JP2002190373A - Manufacturing method of ceramic heater - Google Patents

Manufacturing method of ceramic heater

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JP2002190373A
JP2002190373A JP2000385788A JP2000385788A JP2002190373A JP 2002190373 A JP2002190373 A JP 2002190373A JP 2000385788 A JP2000385788 A JP 2000385788A JP 2000385788 A JP2000385788 A JP 2000385788A JP 2002190373 A JP2002190373 A JP 2002190373A
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JP
Japan
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heating element
groove
resistance heating
ceramic substrate
ceramic
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Application number
JP2000385788A
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Japanese (ja)
Inventor
Keizo Sugimoto
圭三 杉本
Satoru Kariya
悟 苅谷
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Ibiden Co Ltd
Original Assignee
Ibiden Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a ceramic heater, with which trimming according to a preset condition can be carried out, without the occurrence of breakage of wires and the like, on a resistance heating element upon performing the trimming by irradiation using laser beam irradiation. SOLUTION: Upon forming (n+1)-th groove after having formed (n-th) groove by irradiating the laser beam on the resistance heating element, the grooves are formed by irradiating the laser beam in such a way that the successive groove following it is each alternately formed in the opposite side across the first groove.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、主に、半導体の製
造や検査のために用いられるセラミックヒータ(ホット
プレート)の製造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a ceramic heater (hot plate) mainly used for manufacturing and inspecting semiconductors.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、エッチング装置や化学的気相成長
装置等を含む半導体製造・検査装置等として、ステンレ
ス鋼やアルミニウム合金などの金属製基材を用いたヒー
タやウエハプローバ等が用いられてきた。
2. Description of the Related Art Conventionally, heaters and wafer probers using a metal base material such as stainless steel or an aluminum alloy have been used as semiconductor manufacturing / inspection devices including etching devices and chemical vapor deposition devices. Was.

【0003】しかし、金属製のヒータは、ヒータ板が厚
いため、ヒータの重量が重く、嵩張る等の問題があり、
さらに、これらに起因して温度追従性にも問題があっ
た。
However, since the heater made of metal has a thick heater plate, there is a problem that the heater is heavy and bulky.
Further, there is a problem in the temperature followability due to these.

【0004】そこで、特開平11−40330号公報等
には、基板として、熱伝導率が高く、強度も大きい窒化
物セラミックや炭化物セラミックを使用し、これらのセ
ラミックからなる板状体(セラミック基板)の表面に、
金属粒子を焼結して形成した発熱体を設けてなるセラミ
ックヒータが開示されている。
Therefore, Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-40330 discloses a plate-like body (ceramic substrate) made of a nitride ceramic or a carbide ceramic having a high thermal conductivity and a high strength as a substrate. On the surface of
A ceramic heater provided with a heating element formed by sintering metal particles is disclosed.

【0005】このような、セラミックヒータを製造する
際に抵抗発熱体を形成する方法としては、従来、所定形
状のセラミック基板を製造した後、スクリーン印刷等の
方法を用いた塗布法により抵抗発熱体を形成する方法
や、スパッタリング等の物理的蒸着法やめっき法を用い
て抵抗発熱体を形成する方法があった。
As a method of forming a resistance heating element when manufacturing such a ceramic heater, conventionally, a ceramic substrate having a predetermined shape is manufactured, and then the resistance heating element is formed by a coating method using a method such as screen printing. And a method of forming a resistance heating element using a physical vapor deposition method such as sputtering or a plating method.

【0006】塗布法により抵抗発熱体を形成する方法で
は、所定形状のセラミック基板を製造した後、このセラ
ミック基板の表面に、スクリーン印刷等の方法を用いて
発熱体パターンの導体ペースト層を形成し、加熱、焼成
を行って、抵抗発熱体を形成していた。
In the method of forming a resistance heating element by a coating method, a ceramic substrate having a predetermined shape is manufactured, and then a conductor paste layer of a heating element pattern is formed on the surface of the ceramic substrate by a method such as screen printing. , Heating and baking to form a resistance heating element.

【0007】しかし、この方法では、比較的低コストで
抵抗発熱体を形成することができるものの、印刷の厚さ
がばらつくため、形成した抵抗発熱体の抵抗値にばらつ
きが発生するという問題を抱えていた。
However, in this method, although a resistance heating element can be formed at a relatively low cost, there is a problem that the resistance value of the formed resistance heating element varies because the thickness of printing varies. I was

【0008】また、スパッタリング等の物理的蒸着法や
めっき法を用いて抵抗発熱体を形成する方法では、所定
形状のセラミック基板を製造した後、セラミック基板の
所定領域に、これらの方法により金属層を形成してお
き、その後、発熱体パターンの部分を覆うようにエッチ
ングレジストを形成した後、エッチング処理を施すこと
により、所定パターンの抵抗発熱体を形成したり、ま
た、初めに、発熱体パターン以外の部分を樹脂等で被覆
しておき、この後、上記処理を施すことにより、一度の
処理でセラミック基板の表面に所定パターンの抵抗発熱
体を形成していた。
In a method of forming a resistance heating element using a physical vapor deposition method such as sputtering or a plating method, after a ceramic substrate having a predetermined shape is manufactured, a metal layer is formed on a predetermined region of the ceramic substrate by these methods. After that, an etching resist is formed so as to cover a portion of the heating element pattern, and then an etching process is performed to form a resistance heating element having a predetermined pattern. The other parts are covered with a resin or the like, and thereafter, the above-described processing is performed, thereby forming a predetermined pattern of the resistance heating element on the surface of the ceramic substrate by one processing.

【0009】しかし、この、スパッタリングやめっき等
の方法では、精密なパターンを形成することができるも
のの、所定パターンの抵抗発熱体を形成するために、セ
ラミック基板表面にフォトリソグラフィーの手法を用い
てエッチングレジストやめっきレジスト等を形成する必
要があるため、コストが高くつくという問題があった。
[0009] However, in this method such as sputtering or plating, a precise pattern can be formed. However, in order to form a resistive heating element having a predetermined pattern, the surface of the ceramic substrate is etched using a photolithography technique. Since it is necessary to form a resist, a plating resist and the like, there has been a problem that the cost is high.

【0010】これらの問題を解決するための方法とし
て、精密な発熱体パターンを比較的低コストで形成する
ことができるという利点を持つ方法、つまり、所定幅の
帯状または円環形状の導体層を形成した後、レーザ光照
射装置等を用い、発熱体パターン以外の部分を除去する
(トリミングする)ことにより、精密な発熱体パターン
の形成を行なったり、上記方法により抵抗発熱体を形成
した後、レーザ光を照射することにより、抵抗発熱体の
一部を除去する(トリミングする)ことで抵抗値を精密
に調整する方法が行なわれてきた。
As a method for solving these problems, a method having an advantage that a precise heating element pattern can be formed at a relatively low cost, that is, a strip-shaped or ring-shaped conductor layer having a predetermined width is used. After the formation, a portion other than the heating element pattern is removed (trimmed) using a laser beam irradiation device or the like to form a precise heating element pattern, or after forming a resistance heating element by the above method, A method of precisely adjusting the resistance value by irradiating a laser beam to remove (trim) a part of the resistance heating element has been performed.

【0011】このようなトリミング方法においては、ト
リミングにより形成する溝の幅を調整するため、初めに
形成した溝に隣接する部分に並行して溝を複数本形成
し、溝の幅を拡張していた。
In such a trimming method, in order to adjust the width of the groove formed by trimming, a plurality of grooves are formed in parallel with a portion adjacent to the initially formed groove, and the width of the groove is expanded. Was.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、溝の幅
を拡張する際、最初に形成した溝の一方の側のみに連続
して溝を形成していくと、レーザ照射により最初に形成
した溝の位置がずれていたり、形成した発熱体パターン
にずれが生じていた場合、抵抗発熱体に断線が発生しや
すく、また、目的とする発熱体パターンと異なるパター
ンが形成されてしまうという問題があった。
However, when the width of the groove is increased, if the groove is formed continuously on only one side of the groove formed first, the groove formed first by laser irradiation can be formed. When the position is shifted or the formed heating element pattern is shifted, there is a problem that the resistance heating element is liable to be disconnected and a pattern different from the intended heating element pattern is formed. .

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上述した
問題点に鑑み、鋭意研究を行った結果、抵抗発熱体また
は円環状等の導体層に2回以上レーザ光を照射して幅広
の溝を形成するすることにより、抵抗発熱体の抵抗値を
調整するか、または、発熱体パターンを形成する際、2
番目以降に溝を形成するとき、まず、最初に形成した溝
に隣接する溝を形成した後、次に、最初に形成した溝を
挟んで、順次、反対側になるように溝を形成していくこ
とにより、抵抗発熱体または導体層をほぼ設定通りにト
リミングすることができることを見出し、本発明を完成
させるに至った。
Means for Solving the Problems In view of the above-mentioned problems, the present inventors have conducted intensive studies, and as a result, a conductor layer such as a resistance heating element or an annular shape is irradiated with laser light twice or more to broaden the width. When the resistance value of the resistance heating element is adjusted by forming the groove of
When forming a groove after the first, first, after forming a groove adjacent to the first formed groove, then, with the first formed groove sandwiched, sequentially formed grooves to be on the opposite side. As a result, it has been found that the resistance heating element or the conductor layer can be trimmed almost as set, and the present invention has been completed.

【0014】すなわち、第一の本発明のセラミックヒー
タの製造方法は、セラミック基板の表面に所定パターン
の抵抗発熱体を形成した後、上記抵抗発熱体にレーザ光
を照射して2以上の溝を形成し、上記抵抗発熱体の抵抗
値を調整するセラミックヒータの製造方法であって、上
記溝を形成する方法は、抵抗発熱体の上面に電流の流れ
る方向に沿って溝を形成し、ついで、該溝に隣接するよ
うにレーザ光を照射して、2番目以降に溝を形成する
際、最初に形成した溝を挟んで、順次、反対側になるよ
うに溝を形成していくことを特徴とするものである。す
なわち、最初の溝を形成した後、第2の溝を最初の溝に
隣接して形成し、さらに第3の溝を、最初に形成した溝
を挟んだ反対側であって、形成された溝に隣接する位置
に形成し、さらに第4の溝を、最初に形成した溝を挟ん
だ反対側であって、すでに形成された第2の溝に隣接し
て形成し、さらにこの工程を続け、第n番目の溝を形成
し、次に第n+1番目の溝を形成する際には、最初に形
成した溝を挟んだ反対側であって、第n−1番目の溝に
隣接する位置になるように順次レーザ光を照射して溝を
形成し、トリミング幅を次第に大きくするのである(図
3(d)参照)。
That is, in the first method of manufacturing a ceramic heater according to the present invention, after forming a predetermined pattern of a resistance heating element on the surface of a ceramic substrate, the resistance heating element is irradiated with laser light to form two or more grooves. A method for manufacturing a ceramic heater for forming and adjusting a resistance value of the resistance heating element, wherein the method of forming the groove includes forming a groove on an upper surface of the resistance heating element along a direction in which a current flows, When forming a second or subsequent groove by irradiating a laser beam so as to be adjacent to the groove, the groove is sequentially formed on the opposite side with the first formed groove interposed therebetween. It is assumed that. That is, after forming the first groove, the second groove is formed adjacent to the first groove, and the third groove is formed on the opposite side of the first formed groove, and , And a fourth groove is formed on the opposite side of the first formed groove and adjacent to the already formed second groove, and the process is further continued. When forming the n-th groove and then forming the (n + 1) -th groove, it is on the opposite side of the first formed groove and adjacent to the (n-1) -th groove As described above, the grooves are formed by sequentially irradiating the laser beam, and the trimming width is gradually increased (see FIG. 3D).

【0015】また、第二の本発明のセラミックヒータの
製造方法は、セラミック基板表面の所定領域に帯状また
は円環状の導体層を形成した後、レーザ光を照射して上
記導体層に溝を形成し、その一部を除去することにより
所定パターンの抵抗発熱体を形成するセラミックヒータ
の製造方法であって、上記溝を形成する方法は、導体層
の除去領域の中央領域にレーザ光照射し、除去溝を形成
した後、その除去溝と隣接する第2の除去溝を形成し、
順次、反対側になるように溝を形成していくことを特徴
とするものである。すなわち、除去しようとする導体層
の概ね中央領域にレーザ等を照射して、除去溝を形成し
た後、第2の除去溝を最初の除去溝に隣接して形成し、
さらに第3の除去溝を、最初に形成した除去溝を挟んだ
反対側であって、形成された除去溝に隣接する位置に形
成し、さらに第4の除去溝を最初に形成した除去溝を挟
んだ反対側であって、すでに形成された第2の除去溝に
隣接して形成し、さらにこの工程を続け、第n番目の除
去溝を形成し、さらに第n+1番目の除去溝を形成する
際には、最初に形成した除去溝を挟んだ反対側であっ
て、第n−1番目の除去溝に隣接する位置になるように
順次レーザ光を照射して除去溝を形成し、トリミング幅
を次第に大きくして、導体層を除去するのである。
According to a second method of manufacturing a ceramic heater according to the present invention, a band-shaped or annular conductor layer is formed in a predetermined region of a ceramic substrate surface, and then a groove is formed in the conductor layer by irradiating a laser beam. A method of manufacturing a ceramic heater for forming a resistance heating element having a predetermined pattern by removing a part thereof, wherein the method of forming the groove includes irradiating a central region of a removed region of the conductor layer with laser light, After forming the removal groove, forming a second removal groove adjacent to the removal groove,
It is characterized in that grooves are sequentially formed on the opposite side. That is, a laser or the like is applied to a substantially central region of the conductor layer to be removed to form a removal groove, and then a second removal groove is formed adjacent to the first removal groove,
Further, a third removal groove is formed on the opposite side of the firstly formed removal groove, at a position adjacent to the formed removal groove, and the fourth removal groove is first formed with the removal groove. On the opposite side of the sandwich, it is formed adjacent to the already formed second removal groove, and this step is further continued to form the nth removal groove, and further to form the (n + 1) th removal groove. In this case, the laser light is sequentially irradiated so as to be on the opposite side of the first formed groove and adjacent to the (n-1) th removed groove to form the removed groove, and the trimming width is set. Is gradually increased to remove the conductor layer.

【0016】第一および第二の本発明では、上記のよう
に2番目以降に溝を形成する際、最初に形成した溝を挟
んで、順次、反対側になるように溝を形成していくた
め、レーザ光の照射位置や抵抗発熱体パターンの位置に
位置ずれがあった場合であっても、溝の一方の側に、順
次、溝を形成して溝を拡張する従来の方法と比較して、
溝の位置が大きくずれにくく、その結果、断線等が生じ
にくい。
According to the first and second aspects of the present invention, when the second and subsequent grooves are formed as described above, the grooves are sequentially formed on the opposite sides of the first formed groove. Therefore, even if there is a misalignment in the irradiation position of the laser beam or the position of the resistive heating element pattern, a groove is sequentially formed on one side of the groove, and compared with the conventional method of expanding the groove. hand,
The position of the groove is unlikely to shift significantly, and as a result, disconnection and the like are unlikely to occur.

