JP2002175867A - Ceramic heater - Google Patents

Ceramic heater

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JP2002175867A
JP2002175867A JP2000374262A JP2000374262A JP2002175867A JP 2002175867 A JP2002175867 A JP 2002175867A JP 2000374262 A JP2000374262 A JP 2000374262A JP 2000374262 A JP2000374262 A JP 2000374262A JP 2002175867 A JP2002175867 A JP 2002175867A
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JP
Japan
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heating element
resistance heating
ceramic
resistance
temperature
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Application number
JP2000374262A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yasutaka Ito
康隆 伊藤
Satoru Kariya
悟 苅谷
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Ibiden Co Ltd
Original Assignee
Ibiden Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a ceramic heater, having superior temperature control property, without excessively making the dividing number of resistor exothermic body excessive, where the temperature of the heated face of a semiconductor wafer becomes uniform. SOLUTION: This ceramic heater with the resistor exothermic body being composed of an least two circuits formed on a disc shaped ceramic substrate, and the resistor exothermic body, notches or grooves being formed at the resistor exothermic body, dispersions in resistance values to the average resistance value of the resistor exothermic body are set to be not more than 5%, and the total number of the circuits of the resistor exothermic body set to be not more than 8.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、主に半導体産業に
おいて使用される乾燥用、スパッタリング用等のセラミ
ックヒータに関し、特には、温度制御しやすく、加熱面
の温度均一性に優れるセラミックヒータに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a ceramic heater used mainly in the semiconductor industry for drying, sputtering and the like, and more particularly to a ceramic heater which is easy to control the temperature and has excellent temperature uniformity on a heating surface.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体製品は、半導体ウエハ上に感光性
樹脂をエッチングレジストとして形成し、半導体ウエハ
のエッチングを行う工程等を経て製造される。この感光
性樹脂は液状であり、スピンコーターなどを用いて半導
体ウエハ表面に塗布されるのであるが、塗布後に乾燥さ
せなければならず、塗布した半導体ウエハをヒータ上に
載置して加熱することになる。従来、このような用途に
使用される金属製のヒータとしては、アルミニウム板の
裏面に抵抗発熱体を配置したものが採用されている。
2. Description of the Related Art Semiconductor products are manufactured through a process of forming a photosensitive resin on a semiconductor wafer as an etching resist and etching the semiconductor wafer. This photosensitive resin is a liquid and is applied to the surface of the semiconductor wafer using a spin coater or the like.However, it must be dried after application, and the applied semiconductor wafer is placed on a heater and heated. become. Conventionally, as a metal heater used for such an application, a heater in which a resistance heating element is arranged on the back surface of an aluminum plate has been adopted.

【0003】ところが、このような金属製のヒータは、
以下のような問題があった。まず、金属製であるため、
セラミック基板の厚みは、15mm程度と厚くしなけれ
ばならない。なぜなら、薄い金属板では、加熱に起因す
る熱膨張により、反りや歪みが発生してしまい、金属板
上に載置した半導体ウエハが破損したり傾いたりしてし
まうからである。しかしながら、セラミック基板の厚み
を厚くすると、ヒータの重量が重くなり、また、かさば
ってしまう。
[0003] However, such a metal heater has the following problems.
There were the following problems. First, because it is made of metal,
The thickness of the ceramic substrate must be as thick as about 15 mm. This is because, in a thin metal plate, warping or distortion occurs due to thermal expansion caused by heating, and the semiconductor wafer mounted on the metal plate is damaged or tilted. However, when the thickness of the ceramic substrate is increased, the weight of the heater increases and the heater becomes bulky.

【0004】また、抵抗発熱体に印加する電圧や電流量
を変えることにより、加熱温度を制御するのであるが、
金属板が厚いために、電圧や電流量の変化に対してセラ
ミック基板の温度が迅速に追従せず、温度制御しにく
い。
[0004] The heating temperature is controlled by changing the voltage or the amount of current applied to the resistance heating element.
Since the metal plate is thick, the temperature of the ceramic substrate does not quickly follow changes in voltage and current amount, and it is difficult to control the temperature.

【0005】そこで、特公平8−8247号公報などで
提案されているように、発熱体が形成された窒化物セラ
ミックを使用し、発熱体近傍の温度を測定しながら、温
度制御する技術が提案されている。
Therefore, as proposed in Japanese Patent Publication No. 8-8247 and the like, there has been proposed a technique of using a nitride ceramic having a heating element and controlling the temperature while measuring the temperature in the vicinity of the heating element. Have been.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
技術を用いて半導体ウエハを加熱しようとした際、セラ
ミックヒータの加熱を行う面(以下、加熱面という)に
温度差が発生し、加熱された半導体ウエハの温度差が大
きくなり、半導体ウエハ上の樹脂硬化物の硬化度が不均
一になったり、ヒータ表面の温度差に起因する熱衝撃で
半導体ウエハが破損してしまうという問題が発生した。
そこで、本発明者らは、抵抗発熱体を2以上の回路に分
割し、温度測定の結果に基づいて各回路に異なった電力
を投入して温度制御を行うことを想起した。
However, when a semiconductor wafer is to be heated by using such a technique, a temperature difference occurs on a surface of the ceramic heater to be heated (hereinafter referred to as a heating surface), and the semiconductor wafer is heated. The temperature difference between the semiconductor wafers is increased, the degree of curing of the resin cured product on the semiconductor wafer becomes uneven, and the semiconductor wafer is damaged by thermal shock caused by the temperature difference on the heater surface. .
Therefore, the present inventors have recalled that the resistance heating element is divided into two or more circuits, and different power is supplied to each circuit based on the result of temperature measurement to perform temperature control.

【0007】しかしながら、温度制御の精度を上げるに
は、抵抗発熱体の回路の分割数を増やす必要があり、半
導体ウエハを均一に加熱することができるようになるま
で、抵抗発熱体の回路数を増やすと、温度制御が非常に
煩雑になるため、セラミックヒータ、および、調温器等
の温度制御装置が故障する等のトラブルが多発するとい
う問題が発生した。また、そのようなセラミックヒータ
は、抵抗発熱体の形成、温度制御装置の接続等の製造工
程が煩雑になるため、製造コストが増加してしまった。
一方、抵抗発熱体の回路の分割数を増加させても、セラ
ミックヒータの加熱面における温度のばらつきを抑える
ことが困難な場合もあった。
However, in order to improve the accuracy of temperature control, it is necessary to increase the number of circuits of the resistance heating element, and until the semiconductor wafer can be heated uniformly, the number of circuits of the resistance heating element is reduced. If the number is increased, the temperature control becomes very complicated, so that a problem such as failure of a temperature control device such as a ceramic heater and a temperature controller occurs frequently. Further, in such a ceramic heater, manufacturing steps such as formation of a resistance heating element and connection of a temperature control device are complicated, so that manufacturing costs are increased.
On the other hand, even if the number of divisions of the circuit of the resistance heating element is increased, it is sometimes difficult to suppress the temperature variation on the heating surface of the ceramic heater.

【0008】そこで、本発明者らは研究した結果、抵抗
発熱体の回路の分割数を増加させても、セラミックヒー
タの加熱面における温度のばらつきを抑えることが困難
な場合があるのは、抵抗発熱体がスクリーン印刷等の手
法を用いて形成されているので、印刷の厚さと幅とが大
きくばらつき、その結果、抵抗値がばらついて、温度制
御が困難となっているためであるということを突き止め
た。
Therefore, as a result of research conducted by the present inventors, it is sometimes difficult to suppress temperature variations on the heating surface of the ceramic heater even if the number of circuit divisions of the resistance heating element is increased. Because the heating element is formed using a technique such as screen printing, the thickness and width of the printing greatly vary, and as a result, the resistance value varies, making it difficult to control the temperature. I found it.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らはさ
らに検討を重ねた結果、上述のようなセラミックヒータ
を確実に温度制御するには、トリミング等を行って抵抗
発熱体の抵抗値を調整したうえで、抵抗発熱体の分割さ
れた回路毎に温度制御を行えばよいことを見出した。さ
らに、抵抗発熱体の抵抗値のばらつきを一定以下に抑え
たセラミックヒータであれば、抵抗発熱体の回路の分割
数を8以下としても、非常に精度よく温度制御を行うこ
とができ、また、回路の分割数を多くする必要がないた
め、温度制御が煩雑にならないことを見出し、本発明を
完成させるに至った。
The inventors of the present invention have conducted further studies. As a result, in order to control the temperature of the above ceramic heater reliably, trimming or the like is performed to reduce the resistance value of the resistance heating element. After adjustment, it has been found that temperature control may be performed for each divided circuit of the resistance heating element. Furthermore, with a ceramic heater in which the variation of the resistance value of the resistance heating element is suppressed to a certain value or less, even if the number of divisions of the circuit of the resistance heating element is set to eight or less, temperature control can be performed with extremely high accuracy. Since it is not necessary to increase the number of circuit divisions, it has been found that temperature control is not complicated, and the present invention has been completed.

【0010】即ち、本発明のセラミックヒータは、円板
形状のセラミック基板上に2以上の回路からなる抵抗発
熱体が形成されたセラミックヒータであって、上記抵抗
発熱体には、切欠または溝が形成され、上記抵抗発熱体
の平均抵抗値に対する抵抗値のばらつきが、5%以下で
あり、かつ、上記抵抗発熱体の回路の総数が、8以下で
あることを特徴とするセラミックヒータ。
That is, the ceramic heater of the present invention is a ceramic heater in which a resistance heating element composed of two or more circuits is formed on a disk-shaped ceramic substrate, wherein the resistance heating element has a notch or a groove. A ceramic heater which is formed and has a resistance value variation of 5% or less with respect to an average resistance value of the resistance heating element, and a total number of circuits of the resistance heating element is 8 or less.

【0011】本発明によれば、レーザ光やブラスト処理
等によるトリミングにより、抵抗発熱体の抵抗値のばら
つきが5%以下と小さくなるため、一の回路における抵
抗発熱体に、場所による発熱量のばらつきが少なく、そ
の回路部分において均一に発熱することができ、また、
そのような回路からなる抵抗発熱体は、セラミック基板
を均一に加熱することができる。その結果、抵抗発熱体
の回路の分割数を減らすことができ、容易に温度制御を
行うことができる。抵抗発熱体の抵抗値のばらつきが大
きい場合には、一の回路において発熱量がばらつくの
で、これを補償するため、細かく回路を分割して、各回
路毎に投入電力量を変えて温度制御する必要があるが、
本発明では抵抗値のばらつきがほとんどないため、細か
い分割が不要となり、温度制御しやすくなるのである。
さらに、抵抗値のばらつきが小さいため、制御性が向上
し、セラミックヒータの加熱面の温度を均一にすること
が可能となる。また、抵抗発熱体の回路の分割数は、8
以下であり、分割数が過剰ではないため、温度制御が煩
雑になることがなく、セラミックヒータ、および、調温
器等の温度制御装置が故障する等のトラブルを抑制する
ことができる。また、そのようなセラミックヒータは、
製造工程の煩雑さが解消され、製造コストを抑えること
が可能である。
According to the present invention, the variation in the resistance value of the resistance heating element is reduced to 5% or less due to trimming by laser light or blast processing or the like. There is little variation, heat can be generated uniformly in the circuit part,
The resistance heating element including such a circuit can uniformly heat the ceramic substrate. As a result, the number of circuit divisions of the resistance heating element can be reduced, and the temperature can be easily controlled. If the resistance value of the resistance heating element has a large variation, the amount of heat generated in one circuit varies. To compensate for this, the circuit is finely divided, and the temperature is controlled by changing the input power amount for each circuit. Need to be
In the present invention, since there is almost no variation in the resistance value, fine division is not required, and the temperature can be easily controlled.
Further, since the variation in the resistance value is small, the controllability is improved, and the temperature of the heating surface of the ceramic heater can be made uniform. The number of circuit divisions of the resistance heating element is 8
Since the number of divisions is not excessive, temperature control does not become complicated, and troubles such as failure of a temperature control device such as a ceramic heater and a temperature controller can be suppressed. Also, such ceramic heaters
The complexity of the manufacturing process is eliminated, and the manufacturing cost can be reduced.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】次に、本発明のセラミックヒータ
について説明する。本発明のセラミックヒータは、円板
形状のセラミック基板上に2以上の回路からなる抵抗発
熱体が形成されたセラミックヒータであって、上記抵抗
発熱体には、切欠または溝が形成され、上記抵抗発熱体
の平均抵抗値に対する抵抗値のばらつきが、5%以下で
あり、かつ、上記抵抗発熱体の回路の総数が、8以下で
あることを特徴とするセラミックヒータである。
Next, a ceramic heater according to the present invention will be described. The ceramic heater according to the present invention is a ceramic heater in which a resistance heating element including two or more circuits is formed on a disk-shaped ceramic substrate, wherein the resistance heating element has a cutout or a groove formed therein. A ceramic heater characterized in that the variation of the resistance value with respect to the average resistance value of the heating element is 5% or less, and the total number of circuits of the resistance heating element is 8 or less.

【0013】抵抗発熱体の抵抗値を調整する方法として
は、例えば、セラミック基板に形成した抵抗発熱体にト
リミングを行い、抵抗発熱体に溝または切欠を形成する
ことにより抵抗値を調整する方法や、金属もしくは金属
および酸化物からなる導体ペーストを、スクリーン印刷
によりセラミック基板に印刷し、抵抗発熱体を形成する
場合、印刷する導体ペーストのパターン、すなわち、抵
抗発熱体のパターンを工夫することで抵抗値を調節する
方法等を挙げることができる。
As a method of adjusting the resistance value of the resistance heating element, for example, a method of trimming the resistance heating element formed on the ceramic substrate and forming a groove or a notch in the resistance heating element to adjust the resistance value, When a resistive heating element is formed by printing a conductive paste made of a metal or a metal and an oxide on a ceramic substrate by screen printing, the pattern of the conductive paste to be printed, that is, the pattern of the resistive heating element is devised. Examples of the method include adjusting the value.

【0014】上述した方法のなかでは、セラミック基板
に形成した抵抗発熱体にトリミングを行い、抵抗発熱体
に溝または切欠を形成することにより抵抗値を調整する
方法が望ましい。より精度のよい抵抗値の調整を行うこ
とができるからである。なお、上述の方法は2つ併用す
ることも可能である。すなわち、抵抗値のばらつきが少
なくなるように工夫されたパターンからなる抵抗発熱体
を形成し、その抵抗発熱体をトリミングすることにより
抵抗値を調整する方法である。これにより、さらに抵抗
値の調整を精度よく行うことが可能である。
Among the above-mentioned methods, it is desirable to trim the resistance heating element formed on the ceramic substrate and form a groove or notch in the resistance heating element to adjust the resistance value. This is because the resistance value can be adjusted more accurately. Note that two of the above methods can be used in combination. That is, a method of forming a resistance heating element having a pattern devised so as to reduce variation in resistance value, and adjusting the resistance value by trimming the resistance heating element. As a result, the resistance value can be adjusted more accurately.

【0015】図1(a)〜(c)は、抵抗発熱体にトリ
ミングを実施した際に形成される溝や切欠を模式的に表
す斜視図である。
FIGS. 1A to 1C are perspective views schematically showing grooves and notches formed when trimming is performed on a resistance heating element.

