JP2016186994A - Substrate processing apparatus - Google Patents

Substrate processing apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP2016186994A
JP2016186994A JP2015066434A JP2015066434A JP2016186994A JP 2016186994 A JP2016186994 A JP 2016186994A JP 2015066434 A JP2015066434 A JP 2015066434A JP 2015066434 A JP2015066434 A JP 2015066434A JP 2016186994 A JP2016186994 A JP 2016186994A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
removal filter
substrate
particle removal
processing
processing apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015066434A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP6535493B2 (en
Inventor
奥谷 洋介
Yosuke Okuya
洋介 奥谷
恵理 藤田
Eri Fujita
恵理 藤田
英司 河邉
Eiji Kawabe
英司 河邉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Priority to JP2015066434A priority Critical patent/JP6535493B2/en
Publication of JP2016186994A publication Critical patent/JP2016186994A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6535493B2 publication Critical patent/JP6535493B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent iron and particles from remaining on a substrate after processing in a substrate processing apparatus in which a process liquid as an organic solvent is supplied from a container formed by stainless steel.SOLUTION: A substrate processing apparatus 1 comprises: a container 92 which is connected to a connection part 126 and formed by stainless steel, for storing IPA 91 as a process liquid; a processing part 11 to which the IPA 91 is introduced via a supply route 121 in which processing in the processing part 11 includes a drying treatment of a substrate 9 by the IPA 91; a first particle removal filter 122, a metal removal filter 123 and a second particle removal filter 124 which are provided on the supply route 121 in this order. This prevents iron and particles from remaining on the substrate 9 after the processing.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、基板に処理液を供給して基板を処理する技術に関連する。   The present invention relates to a technique for processing a substrate by supplying a processing liquid to the substrate.

従来より、デバイスの製造では、半導体基板やガラス基板等の様々な用途の基板に様々な処理液を供給して処理が行われる。基板には非常に微細なパターンが形成されるため、基板の表面を清浄に保つことが求められる。特に、処理液から金属粒子や金属イオン等のメタル不純物を徹底的に排除することは、基板から得られるデバイスの品質および信頼性の向上において重要となる。   Conventionally, in the manufacture of devices, processing is performed by supplying various processing liquids to substrates for various uses such as a semiconductor substrate and a glass substrate. Since a very fine pattern is formed on the substrate, it is required to keep the surface of the substrate clean. In particular, thorough removal of metal impurities such as metal particles and metal ions from the processing liquid is important in improving the quality and reliability of the device obtained from the substrate.

例えば、特許文献1に開示される半導体基板洗浄装置では、フィルタでメタル不純物を吸着する。   For example, in the semiconductor substrate cleaning apparatus disclosed in Patent Document 1, metal impurities are adsorbed by a filter.

特開平8−8223号公報JP-A-8-8223

メタル不純物で汚染されている処理液で半導体基板を洗浄すると、半導体基板が金属にて汚染されてしまう。そこで、金属粒子および金属イオンを排除するために、パーティクル除去フィルタと、メタル除去フィルタであるイオン交換膜が用いられる。しかし、これら2つのフィルタを直列に接続するだけではメタル不純物およびパーティクルを十分に除去できない場合があることが明らかとなった。特に、有機溶剤である処理液がステンレス鋼にて形成された容器から供給される場合、鉄の不純物とパーティクルの双方を効果的に除去することができない。   When the semiconductor substrate is washed with a processing solution contaminated with metal impurities, the semiconductor substrate is contaminated with metal. Therefore, in order to exclude metal particles and metal ions, a particle removal filter and an ion exchange membrane that is a metal removal filter are used. However, it has become clear that metal impurities and particles may not be sufficiently removed by simply connecting these two filters in series. In particular, when the treatment liquid, which is an organic solvent, is supplied from a container formed of stainless steel, both iron impurities and particles cannot be effectively removed.

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、処理後の基板上に鉄およびパーティクルが残留することを抑制することを目的としている。   This invention is made | formed in view of the said subject, and aims at suppressing that iron and a particle remain on the board | substrate after a process.

