JP2016225355A - Sample holder and plasma etching apparatus using the same - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce heat generation at an electrode.SOLUTION: A sample holder 10 comprises a ceramic body 1 having a sample holding surface 11 on one main surface, a heating resistor 3 provided on the other main surface of the ceramic body 1, and an electrode 4 provided on the other main surface and connected to the heating resistor 3. A part of the electrode 4 penetrates into the inside of the ceramic body 1 from the other main surface.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、例えば、半導体集積回路の製造工程等において半導体ウエハ等を保持するための試料保持具およびこれを用いたプラズマエッチング装置に関するものである。   The present invention relates to a sample holder for holding a semiconductor wafer or the like, for example, in a manufacturing process of a semiconductor integrated circuit, and a plasma etching apparatus using the same.

半導体集積回路の製造工程または液晶表示装置の製造工程等において、半導体ウエハ等の各試料を保持するための部品として試料保持具が知られている。試料保持具としては、例えば、特許文献１に記載された静電チャックが挙げられる。特許文献１に記載された静電チャックはセラミック基板とセラミック基板の底面に設けられた抵抗発熱体とを備えている。近年、静電チャックは試料保持面における均熱性の更なる向上が求められている。   A sample holder is known as a part for holding each sample such as a semiconductor wafer in a manufacturing process of a semiconductor integrated circuit or a manufacturing process of a liquid crystal display device. Examples of the sample holder include an electrostatic chuck described in Patent Document 1. The electrostatic chuck described in Patent Document 1 includes a ceramic substrate and a resistance heating element provided on the bottom surface of the ceramic substrate. In recent years, electrostatic chucks are required to further improve the thermal uniformity on the sample holding surface.

特開２００１−３５１９７０号公報JP 2001-351970 A

しかしながら、特許文献１に記載された静電チャックにおいては、主面の均熱性をさらに向上させることが困難であった。具体的には、主面の均熱性を向上させるためには、抵抗発熱体の配線幅を細くするとともに、抵抗発熱体の配線密度が高くなるようにしつつ、抵抗発熱体を広範囲に引き回すことが求められる。抵抗発熱体と外部の電源とを接続するための電極もセラミック基板の底面に設けられるため、上述した通り抵抗発熱体の配線密度が高くなるようにしつつ抵抗発熱体を広範囲に引き回そうとすると、電極を従来よりも小さくする必要があった。このような場合には、電流を電極に流したときに電極自体が発熱してしまうおそれがあり、その結果、均熱性をさらに向上させることが困難になってしまうという問題点があった。   However, in the electrostatic chuck described in Patent Document 1, it has been difficult to further improve the thermal uniformity of the main surface. Specifically, in order to improve the thermal uniformity of the main surface, it is possible to reduce the wiring width of the resistance heating element and increase the wiring density of the resistance heating element while extending the resistance heating element over a wide range. Desired. Since the electrode for connecting the resistance heating element and the external power source is also provided on the bottom surface of the ceramic substrate, as described above, when trying to route the resistance heating element over a wide range while increasing the wiring density of the resistance heating element. It was necessary to make the electrodes smaller than before. In such a case, there is a concern that the electrode itself may generate heat when a current is passed through the electrode, and as a result, it is difficult to further improve the heat uniformity.

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、電極自体の発熱を低減することができる試料保持具およびこれを用いたプラズマエッチング装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide a sample holder capable of reducing the heat generation of the electrode itself and a plasma etching apparatus using the sample holder.

本発明の一態様の試料保持具は、一方の主面に試料保持面を有するセラミック体と、該セラミック体の他方の主面に設けられた発熱抵抗体と、前記他方の主面に設けられて前記発熱抵抗体に接続された電極とを備えており、該電極は、一部が前記他方の主面から前記セラミック体の内部に入り込んでいることを特徴とする。   The sample holder according to one aspect of the present invention is provided with a ceramic body having a sample holding surface on one main surface, a heating resistor provided on the other main surface of the ceramic body, and the other main surface. And an electrode connected to the heating resistor, and a part of the electrode enters the inside of the ceramic body from the other main surface.

