JP2016502473A5

JP2016502473A5 -

Info

Publication number: JP2016502473A5
Application number: JP2015538447A
Authority: JP
Filing date: 2013-10-24
Publication date: 2016-12-08

Description

シームレスなベルト１８が、スタンプギャップ１６と分離装置３との間で、スタンプされた基板１７の下に配置される。シームレスなベルト１８は、スタンプギャップ１６と重なる、硬い支持装置を形成する。シームレスなベルト１８は、対圧ローラー１２とガイドローラー１９との上にガイドされ、対圧ローラー１２とガイドローラー１９との支持距離は、ベルト１８が、コーティングされた基板１７に対して、硬く平らな支持表面を形成するような張力を受けるように、設定される。

Claims

ホットスタンプフィルム（１５）のキャリア層（１５ｔ）上に配置される転写層（１５ｕ）を基板（１４）上に転写するスタンプ装置（２）を有するホットスタンプ装置（１）であって、加熱可能なスタンプローラー（１１）と対圧ローラー（１２）とを含み、それらの間にスタンプギャップ（１６）が形成され、スタンプギャップにおいてスタンプされた基板（１７）が形成され、また、下流に配置され、前記スタンプされた基板（１７）から前記キャリア層（１５ｔ）を分離するための、分離装置（３）を含み、
前記分離装置（３）が、バー形状の中空体として形成され、圧縮ガスの供給手段（２１）が配置される、分離エレメント（２０）を有し、
前記分離エレメント（２０）の少なくとも一つの長手方向のエッジが、圧縮ガス（２２）の流出口（２０ａ）を有する穴の開いた分離エッジ（２０ｋ）として形成され、前記キャリア層（１５ｔ）と前記分離エッジ（２０ｋ）との間に気体のクッションが形成され、前記キャリア層が前記分離装置により前記基板から分離されること、
を特徴とするホットスタンプ装置。
前記分離エッジ（２０ｋ）が、コーティングされた前記基板（１７）の走行方向に対して横方向に、上面に対して平行に、配置されること、
を特徴とする請求項１に記載のホットスタンプ装置。
前記分離エレメント（２０）が、多角形の断面、特に、矩形の断面を有すること、
を特徴とする請求項１または２に記載のホットスタンプ装置。
前記分離エッジ（２０ｋ）が、流出口（２０ａ）に通じる貫通穴を有すること、
を特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のホットスタンプ装置。
前記分離エッジ（２０ｋ）が、エッジ半径を有する丸味を帯びたエッジとして形成されること、
を特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載のホットスタンプ装置。
前記貫通穴が、前記分離エッジ（２０ｋ）の前記エッジ半径よりも小さく、特に、前記分離エッジ（２０ｋ）の前記エッジ半径より20％小さいドリル穴半径を有する、ドリル穴として形成されること、
を特徴とする請求項４または５に記載のホットスタンプ装置。
前記貫通穴が、前記分離エッジ（２０ｋ）の前記エッジ半径より小さく、特に、前記分離エッジ（２０ｋ）の前記エッジ半径より20％小さいスロット幅を有するスロットとして形成されること、
を特徴とする請求項４または５に記載のホットスタンプ装置。
前記分離エレメント（２０）が、複数の開口穴を有する焼結材料で作られ、前記開口穴が前記貫通穴を構成し、前記開口穴が、前記分離エッジ（２０ｋ）の外側の領域において、ラッカーコーティング等で密封されること、
を特徴とする請求項４または５に記載のホットスタンプ装置。
前記貫通穴が、前記分離エッジ（２０ｋ）の表面積に亘って、均一に分布すること、
を特徴とする請求項４または５に記載のホットスタンプ装置。
前記流出口（２０ａ）の全面積の、閉じた残りの面積に対する面積比率が、50：50%であること、
を特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載のホットスタンプ装置。
前記圧縮ガスの圧力が、1 barから6 barの範囲、好ましくは1 barから3 barの範囲であり、前記圧縮ガスの圧力が、1 μmから100 μmの範囲の厚みを有するガスクッションが、前記分離エッジ（２０ｋ）の表面と、前記分離エッジ（２０ｋ）に対向する前記キャリア層（１５ｔ）の表面との間に形成されるように、選択されること、
を特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載のホットスタンプ装置。
前記分離エレメント（２０）が、前記スタンプローラー（１１）の下流後方に、200 mmから300 mmの水平方向軸距離で配置され、好ましくは、280 mmから295 mmの水平方向軸距離で配置されること、
を特徴とする請求項１から１１のいずれか１項に記載のホットスタンプ装置。
前記スタンプされた基板（１７）の下面に対する垂直距離、及び／または、前記分離エレメント（２０）の傾斜角が、設定可能であること、
を特徴とする請求項１から１２のいずれか１項に記載のホットスタンプ装置。
前記垂直距離が、0.2 mmから5 mmの範囲、好ましくは1.5 mmから3 mmの範囲であること、
を特徴とする請求項１３に記載のホットスタンプ装置。
前記分離エレメント（２０）が、前記分離エレメント（２０）の長手方向軸に対して平行な回転軸回りに、±15°で旋回可能であるように形成されること、
を特徴とする請求項１３または１４に記載のホットスタンプ装置。