【0016】図1(a)に示した溝120は、抵抗発熱
体12の表面を電流の流れる方向に沿って概ね平行にト
リミングすることにより形成される溝であり、図1
(b)に示した切欠130は、抵抗発熱体12の側面を
電流の流れる方向に対して略垂直にトリミングすること
により形成される切欠であり、図1(c)に示した溝1
40は、抵抗発熱体12の一部の厚みを全幅に渡って薄
くトリミングすることにより形成される溝である。な
お、切欠とは、抵抗発熱体の幅を局所的に狭くするため
に形成された1種の切れ込みをいい、切れ込みを入れる
ことにより抵抗発熱体の幅を局所的に狭くし、抵抗値を
調整するものである。そのとき、切欠は、抵抗発熱体の
厚みが部分的に薄くなるように形成されていてもよく、
切欠の底部がセラミック基板の表面に届くように形成さ
れていてもよい。
The groove 120 shown in FIG. 1A is a groove formed by trimming the surface of the resistance heating element 12 substantially in parallel along the direction of current flow.
The notch 130 shown in (b) is a notch formed by trimming the side surface of the resistance heating element 12 substantially perpendicularly to the direction in which current flows, and the notch 130 shown in FIG.
Reference numeral 40 denotes a groove formed by trimming a part of the thickness of the resistance heating element 12 thinly over the entire width. The notch refers to one kind of cut formed to locally reduce the width of the resistance heating element. By making a cut, the width of the resistance heating element is locally reduced to adjust the resistance value. Is what you do. At that time, the notch may be formed so that the thickness of the resistance heating element is partially reduced,
The notch may be formed so that the bottom of the notch reaches the surface of the ceramic substrate.

【0017】本発明では、これらのいずれの方法でも抵
抗発熱体の抵抗値を調整し、抵抗値のばらつきを5%以
下にすることができるが、これらの中では、図1(a)
に示したように、抵抗発熱体の表面を電流の流れる方向
に沿って概ね平行にトリミングすることにより溝を形成
し、抵抗値を調整することが望ましい。比較的容易かつ
精度よく抵抗値を調整することができるからである。
In the present invention, the resistance value of the resistance heating element can be adjusted by any of these methods to reduce the variation in the resistance value to 5% or less.
As shown in (1), it is desirable to form a groove by trimming the surface of the resistance heating element substantially parallel to the direction in which current flows, and to adjust the resistance value. This is because the resistance value can be adjusted relatively easily and accurately.

【0018】抵抗発熱体の側面に、切欠の底部がセラミ
ック基板の表面に届くような切欠を形成すると、抵抗値
が局所的に高くなる部分が生じて、発熱で抵抗発熱体が
溶融してしまう場合もあり、また、図1(c)に示した
形状の切欠を形成しようとすると、厚さのコントロール
が難しくなる。
If a notch is formed on the side surface of the resistance heating element such that the bottom of the notch reaches the surface of the ceramic substrate, a portion where the resistance value is locally increased occurs, and the resistance heating element is melted by heat generation. In some cases, when the notch having the shape shown in FIG. 1C is to be formed, it is difficult to control the thickness.

【0019】次に、図1(a)に示したように、抵抗発
熱体の表面を電流の流れる方向に沿って概ね平行にトリ
ミングすることにより形成される溝について説明する。
図2(a)〜(c)は、抵抗発熱体の表面を電流の流れ
る方向に沿って概ね平行にトリミングすることにより形
成される溝について他の実施形態を模式的に表す斜視図
である。
Next, as shown in FIG. 1A, a description will be given of a groove formed by trimming the surface of a resistance heating element substantially parallel to the direction in which current flows.
FIGS. 2A to 2C are perspective views schematically showing another embodiment of the groove formed by trimming the surface of the resistance heating element substantially parallel to the current flowing direction.

【0020】図2(a)には、抵抗発熱体12の表面
に、抵抗発熱体12と平行な溝121が2本形成されて
おり、図2(b)には、抵抗発熱体12の表面に、曲線
を描くように溝122が形成されており、図2(c)に
は、抵抗発熱体の表面に、電流の伝搬方向に対して斜線
を描くように形成された溝123が形成されている。
2A, two grooves 121 parallel to the resistance heating element 12 are formed on the surface of the resistance heating element 12, and FIG. 2C, a groove 122 is formed so as to draw a curve. In FIG. 2C, a groove 123 is formed on the surface of the resistance heating element so as to draw an oblique line with respect to the current propagation direction. ing.

【0021】図2(a)〜(c)のいずれの溝を形成し
ても、容易かつ精度よく抵抗値を調整することが可能で
ある。つまり、概ね平行であるとは、電流の伝搬方向と
溝の形成方向とが、数学的に平行である必要はなく、溝
の形成方向が、電流の伝搬方向に対して平行であるか、
または、電流の伝搬方向と溝の形成方向とのなす角が鋭
角であればよい。
Even if any of the grooves shown in FIGS. 2A to 2C is formed, the resistance value can be easily and accurately adjusted. In other words, being substantially parallel means that the current propagation direction and the groove formation direction need not be mathematically parallel, and the groove formation direction is parallel to the current propagation direction.
Alternatively, the angle formed between the current propagation direction and the groove forming direction may be an acute angle.

【0022】上記トリミングによる溝は、抵抗発熱体厚
さの20%以上の深さを有することが望ましく、50%
以上の深さを有することがより望ましい。20%未満で
は、抵抗値の変化がほとんどないからである。
The groove formed by the trimming desirably has a depth of 20% or more of the thickness of the resistance heating element.
It is more desirable to have the above depth. If it is less than 20%, there is almost no change in the resistance value.

【0023】また、上述した方法によりトリミングを行
う場合、抵抗発熱体パターン幅は0.5mm以上が望ま
しい。0.5mm未満では、抵抗発熱体の電流が流れる
方向に沿って概ね平行にトリミングすることが困難とな
るからである。
When the trimming is performed by the above-described method, the width of the resistance heating element pattern is preferably 0.5 mm or more. If the thickness is less than 0.5 mm, it is difficult to perform trimming substantially parallel to the direction in which the current flows through the resistance heating element.

【0024】上記溝の幅は、1〜100μm程度が望ま
しい。幅が100μmを超えると、断線等が発生しやす
くなり、一方、幅が1μm未満では、抵抗発熱体の抵抗
値を調整することが困難となるからである。また、レー
ザ光によるトリミングを行う場合、レーザのスポット径
は、1μm〜2cmで調整する。
The width of the groove is desirably about 1 to 100 μm. If the width exceeds 100 μm, disconnection or the like is likely to occur, while if the width is less than 1 μm, it becomes difficult to adjust the resistance value of the resistance heating element. When performing trimming by laser light, the laser spot diameter is adjusted to 1 μm to 2 cm.

【0025】また、抵抗発熱体の抵抗値のばらつきは、
抵抗発熱体を印刷する際に、その厚さや幅等を均一化す
ることにより25%以下に抑制しておくことが望まし
い。抵抗発熱体の印刷段階でばらつきを小さくした方
が、トリミングによる調整を行いやすいからである。
The variation of the resistance value of the resistance heating element is as follows.
When printing the resistance heating element, it is desirable to make the thickness, width, and the like uniform to suppress the resistance heating element to 25% or less. This is because the smaller the variation at the printing stage of the resistance heating element, the easier the adjustment by trimming.

【0026】上記トリミングは、抵抗発熱体の抵抗値を
測定し、その測定値に基づいて行うことが望ましい。抵
抗値の精度よい調整が可能になるからである。抵抗値の
測定は、抵抗発熱体パターンを複数に分割し、各区画に
ついて抵抗値を測定する。そして、抵抗値が低い区画に
ついてトリミング処理を実施する。
It is desirable that the trimming is performed by measuring the resistance value of the resistance heating element and based on the measured value. This is because the resistance value can be accurately adjusted. In the measurement of the resistance value, the resistance heating element pattern is divided into a plurality of sections, and the resistance value is measured for each section. Then, a trimming process is performed on a section having a low resistance value.

【0027】トリミング処理が終わった後、再度抵抗値
測定を実施し、必要があればさらにトリミングを実施し
てもよい。すなわち、抵抗値測定とトリミングは1回だ
けではなく、2回以上実施してもよい。
After the completion of the trimming process, the resistance value may be measured again, and the trimming may be further performed if necessary. That is, the resistance value measurement and the trimming may be performed not only once but also two or more times.

【0028】トリミングは、抵抗発熱体ペーストを印刷
した後焼成し、その後に実施することが望ましい。焼成
により抵抗値が変動してしまうからであり、また、レー
ザ光を用いてトリミングする場合、焼成前にトリミング
すると、レーザ光の照射により、剥離してしまう可能性
があるからである。
The trimming is preferably carried out after printing the resistive heating element paste and firing it. This is because the resistance value fluctuates due to baking, and in the case of trimming using laser light, if trimming is performed before baking, there is a possibility of peeling due to irradiation with laser light.

【0029】また、最初に抵抗発熱体ペーストを面状
(いわゆるベタ状)に印刷し、トリミングによりパター
ン化してもよい。最初からパターン状に印刷しようとす
ると、印刷方向により厚さのばらつきが発生するが、面
状に印刷する場合には均一な厚さで印刷することができ
るため、これをトリミングしてパターン化することによ
り、均一な厚さの発熱体パターンを得ることができる。
Alternatively, the resistance heating element paste may be first printed in a planar shape (so-called solid shape) and then patterned by trimming. When trying to print in a pattern from the beginning, the thickness varies depending on the printing direction, but when printing in a plane, it is possible to print with a uniform thickness, so this is trimmed and patterned. Thereby, a heating element pattern having a uniform thickness can be obtained.

【0030】また、上述したトリミングは、レーザ光の
照射や、サンドブラスト、ベルトサンダー等の研磨処理
を用いて行うことができる。しかし、通常、抵抗発熱体
は金属もしくは金属および酸化物からなる導体ペースト
により形成されるため、上述した形状の溝は、レーザ光
を用いたトリミング(以下、レーザトリミングともい
う)により形成することが望ましい。金属はレーザで蒸
発除去されるがセラミックは除去されないからである。
その結果、除去残渣がなく、セラミック基板を傷つける
ことなく、精度よいトリミングを実現することができ
る。
The above-mentioned trimming can be performed by using a laser beam irradiation or a polishing process such as sandblasting or belt sanding. However, since the resistance heating element is usually formed of a metal or a conductive paste made of a metal and an oxide, the groove having the above-described shape can be formed by trimming using laser light (hereinafter, also referred to as laser trimming). desirable. This is because the metal is evaporated and removed by the laser, but the ceramic is not removed.
As a result, accurate trimming can be realized without any removal residue and without damaging the ceramic substrate.

【0031】図3は、セラミック基板に形成された抵抗
発熱体の抵抗値を調整するために用いるレーザトリミン
グ装置の概要を示すブロック図である。テーブル23上
には、図3に示したように、所望とするパターンの抵抗
発熱体12が形成された円板状のセラミック基板11が
固定用突起23b等を用いて固定されている。
FIG. 3 is a block diagram showing an outline of a laser trimming device used for adjusting the resistance value of a resistance heating element formed on a ceramic substrate. As shown in FIG. 3, a disc-shaped ceramic substrate 11 on which a resistive heating element 12 having a desired pattern is formed is fixed on the table 23 using fixing protrusions 23b and the like.

【0032】また、このテーブル23には、モータ等
(図示せず)が設けられているとともに、このモータ等
は制御部27に接続されており、制御部27からの信号
でモータ等を駆動させることにより、テーブル23をθ
方向(セラミック基板の回転方向)およびxy方向に自
由に移動させることができるようになっている。
The table 23 is provided with a motor and the like (not shown). The motor and the like are connected to a control unit 27, and the motor and the like are driven by a signal from the control unit 27. As a result, the table 23
It can be freely moved in the direction (rotation direction of the ceramic substrate) and the xy directions.

【0033】一方、このテーブル23の上方には、ガル
バノミラー25が設けられているが、このガルバノミラ
ー25は、モータ26によりx方向に自由に角度を変更
することができるようになっており、同じくテーブル2
3の上方に配置されたレーザ照射装置24から照射され
たレーザ光32が、このガルバノミラー25に当たっ
て、反射し、セラミック基板11を照射するように構成
されている。なお、本発明のセラミックヒータの製造に
用いるレーザトリミング装置に設けられるガルバノミラ
ーは、一方向のみ回転すればよい。一方向(r方向)に
おける制御のみ行われれば、テーブルの回転等と組み合
わせて、セラミック基板の任意の位置にレーザを照射す
ることができるからである。
On the other hand, a galvanometer mirror 25 is provided above the table 23, and the angle of the galvanometer mirror 25 can be freely changed in the x direction by a motor 26. Table 2
The laser beam 32 emitted from the laser irradiation device 24 disposed above the laser beam 3 strikes the galvanomirror 25 and is reflected to irradiate the ceramic substrate 11. Note that the galvanometer mirror provided in the laser trimming device used for manufacturing the ceramic heater of the present invention only needs to rotate in one direction. This is because if only control in one direction (r direction) is performed, the laser can be applied to an arbitrary position on the ceramic substrate in combination with rotation of the table or the like.

【0034】また、モータ26およびレーザ照射装置3
5は、制御部27に接続されており、制御部27からの
信号でモータ26、レーザ照射装置35を駆動させるこ
とで、ガルバノミラー25をx方向を軸として所定の角
度回転させる。また、制御部27からの信号でテーブル
23に設けられたモータ(図示せず)を駆動させること
で、テーブル23をθ方向へ回転させる。ガルバノミラ
ー25のx方向を軸とした回転、および、テーブル23
のθ方向についての回転により、セラミック基板11上
の照射位置を自由に設定することができるようになって
いる。なお、テーブル23は、θ方向についての回転だ
けではなく、x−y方向への移動も可能である。
The motor 26 and the laser irradiation device 3
Reference numeral 5 is connected to the control unit 27, and drives the motor 26 and the laser irradiation device 35 by a signal from the control unit 27, thereby rotating the galvanometer mirror 25 by a predetermined angle around the x direction. The table 23 is rotated in the θ direction by driving a motor (not shown) provided on the table 23 with a signal from the control unit 27. Rotation of the galvanometer mirror 25 about the x direction and the table 23
The irradiation position on the ceramic substrate 11 can be freely set by the rotation in the θ direction. The table 23 can move not only in the θ direction but also in the xy directions.

【0035】このように、セラミック基板11を載置し
たテーブル23および/またはガルバノミラー25を動
かすことにより、セラミック基板11上の任意の位置に
レーザ光32を照射することができる。
As described above, by moving the table 23 on which the ceramic substrate 11 is placed and / or the galvanomirror 25, an arbitrary position on the ceramic substrate 11 can be irradiated with the laser beam 32.

【0036】一方、テーブル23の上方には、カメラ3
1も設置されており、これにより、セラミック基板11
上の抵抗発熱体12の位置(r、θまたはx−y)を認
識することができるようになっている。このカメラ31
は、記憶部28に接続され、これによりセラミック基板
11上の抵抗発熱体12の位置(r、θまたはx−y)
等を認識し、その位置にレーザ光32を照射する。
On the other hand, above the table 23, the camera 3
1 is also installed, and thereby, the ceramic substrate 11
The position (r, θ or xy) of the upper resistance heating element 12 can be recognized. This camera 31
Is connected to the storage unit 28, whereby the position (r, θ or xy) of the resistance heating element 12 on the ceramic substrate 11 is
The laser beam 32 is applied to the position.

