JP2013235002A - センサのための分離モードコンデンサ - Google Patents

Abstract

【課題】センサにおいて使用するための新規かつ有用なコンデンサを提供する。
【解決手段】センサにおいて使用するためのコンデンサ１００が、対向する第１および第２のコンデンサプレート１０２，１０４を含み、第２のコンデンサプレート１０４が、可撓性取付部１０６によって第１のコンデンサプレート１０２に装着される。可撓性取付部１０６は、取付部１０６の屈曲が、該屈曲を横切る静電容量に変化をもたらすように、第１のコンデンサプレート１０２と第２のコンデンサプレート１０４との間の空間に変化をもたらすように構成かつ適合される。
【選択図】図４

Description

本発明は、コンデンサに関し、より具体的には、センサにおいて使用するためのコンデンサに関する。

コンデンサをセンサ要素として用いる様々なセンサが知られている。そのような例の１つが、ＭＥＭＳ圧力センサである。典型的なＭＥＭＳ圧力センサは、基板のうちの１つに形成された薄いダイヤフラムを有する。ダイヤフラムは、隣接する基板内の第２のコンデンサプレートに対向する第１のコンデンサプレートを形成する。ダイヤフラムに圧力が印加されると、ダイヤフラムは、そのコンデンサプレートとともに、静止状態にある第２のコンデンサプレートに向かって膨張する。偏向によりコンデンサプレート間の空間が変化し、それにより静電容量の変化がもたらされ、次に、それをダイヤフラムに作用する圧力を決定するために使用することができる。

典型的なＭＥＭＳ圧力センサには、限界および欠点がある。ダイヤフラムは、その縁部で固定されているため、縁部は比較的静止状態に留まり、ダイヤフラムの中心のみが所与の圧力で最大偏向を受ける。したがって、コンデンサプレートの比較的小さな効果的領域にわたって静電容量の変化が生じ、そのためセンサの感度が限定される。静電容量は、コンデンサプレートの面積に正比例するため、ダイヤフラムのサイズが小さい程、感度が悪化する。

典型的なＭＥＭＳ圧力センサの別の限界は、ダイヤフラムに対する圧力が増加するにつれて、コンデンサプレートの動きが互いに向かうことである。静電容量は、コンデンサプレート間の距離に反比例するため、コンデンサは、プレートがより近接しているときに、プレート空間の変化に対する感度がより高い。そのため、従来の構成において、低い圧力では、プレートがそれらの最も遠い位置にあり、空間感度が最も低く、高い圧力では、プレートが、それらの最も近い位置にあり、空間感度が最も高い。その結果、従来のＭＥＭＳ圧力センサは、限定された圧力範囲にわたってのみ、特に感度が高く、通常、より低い圧力でのわずかな圧力変動に対しては鈍感である。

典型的なＭＥＭＳ圧力センサに関するさらに別の問題は、寄生容量が比較的高いことである。印加される圧力とともに変化する感知要素であるアクティブ静電容量とは対称的に、寄生容量は、圧力とともに変化しない任意の固定静電容量である。ダイヤフラム基板および対向するコンデンサ基板の両方がシリコンからなるＭＥＭＳ圧力センサの場合、基板が結合された絶縁層を横切る比較的大きな寄生容量が存在する。この寄生容量の、一定の静電容量は、圧力とともに変化する感知要素のアクティブ静電容量から生成される信号の強度を弱める。さらに、従来の全部がシリコンでできたセンサは、ウエハスタックがダイシングされたときに薄い誘電体層の短絡を引き起こす可能性がある誘電体層の故障に悩まされる。

ダイヤフラムの基板はシリコンからできており、ダイヤフラムの上のみが金属化されるが、ダイヤフラムの反対にある基板をガラス材料で作製することによって寄生容量に対処することができる。これで寄生容量は減少されるものの、２つの異種材料は、温度によって変化する熱膨張によって誘発される応力を生じる。コンデンサおよびダイヤフラムは、応力に対する感度が高いため、熱的に誘発される応力は、感度および正確性に望ましくない影響を与える。さらに、典型的に使用されるガラス材料は、センサにおけるドリフトおよびシフトを引き起こす可能性のあるクリープ挙動を有する。

そのような従来の方法およびシステムは、それらの企図する目的を満足させるものであると見なされてきた。しかしながら、当該技術分野には、性能の向上を可能にする圧力センサの必要性が依然として存在する。また、当該技術分野には、さまざまな用途のために上述の種類の問題に対処することができるコンデンサの一般的な必要性も存在する。本発明は、これらの問題の解決策を提供する。

本発明は、センサにおいて使用するための新規かつ有用なコンデンサを対象とする。コンデンサは、対向する第１および第２のコンデンサプレートを含み、第２のコンデンサプレートは、可撓性取付部によって第１のコンデンサプレートに可撓的に装着される。可撓性取付部は、取付部の屈曲が、屈曲を横切る静電容量に変化をもたらすように、第１のコンデンサプレートと第２のコンデンサプレートとの間の空間に変化をもたらすように構成かつ適合される。第１のコンデンサプレートと第２のコンデンサプレートとの間の空間における変化は、実質的に均一であってもよい。

