JP2016219507A - 電子デバイスの製造方法および電子デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】簡便な方法で、微細でかつ高さが比較的高い導電ビア、すなわちアスペクト比の高い導電ビアによる配線層間の接続が可能な電子デバイスの製造方法を提供すること。【解決手段】基材１００の少なくとも一表面上に、配線パターン１０１と、前記配線パターン上に少なくとも１つの開口部１０３を設けた絶縁層パターン１０２とが形成された配線基板を用意する工程と、ブランケットを設置した版胴１０５の前記ブランケット上に絶縁性インキを塗布して絶縁性膜１０７を形成する工程と、前記配線基板の前記絶縁層パターン１０２と前記絶縁層膜１０７を接触させて前記絶縁性膜１０７を前記絶縁層パターン１０２上に転写する工程とを含む、電子デバイスの製造方法が供される。【選択図】図１Ｄ

Description

本発明は、電子デバイスの製造方法およびこの方法により製造された電子デバイスに関するものである。

近年、電子デバイスの小型化、薄型化、および高機能化が一層求められている。この要求を達成するために、電子デバイスを構成する機能素子の配置自由度の向上および小型化を実現する多層配線基板が用いられている。この多層配線基板は、コア基板上に、内部に接続ビアを有する絶縁層と当該絶縁層上の一部に設けられた配線部とを交互に積層したビルドアップ薄膜層を有している。これらの配線部は、絶縁層内の接続ビアを介して相互に接続されている。

特許文献１には、フォトレジストを用いることなく、レーザビームを導体層および絶縁層に照射して接続ビア用の穴を形成し、最終的に多層基板を形成する方法が開示されている。又、特許文献２には、ブランケット上にインキを塗布してインキ塗布面を形成し、インキ塗布面に凸版を押圧して凸版に接触する部分のインキをブランケット上から除去したのち、ブランケット上に残ったインキを被印刷体に転写する印刷方法が開示されている。又、特許文献２には、インキによるパターンを複数層形成する場合には、１層目の配線部に重なるように２層目の絶縁層を積層する旨開示されている。

特開２００８−１１４２５０号公報 特開２００７−２７３７１２号公報

本願発明者らは、鋭意検討の末、従来の電子デバイスの製造方法には、以下の点で改善点があることを見出した。
特許文献１においては、レーザビームの照射により接続ビア用の穴を形成すると、接続ビア穴は通常テーパ形状を持つため、開口径に対して厚みが大きい絶縁層への穴加工が困難であるという課題を有していた。また、特許文献２においては、微細な穴形状を有する絶縁層を形成することは可能であるが、絶縁層を転写するため穴径に対して厚みが大きな絶縁層を形成することが困難であるという課題を有していた。

本発明は、前記従来の課題を解決するもので、簡便な方法で、微細でかつ高さが比較的高い導電ビア、すなわちアスペクト比の高い導電ビアによる配線層間の接続が可能な電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明では、基材の少なくとも一表面上に、配線パターンと、前記配線パターン上に少なくとも１つの開口部を設けた絶縁層パターンとが形成された配線基板を用意する工程と、ブランケットを設置した版胴の前記ブランケット上に絶縁性インキを塗布して絶縁性膜を形成する工程と、前記配線基板の前記絶縁層パターンと前記絶縁層膜を接触させて前記絶縁性膜を前記絶縁層パターン上に転写する工程とを含むことを特徴とする、電子デバイスの製造方法が供される。

本発明の電子デバイスの製造方法では、以下の効果を奏することができる。具体的には、第１に、本発明の電子デバイスの製造方法では、絶縁層パターンの直上のみに絶縁性膜を追加積層するため、開口部の径に比して厚みの大きな絶縁層を形成することができる。第２に、本発明の電子デバイスの製造方法では、絶縁層パターンとほぼ同一形状に絶縁性膜を積層するため、開口部のテーパがほとんどない。それゆえ微細な接続ビアを形成することができ、高密度な配線層間の接続を得ることができる。第３に、本発明の電子デバイスの製造方法では、積層した絶縁性膜の相対的な位置ずれが起きないため、高いアライメント精度で高アスペクト比な開口部を形成することができ、配線層間の接続信頼性を向上させることができる。第４に、本発明の電子デバイスの製造方法では、絶縁層パターンを比較的容易に厚くすることができるため、絶縁層パターンによる配線パターン間の絶縁をより確実なものとすることができる。

本発明の第１実施形態の製造方法における一工程を示した工程別断面図。 本発明の第１実施形態の製造方法における一工程を示した工程別断面図。 本発明の第１実施形態の製造方法における一工程を示した工程別断面図。 本発明の第１実施形態の製造方法における一工程を示した工程別断面図。 本発明の第１実施形態の製造方法における一工程を示した工程別断面図。 本発明の第２実施形態の製造方法における一工程を示した工程別断面図。 本発明の第２実施形態の製造方法における一工程を示した工程別断面図。 本発明の第２実施形態の製造方法における一工程を示した工程別断面図。 本発明の第２実施形態の製造方法における一工程を示した工程別断面図。 本発明の第２実施形態の製造方法における一工程を示した工程別断面図。 本発明の第３実施形態の製造方法における一工程を示した工程別断面図。 本発明の第３実施形態の製造方法における一工程を示した工程別断面図。 本発明の第３実施形態の製造方法における一工程を示した工程別断面図。 本発明の第３実施形態の製造方法における一工程を示した工程別断面図。 本発明の第３実施形態の製造方法における一工程を示した工程別断面図。 本発明の第４実施形態の製造方法における一工程を示した工程別断面図。 本発明の第４実施形態の製造方法における一工程を示した工程別断面図。 本発明の第４実施形態の製造方法における一工程を示した工程別断面図。 本発明の第４実施形態の製造方法における一工程を示した工程別断面図。 本発明の第４実施形態の製造方法における一工程を示した工程別断面図。 本発明の第５実施形態の製造方法における一工程を示した工程別断面図。 本発明の第５実施形態の製造方法における一工程を示した工程別断面図。 本発明の第５実施形態の製造方法における一工程を示した工程別断面図。 本発明の第５実施形態の製造方法における一工程を示した工程別断面図。 本発明の第６実施形態の製造方法における一工程を示した工程別断面図。 本発明の第６実施形態の製造方法における一工程を示した工程別断面図。 本発明の製造方法により得られた電子デバイスにおける接続ビアの拡大断面図。

［電子デバイスの製造方法］
本発明の電子デバイスの製造方法を各種実施形態に基づいて、図面を参照しながら説明する。図面に示す各種の要素は、本発明の理解のために模式的に示したにすぎず、寸法比や外観などは実物と異なり得ることに留意されたい。尚、本明細書で直接的または間接的に用いる“上下方向”は、図中における上下方向に対応した方向に相当する。また特記しない限り、同じ符号または記号は、同じ部材または同じ意味内容を示すものとする。

