JP2016205934A - 気密封止デバイスの製造方法 - Google Patents
気密封止デバイスの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016205934A JP2016205934A JP2015086094A JP2015086094A JP2016205934A JP 2016205934 A JP2016205934 A JP 2016205934A JP 2015086094 A JP2015086094 A JP 2015086094A JP 2015086094 A JP2015086094 A JP 2015086094A JP 2016205934 A JP2016205934 A JP 2016205934A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure
- temperature
- heating
- manufacturing
- anodic bonding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 50
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 abstract description 7
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 39
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 37
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 37
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 26
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 25
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 23
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000004092 self-diagnosis Methods 0.000 description 9
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Abstract
Description
[気密封止デバイスの構成]
図1は、第1の実施形態に係る陽極接合型気密封止デバイスの一例を示す平面図である。図2は、図1のII−II線に沿った断面図である。図1、図2では、気密封止デバイスとして、容量型加速度センサを例示している。各図において、シリコン基板15の面内方向をX方向およびY方向とし、シリコン基板15に垂直な方向をZ方向とする。X方向は、アンカー3A,3Bを結ぶ方向である。
図3は、容量型加速度センサにおける静電容量変化の測定原理について説明するための図である。図3を参照して、加速度の大きさに応じて、電極パット10,11間の容量値と、電極パッド12,11間の容量値とが変化する。この容量の変化を検出するために、容量を電圧に変換する容量−電圧変換回路22が用いられる。
次に、図1および図2の気密封止デバイスの製造法について述べる。
図7は、加速度センサの感度周波数特性と封止圧力との関係を示す図である。図7を参照して、横軸は、加速度センサ1を振動させたときの振動周波数を示し、縦軸はセンサの感度(たとえば、図3の出力電圧Vout)を示す。グラフ(a)が最も圧力が低い場合の感度周波数特性であり、グラフ(c)が最も圧力が高い場合の感度周波数特性である。
次に、封止圧力の調整方法について説明する。大気圧下450℃でガラスキャップ19を接合枠2に陽極接合した場合、室温での密閉空間(図2の20)の圧力は、陽極接合時の温度および圧力に応じた値(大気圧より低圧の負圧)になるはずである。すなわち、陽極接合時の雰囲気圧力を大気圧(101kPa)とし、接合温度を450℃(=723K)とし、室温を25℃(=298K)とすると、陽極接合後の室温での密閉空間20の圧力Pはボイル・シャルルの法則に従って、
P=101kPa×293/723=42kPa …(2)
となるはずである。しかしながら、実際の密閉空間20の圧力は10〜15kPaとなり、上記の推定圧力よりもさらに低圧となる。ところが、陽極接合後に気密封止デバイス1をアニールすると、密閉空間の20の圧力は10〜15kPaから増加する。
以上のとおり、第1の実施形態による気密封止デバイスの製造方法によれば、ガラス製覆いと半導体基板とを大気圧下で陽極接合した後、陽極接合時の温度よりも低い温度で気密封止デバイスを加熱(アニール)する。陽極接合中には、密閉空間のガスがガラス表面に吸着される。そして、陽極接合後の加熱工程では加熱温度に応じて吸着ガスが放出されることによって、加熱温度が増加するほど密閉容器内の圧力が上昇する。この性質を利用して加熱温度を制御することにより、密閉空間の圧力を所望の圧力となるように調整できる。アニール工程での加熱温度は、陽極接合温度以下の温度であるので、ガラスの歪み点温度より当然に低くなるためにガラスキャップに歪みを発生させない。
陽極接合時(図6のステップST120,ST130)のガス雰囲気を大気ではなく、不活性ガス(すなわち、窒素、またはアルゴンなど希ガス、またはこれらの混合物)とすれば、酸化によるデバイス構造体(慣性力検知部7)の劣化を防ぐことができる。
第3の実施形態では、図7に例示した感度周波数特性を測定しながら、アニール工程(図6のステップST100)を実行することによってアニール温度を最適化し、これによって最適の感度周波数特性が得られるようにしたものである。以下、図面を参照して詳しく説明する。
