチプレクサー回路に接続されたトランスデューサーのアレイ（典型的には６４）を用いる。マルチプレクサー回路は、超音波信号を送信し、反射した超音波信号を受け取るためアレーからトランスデューサーを選択する。送信−受信トランスデューサーペアのシーケンスを通じて、固体カテーテルが、部品を動かすことなく、機械的にスキャンされたトランスデューサー要素の出力を合成することができる。回転する機械的要素がないため、トランスデューサーアレイは、管損傷の最小リスクで血液及び管組織に直接接触して配置可能であり、固体スキャナーが、単純な電気ケーブル及び標準の取り外し可能な電気コネクターでイメージングシステムに直接的に配線可能である。

例示の回転式カテーテルは、可撓性駆動シャフトの先端に配された単一のトランスデューサーを含み、対象の管内に挿入されたシース内で回転する。トランスデューサーは、典型的には、超音波信号が、概してカテーテルの軸に垂直に伝播するように配向される。典型的な回転式カテーテルにおいては、流体充填済（例えば、生理食塩水充填）シースは、超音波信号がトランスデューサーから組織内へ自由に伝播し、また戻ることを許容しつつ、回転するトランスデューサー及び駆動シャフトから管組織を保護する。駆動シャフトが回転するため（例えば、毎秒３０回転）、トランスデューサーは、高電圧パルスで周期的に励起され、短バーストの超音波を出射する。超音波信号は、トランスデューサーから、流体充填シース及びシース壁を透過し、駆動シャフトの回転軸に概して垂直な方向に出射される。同一のトランスデューサーが、次に、様々な組織構造から反射する帰還した超音波信号を聞き取り、イメージングシステムが、トランスデューサーの単一の回転過程で生じるこれらの数百の超音波パルス／エコー取得シーケンスのシーケンスから管断面の２次元イメージを構築する。

図１は、本開示の様々な側面に係る超音波イメージングシステム１００の概略図である。幾つかの実施形態においては、超音波イメージングシステム１００は、血管内超音波イメージングシステム（ＩＶＵＳ）を含む。ＩＶＵＳイメージングシステム１００は、患者インターフェイスモジュール（ＰＩＭ）１０４を介してＩＶＵＳ制御システム１０６に結合したＩＶＵＳカテーテル１０２を含む。制御システム１０６は、（ＩＶＵＳシステム１００により生成されたイメージといった）ＩＶＵＳイメージをディスプレイ表示するモニター１０８に結合される。

幾つかの実施形態においては、ＩＶＵＳカテーテル１０２は、回転式ＩＶＵＳカテーテルであり、これは、ヴォルカノ・コーポレーションから入手可能であるRevolution（登録商標） Rotational ＩＶＵＳイメージングカテーテル及び／又は米国特許Ｎｏ．５，２４３，９８８及び米国特許Ｎｏ．５，５４６，９４８に開示の回転式ＩＶＵＳカテーテルであり、これら両方の文献が、その全体において参照により本明細書に組み込まれる。カテーテル１０２は、血管（不図示）の内腔内への挿入のために形状及び構成された（近位端部１１４及び遠位端部１１６を有する）長尺、フレキシブルなカテーテルシース１１０を含む。カテーテル１０２の長手軸ＬＡが近位端部１１４と遠位端部１１６の間で延びる。カテーテル１０２は、フレキシブルであり、使用中、血管の湾曲に適用することができる。この点について、図１に図示のカーブ構成は、例示目的のためであり、如何なる場合でも、他の実施形態においてカテーテル１０２がカーブする態様を限定するものではない。概して、カテーテル１０２は、使用中、任意の所望の直線又はアーチ状輪郭を取るように構成される。

回転イメージングコア１１２がシース１１０内を延びる。イメージングコア１１２は、シース１１０の近位端部１１４内に配置された近位端部１１８及びシース１１０の遠位端部１１６内に配置された遠位端部１２０を有する。シース１１０の遠位端部１１６及びイメージングコア１１２の遠位端部１２０は、ＩＶＵＳイメージングシステム１００の動作中、対象の管内に挿入される。カテーテル１０２（例えば、患者内、特には対象の管内に挿入できる部分）の使用可能な長さは、任意の適切な長さであり、用途に応じて変化し得る。シース１１０の近位端部１１４及びイメージングコア１１２の近位端部１１８は、インターフェイスモジュール１０４に結合される。近位端部１１４、１１８は、インターフェイスモジュール１０４に取り外し可能に接続したカテーテルハブ１２４に適合される。カテーテルハブ１２４が、カテーテル１０２及びインターフェイスモジュール１０４間の電気及び機械結合を提供する回転インターフェイスを促進及び保持する。

イメージングコア１１２の遠位端部１２０は、トランスデューサーアセンブリー１２２を含む。トランスデューサーアセンブリー１２２は、（モーター又は他の回転装置のいずれかの使用により）回転され、管のイメージを取得するように構成される。トランスデューサーアセンブリー１２２は、管、特には管の狭窄のビジュアル化のための任意の適切なタイプであり得る。図示の実施形態においては、トランスデューサーアセンブリー１２２が、圧電マイクロマシーン超音波トランスデューサー（ＰＭＵＴ）トランスデューサー、及び用途特定集積回路（ＡＳＩＣ）といった関連の回路を含む。ＩＶＵＳカテーテルで用いられる例示のＰＭＵＴは、米国特許Ｎｏ．６，６４１，５４０に開示のものといったポリマー圧電膜を含み、この文献がその全体において参照により本明細書に組み込まれる。ＰＭＵＴトランスデューサーは、放射方向において最適な分解能のため１００％を超えるバンド幅、及び最適な方位及び仰角分解能のため球形集束開口を提供することができる。