（第１実施形態）
図１Ａ〜図１Ｅは、本発明の第１実施形態における電子デバイスの製造方法を示した工程別断面図である。
まず、図１Ａに示すように、基材１００の一表面上に配線パターン１０１が形成され、その上に少なくとも１つの開口部１０３が設けられた絶縁層パターン１０２が形成された配線基板１０４を用意する。基材１００の他方の表面上にも、配線パターンおよび少なくとも１つの開口部が設けられた絶縁層パターンが形成されていてもよい。

基材１００としては、電気的絶縁性、平坦性そして形状保持性があればよく、特に限定されないが、例えばガラス、各種セラミック、ガラスセラミック複合体、シリコン、石英、サファイア、ＳｉＣ、ＡｌＮといった無機系材料や、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ビスマレイミド・トリアジン樹脂、液晶ポリマー、フッ素樹脂といった有機材料、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＩ（ポリイミド）、ＰＡ（ポリアミド）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＳ（ポリスチレン）、ＰＡＮ（ポリアクリロニトリル）、ＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル）、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルフォン）、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）、ポリオレフィン等の有機フィルム材料、およびこれらの群から選ばれた２種類以上の複合材料が使用できる。

基材１００はフレキシブル特性を有していてもよいし、剛性特性を有していてもよいし、またはそれらの中間の特性を有していてもよい。フレキシブル特性とは、外力によって比較的容易に撓み変形するが、除力すると元の形状へと戻る特性をいう。剛性特性とは、外力によって比較的撓み変形し難い特性をいう。

次に、図１Ｂに示すように、表面にブランケットを配置した版胴１０５の前記ブランケット上に、コーティング装置１０６を用いて絶縁性インキを塗布して絶縁性膜１０７を形成する。この時、絶縁性膜１０７は版胴１０５の胴体部の全てもしくは一部に形成してよい。

版胴１０５表面のブランケットは、オフセット印刷の分野で版面に付着したインキを自己の表面に転写させた後、転写されたインキを紙に再転写させる媒体として使用されるものである。ブランケットは、付着されたインクとブランケットとの界面において優れた離型性（剥離性）を発揮する。このため、後述の転写工程において、絶縁層パターンの上面に、ブランケット上の絶縁性膜の表面を接触させるだけで、接触した絶縁性膜は絶縁層パターン上に容易に転写される。その結果、絶縁層パターン１０２の直上のみに絶縁性膜１０７を選択的に追加積層することができる。

前記ブランケットの材質としては、版胴１０５上に均一に前記絶縁性インキを塗布でき、かつ後述のように絶縁層パターン１０２に対して絶縁性膜１０７を押圧して絶縁性パターン１０２に対向する部分の絶縁性膜１０７を選択的に転写可能なものが好ましい。具体的には、前記ブランケットの材質としては、当該ブランケットが上記のような機能を発揮し得る限り、特に限定されず、例えばシリコーン樹脂、フッ素樹脂、ポリオレフィン、スチレン系エラストマーを用いることができる。特に優れた離型性、柔軟性および耐久性を有するブランケットの材質として、ポリジメチルシロキサン（PDMS）を用いることが好ましい。なお、前記ブランケットは前記絶縁性インキを塗布する版胴１０５の外周部分に配置されていればよい。この場合、好ましくは、前記ブランケットの内部に柔軟性を増やすためのゴムおよび／又は接着のための樹脂フィルム等を含めることが良い。

前記絶縁性インキは、絶縁性を有し、かつ後述の転写工程において、絶縁層パターン１０２の直上のみに絶縁性膜１０７として選択的に追加積層され得るものであればよく、特に限定されるものではない。そのような絶縁性インキは、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリビニルフェノール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂、ポリビニルアルコール系樹脂、ポリアクリルニトリル系樹脂、メタクリル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリフッ化ビニリデン、ポリ酢酸ビニル樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、もしくはポリオレフィン樹脂、又はこれらの群から少なくとも２つ選択したものと、水、炭化水素系、アルコール系、ケトン系、エーテル系、エステル系、グリコールエーテル系溶剤等の溶媒との混合物であってもよい。又、この絶縁性インキ原料に無機系フィラーを加えてもよい。無機系フィラーとしては、アルミナ微粒子、シリカ微粒子、酸化タンタル微粒子等が挙げられる。更に、この絶縁性インキ原料に界面活性剤や分散剤を加えてもよい。

コーティング装置１０６は、表面にブランケットを配置した版胴１０５の前記ブランケット上に均一に絶縁性インキを塗布できるものであればよく、特に限定されるものではないが、例えば、スロットダイコータ、キャップコータ、スプレーコータ、ロールコータ、バーコータ、スリットコータ等が挙げられる。なお、コーティング装置１０６は、用いるタイプに応じて、表面にブランケットを配置した版胴１０５上に均一に絶縁性インキを塗布可能な位置に適切に設けることが好ましい。

次に、図１Ｃおよび図１Ｄに示すように、配線基板１０４の絶縁層パターン１０２に対して、図１Ｂに示した絶縁性膜１０７が形成されたブランケット付版胴１０５を一方向に回転させることで、絶縁層パターン１０２に対して絶縁性膜１０７を押圧する。それによって絶縁性膜１０７のうち絶縁層パターン１０２と対向する部分の絶縁性膜１０７を選択的に絶縁層パターン１０２上に転写させる。絶縁層パターン１０２に対する絶縁性膜１０７の押圧は、図１Ｃに示すように、絶縁層パターン１０２の上面に絶縁性膜１０７の表面が接触する程度の押圧であってもよい。図１Ｃはこのような転写工程の初期を示す概略断面図であり、図１Ｄは当該転写工程の終期を示す概略断面図である。

これにより、絶縁層パターン１０２の直上のみに絶縁性膜１０７を選択的に追加積層することができるため、開口部１０３（図１Ｄ参照）の径に比して厚みの大きな絶縁層１０７を形成することができる。また、本工程においては絶縁層パターン１０２とほぼ同一形状に絶縁性膜１０７を積層するため、レーザ等を用いて開口部を形成した場合に比べ開口部のテーパがほとんどない。そのため開口部を、後述するような、高密度な配線パターン間の接続を得るために必要な微細な接続ビアを設けるためのビア穴として機能させることができる。また、本工程においては、絶縁層パターン１０２と積層した絶縁性膜１０７との相対的な位置ずれが起きないため、高いアライメント精度で高アスペクト比な開口部を形成することができ、後述する配線パターン間の接続における信頼性を向上させることができる。さらに、後述するように、非テーパー形状を有する導電ビア１０９を形成することができる。