一実施形態において、第１のコンデンサプレートを含む第１の基板は、可撓性ダイヤフラムを画定する。第２の基板は、第２のコンデンサプレートを含む。可撓性取付部は、第１の基板のダイヤフラムに第２の基板を装着する台座を含む。ダイヤフラムの偏向は、ダイヤフラムに作用する力を示唆する静電容量の変化のために第１および第２のコンデンサプレートの空間に変化をもたらす。台座は、ダイヤフラムの屈曲に対するコンデンサの感度を増強するために、ダイヤフラムの中心部に都合良く装着されてもよい。第１および第２の基板は、両方ともシリコンからできていてもよく、それによって熱的に誘発される応力を軽減することができる。

下部基板は、第２の基板の反対にある第１の基板の側部に装着することができ、ダイヤフラム間隙は、ダイヤフラムと下部基板との間に画定される。ダイヤフラム間隙を外圧と流体連通させるための圧力通路が、下部基板および第１の基板のうちの少なくとも１つの中に画定される。応用隔離エンクロージャは、第１および第２のコンデンサプレートならびにダイヤフラムをパッケージ応力から分離するために、第１および第２の基板を実質的に取り囲むことができる。

一実施形態において、第１の基板は、第１のコンデンサプレートとは独立して動作可能な電極を含み、第２の基板も同様に、第２のコンデンサプレートとは独立して動作可能な電極を含むことができる。第１および／または第２の基板の独立した電極は、第１および第２のコンデンサプレートの空間を制御するために電極を横切って電圧が印加されたときに、第１および第２の基板に静電力を印加するために互いに対向しているか、または反対にある基板と対向している。

可撓性ダイヤフラムを有する第３の基板が含まれてもよい。第２の基板は、第３の基板のダイヤフラムに装着された台座を含む第２の可撓性取付部によって第３の基板に装着することができ、第１および第３の基板は、第２の基板の反対側にある。第２の基板は、第１および第３の基板のダイヤフラムに作用する圧力間の差圧測定のために第１の基板と第３の基板との間の密閉空間に収容されてもよい。第１、第２、および第３の基板を実質的に取り囲む圧力ルーチングエンクロージャが含まれてもよい。圧力ルーチングエンクロージャは、それぞれ、第１および第３の基板のダイヤフラムに外圧を流体連通させるための流体的に隔離された第１および第２の流体回路を画定することができる

本発明は、また、ＭＥＭＳ圧力センサも提供する。圧力センサは、感圧ダイヤフラムを含み、第１のコンデンサプレートを画定する、第１の基板を含む。第２の基板は、第１の基板に装着され、第１のコンデンサプレートに対向する第２のコンデンサプレートを画定してコンデンサを形成する。コンデンサの静電容量は、ダイヤフラムに作用する圧力に依存して可変であり、第１のコンデンサプレートと第２のコンデンサプレートとの間の空間を変化させる。第１および第２のコンデンサプレートは、ダイヤフラムに圧力が作用するとコンデンサプレートが互いに対して変位するように構成される有効領域をその間に画定する。ここで、有効領域は、ダイヤフラムよりも面積が大きい。

本発明は、また、コンデンサの対向する第１および第２のコンデンサプレートに作用する第１の力を検出することであって、第１および第２のコンデンサプレートは、互いに対して移動することができる、検出することを含む、力を測定する方法も提供する。方法は、また、第１のコンデンサプレートと第２のコンデンサプレートとの間の空間を制御し、それによって第１の力の振幅とは独立してコンデンサの感度を維持するために、第１の力に応じて第１および第２のコンデンサプレートに第２の力を印加することとも含む。

第１の力を検出することおよび第２の力を印加することは、第１のコンデンサプレートと第２のコンデンサプレートとの間の空間を維持するためにクローズド・ループ制御回路を使用することを含んでもよい。第２の力を印加することは、第１および第２のコンデンサプレートに静電引力を印加することを含んでもよい。上述のように、静電力は第１および第２のコンデンサプレートを横切って電圧を印加することによって、例えば、電圧の振幅を増加させることによって、または、それぞれの第１および第２のコンデンサプレートとは独立して動作可能な１つ以上の電極に電圧を印加することによって、提供することができる。

本発明は、また、センサにおいて使用するためのコンデンサの性能をテストする方法も提供する。本方法は、コンデンサの対向する第１および第２のコンデンサプレートに作用する力に変化を適用することであって、第１および第２のコンデンサプレートは、印加される力に応じて互いに対して移動するように構成され、かつ適用することも含む。本方法は、また、コンデンサが適切に機能していることを確認するために、予想される静電容量の変化と比較するために力の変化に応じて第１および第２のコンデンサプレートを横切る静電容量の変化を測定することも含む。