本発明の一態様のプラズマエッチング装置は、真空チャンバと、該真空チャンバ内に配置された高周波印加用電極を有するベースプレートと、該ベースプレートに搭載された上記の試料保持具とを含むことを特徴とする。   A plasma etching apparatus according to an aspect of the present invention includes a vacuum chamber, a base plate having a high-frequency application electrode disposed in the vacuum chamber, and the sample holder mounted on the base plate. To do.

本発明の一態様の試料保持具によれば、電極の一部がセラミック体の内部に入り込んでいる。これにより、電極自体の発熱を低減することができる。   According to the sample holder of one aspect of the present invention, a part of the electrode enters the inside of the ceramic body. Thereby, the heat_generation | fever of electrode itself can be reduced.

本発明の一態様のプラズマエッチング装置によれば、上記の試料保持具を含むことによって、試料保持面の均熱性を向上させることができる。   According to the plasma etching apparatus of one embodiment of the present invention, it is possible to improve the thermal uniformity of the sample holding surface by including the sample holder.

本発明の一実施形態の試料保持具およびこれを用いたプラズマエッチング装置を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the sample holder of one Embodiment of this invention, and the plasma etching apparatus using the same. 図１に示した試料保持具の変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the modification of the sample holder shown in FIG. 図１に示した試料保持具の変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the modification of the sample holder shown in FIG.

以下、本発明の一実施形態に係る試料保持具１０およびこれを用いたプラズマエッチング装置１００について、図面を参照して説明する。   Hereinafter, a sample holder 10 and a plasma etching apparatus 100 using the same according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

図１は本発明の一実施形態の試料保持具１０を示す断面図である。図１に示すように、本発明の一実施形態の試料保持具１０は、一方の主面に試料保持面１１を有するセラミック体１と、セラミック体１の他方の主面に設けられた発熱抵抗体３と、他方の主面に設けられて発熱抵抗体３に接続された電極４とを備えている。試料保持具１０は、さらに、セラミック体１に埋設された静電吸着用電極２と、外部端子接続用ピン５とを備えている。   FIG. 1 is a cross-sectional view showing a sample holder 10 according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, a sample holder 10 according to an embodiment of the present invention includes a ceramic body 1 having a sample holding surface 11 on one main surface, and a heating resistor provided on the other main surface of the ceramic body 1. The body 3 and the electrode 4 provided on the other main surface and connected to the heating resistor 3 are provided. The sample holder 10 further includes an electrostatic adsorption electrode 2 embedded in the ceramic body 1 and external terminal connection pins 5.

セラミック体１は、一方の主面（上面）に試料保持面１１を有する板状の部材である。セラミック体１は、上面の試料保持面１１で、例えばシリコンウエハ等の試料を保持する。セラミック体１は、平面視したときの形状が円形状の部材である。セラミック体１は、例えばアルミナ、窒化アルミニウム、窒化ケイ素またはイットリア等のセラミック材料からなる。セラミック体１の寸法は、例えば、径を２００〜５００ｍｍ、厚みを２〜１５ｍｍに設定できる。試料保持面１１に試料を保持する方法としては、様々な方法を用いることができるが、本実施形態の試料保持具１０は静電気力によって試料を保持する。そのため、試料保持具１０は、セラミック体１の内部に静電吸着用電極２を備えている。   The ceramic body 1 is a plate-like member having a sample holding surface 11 on one main surface (upper surface). The ceramic body 1 holds a sample such as a silicon wafer on a sample holding surface 11 on the upper surface. The ceramic body 1 is a member having a circular shape when viewed in plan. The ceramic body 1 is made of a ceramic material such as alumina, aluminum nitride, silicon nitride, or yttria. The dimensions of the ceramic body 1 can be set to a diameter of 200 to 500 mm and a thickness of 2 to 15 mm, for example. Although various methods can be used as a method for holding the sample on the sample holding surface 11, the sample holder 10 of this embodiment holds the sample by electrostatic force. Therefore, the sample holder 10 includes an electrostatic adsorption electrode 2 inside the ceramic body 1.