トランスデューサーアセンブリー１２２は、そこに設けられた本明細書に開示のＰＭＵＴトランスデューサー及び関連の回路を有するハウジングも含み、ハウジングが、ＰＭＵＴトランスデューサーにより生成された超音波信号が透過する開口を有する。代替として、トランスデューサーアセンブリー１２２が、容量性マイクロマシーン超音波トランスデューサー（ＣＭＵＴ）を含む。また別の代替の実施形態においては、トランスデューサーアセンブリー１２２が、超音波トランスデューサーアレイを含む（例えば、幾つかの実施形態においては、１６、３２、６４、又は１２８個の要素を有するアレイが用いられる）。

シース１１０内のイメージングコア１１２の回転が、ユーザーにより操作されるユーザーインターフェイス制御部を提供するインターフェイスモジュール１０４により制御される。インターフェイスモジュール１０４は、イメージングコア１１２を通じて、情報を受け取り、分析し、及び／又はディスプレイ表示することができる。任意の適切な機能、制御部、情報処理及び分析、及びディスプレイ表示をインターフェイスモジュール１０４に組み込むことができるものと理解される。一例においては、インターフェイスモジュール１０４が、イメージングコア１１２により検出された超音波信号（エコー）に対応するデータを受け取り、受け取ったエコーデータを制御システム１０６に転送する。一例においては、インターフェイスモジュール１０４が、エコーデータを制御システム１０６に送信する前、エコーデータの前処理を実行する。インターフェイスモジュール１０４は、エコーデータの増幅、フィルタリング、及び／又は収集を実行し得る。インターフェイスモジュール１０４は、トランスデューサーアセンブリー１２２内の回路を含むカテーテル１０２の動作を支えるべく高及び低電圧ＤＣ電源を供給することもできる。

幾つかの実施形態においては、ＩＶＵＳイメージングシステム１００に関連のワイヤーが、制御システム１０６からインターフェイスモジュール１０４に延び、制御システム１０６からの信号がインターフェイスモジュール１０４に通信され、及び／又は逆も然りである。幾つかの実施形態においては、制御システム１０６は、インターフェイスモジュール１０４と無線通信する。同様に、幾つかの実施形態においては、ＩＶＵＳイメージングシステム１００に関連のワイヤーが、制御システム１０６からモニター１０８に延び、制御システム１０６からの信号がモニター１０８に通信され、及び／又は逆も然りである、ものと理解される。幾つかの実施形態においては、制御システム１０６は、モニター１０８と無線通信する。

図２乃至７は、複数の超音波トランスデューサー２００が製作されるウェハー１５０の一部の概略的な断片的な断側面図である。図２乃至７は、本開示の様々な側面に係る製作の異なるステージに対応する。図２乃至７は、本開示の発明的なコンセプトのより良い理解のため明確性のため単純化されている。同一の製作工程が、全ての超音波トランスデューサー２００に実行されるため、以降の議論では、単純及び明確さのため、一つのトランスデューサー２００が注目される。

超音波トランスデューサー２００は、各々、図１のＩＶＵＳイメージングシステム１００、例えば、トランスデューサーアセンブリー１２２内に含まれ得る。超音波トランスデューサー２００は、小さい大きさを有し、高い分解能を達成し、血管内イメージングに良く適する。幾つかの実施形態においては、超音波トランスデューサー２００は、約何十又は何百ミクロンのサイズを有し、１メガヘルツ（ＭＨｚ）から約１３５ＭＨｚの間の周波数範囲で動作でき、また少なくとも１０ミリメートル（ｍｍ）の浸透深さを提供しつつ５０サブミクロン分解能を提供することができる。更には、超音波トランスデューサー２００は、開発者が、トランスデューサー開口の偏向深さに基づいてターゲット集束領域を規定することを許容する態様でも形状付けられ、従って、表面特性を超えた、管形態を規定することに有用なイメージを生成する。超音波トランスデューサー２００の様々な側面及びその製作が、以降より詳細に議論される。

図示の実施形態においては、超音波トランスデューサー２００は、圧電マイクロマシーン超音波トランスデューサー（ＰＭＵＴ）である。他の実施形態においては、トランスデューサー２００が、代替の種類のトランスデューサーを含み得る。追加の特徴を超音波トランスデューサー２００に加えることができ、以降に記述の幾つかの特徴が、超音波トランスデューサー２００の追加の実施形態のために置換又は除去され得る。

図２に示すように、トランスデューサー２００は、基板２１０を含む。基板２１０は、表面２１２と、表面２１２の反対の表面２１４を有する。表面２１２は、表面又は表側面とも呼ばれ、表面２１４が、裏面又は裏側面とも呼ばれ得る。図示の実施形態においては、基板２１０は、シリコン微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）基板である。代替の実施形態においては、基板２１０は、ＰＭＵＴトランスデューサー２００の設計要求に依存して、別の適切な材料を含む。図示の実施形態においては、基板２１０は、「薄濃度ドープシリコン基板」である。換言すれば、基板２１０は、ドーパントで低濃度にドープされたシリコンウェハーに由来し、結果として、約１オーム／ｃｍから約１０００オーム／ｃｍの範囲の抵抗率を有する。「薄濃度ドープシリコン基板」２１０の一つの利益は、例えば、純シリコン又はアンドープシリコン基板と比較して、相対的に安価なことである。もちろん、コストが重大な関心ではない代替実施形態においては、純シリコン又はアンドープシリコン基板も用いられ得るものと理解される。