発明のシステムおよび方法のこれらならびに他の特徴は、図面と併せて、以下の発明を実施するための最良の形態から、当業者により容易に明らかとなる。

発明が属する技術分野に精通する者が、過度の実験を行うことなく、どのように対象の発明のデバイスおよび方法を作製し、使用するかを容易に理解できるように、その好ましい実施形態が、以下の図を参照して、本明細書において以下により詳細に説明される。
ダイヤフラムを覆うガラス層を示す、従来技術のＭＥＭＳ圧力センサの斜視図である。 ダイヤフラムおよび容量性表面を示す、図１のＭＥＭＳ圧力センサの断面正面図である。 第１および第２の基板を示す、本発明に従って構築される分離モードコンデンサの例示的な実施形態の斜視図である。 第１および第２の基板を一緒に接続する台座および可撓性ダイヤフラムを示す、図３の分離モードコンデンサの断面正面図である。 ダイヤフラムが加圧されたときに互いから離れる第１および第２のコンデンサプレートの変位を概略的に示す、図４の分離モードコンデンサの断面正面図である。 高い圧力での感度を増加させるために、コンデンサプレートの空間を維持するようにダイヤフラムに作用する圧力に対抗する静電力を概略的に示す、図５の分離モードコンデンサの断面正面図である。 圧力ルーチング通路およびパッケージ応力隔離特徴部とともに下部基板を示す、図４の分離モードコンデンサの断面正面図である。 応力隔離のためのプレート内の台座と、絶対圧測定のために圧力をルーチングするための１つの流体回路とを有する第１および第２の基板の周囲のエンクロージャを示す、図７の分離モードコンデンサの断面正面図である。 コンデンサプレートの空間を制御するために静電力を印加するための任意選択的な電極を示す、図４の分離モードコンデンサの断面正面図である。 第２の基板が、第１の基板と第３の基板との間のチャンバ内に密閉された、対向する第１および第３の基板内の２つの可撓性ダイヤフラムの間の台座によって装着された第２の基板を示す分離モードコンデンサの別の例示的な実施形態の断面正面図である。 差圧測定のために圧力をルーチングするための２つの流体回路を有する、第１、第２、および第３の基板の周囲のエンクロージャを示す、図１０の分離モードコンデンサの断面正面図である。 応力隔離のためのプレート内の台座と、差圧測定のために圧力をルーチングするための２つの流体回路を有する第１、第２、および第３の基板の周囲のエンクロージャを示す、図１０の分離モードコンデンサの断面正面図である。 標準的なコンデンサおよび本発明に従って構築される分離モードコンデンサについて、印加される圧力の関数として静電容量を比較するグラフである。

ここで、同様の参照番号が対象の発明の同様の構造的特徴または態様を識別する図面が参照される。限定するためではなく、説明および例示の目的のために、本発明に従うコンデンサの例示的な実施形態の部分図が図３に示され、参照符号１００により一般的に表される。本発明に従うコンデンサの他の実施形態、または、その実施態様が、説明するように、図４〜図１３に図示される。本発明のシステムおよび方法は、ＭＥＭＳ圧力センサ等におけるコンデンサの性能を向上させるために使用することができる。

図１を参照すると、第１のコンデンサプレートを形成するダイヤフラム基板１２と、第２のコンデンサプレートを形成する金属化ガラス上部基板１４と、ダイヤフラム間隙１８の周囲にエンクロージャ（図２に示される）を形成する下部基板１６とを有する、従来技術型の例示的なＭＥＭＳ圧力センサ１０が示される。第１の圧力ポート２０は、上部基板１４を通って形成され、第２の圧力ポート２２は、下部基板１６を通って形成される。第１および第２の圧力ポート２０および２２をそれぞれ経由してダイヤフラム２４の反対側に２つの異なる圧力をルーチング（ｒｏｕｔｉｎｇ）することにより、差圧測定を行うことができる。基部ウエハ１６は、パッケージ応力を軽減するための台座２８によって周囲のパッケージ２６から分離される。ダイヤフラム２４の構造、ならびに基板１２、１４、および１６のサイズと比較して相対的に小さいサイズのために、またダイヤフラム２４は、その中心においてのみ最大偏向を受けるという事象のために、圧力センサ１０には発明の背景において上述した欠陥が生じやすい。

次に図３を参照すると、上述の欠陥に対処する、本発明に従う分離モードコンデンサ１００が示される。コンデンサ１００は、対向する第１および第２のコンデンサプレート１０２および１０４を含む。図４に示されるように、第２のコンデンサプレート１０４は、可撓性取付部１０６によって第１のコンデンサプレート１０２に装着される。第１のコンデンサプレート１０２を形成する第１の基板は、周囲の基板よりも薄く作られた可撓性ダイヤフラム１０８を画定する。第２のコンデンサプレート１０４を形成する第２の基板は、可撓性取付部１０６の一部を形成するダイヤフラム１０８に装着される。可撓性取付部１０６はまた、第２の基板、すなわち第２のコンデンサプレート１０４を、ダイヤフラム１０８に装着する台座１１０を含む。換言すると、ダイヤフラム１０８および台座１１０を含む可撓性取付部１０６は、第１および第２のコンデンサプレート１０２および１０４を可撓的に接続する。