図9は、第3の実施形態において、感度周波数特性の測定法を説明するための図である。図9に示すように、電極パッド9と電極パッド11との間に周波数可変の交流電源21が接続される。これによって、自己診断電極6Cと可動質量体5の間に交流電圧が印加されるので、両電極間の静電力によって可動質量体5が周期的に変位する。図9の加速度センサでは、さらに、図3で説明した容量−電圧変換回路22が接続されている。変換後の出力電圧Voutは、FFT(Fast Fourier Transform)アナライザ23に入力される。
Vac=Ac×sin(2π・F・t) …(3)
で表される。自己診断電極6Cと可動質量体5との間に生じる静電力Feは、印加電圧Vacの2条に比例するので、
Fe∝Vac2=Ac2・sin2(2π・F・t)
=Ac2・1/2・(1−cos(4π・F・t)) …(4)
で表される。上式および図10から明らかように、可動質量体5は、印加電圧Vacの周波数Fの2倍の周波数で振動する。したがって、交流電源21の周波数Fを走査しながら、可動質量体5と検出電極6A,6Bとの間の静電容量の変化に基づくセンサ出力Voutの変化、特にその2×Fの周波数成分の変化を測定すれば、加速度センサ1の感度周波数特性を測定することができる。
図11は、第3の実施形態による気密封止デバイスの製造方法において、アニール工程の詳細を示すフローチャートである。図6のフローチャートのうちステップST100〜ST130は第3の実施形態でも同じである。
このように第3の実施形態による気密封止デバイスの製造方法によれば、感度周波数特性を測定しながらアニール工程を実行することによって、アニール温度(結果として最適な密閉空間の圧力)を最適化することができる。特に、同一ウエハ内の素子間の個体差(ばらつき)が大きい場合には、素子分離後に個別に上記の方法で密閉空間の圧力調整を行えば、個体差のない同一の感度周波数特性を有するMEMSデバイスを製造できる。
第4の実施形態では、同一ウェハ内およびウェハ間での特性ばらつきを抑える他の方法について説明する。
Claims (5)
- 可動部を有するデバイス構造が形成された半導体基板とガラス製覆いとを大気圧下で陽極接合することによって、前記デバイス構造を密閉するステップと、
前記ガラス製覆いによって密閉された密閉空間の圧力を所望の目標圧力まで増加させるために、前記陽極接合後の前記半導体基板および前記ガラス製覆いを前記目標圧力に応じた温度で加熱するステップとを備えた、気密封止デバイスの製造方法。 - 前記密閉するステップでは、大気圧の不活性ガス雰囲気で陽極接合する、請求項1に記載の気密封止デバイスの製造方法。
- 前記加熱するステップでは、前記陽極接合時の温度よりも低い温度で加熱する、請求項1または2に記載の気密封止デバイスの製造方法。
- 前記デバイス構造は、前記可動部の変位に応じて電気特性が変化し、
前記加熱するステップは、
前記半導体基板および前記ガラス製覆いの加熱時の設定温度を徐々に増加させるステップと、
前記設定温度ごとに前記可動部を振動させながら前記デバイス構造の電気特性を測定するステップと、
前記測定するステップで所望の電気特性が得られたときに前記半導体基板および前記ガラス製覆いの加熱を終了するステップとを含む、請求項1または2に記載の気密封止デバイスの製造方法。 - 前記加熱するステップでは、前記陽極接合時の温度以上で前記ガラス製覆いの歪み点より低い温度で加熱する、請求項1または2に記載の気密封止デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015086094A JP6444253B2 (ja) | 2015-04-20 | 2015-04-20 | 気密封止デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015086094A JP6444253B2 (ja) | 2015-04-20 | 2015-04-20 | 気密封止デバイスの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016205934A true JP2016205934A (ja) | 2016-12-08 |
JP6444253B2 JP6444253B2 (ja) | 2018-12-26 |
Family
ID=57489508
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015086094A Active JP6444253B2 (ja) | 2015-04-20 | 2015-04-20 | 気密封止デバイスの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6444253B2 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005172543A (ja) * | 2003-12-10 | 2005-06-30 | Mitsubishi Electric Corp | 加速度センサおよび加速度センサの製造方法 |
JP2008057995A (ja) * | 2006-08-29 | 2008-03-13 | Citizen Holdings Co Ltd | 振動子封止体の製造方法、振動子封止体、および物理量センサ |
JP2010141088A (ja) * | 2008-12-11 | 2010-06-24 | Dainippon Printing Co Ltd | 封止型デバイス、物理量センサ、その製造方法、及びその内部圧力制御方法 |
WO2012147167A1 (ja) * | 2011-04-26 | 2012-11-01 | トヨタ自動車株式会社 | ミラー装置 |