請求項1に記載の発明は、基板処理装置であって、有機溶剤である処理液を格納するステンレス鋼にて形成された容器が接続される接続部と、基板に処理液を供給して前記基板に処理を行う処理部と、前記接続部から前記処理部に処理液を導く供給路と、前記供給路上に設けられた第1パーティクル除去フィルタと、前記第1パーティクル除去フィルタと前記処理部との間において前記供給路上に設けられ、少なくとも前記処理液に含まれる鉄イオンを除去するメタル除去フィルタと、前記メタル除去フィルタと前記処理部との間において前記供給路上に設けられた第2パーティクル除去フィルタとを備える。   The invention according to claim 1 is a substrate processing apparatus, wherein a connecting portion to which a container formed of stainless steel for storing a processing liquid that is an organic solvent is connected, and the processing liquid is supplied to the substrate to supply the processing liquid. A processing section that performs processing on the substrate; a supply path that guides the processing liquid from the connection section to the processing section; a first particle removal filter provided on the supply path; the first particle removal filter; and the processing section. A metal removal filter that is provided on the supply path and removes at least iron ions contained in the processing liquid; and a second particle removal provided on the supply path between the metal removal filter and the processing unit. And a filter.

請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の基板処理装置であって、前記処理液が、イソプロピルアルコールである。   A second aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to the first aspect, wherein the processing liquid is isopropyl alcohol.

請求項3に記載の発明は、請求項2に記載の基板処理装置であって、前記処理液による処理が、基板に対する乾燥処理である。   A third aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to the second aspect, wherein the treatment with the treatment liquid is a drying treatment for the substrate.

請求項4に記載の発明は、請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記第1パーティクル除去フィルタの平均細孔径が、前記第2パーティクル除去フィルタの平均細孔径よりも大きい。   Invention of Claim 4 is the substrate processing apparatus in any one of Claim 1 thru | or 3, Comprising: The average pore diameter of the said 1st particle removal filter is from the average pore diameter of the said 2nd particle removal filter. Is also big.

請求項5に記載の発明は、請求項1ないし4のいずれかに記載の基板処理装置であって、基板に処理液を供給して前記基板に処理を行う他の処理部をさらに備え、前記供給路が、前記接続部から延びる共通流路と、前記共通流路から前記処理部に処理液を導く支流路と、前記共通流路から前記他の処理部に処理液を導く他の支流路とを含み、前記第1パーティクル除去フィルタおよび前記メタル除去フィルタは、前記共通流路に設けられ、前記第2パーティクル除去フィルタは、前記支流路に設けられ、前記他の支流路に他の第2パーティクル除去フィルタが設けられる。   A fifth aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to any one of the first to fourth aspects, further comprising another processing unit that supplies a processing liquid to the substrate and performs processing on the substrate, A supply path extends from the connection section, a common flow path, a branch flow path that guides the processing liquid from the common flow path to the processing section, and another branch flow path that guides the processing liquid from the common flow path to the other processing section The first particle removal filter and the metal removal filter are provided in the common channel, the second particle removal filter is provided in the branch channel, and another second channel is provided in the other branch channel. A particle removal filter is provided.

請求項6に記載の発明は、請求項1ないし5のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記メタル除去フィルタと前記第2パーティクル除去フィルタとの間において前記供給路上に配置されたバッファタンクをさらに備える。   A sixth aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to any one of the first to fifth aspects, wherein the buffer is disposed on the supply path between the metal removal filter and the second particle removal filter. A tank is further provided.

本発明によれば、処理後の基板上に鉄およびパーティクルが残留することを抑制することができる。   According to the present invention, iron and particles can be prevented from remaining on the substrate after processing.

基板処理装置の概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of a substrate processing apparatus. フィルタの組み合わせによりIPAから検出される鉄を比較して示す図である。It is a figure which compares and shows the iron detected from IPA by the combination of a filter. 他の基板処理装置の概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of another substrate processing apparatus.

図1は、本発明の一の実施の形態に係る基板処理装置1の概略構成を示す図である。基板処理装置1は、基板9に様々な処理液を供給して基板9に処理を行う。処理には、基板9に対する乾燥処理が含まれる。具体的には、基板9に純水を供給して洗浄する工程と、基板9にさらにIPA(イソプロピルアルコール)を供給して純水をIPAに置換して基板9を乾燥する工程とが含まれる。図1では、基板処理装置1における処理液の供給系のうち、IPAの供給に係る部分のみを示している。実際の基板処理装置1には、多数の配管が設けられる。   FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention. The substrate processing apparatus 1 supplies various processing liquids to the substrate 9 and processes the substrate 9. The process includes a drying process for the substrate 9. Specifically, a process of supplying and cleaning pure water to the substrate 9 and a process of supplying IPA (isopropyl alcohol) to the substrate 9 and replacing the pure water with IPA to dry the substrate 9 are included. . In FIG. 1, only the portion related to the supply of IPA is shown in the processing liquid supply system in the substrate processing apparatus 1. The actual substrate processing apparatus 1 is provided with a large number of pipes.