図５を参照すると、ダイヤフラム１０８の偏向は、ダイヤフラム１０８に作用する力を示唆する静電容量の変化のために第１および第２のコンデンサプレート１０２および１０４の空間に変化をもたらす。図５の太い矢印は、ダイヤフラム１０８を図５において方向付けられるように、上向きに偏向させるように作用する圧力を概略的に示す。図４および５の比較は、図５に示される圧力が印加されると、第１のコンデンサプレート１０２と第２のコンデンサプレート１０４との間の空間が増加することを示す。図５に示すダイヤフラムの空間は、明確にするために誇張されている。台座１１０は、可動範囲を最大化し、それによってコンデンサの感度を増強するように、ダイヤフラム１０８の中心に都合良く装着される。

第１および第２のコンデンサプレート１０２および１０４は、ダイヤフラム１０８に圧力が作用するとコンデンサプレート１０２および１０４が互いに対して変位するように構成される能動的な有効領域をその間に画定する。有効領域は、ダイヤフラム１０８よりも面積が大きく、実際には、コンデンサ１００の有効領域は、ダイヤフラムのサイズにから独立している。換言すると、コンデンサプレートのサイズを増加させることによって、アクティブ静電容量および圧力変化に対するコンデンサの感度を増加させることが望ましい場合、有効領域の観点からコンデンサ１００をより大きくするためにダイヤフラム１０８をより大きくする必要はない。さらに、ダイヤフラムの中心点のみが所与の圧力で最大偏向を受ける従来のコンデンサとは対照的に、コンデンサプレート１０２と１０４との間の比較的大きな領域が所与の圧力で最大偏向を受けるため、感圧性が増強される。

コンデンサの全有効領域と比較して台座１１０のサイズが比較的小さいために、ある場合は、ごくわずかな寄生容量が存在する。第１および第２の基板は、両方ともシリコンからできているため、寄生容量を軽減するためにガラス基板が使用される従来のＭＥＭＳ圧力センサと比較して、熱的に誘発される応力を有利に軽減する。当業者は、コンデンサプレート１０２および１０４の両方が同じ材料からできている必要はなく、本発明の主旨および範囲から逸脱することなく、任意の好適な材料を使用することができることを容易に理解するであろう。

次に図６を参照すると、ダイヤフラム１０８に作用する圧力に対抗するために、第１および第２のコンデンサプレート１０２および１０４の間の静電力を使用することも可能である。静電力は、図６の下向きの矢印によって概略的に示される。この静電力は、コンデンサプレート１０２および１０４を横切って印加される電圧を制御することによって発生させることができ、より広い圧力範囲にわたってコンデンサ１００の感度を増加させるため、および／または、後により詳細に記載されるように、セルフテストのために使用することができる。

次に図７を参照すると、第２のコンデンサプレート１０４の反対にある第１のコンデンサプレート１０２の側部に装着された下部基板１１２が示される。ダイヤフラム間隙１１４は、ダイヤフラム１０８と下部基板１１２との間に画定される。絶対圧測定のために圧力ポート１１７を介してダイヤフラム間隙を外圧と流体連通させる圧力通路１１６が、下部基板１１２内に画定される。図８では、第１および第２のコンデンサプレート１０２および１０４の基板を実質的に取り囲む応力隔離エンクロージャ１１８、ならびに下部基板１１２示される。これにより、第１および第２のコンデンサプレート１０２および１０４、そして特にダイヤフラム１０８がパッケージ応力から隔離される。そのような応力隔離特徴部について説明する更なる詳細は、米国特許出願第１３／４５１，７９０号に記載されている。ポート１１７に作用する外圧について絶対圧測定を行うことができるように、不活性ガスまたは真空等の参照媒体で基準となる間隙１１５を充填することができる。コンデンサ１００と外部機器との間の電気通信のために、エンクロージャ１１８にワイヤボンドを接続するためのボンドパッド１２２が提供される。電気的フィードスルー１２４は、エンクロージャ１１８内部のコンデンサ構成要素からボンドパッド１２２への電気通信を提供する。