静電吸着用電極２は、２つの電極（図１には一方の電極しか図示していない。）から構成される。２つの電極は、一方が電源の正極に接続され、他方が負極に接続される。２つの電極は、それぞれ略半円板状に形成され、半円の弦同士が隙間をあけて対向するように、セラミック体１の内部に配置される。これら２つの電極の弧によって静電吸着用電極２の全体の外形が円形状となっている。静電吸着用電極２の全体による円形状の外形の中心は、同じく円形状のセラミック体１の外形の中心と同一に設定される。静電吸着用電極２は、例えばタングステンまたはモリブデン等の金属材料からなる。   The electrode 2 for electrostatic attraction is composed of two electrodes (only one electrode is shown in FIG. 1). One of the two electrodes is connected to the positive electrode of the power source, and the other is connected to the negative electrode. The two electrodes are each formed in a substantially semicircular shape, and are arranged inside the ceramic body 1 so that the semicircular strings face each other with a gap. The outer shape of the electrostatic attraction electrode 2 is circular due to the arc of these two electrodes. The center of the circular outer shape of the entire electrostatic adsorption electrode 2 is set to be the same as the center of the outer shape of the circular ceramic body 1. The electrostatic adsorption electrode 2 is made of a metal material such as tungsten or molybdenum.

セラミック体１は下面に開口する穴部１２を有している。穴部１２の底面において、静電吸着用電極２の一部が露出している。穴部１２は、外部端子接続用ピン５を挿入するために設けられている。穴部１２の形状は、例えば円柱状である。穴部１２の寸法は、挿入される外部端子接続用ピン５の寸法に対応して定められる。具体的には、外部端子接続用ピン５の外周面と穴部１２の内周面との間に外部端子接続用ピン５を容易に挿入できる程度の隙間を形成するように、穴部１２の寸法は設定される。外部端子接続用ピン５が外径１．５ｍｍの円柱状の場合には、穴部１２の径は２〜１０ｍｍに設定することができる。   The ceramic body 1 has a hole 12 that opens on the lower surface. A part of the electrostatic attraction electrode 2 is exposed on the bottom surface of the hole 12. The hole 12 is provided for inserting the external terminal connecting pin 5. The shape of the hole 12 is, for example, a cylindrical shape. The dimension of the hole 12 is determined corresponding to the dimension of the external terminal connecting pin 5 to be inserted. Specifically, the hole 12 is formed so as to form a gap that allows the external terminal connection pin 5 to be easily inserted between the outer peripheral surface of the external terminal connection pin 5 and the inner peripheral surface of the hole 12. Dimensions are set. In the case where the external terminal connecting pin 5 has a cylindrical shape with an outer diameter of 1.5 mm, the diameter of the hole 12 can be set to 2 to 10 mm.

外部端子接続用ピン５は、外部電源（図示せず）と静電吸着用電極２とを電気的に接続するための部材である。また、外部端子接続用ピン５は、外部電源と発熱抵抗体３に接続される電極４とを電気的に接続するためにも用いられる。外部端子接続用ピン５は、例えば円柱状の部材であって、穴部１２に挿入されて用いられる。外部端子接続用ピン５は、穴部１２の内部において、先端が静電吸着用電極２に押し当てられることによって、電気的に接続されている。外部端子接続用ピン５の先端は、尖った形状になっている。これにより、静電吸着用電極２の表面に外部端子接続用ピン５を接触させやすくなっている。そのため、静電吸着用電極２と外部端子接続用ピン５との間の接続抵抗が大きくなってしま
う可能性を低減できる。 The external terminal connection pin 5 is a member for electrically connecting an external power source (not shown) and the electrostatic chucking electrode 2. The external terminal connection pin 5 is also used to electrically connect an external power source and the electrode 4 connected to the heating resistor 3. The external terminal connecting pin 5 is a cylindrical member, for example, and is inserted into the hole 12 and used. The external terminal connection pin 5 is electrically connected by pressing the tip of the external terminal connection pin 5 against the electrostatic adsorption electrode 2 inside the hole 12. The tip of the external terminal connecting pin 5 has a sharp shape. As a result, the external terminal connecting pins 5 are easily brought into contact with the surface of the electrostatic chucking electrode 2. Therefore, the possibility that the connection resistance between the electrostatic attraction electrode 2 and the external terminal connection pin 5 becomes large can be reduced.

