JP2016500449A - Euvリソグラフィー用反射性光学素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
この出願は、2012年12月6日に出願された独国特許出願第10 2012 222 466.1号及び米国特許出願第61/734,183号に基づく優先権を主張するものである。これらの出願の内容は、参照によりこの出願に援用する。
- 前記キャッピング層材料について、前記キャッピング層の厚さに対する、前記反射波の前記位相の依存曲線を決定するステップと、
- 前記依存曲線における直線領域であり、前記キャッピング層の前記厚さに伴って、前記反射波の前記位相が実質的に直線的に変化する領域を決定するステップと、
- 前記キャッピング層に厚さプロファイルを生成して、該厚さプロファイルにおける最大層厚及び最小層厚の両方が前記直線領域内となるようにする、ステップと、
を含む、製造方法である。
- 前記キャッピング層材料について、前記キャッピング層の厚さに対する、前記反射性光学素子の前記反射率の依存曲線を決定するステップと
- 前記反射性光学素子の前記反射率が実質的に一定であるプラトー領域を前記依存曲線中で決定するステップと、を更に含み、
- 前記キャッピング層に厚さプロファイルを生成する前記ステップにおいて、前記厚さプロファイルにおける最大層厚及び最小層厚の両方が前記プラトー領域内となるようにすることを特徴とする。
- 前記キャッピング層材料について、前記キャッピング層の厚さに対する、前記反射性光学素子の前記反射率の依存曲線を決定するステップと、
- 前記反射性光学素子の前記反射率が実質的に一定であるプラトー領域を前記依存曲線中で決定するステップと、
- 前記キャッピング層に厚さプロファイルを生成して、該厚さプロファイルにおける最大層厚及び最小層厚の両方が前記プラトー領域内となるようにする、ステップと、
を含むことを特徴とする。
- EUV波長域の動作波長である入射電磁波を反射するための多層系と、
- キャッピング層材料から形成されるキャッピング層と、
- 前記キャッピング層は、前記キャッピング層厚の変化に対する前記位相φの変化の比率が25%超となるように、キャッピング層厚にばらつきを有していることを特徴とする。
P(M)=D(SA)/(D(SA)+D(CR))
(ここで、D(SA)はサブ開口直径を示し、D(CR)は、対象とする面内の光学表面M上における、光学的に使用される全フィールドポイントについて決定される最大主光線間隔を示す。)パラメータP(M)について以下にさらに詳述する。上述の基準によれば、反射性光学素子は光学系の視野面に近接して配置される。反射性光学素子が、近接場装置を光学系内、特に投影系内に有していることが有利であることが判明した。近接場光学素子の場合、かかる光学素子上で反射される波面のばらつきが、特に大きな効果を有する。
P(M)=D(SA)/(D(SA)+D(CR))・・・(1)
ここで、D(SA)はサブ開口直径を示し、D(CR)は、対象とする面内の光学表面M上における(全てのフィールドポイントからの、又は光学的に使用されるフィールドの全フィールドポイントについて決定される)最大主光線間隔を示す。従って、P(M)=0をフィールドミラーに適用し(このとき、サブ開口直径はゼロである)、P(M)=1を瞳ミラーに適用することができる(このとき、主光線間隔はゼロである)。各光学素子が完全に瞳面に配置されていれば、定義により、D(CR)=0である。よって、このときのパラメータPの値は1である。従って、Pが1に近い値であれば、光学素子は瞳面の近傍に配置されている。各光学素子がフィールド面に配置されていれば、対物面5のフィールドポイントから発せられるビームはフィールド面で崩壊(collapse)するため、D(SA)=0である。この場合、パラメータPの値も同様にゼロとなる。従って、Pが0に近い値であれば、光学素子はフィールド面の近傍に配置されている。このような、瞳の近接性や瞳の距離といった用語の概念は、欧州特許出願公開第1 930 771号にも、図4と関連づけてより詳細に説明されている。
Claims (15)
- EUVリソグラフィー用光学系の反射性光学素子の製造方法であって、
前記反射性光学素子(20)は、EUV波長域の動作波長である入射電磁波を反射し位相φの反射波を得る多層系(23、83)と、キャッピング層材料からなるキャッピング層(25、85)とを備え、
前記製造方法は、
a)前記キャッピング層材料について、前記キャッピング層の厚さに対する、前記反射波の前記位相の依存曲線を決定するステップと、
b)前記依存曲線における直線領域であり、前記キャッピング層(25、85)の前記厚さに伴って、前記反射波の前記位相が実質的に直線的に変化する領域を決定するステップと、