図９を参照すると、電極１２０、例えば、第１の基板のコンデンサノードを形成することができる金属電極を含む、第１のコンデンサプレート１０２が示される。第１のコンデンサプレート１０２をコンデンサノードとして使用するときに、電極１２０が第１のコンデンサプレート１０２とは独立して動作できるように、電極１２０は、コンデンサプレート１０２から電極１２０を分離する絶縁層１２１によって第１のコンデンサプレート１０２から絶縁される。電極１２０を第１のコンデンサプレート１０２とは別個に動作可能にすることで、例えば、第１および第２のコンデンサプレート１０２および１０４を横切る静電容量の変化をモニタリングすることによって、コンデンサプレート１０２を圧力測定のためのコンデンサノードとして使用することができ、第１および第２のコンデンサプレート１０２および１０４の空間を制御するために第２のコンデンサプレート１０４に静電引力を印加するために電極１２０が使用される。第２の基板１０４も同様に、第２のコンデンサプレート１０４とは別個に動作可能な電極を含むことができ、それは、例えば、静電力を印加するために電極１２０と協調するように対向していてもよい。当業者は、本発明の主旨および範囲から逸脱することなく、任意の好適な数の別個の電極が第１および／または第２の基板に含まれてもよいことを容易に理解するであろう。上述したような電極は、さもなければ基板全体をコンデンサプレートとして使用する場合に存在する静電容量を減少させるためにも使用することができる。

本発明に従うコンデンサ２００の別の例示的な実施形態を図１０に示す。コンデンサ２００は、上述したのとほぼ同じように、ダイヤフラム２０８に装着された台座２１０によって接続される、それぞれの第１および第２のコンデンサプレート２０２および２０４を形成する第１および第２の基板を含む。コンデンサ２００は、また、第３のコンデンサプレート２０３を形成する第３の基板を含み、この第３のコンデンサプレート２０３は、その中に形成されたダイヤフラム２０８とほぼ同様のダイヤフラム２０９を有する。第２のコンデンサプレート２０４は、台座２１１によって第３のコンデンサプレート２０３のダイヤフラム２０９に装着される。このように、第２のコンデンサプレート２０４は、第１および第３の基板２０２および２０３の両方に対する可撓性取付部を有する。第１および第３の基板２０２および２０３は、第１および第３のコンデンサプレート２０２および２０３を装着する側壁基板２０５を協力して、第２のコンデンサプレート２０４の周囲に密閉空間２１３を形成する。空間２１３を充填する媒体、例えば、不活性流体または真空は、外部流体が組成における圧力変化についてモニタリングされているかどうかにかかわらず、一定の誘電特性を提供するため、これは、測定における一貫性のために有利である。また、これにより、能動的なコンデンサ構成要素が測定される加圧流体中の汚染物質から保護される。

次に図１１を参照すると、第２のコンデンサプレート２０４の基板の反対側にある第１および第３のコンデンサプレート２０２および２０３の基板のための可撓性取付部により、コンデンサ２００は、２つの異なる圧力についての差圧測定ができる。差圧測定は、第１および第２のコンデンサプレート２０２および２０４の間ならびに／または第２および第３のコンデンサプレート２０４および２０３の間の静電容量を用いて、ダイヤフラム２０８および２０９に、それぞれ作用する２つの異なる圧力から行うことができる。第１および第３のコンデンサプレート２０２および２０３からの信号は、感度および分解能の強化のために建設的に組み合わせることができる。

また、台座のうちの１つ、例えば、台座２１１が除去されてもよいこと、ならびに３つのコンデンサプレートのうちの２つのみ、例えば、コンデンサプレート２０３および２０４が静電容量のために使用されてもよいことも企図される。これは、厳密には、必ずしも分離モードコンデンサではないが、圧力変化によりコンデンサプレート全体の間の空間に実質的に均一な変化がもたらされると仮定すると、依然として従来技術のＭＥＭＳ圧力センサに優る同じ利点の多くを提供する。例えば、そのような変形例は、従来のＭＥＭＳ圧力センサと比較して寄生容量が低く、感度が改善された絶対圧力センサを提供することができる。

圧力ルーチングエンクロージャ２１９は、第１、第２、および第３の基板２０２、２０４、および２０３を取り囲むように上部基板２１３および下部基板２１２を含む。外部源からダイヤフラム２０８のダイヤフラム間隙まで第１の圧力Ｐ１を流体連通させるための第１の流体回路を提供するために、第１の圧力ポート２１７が下部基板２１２内に形成される。外部源からダイヤフラム２０９のダイヤフラム間隙まで第２の圧力Ｐ２を流体連通させるための、第１の流体回路から流体的に隔離された第２の流体回路を提供するために、第２の圧力ポート２１５が、下部基板２１２下、第１のコンデンサプレート２０２、側壁基板２０５、第３の基板２０３、および上部基板２１３内に形成される。ポート２１５および２１７の圧力ルーチングにより、２つの別個の圧力フィードをエンクロージャ２１９の同じ側に接続することができるが、当業者は、本発明の主旨および範囲から逸脱することなく、エンクロージャの異なる側に圧力がルーチングされてもよいことを容易に理解するであろう。電極１２０について上述したのとほぼ同じように、電極２２０が、第１および第３のコンデンサプレート２０２および２０３の各々に提供される。