発熱抵抗体３は、セラミック体１の上面の試料保持面１１に保持した試料を加熱するための部材である。発熱抵抗体３は、セラミック体１の他方の主面（下面）に設けられている。発熱抵抗体３に電圧を印加することによって、発熱抵抗体３を発熱させることができる。発熱抵抗体３で発せられた熱は、セラミック体１の内部を伝わって、セラミック体１の上面における試料保持面１１に到達する。これにより、試料保持面１１に保持された試料を加熱することができる。発熱抵抗体３は、例えば複数の湾曲部を有する線状のパターンであって、セラミック体１の下面のほぼ全面に形成されている。これにより、試料保持具１０の上面において熱分布にばらつきが生じることを抑制できる。   The heating resistor 3 is a member for heating the sample held on the sample holding surface 11 on the upper surface of the ceramic body 1. The heating resistor 3 is provided on the other main surface (lower surface) of the ceramic body 1. By applying a voltage to the heating resistor 3, the heating resistor 3 can be heated. The heat generated by the heating resistor 3 is transmitted through the ceramic body 1 and reaches the sample holding surface 11 on the upper surface of the ceramic body 1. Thereby, the sample held on the sample holding surface 11 can be heated. The heating resistor 3 is, for example, a linear pattern having a plurality of curved portions, and is formed on almost the entire lower surface of the ceramic body 1. Thereby, it can suppress that dispersion | variation arises in heat distribution in the upper surface of the sample holder 10. FIG.

発熱抵抗体３は、導体成分およびガラス成分を含んでいる。導体成分としては、例えば銀パラジウム、白金、アルミニウムまたは金等の金属材料を含んでいる。また、ガラス成分としては、ケイ素、アルミニウム、ビスマス、カルシウム、ホウ素および亜鉛等の材料の酸化物を含んでいるガラスを用いることができる。発熱抵抗体３は、例えば、厚みを２０〜７０μｍに設定できる。   The heating resistor 3 includes a conductor component and a glass component. As a conductor component, metal materials, such as silver palladium, platinum, aluminum, or gold | metal | money, are contained, for example. As the glass component, glass containing oxides of materials such as silicon, aluminum, bismuth, calcium, boron and zinc can be used. For example, the thickness of the heating resistor 3 can be set to 20 to 70 μm.

電極４は、発熱抵抗体３と外部電源とを電気的に接続するための部材である。電極４は一部がセラミック体１の下面に設けられており、発熱抵抗体３と電気的に接続されている。より詳しくは、発熱抵抗体３の配線パターンと電極４とが繋がっている。電極４は、下面視したときの前記セラミック体１の下面に位置する部分４０の形状が、例えば、円形状である。   The electrode 4 is a member for electrically connecting the heating resistor 3 and an external power source. A part of the electrode 4 is provided on the lower surface of the ceramic body 1 and is electrically connected to the heating resistor 3. More specifically, the wiring pattern of the heating resistor 3 and the electrode 4 are connected. In the electrode 4, the shape of the portion 40 located on the lower surface of the ceramic body 1 when viewed from the lower surface is, for example, a circular shape.

ここで、本実施形態の試料保持具１０においては、電極４の一部が他方の主面からセラミック体１の内部に入り込んでいる。具体的には、セラミック体１の他方の主面から一方の主面に向かう第１部分４１と、第１部分４１からセラミック体１の主面に対して並行に延びる第２部分４２とを備えている。第１部分４１は、例えば、円柱状であって、第２部分４２は、例えば、帯状に設けられている。   Here, in the sample holder 10 of the present embodiment, a part of the electrode 4 enters the inside of the ceramic body 1 from the other main surface. Specifically, a first portion 41 extending from the other main surface of the ceramic body 1 to the one main surface and a second portion 42 extending in parallel from the first portion 41 to the main surface of the ceramic body 1 are provided. ing. The first portion 41 is, for example, a columnar shape, and the second portion 42 is provided, for example, in a band shape.