【0037】また、入力部30は、記憶部28に接続さ
れるとともに、端末としてキーボード等(図示せず)を
有しており、記憶部28やキーボード等を介して、所定
の指示等が入力されるようになっている。
The input unit 30 is connected to the storage unit 28 and has a keyboard or the like (not shown) as a terminal. A predetermined instruction or the like is input through the storage unit 28 or the keyboard. It is supposed to be.

【0038】さらに、このレーザトリミング装置は、演
算部29を備えており、カメラ31により認識されたセ
ラミック基板11の位置や厚さ等のデータに基づいて、
レーザ光32の照射位置、照射速度、レーザ光の強度等
を制御するための演算を行い、この演算結果に基づいて
制御部27からモータ26、レーザ照射装置35等に指
示を出し、ガルバノミラー25を回転させるか、また
は、テーブル23を移動または回転させながらレーザ光
32を照射し、抵抗発熱体12にトリミングを行い、溝
または切欠を形成する。
Further, this laser trimming device is provided with a calculation unit 29, and based on data such as the position and thickness of the ceramic substrate 11 recognized by the camera 31,
Calculation for controlling the irradiation position, irradiation speed, laser light intensity, and the like of the laser light 32 is performed, and based on the calculation result, an instruction is issued from the control unit 27 to the motor 26, the laser irradiation device 35, and the like. Or the table 23 is moved or rotated to irradiate the laser beam 32 to trim the resistance heating element 12 to form a groove or a notch.

【0039】また、このレーザトリミング装置は、抵抗
測定部33を有している。抵抗測定部33は、複数のテ
スタピン34を備えており、抵抗発熱体を複数の区画に
区分し、各区画毎にテスタピンを接触させて、形成され
た抵抗発熱体パターンの抵抗値を測定し、レーザを該当
する区画に照射することで、抵抗発熱体の厚みと幅の調
整等を行い、所望の抵抗値を有する抵抗発熱体を得るこ
とができる。
The laser trimming device has a resistance measuring section 33. The resistance measurement unit 33 includes a plurality of tester pins 34, divides the resistance heating element into a plurality of sections, makes the tester pins contact each section, measures the resistance value of the formed resistance heating element pattern, By irradiating the corresponding section with the laser, the thickness and width of the resistance heating element are adjusted, and a resistance heating element having a desired resistance value can be obtained.

【0040】次に、このようなレーザトリミング装置を
用いたセラミックヒータの製造方法について具体的に説
明する。ここでは、本発明の要部であるレーザトリミン
グを用いて抵抗発熱体パターンを形成する工程ついて詳
しく説明し、それ以外の工程については、後で詳しく説
明するので、ここでは簡単に説明する。
Next, a method for manufacturing a ceramic heater using such a laser trimming device will be specifically described. Here, the step of forming a resistive heating element pattern using laser trimming, which is a main part of the present invention, will be described in detail, and the other steps will be described in detail later, and thus will be briefly described here.

【0041】(1)最初に、セラミック基板の製造を行
うが、まず、セラミック粉末と樹脂とからなる生成形体
を作製する。この生成形体の作製方法としては、セラミ
ック粉末と樹脂とを含む顆粒を製造した後、これを金型
等に投入してプレス圧をかけることにより作製する方法
と、グリーンシートを積層圧着することにより作製する
方法とがあり、内部に静電電極等の他の導体層を形成す
るか否か等により、より適切な方法を選択する。この
後、生成形体の脱脂、焼成を行うことにより、セラミッ
ク基板を製造する。この後、セラミック基板にリフター
ピンを挿通するための貫通孔の形成、測温素子を埋設す
るための有底孔の形成等を行う。
(1) First, a ceramic substrate is manufactured. First, a formed body made of ceramic powder and resin is prepared. As a method of producing the formed body, a method of producing granules containing a ceramic powder and a resin, then putting the granules in a mold or the like and applying a press pressure, and a method of laminating and pressing green sheets are used. There is a manufacturing method, and a more appropriate method is selected depending on whether or not another conductive layer such as an electrostatic electrode is formed inside. Thereafter, the formed substrate is degreased and fired to produce a ceramic substrate. Thereafter, a through hole for inserting a lifter pin into the ceramic substrate, a bottomed hole for burying a temperature measuring element, and the like are formed.

【0042】(2)次に、このセラミック基板11上
に、スクリーン印刷等により導体ペースト層を形成し、
焼成することにより抵抗発熱体12とする。めっき法や
スパッタリング等の物理蒸着法を用いて抵抗発熱体12
を形成してもよい。めっきの場合には、めっきレジスト
を形成することにより、スパッタリング等の場合には、
選択的なエッチングを行うことにより、抵抗発熱体12
を形成することができる。ただし、スクリーン印刷の場
合には、めっき法等に比べて、抵抗発熱体の厚さの不均
一の問題が発生し易いため、トリミンクにより抵抗値を
調整する方法が有効である。
(2) Next, a conductor paste layer is formed on the ceramic substrate 11 by screen printing or the like.
The resistance heating element 12 is obtained by firing. The resistance heating element 12 is formed using a physical vapor deposition method such as plating or sputtering.
May be formed. In the case of plating, by forming a plating resist, in the case of sputtering, etc.,
By performing selective etching, the resistance heating element 12
Can be formed. However, in the case of screen printing, the problem of unevenness in the thickness of the resistance heating element is more likely to occur than in the plating method or the like, so that a method of adjusting the resistance value by trimming is effective.

【0043】(3)次に、テーブル23に設けられた固
定用突起23bと嵌合用突起(図示せず)とを用い、抵
抗発熱体12が形成されたセラミック基板11をテーブ
ル23上に固定する。
(3) Next, the ceramic substrate 11 on which the resistance heating element 12 is formed is fixed on the table 23 using fixing projections 23b and fitting projections (not shown) provided on the table 23. .

【0044】(4)次に、固定されたセラミック基板1
1をカメラ31で撮影することにより、抵抗発熱体12
の形成位置が記憶部28に記憶される。
(4) Next, the fixed ceramic substrate 1
1 is photographed by the camera 31 so that the resistance heating element 12
Are stored in the storage unit 28.

【0045】(5)次に、レーザトリミング装置の抵抗
測定部33により、形成された抵抗発熱体12の各部分
の抵抗値を測定する。抵抗値の測定は、抵抗発熱体パタ
ーンを複数に区分し、テスターピン34を用いて、各区
画の抵抗値を測定することにより行う。このようにして
測定した抵抗発熱体の抵抗値のデータを記憶部28に取
り込む。
(5) Next, the resistance value of each portion of the formed resistance heating element 12 is measured by the resistance measuring section 33 of the laser trimming device. The resistance value is measured by dividing the resistance heating element pattern into a plurality of sections and measuring the resistance value of each section using the tester pins 34. The data of the resistance value of the resistance heating element measured in this way is stored in the storage unit 28.

【0046】そして、抵抗発熱体12の位置(形状)デ
ータ、抵抗発熱体の各部分における抵抗値のデータ、抵
抗発熱体の特性(材料、厚さ等)に基づいて決定される
レーザ照射の強度等の照射条件のデータ等に基づき、抵
抗発熱体12の抵抗値が低い部分について、演算部29
でどの程度の長さ、深さ、幅の溝や切欠を形成すればよ
いかの演算を行い、その結果が制御データとして記憶部
28に記憶される。
The position (shape) data of the resistance heating element 12, the data of the resistance value in each part of the resistance heating element, and the laser irradiation intensity determined based on the characteristics (material, thickness, etc.) of the resistance heating element Based on data of irradiation conditions such as
Is performed to calculate the length, depth, and width of the groove or notch, and the result is stored in the storage unit 28 as control data.

【0047】このとき、抵抗発熱体12が同心円からな
るパターンを基本としていると、これらのパターンの大
部分は、セラミック基板11の中心からの距離rと回転
角θとで表すことができ、制御データは、例えば、レー
ザ照射開始位置として、中心Aからの距離r1 と角度θ
1 とで設定し、溝等の距離は、回転距離(θ1 −θ2
で設定することができる。すなわち、位置設定のための
システムおよびプログラムを単純化することが可能とな
り、容易に、迅速にかつ正確に求められる抵抗発熱体の
抵抗値を調整することができる。
At this time, if the resistance heating element 12 is based on concentric circle patterns, most of these patterns can be represented by the distance r from the center of the ceramic substrate 11 and the rotation angle θ. The data is, for example, a distance r 1 from the center A and an angle θ as a laser irradiation start position.
Set with 1 and the distance of the groove etc. is the rotation distance (θ 1 −θ 2 )
Can be set with. That is, it is possible to simplify the system and program for setting the position, and it is possible to easily, quickly and accurately adjust the resistance value of the resistance heating element.

【0048】(6)次に、記憶されたトリミングデータ
に従い、実際に、トリミング処理を実施する。具体的に
は、トリミングデータに基づき、制御部27から制御信
号を発生させ、ガルバノミラー25のモータ26、およ
び/または、テーブル23のモータを駆動させながら、
レーザ光を照射することにより、トリミング処理を実施
する。このようなトリミングを、例えば、抵抗値が所望
とする値より低い区画について順次行うことにより抵抗
値の調整が完了する。
(6) Next, a trimming process is actually performed according to the stored trimming data. Specifically, a control signal is generated from the control unit 27 based on the trimming data, and while the motor 26 of the galvanomirror 25 and / or the motor of the table 23 are driven,
The trimming process is performed by irradiating a laser beam. By performing such trimming, for example, sequentially on sections having a resistance value lower than a desired value, the adjustment of the resistance value is completed.

【0049】なお、上記した抵抗値の調整は、x−yを
座標とし、テーブルをx−y方向に動かすことによるト
リミング操作等によって実施してもよい。
The above-mentioned adjustment of the resistance value may be carried out by a trimming operation or the like by moving the table in the xy directions with xy as the coordinates.

【0050】上述のようにしてレーザトリミングにより
抵抗値を調整する際に、レーザ光照射によりトリミング
すべき部分はトリミングするものの、その下に存在する
セラミック基板には、レーザ光照射により大きな影響を
与えないことが重要になる。
When the resistance value is adjusted by laser trimming as described above, the portion to be trimmed by laser light irradiation is trimmed, but the ceramic substrate underneath is greatly affected by the laser light irradiation. It is important that there is no.

【0051】従って、レーザ光は、導体層等を構成する
金属粒子等には良好に吸収され、一方、セラミック基板
に吸収されにくいものを選定する必要がある。このよう
なレーザの種類としては、例えば、YAGレーザ、炭酸
ガスレーザ、エキシマ(KrF)レーザ、UV(紫外
線)レーザ等が挙げられる。これらのなかでは、YAG
レーザ、エキシマ(KrF)レーザが最適である。
Therefore, it is necessary to select a laser beam that is well absorbed by metal particles and the like constituting the conductor layer and the like, but is hardly absorbed by the ceramic substrate. Examples of such a type of laser include a YAG laser, a carbon dioxide laser, an excimer (KrF) laser, a UV (ultraviolet) laser, and the like. Among them, YAG
Lasers and excimer (KrF) lasers are most suitable.

【0052】YAGレーザとしては、日本電気社製のS
L432H、SL436G、SL432GT、SL41
1Bなどを採用することができる。レーザはパルス光で
あることが望ましい。極めて短い時間に大きなエネルギ
ーを抵抗発熱体に照射することができ、セラミック基板
に対するダメージを小さくすることができるからであ
る。パルスは、2kHz以下が望ましく、1kHz以下
がより望ましい。2kHzを超えると、レーザのファー
ストパルスのエネルギーが大きくなりすぎ、設定よりも
幅の広い溝が形成されるため、設定通りの形状の抵抗発
熱体を形成することができない。
As a YAG laser, an SAG manufactured by NEC Corporation is used.
L432H, SL436G, SL432GT, SL41
1B can be adopted. Preferably, the laser is pulsed light. This is because large energy can be applied to the resistance heating element in an extremely short time, and damage to the ceramic substrate can be reduced. The pulse is preferably 2 kHz or less, more preferably 1 kHz or less. When the frequency exceeds 2 kHz, the energy of the first pulse of the laser becomes too large, and a groove wider than the setting is formed, so that a resistive heating element having a shape as set cannot be formed.

【0053】また、加工スピードは、100mm/秒以
下が望ましい。100mm/秒を超えると、周波数を高
くしないかぎり、溝を形成することができないからであ
る。前述のように、周波数は2kHz以下を上限とする
ため、100mm/秒以下が望ましい。さらに、抵抗発
熱体を完全に断線させる場合には、レーザの出力は0.
3W以上が望ましい。
The processing speed is desirably 100 mm / sec or less. If the speed exceeds 100 mm / sec, grooves cannot be formed unless the frequency is increased. As described above, since the upper limit of the frequency is 2 kHz or less, the frequency is preferably 100 mm / sec or less. Further, when the resistance heating element is completely disconnected, the output of the laser is set to 0.
3 W or more is desirable.

【0054】また、金属もしくは金属および酸化物から
なる導体ペーストを、スクリーン印刷によりセラミック
基板に印刷し抵抗発熱体を形成する場合、印刷する導体
ペーストのパターン、すなわち、抵抗発熱体のパターン
を工夫することにより抵抗値を調節することが可能であ
る。
When a conductive paste made of a metal or a metal and an oxide is printed on a ceramic substrate by screen printing to form a resistance heating element, a pattern of the conductor paste to be printed, that is, a pattern of the resistance heating element is devised. This makes it possible to adjust the resistance value.

【0055】図4は、渦巻き形状の抵抗発熱体パターン
を印刷する様子を示す説明図であり、図5は、屈曲形状
の抵抗発熱体パターンを印刷する様子を示す説明図であ
る。
FIG. 4 is an explanatory view showing a state in which a spiral resistance heating element pattern is printed, and FIG. 5 is an explanatory view showing a state in which a bent resistance heating element pattern is printed.

【0056】図4では、矢印に示した印刷方向に沿っ
て、渦巻き形状の抵抗発熱体42を形成している。この
場合、抵抗発熱体42では、印刷方向と抵抗発熱体の形
成方向とが直角に近くなる領域Aにおいて、抵抗発熱体
の厚さは厚く、一方、印刷方向と抵抗発熱体の形成方向
が平行に近くなる領域Bにおいて、抵抗発熱体の厚さは
薄くなる傾向がある。従って、領域Aでは抵抗値が低
く、領域Bでは抵抗値が高くなり、加熱面に温度ばらつ
きが発生する。
In FIG. 4, a spiral-shaped resistance heating element 42 is formed along the printing direction indicated by the arrow. In this case, in the resistance heating element 42, in a region A where the printing direction and the formation direction of the resistance heating element are close to a right angle, the thickness of the resistance heating element is large, while the printing direction and the formation direction of the resistance heating element are parallel. In the region B which is close to the above, the thickness of the resistance heating element tends to be thin. Therefore, the resistance value is low in the region A, and the resistance value is high in the region B, and a temperature variation occurs on the heating surface.