【0017】また、第一の本発明のセラミックヒータの
製造方法によれば、レーザ光を用いて抵抗値を調整する
ため、比較的短時間で精密に抵抗値を調整することがで
き、これにより、半導体ウエハ等を加熱する面(以下、
加熱面という)の温度を均一にすることができ、半導体
ウエハ等の被加熱物を均一な温度で加熱することができ
る。
According to the first method for manufacturing a ceramic heater of the present invention, the resistance value is adjusted using a laser beam, so that the resistance value can be adjusted precisely in a relatively short time. , The surface that heats the semiconductor wafer, etc.
(Referred to as a heating surface) can be made uniform, and an object to be heated such as a semiconductor wafer can be heated at a uniform temperature.

【0018】また、第二の本発明のセラミックヒータの
製造方法によれば、比較的短時間で容易に、抵抗発熱体
パターンを形成することが可能となり、製造コストを抑
えることができるとともに、複雑で精密なパターンを形
成することが可能となる。従って、このような発熱体パ
ターンを有するセラミックヒータは、比較的安価なもの
になるとともに、複雑かつ精密なパターンを有し、加熱
面の温度を精度良く均一にすることができる。
Further, according to the second method of manufacturing a ceramic heater of the present invention, it is possible to easily form a resistive heating element pattern in a relatively short time, thereby reducing the manufacturing cost and increasing complexity. Thus, a precise pattern can be formed. Therefore, the ceramic heater having such a heating element pattern is relatively inexpensive, has a complicated and precise pattern, and can make the temperature of the heating surface uniform with high accuracy.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下、実施の形態に則して説明す
る。第一の本発明では、所定パターンに形成された抵抗
発熱体にトリミングを施すことにより抵抗発熱体の抵抗
値を調整し、また、第二の本発明では、レーザ光を照射
して上記導体層の一部を除去することにより、抵抗発熱
体パターンを形成する点で異なる。しかしながら、セラ
ミック基板の特定領域にレーザ光を照射し、照射した部
分の導体層(抵抗発熱体)を除去する点で、両発明は共
通しており、同じレーザトリミング装置を使用すること
ができる。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, description will be made in accordance with embodiments. In the first aspect of the present invention, the resistance value of the resistance heating element is adjusted by trimming the resistance heating element formed in a predetermined pattern. In that a resistive heating element pattern is formed by removing a part of the pattern. However, both inventions are common in that a specific region of the ceramic substrate is irradiated with laser light and the irradiated portion of the conductor layer (resistance heating element) is removed, and the same laser trimming device can be used.

【0020】従って、以下において、別々に説明する必
要がある場合を除いて、上記した二つの発明を並行して
説明していくことにし、特に、二つの発明を区別する必
要がない場合には、単に本発明ということにする。
Therefore, in the following, the two inventions will be described in parallel except for the case where they need to be described separately. In particular, when it is not necessary to distinguish between the two inventions, , Simply referred to as the present invention.

【0021】まず、本発明に係るセラミックヒータの製
造方法において、レーザトリミングを行う際に用いられ
るトリミング装置について説明し、続いて、この装置を
用いたレーザトリミングについて説明する。
First, in the method of manufacturing a ceramic heater according to the present invention, a trimming apparatus used for performing laser trimming will be described, and then laser trimming using this apparatus will be described.

【0022】図1は、本発明のセラミックヒータの製造
に用いるレーザトリミング装置の概要を示すブロック図
である。レーザトリミングを行う際には、図1に示した
ように、形成する抵抗発熱体の回路を含むように、所定
幅の同心円形状(円環形状)に導体層12mが形成され
ているか、または、所定パターンの抵抗発熱体が形成さ
れたセラミック基板11をステージ10c上に固定す
る。
FIG. 1 is a block diagram showing an outline of a laser trimming apparatus used for manufacturing the ceramic heater of the present invention. When performing laser trimming, as shown in FIG. 1, the conductor layer 12m is formed in a concentric shape (annular shape) having a predetermined width so as to include the circuit of the resistance heating element to be formed, or The ceramic substrate 11 on which a resistance heating element of a predetermined pattern is formed is fixed on the stage 10c.

【0023】このステージ10cには、モータ等(図示
せず)が設けられているとともに、このモータ等は制御
部17に接続されており、制御部17からの信号でモー
タ等を駆動させることにより、ステージ10cをθ方向
(セラミック基板の回転方向)およびx−y方向に自由
に移動させることができるようになっている。
The stage 10c is provided with a motor and the like (not shown). The motor and the like are connected to the control unit 17, and the motor and the like are driven by a signal from the control unit 17. , The stage 10c can be freely moved in the θ direction (the rotation direction of the ceramic substrate) and the xy direction.

【0024】一方、このステージ10cの上方には、ガ
ルバノミラー15が設けられているが、このガルバノミ
ラー15は、モータ16によりx方向に自由に角度を変
更することができるようになっており、同じくステージ
10cの上方に配置されたレーザ照射装置14から照射
されたレーザ光22が、このガルバノミラー15に当た
って反射し、セラミック基板11を照射するように構成
されている。
On the other hand, a galvanometer mirror 15 is provided above the stage 10c, and the angle of the galvanometer mirror 15 can be freely changed in the x direction by a motor 16. The laser beam 22 emitted from the laser irradiation device 14 similarly arranged above the stage 10c is configured to irradiate the galvanomirror 15 to be reflected and irradiate the ceramic substrate 11.

【0025】また、モータ16およびレーザ照射装置1
4は、制御部17に接続されており、制御部17からの
信号でモータ16、レーザ照射装置14を駆動させるこ
とにより、ガルバノミラーをx方向を軸として所定の角
度回転させる。また、制御部17からの信号でステージ
10cに設けられたモータ(図示せず)を駆動させるこ
とにより、テーブルをθ方向へ回転させる。ガルバノミ
ラーのx方向を軸とした回転、および、テーブルのθ方
向についての回転により、セラミック基板11上の照射
位置を自由に設定することができるようになっている。
なお、テーブルは、θ方向についての回転だけではな
く、x−y方向への移動も可能である。
The motor 16 and the laser irradiation device 1
Reference numeral 4 is connected to the control unit 17, and drives the motor 16 and the laser irradiation device 14 by a signal from the control unit 17, thereby rotating the galvanometer mirror by a predetermined angle around the x direction. The table is rotated in the θ direction by driving a motor (not shown) provided on the stage 10 c by a signal from the control unit 17. The irradiation position on the ceramic substrate 11 can be freely set by rotation of the galvanometer mirror around the x direction and rotation of the table in the θ direction.
The table can be moved not only in the θ direction but also in the xy directions.

【0026】このように、セラミック基板11を載置し
たステージ10cおよび/またはガルバノミラー15を
動かすことにより、セラミック基板11上の任意の位置
にレーザ光22を照射することができる。
As described above, by moving the stage 10c on which the ceramic substrate 11 is mounted and / or the galvanomirror 15, it is possible to irradiate the laser light 22 to an arbitrary position on the ceramic substrate 11.

【0027】一方、ステージ10cの上方には、カメラ
21も設置されており、これにより、セラミック基板1
1の位置(x、y)を認識することができるようになっ
ている。このカメラ21は、記憶部18に接続され、こ
れによりセラミック基板11の導体層12mの位置
(x、y)等を認識し、その位置にレーザ光22を照射
する。
On the other hand, above the stage 10c, a camera 21 is also provided, whereby the ceramic substrate 1
1 (x, y) can be recognized. The camera 21 is connected to the storage unit 18, thereby recognizing the position (x, y) of the conductor layer 12 m of the ceramic substrate 11 and irradiating the position with the laser beam 22.

【0028】また、入力部20は、記憶部18に接続さ
れるとともに、端末としてキーボード等(図示せず)を
有しており、記憶部18やキーボード等を介して、所定
の指示等が入力されるようになっている。
The input unit 20 is connected to the storage unit 18 and has a keyboard or the like (not shown) as a terminal. A predetermined instruction or the like is input through the storage unit 18 or the keyboard. It is supposed to be.

【0029】さらに、このレーザトリミング装置は、演
算部19を備えており、カメラ21により認識されたセ
ラミック基板11の位置や導体層や抵抗発熱体の厚さ等
のデータに基づいて、レーザ光22の照射位置、照射速
度、レーザ光の強度等を制御するための演算を行い、こ
の演算結果に基づいて制御部17からモータ16、レー
ザ照射装置14等に指示を出し、ガルバノミラー15を
回転させるか、または、ステージ10cを移動または回
転させながらレーザ光22を照射し、導体層12mの不
要部分のトリミング等を行う。
Further, the laser trimming device includes an arithmetic unit 19, and based on data such as the position of the ceramic substrate 11 and the thickness of the conductor layer and the resistance heating element recognized by the camera 21, the laser beam 22 is output. For controlling the irradiation position, irradiation speed, laser light intensity, etc. of the laser beam, and issues an instruction from the control unit 17 to the motor 16, the laser irradiation device 14, etc. based on the calculation result, and rotates the galvanomirror 15. Alternatively, the laser beam 22 is irradiated while moving or rotating the stage 10c to trim unnecessary portions of the conductor layer 12m.

【0030】また、このレーザトリミング装置は、抵抗
測定部23を有している。抵抗測定部23は、複数のテ
スタピン24を備えており、抵抗発熱体を複数の区画に
区分し、各区画毎にテスタピン24を接触させて、形成
された抵抗発熱体パターンの抵抗値を測定する。そし
て、測定された抵抗値に基づき、抵抗値が低い区画にレ
ーザを照射し、抵抗発熱体の電流が流れる方向に概ね平
行に溝(図2参照)を形成するか、電流が流れる方向に
沿って切欠を形成することにより、その抵抗値を調整
し、抵抗値のばらつきが少ない抵抗発熱体とする。
The laser trimming device has a resistance measuring unit 23. The resistance measurement unit 23 includes a plurality of tester pins 24, divides the resistance heating element into a plurality of sections, and contacts the tester pins 24 for each section to measure the resistance value of the formed resistance heating element pattern. . Then, based on the measured resistance value, a laser is irradiated to a section having a low resistance value to form a groove (see FIG. 2) substantially parallel to the direction in which the current of the resistance heating element flows, or to form a groove By forming the notch, the resistance value is adjusted, and a resistance heating element with less variation in resistance value is obtained.

【0031】次に、このようなレーザトリミング装置を
用いたトリミング方法について具体的に説明する。ここ
では、帯状または円環状の導体層が形成されたセラミッ
ク基板の不要部分を除去することにより、抵抗発熱体を
形成する方法について先に説明し、抵抗発熱体の抵抗値
を調整する方法については、後で説明する。また、本発
明のセラミックヒータの製造方法におけるレーザトリミ
ング工程以外の工程については、後ほど詳しく説明する
ので、ここでは簡単に説明する。
Next, a trimming method using such a laser trimming device will be specifically described. Here, a method of forming a resistance heating element by removing unnecessary portions of a ceramic substrate on which a strip-shaped or annular conductor layer is formed will be described first, and a method of adjusting a resistance value of the resistance heating element will be described. Will be described later. The steps other than the laser trimming step in the method for manufacturing a ceramic heater according to the present invention will be described in detail later, and will be briefly described here.

【0032】最初に、セラミック基板の製造を行うが、
まず、セラミック粉末と樹脂とからなる生成形体を作製
する。この生成形体の作製方法としては、セラミック粉
末と樹脂とを含む顆粒を製造した後、これを金型等に投
入してプレス圧をかけることにより作製する方法と、グ
リーンシートを積層圧着することにより作製する方法と
があり、内部に静電電極等の他の導体層を形成するか否
か等により、より適切な方法を選択する。この後、生成
形体の脱脂、焼成を行うことにより、セラミック基板を
製造する。この後、セラミック基板にリフターピンを挿
通するための貫通孔の形成、測温素子を埋設するための
有底孔の形成等を行う。
First, a ceramic substrate is manufactured.
First, a formed body made of a ceramic powder and a resin is prepared. As a method of producing the formed body, a method of producing granules containing a ceramic powder and a resin, then putting the granules in a mold or the like and applying a press pressure, and a method of laminating and pressing green sheets are used. There is a manufacturing method, and a more appropriate method is selected depending on whether or not another conductive layer such as an electrostatic electrode is formed inside. Thereafter, the formed substrate is degreased and fired to produce a ceramic substrate. Thereafter, a through hole for inserting a lifter pin into the ceramic substrate, a bottomed hole for burying a temperature measuring element, and the like are formed.

【0033】次に、このセラミック基板11上の抵抗発
熱体となる部分を含む広い領域に、スクリーン印刷等に
より図1に示した形状の導体ペースト層を形成し、この
後焼成を行なうことにより導体層12mとする。めっき
法やスパッタリング等の物理蒸着法を用いて導体層を形
成してもよい。めっきの場合には、めっきレジストを形
成することにより、スパッタリング等の場合には、選択
的なエッチングを行うことにより、所定領域に導体層1
2mを形成することができる。また、導体層は、上述し
たようにその一部が抵抗発熱体パターンとして形成され
ていてもよい。
Next, a conductor paste layer having the shape shown in FIG. 1 is formed by screen printing or the like on a wide area including a portion serving as a resistance heating element on the ceramic substrate 11, and thereafter, the conductor paste is fired. Layer 12m. The conductor layer may be formed using a physical vapor deposition method such as a plating method or a sputtering method. In the case of plating, a plating resist is formed, and in the case of sputtering or the like, selective etching is performed to form a conductive layer 1 in a predetermined region.
2 m can be formed. Further, a part of the conductor layer may be formed as a resistance heating element pattern as described above.

【0034】この導体層を形成する際、上記導体層の面
粗度Raは、0.01μm以上であることが望ましい。
抵抗発熱体表面におけるレーザ光の反射を防止し、設定
通りの幅および長さの溝を形成するためである。
In forming this conductor layer, the surface roughness Ra of the conductor layer is preferably at least 0.01 μm.
This is to prevent the reflection of the laser beam on the surface of the resistance heating element and to form a groove having a width and length as set.

【0035】次に、図1に示すように、ステージ10c
に形成されたセラミック基板11の側面と接触する固定
用突起10bとリフターピンを挿入する貫通孔に嵌合す
る嵌合用突起(図示せず)とを用いて、セラミック基板
11をステージ10c上に固定する。
Next, as shown in FIG.
The ceramic substrate 11 is fixed on the stage 10c by using the fixing protrusions 10b formed in contact with the side surfaces of the ceramic substrate 11 and the fitting protrusions (not shown) fitted in the through holes into which the lifter pins are inserted. I do.