本工程において、絶縁性膜１０７は、絶縁層パターン１０２の直上のみに積層されるため、積層された絶縁性膜１０７もまた絶縁層パターン１０２と同様のパターンを有する。このため、絶縁性膜１０７が絶縁層パターン１０２の直上のみに積層されている場合、絶縁層パターン１０２と、当該絶縁層パターン１０２の直上のみに積層された絶縁性膜１０７とを包含して単に絶縁層パターンと呼ぶものとする。

なお、絶縁性膜１０７の形状を保持し、又、開口部１０３内に充填および形成される後述の導電ビア１０９と絶縁性膜１０７との相溶を抑制するため、開口部１０３を有した絶縁性膜１０７を固化させてよい。固化とは、単に固くなる固化だけでなく、インキに含まれる樹脂（ポリマー）成分による硬化も含む概念で用いるものとする。固化方法は、インキまたはその樹脂成分の種類に応じて適宜選択されればよく、例えば、加熱処理法、紫外線照射法、又は電子線照射法等を用いてよい。

次に、図１Ｅに示すように、絶縁層パターン１０２上に形成した絶縁性膜１０７（絶縁層パターン）の上に第２の配線パターン１０８を形成し、更に開口部１０３を介して前記配線パターン１０１と第２の配線パターン１０８とを電気的に接続する導電ビア１０９を形成する。第２の配線パターン１０８の形成工程と、導電ビア１０９の形成工程とは、別々に行ってもよいが、簡便性のさらなる向上の観点から、同時に行うことが好ましい。

第２の配線パターン１０８の形成方法および導電ビア１０９の形成方法としては特に限定されず、それぞれ独立して以下の方法から選択されてよい：スクリーン印刷、グラビア印刷、グラビアオフセット印刷、リバースオフセット印刷、フレキソ印刷、インクジェット法等の印刷方法；スパッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法等の真空成膜法；めっき等の電気化学的な方法；エッチング等のサブトラクティブ法。特には、第２の配線パターン１０８と導電ビア１０９とを同時に形成することが可能となり製造効率が向上するという観点から、導電性インキを用いて印刷法により形成することが好ましい。

前記導電性インキは、例えば金、銀、銅、ニッケル、亜鉛、アルミ、すず、鉄、インジウム、白金、パラジウム、クロム等の金属粒子、これらの群から選択された少なくとも２つの金属粒子から成る合金粒子、導電性酸化物粒子等を溶剤に分散させたものが使用でき、樹脂を含んでもよい。導電性酸化物粒子は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、フッ素ドープ酸化スズ（ＦＴＯ）等から成る群から選択される酸化物の粒子である。又、導電性インキは、比較的低温で熱分解して導電性を供する有機金属錯体等の有機金属塩、導電性高分子等を更に含んで成ってよい。導電性高分子としては、ポリエチレンジオキシチオフェン、ポリスチレンスルホン酸、ポリアニリン等が挙げられる。

なお、第２の配線パターン１０８および／もしくは導電ビア１０９を印刷法により形成する場合においては、印刷後に加熱処理、紫外線照射、又は電子線照射して前記導電性インキを固化させ、第２の配線パターン１０８および／もしくは導電ビア１０９を形成する工程を含むことが好ましい。

以上の工程を経て、本発明の第１実施形態の電子デバイスの製造方法により、電子デバイス１１０を製造することができる。狭義には、本発明の第１実施形態の電子デバイスの製造方法は、当該電子デバイス１１０上に抵抗素子、容量素子、半導体素子等の機能素子を設置する工程を更に含む。

（第２実施形態）
図２Ａ〜図２Ｅは、本発明の第２実施形態における電子デバイスの製造方法を示した工程別断面図である。本実施形態における電子デバイスの製造方法は、絶縁性インキのブランケットへの塗布方法としてスクリーン印刷法を用いること以外、第１実施形態における電子デバイスの製造方法と同様である。

なお、本発明の第２実施形態の電子デバイスの製造方法にて用いる部材の材質、形状、高さ、大きさ等の特徴は、以下に特記すること以外、上記の本発明の第１実施形態の電子デバイスの製造方法におけるものと同じであるため、説明を簡略又は省略するものとする。具体的には、第２実施形態の説明において、基材、配線パターン、絶縁層パターン、開口部、配線基板、ブランケット付版胴、絶縁性インキ、絶縁性膜、第２の配線パターンおよび導電ビアは、以下に特記すること以外、第１実施形態におけるものと同様である。

第２実施形態においては、まず、図２Ａに示すように、基材２００の一表面上に配線パターン２０１が形成され、その上に少なくとも１つの開口部２０３が設けられた絶縁層パターン２０２が形成された配線基板２０４を用意する。

次に、図２Ｂに示すように、表面にブランケットを配置した版胴２０５と、スクリーン版２０６を用意する。スクリーン版２０６を版胴２０５の上方に配置し、版胴２０５上に配置されたブランケットとスクリーン版２０６が接するようにスキージ２０７を押圧しながら版胴を回転させ、同時にスクリーン版２０６を同期させて移動させることで、絶縁性インキ２０８をブランケット上へ一様の厚みに塗布して絶縁性膜２０９を形成する。この時、絶縁性膜２０９は版胴２０５の胴体部の全てもしくは一部に形成してよい。

スクリーン版２０６としてはスクリーン印刷法の分野で使用されているスクリーン版であれば特に限定されず、一般的に用いられる金属メッシュおよび樹脂繊維メッシュを乳剤で部分的にマスキングしたものが使用できる。

次に、図２Ｃおよび図２Ｄに示すように、絶縁層パターン２０２に対して、図２Ｂに示した絶縁層膜２０９が形成されたブランケット付版胴２０５を一方向に回転させることで、絶縁層パターン２０２に対して絶縁性膜２０９を押圧する。それによって絶縁性膜２０９のうち絶縁層パターン２０２と対向する部分の絶縁性膜２０９を選択的に絶縁層パターン２０２上に転写させる。図２Ｃはこのような転写工程の初期を示す概略断面図であり、図２Ｄは当該転写工程の終期を示す概略断面図である。

これにより、絶縁層パターン２０２の直上のみに絶縁性膜２０９を選択的に追加積層することができるため、開口部２０３（図２Ｄ参照）の径に比して厚みの大きな絶縁層２０９を形成することができる。また、本工程においては絶縁層パターン２０２とほぼ同一形状に絶縁性膜２０９を積層するため、レーザ等を用いて開口部を形成した場合に比べ開口部のテーパがほとんどない。そのため開口部を、後述するような、高密度な配線パターン間の接続を得るために必要な微細な接続ビアを設けるためのビア穴として機能させることができる。また、本工程においては、絶縁層パターン２０２と積層した絶縁性膜２０９との相対的な位置ずれが起きないため、高いアライメント精度で高アスペクト比な開口部を形成することができ、後述する配線パターン間の接続における信頼性を向上させることができる。さらに、後述するように、非テーパー形状を有する導電ビア２１１を形成することができる。