基板２１０は、様々なマイクロ電子要素を含む、結合して電子回路を形成する個別に図示されない様々な層も含み得る。これらのマイクロ電子素子が、トランジスター（例えば、金属酸化膜半導体電界効果型トランジスター（ＭＯＳＦＥＴ）、相補的金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）トランジスター、バイポーラー接合トランジスター（ＢＪＴ）、高電圧トランジスター、高周波数トランジスター、ｐチャネル及び／又はｎチャネル電界効果型トランジスター（ＰＦＥＴ／ＮＦＥＴ））；抵抗器、ダイオード；容量器；インダクター；フューズ；及び／又は他の適切な要素を含み得る。様々な層が、高ｋ誘電体層、ゲート層、ハードマスク層、界面層、キャップ層、拡散／バリア層、誘電体層、導電層、他の適切な層、又はこれらの組み合わせを含み得る。マイクロ電子素子が、お互いに相互接続され、ロジック装置、メモリー装置（例えば、スタティック・ランダム・アクセス・メモリー（ＳＲＡＭ））、ラジオ周波数（ＲＦ）装置、入力／出力（Ｉ／Ｏ）装置、システム・オン・チップ（ＳｏＣ）装置、他の適切な種類の装置、又はこれらの組み合わせといった集積回路の一部を形成することができる。

基板２１０の初期厚２２０が、表面２１２と表面２１４の間で測定される。幾つかの実施形態においては、初期厚２２０が、約２００ミクロン（μｍ）から約１０００μｍの範囲にある。

ここで図３を参照すると、誘電体層２３０が、基板２１０の表面２１２上に形成される。誘電体層２３０は、熱酸化、低温酸化、化学気相堆積（ＣＶＤ）、物理気相堆積（ＰＶＤ）、電子層堆積（ＡＬＤ）、又はこれらの組み合わせといった、同分野で知られた適切な堆積工程により生成される。誘電体層２３０は、酸化物材料又は窒化物材料、例えば、シリコン酸化物、リンケイ酸ガラス（ＰＳＧ）、シリコン窒化物、オキシ窒化物シリコン又はこれらの組み合わせを含み得る。誘電体層２３０は、その上への層の形成のための支持面を提供する。誘電体層２３０は、電気絶縁も提供する。より詳細には、図示の実施形態における基板２１０は、上述のように、やや導電性の「薄濃度ドープシリコン基板」である。この基板２１０の相対的に高い導電性は、トランスデューサー２００が相対的に高い電圧、例えば、約６０ボルトから約２００ボルトＤＣの励起電圧でパルス駆動される時に問題を提示する。これは、トランスデューサー２００の下部電極（以降により詳細に議論される）のため、シリコン基板２１０に直接接触することが望ましくないことを意味する。従って、本開示の様々な側面によれば、誘電体層２３０は、トランスデューサー２００の下部電極をシリコン基板２１０の相対的に導電性の表面から絶縁することに役立つ。

次に、導電層２４０が、誘電体層２３０上に形成される。導電層２４０は、ＣＶＤ、ＰＶＤ、ＡＬＤ等といった適切な堆積工程により形成される。図示の実施形態においては、導電層２４０は、金属又は多数の金属材料を含む。例えば、金属又は多数の金属材料が、チタニウム、クロム、金、アルミニウム、プラチナ、又はこれらの組み合わせを含む。導電層２４０は、フォトリソグラフィー工程の技術を用いてパターニングされる。導電層２４０の不要部分が、フォトリソグラフィー工程の一部として除去される。簡潔さの理由から、図２は、パターニングされた後の導電層２４０のみを図示する。

圧電フィルム２５０は、次に、誘電体層２３０及び導電層２４０上に形成される。様々な実施形態においては、圧電フィルム２５０が、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、又はそのコーポリマー、ポリフッ化ビニリデン−三フッ化エチレン（ＰＶＤＦ−ＴｒＦＥ）、又はポリフッ化ビニリデン−テトラフッ化エチレン（ＰＶＤＦ−ＴＦＥ）といった圧電材料を含む。代替として、ＰＶＤＦ−ＣＴＦＥ及びＰＶＤＦ−ＣＦＥといったポリマー又はゾルゲル形成圧電材料が用いられる。図示の実施形態においては、圧電フィルム２５０に用いられる圧電材料が、ＰＶＤＦ−ＴｒＦＥを含む。

圧電フィルム２５０は、所望の形状、例えば、図２に図示の形状を達成するためにパターニングされる。圧電フィルム２５０の不要部分が、パターニング工程で除去される。結果として、誘電体層２３０及び導電層２４０の部分が露出される。本実施形態においては、圧電フィルム２５０が、上部電極の形成のため堆積を許容するチャンファ（面取り（chamfer））を形成する態様でエッチングされる。チャンファは、図２の断面図に示される台形サイドウォールとして現れる。幾つかの実施形態においては、接着促進層（不図示）が圧電フィルム２５０と導電層２４０の間に形成され、圧電フィルム２５０がより十分に導電層２４０に固着し得るものとも理解される。