本実施形態の試料保持具１０においては、電極４の一部がセラミック体１の内部に入り込んでいる。これにより、電極４の抵抗を小さくすることができるので、電極４における発熱を低減することができる。   In the sample holder 10 of the present embodiment, a part of the electrode 4 enters the inside of the ceramic body 1. Thereby, since the resistance of the electrode 4 can be reduced, heat generation in the electrode 4 can be reduced.

特に、上述したように、電極４がセラミック体１の他方の主面から一方の主面に向かう第１部分４１を有していることが好ましい。このように、電極４がセラミック体１の下面に位置している部分から直上の方向に延びていることによって、電極４が斜め上の方向に延びている場合と比較して、発熱抵抗体３から流れてきた電流を第１部分４１にスムーズに流すことができる。そのため、電極４において不要な発熱が生じてしまうことをさらに低減できる。   In particular, as described above, it is preferable that the electrode 4 has the first portion 41 from the other main surface of the ceramic body 1 toward the one main surface. As described above, the heating resistor 3 is formed by extending the electrode 4 in the direction immediately above from the portion located on the lower surface of the ceramic body 1 as compared with the case where the electrode 4 extends in the obliquely upward direction. The current flowing from the first portion 41 can flow smoothly to the first portion 41. Therefore, it is possible to further reduce the occurrence of unnecessary heat generation in the electrode 4.

電極４の寸法は、例えば、セラミック体１の他方の主面に設けられている部分の厚みを、発熱抵抗体３と同様に、２０〜７０μｍに設定できる。また、第１部分４１のセラミック体１の上下方向における厚み（深さ）を１．１〜１．２ｍｍに設定できる。また、第２部分４２の厚みを１５〜２５μｍに設定できる。   As for the dimension of the electrode 4, for example, the thickness of the portion provided on the other main surface of the ceramic body 1 can be set to 20 to 70 μm, similarly to the heating resistor 3. In addition, the thickness (depth) of the first portion 41 in the vertical direction of the ceramic body 1 can be set to 1.1 to 1.2 mm. Moreover, the thickness of the 2nd part 42 can be set to 15-25 micrometers.

さらに、図２に示すように、セラミック体１の他方の主面に凹部１３が設けられており、電極４は、セラミック体１の内部に入り込んでいる部分が凹部１３に向かって延びており、一部が凹部１３内に露出していてもよい。より具体的には、第２部分４２が凹部１３に露出していてもよい。これにより、発熱抵抗体３のトリミングを容易に行なうことができる。以下、詳細に説明する。   Furthermore, as shown in FIG. 2, a recess 13 is provided on the other main surface of the ceramic body 1, and the electrode 4 has a portion extending into the interior of the ceramic body 1 extending toward the recess 13. A part of the recess 13 may be exposed. More specifically, the second portion 42 may be exposed in the recess 13. Thereby, the heating resistor 3 can be easily trimmed. Details will be described below.

一般的に、発熱抵抗体３のトリミングは、電極４と発熱抵抗体３の所望の部分との間の抵抗値を抵抗計で測定しながら、発熱抵抗体３を研磨または部分的にカットすることによって行なう。そのため、発熱抵抗体３のうち電極４の近傍に位置する領域に関しては、電極４に接続された抵抗計の端子が障害となることから、この領域のトリミングを効率的に行なうことが困難であった。これに対して、図２に示すように、電極４のうちセラミック体１の内部に入り込んでいる部分を凹部１３に引き出しておくことによって、電極４のうちセラミック体１の下面に位置する部分４０ではなく、凹部１３に引き出されている部分に抵抗計の端子を接続することによっても、発熱抵抗体３の抵抗値を測定することが可能になる。そのため、電極４のうち下面に位置している部分４０の周辺のトリミングを行なうことが容易になるので、より細やかなトリミングを行なうことができるようになる。その結果、試料保持具１０の主面における均熱性をさらに向上できる。   In general, trimming of the heating resistor 3 is performed by polishing or partially cutting the heating resistor 3 while measuring a resistance value between the electrode 4 and a desired portion of the heating resistor 3 with a resistance meter. To do. For this reason, the region of the heating resistor 3 located in the vicinity of the electrode 4 is a hindrance to the terminal of the ohmmeter connected to the electrode 4, so that it is difficult to efficiently trim this region. It was. On the other hand, as shown in FIG. 2, a portion 40 of the electrode 4 positioned on the lower surface of the ceramic body 1 is drawn by pulling out a portion of the electrode 4 entering the inside of the ceramic body 1 into the recess 13. Instead, the resistance value of the heating resistor 3 can be measured also by connecting the terminal of the ohmmeter to the portion drawn out to the recess 13. Therefore, it becomes easy to perform trimming around the portion 40 located on the lower surface of the electrode 4, so that finer trimming can be performed. As a result, the thermal uniformity on the main surface of the sample holder 10 can be further improved.

また、図３に示すように、トリミングを行なった後には、凹部１３に絶縁性の樹脂９を充填してもよい。凹部１３に絶縁性の樹脂９を充填することによって、凹部１３に何も充填されていない（凹部１３内に空気が存在している）状態と比較して、凹部１３内部における熱伝導率をセラミック体１に近づけることができる。これにより、凹部１３を設けたことによるセラミック体１における熱の偏りを低減することができる。   In addition, as shown in FIG. 3, after the trimming, the recess 13 may be filled with an insulating resin 9. By filling the recess 13 with the insulating resin 9, the thermal conductivity inside the recess 13 is reduced compared to a state where nothing is filled in the recess 13 (air exists in the recess 13). Can be close to the body 1. Thereby, it is possible to reduce the heat bias in the ceramic body 1 due to the provision of the recess 13.

図１に戻って、上述した試料保持具１０を用いたプラズマエッチング装置１００の一部を説明する。プラズマエッチング装置１００は、真空チャンバ（図示せず）と、真空チャンバ内に配置された高周波印加用電極（図示せず）を有するベースプレート６と、ベースプレート６に搭載された試料保持具１０とを備えている。   Returning to FIG. 1, a part of the plasma etching apparatus 100 using the above-described sample holder 10 will be described. The plasma etching apparatus 100 includes a vacuum chamber (not shown), a base plate 6 having a high-frequency application electrode (not shown) disposed in the vacuum chamber, and a sample holder 10 mounted on the base plate 6. ing.

ベースプレート６は、内部に冷却媒体用の流路（図示せず）および試料保持具１０の上面にヘリウムまたはアルゴン等の伝熱ガスを流す流路を内蔵した板状の部材である。ベースプレート６としては、例えば、アルミニウムまたはチタン等の金属材料、炭化ケイ素等のセラミック材料あるいは炭化ケイ素とアルミニウムとの複合材等を用いることができる。   The base plate 6 is a plate-like member that incorporates therein a flow path for a cooling medium (not shown) and a flow path for flowing a heat transfer gas such as helium or argon on the upper surface of the sample holder 10. As the base plate 6, for example, a metal material such as aluminum or titanium, a ceramic material such as silicon carbide, or a composite material of silicon carbide and aluminum can be used.

試料保持具１０の発熱抵抗体３は絶縁層７によって覆われている。絶縁層７としては、セラミックフィラー入りの接着材またはセラミック材料等が用いられる。この絶縁層７は、樹脂層８によってベースプレート６の上面に接着されている。   The heating resistor 3 of the sample holder 10 is covered with an insulating layer 7. As the insulating layer 7, an adhesive material or ceramic material containing a ceramic filler is used. The insulating layer 7 is bonded to the upper surface of the base plate 6 with a resin layer 8.

樹脂層８としては、接着性の樹脂を用いることができる。具体的には、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂またはアクリル樹脂等を用いることができる。なお、樹脂層８はフィラーを含有していても構わない。フィラーを含有することによって、樹脂層８の熱伝導性を向上させることができる。フィラーとしては、セラミック材料または金属材料等の樹脂材料よりも高い熱伝導性を有しているものであればよい。具体的には、フィラーが金属から成る場合には、例えばアルミニウムから成るものを用いることができる。また、フィラーがセラミック材料から成る場合には、アルミナ、炭化ケイ素、窒化アルミニウムまたは窒化ケイ素を用いることができる。   As the resin layer 8, an adhesive resin can be used. Specifically, a silicone resin, an epoxy resin, an acrylic resin, or the like can be used. The resin layer 8 may contain a filler. By containing the filler, the thermal conductivity of the resin layer 8 can be improved. Any filler may be used as long as it has higher thermal conductivity than a resin material such as a ceramic material or a metal material. Specifically, when the filler is made of a metal, for example, a filler made of aluminum can be used. When the filler is made of a ceramic material, alumina, silicon carbide, aluminum nitride, or silicon nitride can be used.