基板処理装置1は、処理部11と、処理液を処理部11に導く供給系12とを含む。処理部11は、基板9に処理液を供給して処理を行う。処理部11は、基板9を水平姿勢にて回転する回転部111と、基板9の上面に処理液を供給する供給部112と、基板9から飛散する処理液を受ける液受け部113とを含む。液受け部113にて受けられた処理液は廃棄される。処理部11の構造としては他のものが採用されてもよい。本実施の形態では処理部11は枚葉式であるが、バッチ式であってもよい。   The substrate processing apparatus 1 includes a processing unit 11 and a supply system 12 that guides the processing liquid to the processing unit 11. The processing unit 11 performs processing by supplying a processing liquid to the substrate 9. The processing unit 11 includes a rotating unit 111 that rotates the substrate 9 in a horizontal posture, a supply unit 112 that supplies a processing liquid to the upper surface of the substrate 9, and a liquid receiving unit 113 that receives the processing liquid scattered from the substrate 9. . The processing liquid received by the liquid receiving part 113 is discarded. Other structures may be employed as the processing unit 11. In the present embodiment, the processing unit 11 is a single wafer type, but may be a batch type.

供給系12は、供給路121と、第1パーティクル除去フィルタ122と、メタル除去フィルタ123と、第2パーティクル除去フィルタ124と、弁125と、接続部126と、ポンプ127とを含む。第1パーティクル除去フィルタ122は、供給路121上に設けられる。メタル除去フィルタ123は、第1パーティクル除去フィルタ122と処理部11との間において供給路121上に設けられる。第2パーティクル除去フィルタ124は、メタル除去フィルタ123と処理部11との間において供給路121上に設けられる。   The supply system 12 includes a supply path 121, a first particle removal filter 122, a metal removal filter 123, a second particle removal filter 124, a valve 125, a connection portion 126, and a pump 127. The first particle removal filter 122 is provided on the supply path 121. The metal removal filter 123 is provided on the supply path 121 between the first particle removal filter 122 and the processing unit 11. The second particle removal filter 124 is provided on the supply path 121 between the metal removal filter 123 and the processing unit 11.

弁125は、メタル除去フィルタ123と第2パーティクル除去フィルタ124との間において供給路121上に設けられる。供給路121の一端は、処理部11に接続される。接続部126は、供給路121の他端に位置する。ポンプ127は、接続部126と第1パーティクル除去フィルタ122との間において供給路121上に設けられる。接続部126には容器92が接続される。正確には、容器92に取り付けられた管921の端部に設けられた接続部922が、供給系12の接続部126に接続される。   The valve 125 is provided on the supply path 121 between the metal removal filter 123 and the second particle removal filter 124. One end of the supply path 121 is connected to the processing unit 11. The connection part 126 is located at the other end of the supply path 121. The pump 127 is provided on the supply path 121 between the connection portion 126 and the first particle removal filter 122. The container 92 is connected to the connection portion 126. Precisely, a connection portion 922 provided at an end portion of the pipe 921 attached to the container 92 is connected to the connection portion 126 of the supply system 12.

容器92にはIPA91が密閉された状態で格納される。ただし、IPA91を取り出すために、容器92内へのガスの流入は許容される。容器92は、防爆のためにステンレス鋼にて形成される。弁125が開いた状態でポンプ127が駆動されると、IPA91が容器92から吸い上げられ、IPA91は供給路121により接続部126から処理部11へと導かれる。IPA91は、第1パーティクル除去フィルタ122、メタル除去フィルタ123および第2パーティクル除去フィルタ124を順に通過する。   The container 92 stores the IPA 91 in a sealed state. However, in order to take out the IPA 91, inflow of gas into the container 92 is allowed. The container 92 is formed of stainless steel for explosion protection. When the pump 127 is driven with the valve 125 opened, the IPA 91 is sucked up from the container 92, and the IPA 91 is guided from the connection part 126 to the processing part 11 through the supply path 121. The IPA 91 sequentially passes through the first particle removal filter 122, the metal removal filter 123, and the second particle removal filter 124.