導電層２７０（つまり、上部電極）は、同分野で知られた適切な堆積工程を用いて圧電フィルム２５０上に形成される。図示の実施形態においては、導電層２７０が、チタニウム、クロム、金、アルミニウム、又はこれらの組み合わせといった金属又は多数の金属材料を含む。その堆積後、導電層２７０は、フォトリソグラフィー工程の技術を用いてパターニングされる。導電層２７０の不要部分が、フォトリソグラフィー工程の一部として除去される。簡潔さの理由から、図２は、パターニングされた後の導電層２７０のみを図示する。

導電層２４０及び２７０及び圧電層 ２５０（用いられる実施形態においては、接着促進層）が、総じてトランスデューサー膜と理解される。金属パッドが、導電層２４０及び２７０との電気接続を確立するために形成されるものと理解されるが、これらの金属パッドが、簡潔さのため本明細書においては図示されない。

ここで図３を参照すると、複数のトレンチ（又は開口／リセス）３００が、表面２１２から基板２１０に形成される。各トレンチ３００は、トランスデューサーの個別の一つを部分的に周囲又は取り囲む。トレンチ３００の平面視が図８〜９に図示されており、以降により詳細に議論される。図２の断面図においては、たった一つのそのようなトレンチ３００が図示される。トレンチ３００Ａ及び３００Ｂは、図３の断面図において２つのトレンチに見えるが、トランスデューサー２００を周囲する単一の連続のトレンチの実に一部であるものと理解される。本実施形態においては、トレンチ３００が、約８０μｍ〜約１００μｍの範囲にあるトレンチ深さ３１０を有する。もちろん、代替の実施形態においては、深さ３１０が異なる値を有し得る。

ここで図４を参照すると、複数の開口３５０が裏面２１４から基板２１０に形成される。各開口３５０は、個別の一つのトランスデューサー２００の下に形成される。開口３５０は、ウェル、空洞（voids）、又はリセスとも呼ばれ得る。開口３５０は、図示の実施形態においては誘電体層２３０まで形成される。換言すれば、誘電体層２３０の一部が、開口３５０により露出される。しかしながら、他の実施形態においては、開口３５０が、誘電体層２３０を通過して導電層２４０（つまり、下部電極）で停止するものと理解される。幾つかの実施形態においては、開口３５０が、エッチング工程、例えば、深反応性イオンエッチング（ＤＲＩＥ）工程により形成される。各開口３５０は、トランスデューサー２００のアパチャーを形成する。

本実施形態が、裏面２１４から開口３５０を形成する前に表面２１２からトレンチ３００を形成することを伴うが、他の実施形態においては、これらの工程が反転され得るものと理解される。換言すれば、他の実施形態においては、開口３５０は、トレンチ３００よりも前に形成される。

ここで図５を参照すると、開口３５０が、バッキング物質３７０で充填される。開口３５０を充填するバッキング物質３７０は、膜位置が固定され、圧電フィルム２５０の裏から到来する音波を消すことを許容する。より詳細には、バッキング物質３７０は、誘電体層２３０の裏面（又は裏側面）（又は誘電体層２３０が開口３５０内で除去される実施形態においては導電層２４０の裏面）に物理的に接触する。従って、バッキング物質３７０の一つの機能は、その形状（例えば、アーチ状形状）が維持されるようにトランスデューサー膜３６０を定位置に固定することを助けることにある。バッキング物質３７０が、また、音響的な減衰物質を含み、トランスデューサー膜３６０により生成され、超音波トランスデューサー２００内（例えば、トランスデューサー膜３６０からバッキング物質３７０内）に伝搬（伝播）する音響エネルギー（換言すれば、音波）を吸収することができる。そのような音響エネルギーは、例えば、超音波トランスデューサー２００が、図１のトランスデューサーアセンブリー１２２に含まれる時、トランスデューサーアセンブリーの構造及び境界面から反射される音響エネルギーを含む。

音波を十分に消すため、バッキング物質３７０が、高い音響インピーダンスを有する。本実施形態においては、バッキング物質３７０が、エポキシ物質を含む。様々な他の実施形態においては、バッキング物質３７０が、十分な音響減衰及びトランスデューサー膜３６０の形状を維持するための機械的強度を提供する他の物質を含む。バッキング物質３７０は、そのような音響及び機械的特性を達成するための物質の組み合わせを含み得る。幾つかの実施形態においては、用いられるエポキシが、ＥＰＯ−Ｔｅｋ３０１又はＥＰＯ−Ｔｅｋ３５３ＮＤを含む。しかしながら、エポキシ単独ではバッキング物質３７０としては十分ではないかもしれない。幾つかの実施形態においては、エポキシが、タングステン、銀、酸化セリウム、又は酸化タングステンといったフィラー物質を加えることにより処理される。これらの物質は、高密度である。音速により乗じられた密度が、音響インピーダンスに等しい。ＰＶＤＦ−ＴｒＦＥトランスデューサーについて、相対的に高い音響インピーダンスが望まれ、全エポキシが低音響インピーダンスを有するではないにしても、ほとんどである。従って、フィラー物質が、音響インピーダンスを高め、トランスデューサーの裏面から到来する音を反射するために追加され、前方に向けて戻し、信号を増強する。