本工程において、絶縁性膜２０９は、絶縁層パターン２０２の直上のみに積層されるため、積層された絶縁性膜２０９もまた絶縁層パターン２０２と同様のパターンを有する。このため、絶縁性膜２０９が絶縁層パターン２０２の直上のみに積層されている場合、絶縁層パターン２０２と、当該絶縁層パターン２０２の直上のみに積層された絶縁性膜２０９とを包含して単に絶縁層パターンと呼ぶものとする。

なお、絶縁性膜２０９の形状を保持し、又、開口部２０３内に充填および形成される後述の導電ビア２１１と絶縁性膜２０９との相溶を抑制するため、開口部２０３を有した絶縁性膜２０９を加熱処理、紫外線照射、又は電子線照射して固化させてよい。

次に、図２Ｅに示すように、絶縁層パターン２０２上に形成した絶縁性膜２０９（絶縁層パターン）の上に第２の配線パターン２１０を形成し、更に開口部２０３を介して前記配線パターン２０１と第２の配線パターン２１０とを電気的に接続する導電ビア２１１を形成する。第２の配線パターン２１０の形成工程と、導電ビア２１１の形成工程とは、別々に行ってもよいが、簡便性のさらなる向上の観点から、同時に行うことが好ましい。

なお、第２の配線パターン２１０および／もしくは導電ビア２１１を印刷法により形成する場合においては、印刷後に加熱処理、紫外線照射、又は電子線照射して前記導電性インキを固化もしくは硬化させ、第２の配線パターン２１０および／もしくは導電ビア２１１を形成する工程を含むことが好ましい。

以上の工程を経て、本発明の第２実施形態の電子デバイスの製造方法により、電子デバイス２１２を製造することができる。狭義には、本発明の第２実施形態の電子デバイスの製造方法は、当該電子デバイス２１２上に抵抗素子、容量素子、半導体素子等の機能素子を設置する工程を更に含む。

本実施形態よれば、第１実施形態で示したコーティング方法ではコーティングすることが困難な高粘度な絶縁性インキを使用することができる。それにより、絶縁層２０９の厚みを厚くすることができるため、更に高アスペクト比を持つ開口部２０３を形成することができ、ひいては高アスペクト比を持つ導電ビア２１１を形成することが可能になる。

（第３実施形態）
図３Ａ〜図３Ｅは、本発明の第３実施形態における電子デバイスの製造方法を示した工程別断面図である。本実施形態における電子デバイスの製造方法は、配線基板を構成する基材のフレキシブル特性を利用して、ブランケット付版胴とシリンダとの間で、ブランケット上の絶縁性膜の絶縁性パターンへの転写を行うこと以外、第１実施形態における電子デバイスの製造方法と同様である。

なお、本発明の第３実施形態の電子デバイスの製造方法にて用いる部材の材質、形状、高さ、大きさ等の特徴は、以下に特記すること以外、上記の本発明の第１実施形態の電子デバイスの製造方法におけるものと同じであるため、説明を簡略又は省略するものとする。具体的には、第３実施形態の説明において、配線パターン、絶縁層パターン、開口部、配線基板、ブランケット付版胴、絶縁性インキ、絶縁性膜、第２の配線パターンおよび導電ビアは、以下に特記すること以外、第１実施形態におけるものと同様である。第３実施形態において、特に基材はフレキシブル特性を有すること以外、第１実施形態の基材と同様である。

第３実施形態においては、まず、図３Ａに示すように、フレキシブル基材３００の一表面上に配線パターン３０１が形成され、その上に少なくとも１つの開口部３０３が設けられた絶縁層パターン３０２が形成されたフレキシブル配線基板３０４を用意する。

フレキシブル基材３００としては、電気的絶縁性、平坦性に加えてフレキシブル性があればよく、特に限定されない。フレキシブル基材３００の具体例として、例えば極薄板ガラス、シリコンといった無機系材料や、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂といった有機材料、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＩ（ポリイミド）、ＰＡ（ポリアミド）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＳ（ポリスチレン）、ＰＡＮ（ポリアクリロニトリル）、ＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル）、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルフォン）、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）、ポリオレフィン等の有機フィルム材料、およびこれらの群から選ばれた２種類以上の複合材料が使用できる。

次に、図３Ｂに示すように、表面にブランケットを配置した版胴３０５の前記ブランケット上に、コーティング装置３０６を用いて絶縁性インキを塗布して絶縁性膜３０７を形成する。この時、絶縁性膜３０７は版胴３０５の胴体部の全てもしくは一部に形成してよい。

次に、図３Ｃおよび図３Ｄに示すように、フレキシブル配線基板３０４を絶縁層パターン３０２面が表面となるようにしてシリンダ３０８上に配置する。更に図３Ｂに示した絶縁性膜３０７が形成されたブランケット付版胴３０５を絶縁層パターン３０２に対して所望の間隔で近接させる。そして版胴３０５およびシリンダ３０８を一方向に回転させることで、絶縁層パターン３０２に対して絶縁性膜３０７を押圧する。それによって、絶縁性膜３０７のうち絶縁層パターン３０２と対向する部分の絶縁性膜３０７を選択的に絶縁層パターン３０２上に転写させる。これにより、後述するように、非テーパー形状を有する導電ビア３１０を形成することができる。図３Ｃはこのような転写工程の初期を示す概略断面図であり、図３Ｄは当該転写工程の終期を示す概略断面図である。

本工程において、絶縁性膜３０７は、絶縁層パターン３０２の直上のみに積層されるため、積層された絶縁性膜３０７もまた絶縁層パターン３０２と同様のパターンを有する。このため、絶縁性膜３０７が絶縁層パターン３０２の直上のみに積層されている場合、絶縁層パターン３０２と、当該絶縁層パターン３０２の直上のみに積層された絶縁性膜３０７とを包含して単に絶縁層パターンと呼ぶものとする。

なお、絶縁性膜３０７の形状を保持し、又、後述の開口部３０３に充填する導電ビア３１０と絶縁性膜３０７との相溶を抑制するため、開口部３０３を有した絶縁性膜３０７を加熱処理、紫外線照射、又は電子線照射して固化させてよい。