第1パーティクル除去フィルタ122および第2パーティクル除去フィルタ124は、IPA91に含まれるパーティクルを除去する。メタル除去フィルタ123は、本実施の形態ではイオン交換膜であり、IPA91に含まれる金属イオンを除去する。既述のように、IPA91は、基板9に対する乾燥処理時に用いられる。IPA91から金属イオンが除去されることにより、乾燥後の基板9に金属が残留することが抑制される。特に、金属の残留防止は、乾燥処理が処理部11での最後の工程の場合に効果的である。   The first particle removal filter 122 and the second particle removal filter 124 remove particles contained in the IPA 91. The metal removal filter 123 is an ion exchange membrane in the present embodiment, and removes metal ions contained in the IPA 91. As described above, the IPA 91 is used during the drying process for the substrate 9. By removing the metal ions from the IPA 91, it is possible to suppress the metal from remaining on the substrate 9 after drying. In particular, prevention of residual metal is effective when the drying process is the last step in the processing unit 11.

第1パーティクル除去フィルタ122の平均細孔径は、第2パーティクル除去フィルタ124の平均細孔径よりも大きい。これにより、第1パーティクル除去フィルタ122として安価なものを用いつつ効率よくパーティクルを除去することができる。   The average pore diameter of the first particle removal filter 122 is larger than the average pore diameter of the second particle removal filter 124. Thereby, particles can be efficiently removed while using an inexpensive first particle removal filter 122.

次に、3つのフィルタ122,123,124をこの順にて配置することによる効果について説明する。   Next, the effect obtained by arranging the three filters 122, 123, and 124 in this order will be described.

図2は、図1の装置と同様の装置において供給路上にパーティクル除去フィルタまたはメタル除去フィルタを様々な順序で配置した場合に、フィルタ通過後のIPAから検出される鉄のレベル、すなわち、鉄のパーティクルおよび鉄イオンの濃度を比較して示す図である。IPAには他の金属イオンも含まれるが、容器92がステンレス鋼にて形成されるため、フィルタを通さない場合は鉄が多く含まれる。そこで、図2では鉄についての結果のみを示している。   FIG. 2 shows the iron level detected from the IPA after passing through the filter when the particle removal filter or the metal removal filter is arranged in various orders on the supply path in an apparatus similar to the apparatus of FIG. It is a figure which compares and shows the density | concentration of a particle and an iron ion. Although other metal ions are included in IPA, since container 92 is formed of stainless steel, a large amount of iron is included when not passing through a filter. Therefore, FIG. 2 shows only the results for iron.

グラフにおいて、「P」は供給路上にパーティクル除去フィルタを配置することを示す。「M」は供給路上にメタル除去フィルタを配置することを示す。「→」はフィルタの配置順序を示し、例えば、「P→P」は上流側から処理部に向かって2つのパーティクル除去フィルタを直列に配置することを示す。「P→M」は上流側から処理部に向かってパーティクル除去フィルタおよびメタル除去フィルタをこの順で直列に配置することを示す。   In the graph, “P” indicates that a particle removal filter is disposed on the supply path. “M” indicates that a metal removal filter is disposed on the supply path. “→” indicates the arrangement order of the filters. For example, “P → P” indicates that two particle removal filters are arranged in series from the upstream side toward the processing unit. “P → M” indicates that the particle removal filter and the metal removal filter are arranged in series in this order from the upstream side toward the processing unit.

図2において「P→P→M」の場合に鉄の検出レベルが最も低く、続いて「P→M」、「P→M→P」の場合に鉄の検出レベルが低い。このことから、パーティクル除去フィルタの下流側にメタル除去フィルタを配置することにより、鉄の検出レベルを下げることができるといえる。しかし、実際には、「P→P→M」および「P→M」の場合、パーティクルの検出レベルが増加する。これは、メタル除去フィルタから金属以外のパーティクルが発生することが原因と考えられる。   In FIG. 2, the iron detection level is the lowest when “P → P → M”, and the iron detection level is low when “P → M” and “P → M → P”. From this, it can be said that the iron detection level can be lowered by arranging the metal removal filter downstream of the particle removal filter. However, in practice, in the case of “P → P → M” and “P → M”, the particle detection level increases. This is considered to be caused by generation of particles other than metal from the metal removal filter.

「P→M→P」の場合、最初のパーティクル除去フィルタにて金属パーティクルおよび金属以外のパーティクルが除去され、メタル除去フィルタにて金属イオンが除去される。そして、最後のパーティクル除去フィルタにてメタル除去フィルタにて発生した金属以外のパーティクルが除去される。すなわち、パーティクル除去フィルタ、メタル除去フィルタおよびパーティクル除去フィルタをこの順で配置することにより、金属パーティクル、金属以外のパーティクルおよび金属イオンの全てを効果的に除去することが実現される。   In the case of “P → M → P”, metal particles and non-metal particles are removed by the first particle removal filter, and metal ions are removed by the metal removal filter. Then, particles other than metal generated by the metal removal filter are removed by the last particle removal filter. That is, by arranging the particle removal filter, the metal removal filter, and the particle removal filter in this order, it is possible to effectively remove all of the metal particles, particles other than metal, and metal ions.