【0036】また、予め抵抗発熱体パターンのデータを
入力部20から入力し、記憶部18に格納する。すなわ
ち、トリミングにより形成しようとする抵抗発熱体パタ
ーンのデータを記憶しておくのである。抵抗発熱体パタ
ーンデータとは、面状(いわゆるベタ状または円環状)
に印刷された導体層をトリミングして抵抗発熱体パター
ンを形成するために使用されるデータである。
The data of the resistance heating element pattern is input from the input unit 20 in advance and stored in the storage unit 18. That is, the data of the resistive heating element pattern to be formed by trimming is stored. The resistance heating element pattern data is planar (so-called solid or annular)
Is used to form a resistance heating element pattern by trimming the printed conductor layer.

【0037】次に、固定されたセラミック基板11をカ
メラ21で撮影することにより、導体層12mの形成位
置が記憶部18に記憶される。この導体層の位置のデー
タに基づいて、演算部19で演算が行われ、その結果が
制御データとして記憶部18に記憶される。
Next, the position of the conductor layer 12m is stored in the storage unit 18 by photographing the fixed ceramic substrate 11 with the camera 21. An operation is performed in the operation unit 19 based on the data on the position of the conductor layer, and the result is stored in the storage unit 18 as control data.

【0038】そして、この演算結果に基づいて、制御部
17から制御信号を発生させ、ガルバノミラー15のモ
ータ16、および/または、ステージ10cのモータを
駆動させながら、レーザ光を照射することにより、導体
層12mの不必要な部分をトリミングし、抵抗発熱体1
2を形成する。
Then, a control signal is generated from the control unit 17 based on the calculation result, and a laser beam is emitted while driving the motor 16 of the galvanomirror 15 and / or the motor of the stage 10c. An unnecessary portion of the conductor layer 12m is trimmed, and the resistance heating element 1
Form 2

【0039】図3(a)〜(d)は、本発明のトリミン
グによる溝の形成方法を模式的に示した平面図である。
導体層12mの不必要な部分をトリミングする際、ま
ず、図3(a)に示すように、導体層12mに最初の溝
130aを形成する。次に、最初に形成した溝130a
のいずれかの側(図3(b)では、右側)に、この溝1
30aに近接する溝130bを並行して形成する。次
に、最初に形成した溝130aを挟み、前回に溝130
bを形成した側とは反対側(図3(c)では、左側)
に、溝130aに近接する溝130cを並行して形成す
る。この後、第n番目の溝を形成し、次に第n+1番目
の溝を形成する際には、最初に形成した溝を挟んだ反対
側であって、第n−1番目の溝に隣接する位置になるよ
うに順次レーザを照射して溝を形成し、トリミング幅を
次第に大きくするのである(図3(d)参照)。
FIGS. 3A to 3D are plan views schematically showing a method of forming a groove by trimming according to the present invention.
When trimming unnecessary portions of the conductor layer 12m, first, as shown in FIG. 3A, the first groove 130a is formed in the conductor layer 12m. Next, the first formed groove 130a
The groove 1 is located on either side (right side in FIG. 3B).
A groove 130b adjacent to 30a is formed in parallel. Next, the first formed groove 130a is sandwiched, and
The side opposite to the side where b was formed (left side in FIG. 3 (c))
Next, a groove 130c adjacent to the groove 130a is formed in parallel. Thereafter, when forming the n-th groove and then forming the (n + 1) -th groove, the n-th groove is on the opposite side of the first formed groove and adjacent to the (n-1) -th groove. The grooves are formed by sequentially irradiating the laser so as to reach the positions, and the trimming width is gradually increased (see FIG. 3D).

【0040】このような方法で溝を形成することによ
り、レーザ光の照射位置や抵抗発熱体パターンの位置に
位置ずれがあった場合であっても、溝の位置が大きくず
れにくく、その結果、目的としたパターンの抵抗発熱体
を形成することができる。また、トリミングにより、抵
抗発熱体の抵抗値を調整する場合においても、断線等が
生じにくい。なお、1本のレーザ光により形成される溝
の幅は、50〜500μmが望ましく、100〜150
μmが最適である。50μm未満では、レーザ照射回数
が増えてしまい、500μmを超えるようなレーザで
は、セラミック基板にダメージを与えるからである。ま
た、溝の数は1〜10本が望ましく、2〜3本が最適で
ある。
By forming the groove by such a method, the position of the groove is unlikely to be largely deviated even when the irradiation position of the laser beam or the position of the resistance heating element pattern is deviated. A resistance heating element having a desired pattern can be formed. Further, even when the resistance value of the resistance heating element is adjusted by trimming, disconnection or the like is unlikely to occur. The width of the groove formed by one laser beam is preferably 50 to 500 μm, and 100 to 150 μm.
μm is optimal. If it is less than 50 μm, the number of laser irradiations increases, and if the laser exceeds 500 μm, the ceramic substrate is damaged. Further, the number of grooves is desirably from 1 to 10, and optimally from 2 to 3.

【0041】図4(a)〜(c)は、従来の溝の形成方
法を示す平面図であるが、図4(a)〜(c)に示すよ
うに、最初に形成した溝131aの一方の側(図4
(a)〜(c)では、右側)のみに、溝131b、13
1c、・・・・131nを形成すると、レーザ光の照射
位置や抵抗発熱体パターンの位置に位置ずれがあった場
合に、そのずれが大きくなってしまうため、目的とする
パターンと異なるパターンの抵抗発熱体が形成されてし
まう。また、トリミングにより、抵抗発熱体の抵抗値を
調整する場合においても、断線等が発生しやすくなる。
FIGS. 4A to 4C are plan views showing a conventional method for forming a groove. As shown in FIGS. 4A to 4C, one of the grooves 131a formed first is formed. Side (Fig. 4
In (a) to (c), only the grooves 131b, 13
... 131n, when there is a positional shift in the irradiation position of the laser beam or the position of the resistance heating element pattern, the shift becomes large, so that the resistance of the pattern different from the target pattern is increased. A heating element is formed. Further, even when the resistance value of the resistance heating element is adjusted by trimming, disconnection or the like is likely to occur.

【0042】このようにして導体層等の不要部分を除去
する際に、レーザ光照射により導体層等のトリミングす
べき部分はトリミングするものの、その下に存在するセ
ラミック基板には、レーザ光照射により大きな影響を与
えないことが重要になる。
When an unnecessary portion such as the conductor layer is removed in this manner, the portion to be trimmed such as the conductor layer is trimmed by the laser beam irradiation, but the ceramic substrate thereunder is trimmed by the laser beam irradiation. It is important not to have a significant impact.

【0043】従って、レーザ光は、導体層等を構成する
金属粒子等には良好に吸収され、一方、セラミック基板
に吸収されにくいものを選定する必要がある。このよう
なレーザの種類としては、例えば、YAGレーザ、炭酸
ガスレーザ、エキシマ(KrF)レーザ、UV(紫外
線)レーザ等が挙げられる。これらのなかでは、YAG
レーザ、エキシマ(KrF)レーザが最適である。
Therefore, it is necessary to select a laser beam which is well absorbed by metal particles and the like constituting the conductor layer and the like, but is hardly absorbed by the ceramic substrate. Examples of such a type of laser include a YAG laser, a carbon dioxide laser, an excimer (KrF) laser, a UV (ultraviolet) laser, and the like. Among them, YAG
Lasers and excimer (KrF) lasers are most suitable.

【0044】YAGレーザとしては、日本電気社製のS
L432H、SL436G、SL432GT、SL41
1Bなどを採用することができる。レーザとしては、2
kHz以下の周波数のパルス光を用いることが望まし
く、1kHz以下の2kHz以下の周波数のパルス光を
用いることがより望ましい。極めて短い時間に大きなエ
ネルギーを抵抗発熱体に照射することができ、セラミッ
ク基板に対するダメージを小さくすることができるから
である。また、ファーストパルスのエネルギーが大きく
ならず、設定通りの幅の溝を形成することができる。レ
ーザ光のパルスの周波数が2kHzを超えると、ファー
ストパルスのエネルギーが大きくなりすぎ、設定よりも
幅の広い溝が形成されるため、設定通りの形状の抵抗発
熱体を形成することができない。
As the YAG laser, an SAG manufactured by NEC Corporation is used.
L432H, SL436G, SL432GT, SL41
1B can be adopted. As a laser, 2
Preferably, pulsed light having a frequency of 1 kHz or less is used, and more preferably, pulsed light having a frequency of 1 kHz or less and 2 kHz or less is used. This is because large energy can be applied to the resistance heating element in an extremely short time, and damage to the ceramic substrate can be reduced. In addition, the energy of the first pulse is not increased, and a groove having the set width can be formed. If the frequency of the pulse of the laser light exceeds 2 kHz, the energy of the first pulse becomes too large, and a groove wider than the setting is formed, so that a resistive heating element having the set shape cannot be formed.

【0045】また、加工スピードは、100mm/秒以
下が望ましい。100mm/秒を超えると、周波数を高
くしないかぎり、溝を形成することができないからであ
る。前述のように、周波数は2kHz以下を上限とする
ため、100mm/秒以下が望ましい。
The processing speed is desirably 100 mm / sec or less. If the speed exceeds 100 mm / sec, grooves cannot be formed unless the frequency is increased. As described above, since the upper limit of the frequency is 2 kHz or less, the frequency is preferably 100 mm / sec or less.

【0046】なお、レーザの出力は0.3W以上が望ま
しい。0.3W未満であれば、抵抗発熱体のパターンを
形成するために除去すべき導体層を完全にトリミングで
きない可能性があるからである。特に抵抗発熱体が金属
粒子の焼結体の場合は、0.3W以上の出力でトリミン
グすることで、セラミック基板まで到達するトリミング
が実現でき、導体層を完全に除去することができる。
The output of the laser is desirably 0.3 W or more. If it is less than 0.3 W, the conductor layer to be removed to form the pattern of the resistance heating element may not be completely trimmed. In particular, when the resistance heating element is a sintered body of metal particles, by performing trimming with an output of 0.3 W or more, trimming reaching the ceramic substrate can be realized, and the conductor layer can be completely removed.

【0047】トリミングは、導体ペースト層に施しても
よいが、上述したように、抵抗発熱体ペーストを印刷し
た後焼成して導体層を形成し、その後に実施することが
望ましい。焼成により抵抗値が変動したり、ペーストが
レーザ光の照射に起因して剥離することがあるからであ
る。本発明は、導体ペーストを円環状(いわゆるベタ
状)に形成し、トリミングによりパターン化する方法で
あるので、均一な厚さの発熱体パターンを得ることがで
きる。最初から発熱体パターン状に印刷しようとする
と、印刷方向により厚さのばらつきが発生するため、均
一な厚さの抵抗発熱体を形成することが困難になる。
The trimming may be performed on the conductor paste layer. However, as described above, it is preferable that the resistance heating element paste is printed and then fired to form the conductor layer, and then the trimming is performed. This is because the resistance value may fluctuate due to firing, or the paste may be peeled off due to irradiation with laser light. The present invention is a method in which a conductor paste is formed in an annular shape (so-called solid shape) and patterned by trimming, so that a heating element pattern having a uniform thickness can be obtained. If it is attempted to print the heating element pattern from the beginning, the thickness will vary depending on the printing direction, making it difficult to form a resistance heating element having a uniform thickness.

【0048】上記説明では、レーザ光の照射により抵抗
発熱体を形成する方法について説明したが、セラミック
基板上に所定パターンの抵抗発熱体を形成した後、トリ
ミングにより抵抗発熱体の抵抗値を調整する場合には、
図3に示した本発明のトリミング方法を用い、図2に示
したように、抵抗発熱体12の電流が流れる方向に概ね
平行に溝130を形成し、これにより抵抗発熱体の抵抗
値を調整する。抵抗発熱体の電流が流れる方向に、ほぼ
垂直に切欠を形成して抵抗を調整する方法は、発熱体を
断線させるおそれがあるため好ましくない。この場合に
は、上述したように、テスターピン24を用い、形成さ
れた抵抗発熱体を多数の区画に分割してその抵抗値を測
定し、トリミングによりその抵抗値を調整する。
In the above description, a method of forming a resistance heating element by irradiating a laser beam has been described. After a resistance heating element having a predetermined pattern is formed on a ceramic substrate, the resistance value of the resistance heating element is adjusted by trimming. in case of,
Using the trimming method of the present invention shown in FIG. 3, a groove 130 is formed substantially parallel to the direction in which the current of the resistance heating element 12 flows as shown in FIG. 2, thereby adjusting the resistance value of the resistance heating element. I do. A method of forming a notch substantially perpendicularly to the direction in which the current of the resistance heating element flows to adjust the resistance is not preferable because the heating element may be disconnected. In this case, as described above, the formed resistance heating element is divided into a number of sections using the tester pins 24, the resistance value is measured, and the resistance value is adjusted by trimming.

【0049】このようなレーザトリミングにより形成さ
れる抵抗発熱体のパターンは、特に限定されるものでは
ないが、例えば、以下に示すような抵抗発熱体パターン
が形成されたセラミックヒータが挙げられる。
The pattern of the resistance heating element formed by such laser trimming is not particularly limited. For example, a ceramic heater having a resistance heating element pattern as shown below is formed.

【0050】図5は、第一の本発明のセラミックヒータ
の製造方法により製造されたセラミックヒータを模式的
に示す底面図であり、図6は、その部分拡大断面図であ
る。なお、図6に示した抵抗発熱体12a〜12gに
は、トリミングにより形成された溝は示していない。
FIG. 5 is a bottom view schematically showing a ceramic heater manufactured by the first method of manufacturing a ceramic heater according to the present invention, and FIG. 6 is a partially enlarged sectional view thereof. The grooves formed by trimming are not shown in the resistance heating elements 12a to 12g shown in FIG.

【0051】このセラミックヒータ10は、円板状に形
成されたセラミック基板11の加熱面11aの反対側で
ある底面11bに、抵抗発熱体12(12a〜12g)
が形成されている。
The ceramic heater 10 has a resistance heating element 12 (12a to 12g) on a bottom surface 11b opposite to a heating surface 11a of a disk-shaped ceramic substrate 11.
Are formed.

【0052】この抵抗発熱体12は、加熱面11aの全
体の温度が均一になるように加熱するため、同心円の一
部を描くように繰り返して形成された円弧および同心円
を基本として構成されるパターンにより形成されてい
る。
Since the resistance heating element 12 is heated so that the entire temperature of the heating surface 11a becomes uniform, a pattern composed of arcs and concentric circles formed repeatedly so as to draw a part of concentric circles is used. Is formed.