次に、図３Ｅに示すように、絶縁層パターン３０２上に形成した絶縁性膜３０７（絶縁層パターン）の上に第２の配線パターン３０９を形成し、更に開口部３０７を介して前記配線パターン３０１と第２の配線パターン３０９とを電気的に接続する導電ビア３１０を形成する。第２の配線パターン３０９の形成工程と、導電ビア３１０の形成工程とは、別々に行ってもよいが、簡便性のさらなる向上の観点から、同時に行うことが好ましい。

なお、第２の配線パターン３０９および／もしくは導電ビア３１０を印刷法により形成する場合においては、印刷後に加熱処理、紫外線照射、又は電子線照射して前記導電性インキを固化もしくは硬化させ、第２の配線パターン３０９および／もしくは導電ビア３１０を形成する工程を含むことが好ましい。

以上の工程を経て、本発明の第３実施形態の電子デバイスの製造方法により、電子デバイス３１１を製造することができる。狭義には、本発明の第３実施形態の電子デバイスの製造方法は、当該電子デバイス３１１上に抵抗素子、容量素子、半導体素子等の機能素子を設置する工程を更に含む。

なお、図３においてフレキシブル配線基板３０４および電子デバイス３１１は個片状に示されているが、その形状に限定されるものではなく、フィルム状やストリップ状であるものやそれらをロール状に巻き取ったものを含む。またフレキシブル配線基板３０４上に電子デバイス３１１が複数個形成されていてもよい。

本実施形態によれば、電子デバイスがフレキシブルな場合において容易に生産することができる。またロール状あるいはストリップ状の配線基板を使用することで、配線基板のフレキシブル性を利用して半連続的に搬送しながら印刷することが可能となるため、生産性を高めることが可能となる。

（第４実施形態）
図４Ａ〜図４Ｅは、本発明の第４実施形態における電子デバイスの製造方法を示した工程別断面図である。本実施形態における電子デバイスの製造方法は、配線基板を構成する基材のフレキシブル特性を利用して、ブランケット付平板とシリンダとの間で、ブランケット上の絶縁性膜の絶縁性パターンへの転写を行うこと以外、第３実施形態における電子デバイスの製造方法と同様である。

なお、本発明の第４実施形態の電子デバイスの製造方法にて用いる部材の材質、形状、高さ、大きさ等の特徴は、以下に特記すること以外、上記の本発明の第３実施形態の電子デバイスの製造方法におけるものと同じであるため、説明を簡略又は省略するものとする。具体的には、第４実施形態の説明において、基材、配線パターン、絶縁層パターン、開口部、配線基板、絶縁性インキ、絶縁性膜、第２の配線パターンおよび導電ビアは、以下に特記すること以外、第３実施形態におけるものと同様である。第４実施形態において、特にブランケット付平板は平板形状を有すること以外、第３実施形態のブランケット付版胴と同様である。

第４実施形態においては、まず、図４Ａに示すように、フレキシブル基材４００の一表面上に配線パターン４０１が形成され、その上に少なくとも１つの開口部４０３が設けられた絶縁層パターン４０２が形成されたフレキシブル配線基板４０４を用意する。

次に、図４Ｂに示すように、表面にブランケットを配置した平板４０５の前記ブランケット上に、コーティング装置４０６を用いて絶縁性インキを塗布して絶縁性膜４０７を形成する。この時、絶縁性膜４０７は平板４０５上の全てもしくは一部に形成してよい。

次に、図４Ｃおよび図４Ｄに示すように、フレキシブル配線基板４０４を絶縁層パターン４０２面が表面となるようにしてシリンダ４０８上に配置する。更に図４Ｂに示した絶縁性膜４０７が形成されたブランケット付平板４０５を絶縁層パターン４０２に対して所望の間隔で近接させる。そしてシリンダ４０８を一方向に回転させながら、平板４０５もしくはシリンダ４０８を移動させることで、絶縁層パターン４０２に対して絶縁性膜４０７を押圧する。それによって、絶縁性膜４０７のうち絶縁層パターン４０２と対向する部分の絶縁性膜４０７を選択的に絶縁層パターン４０２上に転写させる。これにより、後述するように、非テーパー形状を有する導電ビア４１０を形成することができる。図４Ｃはこのような転写工程の初期を示す概略断面図であり、図４Ｄは当該転写工程の終期を示す概略断面図である。

本工程において、絶縁性膜４０７は、絶縁層パターン４０２の直上のみに積層されるため、積層された絶縁性膜４０７もまた絶縁層パターン３０２と同様のパターンを有する。このため、絶縁性膜４０７が絶縁層パターン４０２の直上のみに積層されている場合、絶縁層パターン４０２と、当該絶縁層パターン４０２の直上のみに積層された絶縁性膜４０７とを包含して単に絶縁層パターンと呼ぶものとする。

なお、絶縁性膜４０７の形状を保持し、又、絶縁性膜４０７の開口部４０３に充填する導電ビア４１０と絶縁性膜４０７との相溶を抑制するため、開口部４０３を有した絶縁性膜４０７を加熱処理、紫外線照射、又は電子線照射して固化させてよい。

次に、図４Ｅに示すように、絶縁層パターン４０２上に形成した絶縁性膜４０７（絶縁層パターン）の上に第２の配線パターン４０９を形成し、更に開口部４０３を介して前記配線パターン４０１と第２の配線パターン４０９とを電気的に接続する導電ビア４１０を形成する。第２の配線パターン４０９の形成工程と、導電ビア４１０の形成工程とは、別々に行ってもよいが、簡便性のさらなる向上の観点から、同時に行うことが好ましい。

なお、第２の配線パターン４０９および／もしくは導電ビア４１０を印刷法により形成する場合においては、印刷後に加熱処理、紫外線照射、又は電子線照射して前記導電性インキを固化もしくは硬化させ、第２の配線パターン４０９および／もしくは導電ビア４１０を形成する工程を含むことが好ましい。

以上の工程を経て、本発明の第４実施形態の電子デバイスの製造方法により、電子デバイス４１１を製造することができる。狭義には、本発明の第４実施形態の電子デバイスの製造方法は、当該電子デバイス４１１上に抵抗素子、容量素子、半導体素子等の機能素子を設置する工程を更に含む。

なお、図４においてフレキシブル配線基板４０４および電子デバイス４１１は個片状に示されているが、その形状に限定されるものではなく、フィルム状やストリップ状であるものやそれらをロール状に巻き取ったものを含む。またフレキシブル配線基板４０４上に電子デバイス４１１が複数個形成されていてもよい。

本実施形態によれば、電子デバイスがフレキシブルな場合において容易に生産することができる。またロール状あるいはストリップ状の配線基板を使用することで、配線基板のフレキシブル性を利用して半連続的に搬送しながら印刷することが可能となるため、生産性を高めることが可能となる。