幾つかの実施形態においては、バッキング物質３７０が、開口３５０の全体を実質的に充填するものと理解される。しかしながら、他の実施形態においては、バッキング物質３７０が、ただ部分的に開口３５０を充填する。

開口３５０上に堆積される層（つまり、トランスデューサー膜）は、また、凹面を形成するように反らされる。別の言い方をすれば、開口３５０により露出される誘電体層２３０の部分は、誘電体層２３０の部分上に堆積されるトランスデューサー膜の部分と同様、裏面２１４に向かって曲げられる。従って、アーチ形状のトランスデューサー膜３６０が形成される。簡潔さのため、アーチ形状のトランスデューサー膜が、図５の全てのトランスデューサー２００について図示されないが、各トランスデューサー２００が、図６に図示のトランスデューサー２００のように（又は同様に）形状付けられるものと理解される。トランスデューサー膜を形状付ける追加の詳細が、２０１２年１２月２１日出願のディラン・ファン・ホーベンの米国仮特許出願６１/７４５，３４４「トランスデューサー膜を形状付けるための方法及び機器」、アトニー・ドケット４４７４４．１０９４に開示され、その全体において参照により本明細書に組み込まれる。

アーチ形状のトランスデューサー膜３６０が、そこから放射された超音波信号を球状集束することに役立つ。異なる実施形態においては、トランスデューサー膜３６０が、他の形状の構成を提示し、様々な他の集束特徴を達成する。例えば、代替の実施形態においては、トランスデューサー膜３６０が、よりアーチ形状又はより平坦な形状を有し得る。また、トランスデューサー膜３６０は、バッキング物質３７０がウェル３５０を充填するように適用される前又は間に形状付けられるものと理解される。

ここで図７を参照すると、裏面２１４から薄化工程４００が行われ、基板２１０の厚みが減じられる。幾つかの実施形態においては、研磨又はエッチング工程又はこれらの組み合わせが用いられ、裏面２１４から基板２１０（適用される実施形態においてはバッキング物質３７０）の一部を除去する。薄化工程４００は、基板２１０が所望の厚み４１０に到達するまで実行される。厚み４１０は、（図３に示される）トレンチ３００の深さ３１０よりも大きくない。幾つかの実施形態においては、薄化工程４００の実行後の基板２１０の厚み４１０が、約８０μｍ未満、例えば、約７５μｍである。

薄化工程４００の一つの理由は、トランスデューサー２００を分離することである。図７の断面図から分かるように、薄化工程４００は、意図的に、トレンチ深さ３１０未満まで基板２１０を薄くする。結果として、トランスデューサー２００（下の基板２１０のそれらの部分を含む）が、トレンチ３１０の下の基板２１０の部分により一緒に前もって結合されており、それらはトレンチ３１０により分離されない。しかしながら、トランスデューサー２００は、まだお互いに完全に分離されていない。なぜなら、トレンチ３１０が、トランスデューサー２００を完全に（３６０度で）周囲又は取り囲んでいないためである。従って、追加のダイシング工程を実行し、分離工程を完結することが必要である。この点が、ウェハー１５０の一部の単純化された概略的な平面図である図８〜９を参照して以降に議論される。

図８を参照すると、ウェハー１５０の一部の平面図は、基板２１０上に形成された複数のトランスデューサー２００を含む。基板２１０は、図８において直接的に視認されない。なぜなら、基板２１０の大半が、誘電体層２３０、導電層２７０、及び圧電フィルム２５０により被覆されるためである。トランスデューサー２００が、複数の横に平行な列に配列される。各トランスデューサー２００が、個別の一つのトレンチ３００により部分的に周囲又は取り囲まれる。

トレンチ３００は、図９により明確に図示される。本実施形態においては、トレンチ３００が、ほぼＵ形状である（墓石状形状とも呼ばれる）。例えば、トレンチ３００が、２つの長尺な区分３００Ａ及び３００Ｂを含み、これらが上の図２乃至７の断面図に図示される。換言すれば、長尺な区分３００Ａ及び３００Ｂは、図２乃至７のトランスデューサー２００の反対側に設けられるトレンチ３００の図示された部分である。長尺区分３００Ａ−３００Ｂが実質的に直線の区分であるように図示されるが、代替の実施形態においては、これらはカーブし、又は他の適切な形状を有するものと理解される。

トレンチ３００は、実質的にカーブし、又は丸み付けられた区分３００Ｃも含む。カーブ区分３００Ｃは、長尺な区分３００Ａ−３００Ｂを一緒に結合する。本実施形態においては、カーブ区分３００Ｃは、少なくとも９０度（３６０度が完全な一周と理解される場合）、例えば、９０度と１８０度の間でトランスデューサー２００を周囲又は取り囲む。区分３００Ｃにより取り囲まれたトランスデューサー２００の部分が、また、（必ずしも同一ではないが）同様のカーブ又は丸み付けられた平面視輪郭を呈する。