そこで、基板処理装置1では、第1パーティクル除去フィルタ122、メタル除去フィルタ123および第2パーティクル除去フィルタ124が供給路121上にこの順で配置される。ステンレス鋼にて形成された容器92からIPA91が供給路121を流れると、IPA91に含まれる鉄のパーティクルおよび鉄イオンを除去しつつ、金属以外のパーティクルの発生も抑制される。その結果、処理後の基板9上に鉄およびパーティクルが残留することを抑制する。   Therefore, in the substrate processing apparatus 1, the first particle removal filter 122, the metal removal filter 123, and the second particle removal filter 124 are arranged on the supply path 121 in this order. When the IPA 91 flows from the container 92 made of stainless steel through the supply path 121, generation of particles other than metal is suppressed while removing iron particles and iron ions contained in the IPA 91. As a result, iron and particles are prevented from remaining on the substrate 9 after processing.

また、処理液に含まれるパーティクルを除去するフィルタとして第1パーティクル除去フィルタ122を設け、メタル除去フィルタ123から発生するパーティクルを除去するフィルタとして第2パーティクル除去フィルタ124を設けることにより、除去されるパーティクルに合わせたフィルタを用いることができる。例えば、本実施の形態の場合、第1パーティクル除去フィルタ122として金属パーティクルおよび大きなパーティクルの除去に適したフィルタを用い、第2パーティクル除去フィルタ124として金属以外のパーティクルおよび小さなパーティクルの除去に適したフィルタを用いることができる。   Further, the first particle removal filter 122 is provided as a filter for removing particles contained in the processing liquid, and the second particle removal filter 124 is provided as a filter for removing particles generated from the metal removal filter 123, thereby removing particles. It is possible to use a filter adapted to the above. For example, in the present embodiment, a filter suitable for removing metal particles and large particles is used as the first particle removal filter 122, and a filter suitable for removing particles other than metal and small particles is used as the second particle removal filter 124. Can be used.

図3は、複数の処理部11が設けられる場合の基板処理装置1を示す図である。各処理部11の構成および動作は同様である。また、図3の基板処理装置1では供給系12にバッファタンク133およびポンプ134が設けられる。他の構成要素は図1と同様であり、図1と同様の符号を付している。   FIG. 3 is a diagram illustrating the substrate processing apparatus 1 when a plurality of processing units 11 are provided. The configuration and operation of each processing unit 11 are the same. In the substrate processing apparatus 1 of FIG. 3, the supply system 12 is provided with a buffer tank 133 and a pump 134. Other components are the same as those in FIG. 1, and are denoted by the same reference numerals as those in FIG.

供給路121は、接続部126からバッファタンク133に至る第1供給路131と、バッファタンク133から各処理部11に至る第2供給路132とを含む。換言すれば、バッファタンク133は、供給路121上に配置される。第1供給路131には、接続部126からバッファタンク133に向かって、ポンプ127、第1パーティクル除去フィルタ122およびメタル除去フィルタ123が順に配置される。   The supply path 121 includes a first supply path 131 that extends from the connection portion 126 to the buffer tank 133, and a second supply path 132 that extends from the buffer tank 133 to each processing unit 11. In other words, the buffer tank 133 is disposed on the supply path 121. In the first supply path 131, a pump 127, a first particle removal filter 122, and a metal removal filter 123 are sequentially arranged from the connection portion 126 toward the buffer tank 133.

第2供給路132は、途中で分岐して各処理部11に接続される。以下、供給路121のうち、接続部126から分岐位置135まで延びる部位を「共通流路141」と呼び、分岐位置135から各処理部11までの部位を「支流路142」と呼ぶ。第1供給路131は共通流路141に含まれる。ポンプ134は、共通流路141上において、バッファタンク133と分岐位置135との間に設けられる。各支流路142には、分岐位置135から処理部11に向かって順に、弁125および第2パーティクル除去フィルタ124が設けられる。ポンプ134が駆動されると、共通流路141から支流路142を経由して処理部11にIPA91がそれぞれ導かれる。   The second supply path 132 branches in the middle and is connected to each processing unit 11. Hereinafter, a portion of the supply path 121 extending from the connection portion 126 to the branch position 135 is referred to as a “common flow path 141”, and a portion from the branch position 135 to each processing unit 11 is referred to as a “branch flow path 142”. The first supply path 131 is included in the common flow path 141. The pump 134 is provided between the buffer tank 133 and the branch position 135 on the common flow path 141. Each branch flow path 142 is provided with a valve 125 and a second particle removal filter 124 in order from the branch position 135 toward the processing unit 11. When the pump 134 is driven, the IPA 91 is guided from the common channel 141 to the processing unit 11 via the branch channel 142.