（第５実施形態）
図５Ａ〜図５Ｄは、本発明の第５実施形態における配線基板の製造方法を示した工程別断面図である。本発明の第５実施形態における配線基板の製造方法により、第１実施形態〜第４実施形態における配線基板１０４、２０４、３０４、４０４を製造することができる。本発明の第５実施形態の配線基板の製造方法にて用いる部材の材質、形状、高さ、大きさ等の特徴は、上記の本発明の第１実施形態の電子デバイスの製造方法におけるものと同じであるため、説明を簡略又は省略するものとする。第５実施形態において、特にブランケット付版胴５００は第１実施形態のブランケット付版胴１０５と同様である。

まず、後述の転写工程（図５（Ｃ）参照）において使用される配線基板前駆体を用意する。配線基板前駆体は、図５Ｃに示すように、基材５０５の少なくとも一表面上に配線パターン５０６が形成されたものである。配線パターンの形成に際しては、第１実施形態における基板、第２の配線パターンの形成方法および導電性インキが使用可能である。

次に、図５Ａに示すように、表面にブランケットを配置した版胴５００の前記ブランケット上に、コーティング装置５０１を用いて絶縁性インキを塗布して絶縁性膜５０２を形成する。この時、絶縁性膜５０２は版胴５００の胴体部の全てもしくは一部に形成してよい。絶縁性インキは第１実施形態で使用され得る絶縁性インキが使用可能である。本実施形態において絶縁性インキは、第１〜第４実施形態の各実施形態で使用される絶縁性インキと同じものを使用してもよいし、または異なるものを使用してもよいが、電子デバイスの製造容易性の観点から、各実施形態で使用される絶縁性インキと同じものを使用することが好ましい。

次に、図５Ｂに示すように、ブランケット付版胴５００のブランケット上の絶縁性膜５０２に凸版部材を押印して、絶縁性膜５０２のうち該凸版部材の凸部と対向する部分の絶縁性膜５０２を除去する。これにより、ブランケット付版胴５００のブランケット上に少なくとも１つの開口部５０４を有した絶縁性膜５０２を形成する。詳しくは、表面に凸部を備えた凸版部材５０３に対して絶縁性膜５０２を有したブランケット付版胴５００を一方向に回転させることで、絶縁性膜５０２に対して凸版部材２０３を押圧する。それによって、絶縁性膜５０２のうち凸版部材５０３と対向する部分の絶縁性膜５０２を除去する。具体的には、凸版部材５０３の凸部と対向する部分の絶縁性膜５０２を、ブランケット付版胴５００のブランケット部面が露出するように除去する。

これにより、除去した絶縁性膜５０２は凸版部材５０３の凸部上に移る一方で、ブランケット付版胴５００上には、ブランケット部面が部分的に露出した絶縁性膜５０２を形成することができる。ブランケット付版胴５００のブランケット部面が露出するように絶縁性膜５０２を除去した部分は、後述の導電ビアを設けるための開口部として機能させることができる。すなわち、本工程において、後述の導電ビアを設けるための開口部５０４を有した絶縁性膜５０２を形成することができる。

凸版部材５０３の凸部の高さは、凸版部材５０３の凸部と対向する部分の絶縁性膜５０２の厚みよりも高い。これにより、ブランケット付版胴５００のブランケット部面が露出するように、凸版部材５０３の凸部と対向する部分の絶縁性膜５０２を確実に除去することができる。又、凸版部材５０３の凸部の形状は、特に限定されるものではないが、所望の開口部５０４の形状に対応するものであればよく、例えば、円柱、四角柱、又はこれらの組み合わせであってよい。

凸版部材５０３の凸部の材質としては、シリコンウエハ、石英ガラス、無アルカリガラス、ソーダガラス等の無機化合物、ニッケル、銅、ステンレス鋼等の金属、又は樹脂が好ましい。又、凸版部材５０３の凸部の形成方法としては、特に限定されるものではないが、化学的方法又は物理的方法による平坦部材のエッチング、モールディング、電鋳等が挙げられる。

次に、図５Ｃに示すように、開口部５０４が前記配線基板前駆体（一表面上に配線パターン５０６が形成された基材５０５）の配線パターン部５０６と対向するように、ブランケット上の絶縁性膜５０２を配線基板前駆体に転写する。詳しくは、配線基板前駆体（一表面上に配線パターン５０６が形成された基材５０５）に対して、図５Ｂに示した絶縁性膜５０２が形成されたブランケット付版胴５００を、開口部５０４が配線パターン５０２上の所望の位置に対向するように位置合わせしながら一方向に回転させる。これにより、配線パターン５０６に対して絶縁性膜５０２を押圧し、絶縁性膜５０２を配線パターン５０６および基材５０５上に転写させる。この時ブランケット付版胴５００は、（１）基材５０５の長手方向に平行な方向に基材５０５上にて回転させて、絶縁性膜５０２を配線パターン５０６上に順次移しつつ、（２）基材５０５および絶縁性膜５０２に対して加圧し、配線パターン５０６の間隙部分にある基材５０５を絶縁性膜５０２で封止する機能を有する。

なお、絶縁性膜５０２および開口部５０４の形状を保持するために、開口部５０４を有した絶縁性膜５０２を加熱処理、紫外線照射、又は電子線照射して固化させてよい。

以上の工程を経て、図５Ｄに示すような、絶縁性膜５０２を硬化させた絶縁層パターン５０７によって配線パターン５０６がその間隙部分まで封止され、絶縁層パターン５０７の開口部５０４が配線パターン５０６上に形成された配線基板５０８を製造することができる。

本実施形態で形成した配線基板５０８を、上記の第１〜第４実施形態で使用される各配線基板およびフレキシブル配線基板として用い、第５実施形態と各第１〜４実施形態を一連の工程として実施してもよい。

本実施形態によれば、本発明の各第１〜４実施形態に好適に使用することができる微細な開口部を持つ配線基板を、他の方式に対して容易に得ることが可能になる。また本実施形態によれば、ブランケット付版胴５００やコーティング装置５０１として第１実施形態および第３実施形態で用いられる部材と共通化することができる。

（第６実施形態）
本実施形態に係る電子デバイスの製造方法おいては、第１〜第４実施形態において、ブランケット上の絶縁性膜の絶縁層パターンへの転写工程の後、ブランケット上への絶縁性膜の形成工程、および上記転写工程を繰り返すことにより、アスペクト比がより大きな導電ビアを形成することができる。本実施形態に係る電子デバイスの製造方法は、ブランケット上の絶縁性膜の絶縁層パターンへの転写工程の後、ブランケット上への絶縁性膜の形成工程、および上記転写工程を繰り返すこと以外、第１〜第４実施形態に係る電子デバイスの製造方法と同様である。