上述のように、裏面ウェハー薄化工程４００（図７）により、トランスデューサー２００がトレンチ３００によりお互いに実質的に分離される。しかしながら、図９の平面図が図示のように、薄化工程が実行された後も、トランスデューサー２００は、まだ平面図でトレンチの「下」の基板２１０の部分により一緒に結合される。従って、分離工程を完了するため、ダイシング工程が実行される。ダイシング工程は、ウェハー１５０上での交差切断を伴わない。むしろ、複数の実質的に平行な切断がウェハー上に為される。例えば、図８及び９に図示の切断線４１２と同様の切断線に沿った切断が、トランスデューサー２００の隣接列の各組の間で為される。切断線４１２は、トレンチ３００の長尺な区分３００Ａ−３００Ｂの両方を横断する。ダイシング工程により、トランスデューサー２００が、個別のトランスデューサー片／ダイに完全に分離される。

トレンチ３００の平面視輪郭は、トランスデューサー２００が個別片に分離されるや、トランスデューサー２００の平面視、詳細には、基板２１０のエッジを部分的に規定する。基板２１０又はトランスデューサー２００の丸み付けられた又はカーブした輪郭は、トランスデューサー２００がある角度で持ち上げられなければならない超音波イメージング用途において有益である。この例示のシナリオが、図１０を参照して以降に議論される。

図１０は、トランスデューサーアセンブリーの一実施形態を示すイメージングコア４１５の一実施形態の単純化された概略的な断面図を図示する。特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）の形態の関連の制御回路を有する基板に関してトランスデューサーを有する基板をある角度に位置付けることができる。トランスデューサーを有する基板が、以降、ＭＥＭＳ４３８と呼ばれ、ＡＳＩＣを有する基板が、以降、ＡＳＩＣ４４４と呼ばれる。

イメージングコア４１５は、そこに形成された（上述のトランスデューサー２００の実施形態）トランスデューサー４４２を有するＭＥＭＳ４３８と、ＭＥＭＳ４３８に電気的に結合したＡＳＩＣ４４４を含む。この実施形態においては、ＡＳＩＣ４４４及びＭＥＭＳ４３８が、一緒にワイヤーボンドされ、トランスデューサーハウジング４１６に実装され、エポキシ４４８又は他の接着剤で定位置に固定され、ＡＳＩＣ／ＭＥＭＳハイブリッドアセンブリー４４６を形成する。この実施形態においては、ケーブル４３４の導線がＡＳＩＣ４４４に半田付け若しくは他の方法で電気的に直接結合される。

ワイヤーボンディング法の一つの利益は、トランスデューサー４４２を支持するＭＥＭＳ４３８が、ハウジング４１６及びイメージングコア４１５の長手軸に関して斜角で実装できることであり、トランスデューサー４４２により出射された超音波ビーム４３０が、イメージングコア４１５の中央長手軸に対する垂線に対して斜角で伝播する。この傾斜角度が、トランスデューサーとカテーテルシース４１２の間の空間で反響し得るシースエコーを減少することに役立ち、また各々が、２０１２年３月１１に出願され、各々が、その全体において参照により本明細書に組み込まれる、米国仮特許出願Ｎｏ．６１／６４６，０８０「イメージング及び血流速度測定のための装置及びシステム」（アトニー・ドケットＮｏ．４４７５５．８１７／０１−０１４５−ＵＳ）及び米国仮特許出願Ｎｏ．６１／６４６，０７４「イメージング及び血流測定のための超音波カテーテル」（アトニー・ドケットＮｏ．４４７５５．９６１）、及び米国仮特許出願Ｎｏ．６１／６４６，０６２「回転式血管内超音波（ＩＶＵＳ）装置のための回路アーキテクチャー及び電気インターフェイス」（アトニー・ドケットＮｏ．４４７５５．８３８）に開示のようにドップラーカラーフローイメージング（Doppler color flow imaging）も促進する。

従来のトランスデューサーについては、典型的には交差切断、例えば、平面視して直交する切断（つまり、水平切断及び垂直切断の両方）によりウェハーから分離される。結果としては、その上のトランスデューサーを有する分離片が実質的に正方形又は長方の形状又は輪郭を有する。そのような正方形又は長方形の輪郭は、図１０に図示の実施形態で記述のように、トランスデューサーがある角度で持ち上げられなければならない時に問題を呈する。例えば、トランスデューサー片／ダイの鋭利な長方形又は正方形のエッジが、ある角度で持ち上げられることを阻止し、少なくとも十分な角度で持ち上げられない。換言すれば、従来のウェハー分離工程（交差切断を伴う）の結果としてのトランスデューサー片／ダイの長方形又正方形の輪郭が、トランスデューサーアセンブリー内での間隔問題（spacing issue）を生じさせ得る。

対照的に、本開示は、トランスデューサーの周りに丸み付けられた又はカーブしたトレンチを形成する。ウェハー分離が、上述のように、裏面ウェハー薄化工程を伴い、トランスデューサーがお互いに実質的に分離される。そして最終的に、同一方向の切断を伴うダイシング工程（つまり、交差切断が行われない）が実行され、トランスデューサー片／ダイをお互いに完全に分離する。結果としては、分離されたトランスデューサー片／ダイが、丸み付けられた又はカーブした部分を有する。この丸み付けられた又はカーブした部分により、トランスデューサー片／ダイが、間隔問題なく、ある角度で持ち上げられ、これは、図１０に関して上述した実施形態を提案することを適するもの及び簡便にする。

図１１は、本開示の様々な側面に係る、ウェハーから複数の小型超音波トランスデューサーを分離するための方法５００のフローチャートである。方法は、ウェハーが受け取られるステップ５１０を含む。複数の小型超音波トランスデューサーがウェハー上に形成されている。小型超音波トランスデューサー各々が、圧電材料を含むトランスデューサー膜を含む。