既述のように、第1パーティクル除去フィルタ122およびメタル除去フィルタ123は、共通流路141に設けられる。複数の第2パーティクル除去フィルタ124は、複数の支流路142にそれぞれ設けられる。第2パーティクル除去フィルタ124を各処理部11の直前に設けることにより、パーティクルが適切に除去されたIPA91を容易に基板9に供給することができる。   As described above, the first particle removal filter 122 and the metal removal filter 123 are provided in the common flow path 141. The plurality of second particle removal filters 124 are respectively provided in the plurality of branch channels 142. By providing the second particle removal filter 124 immediately before each processing unit 11, the IPA 91 from which particles are appropriately removed can be easily supplied to the substrate 9.

特に、バッファタンク133が設けられる場合は、メタル除去フィルタ123と第2パーティクル除去フィルタ124との間にバッファタンク133が設けられることが好ましい。メタルの発生源は、主に容器92であるため、バッファタンク133の前にメタル除去フィルタ123を設けることにより、メタルが除去されたIPA91をバッファタンク133に貯留することができる。また、バッファタンク133よりも後ろに第2パーティクル除去フィルタ124を設けることにより、バッファタンク133を含む様々なパーティクルの発生源の影響を処理直前に除去することができる。   In particular, when the buffer tank 133 is provided, it is preferable that the buffer tank 133 is provided between the metal removal filter 123 and the second particle removal filter 124. Since the metal generation source is mainly the container 92, the IPA 91 from which the metal has been removed can be stored in the buffer tank 133 by providing the metal removal filter 123 in front of the buffer tank 133. Further, by providing the second particle removal filter 124 behind the buffer tank 133, the influence of various particle generation sources including the buffer tank 133 can be removed immediately before the processing.

バッファタンク133はメタル除去フィルタ123の下流側に設けられるため、バッファタンク133は樹脂製または内面に樹脂層が形成された容器であることが好ましい。   Since the buffer tank 133 is provided on the downstream side of the metal removal filter 123, the buffer tank 133 is preferably a container made of resin or having a resin layer formed on the inner surface.

上記基板処理装置1は様々な変形が可能である。   The substrate processing apparatus 1 can be variously modified.

ステンレス鋼にて形成された容器92にて供給される有機溶剤である処理液は、IPAには限定されない。また、処理液の用途も乾燥には限定されない。処理液としては、例えば、ケトン類(アセトン、ジエチルケトン等)、エーテル類(メチルエーテル、エチルエーテル等)、多価アルコール(エチレングリコール等)であってもよい。   The treatment liquid that is an organic solvent supplied in a container 92 formed of stainless steel is not limited to IPA. Further, the use of the treatment liquid is not limited to drying. Examples of the treatment liquid may include ketones (acetone, diethyl ketone, etc.), ethers (methyl ether, ethyl ether, etc.), and polyhydric alcohols (ethylene glycol, etc.).

図3において、バッファタンク133は省かれてもよい。逆に、図1の基板処理装置1にバッファタンクが設けられてもよい。   In FIG. 3, the buffer tank 133 may be omitted. Conversely, a buffer tank may be provided in the substrate processing apparatus 1 of FIG.

弁125とフィルタとの位置関係は適宜変更されてよい。また、複数のフィルタが実質的に1つのフィルタ装置の中に設けられてもよい。例えば、第1パーティクル除去フィルタ122とメタル除去フィルタ123とが1つのフィルタ装置のカバー内に設けられてもよい。メタル除去フィルタ123と第2パーティクル除去フィルタ124とが1つのフィルタ装置のカバー内に設けられてもよい。さらには、第1パーティクル除去フィルタ122、メタル除去フィルタ123および第2パーティクル除去フィルタ124が1つのフィルタ装置のカバー内にこの順で設けられてもよい。   The positional relationship between the valve 125 and the filter may be changed as appropriate. Further, a plurality of filters may be provided substantially in one filter device. For example, the first particle removal filter 122 and the metal removal filter 123 may be provided in the cover of one filter device. The metal removal filter 123 and the second particle removal filter 124 may be provided in the cover of one filter device. Furthermore, the first particle removal filter 122, the metal removal filter 123, and the second particle removal filter 124 may be provided in this order in the cover of one filter device.