具体的には、例えば、第１実施形態において、ブランケット上の絶縁性膜１０７の絶縁層パターン１０２への転写工程の後、ブランケット上への絶縁性膜の形成工程、および上記転写工程を繰り返すと、図６Ａに示すように、１回目の転写工程で転写された絶縁性膜１０７ａの上に、２回目の転写工程で転写された絶縁性膜１０７ｂが形成される。図６Ａは、２回目の転写工程を示しているが、本実施形態においては合計３回以上の転写工程を行ってもよい。

最後の転写工程を行った後は、例えば図６Ｂに示すように、絶縁層パターン１０２上に形成した絶縁性膜１０７ａおよび１０７ｂ（絶縁層パターン）の上に第２の配線パターン１０８を形成し、更に開口部１０３を介して前記配線パターン１０１と第２の配線パターン１０８とを電気的に接続する導電ビア１０９を形成する。本工程は、第１実施形態における第２の配線パターンおよび導電ビアの形成工程と同様の方法により行えばよい。

（第７実施形態）
本実施形態は電子デバイスに関するものであり、第１〜第４実施形態または第６実施形態に係る電子デバイスの製造方法により得ることができる。

本実施形態の電子デバイスは、例えば図７に示すように、少なくとも基材（１００、２００、３００、４００）、当該基材の少なくとも一表面上に形成された配線パターン（１０１、２０１、３０１、４０１）、当該配線パターン上に形成された少なくとも１つの開口部を設けた絶縁層パターン（１０２、１０７、２０２、２０９、３０２、３０７、４０２、４０７）、当該絶縁層パターン上に形成された第２の配線パターン（１０８、２１０、３０９、４０９）、および前記絶縁層パターンの開口部内に形成され、前記配線パターンと前記第２の配線パターンとを電気的に接続する導電ビア（１０９、２１１、３１０、４１０）を有する。図７は、電子デバイスにおける導電ビア近傍の拡大断面図である。

本実施形態において導電ビア（１０９等）は非テーパー形状を有するものであり、すなわち導電ビアの側面は、絶縁層パターン（１０２，１０７等）の厚み方向（積層方向）と平行に延在している。詳しくは導電ビアの幅寸法は、当該導電ビアの高さ方向（すなわち、絶縁層パターンの厚み方向）について一定である。

導電ビア（１０９等）は、配線パターン（１０１等）の一部とともに、絶縁層パターン（１０２，１０７等）中に埋封されている。導電ビア（１０９等）の頂面８０２は、絶縁層パターン（１０７等）の第２配線パターン（１０８等）側表面と面一であり、すなわち導電ビア（１０９等）の頂面８０２は、絶縁層パターン（１０７等）の第２配線パターン（１０８等）側表面と同一平面を形成する。

本実施形態の電子デバイスは導電ビア１０９、２１１、３１０、４１０が高アスペクト比を有し得る。詳しくは、図７に示すように、導電ビアの底面８０１における幅（底面幅）をｘ、高さをｈとしたときの比（ｈ／ｘ）は１よりも大きく、通常は５よりも小さい。好ましいｈ／ｘ比は１超３以下である。アスペクト比が１よりも大きなビアを形成することは一般的な方法では難しいが、このように、本発明によれば比較的容易に形成することができる。これにより、電子デバイスを高精細化し高密度化することができる。本発明においてはアスペクト比が１よりも大きくなければならないというわけではなく、１以下、例えば０．５〜１であってもよい。

本実施形態において導電ビア（１０９等）の底面８０１とは、導電ビアにおける配線パターン（１０１等）との接触面である。導電ビアの底面幅ｘは、任意の断面における導電ビアの底面８０１の幅（幅方向長さ）である。導電ビアが円柱形状を有する場合、底面幅ｘは底面８０１における直径を意味する。導電ビアの底面幅ｘは、配線基板における絶縁層パターンの開口部の大きさを調整することにより制御することができ、例えば２〜３０μｍとすることができる。

導電ビア（１０９等）の高さｈは底面８０１から後述する頂面８０２までの距離であり、絶縁層パターン（１０２、１０７等）の厚み方向の長さを意味する。導電ビアの高さｈは、絶縁層パターン（１０２、１０７等）の厚みおよび絶縁層パターンの層数（すなわち、ブランケット上への絶縁性膜の形成工程および転写工程の繰り返し回数）を調整することにより制御することができる。導電ビアの高さｈは、例えば転写された絶縁層パターン（１０７等）が１層のときで０．２〜４μｍとすることができる。導電ビアの高さｈは、転写された絶縁層パターンの層数を調整することによりさらに大きな値に制御することができる。

本実施形態の電子デバイスはまた、図７に示すように、導電ビア１０９、２１１、３１０、４１０の底面８０１における幅（底面幅）をｘ、頂面８０２における幅（頂面幅）をｙとしたときの比（ｙ／ｘ）は０．８〜１．２、特に０．９〜１．１であることが好ましい。

本実施形態において導電ビア（１０９等）の頂面８０２は、導電ビアにおける第２の配線パターン（１０８等）との接触面である。導電ビアの頂面幅ｙは、任意の断面における導電ビアの頂面８０２の幅（幅方向長さ）である。例えば、導電ビアが円柱形状を有する場合、頂面幅ｙは頂面８０２における導電ビアの直径を意味する。

本実施形態の電子デバイスにおいては、導電ビアの底面８０１における幅（底面幅）をｘ、導電ビアの最大幅をｚとしたときの比（ｚ／ｘ）は１〜１．２、特に１〜１．１であることが好ましい。

本実施形態において導電ビアの最大幅ｚとは、導電ビアの底面幅ｘを規定する同様の断面において、底面８０１から頂面８０２までの幅のうち最大の幅のことである。

本実施形態の電子デバイスは、導電ビアが上記のように高アスペクト比を有し、かつ高精細化および高密度化され得るため、導電ビアを低抵抗化しつつ、狭ピッチで形成することができる。例えば、レーザビーム法またはエッチング法により導電ビア用の穴を形成して導電ビアを形成する場合、導電ビア用の穴は第２配線パターン側の入口部が広がってテーパー形状を有する。このため、ｈ／ｘは本実施態様の上記範囲よりも大きくなり、ｙ／ｘおよびｚ／ｘはそれぞれ本実施態様の上記範囲よりも大きくなる。