【0053】すなわち、最も外周に近い抵抗発熱体12
a〜12dは、同心円を4分割した円弧状のパターンが
繰り返して形成され、隣り合う円弧の端部は、屈曲線に
より接続され一連の回路を構成している。そして、この
ようなパターンの抵抗発熱体12a〜12dからなる4
つの回路が、外周を取り囲むように近接して形成され、
全体的に円環状のパターンを構成している。
That is, the resistance heating element 12 closest to the outer periphery
In a to 12d, an arc-shaped pattern obtained by dividing a concentric circle into four parts is repeatedly formed, and ends of adjacent arcs are connected by bending lines to form a series of circuits. Then, the 4 comprising the resistance heating elements 12a to 12d having such a pattern.
Two circuits are formed close to each other around the outer circumference,
An overall annular pattern is formed.

【0054】また、この抵抗発熱体12a〜12dから
なる回路の端部は、クーリングスポット等の発生を防止
するために、円環状パターンの内側に形成されており、
そのため、外側の回路の端部は内側の方に向かって延設
されている。
The ends of the circuit composed of the resistance heating elements 12a to 12d are formed inside an annular pattern to prevent the occurrence of cooling spots and the like.
Therefore, the end of the outer circuit is extended toward the inner side.

【0055】外周に形成された抵抗発熱体12a〜12
dの内側には、そのごく一部が切断された同心円パター
ンの回路からなる抵抗発熱体12e、12f、12gが
形成されており、この抵抗発熱体12e、12f、12
gでは、隣り合う同心円の端部が、順次直線からなる抵
抗発熱体で接続されることにより一連の回路が構成され
ている。
Resistance heating elements 12a-12 formed on the outer periphery
On the inner side of d, resistance heating elements 12e, 12f, and 12g, each of which is formed of a circuit of a concentric pattern with a very small part thereof cut off, are formed, and these resistance heating elements 12e, 12f, and 12g are formed.
In g, a series of circuits is configured by connecting the ends of adjacent concentric circles sequentially with a resistance heating element formed of a straight line.

【0056】また、それぞれの抵抗発熱体12a〜12
d、12e、12f、12gの間には、帯状(円環状)
の発熱体非形成領域が設けられており、中心部分にも、
円形の発熱体非形成領域が設けられている。
The resistance heating elements 12a to 12a
Between d, 12e, 12f and 12g, belt-like (annular)
Heating element non-forming area is provided, and also in the center part,
A circular heating element non-formation area is provided.

【0057】従って、全体的に見ると、円環状の抵抗発
熱体形成領域と発熱体非形成領域とが、外側から内側に
交互に形成されており、これらの領域をセラミック基板
の大きさ(口径)や厚さ等を考慮して、適当に設定する
ことにより、加熱面の温度を均一にすることができるよ
うになっている。
Therefore, as a whole, the annular resistance heating element forming area and the heating element non-forming area are alternately formed from the outside to the inside, and these areas are formed by the size (diameter) of the ceramic substrate. ), Thickness, etc., the temperature can be made uniform by setting the temperature appropriately.

【0058】また、抵抗発熱体12a〜12gは、トリ
ミング処理された後、図6に示すように、腐食等を防止
するために、金属被覆層120が形成されており、その
端部には、半田層120を介して外部端子33が接続さ
れている。
After the resistance heating elements 12a to 12g are trimmed, as shown in FIG. 6, a metal coating layer 120 is formed to prevent corrosion and the like. The external terminal 33 is connected via the solder layer 120.

【0059】このセラミック基板11には、発熱体非形
成領域となる位置に3個の貫通孔35が設けられてお
り、シリコンウエハ39等の被加熱物をセラミック基板
11の加熱面11aに接触させた状態で載置して加熱す
るほか、図6に示すように、これらの貫通孔35にリフ
ターピン36を挿通し、リフターピン36でシリコンウ
エハ39等の被加熱物を保持することにより、セラミッ
ク基板11より一定の距離離間させた状態で被加熱物を
加熱することができるようになっている。
The ceramic substrate 11 is provided with three through holes 35 at positions where no heating element is to be formed. An object to be heated such as a silicon wafer 39 is brought into contact with the heating surface 11 a of the ceramic substrate 11. In addition to being placed and heated in a state in which it is heated, as shown in FIG. 6, a lifter pin 36 is inserted through these through-holes 35, and an object to be heated such as a silicon wafer 39 is held by the lifter pin 36. The object to be heated can be heated while being separated from the substrate 11 by a certain distance.

【0060】また、このリフターピン36を上下させる
ことにより、搬送機からシリコンウエハ39等の被加熱
物を受け取ったり、被加熱物をセラミック基板11上に
載置したり、被加熱物を支持したまま加熱したりするこ
とができるようになっている。セラミック基板11の加
熱面11aに凹部等を形成し、この凹部等に加熱面11
aからわずかに突出するように支持ピンを設置し、この
支持ピンでシリコンウエハ39を支持することより、シ
リコンウエハ39を加熱面から5〜5000μm離間さ
せた状態で支持し、加熱等を行ってもよい。
By moving the lifter pins 36 up and down, a heated object such as a silicon wafer 39 is received from the transfer device, the heated object is placed on the ceramic substrate 11, and the heated object is supported. It can be heated as it is. A recess or the like is formed on the heating surface 11a of the ceramic substrate 11, and the heating surface 11a is formed on the recess or the like.
A support pin is provided so as to slightly protrude from a, and by supporting the silicon wafer 39 with the support pin, the silicon wafer 39 is supported at a distance of 5 to 5000 μm from the heating surface, and heating is performed. Is also good.

【0061】セラミック基板11の底面11bの発熱体
非形成領域には、有底孔34が形成されており、この有
底孔34には、熱電対等の測温素子37が挿入され、セ
ラミック基板11の加熱面11aに近い部分の温度を測
定することができるようになっている。
A bottomed hole 34 is formed in the area of the bottom surface 11b of the ceramic substrate 11 where no heating element is formed. A temperature measuring element 37 such as a thermocouple is inserted into the bottomed hole 34, and the ceramic substrate 11 The temperature of a portion near the heating surface 11a can be measured.

【0062】上記抵抗発熱体パターンを有するセラミッ
クヒータでは、円板状のセラミック基板に、同心円の一
部を描くように繰り返して形成された円弧と屈曲線の組
み合わせで一連の回路が構成されたパターン(以下、円
弧繰り返しパターンともいう)と、一部が切断された同
心円が隣り合う端部で直線的に接続され、一連の回路が
構成されているパターン(以下、同心円状パターンとも
いう)で抵抗発熱体が構成されているため、このような
抵抗発熱体パターンの大部分は、セラミック基板の中心
からの距離rと回転角(θ1 −θ2 )とで表すことがで
きる。
In the ceramic heater having the above-described resistance heating element pattern, a pattern in which a series of circuits are formed by a combination of arcs and bent lines repeatedly formed so as to draw a part of a concentric circle on a disk-shaped ceramic substrate. (Hereinafter, also referred to as a circular arc repetition pattern), and a partially cut concentric circle is linearly connected at adjacent ends to form a series of circuits (hereinafter, also referred to as a concentric pattern). Since the heating element is configured, most of such a resistance heating element pattern can be represented by the distance r from the center of the ceramic substrate and the rotation angle (θ 1 −θ 2 ).

【0063】従って、レーザトリミングを行う際にも、
セラミック基板を中心に回転させれば、比較的容易に抵
抗発熱体の抵抗値を調整することができ、このような方
法により抵抗値が調整された抵抗発熱体を有するセラミ
ックヒータでは、加熱面の温度が均一になり、半導体ウ
エハ等の被加熱物を均一な温度で加熱することができ
る。
Therefore, when performing laser trimming,
If the ceramic heater is rotated around the center, the resistance value of the resistance heating element can be adjusted relatively easily. In a ceramic heater having a resistance heating element whose resistance value is adjusted by such a method, the heating surface can be adjusted. The temperature becomes uniform, and an object to be heated such as a semiconductor wafer can be heated at a uniform temperature.

【0064】また、第二の本発明の製造方法、すなわ
ち、円環状の導体層が形成されたセラミックヒータの導
体層をトリミングすることによっても、図5に示した発
熱体パターンを有するセラミックヒータを製造すること
ができる。以下に説明する形状の抵抗発熱体を有するセ
ラミックヒータにおいても同様である。
The ceramic heater having the heating element pattern shown in FIG. 5 can also be obtained by trimming the conductor layer of the ceramic heater on which the annular conductor layer is formed, according to the second manufacturing method of the present invention. Can be manufactured. The same applies to a ceramic heater having a resistance heating element having a shape described below.

【0065】本発明の製造方法により製造されるセラミ
ックヒータは、図5に示したパターンを有する抵抗発熱
体に限定されるものではなく、例えば、上記した円弧繰
り返しパターン、同心円状パターンや屈曲線の繰り返し
パターン等を単独を形成してもよく、これらのパターン
を任意に組み合わせてもよい。
The ceramic heater manufactured by the manufacturing method of the present invention is not limited to the resistance heating element having the pattern shown in FIG. 5, but may be, for example, the above-described arc repetition pattern, concentric pattern, or bent line. A single repetitive pattern or the like may be formed, or these patterns may be arbitrarily combined.

【0066】図7は、本発明に係る方法で製造されるセ
ラミックヒータの別の実施形態を模式的に示した平面で
ある。このセラミックヒータでは、図7に示すように、
屈曲線を主体とする、それぞれが幅広の円環状に形成さ
れている抵抗発熱体42a、42b、42cが、円環状
の発熱体非形成領域および中心部分にある発熱体非形成
領域を挟んで、全体的に放射状に形成されている。
FIG. 7 is a plan view schematically showing another embodiment of the ceramic heater manufactured by the method according to the present invention. In this ceramic heater, as shown in FIG.
The resistance heating elements 42a, 42b, and 42c, each of which is formed in a wide annular shape, mainly having a bending line, sandwich the annular heating element non-forming area and the central heating element non-forming area, It is formed radially as a whole.

【0067】なお、セラミック基板の表面に形成される
抵抗発熱体は、図5、7に示すように、少なくとも2以
上の回路に分割されていることが望ましい。回路を分割
することにより、各回路に投入する電力を制御して発熱
量を変えることができ、シリコンウエハの加熱面の温度
を調整することができるからである。
It is desirable that the resistance heating element formed on the surface of the ceramic substrate be divided into at least two or more circuits as shown in FIGS. This is because, by dividing the circuit, the amount of heat generated can be changed by controlling the power supplied to each circuit, and the temperature of the heating surface of the silicon wafer can be adjusted.

【0068】このような抵抗発熱体パターンを形成する
際、図7に示したような抵抗発熱体の配線間が広いパタ
ーンの場合には、スクリーン印刷により抵抗発熱体を容
易に形成することができるが、図5に示したようなその
間隔が狭く複雑な(混みいった)パターンを形成する場
合には、幅広い帯状の線からなる円環状の導体層を形成
しておき、レーザ光を用いて抵抗発熱体でない部分(不
要部分)をトリミングする方法が、比較的容易に抵抗発
熱体を形成することができるため有利である。
When such a resistive heating element pattern is formed, if the pattern between the wirings of the resistive heating element is wide as shown in FIG. 7, the resistive heating element can be easily formed by screen printing. However, when forming a complicated (crowded) pattern with a narrow interval as shown in FIG. 5, an annular conductor layer composed of a wide band-shaped line is formed, and a laser beam is used. A method of trimming a portion (unnecessary portion) that is not the resistance heating element is advantageous because the resistance heating element can be formed relatively easily.

【0069】セラミック基板の表面に抵抗発熱体を形成
する場合に、抵抗発熱体の厚さは、1〜30μmが好ま
しく、1〜10μmがより好ましい。また、抵抗発熱体
の幅は、0.1〜20mmが好ましく、0.1〜5mm
がより好ましい。抵抗発熱体は、その幅や厚さにより抵
抗値に変化を持たせることができるが、上記した範囲が
最も実用的である。
When the resistance heating element is formed on the surface of the ceramic substrate, the thickness of the resistance heating element is preferably 1 to 30 μm, more preferably 1 to 10 μm. Further, the width of the resistance heating element is preferably 0.1 to 20 mm, and 0.1 to 5 mm.
Is more preferred. Although the resistance value of the resistance heating element can be varied depending on its width or thickness, the above range is most practical.

【0070】抵抗発熱体は、断面形状が矩形であっても
楕円であってもよいが、偏平であることが望ましい。偏
平の方が加熱面に向かって放熱しやすいため、加熱面の
温度分布ができにくいからである。断面のアスペクト比
(抵抗発熱体の幅/抵抗発熱体の厚さ)は、10〜50
00であることが望ましい。この範囲に調整することに
より、抵抗発熱体の抵抗値を大きくすることができると
ともに、加熱面の温度の均一性を確保することができる
からである。
The resistance heating element may have a rectangular or elliptical cross section, but is preferably flat. This is because the flat surface is more likely to dissipate heat toward the heating surface, so that the temperature distribution on the heating surface is less likely to occur. The aspect ratio of the cross section (the width of the resistance heating element / the thickness of the resistance heating element) is 10 to 50.
00 is desirable. By adjusting to this range, the resistance value of the resistance heating element can be increased, and the uniformity of the temperature of the heating surface can be ensured.

【0071】抵抗発熱体の厚さを一定とした場合、アス
ペクト比が上記範囲より小さいと、セラミック基板の加
熱面方向への熱の伝搬量が小さくなり、抵抗発熱体のパ
ターンに近似した熱分布が加熱面に発生してしまい、逆
にアスペクト比が大きすぎると抵抗発熱体の中央の直上
部分が高温となってしまい、結局、抵抗発熱体のパター
ンに近似した熱分布が加熱面に発生してしまう。従っ
て、温度分布を考慮すると、断面のアスペクト比は、1
0〜5000であることが好ましいのである。
When the thickness of the resistance heating element is constant, if the aspect ratio is smaller than the above range, the amount of heat propagation in the direction of the heating surface of the ceramic substrate becomes small, and the heat distribution approximates the pattern of the resistance heating element. If the aspect ratio is too large, on the other hand, if the aspect ratio is too large, the temperature immediately above the center of the resistance heating element becomes high, and eventually, a heat distribution similar to the pattern of the resistance heating element occurs on the heating surface. Would. Therefore, considering the temperature distribution, the aspect ratio of the cross section is 1
It is preferably from 0 to 5000.

【0072】抵抗発熱体の抵抗値のばらつきに関し、平
均抵抗値に対する抵抗値のばらつきは5%以下が望まし
く、1%がより望ましい。本発明の抵抗発熱体は複数回
路に分割しているが、このように抵抗値のばらつきを小
さくすることにより、抵抗発熱体の分割数を減らすこと
ができ温度を制御しやすくすることができる。さらに、
昇温の過渡時の加熱面の温度を均一にすることが可能と
なる。
Regarding the variation of the resistance value of the resistance heating element, the variation of the resistance value with respect to the average resistance value is preferably 5% or less, more preferably 1%. Although the resistance heating element of the present invention is divided into a plurality of circuits, by reducing the variation of the resistance value in this way, the number of divisions of the resistance heating element can be reduced, and the temperature can be easily controlled. further,
It is possible to make the temperature of the heating surface uniform during the transition of the temperature rise.