第1パーティクル除去フィルタ122および第2パーティクル除去フィルタ124は同じフィルタであってもよい。パーティクル除去フィルタとしては、樹脂や他の材料のものが用いられてよい。メタル除去フィルタ123は鉄イオンを選択的に除去するものであってもよい。メタル除去フィルタ123は、少なくとも処理液に含まれる鉄イオンを除去するものであればよい。メタル除去フィルタ123は、キレート樹脂でもよい。   The first particle removal filter 122 and the second particle removal filter 124 may be the same filter. As the particle removal filter, a resin or another material may be used. The metal removal filter 123 may selectively remove iron ions. The metal removal filter 123 only needs to remove at least iron ions contained in the treatment liquid. The metal removal filter 123 may be a chelate resin.

基板9は、半導体基板やガラス基板には限定されず、他の材料の基板であってもよい。また、基板9は様々な用途に利用されるものであってよい。   The substrate 9 is not limited to a semiconductor substrate or a glass substrate, and may be a substrate made of another material. The substrate 9 may be used for various purposes.

上記実施の形態および各変形例における構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わされてよい。   The configurations in the above-described embodiments and modifications may be combined as appropriate as long as they do not contradict each other.

1 基板処理装置
9 基板
11 処理部
91 IPA(処理液)
92 容器
121 供給路
122 第1パーティクル除去フィルタ
123 メタル除去フィルタ
124 第2パーティクル除去フィルタ
126 接続部
133 バッファタンク
141 共通流路
142 支流路
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing apparatus 9 Substrate 11 Processing part 91 IPA (processing liquid)
92 Container 121 Supply path 122 1st particle removal filter 123 Metal removal filter 124 2nd particle removal filter 126 Connection part 133 Buffer tank 141 Common flow path 142 Branch flow path

Claims (6)

基板処理装置であって、
有機溶剤である処理液を格納するステンレス鋼にて形成された容器が接続される接続部と、
基板に処理液を供給して前記基板に処理を行う処理部と、
前記接続部から前記処理部に処理液を導く供給路と、
前記供給路上に設けられた第1パーティクル除去フィルタと、
前記第1パーティクル除去フィルタと前記処理部との間において前記供給路上に設けられ、少なくとも前記処理液に含まれる鉄イオンを除去するメタル除去フィルタと、
前記メタル除去フィルタと前記処理部との間において前記供給路上に設けられた第2パーティクル除去フィルタと、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
A substrate processing apparatus,
A connection part to which a container formed of stainless steel for storing a treatment liquid which is an organic solvent is connected;
A processing unit for supplying a processing liquid to the substrate and processing the substrate;
A supply path for guiding the processing liquid from the connection part to the processing part;
A first particle removal filter provided on the supply path;
A metal removal filter that is provided on the supply path between the first particle removal filter and the processing unit and removes at least iron ions contained in the processing liquid;
A second particle removal filter provided on the supply path between the metal removal filter and the processing unit;
A substrate processing apparatus comprising:
請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記処理液が、イソプロピルアルコールであることを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 1,
The substrate processing apparatus, wherein the processing liquid is isopropyl alcohol.
請求項2に記載の基板処理装置であって、
前記処理液による処理が、基板に対する乾燥処理であることを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 2,
The substrate processing apparatus, wherein the treatment with the treatment liquid is a drying treatment for the substrate.
請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記第1パーティクル除去フィルタの平均細孔径が、前記第2パーティクル除去フィルタの平均細孔径よりも大きいことを特徴とする基板処理装置。
A substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3,
The substrate processing apparatus, wherein an average pore diameter of the first particle removal filter is larger than an average pore diameter of the second particle removal filter.
請求項1ないし4のいずれかに記載の基板処理装置であって、
基板に処理液を供給して前記基板に処理を行う他の処理部をさらに備え、
前記供給路が、
前記接続部から延びる共通流路と、
前記共通流路から前記処理部に処理液を導く支流路と、
前記共通流路から前記他の処理部に処理液を導く他の支流路と、
を含み、
前記第1パーティクル除去フィルタおよび前記メタル除去フィルタは、前記共通流路に設けられ、
前記第2パーティクル除去フィルタは、前記支流路に設けられ、
前記他の支流路に他の第2パーティクル除去フィルタが設けられることを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein:
Further comprising another processing unit for supplying a processing liquid to the substrate and processing the substrate,
The supply path is
A common flow path extending from the connecting portion;
A branch channel for guiding a processing liquid from the common channel to the processing unit;
Another branch channel for guiding the processing liquid from the common channel to the other processing unit;
Including
The first particle removal filter and the metal removal filter are provided in the common flow path,
The second particle removal filter is provided in the branch channel,
A substrate processing apparatus, wherein another second particle removal filter is provided in the other branch channel.
請求項1ないし5のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記メタル除去フィルタと前記第2パーティクル除去フィルタとの間において前記供給路上に配置されたバッファタンクをさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
A substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 5,
The substrate processing apparatus further comprising a buffer tank disposed on the supply path between the metal removal filter and the second particle removal filter.
JP2015066434A 2015-03-27 2015-03-27 Substrate processing equipment Active JP6535493B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015066434A JP6535493B2 (en) 2015-03-27 2015-03-27 Substrate processing equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015066434A JP6535493B2 (en) 2015-03-27 2015-03-27 Substrate processing equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016186994A true JP2016186994A (en) 2016-10-27
JP6535493B2 JP6535493B2 (en) 2019-06-26