（実施例１）
第１実施形態においてブランケット上への絶縁性膜の形成工程（インキング工程）および転写工程を繰り返すことにより、電子デバイスを製造した。
詳しくは、厚み１２５μｍのＰＥＮフィルムを基材として用い、その一表面上にＡｇを用いて配線パターンが形成され、その上に直径１０μｍの開口部が設けられた厚み３μｍの絶縁層パターンが形成された配線基板を用意した。
金属製の版胴にシリコーン樹脂からなるブランケットを配置し、その上にポリビニルフェノール樹脂を主成分とする絶縁性インキをスリットコーターを用いて塗布して絶縁層膜を形成した。
次に、上記配線基板を平板上に固定し、その上に絶縁性インキを塗布したブランケット付版胴を接触させ、配線基板上で回転させて絶縁層パターン上に絶縁性インキを選択的に転写させた。
上記のインキング工程と転写工程をさらに５回繰り返し、最後に配線基板を１５０℃で熱処理して絶縁層膜を固化させた。その後、Ａｇフィラーとエポキシ樹脂を主成分とする導電性インキをスクリーン印刷法で配線基板上に印刷し、１５０℃で硬化させて第２の配線パターンおよび導電ビアを形成し、これにより電子デバイスを完成させた。
電子デバイスにおける任意の１０個の導電ビアの寸法を断面計測により測定し、平均値を求めた。
ｘ＝１０μｍ；
ｙ＝１１μｍ；
ｚ＝１１μｍ；
ｈ＝２５μｍ；
ｈ／ｘ＝２．５；
ｙ／ｘ＝１．１；
ｚ／ｘ＝１．１。

（実施例２）
インキング工程および転写工程をそれぞれ１回ずつだけ行うこと、および配線基板における絶縁層パターンの開口部の直径を３μｍとしたこと以外、実施例１と同様の方法により、電子デバイスを製造した。
電子デバイスにおける任意の１０個の導電ビアの寸法を断面計測により測定し、平均値を求めた。
ｘ＝３μｍ；
ｙ＝３．３μｍ；
ｚ＝３．３μｍ；
ｈ＝６μｍ；
ｈ／ｘ＝２；
ｙ／ｘ＝１．１；
ｚ／ｘ＝１．１。

本発明の実施形態の電子デバイスの製造方法は、表示装置、例えば、液晶表示装置、有機ＥＬ表示装置、電気泳動式表示装置、電子粉流体式表示装置、マイクロカプセル式表示装置、エレクトロクロミック式表示装置、エレクトロウェッティング式表示装置、および物理センサ、化学センサ、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、ＲＦＩＤタグ、ロジック回路、メモリ、電力伝送デバイス、タッチパネル、電磁遮蔽部材、フレキシブル配線板（ＦＰＣ）、回路基板等に利用することができる。

１００、２００、３００、４００、５０５：基材
１０１、２０１、３０１、４０１、５０６：配線パターン
１０２、１０７、２０２、２０９、３０２、３０７、４０２、４０７、５０７：絶縁層パターン
１０３、２０３、３０３、４０３、５０４：開口部
１０４、２０４、５０８：配線基板
１０５、２０５、３０５、４０４、５００：ブランケット付版胴
１０６、３０６、４０６、５０１：コーティング装置
１０７、２０９、３０７、４０７、５０２：絶縁性膜
１０８、２１０、３０９、４０９：第２の配線パターン
１０９、２１１、３１０、４１０：導電ビア
１１０、２１２、３１１、４１１：電子デバイス
２０６：スクリーン版
２０７：スキージ
２０８：絶縁性インキ
３００、４００：フレキシブル基材
３０４、４０４：フレキシブル配線基板
３０８、４０８：シリンダ
４０５：ブランケット付平板
５０３：凸版部材

Claims (12)

1. 基材の少なくとも一表面上に、配線パターンと、前記配線パターン上に少なくとも１つの開口部を設けた絶縁層パターンとが形成された配線基板を用意する工程と、
   ブランケットを設置した版胴の前記ブランケット上に絶縁性インキを塗布して絶縁性膜を形成する工程と、
   前記配線基板の前記絶縁層パターンと前記絶縁層膜を接触させて前記絶縁性膜を前記絶縁層パターン上に転写する工程と
   を含む電子デバイスの製造方法。
2. 前記絶縁層パターン上に第２の配線パターンを形成する工程と、
   前記絶縁層パターンの前記開口部を介して前記配線パターンと前記第２の配線パターンとを電気的に接続する導電ビアを形成する工程と
   を更に含む、請求項１に記載の電子デバイスの製造方法。
3. 前記ブランケットを設置した版胴の前記ブランケット上に絶縁性インキを塗布して絶縁性膜を形成する工程において、
   前記絶縁性インキの塗布方法がスクリーン印刷法である、
   請求項１もしくは請求項２のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
4. 前記配線基板がフレキシブル基板である、
   請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
5. ブランケットを設置した版胴を、ブランケットを設置した平板に置き換えた、
   請求項１〜４のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
6. 前記配線基板を用意する工程において、
   基材の少なくとも一表面上に配線パターンが形成された配線基板前駆体を用意する工程と、
   ブランケットを設置した版胴の前記ブランケット上に絶縁性膜を形成する工程と、
   前記絶縁性膜に凸版部材を押印して、前記絶縁性膜のうち該凸版部材の凸部と対向する部分の前記絶縁性膜を除去することで、前記版胴の前記ブランケット上に少なくとも１つの開口部を有した前記絶縁性膜を形成する工程と、
   前記開口部が前記配線基板前駆体の配線パターン部と対向するように前記絶縁性膜を前記配線基板前駆体に転写する工程と
   を含む請求項１に記載の電子デバイスの製造方法。
7. 前記絶縁層パターンの開口部内に導電ビアを形成する工程をさらに有し、
   該導電ビアの形成工程において、導電ビアの側面が前記絶縁層パターンの厚み方向と平行に延在するように、導電ビアを形成する、
   請求項１〜６のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
8. 前記導電ビアの底面幅ｘに対する高さｈの比（ｈ／ｘ）が１よりも大きい、請求項１〜７のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
9. 前記導電ビアの底面幅ｘに対する頂面幅ｙの比（ｙ／ｘ）が０．８〜１．２である、
   請求項１〜８のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
10. 少なくとも基材、該基材の少なくとも一表面上に形成された配線パターン、該配線パターン上に形成された少なくとも１つの開口部を設けた絶縁層パターン、該絶縁層パターン上に形成された第２の配線パターン、および前記絶縁層パターンの開口部内に形成され、前記配線パターンと前記第２の配線パターンとを電気的に接続する導電ビアを有する電子デバイスであって、
    前記導電ビアの側面が、前記絶縁層パターンの厚み方向と平行に延在している、電子デバイス。
11. 前記導電ビアの底面幅ｘに対する高さｈの比（ｈ／ｘ）が１よりも大きい、請求項１０に記載の電子デバイス。
12. 前記導電ビアの底面幅ｘに対する頂面幅ｙの比（ｙ／ｘ）が０．８〜１．２である、請求項１０または１１に記載の電子デバイス。

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