【0057】一方、図5では、矢印に示した印刷方向に
沿って、屈曲線形状の繰り返しパターンからなる抵抗発
熱体52を形成している。この場合、抵抗発熱体52の
屈曲部分において、印刷方向と抵抗発熱体の形成方向と
がほぼ垂直になる部分Cと、平行になる部分Dとが生じ
るため、全体としては発熱量が均一となる。このため抵
抗発熱体52の抵抗値のばらつきにより発生する温度ば
らつきも低減させることができる。
On the other hand, in FIG. 5, a resistance heating element 52 having a repetitive pattern of a bent line is formed along the printing direction indicated by the arrow. In this case, in the bent portion of the resistance heating element 52, a part C in which the printing direction is substantially perpendicular to the forming direction of the resistance heating element and a part D in which the direction is parallel are generated, so that the amount of generated heat is uniform as a whole. . For this reason, it is possible to reduce the temperature variation caused by the variation in the resistance value of the resistance heating element 52.

【0058】このように抵抗発熱体のパターンを、屈曲
線形状の繰り返しパターン、または、屈曲線からなるパ
ターンとすることにより、抵抗値のばらつきを抑えるこ
とが可能である。
As described above, by making the pattern of the resistance heating element a repetitive pattern of a bent line shape or a pattern composed of a bent line, it is possible to suppress the variation in the resistance value.

【0059】本発明のセラミックヒータにおいて、上述
した方法等により抵抗値のばらつきを5%以下に抑えら
れた抵抗発熱体は、回路の総数が8以下である。
In the ceramic heater according to the present invention, the total number of circuits of the resistance heating element whose variation in resistance is suppressed to 5% or less by the above-described method or the like is 8 or less.

【0060】本発明のセラミックヒータでは、抵抗発熱
体の回路の分割数が、8以下に設定されているため、分
割数が過剰ではなく、その結果、温度制御が煩雑になる
ことがなく、セラミックヒータ、および、調温器等の温
度制御装置が故障する等のトラブルを抑制することがで
きる。また、そのようなセラミックヒータは、製造工程
の煩雑さが解消され、製造コストを抑えることが可能で
ある。
In the ceramic heater of the present invention, the number of divisions of the circuit of the resistance heating element is set to eight or less, so that the number of divisions is not excessive, and as a result, the temperature control is not complicated, It is possible to suppress troubles such as a failure of a temperature control device such as a heater and a temperature controller. Further, such a ceramic heater can reduce the complexity of the manufacturing process and reduce the manufacturing cost.

【0061】なお、回路の分割数を、8を超えるように
設定しても、温度制御を行うことは可能であるが、温度
制御が煩雑になるため、セラミックヒータ、および、調
温器等の温度制御装置が故障する等のトラブルが発生し
やすくなる。
Although the temperature control can be performed even if the number of circuit divisions is set to be more than 8, the temperature control becomes complicated, so that the ceramic heater and the temperature controller are not used. Troubles such as failure of the temperature control device are likely to occur.

【0062】図6は、本発明のセラミックヒータの一例
を模式的に示す底面図であり、図7は、その一部を示す
部分拡大断面図である。
FIG. 6 is a bottom view schematically showing one example of the ceramic heater of the present invention, and FIG. 7 is a partially enlarged sectional view showing a part thereof.

【0063】このセラミックヒータ10では、円板状に
形成されたセラミック基板11の加熱面11aの反対側
である底面11bに、トリミング等により溝(図示せ
ず)等が形成され、抵抗値のばらつきが5%以下に調整
された抵抗発熱体12が形成されている。
In this ceramic heater 10, a groove (not shown) or the like is formed by trimming or the like on the bottom surface 11b opposite to the heating surface 11a of the ceramic substrate 11 formed in a disk shape. Is adjusted to 5% or less.

【0064】そして、抵抗発熱体12は、セラミック基
板11の最外周に、同心円の一部を描くように繰り返し
て形成された円弧パターンである抵抗発熱体12a〜1
2dが配置され、その内部に一部が切断された同心円パ
ターンである抵抗発熱体12e〜12gが配置されてい
る。
The resistance heating elements 12 are formed on the outermost periphery of the ceramic substrate 11 in an arc pattern repeatedly formed so as to draw a part of a concentric circle.
2d are arranged therein, and resistance heating elements 12e to 12g, which are concentric circular patterns partially cut away, are arranged therein.

【0065】最外周の抵抗発熱体12aは、同心円を円
周方向に4分割した円弧状のパターンが繰り返して形成
され、隣り合う円弧の端部は、屈曲線により接続され一
連の回路を構成している。そして、これと同パターンで
ある抵抗発熱体12a〜12dの4つの回路が、外周を
取り囲むように近接して形成され、全体的に円環状のパ
ターンを構成している。
The outermost resistive heating element 12a is formed by repeatedly forming an arc-shaped pattern obtained by dividing a concentric circle into four in the circumferential direction, and ends of adjacent arcs are connected by a bent line to form a series of circuits. ing. Then, four circuits of the resistance heating elements 12a to 12d having the same pattern are formed close to each other so as to surround the outer periphery, and constitute an overall annular pattern.

【0066】また、抵抗発熱体12a〜12dの端部
は、クーリングスポット等の発生を防止するために、円
環状パターンの内側に形成されており、そのため、外側
の回路の端部は内側の方に向かって延設されている。
The ends of the resistance heating elements 12a to 12d are formed inside an annular pattern in order to prevent the occurrence of a cooling spot or the like. It is extended toward.

【0067】最外周に形成された抵抗発熱体12a〜1
2dの内側には、そのごく一部が切断された同心円パタ
ーンの回路からなる抵抗発熱体12e〜12gが形成さ
れている。この抵抗発熱体12e〜12gでは、隣り合
う同心円の端部が、順次直線からなる抵抗発熱体で接続
されることにより一連の回路が構成されている。
Resistance heating elements 12a-1 formed on the outermost periphery
Inside the 2d, there are formed resistance heating elements 12e to 12g each formed of a circuit of a concentric pattern whose part is cut off. In the resistance heating elements 12e to 12g, a series of circuits is formed by connecting the ends of adjacent concentric circles sequentially with a resistance heating element formed of a straight line.

【0068】また、抵抗発熱体12a〜12d、12
e、12f、12gの間には、帯状(円環状)の発熱体
非形成領域が設けられており、中心部分にも、円形の発
熱体非形成領域が設けられている。
The resistance heating elements 12a to 12d, 12
Between e, 12f, and 12g, a belt-shaped (annular) non-heating element non-forming area is provided, and a circular heating element non-forming area is also provided at the center.

【0069】従って、全体的に見ると、円環状の抵抗発
熱体形成領域と発熱体非形成領域とが、外側から内側に
交互に形成されており、これらの領域をセラミック基板
の大きさ(口径)や厚さ等を考慮して、適当に設定する
ことにより、加熱面の温度を均一にすることができるよ
うになっている。
Accordingly, as a whole, the annular resistance heating element forming area and the heating element non-forming area are alternately formed from the outside to the inside, and these areas are defined by the size (diameter) of the ceramic substrate. ), Thickness, etc., the temperature can be made uniform by setting the temperature appropriately.

【0070】さらに、抵抗発熱体12(12a〜12
g)は、その両端に入出力の端子となる外部端子13が
金属被覆層120aを介して接続されている。また、中
央に近い部分には、半導体ウエハ39を支持するリフタ
ーピン16を挿通するための貫通孔15が形成され、さ
らに、測温素子としての熱電対17を挿入するための有
底孔14が形成されている。
Further, the resistance heating elements 12 (12a to 12a)
In (g), external terminals 13 serving as input / output terminals are connected to both ends thereof via a metal coating layer 120a. A through hole 15 for inserting a lifter pin 16 supporting a semiconductor wafer 39 is formed in a portion near the center, and a bottomed hole 14 for inserting a thermocouple 17 as a temperature measuring element is formed. Is formed.

【0071】また、図8は、本発明のセラミックヒータ
の別の実施形態を模式的に示した底面図である。このセ
ラミックヒータ60では、円板状に形成されたセラミッ
ク基板61の加熱面の反対側である底面に、トリミング
等により溝(図示せず)等が形成され、抵抗値のばらつ
きが5%以下に調整された抵抗発熱体62が形成されて
いる。
FIG. 8 is a bottom view schematically showing another embodiment of the ceramic heater of the present invention. In the ceramic heater 60, a groove (not shown) or the like is formed by trimming or the like on the bottom surface opposite to the heating surface of the ceramic substrate 61 formed in a disc shape, and the variation in resistance value is reduced to 5% or less. An adjusted resistance heating element 62 is formed.

【0072】そして、抵抗発熱体62は、セラミック基
板61の最外周に、屈曲線の繰り返しパターンからなる
抵抗発熱体62a〜62dが配置され、その内側に同心
円パターンからなる抵抗発熱体62e〜62hが配置さ
れている。
In the resistance heating element 62, resistance heating elements 62a to 62d each having a repetitive pattern of bent lines are arranged on the outermost periphery of the ceramic substrate 61, and resistance heating elements 62e to 62h each having a concentric pattern are disposed inside the resistance heating elements 62e to 62h. Are located.

【0073】本発明のセラミックヒータに形成される抵
抗発熱体の回路の総数は、2以上であり、かつ、8以下
とする必要があるが、回路の総数は、その範囲内であれ
ば特に限定されるものではない。しかし、セラミックヒ
ータの加熱面の温度をより均一にする点から、セラミッ
ク基板の直径が200〜300mmの場合、回路の総数
は2〜7が望ましい。また、セラミック基板の直径が3
00mmを超える場合、回路の総数は7〜8が望まし
い。
The total number of circuits of the resistance heating element formed in the ceramic heater of the present invention must be 2 or more and 8 or less, but the total number of circuits is not particularly limited as long as it is within the range. It is not something to be done. However, in order to make the temperature of the heating surface of the ceramic heater more uniform, when the diameter of the ceramic substrate is 200 to 300 mm, the total number of circuits is preferably 2 to 7. Also, if the diameter of the ceramic substrate is 3
If it exceeds 00 mm, the total number of circuits is preferably 7 to 8.

【0074】抵抗発熱体のパターンとしては、特に限定
されず、例えば、図6に示した、円弧の繰り返しパター
ンと同心円形状のパターンとを併用したパターン、図8
に示した、屈曲線の繰り返しパターンと同心円形状のパ
ターンとを併用したパターン、渦巻き状のパターン、偏
心円状のパターン、屈曲線の繰り返しパターン等が挙げ
られる。なお、これらは併用して用いることも可能であ
る。
The pattern of the resistance heating element is not particularly limited. For example, the pattern shown in FIG. 6, which is a combination of a repetition pattern of arcs and a concentric pattern, FIG.
, A combined pattern of a bent line and a concentric pattern, a spiral pattern, an eccentric pattern, and a repeated pattern of a bent line. These can be used in combination.

【0075】この中では、円弧の繰り返しパターン、同
心円形状のパターン、屈曲線の繰り返しパターンを用い
ることが望ましい。上述したように、円弧の繰り返しパ
ターンおよび/または同心円形状のパターンを用いる
と、レーザトリミングを行う際、レーザ照射位置を容易
に精度よく設定することができ、その結果、高精度な抵
抗値の調整が可能となり、また、屈曲線の繰り返しパタ
ーンを用いると、スクリーン印刷による抵抗発熱体の厚
さのばらつきを低減することができ、その結果、抵抗値
のばらつきを抑えることが可能となるからである。
Among them, it is desirable to use a repetition pattern of a circular arc, a concentric pattern, and a repetition pattern of a bent line. As described above, the use of the circular arc repetition pattern and / or the concentric pattern makes it possible to easily and accurately set the laser irradiation position when performing laser trimming, and as a result, to adjust the resistance value with high accuracy. In addition, when a repetitive pattern of bent lines is used, variation in the thickness of the resistance heating element due to screen printing can be reduced, and as a result, variation in the resistance value can be suppressed. .

【0076】また、パターンの配置について、放熱の大
きいセラミック基板の外周部分において、より細かい発
熱量制御を行うことができる点から、図6および図8に
示したパターンのように、セラミック基板の最外周に
は、円周方向に少なくとも2以上の回路からなる抵抗発
熱体が配置されるとともに、最外周に配置された上記抵
抗発熱体の内側に、別の回路からなる抵抗発熱体が配置
されているパターンが望ましい。
Further, with regard to the pattern arrangement, finer control of the amount of generated heat can be performed in the outer peripheral portion of the ceramic substrate which has a large amount of heat radiation. Therefore, as shown in the patterns of FIGS. A resistance heating element composed of at least two or more circuits is arranged on the outer circumference in the circumferential direction, and a resistance heating element composed of another circuit is arranged inside the resistance heating element arranged on the outermost circumference. Pattern is desirable.

【0077】円周方向に分割されたパターンとは、セラ
ミック基板の中心から外周に向けて複数の線分を引き、
その線分により分割された領域に形成されたパターンで
ある。通常、その領域は全て同じ大きさが望ましい。
The pattern divided in the circumferential direction means that a plurality of line segments are drawn from the center of the ceramic substrate to the outer periphery.
This is a pattern formed in a region divided by the line segment. Usually, it is desirable that all the areas have the same size.

【0078】なお、図6、図8において、抵抗発熱体1
2a〜12d、62a〜62dが最外周に配置された抵
抗発熱体であるが、このような最外周の抵抗発熱体は、
外周から中心までの距離に対し、中心から90%以上の
領域に形成されていることが望ましい。90%未満であ
ると、最外周に形成された抵抗発熱体の領域が広くなり
すぎるため、加熱面の温度の制御が難しくなるからであ
る。
In FIGS. 6 and 8, the resistance heating element 1
2a to 12d and 62a to 62d are resistance heating elements arranged at the outermost periphery, and such resistance heating elements at the outermost periphery are:
It is desirable that the area be formed in a region 90% or more from the center to the distance from the outer periphery to the center. If it is less than 90%, the area of the resistance heating element formed on the outermost periphery becomes too large, so that it becomes difficult to control the temperature of the heating surface.

【0079】また、最外周に形成する抵抗発熱体の回路
数と、その内部に形成する抵抗発熱体の回路数とは、概
ね等しいことが望ましい。最外周の回路数が極端に多い
と、その内部の回路数が少ないことになるため、セラミ
ック基板内部で精度よい発熱量制御をすることが困難と
なり、最外周の回路数が少なければ、外周部での精度よ
い温度制御をすることができないからである。
Further, it is desirable that the number of circuits of the resistance heating element formed on the outermost periphery and the number of circuits of the resistance heating element formed therein are substantially equal. If the number of circuits on the outermost periphery is extremely large, the number of circuits in the inside will be small, and it will be difficult to accurately control the amount of heat generation inside the ceramic substrate. This is because accurate temperature control cannot be performed.

【0080】本発明のセラミックヒータにおいて、セラ
ミック基板の表面に形成される抵抗発熱体の厚さは、1
〜30μmが好ましく、1〜10μmがより好ましい。
また、抵抗発熱体の幅は、0.1〜20mmが好まし
く、0.1〜5mmがより好ましい。抵抗発熱体は、そ
の幅や厚さにより抵抗値に変化を持たせることができる
が、上記した範囲が最も実用的である。
In the ceramic heater of the present invention, the thickness of the resistance heating element formed on the surface of the ceramic substrate is 1
-30 μm is preferable, and 1-10 μm is more preferable.
Further, the width of the resistance heating element is preferably from 0.1 to 20 mm, more preferably from 0.1 to 5 mm. Although the resistance value of the resistance heating element can be varied depending on its width or thickness, the above range is most practical.