Family

ID=57203398

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015066434A Active JP6535493B2 (en) 2015-03-27 2015-03-27 Substrate processing equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6535493B2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102267914B1 (en) 2019-10-31 2021-06-22 세메스 주식회사 Apparatus for suppying chemical, method for removing particle of chemical, nozzle unit and apparatus for treating substrate

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10303164A (en) * 1997-04-30 1998-11-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate treating device
JP2003124177A (en) * 2001-10-12 2003-04-25 Hitachi Ltd Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device and semiconductor manufacturing apparatus
JP2007317936A (en) * 2006-05-26 2007-12-06 Tokyo Electron Ltd Method and device for washing, and computer-readable storage medium
JP2012094848A (en) * 2010-09-30 2012-05-17 Kisco Ltd Drying processing apparatus and drying processing method for microstructure

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10303164A (en) * 1997-04-30 1998-11-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate treating device
JP2003124177A (en) * 2001-10-12 2003-04-25 Hitachi Ltd Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device and semiconductor manufacturing apparatus
JP2007317936A (en) * 2006-05-26 2007-12-06 Tokyo Electron Ltd Method and device for washing, and computer-readable storage medium
JP2012094848A (en) * 2010-09-30 2012-05-17 Kisco Ltd Drying processing apparatus and drying processing method for microstructure

Also Published As

Publication number Publication date
JP6535493B2 (en) 2019-06-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5522124B2 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium
TWI791037B (en) Liquid treatment device and liquid treatment method
JP4982320B2 (en) Substrate processing equipment
KR102477917B1 (en) Process liquid filtration apparatus, chemical supply apparatus and process liquid filtration method and storage medium
KR20190008939A (en) Substrate processing apparatus
JP6535493B2 (en) Substrate processing equipment
KR102101105B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR20150107638A (en) Separation and regeneration apparatus and substrate processing apparatus
JP6278808B2 (en) Liquid supply device and filter cleaning method
JP6223906B2 (en) Treatment liquid exchange method and liquid treatment apparatus
JP2010114307A (en) Substrate processing apparatus
TWI592988B (en) Semiconductor drying apparatus and circulating and filtering method of drying liquid used for the apparatus
JP6499019B2 (en) Case cleaning jig
JP6228800B2 (en) Substrate processing equipment
JP2015191897A5 (en)
JP2010094639A (en) Method of cleaning object to be cleaned and equipment for cleaning the object to be cleaned
JP2013191779A (en) Processor and processing method
TWM560696U (en) High adsorption cleaning device for exhaust gas of wet etching cleaning station
KR20170056967A (en) Substrate processing apparatus
KR102320180B1 (en) filter unit and having the same Apparatus for supplying chemical
JP6346447B2 (en) Substrate processing equipment
CN107644822B (en) Semiconductor drying equipment and semiconductor drying treatment liquid circulating and filtering method
JP6099996B2 (en) Cleaning method and cleaning apparatus using ozone water
KR102042635B1 (en) Single type apparatus for drying a substrate and single type system for cleaning a substrate including the same
JP2009044042A (en) Immersing type processing apparatus of object to be processed, and method of processing the object

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20171222

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20181022

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20181108

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20181227

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190520

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190603

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6535493

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250