方法５００は、複数のトレンチがウェハーの表面からウェハー内にエッチングされるステップ５２０を含む。各トレンチが、平面視して小型超音波トランスデューサーの個別の一つを少なくとも部分的に取り囲む。各トレンチが、ほぼ丸み付けられた区分を含む。

方法５００は、薄化工程が実行されるステップ５３０を含む。薄化工程が、表面の反対の裏面からウェハーを薄くすることを伴う。ステップ５３０は、トレンチが裏面に開口するように実行される。

方法５００は、ダイシング工程がウェハーに実行されて小型超音波トランスデューサーをお互いに分離するステップ５４０を含む。ダイシング工程は、ウェハーに交差切断することなく実行される。

幾つかの実施形態においては、トレンチの丸み付けられた区分が、その個別の小型超音波トランスデューサーの少なくとも９０度を取り囲む。

幾つかの実施形態においては、トレンチの丸み付けられた区分により取り囲まれた小型超音波トランスデューサーの部分が、トレンチの丸み付けられた区分の如く丸み付けられた平面視輪郭を有する。

幾つかの実施形態においては、トレンチは、ほぼＵ形状であり、平面視してトランスデューサーの反対側に配された２つの長尺区分を含む。

幾つかの実施形態においては、ダイシング工程が実行され、ウェハーにおける直線切断が、各トレンチについて長尺な区分の両方を通過する。

幾つかの実施形態においては、ダイシング工程が、ウェハーに複数の実質的に平行な切断を形成することを含む。

幾つかの実施形態においては、トランスデューサー膜が、断面視してアーチ状形状を有する。

幾つかの実施形態においては、各小型超音波トランスデューサーが、ウェハーの裏面からウェハーに形成されたウェルを有し、トランスデューサー膜がウェル上に配される。

幾つかの実施形態においては、圧電材料は、ポリフッ化ビニリデン−三フッ化エチレン（ＰＶＤＦ−ＴｒＦＥ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、又はポリフッ化ビニリデン−テトラフッ化エチレン（ＰＶＤＦ−ＴＦＥ）を含む。

本開示は、分離を実行する代替の実施形態も開示する。例えば、図２乃至９を参照して上述した実施形態が各トランスデューサーの周りに部分的にＵ形状（又は墓石形状）トレンチを形成し、裏面薄化及び次にダイシング工程が続くが、以降に記述の代替の実施形態が、各トランスデューサーの周りに破壊可能なタブを形成することを伴う（依然として、トレンチの形成及び裏面薄化を伴う）。タブが、各トランスデューサーを放出するように折られ得る。これらの代替の実施形態の詳細が、トランスデューサー周りのダイ領域の単純化された概略的な平面図である図１２乃至１７を参照して以降に議論される。一貫性及び明確性の理由から、図２乃至１７の同様の構成要素が同一にラベル付けされる。

図１２を参照すると、トレンチ３００は、トランスデューサー２００の周りに形成される。トレンチは、平面視してトランスデューサー２００の周りを実質的に取り囲み又は周囲する（つまり、３６０度又はその付近）。図１２に図示の実施形態におけるトレンチ３００が「ピザパドル（pizza-paddle）」に似ているとも言える。もちろん、上述のＵ形状又は墓石形状のトレンチ形状も同様に適用可能である。裏面薄化工程が実行される時、薄化が、装置を分離し、ごく小さい部分が元のウェハー又は基板に取り付けられた状態になる。結果は、「破壊可能な」タブであり、これが、次に、折られてトランスデューサー２００を解放する。幾つかの例示のタブが図１２においてタブ６００として図示されている。各タブ６００がチップの内部に凹設され、例えば、約２５μｍで凹設される。図１３に図示の実施形態においては、側部タブ６００が、チップの側部境界内にある。

図１３乃至１７は、異なる実施形態に対応するタブ６００の様々な場所と、トレンチ及び電極のレイアウトを図示する。しかしながら、特定の実施に拘わらず、タブ６００が、裏面薄化工程が完了するやいなや簡単に破壊されるような態様にて設計及び構成されるものと理解される。一度、タブ６００が破壊されると、トランスデューサー２００が他のトランスデューサーから分離される。図１４乃至１７に図示の実施形態においては、側部タブが、チップの側部境界の外にあるものと理解される。

追加の製作工程が、トランスデューサーの製作を完了するために実行され得るものと理解される。しかしながら、これらの追加の製作工程は、簡潔さのために本明細書では議論されない。

当業者は、上述の機器、システム、及び方法が、様々な方法で修正できるものと理解する。従って、当業者は、本開示により指南される実施形態は、上述の特定の例示の実施形態に限定されないことを理解する。この点について、例示の実施形態が図示及び記述されたが、上述の開示において広範囲の修正、変更、及び代替が予期される。そのようなバリエーションが、本開示の範囲から逸脱することなく上述のものに為され得るものと理解される。従って、添付請求項が広義及び本開示に即した態様で解釈されることが適切である。

Claims (25)