【0073】通常、このような抵抗発熱体は、導電性を
確保するための金属粒子や導電性セラミック粒子を含有
する導体ペーストをセラミック基板上に塗布し、焼成す
ることにより形成する。この導体ペーストとしては特に
限定されないが、上記金属粒子または導電性セラミック
が含有されているほか、樹脂、溶剤、増粘剤などを含む
ものが好ましい。
Normally, such a resistance heating element is formed by applying a conductive paste containing metal particles or conductive ceramic particles for securing conductivity on a ceramic substrate and firing it. The conductive paste is not particularly limited, but preferably contains not only the metal particles or the conductive ceramic but also a resin, a solvent, a thickener, and the like.

【0074】上記金属粒子としては、例えば、貴金属
(金、銀、白金、パラジウム)、鉛、タングステン、モ
リブデン、ニッケルなどが好ましい。これらは、単独で
用いてもよく、2種以上を併用してもよい。これらの金
属は、比較的酸化しにくく、発熱するに充分な抵抗値を
有するからである。上記導電性セラミックとしては、例
えば、タングステン、モリブデンの炭化物などが挙げら
れる。これらは、単独で用いてもよく、2種以上を併用
してもよい。
As the metal particles, for example, noble metals (gold, silver, platinum, palladium), lead, tungsten, molybdenum, nickel and the like are preferable. These may be used alone or in combination of two or more. This is because these metals are relatively hard to oxidize and have a resistance value sufficient to generate heat. Examples of the conductive ceramic include carbides of tungsten and molybdenum. These may be used alone or in combination of two or more.

【0075】これら金属粒子または導電性セラミック粒
子の粒径は、1〜100μmが好ましい。1μm未満と
微細すぎると、抵抗発熱体の表面の粗度Raが0.01
μm未満となりやすく、レーザ光を用いた照射によるト
リミングの際、レーザ光を反射しやすくなり、設定通り
の溝等を形成することができず、一方、金属粒子等の粒
径が100μmを超えると、焼結しにくくなり、抵抗値
が大きくなるからである。
The particle size of these metal particles or conductive ceramic particles is preferably 1 to 100 μm. If it is too fine, less than 1 μm, the surface roughness Ra of the resistance heating element is 0.01
μm, it is easy to reflect laser light during trimming by irradiation with laser light, and it is not possible to form grooves or the like as set, while if the particle size of metal particles etc. exceeds 100 μm This is because sintering becomes difficult and the resistance value increases.

【0076】上記金属粒子の形状は、球状であっても、
リン片状であってもよいが、球状がより好ましい。抵抗
発熱体の面粗度がより粗くなりやすいからである。ま
た、リン片状であっても、そのアスペクト比(幅または
長さ/厚さ)が余り大きくないものであれば、抵抗発熱
体の形成面に対して垂直または斜めになり易いため、表
面の粗度を大きくすることができる。
Although the shape of the metal particles is spherical,
It may be scaly, but more preferably spherical. This is because the surface roughness of the resistance heating element tends to be rougher. Further, even if it has a scale shape, if its aspect ratio (width or length / thickness) is not so large, it tends to be perpendicular or oblique to the surface on which the resistance heating element is formed. The roughness can be increased.

【0077】これらの金属粒子を用いる場合、上記球状
物と上記リン片状物との混合物であってよい。上記金属
粒子がリン片状物、または、球状物とリン片状物との混
合物の場合は、金属粒子間に金属酸化物を保持しやすく
なり、抵抗発熱体と窒化物セラミック等との密着性を確
実にし、かつ、抵抗値を大きくすることができるため有
利である。さらに、針状粒子で、余りアスペクト比(直
径に対する長さ)が余り大きくないものであれば、やは
り抵抗発熱体の形成面に対して垂直または斜めになり易
いため、表面の粗度を大きくすることができる。
When these metal particles are used, they may be a mixture of the above-mentioned spherical material and the above-mentioned scaly material. When the metal particles are scaly, or a mixture of spherical and scaly, it is easy to hold the metal oxide between the metal particles, and the adhesion between the resistance heating element and the nitride ceramic, etc. And it is advantageous because the resistance value can be increased. Furthermore, if the needle-like particles have a small aspect ratio (length with respect to the diameter), the surface tends to be perpendicular or oblique to the surface on which the resistance heating element is formed, so that the surface roughness is increased. be able to.

【0078】導体ペーストに使用される樹脂としては、
例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などが挙げられ
る。また、溶剤としては、例えば、イソプロピルアルコ
ールなどが挙げられる。増粘剤としては、セルロースな
どが挙げられる。
As the resin used for the conductor paste,
For example, an epoxy resin, a phenol resin, and the like can be given. Examples of the solvent include isopropyl alcohol. Examples of the thickener include cellulose and the like.

【0079】導体ペーストには、金属粒子に金属酸化物
を添加したものを使用し、これをセラミック基板上に塗
布した後、金属粒子等と金属酸化物を焼結させたものと
することが望ましい。このように、金属酸化物を金属粒
子とともに焼結させることにより、セラミック基板であ
る窒化物セラミック等と金属粒子とをより密着させるこ
とができるからである。
As the conductor paste, it is preferable to use a paste obtained by adding a metal oxide to metal particles, apply this on a ceramic substrate, and then sinter the metal particles and the metal oxide. . By sintering the metal oxide together with the metal particles in this manner, the ceramic substrate, such as a nitride ceramic, and the metal particles can be more closely adhered to each other.

【0080】金属酸化物を混合することにより、窒化物
セラミック等との密着性が改善される理由は明確ではな
いが、金属粒子表面や窒化物セラミック等の表面は、わ
ずかに酸化されて酸化膜が形成されており、この酸化膜
同士が金属酸化物を介して焼結して一体化し、金属粒子
と窒化物セラミック等とが密着するのではないかと考え
られる。また、セラミック基板を構成するセラミックが
酸化物セラミックの場合は、当然に表面が酸化物からな
るので、密着性に優れた導体層が形成される。
It is not clear why the mixing with the metal oxide improves the adhesion to the nitride ceramic or the like, but the surface of the metal particles or the surface of the nitride ceramic is slightly oxidized to form an oxide film. It is considered that these oxide films are sintered and integrated via the metal oxide, and the metal particles and the nitride ceramics or the like adhere to each other. Further, when the ceramic constituting the ceramic substrate is an oxide ceramic, the surface is naturally made of an oxide, so that a conductor layer having excellent adhesion is formed.

【0081】上記金属酸化物としては、例えば、酸化
鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ素(B 23 )、アル
ミナ、イットリアおよびチタニアからなる群から選ばれ
る少なくとも1種が好ましい。これらの酸化物は、抵抗
発熱体12の抵抗値を大きくすることなく、金属粒子と
窒化物セラミック等との密着性を改善することができる
からである。
As the metal oxide, for example, oxidized
Lead, zinc oxide, silica, boron oxide (B Two OThree ), Al
Selected from the group consisting of Mina, Yttria and Titania
At least one is preferred. These oxides have resistance
Without increasing the resistance value of the heating element 12,
Adhesion with nitride ceramics etc. can be improved
Because.

【0082】上記酸化鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ
素(B23 )、アルミナ、イットリア、チタニアの割
合は、金属酸化物の全量を100重量部とした場合、重
量比で、酸化鉛が1〜10、シリカが1〜30、酸化ホ
ウ素が5〜50、酸化亜鉛が20〜70、アルミナが1
〜10、イットリアが1〜50、チタニアが1〜50で
あって、その合計が100重量部を超えない範囲で調整
されていることが望ましい。これらの範囲で、これらの
酸化物の量を調整することにより、特に窒化物セラミッ
ク等との密着性を改善することができる。
The ratio of the above-mentioned lead oxide, zinc oxide, silica, boron oxide (B 2 O 3 ), alumina, yttria, and titania is calculated by weight ratio when the total amount of the metal oxide is 100 parts by weight. 1-10, silica 1-30, boron oxide 5-50, zinc oxide 20-70, alumina 1
-10, yttria 1-50, titania 1-50, and the total is preferably adjusted within a range not exceeding 100 parts by weight. By adjusting the amounts of these oxides within these ranges, the adhesion to nitride ceramics and the like can be particularly improved.

【0083】上記金属酸化物の金属粒子に対する添加量
は、0.1重量%以上10重量%未満が好ましい。ま
た、このような構成の導体ペーストを使用して抵抗発熱
体12を形成した際の面積抵抗率は、1〜45mΩ/□
が好ましい。
The amount of the metal oxide added to the metal particles is preferably 0.1% by weight or more and less than 10% by weight. The area resistivity when the resistance heating element 12 is formed using the conductor paste having such a configuration is 1 to 45 mΩ / □.
Is preferred.

【0084】面積抵抗率が45mΩ/□を超えると、印
加電圧量に対して発熱量は大きくなりすぎて、セラミッ
ク基板の表面に抵抗発熱体12を設けたセラミック基板
11では、その発熱量を制御しにくいからである。な
お、金属酸化物の添加量が10重量%以上であると、面
積抵抗率が50mΩ/□を超えてしまい、発熱量が大き
くなりすぎて温度制御が難しくなり、温度分布の均一性
が低下する。また、必要に応じて面積抵抗率を50mΩ
/□〜10Ω/□にすることができる。面積抵抗率を大
きくすると、パターンを幅を広くすることができるた
め、断線の問題がない。
When the area resistivity exceeds 45 mΩ / □, the amount of heat generated becomes too large with respect to the applied voltage, and the amount of heat generated in the ceramic substrate 11 provided with the resistance heating element 12 on the surface of the ceramic substrate is controlled. Because it is hard to do. If the addition amount of the metal oxide is 10% by weight or more, the sheet resistivity exceeds 50 mΩ / □, the calorific value becomes too large, the temperature control becomes difficult, and the uniformity of the temperature distribution decreases. . Further, if necessary, the sheet resistivity is set to 50 mΩ.
/ □ to 10Ω / □. When the sheet resistivity is increased, the width of the pattern can be increased, so that there is no problem of disconnection.

【0085】抵抗発熱体がセラミック基板の表面に形成
される場合には、抵抗発熱体の表面部分に、金属被覆層
が形成されていることが望ましい。内部の金属焼結体が
酸化されて抵抗値が変化するのを防止するためである。
形成する金属被覆層の厚さは、0.1〜10μmが好ま
しい。このような金属被覆層は、上記トリミング処理を
行った後に形成する。
When the resistance heating element is formed on the surface of the ceramic substrate, it is desirable that a metal coating layer is formed on the surface of the resistance heating element. This is to prevent the internal metal sintered body from being oxidized to change the resistance value.
The thickness of the metal coating layer to be formed is preferably 0.1 to 10 μm. Such a metal coating layer is formed after performing the above-described trimming processing.

【0086】金属被覆層を形成する際に使用される金属
は、非酸化性の金属であれば特に限定されないが、具体
的には、例えば、金、銀、パラジウム、白金、ニッケル
等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、2種
以上を併用してもよい。これらのなかでは、ニッケルが
好ましい。
The metal used for forming the metal coating layer is not particularly limited as long as it is a non-oxidizing metal, and specific examples thereof include gold, silver, palladium, platinum and nickel. . These may be used alone or in combination of two or more. Of these, nickel is preferred.

【0087】抵抗発熱体には、電源と接続するための端
子が必要であり、この端子は、半田を介して抵抗発熱体
に取り付けるが、ニッケルは、半田の熱拡散を防止する
からである。接続端子としては、例えば、コバール製の
ものが挙げられる。
The resistance heating element requires a terminal for connection to a power source, and this terminal is attached to the resistance heating element via solder. Nickel prevents thermal diffusion of solder. Examples of the connection terminal include those made of Kovar.

【0088】本発明のセラミックヒータにおけるセラミ
ック基板は、円板であることが望ましく、その直径は1
90mmを超えるものが望ましい。このような直径が大
きいものほど加熱面での温度ばらつきが大きくなるから
である。
The ceramic substrate in the ceramic heater of the present invention is desirably a disk, and has a diameter of 1 mm.
Those exceeding 90 mm are desirable. This is because the larger the diameter, the greater the temperature variation on the heating surface.

【0089】また、本発明のセラミックヒータのセラミ
ック基板の厚さは、25mm以下であることが望まし
い。上記セラミック基板の厚さが25mmを超えると温
度追従性が低下するからである。また、その厚さは、
1.5mmを超え5mm以下であることがより望まし
い。5mmより厚くなると、熱が伝搬しにくくなり、加
熱の効率が低下する傾向が生じ、一方、1.5mm以下
であると、セラミック基板中を伝搬する熱が充分に拡散
しないため加熱面に温度ばらつきが発生することがあ
り、また、セラミック基板の強度が低下して破損する場
合があるからである。
The thickness of the ceramic substrate of the ceramic heater of the present invention is desirably 25 mm or less. This is because if the thickness of the ceramic substrate exceeds 25 mm, the temperature followability decreases. Also, its thickness is
More preferably, it is more than 1.5 mm and 5 mm or less. If the thickness is more than 5 mm, the heat is difficult to propagate, and the heating efficiency tends to decrease. May occur, and the strength of the ceramic substrate may be reduced to cause breakage.

【0090】本発明のセラミックヒータ10では、基板
の材料としてセラミックを使用しているが、セラミック
としては特に限定されず、例えば、窒化物セラミック、
炭化物セラミックおよび酸化物セラミック等を挙げるこ
とができる。セラミック基板11の材料として、これら
のなかでは、窒化物セラミックや炭化物セラミックが好
ましい。熱伝導特性に優れるからである。
In the ceramic heater 10 of the present invention, ceramic is used as the material of the substrate. However, the ceramic is not particularly limited.
Examples thereof include carbide ceramics and oxide ceramics. Among these, a nitride ceramic or a carbide ceramic is preferable as the material of the ceramic substrate 11. This is because it has excellent heat conduction characteristics.

【0091】上記窒化物セラミックとしては、例えば、
窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化チタ
ン等が挙げられる。また、上記炭化物セラミックとして
は、炭化珪素、炭化チタン、炭化硼素等が挙げられる。
さらに、上記酸化物セラミックとしては、アルミナ、コ
ージェライト、ムライト、シリカ、ベリリア等が挙げら
れる。これらは、単独で用いてもよく、2種以上を併用
してもよい。これらのなかでは、窒化アルミニウムが最
も好ましい。熱伝導率が180W/m・Kと最も高いか
らである。
As the nitride ceramic, for example,
Examples include aluminum nitride, silicon nitride, boron nitride, and titanium nitride. Examples of the carbide ceramic include silicon carbide, titanium carbide, and boron carbide.
Further, examples of the oxide ceramic include alumina, cordierite, mullite, silica, beryllia and the like. These may be used alone or in combination of two or more. Of these, aluminum nitride is most preferred. This is because the thermal conductivity is the highest at 180 W / m · K.