上述したのとほぼ同じように、圧力ポート２１５および２１７を介して第１および第２の圧力のために圧力ルーチングを提供する基部、下位基板、および上部基板２１２、２２１、および２１３を有する、コンデンサ２００のための同様のエンクロージャ構成を図１２に示す。エンクロージャ２１８は、応力を隔離する圧力ルーチングエンクロージャであり、米国特許出願第１３／４５１，７９０号に記載されるように、第１のコンデンサプレート２０２の横方向の台座および下部基板２１２によって応力の隔離が強化される。

次に図１３を参照すると、従来の標準モードＭＥＭＳ圧力センサコンデンサの感度が、コンデンサ１００および２００等の分離モードコンデンサの感度と比較されている。静電容量は、コンデンサプレートを分離する距離に反比例する。そのため、従来の標準モードコンデンサの場合、最も低い圧力は、プレートが遠くに離れている感度が最も低く点で、わずかなダイヤフラムの偏向が静電容量に大きな影響を与えない。より高い圧力は、コンデンサプレートが最も近接した感度が最も高い点で、わずかな偏向が全体的な静電容量に大きな影響を与える。圧力範囲の高い圧力端は、互いと接触することにより電極が短絡する圧力によって限定される。

対照的に、分離モードコンデンサの場合、最も低い圧力は、プレートが最も近接した感度が最も高い点で、わずかなダイヤフラムの偏向が静電容量に大きな影響を与える。壁を十分に離間して保持する必要性、または、さもなければ、張り付き、すなわち、ファン・デル・ワールス力のために表面が引き付け合って一緒に張り付くのに十分な程度まで２つの非常に平坦な表面が接近することを回避するように構成される必要性のために、分離モードコンデンサの低い圧力変動に対する感度には、潜在的な限界が存在する。分離モードコンデンサの最低感度は、コンデンサプレートが遠くに離れるより高い圧力点であり、わずかなダイヤフラムの偏向が静電容量に大きな影響を与えない。分離モードコンデンサの上限圧力は、従来のコンデンサのように単に電極に接触するおよび電極を短絡させることではなく、ダイヤフラムの破裂強度によってのみ限定される。このことは、分離モードコンデンサに標準モードコンデンサよりも高い超過圧力限界を付与する。要約すると、コンデンサプレートの動きが逆であるため、圧力の関数としての分離モードコンデンサの感度は、標準モードコンデンサの感度の反対である。

分離モードコンデンサの最も単純な動作においても、低い圧力で感度が最大となり、プレートの分離を制御することによって、動作圧力範囲全体にわたって高い感度を拡張することができる。上述のコンデンサ１００および２００等の分離モードコンデンサの静電容量の変化をモニタリングすることにより、対向する第１および第２のコンデンサプレートに作用する第１の力、例えば、圧力を検出することができる。図６に概略的に示されるように、第１のコンデンサプレートと第２のコンデンサプレートとの間の空間を制御し、それによって第１の力の振幅とは独立してコンデンサの感度を維持するために、第１の力に応じて第１および第２のコンデンサプレートに第２の力を印加することができる。

第１のコンデンサプレートと第２のコンデンサプレートとの間の空間を維持することは、第１の力、例えば、圧力によって引き起こされる静電容量の変化を入力値として用い、第１の力に応じて対抗する第２の力を印加して、クローズドループ制御回路によって行うことができる。第２の制御された力は、単純に、コンデンサプレートの空間を維持するために、必要に応じて、そこを横切る印加電圧を増加または減少させることによって第１および第２のコンデンサプレートに印加される静電引力であってもよい。静電力は、また、上述の電極１２０および２２０等の、第１および第２のコンデンサプレートとは独立して動作可能な電極に電圧を印加することによって、例えば、電圧の振幅を増加させることによって、提供することもできる。

例示的な方法において、コンデンサのダイヤフラムに作用する圧力が増加または減少するにつれて、コンデンサプレートの空間が変化し始めると、静電容量の変化が検出される。それに応じて、コンデンサプレートを元の空間に戻し、本質的に一定の静電容量を維持するために、必要に応じて、コンデンサプレートを横切って印加される電圧を増加または減少させる。出力値は、一定の静電容量を維持するために必要な印加電圧であり、その電圧は、圧力と相関している可能性がある。プレートが近接して維持されるため、また、出力値が静電容量ではなく印加される電圧であるため、圧力変化に対する感度は動作圧力範囲全体にわたって高いままである。コンデンサプレートの空間のクローズドループによる制御は、動作圧力範囲全体にわたって高感度の小さな動作ギャップ領域を拡張することに加えて、直線性およびバンド幅を向上するため、有利である。クローズド・ループによる制御は、また、変化に対するより迅速な電気応答を提供する。

分離モードコンデンサは、また、本発明に従ってセルフテストおよび診断能力という利点も提供する。分離モードコンデンサの性能をテストする例示的な方法は、コンデンサ１００および２００について上述したような対向する第１および第２のコンデンサプレートに作用する力に、変化を適用することを含む。力の変化に応じて第１および第２のコンデンサプレートを横切る静電容量の変化を測定することは、コンデンサが適切に機能していることを確認するためにオープンループ様式において予想される静電容量の変化値と比較することができる値を提供する。セルフテストに用いられる力は、上述のように静電力であってもよい。