【0081】抵抗発熱体は、断面形状が矩形であっても
楕円であってもよいが、偏平であることが望ましい。偏
平の方が加熱面に向かって放熱しやすいため、加熱面の
温度分布ができにくいからである。断面のアスペクト比
(抵抗発熱体の幅/抵抗発熱体の厚さ)は、10〜50
00であることが望ましい。この範囲に調整することに
より、抵抗発熱体の抵抗値を大きくすることができると
ともに、加熱面の温度の均一性を確保することができる
からである。
The resistance heating element may have a rectangular or elliptical cross section, but is preferably flat. This is because the flat surface is more likely to dissipate heat toward the heating surface, so that the temperature distribution on the heating surface is less likely to occur. The aspect ratio of the cross section (the width of the resistance heating element / the thickness of the resistance heating element) is 10 to 50.
00 is desirable. By adjusting to this range, the resistance value of the resistance heating element can be increased, and the uniformity of the temperature of the heating surface can be ensured.

【0082】抵抗発熱体の厚さを一定とした場合、アス
ペクト比が上記範囲より小さいと、セラミック基板の加
熱面方向への熱の伝搬量が小さくなり、抵抗発熱体のパ
ターンに近似した熱分布が加熱面に発生してしまい、逆
にアスペクト比が大きすぎると抵抗発熱体の中央の直上
部分が高温となってしまい、結局、抵抗発熱体のパター
ンに近似した熱分布が加熱面に発生してしまう。従っ
て、温度分布を考慮すると、断面のアスペクト比は、1
0〜5000であることが好ましいのである。
When the thickness of the resistance heating element is constant, if the aspect ratio is smaller than the above range, the amount of heat transmission in the direction of the heating surface of the ceramic substrate becomes small, and the heat distribution approximates the pattern of the resistance heating element. If the aspect ratio is too large, on the other hand, if the aspect ratio is too large, the temperature immediately above the center of the resistance heating element becomes high, and eventually, a heat distribution similar to the pattern of the resistance heating element occurs on the heating surface. Would. Therefore, considering the temperature distribution, the aspect ratio of the cross section is 1
It is preferably from 0 to 5000.

【0083】上記導体ペーストとしては特に限定されな
いが、導電性を確保するための金属粒子または導電性セ
ラミックが含有されているほか、樹脂、溶剤、増粘剤な
どを含むものが好ましい。
The conductive paste is not particularly limited, but preferably contains not only metal particles or conductive ceramic for ensuring conductivity, but also resin, solvent, thickener and the like.

【0084】上記金属粒子としては、例えば、貴金属
(金、銀、白金、パラジウム)、鉛、タングステン、モ
リブデン、ニッケルなどが好ましい。これらは、単独で
用いてもよく、2種以上を併用してもよい。これらの金
属は、比較的酸化しにくく、発熱するに充分な抵抗値を
有するからである。上記導電性セラミックとしては、例
えば、タングステン、モリブデンの炭化物などが挙げら
れる。これらは、単独で用いてもよく、2種以上を併用
してもよい。
The metal particles are preferably, for example, noble metals (gold, silver, platinum, palladium), lead, tungsten, molybdenum, nickel and the like. These may be used alone or in combination of two or more. This is because these metals are relatively hard to oxidize and have a resistance value sufficient to generate heat. Examples of the conductive ceramic include carbides of tungsten and molybdenum. These may be used alone or in combination of two or more.

【0085】これら金属粒子または導電性セラミック粒
子の粒径は、0.1〜100μmが好ましい。0.1μ
m未満と微細すぎると、酸化されやすく、一方、100
μmを超えると、焼結しにくくなり、抵抗値が大きくな
るからである。
The metal particles or conductive ceramic particles preferably have a particle size of 0.1 to 100 μm. 0.1μ
If the particle size is too small, it is easily oxidized.
If the thickness exceeds μm, sintering becomes difficult and the resistance value increases.

【0086】上記金属粒子の形状は、球状であっても、
リン片状であってもよい。これらの金属粒子を用いる場
合、上記球状物と上記リン片状物との混合物であってよ
い。上記金属粒子がリン片状物、または、球状物とリン
片状物との混合物の場合は、金属粒子間の金属酸化物を
保持しやすくなり、抵抗発熱体と窒化物セラミック等と
の密着性を確実にし、かつ、抵抗値を大きくすることが
できるため有利である。
Although the shape of the metal particles is spherical,
It may be scaly. When these metal particles are used, they may be a mixture of the above-mentioned spheres and the above-mentioned flakes. When the metal particles are flakes or a mixture of spheres and flakes, the metal oxide between the metal particles is easily retained, and the adhesion between the resistance heating element and the nitride ceramic or the like is improved. And it is advantageous because the resistance value can be increased.

【0087】導体ペーストに使用される樹脂としては、
例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などが挙げられ
る。また、溶剤としては、例えば、イソプロピルアルコ
ールなどが挙げられる。増粘剤としては、セルロースな
どが挙げられる。
As the resin used for the conductor paste,
For example, an epoxy resin, a phenol resin, and the like can be given. Examples of the solvent include isopropyl alcohol. Examples of the thickener include cellulose and the like.

【0088】導体ペーストには、金属粒子に金属酸化物
を添加し、抵抗発熱体と金属粒子および金属酸化物とを
焼結させたものとすることが望ましい。このように、金
属酸化物を金属粒子とともに焼結させることにより、セ
ラミック基板である窒化物セラミック等と金属粒子とを
より密着させることができる。
It is preferable that the conductor paste is obtained by adding a metal oxide to metal particles and sintering the resistance heating element, the metal particles and the metal oxide. In this way, by sintering the metal oxide together with the metal particles, the ceramic substrate, such as a nitride ceramic, and the metal particles can be more closely adhered.

【0089】金属酸化物を混合することにより、窒化物
セラミック等との密着性が改善される理由は明確ではな
いが、金属粒子表面や窒化物セラミック等の表面は、わ
ずかに酸化されて酸化膜が形成されており、この酸化膜
同士が金属酸化物を介して焼結して一体化し、金属粒子
と窒化物セラミック等とが密着するのではないかと考え
られる。また、セラミック基板を構成するセラミックが
酸化物セラミックの場合は、当然に表面が酸化物からな
るので、密着性に優れた導体層が形成される。
It is not clear why the mixing with the metal oxide improves the adhesion to the nitride ceramic or the like, but the surface of the metal particles or the surface of the nitride ceramic or the like is slightly oxidized to form an oxide film. It is considered that these oxide films are sintered and integrated via the metal oxide, and the metal particles and the nitride ceramics or the like adhere to each other. Further, when the ceramic constituting the ceramic substrate is an oxide ceramic, the surface is naturally made of an oxide, so that a conductor layer having excellent adhesion is formed.

【0090】上記金属酸化物としては、例えば、酸化
鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ素(B 23 )、アル
ミナ、イットリアおよびチタニアからなる群から選ばれ
る少なくとも1種が好ましい。これらの酸化物は、抵抗
発熱体の抵抗値を大きくすることなく、金属粒子と窒化
物セラミック等との密着性を改善することができるから
である。
As the metal oxide, for example, oxidized
Lead, zinc oxide, silica, boron oxide (B Two OThree ), Al
Selected from the group consisting of Mina, Yttria and Titania
At least one is preferred. These oxides have resistance
Nitriding of metal particles without increasing the resistance of the heating element
Can improve the adhesion to ceramics etc.
It is.

【0091】上記酸化鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ
素(B23 )、アルミナ、イットリア、チタニアの割
合は、金属酸化物の全量を100重量部とした場合、重
量比で、酸化鉛が1〜10、シリカが1〜30、酸化ホ
ウ素が5〜50、酸化亜鉛が20〜70、アルミナが1
〜10、イットリアが1〜50、チタニアが1〜50で
あって、その合計が100重量部を超えない範囲で調整
されていることが望ましい。これらの範囲で、これらの
酸化物の量を調整することにより、特に窒化物セラミッ
ク等との密着性を改善することができる。
The ratios of the above-mentioned lead oxide, zinc oxide, silica, boron oxide (B 2 O 3 ), alumina, yttria, and titania are as follows. 1-10, silica 1-30, boron oxide 5-50, zinc oxide 20-70, alumina 1
-10, yttria 1-50, titania 1-50, and the total is preferably adjusted within a range not exceeding 100 parts by weight. By adjusting the amounts of these oxides within these ranges, the adhesion to nitride ceramics and the like can be particularly improved.

【0092】上記金属酸化物の金属粒子に対する添加量
は、0.1重量%以上10重量%未満が好ましい。ま
た、このような構成の導体ペーストを使用して抵抗発熱
体を形成した際の面積抵抗率は、0.1〜10Ω/□が
好ましい。
The amount of the metal oxide added to the metal particles is preferably 0.1% by weight or more and less than 10% by weight. The area resistivity when the resistance heating element is formed using the conductor paste having such a configuration is preferably 0.1 to 10 Ω / □.

【0093】面積抵抗率が0.1Ω/□未満の場合、発
熱量を確保するために、抵抗発熱体パターンの幅を0.
1〜1mm程度と非常に細くしなければならず、このた
め、パターンのわずかな欠け等で断線したり、抵抗値が
変動し、また、面積抵抗率が10Ω/□を超えると、抵
抗発熱体パターンの幅を大きくしなければ、発熱量を確
保できず、その結果、パターン設計の自由度が低下し、
加熱面の温度を均一にすることが困難となるからであ
る。
When the area resistivity is less than 0.1 Ω / □, the width of the resistive heating element pattern is set to 0.
The thickness must be very thin, about 1 to 1 mm. For this reason, if the pattern breaks due to a slight chipping or the like, the resistance value fluctuates, and if the area resistivity exceeds 10Ω / □, the resistance heating element Without increasing the width of the pattern, the amount of heat generated cannot be secured, and as a result, the degree of freedom in pattern design decreases,
This is because it is difficult to make the temperature of the heating surface uniform.

【0094】抵抗発熱体がセラミック基板の表面に形成
される場合には、抵抗発熱体の表面部分に、金属被覆層
が形成されていることが望ましい。内部の金属焼結体が
酸化されて抵抗値が変化するのを防止するためである。
形成する金属被覆層の厚さは、0.1〜10μmが好ま
しい。
When the resistance heating element is formed on the surface of the ceramic substrate, it is desirable that a metal coating layer is formed on the surface of the resistance heating element. This is to prevent the internal metal sintered body from being oxidized to change the resistance value.
The thickness of the metal coating layer to be formed is preferably 0.1 to 10 μm.

【0095】金属被覆層を形成する際に使用される金属
は、非酸化性の金属であれば特に限定されないが、具体
的には、例えば、金、銀、パラジウム、白金、ニッケル
等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、2種
以上を併用してもよい。これらのなかでは、ニッケルが
好ましい。
The metal used for forming the metal coating layer is not particularly limited as long as it is a non-oxidizing metal, and specific examples thereof include gold, silver, palladium, platinum and nickel. . These may be used alone or in combination of two or more. Of these, nickel is preferred.

【0096】抵抗発熱体には、電源と接続するための端
子が必要であり、この端子は、半田を介して抵抗発熱体
に取り付けるが、ニッケルは、半田の熱拡散を防止する
からである。接続端子としては、例えば、コバール製の
ものが挙げられる。
The resistance heating element requires a terminal for connection to a power source, and this terminal is attached to the resistance heating element via solder. Nickel prevents thermal diffusion of the solder. Examples of the connection terminal include those made of Kovar.

【0097】本発明のセラミックヒータを形成するセラ
ミックは、窒化物セラミックまたは炭化物セラミックで
あることが望ましい。窒化物セラミックや炭化物セラミ
ックは、熱膨張係数が金属よりも小さく、機械的な強度
が金属に比べて格段に高いため、セラミック基板の厚さ
を薄くしても、加熱により反ったり、歪んだりしない。
そのため、セラミック基板を薄くて軽いものとすること
ができる。さらに、セラミック基板の熱伝導率が高く、
セラミック基板自体が薄いため、セラミック基板の表面
温度が、抵抗発熱体の温度変化に迅速に追従する。即
ち、電圧、電流値を変えて抵抗発熱体の温度を変化させ
ることにより、セラミック基板の表面温度を制御するこ
とができるのである。また、窒化物セラミックや炭化物
セラミックは、熱伝導率が高いため、発熱体パターンに
起因する温度のばらつきが生じやすいため、酸化物セラ
ミックに比べて、本発明の構成が有効に機能する。
The ceramic forming the ceramic heater of the present invention is preferably a nitride ceramic or a carbide ceramic. Nitride ceramics and carbide ceramics have a lower coefficient of thermal expansion than metals and have much higher mechanical strength than metals, so even if the thickness of the ceramic substrate is reduced, it does not warp or warp due to heating .
Therefore, the ceramic substrate can be made thin and light. Furthermore, the thermal conductivity of the ceramic substrate is high,
Since the ceramic substrate itself is thin, the surface temperature of the ceramic substrate quickly follows the temperature change of the resistance heating element. That is, the surface temperature of the ceramic substrate can be controlled by changing the voltage and the current value to change the temperature of the resistance heating element. In addition, nitride ceramics and carbide ceramics have a high thermal conductivity, so that the temperature variation due to the heating element pattern is likely to occur. Therefore, the configuration of the present invention functions more effectively than oxide ceramics.

【0098】上記窒化物セラミックとしては、例えば、
窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化チタ
ン等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、2
種以上を併用してもよい。
As the nitride ceramic, for example,
Examples include aluminum nitride, silicon nitride, boron nitride, and titanium nitride. These may be used alone or 2
More than one species may be used in combination.

【0099】また、炭化物セラミックとしては、例え
ば、炭化ケイ素、炭化ジルコニウム、炭化チタン、炭化
タンタル、炭化タングステン等が挙げられる。これら
は、単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
Examples of the carbide ceramic include, for example, silicon carbide, zirconium carbide, titanium carbide, tantalum carbide, tungsten carbide and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

【0100】これらのなかでは、窒化アルミニウムが最
も好ましい。熱伝導率が180W/m・Kと最も高く、
温度追従性に優れるからである。
Of these, aluminum nitride is most preferred. The highest thermal conductivity is 180W / m · K,
This is because it has excellent temperature followability.

【0101】なお、セラミック基板として窒化物セラミ
ックまたは炭化物セラミック等を使用する際、必要によ
り、絶縁層を形成してもよい。窒化物セラミックは酸素
固溶等により、高温で体積抵抗値が低下しやすく、また
炭化物セラミックは特に高純度化しない限り導電性を有
しており、絶縁層を形成することにより、高温時あるい
は不純物を含有していても回路間の短絡を防止して温度
制御性を確保できるからである。
When a nitride ceramic, a carbide ceramic, or the like is used as the ceramic substrate, an insulating layer may be formed as necessary. Nitride ceramics have a tendency to decrease in volume resistance at high temperatures due to oxygen solid solution, etc.Carbide ceramics have conductivity unless particularly highly purified. This is because, even if it contains, a short circuit between circuits can be prevented and the temperature controllability can be secured.