なお、樹脂層８、絶縁層７およびベースプレート６には、セラミック体１の穴部１２に外部端子接続用ピン５を挿入できるように、穴部１２に繋がる貫通孔が設けられている。これにより、セラミック体１の下面に樹脂層８、絶縁層７およびベースプレート６を設けた場合であっても、外部端子接続用ピン５をセラミック体１の下面から穴部１２に挿入することができる。   The resin layer 8, the insulating layer 7, and the base plate 6 are provided with through holes connected to the holes 12 so that the external terminal connection pins 5 can be inserted into the holes 12 of the ceramic body 1. Thereby, even when the resin layer 8, the insulating layer 7, and the base plate 6 are provided on the lower surface of the ceramic body 1, the external terminal connection pins 5 can be inserted into the holes 12 from the lower surface of the ceramic body 1. .

プラズマエッチング装置１００は、上記の試料保持具１０を備えていることによって、
試料保持面１１の均熱性を向上させることができる。 The plasma etching apparatus 100 includes the sample holder 10 described above.
The soaking property of the sample holding surface 11 can be improved.

１ ：セラミック体
１１ ：試料保持面
１２ ：穴部
１３ ：凹部
２ ：静電吸着用電極
３ ：発熱抵抗体
４ ：電極
４１ ：第１部分
４２ ：第２部分
５ ：外部端子接続用ピン
６ ：ベースプレート
７ ：絶縁層
８ ：樹脂層
１０ ：試料保持具
１００：プラズマエッチング装置 1: Ceramic body 11: Sample holding surface 12: Hole 13: Recess 2: Electrostatic adsorption electrode 3: Heating resistor 4: Electrode 41: 1st part 42: 2nd part 5: External terminal connecting pin 6: Base plate 7: Insulating layer 8: Resin layer 10: Sample holder 100: Plasma etching apparatus

Claims (4)

一方の主面に試料保持面を有するセラミック体と、該セラミック体の他方の主面に設けられた発熱抵抗体と、前記他方の主面に設けられて前記発熱抵抗体に接続された電極とを備えており、該電極は、一部が前記他方の主面から前記セラミック体の内部に入り込んでいることを特徴とする試料保持具。   A ceramic body having a sample holding surface on one main surface; a heating resistor provided on the other main surface of the ceramic body; and an electrode provided on the other main surface and connected to the heating resistor. The sample holder is characterized in that a part of the electrode enters the inside of the ceramic body from the other main surface. 前記セラミック体の前記他方の主面に凹部が設けられており、前記電極は、前記セラミック体の内部に入り込んでいる部分が前記凹部に向かって延びており、一部が前記凹部内に露出していることを特徴とする請求項１に記載の試料保持具。   A concave portion is provided on the other main surface of the ceramic body, and a portion of the electrode extending into the ceramic body extends toward the concave portion, and a part of the electrode is exposed in the concave portion. The sample holder according to claim 1, wherein the sample holder is provided. 前記凹部に絶縁性の樹脂が充填されていることを特徴とする請求項２に記載の試料保持具。   The sample holder according to claim 2, wherein the recess is filled with an insulating resin. 真空チャンバと、該真空チャンバ内に配置された高周波印加用電極を有するベースプレートと、該ベースプレートに搭載された請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の試料保持具とを備えたプラズマエッチング装置。   The plasma etching apparatus provided with the vacuum chamber, the base plate which has the electrode for high frequency application arrange | positioned in this vacuum chamber, and the sample holder in any one of Claim 1 thru | or 3 mounted in this base plate .
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