コンデンサ１００および２００を作製するために使用することができる薄膜スタックの調製において、２つ以上のウエハを互いから電気的に絶縁するために、二酸化ケイ素等の薄膜絶縁体が使用されることが多い。しかしながら、そのようなウエハのスタックがダイシングされるときに、ダイシングブレードが薄い絶縁層を通ってウエハにスミアを発生させることが多い。絶縁層は、約１ミクロン以下の厚さであることが多いため、伝導性粒子のスミアリングは、しばしば、ダイシング位置で絶縁層を横切るウエハ間の電気的短絡を引き起こす。この短絡は、ダイシング前にダイシングレーンを予めエッチングすることによって回避することができる。例えば、予めエッチングされたキャビティは、２つのウエハ間の絶縁層に隣接するウエハのうちの１つに形成されてもよい。予めエッチングされたキャビティは、ダイシングブレードよりも広い幅であるべきである。ダイシングソーは、予めエッチングされたキャビティでなおも両方のウエハを切断することができ、ダイシング位置でウエハの粒子にスミアを発生させる。しかしながら、絶縁層を横切る短絡のための通り道を形成するために、スミアの発生した粒子は、所望の大きさ（例えば約１００ミクロン）に作製されてもよい予めエッチングされたキャビティの棚長さ（ｓｈｅｌｆ ｌｅｎｇｔｈ）全体に及ぶ必要があるため、ブレードによる損傷は短絡を引き起こさない。換言すると、予めエッチングされたキャビティのサイズのために、例えば、短絡回路を生じさせるのに必要な最小粒子長を約１ミクロンから約１００ミクロンに増加することによって、スミア（ｓｍｅａｒｅｄ）の発生した粒子が短絡を引き起こすのに十分な程度まで大きくなるとは考えにくい。

圧力センサの例示的な文脈中に示し、上述したが、当業者は、本発明の主旨および範囲からいつだつすることなく、任意の他の好適な用途において本明細書に記載されるシステムおよび方法が使用されてもよいことを容易に理解するであろう。例えば、分離モードコンデンサは、コンデンサプレートのうちの１つ、例えば、第２のコンデンサプレート１０４が、加速下でダイヤフラムの偏向を引き起こすプルーフマスである加速度計において使用することができる。プルーフマス基板の厚さは、コンデンサの電気特性を変更することなくより厚くすることができるか、または圧力センサの場合、プルーフマスの厚さは、所与の用途に基づいて動作振動を抑制するためにより厚くまたはより薄くすることができる。本願明細書においてＭＥＭＳの例示的な文脈中に記載されているが、当業者は、本発明の主旨および範囲から逸脱することなく、任意のサイズスケールで分離モードコンデンサおよび方法が使用されてもよいことを容易に理解するであろう。

上述のおよび図面に示した本発明の方法およびシステムは、センサ用途における感度および正確性の向上を含む優れた特性をコンデンサに提供する対象の発明の装置および方法が示され、好ましい実施形態を参照して記載されてきたが、当業者は、対象の発明の趣旨および範囲から逸脱することなく、それらを変更ならびに／または修正することができることを容易に理解するであろう。

Claims (21)