【0102】上記絶縁層としては、酸化物セラミックが
望ましく、具体的には、シリカ、アルミナ、ムライト、
コージェライト、ベリリア等を使用することができる。
このような絶縁層としては、アルコキシドを加水分解重
合させたゾル溶液をセラミック基板にスピンコートして
乾燥、焼成を行ったり、スパッタリング、CVD等で形
成してもよい。また、セラミック基板表面を酸化処理し
て酸化物層を設けてもよい。
The insulating layer is preferably made of an oxide ceramic, specifically, silica, alumina, mullite,
Cordierite, beryllia and the like can be used.
Such an insulating layer may be formed by spin-coating a sol solution obtained by hydrolyzing and polymerizing an alkoxide on a ceramic substrate, followed by drying and firing, or by sputtering, CVD, or the like. Further, an oxide layer may be provided by oxidizing the surface of the ceramic substrate.

【0103】上記絶縁層は、0.1〜1000μmであ
ることが望ましい。0.1μm未満では、絶縁性を確保
できず、、1000μmを超えると抵抗発熱体からセラ
ミック基板への熱伝導性を阻害してしまうからである。
さらに、上記絶縁層の体積抵抗率は、上記セラミック基
板の体積抵抗率の10倍以上(同一測定温度)であるこ
とが望ましい。10倍未満では、回路の短絡を防止でき
ないからである。
The thickness of the insulating layer is desirably 0.1 to 1000 μm. If the thickness is less than 0.1 μm, the insulating property cannot be secured, and if the thickness exceeds 1000 μm, the thermal conductivity from the resistance heating element to the ceramic substrate is hindered.
Further, it is desirable that the volume resistivity of the insulating layer is 10 times or more (same measurement temperature) as the volume resistivity of the ceramic substrate. If it is less than 10 times, a short circuit cannot be prevented.

【0104】セラミック基板11の厚さは、0.5〜5
mmが好ましい。0.5mmより薄いと、強度が低下す
るため破損しやすくなり、一方、5mmより厚くなる
と、熱が伝搬しにくくなり、加熱の効率が悪くなる。
The thickness of the ceramic substrate 11 is 0.5 to 5
mm is preferred. If the thickness is less than 0.5 mm, the strength is reduced and the material is easily damaged. On the other hand, if the thickness is more than 5 mm, heat is difficult to propagate, and the heating efficiency is deteriorated.

【0105】また、セラミック基板11の直径は、20
0mm以上が望ましい。大きな直径を持つセラミック基
板ほど加熱面の温度が不均一化しやすく、回路の分割数
を増やす必要が生じるため、本発明の構成が有効に機能
するからである。また、このような大きな直径を持つ基
板は、大口径の半導体ウエハを載置することができるか
らである。セラミック基板の直径は、特に12インチ
(300mm)以上であることが望ましい。次世代の半
導体ウエハの主流となるからである。
The diameter of the ceramic substrate 11 is 20
0 mm or more is desirable. This is because the configuration of the present invention functions effectively because the temperature of the heating surface is more likely to be non-uniform as the diameter of the ceramic substrate is larger and the number of circuit divisions needs to be increased. In addition, a substrate having such a large diameter can mount a large-diameter semiconductor wafer. The diameter of the ceramic substrate is particularly preferably 12 inches (300 mm) or more. This is because it will become the mainstream of next-generation semiconductor wafers.

【0106】本発明のセラミックヒータにおいて、セラ
ミック基板には、被加熱物を載置する加熱面の反対側か
ら加熱面に向けて有底孔を設けるとともに、有底孔の底
を抵抗発熱体よりも相対的に加熱面に近く形成し、この
有底孔に熱電対等の測温素子を設けるとが望ましい。
In the ceramic heater according to the present invention, the ceramic substrate is provided with a bottomed hole from the side opposite to the heating surface on which the object to be heated is placed toward the heating surface, and the bottom of the bottomed hole is set by the resistance heating element. It is also preferable to form the temperature measuring element such as a thermocouple in the bottomed hole relatively.

【0107】また、有底孔の底と加熱面との距離は、
0.1mm〜セラミック基板の厚さの1/2であること
が望ましい。これにより、測温場所が抵抗発熱体よりも
加熱面に近くなり、より正確な半導体ウエハの温度の測
定が可能となるからである。
The distance between the bottom of the bottomed hole and the heating surface is:
It is desirable that the thickness be 0.1 mm to 1/2 of the thickness of the ceramic substrate. Thereby, the temperature measurement location is closer to the heating surface than the resistance heating element, and the temperature of the semiconductor wafer can be measured more accurately.

【0108】有底孔の底と加熱面との距離が0.1mm
未満では、放熱してしまい、加熱面に温度分布が形成さ
れ、厚さの1/2を超えると、抵抗発熱体の温度の影響
を受けやすくなり、温度制御できなくなり、やはり加熱
面に温度分布が形成されてしまうからである。
The distance between the bottom of the bottomed hole and the heating surface is 0.1 mm
If the thickness is less than the above, heat is dissipated, and a temperature distribution is formed on the heating surface. If the thickness is more than 1/2 of the thickness, the temperature of the resistance heating element becomes more susceptible to temperature control, and the temperature distribution cannot be controlled. Is formed.

【0109】有底孔の直径は、0.3mm〜5mmであ
ることが望ましい。これは、大きすぎると放熱性が大き
くなり、また小さすぎると加工性が低下して加熱面との
距離を均等にすることができなくなるからである。
It is desirable that the diameter of the bottomed hole is 0.3 mm to 5 mm. This is because if it is too large, the heat dissipation will be large, and if it is too small, the workability will be reduced and the distance to the heating surface cannot be equalized.

【0110】有底孔は、図1に示したように、セラミッ
ク基板の中心に対して対称で、かつ、十字を形成するよ
うに複数配列することが望ましい。これは、加熱面全体
の温度を測定することができるからである。
As shown in FIG. 1, it is desirable that a plurality of the bottomed holes are arranged symmetrically with respect to the center of the ceramic substrate and form a cross. This is because the temperature of the entire heating surface can be measured.

【0111】上記測温素子としては、例えば、熱電対、
白金測温抵抗体、サーミスタ等が挙げられる。また、上
記熱電対としては、例えば、JIS−C−1602(1
980)に挙げられるように、K型、R型、B型、S
型、E型、J型、T型熱電対等が挙げられるが、これら
のなかでは、K型熱電対が好ましい。
As the temperature measuring element, for example, a thermocouple,
Platinum resistance thermometers, thermistors and the like can be mentioned. As the thermocouple, for example, JIS-C-1602 (1
980), K type, R type, B type, S type
Type, E-type, J-type, and T-type thermocouples, and among them, a K-type thermocouple is preferable.

【0112】上記熱電対の接合部の大きさは、素線の径
と同じが、または、それよりも大きく、0.5mm以下
であることが望ましい。これは、接合部が大きい場合
は、熱容量が大きくなって応答性が低下してしまうから
である。なお、素線の径より小さくすることは困難であ
る。
It is desirable that the size of the junction of the thermocouple is the same as or larger than the diameter of the strand, and is 0.5 mm or less. This is because, if the junction is large, the heat capacity increases and the responsiveness decreases. It is difficult to make the diameter smaller than the diameter of the strand.

【0113】上記測温素子は、金ろう、銀ろうなどを使
用して、有底孔の底に接着してもよく、有底孔に挿入し
た後、耐熱性樹脂で封止してもよく、両者を併用しても
よい。上記耐熱性樹脂としては、例えば、熱硬化性樹
脂、特にはエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイ
ミド−トリアジン樹脂などが挙げられる。これらの樹脂
は、単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
The temperature measuring element may be adhered to the bottom of the bottomed hole using gold brazing or silver brazing, or may be inserted into the bottomed hole and then sealed with a heat-resistant resin. , May be used in combination. Examples of the heat-resistant resin include a thermosetting resin, particularly an epoxy resin, a polyimide resin, a bismaleimide-triazine resin, and the like. These resins may be used alone or in combination of two or more.

【0114】上記金ろうとしては、37〜80.5重量
%Au−63〜19.5重量%Cu合金、81.5〜8
2.5重量%:Au−18.5〜17.5重量%:Ni
合金から選ばれる少なくとも1種が望ましい。これら
は、溶融温度が、900℃以上であり、高温領域でも溶
融しにくいためである。銀ろうとしては、例えば、Ag
−Cu系のものを使用することができる。
The above-mentioned gold brazing fillers include 37-80.5% by weight Au-63-19.5% by weight Cu alloy, 81.5-8%
2.5% by weight: Au-18.5 to 17.5% by weight: Ni
At least one selected from alloys is desirable. These are because the melting temperature is 900 ° C. or higher and it is difficult to melt even in a high temperature region. As a silver solder, for example, Ag
-A Cu-based material can be used.

【0115】次に、本発明のセラミックヒータの製造方
法について説明する。図9(a)〜(d)は、セラミッ
ク基板の底面の抵抗発熱体が形成されたセラミックヒー
タの製造方法を模式的に示した断面図である。
Next, a method for manufacturing the ceramic heater of the present invention will be described. 9A to 9D are cross-sectional views schematically showing a method for manufacturing a ceramic heater in which a resistance heating element on the bottom surface of a ceramic substrate is formed.

【0116】(1) セラミック基板の作製工程 上述した窒化アルミニウムや炭化珪素などの窒化物等の
セラミックの粉末に必要に応じてイットリア(Y2
3 )やB4 C等の焼結助剤、Na、Caを含む化合物、
バインダ等を配合してスラリーを調製した後、このスラ
リーをスプレードライ等の方法で顆粒状にし、この顆粒
を金型などに入れて加圧することにより板状などに成形
し、生成形体(グリーン)を作製する。次に、この生成
形体を加熱、焼成して焼結させ、セラミック製の板状体
を製造する。この後、所定の形状に加工することによ
り、セラミック基板11を作製するが、焼成後にそのま
ま使用することができる形状としてもよい(図9
(a))。
(1) Step of Manufacturing Ceramic Substrate The above-mentioned ceramic powder such as nitride such as aluminum nitride or silicon carbide is added to yttria (Y 2 O
3 ) and sintering aids such as B 4 C, compounds containing Na and Ca,
After preparing a slurry by blending a binder and the like, the slurry is formed into granules by a method such as spray drying, and the granules are put into a mold or the like and pressed to be formed into a plate shape, thereby forming a green body (green). Is prepared. Next, the formed body is heated, fired and sintered to produce a ceramic plate. Thereafter, the ceramic substrate 11 is manufactured by processing into a predetermined shape, but may be formed into a shape that can be used as it is after firing (FIG. 9).
(A)).

【0117】加圧しながら加熱、焼成を行うことによ
り、気孔のないセラミック基板11を製造することが可
能となる。加熱、焼成は、焼結温度以上であればよい
が、窒化物セラミックや炭化物セラミックでは、100
0〜2500℃である。また、酸化物セラミックでは、
1500℃〜2000℃である。
By performing heating and firing while applying pressure, it is possible to manufacture a ceramic substrate 11 having no pores. Heating and firing may be performed at a sintering temperature or higher.
0 to 2500 ° C. In oxide ceramics,
1500 ° C to 2000 ° C.

【0118】次に、セラミック基板11に、必要に応じ
て、半導体ウエハを支持するためのリフターピンを挿入
する貫通孔15となる部分や熱電対17等の測温素子を
埋め込むための有底孔14となる部分を形成する。
Next, as necessary, a portion serving as a through hole 15 for inserting a lifter pin for supporting a semiconductor wafer and a bottomed hole for embedding a temperature measuring element such as a thermocouple 17 are formed in the ceramic substrate 11. A portion to be 14 is formed.

【0119】(2) セラミック基板に導体ペーストを印刷
する工程 導体ペーストは、2種以上の貴金属等からなる金属粒
子、樹脂、溶剤からなる粘度の高い流動物である。この
導体ペーストをスクリーン印刷などを用い、セラミック
基板11に設ける抵抗発熱体12の回路の総数が8以下
となるように、抵抗発熱体パターンとなる導体ペースト
層を形成する。
(2) Step of Printing Conductive Paste on Ceramic Substrate The conductive paste is a high-viscosity fluid composed of metal particles composed of two or more kinds of noble metals, a resin, and a solvent. A conductor paste layer serving as a resistance heating element pattern is formed by using the conductor paste by screen printing or the like so that the total number of circuits of the resistance heating element 12 provided on the ceramic substrate 11 is 8 or less.

【0120】このとき、セラミック基板の最外周に、円
周方向に分割された少なくとも2以上の回路となるよう
に導体ペースト層を形成するともに、最外周に印刷され
た上記導体ペースト層の内側に、別の回路となる導体ペ
ースト層を形成することが望ましい。また、その抵抗発
熱体パターンとして、円弧の繰り返しパターンおよび/
または同心円形状のパターンを用いると、レーザトリミ
ングを行う際、レーザ照射位置を容易に精度よく設定す
ることができ、屈曲線の繰り返しパターンを用いるとス
クリーン印刷を行う際、抵抗発熱体の厚さのばらつきを
抑えることができる。
At this time, a conductor paste layer is formed on the outermost periphery of the ceramic substrate so as to form at least two circuits divided in the circumferential direction, and the inside of the conductor paste layer printed on the outermost periphery is formed. It is desirable to form a conductor paste layer that becomes another circuit. Further, as the resistance heating element pattern, a circular arc repetition pattern and / or
Alternatively, when using a concentric pattern, the laser irradiation position can be easily and accurately set when performing laser trimming, and when performing screen printing using a repetitive pattern of bent lines, the thickness of the resistance heating element can be reduced. Variation can be suppressed.

【0121】(3) 導体ペーストの焼成 セラミック基板11の底面に印刷した導体ペースト層を
加熱焼成して、樹脂、溶剤を除去するとともに、金属粒
子を焼結させ、セラミック基板11の底面に焼き付け、
抵抗発熱体12を形成する(図9(b))。加熱焼成の
温度は、500〜1000℃が好ましい。導体ペースト
中に上述した酸化物を添加しておくと、金属粒子、セラ
ミック基板および酸化物が焼結して一体化するため、抵
抗発熱体12とセラミック基板11との密着性が向上す
る。
(3) Firing of Conductive Paste The conductive paste layer printed on the bottom surface of the ceramic substrate 11 is heated and fired to remove the resin and the solvent, and sinter the metal particles.
The resistance heating element 12 is formed (FIG. 9B). The temperature of the heating and firing is preferably from 500 to 1000C. If the above-mentioned oxide is added to the conductor paste, the metal particles, the ceramic substrate and the oxide are sintered and integrated, so that the adhesion between the resistance heating element 12 and the ceramic substrate 11 is improved.

【0122】(4) 抵抗発熱体の抵抗値の調整 次に、上述したように、抵抗値の測定し、抵抗発熱体1
2に溝120等を形成すことにより、抵抗値を調整する
(図9(c))。このとき、容易に精度よく抵抗値を調
整することができる点から、レーザトリミングにより抵
抗発熱体12の抵抗値を調整することが望ましい。
(4) Adjustment of the resistance value of the resistance heating element Next, as described above, the resistance value was measured, and the resistance heating element 1 was measured.
The resistance value is adjusted by forming the groove 120 and the like in FIG. 2 (FIG. 9C). At this time, it is desirable to adjust the resistance value of the resistance heating element 12 by laser trimming, since the resistance value can be easily and accurately adjusted.

【0123】(5) 金属被覆層の形成 抵抗発熱体12表面には、金属被覆層(図示せず)を設
ける。金属被覆層(図示せず)は、電解めっき、無電解
めっき、スパッタリング等により形成することができる
が、量産性を考慮すると、無電解めっきが最適である。
(5) Formation of Metal Coating Layer A metal coating layer (not shown) is provided on the surface of the resistance heating element 12. The metal coating layer (not shown) can be formed by electrolytic plating, electroless plating, sputtering, or the like, but in consideration of mass productivity, electroless plating is optimal.