【0092】ただし、セラミック基板11は、レーザ光
が吸収されにくい材質のものが好ましく、例えば、窒化
アルミニウム基板の場合には、炭素含有量が5000p
pm以下の炭素含有量が少ないものが好ましい。また、
表面を研磨して表面の面粗度をJIS B 0601
Raで20μm以下にすることが望ましい。面粗度が大
きい場合は、レーザ光を吸収してしまうからである。ま
た必要に応じて、抵抗発熱体とセラミック基板の間に耐
熱性セラミック層を設けてもよい。例えば、非酸化物系
セラミックの場合は、表面に酸化物セラミックを形成し
ておいてもよい。
However, the ceramic substrate 11 is preferably made of a material that does not easily absorb laser light. For example, in the case of an aluminum nitride substrate, the carbon content is 5000p.
Those having a small carbon content of pm or less are preferred. Also,
Polish the surface to determine the surface roughness of the surface according to JIS B 0601
It is desirable that Ra be 20 μm or less. This is because when the surface roughness is large, the laser light is absorbed. If necessary, a heat-resistant ceramic layer may be provided between the resistance heating element and the ceramic substrate. For example, in the case of a non-oxide ceramic, an oxide ceramic may be formed on the surface.

【0093】上記方法を用い、抵抗発熱体をセラミック
基板の表面に形成する方法としては、セラミック基板の
所定領域に導体ペーストを面状(円環状)に塗布した
後、レーザトリミングにて発熱体パターンを形成する方
法、または、導体ペーストを焼き付けた後、レーザトリ
ミングを行い、所定パターンの抵抗発熱体を形成する方
法が挙げられる。これらの方法のうち、導体ペーストを
焼き付けた後、抵抗発熱体パターンを形成する方法が、
レーザ光の照射による導体ペースト層の剥離等が発生し
ないため好ましい。
As a method of forming the resistance heating element on the surface of the ceramic substrate by using the above method, a conductor paste is applied in a planar shape (annular shape) to a predetermined region of the ceramic substrate, and then the heating element pattern is formed by laser trimming. Or a method of baking a conductive paste and then performing laser trimming to form a resistive heating element having a predetermined pattern. Of these methods, after baking the conductor paste, a method of forming a resistance heating element pattern,
This is preferable because peeling of the conductive paste layer due to laser light irradiation does not occur.

【0094】なお、金属の焼結は、金属粒子同士および
金属粒子とセラミックとが融着していれば充分である。
また、めっき法やスパッタリング等の方法を用いて所定
領域に導体層を形成し、レーザトリミングによる抵抗発
熱体パターンの形成を行ってもよい。
It is sufficient that the metal is sintered as long as the metal particles and the metal particles and the ceramic are fused.
Alternatively, a conductor layer may be formed in a predetermined region by using a method such as plating or sputtering, and a resistance heating element pattern may be formed by laser trimming.

【0095】次に、上述したレーザトリミング工程以外
の本発明のセラミックヒータの製造方法について、図8
に基づいて説明する。図8(a)〜(d)は、レーザ処
理を含む本発明のセラミックヒータの製造方法の一部を
模式的に示す断面図である。
Next, a method of manufacturing a ceramic heater according to the present invention other than the laser trimming step described above will be described with reference to FIG.
It will be described based on. FIGS. 8A to 8D are cross-sectional views schematically showing a part of the method for manufacturing a ceramic heater of the present invention including laser processing.

【0096】(1) セラミック基板の作製工程 窒化アルミニウム等のセラミックの粉末に、必要に応じ
て、イットリア(Y2 3 )等の焼結助剤、Na、Ca
を含む化合物、バインダ等を配合してスラリーを調製し
た後、このスラリーをスプレードライ等の方法で顆粒状
にし、この顆粒を金型などに入れて加圧することにより
板状などに成形し、生成形体(グリーン)を作製する。
なお、ドクターブレード法等により形成したグリーンシ
ートを積層することにより生成形体を作製してもよい。
(1) Manufacturing process of ceramic substrate Powder of ceramic such as aluminum nitride is added as necessary.
And yttria (YTwo O Three ), Na, Ca
Is prepared by blending a compound containing
After that, this slurry is granulated by a method such as spray drying.
And put the granules in a mold and press
It is formed into a plate or the like to produce a green body (green).
Note that the green sheet formed by the doctor blade method, etc.
The formed form may be produced by laminating the sheets.

【0097】次に、生成形体に、必要に応じて、シリコ
ンウエハ39等の被加熱物を運搬等するためのリフター
ピン36を挿入する貫通孔35となる部分や熱電対など
の測温素子を埋め込むための有底孔となる部分等を形成
する。
Next, as necessary, a portion serving as a through-hole 35 for inserting a lifter pin 36 for carrying an object to be heated such as a silicon wafer 39 and a temperature measuring element such as a thermocouple are provided in the formed body. A portion having a bottomed hole for embedding is formed.

【0098】次に、この生成形体を加熱、焼成して焼結
させ、セラミック製の板状体を製造する。この後、所定
の形状に加工することにより、セラミック基板11を作
製する(図8(a)参照)が、焼成後にそのまま使用す
ることができる形状としてもよい。また、例えば、上下
より加圧しながら加熱、焼成を行うことにより、気孔の
ないセラミック基板11を製造することが可能となる。
加熱、焼成は、焼結温度以上であればよいが、例えば、
窒化物セラミックでは、1000〜2500℃である。
Next, the formed body is heated, fired and sintered to produce a ceramic plate. Thereafter, the ceramic substrate 11 is manufactured by processing into a predetermined shape (see FIG. 8A), but may be formed into a shape that can be used as it is after firing. Further, for example, by performing heating and baking while applying pressure from above and below, it becomes possible to manufacture a ceramic substrate 11 having no pores.
Heating and firing may be at least the sintering temperature, for example,
For nitride ceramics, the temperature is 1000-2500C.

【0099】なお、通常は、焼成を行った後に、貫通孔
35や測温素子を挿入するための有底孔(図示せず)を
設ける。貫通孔35等は、表面研磨後に、SiC粒子等
を用いたサンドブラスト等のブラスト処理を行うことに
より形成することができる。
Usually, after firing, a through hole 35 and a bottomed hole (not shown) for inserting a temperature measuring element are provided. The through holes 35 and the like can be formed by performing blasting such as sand blasting using SiC particles or the like after surface polishing.

【0100】(2) セラミック基板に導体ペーストを印刷
する工程 導体ペーストは、一般に、金属粒子、樹脂、溶剤からな
る粘度の高い流動物である。この導体ペーストの粘度
は、比較的均一な厚さの導体層を形成することができる
点から、70〜90Pa・sが好ましい。
(2) Step of Printing Conductor Paste on Ceramic Substrate The conductor paste is generally a high-viscosity fluid composed of metal particles, resin and solvent. The viscosity of the conductor paste is preferably from 70 to 90 Pa · s from the viewpoint that a conductor layer having a relatively uniform thickness can be formed.

【0101】この導体ペーストをスクリーン印刷などを
用い、抵抗発熱体を設けようとする領域一体に帯状また
は円環状に印刷を行うことにより、導体ペースト層12
mを形成する(図8(b))。抵抗発熱体のパターン
は、セラミック基板全体を均一な温度にする必要がある
ことから、図5に示すような同心円の一部を描くように
繰り返して形成された円弧、または、同心円を基本とす
るパターンが望ましい。なお、上記した方法のほか、め
っきにより導体層を形成することもできる。
The conductor paste is printed in a band or ring shape integrally with the area where the resistance heating element is to be provided by screen printing or the like, so that the conductor paste layer 12 is formed.
m is formed (FIG. 8B). Since it is necessary to make the temperature of the entire ceramic substrate uniform, the pattern of the resistance heating element is based on an arc or a concentric circle repeatedly formed so as to draw a part of a concentric circle as shown in FIG. Patterns are preferred. Note that, in addition to the method described above, the conductor layer can be formed by plating.

【0102】(3) 導体ペーストの焼成 セラミック基板11の底面に印刷した導体ペースト層を
加熱焼成して、樹脂、溶剤を除去するとともに、金属粒
子を焼結させ、セラミック基板11の底面に焼き付け、
所定の幅を有する導体層を形成(図6参照)する。この
後、上述した本発明のトリミング方法を用いて、溝を形
成し、不必要な部分を除去することにより、抵抗発熱体
を形成する(図8(c)参照)。加熱焼成の温度は、5
00〜1000℃が好ましい。上記方法を用いたスクリ
ーン印刷、めっき法、スパッタリング等により抵抗発熱
体パターンの導体ペースト層を形成した後、焼成して抵
抗発熱体12とし、レーザトリミングにより抵抗発熱体
の抵抗値を調整してもよい。
(3) Firing of Conductive Paste The conductive paste layer printed on the bottom surface of the ceramic substrate 11 is heated and fired to remove the resin and the solvent, and sinter the metal particles.
A conductor layer having a predetermined width is formed (see FIG. 6). Thereafter, using the above-described trimming method of the present invention, a groove is formed, and unnecessary portions are removed to form a resistance heating element (see FIG. 8C). The temperature of heating and firing is 5
00-1000 ° C is preferred. After forming the conductive paste layer of the resistance heating element pattern by screen printing, plating method, sputtering, or the like using the above method, firing is performed to obtain the resistance heating element 12, and the resistance value of the resistance heating element is adjusted by laser trimming. Good.

【0103】(4) 金属被覆層の形成 抵抗発熱体12表面には、図6に示したように、金属被
覆層120を設けることが望ましい。金属被覆層120
は、電解めっき、無電解めっき、スパッタリング等によ
り形成することができるが、量産性を考慮すると、無電
解めっきが最適である。
(4) Formation of Metal Coating Layer It is desirable to provide a metal coating layer 120 on the surface of the resistance heating element 12 as shown in FIG. Metal coating layer 120
Can be formed by electrolytic plating, electroless plating, sputtering, or the like, but in consideration of mass productivity, electroless plating is optimal.

【0104】(5) 端子等の取り付け 抵抗発熱体12のパターンの端部に電源との接続のため
の端子(外部端子33)を半田を介して取り付ける(図
8(d)参照)。また、有底孔34(図示せず)に熱電
対を挿入し、ポリイミド等の耐熱樹脂等を用いて封止
し、セラミックヒータの製造を終了する。
(5) Attachment of Terminals, etc. Terminals (external terminals 33) for connection to a power supply are attached to the ends of the pattern of the resistance heating element 12 via solder (see FIG. 8D). In addition, a thermocouple is inserted into the bottomed hole 34 (not shown) and sealed with a heat-resistant resin such as polyimide or the like, thereby completing the manufacture of the ceramic heater.

【0105】なお、本発明のセラミックヒータでは、セ
ラミック基板の内部に静電電極を設けることにより静電
チャックとして使用することができ、また、表面にチャ
ップトップ導体層を設け、内部にガード電極やグランド
電極を設けることによりウエハプローバとして使用する
ことができる。
The ceramic heater of the present invention can be used as an electrostatic chuck by providing an electrostatic electrode inside the ceramic substrate, and a chaptop conductor layer is provided on the surface, and a guard electrode or the like is provided inside. By providing a ground electrode, it can be used as a wafer prober.

【0106】[0106]

【実施例】以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説
明する。 (実施例1)レーザトリミングによる抵抗発熱体の抵抗
値の調整 (1) 窒化アルミニウム粉末(平均粒径:0.6μm)1
00重量部、イットリア(平均粒径:0.4μm)4重
量部、アクリルバインダ12重量部およびアルコールか
らなる組成物のスプレードライを行い、顆粒状の粉末を
作製した。
The present invention will be described in more detail with reference to the following examples. Example 1 Adjustment of Resistance Value of Resistance Heating Element by Laser Trimming (1) Aluminum Nitride Powder (Average Particle Size: 0.6 μm) 1
A composition comprising 00 parts by weight, 4 parts by weight of yttria (average particle size: 0.4 μm), 12 parts by weight of an acrylic binder and alcohol was spray-dried to prepare a granular powder.

【0107】(2) 次に、この顆粒状の粉末を金型に入
れ、平板状に成形して生成形体(グリーン)を得た。
(2) Next, this granular powder was placed in a mold and formed into a flat plate to obtain a formed product (green).

【0108】(3) 次に、この生成形体を1800℃、圧
力:20MPaでホットプレスし、厚さがほぼ3mmの
窒化アルミニウム板状体を得た。次に、この板状体から
直径210mmの円板体を切り出し、セラミック製の板
状体(セラミック基板11)とした。このセラミック基
板にドリル加工を施し、シリコンウエハのリフターピン
36を挿入する貫通孔35、熱電対を埋め込むための有
底孔34(直径:1.1mm、深さ:2mm)を形成し
た。
(3) Next, the green compact was hot-pressed at 1800 ° C. and a pressure of 20 MPa to obtain an aluminum nitride plate having a thickness of about 3 mm. Next, a disk having a diameter of 210 mm was cut out from the plate to obtain a ceramic plate (ceramic substrate 11). The ceramic substrate was drilled to form a through hole 35 for inserting a lifter pin 36 of a silicon wafer and a bottomed hole 34 (diameter: 1.1 mm, depth: 2 mm) for embedding a thermocouple.

【0109】(4) 上記(3) で得たセラミック基板11
に、スクリーン印刷にて導体ペースト層を形成した。印
刷パターンは、図5に示したようなパターンであった。
上記導体ペーストとしては、Ag:48重量%、Pt:
21重量%、SiO2 :1.0重量%、B23 :1.
2重量%、ZnO:4.1重量%、PbO:3.4重量
%、酢酸エチル:3.4重量%、ブチルカルビトール:
17.9重量%からなる組成のものを使用した。この導
体ペーストは、Ag−Ptペーストであり、銀粒子(昭
栄化学社製 Ag−540)は、平均粒径が4.5μm
のリン片状のものであった。また、Pt粒子(昭栄化学
社製 Pd−221)は、平均粒径6.8μmの球状で
あった。また、このときの導体ペーストの粘度は80P
a・sであった。
(4) The ceramic substrate 11 obtained in the above (3)
Then, a conductor paste layer was formed by screen printing. The printing pattern was a pattern as shown in FIG.
Ag: 48% by weight, Pt:
21 wt%, SiO 2: 1.0 wt%, B 2 O 3: 1 .
2% by weight, ZnO: 4.1% by weight, PbO: 3.4% by weight, ethyl acetate: 3.4% by weight, butyl carbitol:
A composition having a composition of 17.9% by weight was used. This conductor paste is an Ag-Pt paste, and the silver particles (Ag-540 manufactured by Shoei Chemical Co., Ltd.) have an average particle size of 4.5 μm.
Was scaly. The Pt particles (Pd-221 manufactured by Shoei Chemical Co., Ltd.) were spherical with an average particle size of 6.8 μm. At this time, the viscosity of the conductor paste is 80P.
a · s.