c)前記キャッピング層(25、85)に厚さプロファイルを生成して、該厚さプロファイルにおける最大層厚及び最小層厚の両方が前記直線領域内となるようにするステップと、
を含む、製造方法。 - 前記キャッピング層(25、85)内において厚さプロファイルを生成する前記ステップc)は、前記光学系内の波面収差が前記反射性光学素子(20)によって少なくとも部分的には補償されるように、実施される、請求項1に記載の製造方法。
- 前記キャッピング層(25、85)内において厚さプロファイルを生成する前記ステップc)は、前記キャッピング層の厚さdの変化に対する前記位相φの変化の比率が25%超、特に35%超、さらに特に40%超となるように、実施されることを特徴とする、請求項1又は2に記載の製造方法。
- 前記キャッピング層の厚さに対する、前記反射波の前記位相の依存曲線は、前記位相φは、最初、厚さd1に到達するまでは実質的に一定であり、前記厚さd1と、d1<d2である他の厚さd2との間で減少し、d2より大きい厚さで実質的に一定であり、前記キャッピング層(25、85)内において厚さプロファイルを生成する前記ステップc)は、結果的に得られる前記キャッピング層(25、85)の厚さdがd1<d<d2の条件を満たすように実施されることを特徴とする、請求項1〜3の何れか一項に記載の製造方法。
- - 前記キャッピング層材料について、前記キャッピング層(25、85)の厚さに対する、前記反射性光学素子(20)の反射率の依存曲線を決定するステップと、
- 前記反射性光学素子(20)の前記反射率が実質的に一定であるプラトー領域を前記依存曲線中で決定するステップと、を更に含み、
- 前記キャッピング層に厚さプロファイルを生成する前記ステップc)において、前記厚さプロファイルにおける最大層厚及び最小層厚の両方が前記プラトー領域内となるようにすることを特徴とする、請求項1〜4の何れか一項に記載の製造方法。 - EUVリソグラフィー用光学システムの反射性光学素子の製造方法であって、
前記反射性光学素子(20)は、EUV波長域の動作波長である入射電磁波を反射する多層系(23、83)と、キャッピング層材料からなるキャッピング層(25、85)とを備え、
前記製造方法は、
1)前記キャッピング層材料について、前記キャッピング層の厚さに対する、前記反射性光学素子(20)の反射率の依存曲線を決定するステップと、
2)前記反射性光学素子(20)の前記反射率が実質的に一定であるプラトー領域を前記依存曲線中で決定するステップと、
3)前記キャッピング層(25、85)に厚さプロファイルを生成して、該厚さプロファイルにおける最大層厚及び最小層厚の両方が前記プラトー領域内となるようにする、ステップと、
を含む、製造方法。 - 前記キャッピング層(25、85)に厚さプロファイルを生成する前記ステップc)は、前記厚さプロファイルにおける前記最大層厚及び前記最小層厚の両方が、1nm〜4nmの領域内となるように実施される、請求項1〜6の何れか一項に記載の製造方法。
- 前記キャッピング層(25、85)材料は、ルテニウム、ロジウム、又は窒化ケイ素を含む、請求項1〜7の何れか一項に記載の製造方法。
- 前記多層系(23、83)は、シリコン及びモリブデンからなる交互配置されたサブレイヤを有する、請求項1〜8の何れか一項に記載の製造方法。
- 請求項1〜9の何れか一項に記載の製造方法を用いて製造された、EUVリソグラフィー用反射性光学素子。
- EUVリソグラフィー用反射性光学素子であって、
・EUV波長域の動作波長である入射電磁波を反射するための多層系(23、83)と、
・キャッピング層材料から形成されるキャッピング層(25、85)と、を備え、
・前記キャッピング層(25、85)は、キャッピング層厚の変化に対する位相φの変化の比率が25%超となるように、キャッピング層厚にばらつきを有していることを特徴とする、反射性光学素子。 - 前記キャッピング層(25、85)は、前記キャッピング層厚の変化に対する前記位相φの変化の比率が35%超、特に、40%超となるように、キャッピング層厚にばらつきを有していることを特徴とする、請求項11に記載の反射性光学素子。
- 請求項10〜12の何れか一項に記載の反射性光学素子を備える、EUVリソグラフィー用光学系。
- 投影系として実装される、請求項13に記載のEUVリソグラフィー用光学系。
- 前記反射性光学素子(20)は、下式により定義されるパラメータP(M)が0.2未満であり、特に、0.1未満である前記光学系内の平面に配置されることを特徴とする、請求項13又は14に記載の光学系。
P(M)=D(SA)/(D(SA)+D(CR))
(ここで、D(SA)はサブ開口直径を示し、D(CR)は、対象とする面内の光学表面M上における、光学的に使用される全フィールドポイントについて決定される最大主光線間隔を示す。)
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