【0124】(6) 端子等の取り付け 抵抗発熱体12のパターンの端部に電源との接続のため
の端子(外部端子13)を半田で取り付ける。また、有
底孔14に銀ろう、金ろうなどで熱電対17を固定し、
ポリイミド等の耐熱樹脂で封止し、セラミックヒータの
製造を終了する(図9(d))。なお、本発明のセラミ
ックヒータでは、静電電極を設けて静電チャックとして
もよく、チャップトップ導体層を設けてウエハプローバ
用のチャックトップ板としてもよい。
(6) Attachment of Terminals and the like Terminals (external terminals 13) for connection to a power supply are attached to the end of the pattern of the resistance heating element 12 by soldering. Further, the thermocouple 17 is fixed to the bottomed hole 14 with silver brazing, gold brazing or the like,
After sealing with a heat-resistant resin such as polyimide, the manufacture of the ceramic heater is completed (FIG. 9D). In the ceramic heater of the present invention, an electrostatic chuck may be provided by providing an electrostatic electrode, or a chuck top plate for a wafer prober may be provided by providing a chaptop conductor layer.

【0125】[0125]

【実施例】以下、本発明をさらに詳細に説明する。 (実施例1)窒化アルミニウム製のセラミックヒータ
(図1参照)の製造 (1) 窒化アルミニウム粉末(平均粒径:1.1μm)1
00重量部、イットリア(平均粒径:0.4μm)4重
量部、アクリル系バインダ12重量部およびアルコール
からなる組成物のスプレードライを行い、顆粒状の粉末
を作製した。
The present invention will be described in more detail below. Example 1 Production of Aluminum Nitride Ceramic Heater (See FIG. 1) (1) Aluminum Nitride Powder (Average Particle Size: 1.1 μm) 1
A composition comprising 00 parts by weight, 4 parts by weight of yttria (average particle size: 0.4 μm), 12 parts by weight of an acrylic binder and alcohol was spray-dried to prepare a granular powder.

【0126】(2) 次に、この顆粒状の粉末を金型に入
れ、平板状に成形して生成形体(グリーン)を得た。 (3) 加工処理の終った生成形体を1800℃、圧力:2
0MPaでホットプレスし、厚さが3mmの窒化アルミ
ニウム板状体を得た。次に、この板状体から直径300
mmの円板体を切り出し、セラミック製の板状体(セラ
ミック基板)11とした。
(2) Next, the granulated powder was put in a mold and formed into a flat plate to obtain a formed product (green). (3) The processed form is processed at 1800 ° C., pressure: 2
Hot pressing was performed at 0 MPa to obtain an aluminum nitride plate having a thickness of 3 mm. Next, a diameter of 300
mm was cut out to obtain a ceramic plate (ceramic substrate) 11.

【0127】この成形体にドリル加工を施し、半導体ウ
エハを支持するリフターピンを挿入する貫通孔15とな
る部分、熱電対を埋め込むための有底孔14となる部分
(直径:1.1mm、深さ:2mm)を形成した(図9
(a)参照)。
Drilling is performed on this molded body to form a portion serving as a through hole 15 for inserting a lifter pin for supporting a semiconductor wafer and a portion serving as a bottomed hole 14 for embedding a thermocouple (diameter: 1.1 mm, depth: (2 mm) (FIG. 9).
(A)).

【0128】(4) 上記(3) で得たセラミック基板11
に、スクリーン印刷にて導体ペーストを印刷し、抵抗発
熱体12の回路の総数が7になるように、導体ペースト
層を形成した。これは、セラミック基板11に設けた抵
抗発熱体12の回路の総数が8以下となるように設定し
た値である。また、印刷パターンとして、図6に示した
ように、最外周に同心円が円周方向に分割され形成され
た円弧の繰り返しパターンと、その内側に同心円状のパ
ターンとを形成した。
(4) The ceramic substrate 11 obtained in the above (3)
Then, a conductor paste was printed by screen printing, and a conductor paste layer was formed such that the total number of circuits of the resistance heating element 12 became 7. This is a value set so that the total number of circuits of the resistance heating element 12 provided on the ceramic substrate 11 is 8 or less. Further, as shown in FIG. 6, as a printing pattern, a repetition pattern of circular arcs formed by dividing a concentric circle in the outermost circumference in the circumferential direction and a concentric pattern inside the same are formed.

【0129】導体ペーストとしては、プリント配線板の
スルーホール形成に使用されている徳力化学研究所製の
ソルベストPS603Dを使用した。この導体ペースト
は、銀−鉛ペーストであり、銀100重量部に対して、
酸化鉛(5重量%)、酸化亜鉛(55重量%)、シリカ
(10重量%)、酸化ホウ素(25重量%)およびアル
ミナ(5重量%)からなる金属酸化物を7.5重量部含
むものであった。また、銀粒子は、平均粒径が4.5μ
mで、リン片状のものであった。
As the conductive paste, Solvest PS603D manufactured by Tokurika Kagaku Kenkyusho used for forming through holes in a printed wiring board was used. This conductor paste is a silver-lead paste, and is based on 100 parts by weight of silver.
Containing 7.5 parts by weight of a metal oxide consisting of lead oxide (5% by weight), zinc oxide (55% by weight), silica (10% by weight), boron oxide (25% by weight) and alumina (5% by weight) Met. The silver particles have an average particle size of 4.5 μm.
m, it was scaly.

【0130】(5) 次に、導体ペーストを印刷したセラミ
ック基板11を780℃で加熱、焼成して、導体ペース
ト中の銀、鉛を焼結させるとともにセラミック基板11
に焼き付け、抵抗発熱体12を形成した(図9(b)参
照)。
(5) Next, the ceramic substrate 11 on which the conductive paste is printed is heated and fired at 780 ° C. to sinter silver and lead in the conductive paste and to form the ceramic substrate 11
To form a resistance heating element 12 (see FIG. 9B).

【0131】抵抗発熱体のパターンは、図6に示したよ
うに、12a〜12dが4チャンネル、12e〜12g
が各1チャンネル、合計7チャンネルである。なお、チ
ャンネルとは、制御を行う際に、同一の電圧を印加して
一の制御を行う回路をいうが、本実施例では、連続体と
して形成された各抵抗発熱体を示す。
As shown in FIG. 6, the pattern of the resistance heating elements is such that 12a to 12d have four channels, 12e to 12g.
Are 1 channel each, that is, 7 channels in total. Note that a channel refers to a circuit that performs the same control by applying the same voltage when performing control. In this embodiment, each channel indicates a resistance heating element formed as a continuous body.

【0132】(6) 次に各チャンネルをさらに9に区画
し、各区画毎にテスターピンを接触させ抵抗値を測定し
た。その結果に基づき波長が1060nmのYAGレー
ザ(日本電気社製 S143AL 出力5W、パルス周
波数 0.1〜40kHz)を用いてトリミングを行い
抵抗値を調整した。この装置は、X−Yステージ、ガル
バノミラー、CCDカメラ、Nd:YAGレーザを備
え、また、ステージとガルバノミラーを制御するコント
ローラを内蔵している。このコントローラは、コンピュ
ータ(日本電気社製 FC−9821)に接続されてい
る。また、上記コンピュータは、演算部と記憶部とを兼
ねるCPUを有しているとともに、記憶部と入力部を兼
ねるハードディスクと3.5インチFDドライブを有し
ている。なお、X−Yステージは、固定されたセラミッ
ク基板の中心軸Aを中心として、任意の角度θだけ回転
することができるようになっている。
(6) Next, each channel was further divided into 9 sections, and a tester pin was brought into contact with each section to measure the resistance value. Based on the result, trimming was performed using a YAG laser having a wavelength of 1060 nm (manufactured by NEC Corporation, S143AL, output 5 W, pulse frequency 0.1 to 40 kHz) to adjust the resistance value. This apparatus includes an XY stage, a galvanometer mirror, a CCD camera, and an Nd: YAG laser, and has a built-in controller for controlling the stage and the galvanometer mirror. This controller is connected to a computer (FC-9821 manufactured by NEC Corporation). In addition, the computer has a CPU that also serves as an arithmetic unit and a storage unit, and has a hard disk that also serves as a storage unit and an input unit, and a 3.5-inch FD drive. Note that the XY stage can be rotated by an arbitrary angle θ about the center axis A of the fixed ceramic substrate.

【0133】このコンピュータにFDドライブから発熱
体パターンデータを入力し、さらに、抵抗発熱体の位置
を読み取って(読み取りは、抵抗発熱体の特定箇所また
はセラミック基板に形成されたマーカを基準にする)、
必要な制御データを演算し、発熱体パターンを電流が流
れる方向に概ね平行に照射し、その部分の抵抗発熱体を
除去し、セラミック基板に到達するまでの幅50μmの
溝を形成した(図9(c)参照)。
The heating element pattern data is input from the FD drive to the computer, and the position of the resistance heating element is read (reading is based on a specific portion of the resistance heating element or a marker formed on the ceramic substrate). ,
The necessary control data is calculated, the heating element pattern is irradiated substantially parallel to the direction in which the current flows, the resistive heating element at that portion is removed, and a groove having a width of 50 μm is formed until reaching the ceramic substrate (FIG. 9). (C)).

【0134】銀−鉛の抵抗発熱体12は、厚さが5μ
m、幅2.4mmであった。レーザは、1kHzの周波
数で、0.4Wの出力、バイトサイズは10μm、加工
スピードは10mm/秒であった。また、トリミングに
よる抵抗値の調整は、全ての抵抗発熱体12a〜12g
に対して行われた。
The silver-lead resistance heating element 12 has a thickness of 5 μm.
m and a width of 2.4 mm. The laser had a frequency of 1 kHz, an output of 0.4 W, a bite size of 10 μm, and a processing speed of 10 mm / sec. The adjustment of the resistance value by trimming is performed on all the resistance heating elements 12a to 12g.
Made against.

【0135】(7) 硫酸ニッケル80g/l、次亜リン酸
ナトリウム24g/l、酢酸ナトリウム12g/l、ほ
う酸8g/l、塩化アンモニウム6g/lの濃度の水溶
液からなる無電解ニッケルめっき浴に上記(6) で作製し
たセラミック基板11を浸漬し、銀−鉛の抵抗発熱体1
2の表面に厚さ1μmの金属被覆層(図示せず)を析出
させた。
(7) The above electroless nickel plating bath consisting of an aqueous solution having a concentration of 80 g / l nickel sulfate, 24 g / l sodium hypophosphite, 12 g / l sodium acetate, 8 g / l boric acid, and 6 g / l ammonium chloride was used. The ceramic substrate 11 prepared in (6) is immersed in the silver-lead resistance heating element 1.
On the surface of No. 2, a metal coating layer (not shown) having a thickness of 1 μm was deposited.

【0136】(8) 電源との接続を確保するための端子を
取り付ける部分に、スクリーン印刷により、銀−鉛半田
ペースト(田中貴金属社製)を印刷して半田層を形成し
た。ついで、半田層の上にコバール製の外部端子13を
載置して、420℃で加熱リフローし、外部端子33を
抵抗発熱体12の表面に取り付けた。
(8) A silver-lead solder paste (manufactured by Tanaka Kikinzoku Co., Ltd.) was printed by screen printing on a portion where a terminal for securing connection to a power supply was to be formed, to form a solder layer. Next, the external terminal 13 made of Kovar was placed on the solder layer, and heated and reflowed at 420 ° C., and the external terminal 33 was attached to the surface of the resistance heating element 12.

【0137】(9) 温度制御のための熱電対を有底孔14
にはめ込み、セラミック接着剤(東亜合成社製 アロン
セラミック)を埋め込んで固定しセラミックヒータ10
を得た(図9(d)参照)。
(9) A thermocouple for controlling temperature is formed in the bottomed hole 14.
And a ceramic adhesive (Aron Ceramic manufactured by Toa Gosei Co., Ltd.)
Was obtained (see FIG. 9D).

【0138】(実施例2)炭化珪素製のセラミックヒー
タ(図8参照)の製造 平均粒径1.1μm(屋久島電工社製 ダイヤシック
C−1000)の炭化珪素を使用し、焼結温度を190
0℃とし、得られたセラミック基板の表面を1500℃
で2時間焼成して表面に厚さ1μmのSiO2 層を形成
し、また、印刷パターンとして、図8に示したように、
最外周に屈曲線の繰り返しパターンと、その内側に同心
円状のパターンとを形成したほかは、実施例1と同様に
し、炭化珪素製のセラミックヒータを製造した。また、
パターン内の回路の総数は8とした。
Example 2 Manufacture of a Ceramic Heater Made of Silicon Carbide (See FIG. 8) Average particle size 1.1 μm (Yakushima Electric Works Co., Ltd.
C-1000) silicon carbide and a sintering temperature of 190
0 ° C., and the surface of the obtained ceramic substrate was 1500 ° C.
For 2 hours to form a SiO 2 layer having a thickness of 1 μm on the surface, and as a printing pattern, as shown in FIG.
A ceramic heater made of silicon carbide was manufactured in the same manner as in Example 1 except that a repetitive pattern of bent lines and a concentric pattern were formed inside the outermost periphery. Also,
The total number of circuits in the pattern was eight.

【0139】(比較例1)窒化アルミニウム製のセラミ
ックヒータの製造 抵抗発熱体の抵抗値を調整しなかったほかは、実施例1
と同様にしてセラミックヒータを製造した。また、パタ
ーン内の回路の総数は8とした。
Comparative Example 1 Production of Aluminum Nitride Ceramic Heater Example 1 was repeated except that the resistance of the resistance heating element was not adjusted.
A ceramic heater was manufactured in the same manner as described above. The total number of circuits in the pattern was set to eight.

【0140】(比較例2)窒化アルミニウム製のセラミ
ックヒータの製造 抵抗発熱体のパターンについて、回路の総数が、最外周
に円周方向に分割され形成された円弧の繰り返しパター
ンが8と、その内側に同心円状のパターンが6とで、総
数14としたほかは、実施例1と同様にしてセラミック
ヒータを製造した。
(Comparative Example 2) Manufacture of a ceramic heater made of aluminum nitride Regarding the pattern of the resistance heating element, the total number of circuits is 8 A ceramic heater was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the number of concentric patterns was 6, and the total number was 14.

【0141】(比較例3)窒化アルミニウム製のセラミ
ックヒータの製造 抵抗発熱体の抵抗値を調整を行わず、また、抵抗発熱体
のパターンについて、回路の総数が、最外周に円周方向
に分割され形成された円弧の繰り返しパターンが8と、
その内側に同心円状のパターンが6とで、総数14とし
たほかは、実施例1と同様にしてセラミックヒータを製
造した。
(Comparative Example 3) Manufacturing of a ceramic heater made of aluminum nitride The resistance value of the resistance heating element was not adjusted, and the total number of circuits was divided in the circumferential direction into the outermost circumference for the pattern of the resistance heating element. The repeating pattern of the formed arc is 8,
A ceramic heater was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the number of concentric patterns was 6 on the inner side and the total number was 14.