【0110】(5) さらに、発熱体パターンの導体ペース
ト層を形成した後、セラミック基板11を850℃で1
0〜20分間、加熱焼成して、導体ペースト中のAg、
Ptを焼結させるとともにセラミック基板11に焼き付
けた。
(5) Further, after the conductor paste layer of the heating element pattern is formed, the ceramic substrate 11 is heated at 850 ° C. for 1 hour.
Ag in the conductor paste by heating and baking for 0 to 20 minutes,
Pt was sintered and baked on the ceramic substrate 11.

【0111】抵抗発熱体のパターンは、図5に示したよ
うに、12a〜12gの7チャンネルである。外周の4
つのチャンネル(抵抗発熱体12a〜12d)のトリミ
ング前のチャンネル内の抵抗値のばらつきは、7.4〜
12.4%であった。なお、チャンネルとは、制御を行
う際に、同一電圧を印加して一の制御を行う回路をいう
が、本実施例では、連続体として形成された各抵抗発熱
体(12a〜12g)を示す。
As shown in FIG. 5, the pattern of the resistance heating element includes seven channels 12a to 12g. Perimeter 4
The variation of the resistance value in one of the channels (the resistance heating elements 12a to 12d) before trimming is 7.4 to
12.4%. Note that a channel refers to a circuit that performs one control by applying the same voltage when performing control. In the present embodiment, each resistance heating element (12a to 12g) formed as a continuous body is shown. .

【0112】また、各チャンネル(抵抗発熱体12a〜
12d)内の抵抗ばらつきは、以下のようにして求め
た。すなわち、まず、チャンネル内を20分割し、分割
した範囲内の両端で抵抗を測定し、その平均を平均分割
抵抗値とし、さらに、チャンネル内の最高抵抗値と最低
抵抗値との差と平均分割抵抗値とから、ばらつきを計算
した。また、各チャンネル(抵抗発熱体12a〜12
d)内の抵抗値は、分割して測定した全抵抗値の総和で
ある。
Each channel (the resistance heating elements 12a to 12a)
The resistance variation in 12d) was obtained as follows. That is, first, the channel is divided into 20, the resistance is measured at both ends within the divided range, the average is taken as the average divided resistance value, and the difference between the highest resistance value and the lowest resistance value in the channel and the average divided value Variation was calculated from the resistance value. In addition, each channel (the resistance heating elements 12a to 12
The resistance value in d) is the sum of all resistance values measured separately.

【0113】(6) 次に、トリミング用の装置として、波
長が1060nmのYAGレーザ(日本電気製 S14
3AL 出力3W、パルス周波数設定範囲 0.1〜4
0kHz)を用い、パルス周波数を1.0kHzに設定
した。この装置は、X−Yステージ、ガルバノミラー、
CCDカメラ、Nd:YAGレーザを備え、また、ステ
ージとガルバノミラーを制御するコントローラを内蔵
し、コントローラは、コンピュータ(日本電気製 FC
−9821)に接続されている。コンピュータは、演算
部と記憶部を兼ねるCPUを有している。また、記憶部
と入力部を兼ねるハードディスクと3.5インチFDド
ライブを有している。
(6) Next, as a trimming device, a YAG laser having a wavelength of 1060 nm (S14 manufactured by NEC Corporation)
3AL output 3W, pulse frequency setting range 0.1 to 4
0 kHz) and the pulse frequency was set to 1.0 kHz. This device consists of an XY stage, a galvanometer mirror,
It has a CCD camera, an Nd: YAG laser, and a built-in controller that controls the stage and galvanometer mirror. The controller is a computer (NEC FC
-9821). The computer has a CPU that doubles as an arithmetic unit and a storage unit. In addition, it has a hard disk serving as a storage unit and an input unit, and a 3.5-inch FD drive.

【0114】このコンピュータにFDドライブから発熱
体パターンデータを入力し、また、抵抗発熱体の位置を
読み取って(読み取りは、導体層の特定箇所またはセラ
ミック基板に形成されたマーカを基準にする)、必要な
制御データを演算し、発熱体パターンを電流が流れる方
向に沿って概ね平行に照射し、その部分の導体層を除去
し、セラミック基板に到達する幅50μmの溝を形成す
ることにより、抵抗値を調整した。溝を形成する際、図
3に示したように、最初に形成した溝を挟んで左右に順
次近接する溝を並行して形成して、溝の幅を調節した。
溝を拡張するために形成した溝の数は、全部で3本であ
った。また、抵抗発熱体は、厚さが5μm、幅2.4m
mであった。レーザは、1kHzの周波数で、0.4W
の出力、バイトサイズは10μm、加工スピードは10
mm/秒であった。
The heating element pattern data is input from the FD drive to the computer, and the position of the resistance heating element is read (reading is based on a specific portion of the conductor layer or a marker formed on the ceramic substrate). The required control data is calculated, the heating element pattern is irradiated substantially parallel to the direction in which the current flows, the conductor layer in that part is removed, and a groove having a width of 50 μm reaching the ceramic substrate is formed. The value was adjusted. When forming the grooves, as shown in FIG. 3, the grooves were formed in parallel to the right and left sides of the first formed groove in parallel, and the width of the groove was adjusted.
The number of grooves formed to expand the grooves was three in total. The resistance heating element has a thickness of 5 μm and a width of 2.4 m.
m. The laser is 0.4 W at a frequency of 1 kHz
Output, byte size is 10 μm, machining speed is 10
mm / sec.

【0115】このようにトリミングを行い、抵抗発熱体
の抵抗値を調整した後の外周の4つのチャンネル(抵抗
発熱体12a〜12d)の抵抗値のばらつきは、1.0
〜5.0%と大きく減少した。
After the trimming is performed and the resistance value of the resistance heating element is adjusted, the variation in resistance value of the four outer peripheral channels (resistance heating elements 12a to 12d) is 1.0%.
55.0%.

【0116】(8) 次に、電源との接続を確保するための
外部端子33を取り付ける部分にNiめっきした後、ス
クリーン印刷により、銀−鉛半田ペースト(田中貴金属
社製)を印刷して半田層を形成した。次いで、半田層の
上にコバール製の外部端子33を載置して、420℃で
加熱リフローし、外部端子33を抵抗発熱体12の表面
に取り付けた。 (9) 温度制御のための熱電対をポリイミドで封止し、セ
ラミックヒータ10を得た。
(8) Next, a portion to which the external terminal 33 for securing the connection with the power supply is to be plated with Ni, and then a silver-lead solder paste (manufactured by Tanaka Kikinzoku Co., Ltd.) is printed by screen printing to perform soldering. A layer was formed. Next, the external terminal 33 made of Kovar was placed on the solder layer, and heated and reflowed at 420 ° C., and the external terminal 33 was attached to the surface of the resistance heating element 12. (9) A thermocouple for temperature control was sealed with polyimide to obtain a ceramic heater 10.

【0117】(実施例2)セラミックヒータの製造(レ
ーザトリミングによる抵抗発熱体形成) 本実施例では、図5に示す抵抗発熱体パターンを有する
セラミックヒータを製造した。 (1) まず、窒化アルミニウム粉末(平均粒径:1.1μ
m)100重量部、イットリア(平均粒径:0.4μ
m)4重量部、アクリルバインダ12重量部およびアル
コールからなる組成物のスプレードライを行い、顆粒状
の粉末を作製した。 (2) 次に、この顆粒状の粉末を金型に入れ、平板状に成
形して生成形体(グリーン)を得た。
Example 2 Production of Ceramic Heater (Formation of Resistance Heating Element by Laser Trimming) In this example, a ceramic heater having the resistance heating element pattern shown in FIG. 5 was produced. (1) First, aluminum nitride powder (average particle size: 1.1 μm)
m) 100 parts by weight, yttria (average particle size: 0.4 μm)
m) A composition comprising 4 parts by weight, 12 parts by weight of an acrylic binder and alcohol was spray-dried to prepare a granular powder. (2) Next, this granular powder was placed in a mold and formed into a flat plate to obtain a formed product (green).

【0118】(3) 次に、この生成形体を1800℃、圧
力:20MPaでホットプレスし、厚さがほぼ3mmの
窒化アルミニウム板状体を得た。次に、この板状体から
直径210mmの円板体を切り出し、セラミック製の板
状体(セラミック基板11)とした。このセラミック基
板にドリル加工を施し、シリコンウエハのリフターピン
36を挿入する貫通孔35、熱電対を埋め込むための有
底孔(図示せず)(直径:1.1mm、深さ:2mm)
を形成した(図8(a)参照)。
(3) Next, the formed body was hot-pressed at 1800 ° C. and a pressure of 20 MPa to obtain an aluminum nitride plate having a thickness of about 3 mm. Next, a disk having a diameter of 210 mm was cut out from the plate to obtain a ceramic plate (ceramic substrate 11). This ceramic substrate is drilled, a through hole 35 for inserting a lifter pin 36 of a silicon wafer, a bottomed hole (not shown) for embedding a thermocouple (diameter: 1.1 mm, depth: 2 mm)
Was formed (see FIG. 8A).

【0119】(4) 上記(3) で得たセラミック基板11
に、スクリーン印刷にて導体ペースト層12mを形成し
た。印刷パターンは、図5の抵抗発熱体12の各回路と
なる抵抗発熱体12a〜12gを含むように面状に塗布
された所定幅を有する同心円形状(円環形状)のパター
ンであった(図8(b)参照)。上記導体ペーストとし
ては、銀ペーストであり、銀100重量部に対して、酸
化鉛:5重量%、酸化亜鉛:55重量%、シリカ:10
重量%、酸化ホウ素:25重量%およびアルミナ:5重
量%からなる金属酸化物を7.5重量部含むものを使用
した。また、銀粒子(昭栄化学社製 Ag−540)
は、平均粒径が4.5μmのリン片状のものであった。
また、このときの導体ペーストの粘度は80Pa・sで
あった。
(4) The ceramic substrate 11 obtained in the above (3)
Then, a conductor paste layer 12m was formed by screen printing. The printing pattern was a concentric pattern (annular shape) having a predetermined width and applied in a plane so as to include the resistance heating elements 12a to 12g to be the respective circuits of the resistance heating element 12 in FIG. 8 (b)). The conductor paste is a silver paste. Lead oxide: 5% by weight, zinc oxide: 55% by weight, silica: 10 based on 100 parts by weight of silver.
A material containing 7.5 parts by weight of a metal oxide consisting of 25% by weight of boron oxide and 25% by weight of alumina was used. In addition, silver particles (Ag-540 manufactured by Shoei Chemical Co., Ltd.)
Was scaly with an average particle size of 4.5 μm.
At this time, the viscosity of the conductor paste was 80 Pa · s.

【0120】(5) さらに、発熱体パターンの導体ペース
ト層を形成した後、セラミック基板11を780℃で2
0分間、加熱焼成して、導体ペースト中の銀を焼結させ
るとともにセラミック基板11に焼き付けた。
(5) Further, after the conductor paste layer of the heating element pattern is formed, the ceramic substrate 11 is heated at 780 ° C. for 2 hours.
By heating and baking for 0 minutes, silver in the conductor paste was sintered and baked on the ceramic substrate 11.

【0121】(6) 次に、波長が1060nmのYAGレ
ーザ(日本電気社製 S143AL出力5W、パルス周
波数設定範囲 0.1〜40kHz)を用い、レーザパ
ルスの周波数を1.0kHzとしてトリミングを行っ
た。この装置は、X−Yステージ、ガルバノミラー、C
CDカメラ、Nd:YAGレーザを備え、また、ステー
ジとガルバノミラーを制御するコントローラを内蔵して
いる。このコントローラは、コンピュータ(日本電気社
製 FC−9821)に接続されている。また、上記コ
ンピュータは、演算部と記憶部を兼ねるCPUを有して
いるとともに、記憶部と入力部を兼ねるハードディスク
と3.5インチFDドライブを有している。なお、X−
Yステージは、固定されたセラミック基板の中心軸Aを
中心として、任意の角度θだけ回転することができるよ
うになっている。
(6) Next, trimming was performed using a YAG laser having a wavelength of 1060 nm (S143AL output 5W, pulse frequency setting range: 0.1 to 40 kHz, manufactured by NEC Corporation) with a laser pulse frequency of 1.0 kHz. . This device consists of an XY stage, a galvanometer mirror,
It has a CD camera, an Nd: YAG laser, and has a built-in controller for controlling the stage and the galvanometer mirror. This controller is connected to a computer (FC-9821 manufactured by NEC Corporation). In addition, the computer has a CPU that also serves as an arithmetic unit and a storage unit, and has a hard disk and a 3.5-inch FD drive that also serves as a storage unit and an input unit. X-
The Y stage can be rotated by an arbitrary angle θ about the center axis A of the fixed ceramic substrate.

【0122】このコンピュータにFDドライブから発熱
体パターンデータを入力し、また、導体層の位置を読み
取って(読み取りは、導体層の特定箇所またはセラミッ
ク基板に形成されたマーカを基準にする)、必要な制御
データを演算し、セラミック基板11を回転させなが
ら、導体ペースト層の発熱体パターン形成予定領域以外
の部分にレーザ光を照射し、その部分の導体ペースト層
を除去し、図5に示すパターンを持つ抵抗発熱体12を
形成した(図8(c)参照)。領域外の部分を除去する
際、図3に示したように、最初に形成した幅100μm
の溝を挟んで左右に順次近接する溝を並行して形成し
て、除去する部分の溝の幅を調節した。銀−鉛の抵抗発
熱体は、厚さが5μm、幅2.4mm、面積抵抗率が
7.7mΩ/□であった。
The heating element pattern data is input from the FD drive to the computer, and the position of the conductor layer is read (reading is performed with reference to a specific portion of the conductor layer or a marker formed on the ceramic substrate). After calculating the appropriate control data, while rotating the ceramic substrate 11, the portion of the conductive paste layer other than the area where the heating element pattern is to be formed is irradiated with laser light, and the conductive paste layer in that portion is removed. Was formed (see FIG. 8C). When removing the portion outside the region, as shown in FIG.
The grooves adjacent to the left and right were sequentially formed in parallel across the groove, and the width of the groove to be removed was adjusted. The silver-lead resistance heating element had a thickness of 5 μm, a width of 2.4 mm, and an area resistivity of 7.7 mΩ / □.