1. 基板；
   前記基板に形成されたウェル；及び
   前記ウェル上に配されたトランスデューサー膜にして、圧電層を含むトランスデューサー膜を備え、
   前記基板の少なくとも一部が、平面視してほぼ丸み付けられた輪郭を有する、小型超音波トランスデューサー。
2. 前記トランスデューサーの一部が、平面視において、前記ほぼ丸み付けられた輪郭の前記基板の一部により周囲される、請求項１に記載の小型超音波トランスデューサー。
3. 前記トランスデューサーの少なくとも９０度が、平面視において、前記ほぼ丸み付けられた輪郭を有する前記基板の一部により周囲される、請求項２に記載の小型超音波トランスデューサー。
4. 前記基板が、平面視して実質的にＵ形状である、請求項１に記載の小型超音波トランスデューサー。
5. 前記トランスデューサー膜が、断面視においてカーブした形状を有する、請求項１に記載の小型超音波トランスデューサー。
6. 前記ウェルが、少なくとも部分的にバッキング物質で充填される、請求項１に記載の小型超音波トランスデューサー。
7. 前記圧電層は、ポリフッ化ビニリデン−三フッ化エチレン（ＰＶＤＦ−ＴｒＦＥ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、又はポリフッ化ビニリデン−テトラフッ化エチレン（ＰＶＤＦ−ＴＦＥ）を含む、請求項１に記載の小型超音波トランスデューサー。
8. 基板；及び
   前記基板に形成された複数の小型超音波トランスデューサーを備え、
   各小型超音波トランスデューサーが、圧電材料を含むトランスデューサー膜を含み；
   各小型超音波トランスデューサーは、平面視において、前記基板に形成されたトレンチにより少なくとも部分的に周囲される；及び
   前記トレンチの少なくとも一部が、平面視にてほぼカーブした輪郭を有する、ウェハー。
9. 前記ほぼカーブした輪郭を有する前記トレンチの一部が、前記小型超音波トランスデューサーの少なくとも９０度を周囲する、請求項８に記載のウェハー。
10. 前記トレンチの一部により周囲される前記小型超音波トランスデューサーの一部が、前記トレンチの一部のカーブした輪郭の如くカーブした平面視輪郭を有する、請求項８に記載のウェハー。
11. 前記トレンチがほぼＵ形状である、請求項８に記載のウェハー。
12. 前記トランスデューサー膜が、断面視にてアーチ状形状を有する、請求項８に記載のウェハー。
13. 各小型超音波トランスデューサーが、前記基板の裏面から前記基板に形成されたウェルを有し、前記トランスデューサー膜が前記ウェル上に配される、請求項８に記載のウェハー。
14. 前記トレンチが、前記裏面の反対の前記基板の表面から形成される、請求項１３に記載のウェハー。
15. 前記ウェルが部分的にバッキング物質で充填される、請求項１３に記載のウェハー。
16. 前記圧電材料は、ポリフッ化ビニリデン−三フッ化エチレン（ＰＶＤＦ−ＴｒＦＥ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、又はポリフッ化ビニリデン−テトラフッ化エチレン（ＰＶＤＦ−ＴＦＥ）を含む、請求項８に記載のウェハー。
17. ウェハーから複数の小型超音波トランスデューサーを分離する方法であって、該方法が：
    複数の小型超音波トランスデューサーが形成されたウェハーを受け取るステップにして、各小型超音波トランスデューサーが、圧電材料を含むトランスデューサー膜を含む、ステップ；
    前記ウェハーの表面から、前記ウェハー内に複数のトレンチをエッチングするステップにして、各トレンチが、平面視にて小型超音波トランスデューサーの個別の一つを少なくとも部分的に取り囲み、各トレンチが、ほぼ丸み付けられた区分を含む、ステップ；
    前記表面の反対の裏面から前記ウェハーを薄くするステップにして、前記ウェハーを薄くすることは、トレンチが裏面に開口するように行われる、ステップ；及び
    前記ウェハーにダイシング工程を実行し、お互いに前記小型超音波トランスデューサーを分離するステップにして、前記ダイシング工程が、前記ウェハーに交差切断を形成することなく実行される、ステップを含む、方法。
18. 前記トレンチの丸み付けられた区分が、その個別の小型超音波トランスデューサーの少なくとも９０度を取り囲む、請求項１７に記載の方法。
19. 前記トレンチの前記丸み付けられた区分により取り囲まれた前記小型超音波トランスデューサーの一部が、前記トレンチの前記丸み付けられた区分の如く丸み付けられた平面視輪郭を有する、請求項１７に記載の方法。
20. 前記トレンチがほぼＵ形状であり、平面視して前記トランスデューサーの反対側に配された２つの長尺区分を含む、請求項１７に記載の方法。
21. 前記ダイシング工程は、前記ウェハーにおける直線切断が、各トレンチについて前記長尺区分の両方を通過するように実行される、請求項２０に記載の方法。
22. 前記ダイシング工程は、複数の実質的に平行な切断をウェハーに形成することを含む、請求項１７に記載の方法。
23. 前記トランスデューサー膜は、断面視にてアーチ状形状を有する、請求項１７に記載の方法。
24. 各小型超音波トランスデューサーが前記ウェハーの裏面から前記ウェハーに形成されたウェルを有し、前記トランスデューサー膜が前記ウェル上に配される、請求項１７に記載の方法。
25. 前記圧電材料は、ポリフッ化ビニリデン−三フッ化エチレン（ＰＶＤＦ−ＴｒＦＥ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、又はポリフッ化ビニリデン−テトラフッ化エチレン（ＰＶＤＦ−ＴＦＥ）を含む、請求項１７に記載の方法。