【0142】上記工程を経て得られた実施例1、2、比
較例1〜3に係るセラミックヒータに調温器(オムロン
社製 E5ZE)を取り付け、以下の指標で評価した。
その結果を表1、2に示す。
A temperature controller (E5ZE manufactured by OMRON) was attached to the ceramic heaters according to Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 to 3 obtained through the above steps, and evaluated by the following indexes.
The results are shown in Tables 1 and 2.

【0143】評価方法 (1)抵抗値のばらつき 抵抗発熱体の外周のチャンネルの抵抗値を測定し、各チ
ャンネル内のばらつきを計算した。チャンネル内の抵抗
ばらつきは、チャンネル内をさらに20分割して、分割
した範囲内の両端で抵抗値を測定し、その平均を平均分
割抵抗値とし、さらに、チャンネル内の最高抵抗値と最
低抵抗値との差と平均分割抵抗値とから、ばらつきを計
算した。得られた各チャンネル内のばらつきから、平均
値を計算した結果を、そのセラミックヒータにおける抵
抗値のばらつきとし、表1に記載した。また、抵抗値の
測定は、すべてのセラミックヒータについて、セラミッ
クヒータ製造終了後に実施した。なお、外周のチャンネ
ルとは、実施例1に係るセラミックヒータにおいて、抵
抗発熱体12a〜12dであり、実施例2に係るセラミ
ックヒータにおいて、抵抗発熱体62a〜62dであ
る。また、比較例1に係るセラミックヒータにおいて
は、外周に配置された4つのチャンネルの抵抗値を測定
し、比較例2および3に係るセラミックヒータにおいて
は、外周に配置された8つのチャンネルの抵抗値を測定
した。
[0143]Evaluation method  (1) Variation of resistance value Measure the resistance value of the channel on the outer periphery of the resistance heating element, and
The variation within the channel was calculated. Resistance in channel
Variations are obtained by dividing the channel further into 20
The resistance value is measured at both ends within the range, and the average is averaged.
Split resistance, and the highest and lowest resistance in the channel.
The variation is calculated from the difference from the low resistance value and the average divided resistance value.
Calculated. From the obtained variation within each channel, the average
The calculated value is used to calculate the resistance of the ceramic heater.
Table 1 shows the variation of the resistance value. Also, the resistance value
Measurements were taken for all ceramic heaters.
The test was performed after the completion of the manufacture of the quita. The outer channel
Is the resistance in the ceramic heater according to the first embodiment.
The anti-heating elements 12a to 12d and the ceramic according to the second embodiment.
In the heater, the resistance heating elements 62a to 62d
You. In the ceramic heater according to Comparative Example 1,
Measures the resistance value of the four channels arranged on the outer circumference
In the ceramic heaters according to Comparative Examples 2 and 3,
Measures the resistance value of eight channels arranged on the outer circumference
did.

【0144】(2)加熱面内温度均一性 17ポイント測温素子つきのシリコンウエハを使用し
て、面内温度の分布を測定し、表1に記載した。なお、
温度分布は、200℃設定での最高温度と最低温度との
温度差で示す。 (3)過渡時面内温度均一性 室温〜130℃までの昇温した時の面内温度の分布を測
定し、表1に記載した。なお、温度分布は、昇温中にお
ける最高温度と最低温度との温度差の最大値で示す。 (4)リカバリー時間 140℃設定温度で、25℃のシリコンウエハを載置し
た場合に、140℃まで回復する時間(リカバリー時
間)を測定し、表1に示した。
(2) In-Plane Temperature Uniformity The distribution of the in-plane temperature was measured using a silicon wafer with a 17-point temperature measuring element, and is shown in Table 1. In addition,
The temperature distribution is indicated by a temperature difference between the highest temperature and the lowest temperature at a setting of 200 ° C. (3) Transient in-plane temperature uniformity The distribution of the in-plane temperature when the temperature was raised from room temperature to 130 ° C. was measured and described in Table 1. The temperature distribution is indicated by the maximum value of the temperature difference between the highest temperature and the lowest temperature during the temperature rise. (4) Recovery time When a silicon wafer at 25 ° C. was placed at a set temperature of 140 ° C., the time required to recover to 140 ° C. (recovery time) was measured.

【0145】[0145]

【表1】 [Table 1]

【0146】表1より明らかなように、実施例1、2お
よび比較例2に係るセラミックヒータは、抵抗値のばら
つきが5%以下であったが、比較例1および3に係るセ
ラミックヒータは、抵抗値のばらつきが5%以上であっ
た。これは、実施例1、2および比較例2に係るセラミ
ックヒータが、トリミングによる抵抗発熱体の抵抗値の
調整を行ったためであると考えられる。
As is clear from Table 1, the ceramic heaters according to Examples 1 and 2 and Comparative Example 2 had a resistance variation of 5% or less, whereas the ceramic heaters according to Comparative Examples 1 and 3 The variation of the resistance value was 5% or more. This is probably because the ceramic heaters according to Examples 1 and 2 and Comparative Example 2 adjusted the resistance value of the resistance heating element by trimming.

【0147】また、実施例2に係るセラミックヒータ
は、実施例1に係るセラミックヒータと比べて、抵抗値
のばらつきを非常に小さくすることができた。これは、
実施例2に係るセラミックヒータの抵抗発熱体のパター
ンが、屈曲線形状の繰り返しパターンであったため、抵
抗発熱体の厚さのばらつきを抑えることができ、その結
果、抵抗値のばらつきを非常に小さくすることができた
と考えられる。
The variation in the resistance value of the ceramic heater according to the second embodiment was much smaller than that of the ceramic heater according to the first embodiment. this is,
Since the pattern of the resistance heating element of the ceramic heater according to Example 2 was a repetitive pattern of a bent line shape, the variation in the thickness of the resistance heating element could be suppressed, and as a result, the variation in the resistance value was extremely small. It is thought that it was possible.

【0148】実施例1、2および比較例2に係るセラミ
ックヒータは、比較例1および3に係るセラミックヒー
タと比べて、定常時の面内温度均一性に優れていた。こ
れは、実施例1、2および比較例2に係るセラミックヒ
ータは、トリミングによる抵抗発熱体の抵抗値の調整が
行われており、チャンネル内の抵抗値のばらつき、およ
び、チャンネル間の抵抗値のばらつきが少ないからであ
ると考えられる。
The ceramic heaters according to Examples 1 and 2 and Comparative Example 2 were superior to the ceramic heaters according to Comparative Examples 1 and 3 in the in-plane temperature uniformity in a steady state. This is because in the ceramic heaters according to Examples 1 and 2 and Comparative Example 2, the resistance value of the resistance heating element is adjusted by trimming, so that the resistance value in the channel varies and the resistance value between the channels increases. It is considered that there is little variation.

【0149】また、実施例1、2および比較例1に係る
セラミックヒータは、比較例2および3に係るセラミッ
クヒータと比べて、過渡時の面内温度均一性に優れてい
た。これは、実施例1、2および比較例1に係るセラミ
ックヒータは、チャンネル数が8以下と少なく、比較的
単純に温度制御を行うことができるため、過渡時の面内
温度を均一にすることができたのに対し、比較例2およ
び3に係るセラミックヒータは、チャンネル数が多く、
温度制御が煩雑であるため、過渡時の面内温度がばらつ
いたと考えられる。
The ceramic heaters according to Examples 1 and 2 and Comparative Example 1 were superior to the ceramic heaters according to Comparative Examples 2 and 3 in in-plane temperature uniformity during transition. This is because the ceramic heaters according to Examples 1 and 2 and Comparative Example 1 have a small number of channels of 8 or less and can perform temperature control relatively simply, so that the in-plane temperature during transition is made uniform. On the other hand, the ceramic heaters according to Comparative Examples 2 and 3 have many channels,
Since the temperature control is complicated, it is considered that the in-plane temperature during the transition varies.

【0150】さらに、実施例1、2に係るセラミックヒ
ータは、比較例1〜3に係るセラミックヒータと比べ
て、リカバリー時間が短かった。これは、実施例1、2
に係るセラミックヒータは、抵抗値のばらつきが少な
く、かつ、回路の分割数が少ないため、リカバリー時間
が短くなったのに対し、比較例1〜3に係るセラミック
ヒータは、抵抗値のばらつきが大きい、および/また
は、抵抗値のばらつきが大きいため、リカバリー時間が
長くなってしまったと考えられる。
Furthermore, the recovery time of the ceramic heaters according to Examples 1 and 2 was shorter than the ceramic heaters according to Comparative Examples 1 to 3. This is the same as in Examples 1 and 2.
The ceramic heater according to Comparative Examples 1 and 2 has a small variation in resistance value and the number of circuit divisions is small, so that the recovery time is short. On the other hand, the ceramic heaters according to Comparative Examples 1 to 3 have large variation in resistance value. It is considered that the recovery time was prolonged due to large variations in resistance value.

【0151】なお、比較例2および3に係るセラミック
ヒータは、実施例1、2および比較例1に係るセラミッ
クヒータと比べて、セラミックヒータの製造工程におい
て、トリミングによる抵抗値の調整、外部端子の接続等
に多くの時間がかかってしまった。
The ceramic heaters according to Comparative Examples 2 and 3 were different from the ceramic heaters according to Examples 1 and 2 and Comparative Example 1 in adjusting the resistance value by trimming in the process of manufacturing the ceramic heater, and for controlling the external terminals. It took a lot of time to connect.

【0152】[0152]

【発明の効果】以上説明したように本発明のセラミック
ヒータによれば、抵抗発熱体の抵抗値のばらつきが5%
以下と小さいため、抵抗発熱体の回路の分割数を減らす
ことができ、その結果、容易に温度制御を行うことがで
きる。また、抵抗値のばらつきが小さいため、制御性が
向上し、セラミックヒータの加熱面の温度を均一にする
ことが可能である。さらに、その抵抗発熱体の回路の分
割数は、8以下に設定されているため、分割数が過剰で
はなく、その結果、温度制御が煩雑になることがなく、
セラミックヒータ、および、調温器等の温度制御装置が
故障する等のトラブルを抑制することができる。また、
そのようなセラミックヒータは、製造工程の煩雑さが解
消され、製造コストを抑えることが可能である。
As described above, according to the ceramic heater of the present invention, the variation of the resistance value of the resistance heating element is 5%.
Since it is smaller than the following, the number of circuit divisions of the resistance heating element can be reduced, and as a result, temperature control can be easily performed. Further, since the variation in the resistance value is small, the controllability is improved, and the temperature of the heating surface of the ceramic heater can be made uniform. Further, since the number of divisions of the circuit of the resistance heating element is set to eight or less, the number of divisions is not excessive, and as a result, temperature control does not become complicated,
It is possible to suppress troubles such as failure of a temperature control device such as a ceramic heater and a temperature controller. Also,
Such a ceramic heater can reduce the complexity of the manufacturing process and reduce the manufacturing cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(a)〜(c)は、トリミングにより溝および
切欠が形成された抵抗発熱体を模式的に示す斜視図であ
る。
FIGS. 1A to 1C are perspective views schematically showing a resistance heating element in which a groove and a notch are formed by trimming.

【図2】(a)〜(c)は、電流が流れる方向に沿って
概ね平行にトリミングによる溝が形成された抵抗発熱体
を模式的に示す斜視図である。
FIGS. 2A to 2C are perspective views schematically showing a resistance heating element in which grooves formed by trimming are formed substantially in parallel along a direction in which current flows.

【図3】セラミック基板に形成された抵抗発熱体の抵抗
値を調整するために用いるレーザトリミング装置の概要
を示すブロック図である。
FIG. 3 is a block diagram showing an outline of a laser trimming device used for adjusting a resistance value of a resistance heating element formed on a ceramic substrate.

【図4】渦巻き形状の抵抗発熱体のパターンを印刷する
様子を示す説明図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram showing a state in which a pattern of a spiral resistance heating element is printed.

【図5】屈曲形状の抵抗発熱体のパターンを印刷する様
子を示す説明図である。
FIG. 5 is an explanatory view showing a state in which a pattern of a bent resistance heating element is printed.

【図6】本発明のセラミックヒータの一例を模式的に示
す底面図である。
FIG. 6 is a bottom view schematically showing one example of the ceramic heater of the present invention.

【図7】図6に示したセラミックヒータの一部を模式的
に示す部分拡大断面図である。
7 is a partially enlarged cross-sectional view schematically showing a part of the ceramic heater shown in FIG.

【図8】本発明のセラミックヒータにおける抵抗発熱体
のパターンの他の一例を模式的に示した底面図である。
FIG. 8 is a bottom view schematically showing another example of the pattern of the resistance heating element in the ceramic heater of the present invention.

【図9】(a)〜(d)は、セラミックヒータの製造工
程の一部を模式的に示す断面図である。
FIGS. 9A to 9D are cross-sectional views schematically showing a part of the manufacturing process of the ceramic heater.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10、60 セラミックヒータ 11、61 セラミック基板 11a 加熱面 11b 底面 12(12a〜12h)、42、52、62(62a〜
62h) 抵抗発熱体 120、121、122、123 溝 120a 金属被覆層 13 外部端子 130 切欠 14、64 有底孔 140 溝 15、65 貫通孔 16 リフターピン 17 熱電対 23 テーブル 23b 固定用突起 25 ガルバノミラー 26 モータ 27 制御部 28 記憶部 29 演算部 30 入力部 31 カメラ 32 レーザ光 33 抵抗発熱体 34 テスターピン 35 レーザ照射装置 39 半導体ウエハ
10, 60 Ceramic heater 11, 61 Ceramic substrate 11a Heating surface 11b Bottom surface 12 (12a-12h), 42, 52, 62 (62a-
62h) resistance heating element 120, 121, 122, 123 groove 120a metal coating layer 13 external terminal 130 cutout 14, 64 bottomed hole 140 groove 15, 65 through hole 16 lifter pin 17 thermocouple 23 table 23b fixing projection 25 galvanometer mirror Reference Signs List 26 motor 27 control unit 28 storage unit 29 operation unit 30 input unit 31 camera 32 laser beam 33 resistance heating element 34 tester pin 35 laser irradiation device 39 semiconductor wafer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 3K092 PP20 QA05 QB02 QB04 QB17 QB18 QB32 QB44 QB45 QB47 QB60 QB69 QB76 QB78 QC18 QC43 QC52 QC65 QC66 RF03 RF11 RF17 RF22 UA05 UA17 UA18 VV03 VV22 5F046 KA04 5F103 AA08 BB42 RR10  ──────────────────────────────────────────────────の Continuing on the front page F term (reference) 3K092 PP20 QA05 QB02 QB04 QB17 QB18 QB32 QB44 QB45 QB47 QB60 QB69 QB76 QB78 QC18 QC43 QC52 QC65 QC66 RF03 RF11 RF17 RF22 UA05 UA17 UA18 VV03 VO18 5V04 5B38F

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 円板形状のセラミック基板上に2以上の
回路からなる抵抗発熱体が形成されたセラミックヒータ
であって、前記抵抗発熱体には、切欠または溝が形成さ
れ、前記抵抗発熱体の平均抵抗値に対する抵抗値のばら
つきが、5%以下であり、かつ、前記抵抗発熱体の回路
の総数が、8以下であることを特徴とするセラミックヒ
ータ。
1. A ceramic heater in which a resistance heating element composed of two or more circuits is formed on a disc-shaped ceramic substrate, wherein the resistance heating element has a cutout or a groove formed therein. Wherein the variation of the resistance value with respect to the average resistance value is 5% or less, and the total number of circuits of the resistance heating element is 8 or less.
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