【0123】(7) 硫酸ニッケル80g/l、次亜リン酸
ナトリウム24g/l、酢酸ナトリウム12g/l、ほ
う酸8g/l、塩化アンモニウム6g/lの濃度の水溶
液からなる無電解ニッケルめっき浴に上記(6) で作製し
たセラミック基板11を浸漬し、銀−鉛の抵抗発熱体1
2の表面に厚さ1μmの金属被覆層(ニッケル層)12
0を析出させた。
(7) The above electroless nickel plating bath consisting of an aqueous solution having a concentration of 80 g / l of nickel sulfate, 24 g / l of sodium hypophosphite, 12 g / l of sodium acetate, 8 g / l of boric acid, and 6 g / l of ammonium chloride was used. The ceramic substrate 11 prepared in (6) is immersed in the silver-lead resistance heating element 1.
2 a 1 μm thick metal coating layer (nickel layer) 12
0 was precipitated.

【0124】(8) 電源との接続を確保するための外部端
子33を取り付ける部分に、スクリーン印刷により、銀
−鉛半田ペースト(田中貴金属社製)を印刷して半田層
を形成した。次いで、半田層の上にコバール製の外部端
子33を載置して、420℃で加熱リフローし、外部端
子33を抵抗発熱体12の表面に取り付けた(図8
(d)参照)。 (9) 温度制御のための熱電対をポリイミドで封止し、セ
ラミックヒータ10を得た。
(8) A silver-lead solder paste (manufactured by Tanaka Kikinzoku Co., Ltd.) was printed by screen printing on the portion where the external terminal 33 for securing the connection with the power supply was to be formed, to form a solder layer. Next, an external terminal 33 made of Kovar was placed on the solder layer, and heated and reflowed at 420 ° C. to attach the external terminal 33 to the surface of the resistance heating element 12 (FIG. 8).
(D)). (9) A thermocouple for temperature control was sealed with polyimide to obtain a ceramic heater 10.

【0125】(比較例1)レーザトリミングによる抵抗
発熱体の抵抗値の調整 抵抗発熱体に溝を形成する際、図4に示した従来の方法
を用いて、溝を形成したほかは、実施例1と同様にして
セラミックヒータを製造した。
(Comparative Example 1) Adjustment of Resistance Value of Resistance Heating Element by Laser Trimming In forming a groove in the resistance heating element, a groove was formed using the conventional method shown in FIG. In the same manner as in Example 1, a ceramic heater was manufactured.

【0126】(比較例2)セラミックヒータの製造(レ
ーザトリミングによる抵抗発熱体形成) 抵抗発熱体のパターンを形成する際、図4に示した従来
の方法を用いて溝を形成し、発熱体パターン形成予定領
域外の部分を除去したほかは、実施例2と同様にしてセ
ラミックヒータを製造した。
Comparative Example 2 Manufacturing of Ceramic Heater (Formation of Resistance Heating Element by Laser Trimming) When forming a pattern of the resistance heating element, a groove was formed by using the conventional method shown in FIG. A ceramic heater was manufactured in the same manner as in Example 2 except that the portion outside the region to be formed was removed.

【0127】評価方法 (1)溝の幅および形成位置の観察 実施例1および比較例1では、セラミック基板上に抵抗
発熱体を形成し、該抵抗発熱体の表面に溝を複数本形成
した後、その溝の幅およびその形成位置を走査型電子顕
微鏡(SEM)で観察した。その結果を表1に示した。
[0127]Evaluation method  (1) Observation of Groove Width and Forming Position In Example 1 and Comparative Example 1, resistance was formed on a ceramic substrate.
Forming a heating element and forming multiple grooves on the surface of the resistance heating element
After that, the width of the groove and its formation position are
Observed with a microscope (SEM). The results are shown in Table 1.

【0128】(2)発熱体パターンの位置の観察 また、実施例2、比較例2では、形成された発熱体パタ
ーンが設定通りの位置に設定通りのパターンで形成され
ているか、否かを、写真にとって観察した。その結果を
表1に示した。
(2) Observation of Position of Heating Element Pattern In Example 2 and Comparative Example 2, it was determined whether or not the formed heating element pattern was formed at the set position and in the set pattern. Observed for the photo. The results are shown in Table 1.

【0129】(3)加熱面の温度測定 上記実施例および比較例に係るセラミックヒータを10
個用意し、300℃に昇温した後、セラミック基板の加
熱面の温度をサーモビュア(日本データム社製IR−1
62012−0012)により測定し、最低温度と最高
温度との温度差を求め、セラミックヒータ10個につい
て平均値を算出した。その結果を表1に示す。表1の温
度差とは、最低温度と最高温度との温度差である。
(3) Temperature Measurement of Heating Surface The ceramic heaters according to the above-described embodiment and comparative example
After preparing the individual pieces and raising the temperature to 300 ° C., the temperature of the heating surface of the ceramic substrate was measured using a thermoviewer (IR-1 made by Nippon Datum Co., Ltd.).
62012-0012), the temperature difference between the minimum temperature and the maximum temperature was determined, and the average value was calculated for 10 ceramic heaters. Table 1 shows the results. The temperature difference in Table 1 is a temperature difference between the minimum temperature and the maximum temperature.

【0130】[0130]

【表1】 [Table 1]

【0131】表1に示す結果より明らかなように、実施
例1の場合には、溝が設定通りの位置に設定通りの幅で
形成されており、抵抗発熱体に過熱溶融による断線等は
発生せず、加熱面には温度分布が殆ど発生せず、均一に
なっていた。また、トリミング後の抵抗発熱体の抵抗値
のばらつきも小さかった。一方、比較例1の場合には、
溝が設定より位置ずれを起こしており、加熱面の温度差
の平均は0.8℃と実施例1と変わらなかったが、10
%程度の抵抗発熱体に加熱溶融による断線が見られた。
As is clear from the results shown in Table 1, in the case of Example 1, the grooves were formed at the set positions and with the set widths, and disconnection and the like due to overheating and melting occurred in the resistance heating element. No temperature distribution was generated on the heating surface, and the surface was uniform. Also, the variation in resistance value of the resistance heating element after trimming was small. On the other hand, in the case of Comparative Example 1,
The groove was misaligned from the setting, and the average of the temperature difference on the heating surface was 0.8 ° C., which was the same as in Example 1, but was 10%.
% Of the resistance heating element was broken by heating and melting.

【0132】また、実施例2の場合、設定通りのパター
ンで抵抗発熱体が形成されており、抵抗発熱体に過熱溶
融による断線等は発生せず、加熱面の温度差も0.8℃
と小さかったのに対し、比較例2の場合、設定通りのパ
ターンの抵抗発熱体を形成することができなかった部分
があり、加熱面の温度差の平均は、0.8℃と実施例2
と変わらなかったが、20%程度の抵抗発熱体に加熱溶
融による断線が見られた。
Further, in the case of the second embodiment, the resistance heating elements are formed in the set pattern, so that the resistance heating elements do not break due to overheating and the temperature difference between the heating surfaces is 0.8 ° C.
In contrast, in the case of Comparative Example 2, there was a portion where a resistive heating element having a pattern as set could not be formed, and the average of the temperature difference on the heated surface was 0.8 ° C.
However, about 20% of the resistance heating elements were broken by heating and melting.

【0133】[0133]

【発明の効果】以上説明したように、第一の本発明のセ
ラミックヒータの製造方法によれば、抵抗発熱体に最初
に形成した溝を挟んで、順次、反対側になるように溝を
形成していくため、断線等を発生させることなく、抵抗
発熱体を設定通りにトリミングすることができ、抵抗発
熱体の抵抗値を精密に調整することができる。
As described above, according to the first method for manufacturing a ceramic heater of the present invention, the grooves are formed so as to be sequentially opposite to each other with the groove formed first in the resistance heating element interposed therebetween. Therefore, the resistance heating element can be trimmed as set without causing disconnection or the like, and the resistance value of the resistance heating element can be precisely adjusted.

【0134】また、第二の本発明のセラミックヒータの
製造方法によれば、導体層に最初に形成した溝を挟ん
で、順次、反対側になるように溝を形成していくため、
導体層の不要部分を設定通りにトリミングすることがで
き、これにより、精密なパターンを有し、加熱面の温度
均一性に優れたセラミックヒータを得ることができる。
Further, according to the second method of manufacturing a ceramic heater of the present invention, the grooves are formed so as to be sequentially opposite to each other with the groove formed first in the conductor layer interposed therebetween.
Unnecessary portions of the conductor layer can be trimmed as set, whereby a ceramic heater having a precise pattern and excellent heating surface temperature uniformity can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のセラミックヒータの製造方法に用いら
れる、レーザトリミング装置の概要を示すブロック図で
ある。
FIG. 1 is a block diagram showing an outline of a laser trimming apparatus used in a method of manufacturing a ceramic heater according to the present invention.

【図2】抵抗発熱体にトリミング処理を施した際に形成
される溝を模式的に示す斜視図である。
FIG. 2 is a perspective view schematically showing a groove formed when the resistance heating element is subjected to a trimming process.

【図3】本発明のレーザ光照射によるトリミングの方法
を示した平面図である。
FIG. 3 is a plan view showing a trimming method by laser beam irradiation according to the present invention.

【図4】従来のレーザ光照射によるトリミングの方法を
示した平面図である。
FIG. 4 is a plan view showing a conventional trimming method by laser beam irradiation.

【図5】本発明のセラミックヒータの製造方法で製造さ
れるセラミックヒータの一例を模式的に示す底面図であ
る。
FIG. 5 is a bottom view schematically showing an example of a ceramic heater manufactured by the method for manufacturing a ceramic heater of the present invention.

【図6】図5に示したセラミックヒータの部分拡大断面
図である。
FIG. 6 is a partially enlarged sectional view of the ceramic heater shown in FIG.

【図7】本発明の製造方法で製造されるセラミックヒー
タの別の一例を模式的に示す平面図である。
FIG. 7 is a plan view schematically showing another example of the ceramic heater manufactured by the manufacturing method of the present invention.

【図8】(a)〜(d)は、本発明のセラミックヒータ
の製造工程の一部を模式的に示す断面図である。
FIGS. 8A to 8D are cross-sectional views schematically showing a part of the manufacturing process of the ceramic heater of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10、40 セラミックヒータ 11、41 セラミック基板 11a 加熱面 11b 底面 12(12a〜12g)、42(42a〜42d) 抵
抗発熱体 120 金属被覆層 130 溝 10b 固定用突起 10c ステージ 12m 導体層 14 レーザ照射装置 15 ガルバノミラー 16 モータ 17 制御部 18 記憶部 19 演算部 20 入力部 21 カメラ 22 レーザ光 33 外部端子 34、44 有底孔 35、45 貫通孔 36 リフターピン 39 シリコンウエハ
10, 40 Ceramic heater 11, 41 Ceramic substrate 11a Heating surface 11b Bottom surface 12 (12a to 12g), 42 (42a to 42d) Resistance heating element 120 Metal coating layer 130 Groove 10b Fixing projection 10c Stage 12m Conductive layer 14 Laser irradiation device 15 Galvanometer mirror 16 Motor 17 Control unit 18 Storage unit 19 Operation unit 20 Input unit 21 Camera 22 Laser light 33 External terminal 34, 44 Bottom hole 35, 45 Through hole 36 Lifter pin 39 Silicon wafer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 3K034 AA02 AA03 AA06 AA08 AA10 AA21 AA22 AA34 AA35 BB06 BB14 BC04 BC12 BC24 BC29 CA02 CA15 CA26 CA35 DA04 DA08 EA01 HA01 HA10 JA01 JA02 3K092 PP20 QA05 QB02 QB04 QB17 QB18 QB44 QB45 QB71 QB74 QB76 QB78 QC02 QC18 QC32 QC38 QC52 RF03 RF11 RF17 RF22 UA05 UA17 UA18 UC07 VV18 VV22 VV28  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F-term (reference) QB76 QB78 QC02 QC18 QC32 QC38 QC52 RF03 RF11 RF17 RF22 UA05 UA17 UA18 UC07 VV18 VV22 VV28

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 セラミック基板の表面に所定パターンの
抵抗発熱体を形成した後、前記抵抗発熱体にレーザ光を
照射して2以上の溝を形成し、前記抵抗発熱体の抵抗値
を調整するセラミックヒータの製造方法であって、前記
抵抗発熱体に電流の流れる方向に沿って溝を形成し、つ
いで、該溝に隣接するように、レーザ光を照射して第2
の溝を形成することを特徴とするセラミックヒータの製
造方法。
After a resistance heating element having a predetermined pattern is formed on the surface of a ceramic substrate, two or more grooves are formed by irradiating the resistance heating element with a laser beam to adjust the resistance value of the resistance heating element. A method of manufacturing a ceramic heater, comprising forming a groove in the resistance heating element along a direction in which current flows, and then irradiating a laser beam so as to be adjacent to the groove.
Forming a groove of the ceramic heater.
【請求項2】 抵抗発熱体にレーザ光を照射して第nの
溝を形成した後、第n+1の溝を形成する際、最初に形
成した溝を挟んで反対側になるように順次レーザ光を照
射して溝を形成する請求項1に記載のセラミックヒータ
の製造方法。
2. The method according to claim 1, wherein the resistive heating element is irradiated with a laser beam to form an n-th groove, and then, when forming an (n + 1) -th groove, the laser light is successively arranged on the opposite side of the first formed groove. The method for manufacturing a ceramic heater according to claim 1, wherein the groove is formed by irradiating the ceramic heater.
【請求項3】 セラミック基板表面の所定領域に帯状ま
たは円環状の導体層を形成した後、レーザ光を照射し
て、導体層の一部を除去することにより、所定パターン
を形成するセラミックヒータの製造方法であって、導体
層の除去領域の中央領域にレーザ光を照射し除去溝を形
成した後、ついで、該溝に隣接するように、レーザ光を
照射して第2の除去溝を形成し、導体層を除去すること
を特徴とするセラミックヒータの製造方法。
3. A ceramic heater for forming a predetermined pattern by forming a belt-like or annular conductor layer in a predetermined region on the surface of a ceramic substrate and irradiating a laser beam to remove a part of the conductor layer. In a manufacturing method, a laser light is irradiated to a central region of a removal region of a conductor layer to form a removal groove, and then a second removal groove is formed by irradiating a laser beam adjacent to the groove. And removing the conductor layer.
【請求項4】 抵抗発熱体にレーザ光を照射して第nの
除去溝を形成した後、第n+1の除去溝を形成する際、
最初に形成した溝を挟んで反対側になるように順次レー
ザ光を照射して除去溝を形成する請求項3に記載のセラ
ミックヒータの製造方法。
4. After forming the n-th removal groove by irradiating the resistance heating element with a laser beam, when forming the (n + 1) -th removal groove,
4. The method of manufacturing a ceramic heater according to claim 3, wherein the removal groove is formed by sequentially irradiating laser light so as to be on the opposite side of the firstly formed groove.
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