JP2016189419A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】各々処理容器の側壁に沿って、処理容器の外方へ向けて膨らむように縦方向に形成される第1のプラズマ形成室及び第2のプラズマ形成室と、各プラズマ形成室内に配置され、複数の基板の各々に対して処理ガスを供給するための第1のガス供給部及び第2のガス供給部と、処理容器の外側において第1のプラズマ形成室及び第2のプラズマ形成室の間に縦方向に沿って設けられ、各プラズマ形成室内にプラズマを発生させるために両プラズマ形成室に対して共用化された導電体と、を備える装置を構成する。この構成により導電体の長さを短くできると共に基板への活性種の供給量を多くすることができるため、上記の課題に対応できる。
【選択図】図1
Description
前記処理容器内を排気して真空雰囲気を形成するための排気機構と、
各々前記処理容器の側壁に沿って、処理容器の外方へ向けて膨らむように縦方向に形成され、互いに処理容器の周方向に離間して配置された第1のプラズマ形成室及び第2のプラズマ形成室と、
第1のプラズマ形成室及び第2のプラズマ形成室内に夫々配置され、前記複数の基板の各々に対して処理ガスを供給するための第1のガス供給部及び第2のガス供給部と、
前記処理容器の外側において第1のプラズマ形成室及び第2のプラズマ形成室の間に縦方向に沿って設けられ、第1のプラズマ形成室及び第2のプラズマ形成室内にプラズマを発生させるために両プラズマ形成室に対して共用化された導電体と、
前記導電体の両端部に接続された高周波電源と、を備えたことを特徴とする。
本発明に関連して行われた評価試験について説明する。この評価試験では既述の縦型熱処理装置1と、本発明の比較例の装置である縦型熱処理装置7と、を用いて行った。図8は縦型熱処理装置7の概略図を示しており、縦型熱処理装置7は、プラズマ形成用ボックス42、アンモニアガス供給路62及びガスノズル64が設けられないことを除いて、縦型熱処理装置1と同様に構成される。つまり、この縦型熱処理装置7においては、プラズマ形成領域が1つのみ設けられている。図8についても図5と同様に、鎖線の矢印で電界を模式的に表示している。
縦型熱処理装置1、7におけるガス出口17と排気機構18とを接続する排気路に四重極質量分析計を接続し、当該排気路のガス成分の質量について測定可能にした。そして各装置1,7の処理容器11にNH3ガスを供給して当該処理容器11内の圧力を34.7Pa(0.260Torr)とし、高周波電源48をオンにしてプラズマを形成した。このプラズマ形成時において上記の質量分析計による測定を行った。高周波電源48からの供給電力は、装置1、7共に同じ値に設定した。そして得られたスペクトルからm/z=2、即ち水素の量を示すピークの大きさを観察した。
表面にパターン即ち凹凸が形成されていないベアウエハをウエハボート3の各スロットに搭載し、縦型熱処理装置1を用いて実施形態で説明した手順でALDを行い、SiN膜を形成した。この成膜処理を評価試験2−1とする。また、縦型熱処理装置1の代わりに縦型熱処理装置7を用いて処理を行った他は、評価試験2−1と同様の条件で成膜処理を行った。この成膜処理を評価試験2−2とする。なお、評価試験2−1では、ガスノズル63、64からNH3ガスを各々3L/分で吐出し、評価試験2−2では、ガスノズル63からNH3ガスを6L/分で吐出した。つまり、処理容器11内に供給されるNH3ガスの総流量は互いに等しい。
面内均一性の指標(単位:±%)=(膜厚の最大値−膜厚の最小値)/膜厚の平均値×100・・・式1
1 縦型熱処理装置
11 処理容器
2 マニホールド
3 ウエハボート
4 プラズマ発生部
41、42 プラズマ形成用ボックス
44 蛇行アンテナ
45 棒状導電部材
48 高周波電源
63、64 ガスノズル
Claims (5)
- 複数の基板が棚状に配置される縦型の処理容器と、
前記処理容器内を排気して真空雰囲気を形成するための排気機構と、
各々前記処理容器の側壁に沿って、処理容器の外方へ向けて膨らむように縦方向に形成され、互いに処理容器の周方向に離間して配置された第1のプラズマ形成室及び第2のプラズマ形成室と、
第1のプラズマ形成室及び第2のプラズマ形成室内に夫々配置され、前記複数の基板の各々に対して処理ガスを供給するための第1のガス供給部及び第2のガス供給部と、
前記処理容器の外側において第1のプラズマ形成室及び第2のプラズマ形成室の間に縦方向に沿って設けられ、第1のプラズマ形成室及び第2のプラズマ形成室内にプラズマを発生させるために両プラズマ形成室に対して共用化された導電体と、
前記導電体の両端部に接続された高周波電源と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 前記導電体の上端に接続された導電路は、前記第1のプラズマ形成室と第2のプラズマ形成室との間の領域である窪み領域の外側に引き回され、更に下方側に屈曲して前記窪み領域の外側にて前記導電体の下部側まで伸びるように配線され、
前記導電体の下端に接続された導電路は、前記導電体の下部側から高周波電源まで引き回されることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。 - 前記処理容器を囲むように設けられた金属製の囲み部材と、前記囲み部材の内面側に設けられ、前記処理容器内を加熱するためのヒーターと、を備え、
前記導電体の上端に接続された導電路は、前記第1のプラズマ形成室及び第2のプラズマ形成室のいずれかにおける前記窪み領域とは反対側の領域に引き回され、更に下方側に屈曲して前記導電体の下部側から前記囲み部材の外に引き出され、
前記導電体の下端に接続された導電路は、前記導電体の下部側から前記囲み部材の外に引き出されることを特徴とする請求項2記載の基板処理装置。 - 前記導電体は蛇行して縦方向に伸びるように形成されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一つに記載の基板処理装置。
- 前記第1のプラズマ形成室と、前記第2のプラズマ形成室との間の距離は、30mm以下であることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一つに記載の基板処理装置。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2019075542A (ja) * | 2017-10-11 | 2019-05-16 | ユ−ジーン テクノロジー カンパニー.リミテッド | バッチ式プラズマ基板処理装置 |
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