JP2006147839A - 圧電/電歪デバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】枠状の厚肉部11及び薄肉ダイヤフラム部12を有し、厚肉部11及び薄肉ダイヤフラム部12によって外部に連通する空洞13が形成されたセラミック基体1と、下部電極21、圧電/電歪膜22及び上部電極23を含む層構造を有する圧電/電歪素子2とから構成し、さらに、薄肉ダイヤフラム部12を、外方に凸のアーチ形状を有するものとし、かつ前記圧電/電歪素子2を、その内部に、薄肉ダイヤフラム部12との固定面に平行な引っ張り応力Fが残留せしめられてなるものとする。
【選択図】図1
Description
6mm×1.1mmの大きさの長方形の空洞が形成された枠状の厚肉部が、10μmの厚さの薄肉ダイヤフラム部によって、覆蓋されてなる一体的構造のセラミック基板を準備した。なお、このセラミック基板は、3モル%イットリア部分安定化ジルコニア粉末:80重量%とアルミナ粉末:20重量%とからなる、平均粒子径0.4μmのセラミック混合粉末を用い、常法に従って、バインダ、可塑剤及び有機溶剤を混合せしめて、スラリーを調製し、このスラリーより、ドクターブレード法にて、焼成後の厚さが200μmとなるように、厚肉部用グリーンシートを成形する一方、平均粒子径0.3μmの3モル%イットリア部分安定化ジルコニア粉末を用いて、常法に従ってバインダ、可塑剤及び有機溶剤を配合してスラリーを調製した後、リバースロールコータ装置にて焼成後の厚さが10μmとなるように、薄肉ダイヤフラム部用グリーンシートを成形し、上記の如くして得られた厚肉部用グリーンシートを所定の金型にてパターン打抜きした(空洞を形成した)後、これに、上記で作製したダイヤフラム板用グリーンシートを重ね合わせ、100kg/cm2の圧力下に、80℃×1分の条件にて熱圧着せしめ、積層体を1500℃の温度で2時間焼成することにより、薄肉ダイヤフラム部が外方に凸のアーチ形状に突出せしめられてなる(最大突出量(h)=30μm)セラミック基板とした。このセラミック基板の熱膨張係数は9.5×10-6/Kであった。そして、このセラミック基体の薄肉ダイヤフラム部の外面上の所定位置に、白金ペーストを用いて、スクリーン印刷法により、焼成後の厚さが5μmとなるように印刷し、120℃で10分間乾燥した後、1350℃で2時間焼成することにより、下部電極を形成し、さらにこの下部電極上に、圧電/電歪材料として、13×10-6/Kの熱膨張係数を有する0.98(Bi0.5Na0.5)TiO3−0.02KNbO3(数字はモル分率)からなる材料を用いて、焼成後の厚さが20μmとなるように、スクリーン印刷法により印刷し、120℃で20分間乾燥した後、1100℃で圧電/電歪膜の焼成を行なって、圧電/電歪膜を形成した。その後、得られたセラミック基体の外方に凸なる形状の薄肉ダイヤフラム部上に設けられている下部電極及び圧電/電歪膜の上に、さらに上部電極として、Auをスパッタ法により形成して、本発明の圧電/電歪デバイスを得た。なお、上部電極の厚さは、0.1μmとした。また、得られた圧電/電歪デバイスにおいて圧電/電歪素子を構成する上部電極と下部電極との間に150Vの電圧を印加して、分極処理を施した。
実施例1において用いたものと同様のセラミック基板の薄肉ダイヤフラム部上に、別途焼結して得た、厚さ20μmの0.98(Bi0.5Na0.5)TiO3−0.02KNbO3(数字はモル分率)からなる圧電/電歪材料の焼結体を、治具に把持し100MPaの引っ張り応力にする相当する力で引っ張りつつ、導電性接着剤を使用して貼り付けたこと以外は実施例1と同様にして、圧電/電歪デバイスを得た。
実施例1において用いたものと同様のセラミック基板の薄肉ダイヤフラム部上に、別途焼結して得た、厚さ20μmの0.98(Bi0.5Na0.5)TiO3−0.02KNbO3(数字はモル分率)からなる圧電/電歪材料の焼結体を、実施例2で用いたものと同様の導電性接着剤を使用して貼り付けた(圧電/電歪素子に引っ張り応力を残留させなかった)こと以外は実施例1と同様にして、圧電/電歪デバイスを得た。
Claims (2)
- 枠状の厚肉部、及び前記厚肉部の端面上に前記厚肉部を覆蓋するように一体的に架設された薄肉ダイヤフラム部を有し、前記厚肉部及び前記薄肉ダイヤフラム部によって外部に連通する空洞が形成されたセラミック基体と、前記セラミック基体の薄肉ダイヤフラム部の外表面上に固定された、下部電極、圧電/電歪膜及び上部電極を含む層構造を有する圧電/電歪素子とを備え、前記圧電/電歪素子の駆動に連動して前記セラミック基体の薄肉ダイヤフラム部が前記空洞の内容積を変化させつつ振動することが可能な圧電/電歪デバイスであって、
前記薄肉ダイヤフラム部が、外方に凸のアーチ形状を有するものであり、かつ前記圧電/電歪素子が、その内部に、前記薄肉ダイヤフラム部との固定面に平行な引っ張り応力を残留せしめられてなるものであることを特徴とする圧電/電歪デバイス。 - 前記圧電/電歪素子が、膜形成手法にて形成されたものであるとともに、前記薄肉ダイヤフラム部の構成材料の熱膨張率よりも大きな熱膨張率を有する構成材料が、前記薄肉ダイヤフラム部の外表面上に配設された後、熱処理されて、前記薄肉ダイヤフラム部の外表面上に固定されることによって得られたものである請求項1に記載の圧電/電歪デバイス。
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