1. 可撓性取付部の屈曲が、該屈曲を横切る静電容量に変化を生じるように、第１のコンデンサプレートと第２のコンデンサプレートとの間の空間に変化をもたらすように構成かつ適合される可撓性取付部によって、前記第１のコンデンサプレートに前記第２のコンデンサプレートが可撓的に装着される、対向する第１および第２のコンデンサプレートを備えるセンサにおいて使用される、コンデンサ。
2. 前記第１のコンデンサプレートを含み、可撓性ダイヤフラムを画定する、第１の基板と、
   前記第２のコンデンサプレートを含む第２の基板と、を備え、前記可撓性取付部は、前記ダイヤフラムの偏向が、前記ダイヤフラムに作用する力を示す静電容量の変化のために前記第１および前記第２のコンデンサプレートの前記空間に変化をもたらすように、前記第１の基板の前記ダイヤフラムに前記第２の基板を装着する台座を含む、請求項１に記載のコンデンサ。
3. 前記台座が、前記ダイヤフラムの屈曲に対する増強されたコンデンサの感度用に、前記ダイヤフラムの中心部に装着される、請求項２に記載のコンデンサ。
4. 前記第２の基板の反対にある前記第１の基板の側部に装着される下部基板を備え、ダイヤフラム間隙が、前記ダイヤフラムと前記下部基板との間に画定される、請求項２に記載のコンデンサ。
5. 圧力通路が、前記ダイヤフラム間隙を外圧と流体連通させるための前記下部基板および前記第１の基板のうちの少なくとも１つの中に画定される、請求項４に記載のコンデンサ。
6. 前記第１の基板が、前記第１のコンデンサプレートから分離された電極を含み、前記電極が、前記第１および第２のコンデンサプレートの空間を制御するために前記電極に電圧が印加されたときに、前記第１および第２の基板に静電力を印加するために前記第２の基板と対向する、請求項２に記載のコンデンサ。
7. 前記第２の基板が、前記第２のコンデンサプレートから分離された電極を含み、前記第１および第２の基板の前記電極が、前記第１および第２のコンデンサプレートの空間を制御するために前記電極を横切って電圧が印加されたときに、前記第１および前記第２の基板に静電力を印加するために対向する、請求項６に記載のコンデンサ。
8. 可撓性ダイヤフラムを含む第３の基板を備え、台座を含む第２の可撓性取付部が、前記第３の基板の前記ダイヤフラムに前記第２の基板を装着し、前記第１および第３の基板が、前記第２の基板の反対側にあり、前記第２の基板が、前記第１および第３の基板の前記ダイヤフラムに作用する圧力間の差圧測定のために前記第１の基板と前記第３の基板との間の密閉空間に収容される、請求項２に記載のコンデンサ。
9. 前記第１、第２、および第３の基板を取り囲み、それぞれ前記第１および前記第３の基板の前記ダイヤフラムに外圧を流体連通させるための流体的に隔離された第１および第２の流体回路を画定する圧力ルーチングエンクロージャを備える、請求項８に記載のコンデンサ。
10. 前記第１および前記第２のコンデンサプレートならびにダイヤフラムをパッケージ応力から隔離するために、前記第１および前記第２の基板を取り囲む応力隔離エンクロージャを備える、請求項２に記載のコンデンサ。
11. 前記第１および前記第２の基板が、シリコンからなる、請求項２に記載のコンデンサ。
12. 感圧ダイヤフラムを含み、第１のコンデンサプレートを画定する、第１の基板と、
    前記第１の基板に装着され、コンデンサを形成するように前記第１のコンデンサプレートと対向する第２のコンデンサプレートを画定する、第２の基板であって、その静電容量が、前記第１のコンデンサプレートと第２のコンデンサプレートとの間の空間を変化させる前記ダイヤフラムに作用する圧力に依存して可変である、第２の基板と、を備え、前記第１および前記第２のコンデンサプレートは、前記ダイヤフラムに圧力が作用する時、前記コンデンサプレートが互いに対して変位するように構成される有効領域を、その間に画定し、前記有効領域が、前記ダイヤフラムよりも面積が大きい、ＭＥＭＳ圧力センサ。
13. コンデンサの対向する第１および第２のコンデンサプレートに作用する第１の力を検出し、ここで、前記第１および第２のコンデンサプレートが、互いに対して移動するように構成され、
    前記第１のコンデンサプレートと第２のコンデンサプレートとの間の空間を制御し、それによって前記第１の力の振幅と独立してコンデンサの感度を維持するために、前記第１の力に応じて前記第１および前記第２のコンデンサプレートに第２の力を印加すること、を含む、力を測定する方法。
14. 前記第２の力を印加することが、前記第１および前記第２のコンデンサプレートに静電引力を印加することを含む、請求項１３に記載の力を測定する方法。
15. 静電引力を印加することが、前記第１および第２のコンデンサプレートに電圧を印加することを含む、請求項１４に記載の力を測定する方法。
16. 静電引力を印加することが、前記第１および前記第２のコンデンサプレートとは独立して動作可能な、少なくとも１つの電極に電圧を印加することを含む、請求項１４に記載の力を測定する方法。
17. 前記第１の力を検出することおよび前記第２の力を印加することが、前記第１のコンデンサプレートと第２のコンデンサプレートとの間の空間を維持するためにクローズド・ループ制御回路を使用することを含む、請求項１３に記載の力を測定する方法。
18. センサにおいて使用するためのコンデンサの性能をテストする方法であって、
    コンデンサの対向する第１および第２のコンデンサプレートに作用する力に変化を適用し、ここで前記第１および前記第２のコンデンサプレートが、印加される力に応じて互いに対して移動するように構成され、
    前記コンデンサが適切に機能していることを確認するために、予想される静電容量の変化と比較するために、前記力の変化に応じて前記第１および前記第２のコンデンサプレートを横切る静電容量の変化を測定すること、を含む、テスト方法。
19. 力に変化を適用することが、前記第１および第２のコンデンサプレートを一緒により近くに引き寄せるために静電引力を印加することを含む、請求項１８に記載のテスト方法。
20. 静電引力を印加することが、前記第１および第２のコンデンサプレートを横切る電圧振幅を増加することを含む、請求項１９に記載のテスト方法。
21. 静電引力を印加することが、前記第１および前記第２のコンデンサプレートとは独立して動作可能な少なくとも１つの電極に対する電圧振幅を増加することを含む、請求項１９に記載のテスト方法。

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