-
2015
- 2015-04-20 JP JP2015086094A patent/JP6444253B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005172543A (ja) * | 2003-12-10 | 2005-06-30 | Mitsubishi Electric Corp | 加速度センサおよび加速度センサの製造方法 |
JP2008057995A (ja) * | 2006-08-29 | 2008-03-13 | Citizen Holdings Co Ltd | 振動子封止体の製造方法、振動子封止体、および物理量センサ |
JP2010141088A (ja) * | 2008-12-11 | 2010-06-24 | Dainippon Printing Co Ltd | 封止型デバイス、物理量センサ、その製造方法、及びその内部圧力制御方法 |
WO2012147167A1 (ja) * | 2011-04-26 | 2012-11-01 | トヨタ自動車株式会社 | ミラー装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6444253B2 (ja) | 2018-12-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20100127715A1 (en) | Semiconductor physical quantity sensor and control device using the same | |
US9926188B2 (en) | Sensor unit including a decoupling structure and manufacturing method therefor | |
US9151776B2 (en) | Combined sensor | |
JP5105968B2 (ja) | 角速度検出装置 | |
US20120111112A1 (en) | Resonating Sensor with Mechanical Constraints | |
JPH10508090A (ja) | 誘電的に分離した共振マイクロセンサ | |
US11118991B2 (en) | MEMS device using a released device layer as membrane | |
US9511993B2 (en) | Semiconductor physical quantity detecting sensor | |
JP2013235002A (ja) | センサのための分離モードコンデンサ | |
US8803262B2 (en) | Die attach stress isolation | |
JP2005169541A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP6444253B2 (ja) | 気密封止デバイスの製造方法 | |
JP2012189460A (ja) | 絶対圧力センサ | |
CN216593886U (zh) | 微机电谐振式压力敏感结构 | |
CN105388323B (zh) | 振动式传感器装置 | |
JP5816707B2 (ja) | 角速度検出装置 | |
Hong et al. | Capacitive sensor fusion: Co-fabricated X/Y and Z-axis accelerometers, pressure sensor, thermometer | |
JP2013148495A (ja) | 半導体センサ | |
Hu et al. | Design, fabrication, and calibration of a full silicon WLP MEMS sandwich accelerometer | |
US20220219971A1 (en) | Multiply encapsulated micro electrical mechanical systems device | |
JPH08320342A (ja) | 慣性力センサおよびその製造方法 | |
CN113218540A (zh) | 微机电谐振式压力敏感结构及压力测量方法 | |
JP6643206B2 (ja) | 物理量センサ | |
Tsuchiya et al. | Thermomechanical noise of arrayed capacitive accelerometers with 300-NM-gap sensing electrodes | |
JP2007093234A (ja) | 圧力センサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170926 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180703 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180717 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180828 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181030 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181127 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6444253 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |