JP2016184091A - 光モジュール - Google Patents

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Abstract

【課題】伝送線路間のクロストークを軽減し、誤動作を減らして、高品質な伝送特性可能にすることを目的とする。【解決手段】光モジュールは、光信号及び電気信号を少なくとも一方から他方にマルチチャンネルで変換するための光サブアセンブリ10と、光サブアセンブリ10に電気的に接続するフレキシブル配線基板26と、を有する。フレキシブル配線基板26は、相互に反対側の第1面32及び第2面34を有する絶縁層30と、異なるチャンネルの伝送線路36が相互に隣り合うように絶縁層30の第1面32に配列された複数の伝送線路36と、絶縁層30の第2面34に配置された導電層38と、絶縁層30とは反対側で導電層38に重なる電波吸収層42と、を有する。導電層38は、異なるチャンネルの隣り合う伝送線路36の間に開口40を有する。電波吸収層42は、開口40を覆うように設けられる。【選択図】図3

Description

本発明は、光モジュールに関する。
現在の光通信市場で使われる光受信モジュールまたは光送信モジュールは、一般に同軸型パッケージ、または、箱型パッケージの形状を有する。これらのパッケージには、受光素子又は/及び発光素子、並びに、必要に応じて変調素子及びアンプIC等が内包される。また、外部との光信号の入出力用に、パッケージには、レンズやファイバなどが格納される。例えば、光受信モジュールでは、光ファイバを通って入力された光信号は、レンズでビームスポットが絞り込まれた後、受光素子の吸収層(受光部)にて光電気変換により電気信号に変換される。この電気信号は、一般に、数マイクロアンペア乃至数ミリアンペア程度と微弱なため、トランスインピーダンスアンプICにおいて増幅され、電圧信号として光受信モジュールより出力される。光送信モジュールは、逆に電気信号を入力すると、変調された光信号が光ファイバ等を介して出力される。
近年、通信速度の増大に伴って、1個当たりの光モジュールに要求される通信容量が上がっており、40Gbps,100Gbps程度の伝送速度を有する光送信・受信モジュールが必要となってきている。それらでは、多チャンネル方式が使われることがあり、例えば、10Gbps×4ch、25Gbps×4ch等、変調された4波長の光信号を入出力する多チャンネル光モジュールなどが知られている。
それらの光モジュールでは、複数のチャンネル数に応じた受発光部を有した光素子または、複数のチャンネル数に応じたアンプを有したドライバIC,トランスインピーダンスIC等が搭載される。
そのため、入出力電気信号は複数チャンネル分必要となる。それらの光モジュールでは、パッケージ内部と外部の電気的な接続は、パッケージに取り付けられたセラミック基板に配線された伝送線路パターンと、これに半田等で接続されたフレキシブル基板によってなされるのが一般的であるが、このような光モジュールの一例が、下記特許文献1に開示されている。
特許文献1に示された光モジュールでは、1枚のフレキシブル基板をほぼ中央部付近でコの字状に折り曲げ、第1パターンと第2パターンとが対向するフレキシブル基板にパターニングされるように構成されている。
このようなフレキシブル基板を用いた光モジュールは、近年の市場よりニーズが高い多チャンネル光モジュールに最適な構成の一つである。なぜならば、電気の配線を光モジュールに対して上下2枚のフレキシブル基板に分けることで、狭幅化を実現することができるからである。
特開2012−018289号公報
例えば、このような狭幅化された25Gbps×4chの多チャンネル光モジュールの適用先として、CFP4やQSFP28などの規格が知られており、開発がすすめられている。CFP4やQSFP28の筺体に収められる光モジュールは、幅6mm程度と狭幅化されたPKGが必要とされる。
狭幅化の要求の高い6mm程度の光モジュールに適用されるフレキシブル基板の幅もせいぜい、6mm程度である。4チャンネル光モジュールであれば、伝送線路間の中心間ピッチは、1.5mm程度である。伝送線路の幅が100μm程度とすると、伝送線路間のギャップGは1.4mm程度である。
一般に、高速な多チャンネル光モジュールにおいては、例えば、誤動作の原因となるチャンネル間クロストークを抑制することが望まれる。チャンネル間クロストークは、隣接したチャンネルの伝送線路がおおよそ平行に配線された箇所で起きやすく、光モジュールにおいてはフレキシブル基板上でしばしば起きる。
このようなチャンネル間クロストークを防ぐために、隣接した伝送線路の間に電波吸収体や電波損失媒質が置かれることがある。電波吸収体は、その幅を500μm以内に収める必要があるが、500μm程度ほどの狭い幅で電波吸収体を加工するのは至難である。微細加工が可能であるとしても、電波吸収体と伝送線路間のギャップを少なくとも0.4mm程度にすることが要求される。しかし、電波吸収体を接着材によって貼り付ける精度は、300μm程度が現在の工業的に一般的であり、ギャップが100μm程度まで近接してしまう可能性がある。そのため、電波吸収体によって、クロストークノイズだけでなく、正規の伝送信号まで損失を受けてしまうことが懸念される。
したがって、伝送線路間のピッチが狭くパターニングされたフレキシブル基板を有する光モジュールにおいて、クロストークを抑制するのは大変至難である。
本発明は、伝送線路間のクロストークを軽減し、誤動作を減らして、高品質な伝送特性可能にすることを目的とする。
(1)本発明に係る光モジュールは、光信号及び電気信号を少なくとも一方から他方にマルチチャンネルで変換するための光サブアセンブリと、前記光サブアセンブリに電気的に接続するフレキシブル配線基板と、を有する光モジュールであって、前記フレキシブル配線基板は、相互に反対側の第1面及び第2面を有する絶縁層と、異なるチャンネルの伝送線路が相互に隣り合うように前記絶縁層の前記第1面に配列された複数の伝送線路と、前記絶縁層の前記第2面に配置された導電層と、前記絶縁層とは反対側で前記導電層に重なる電波吸収層と、を有し、前記導電層は、前記異なるチャンネルの隣り合う前記伝送線路の間に開口を有し、前記電波吸収層は、前記開口を覆うように設けられることを特徴とする。本発明によれば、導電層の開口から入った電波を電波吸収層で吸収して、伝送線路間のクロストークを軽減することができる。ここで、開口を公知のエッチング技術などで微細に形成すれば、電波吸収層は微細に形成しなくても、狭ピッチの伝送線路の間に電波吸収機能を設けることができる。
(2)(1)に記載された光モジュールであって、前記導電層と前記電波吸収層の間に介在する第2絶縁層をさらに有することを特徴としてもよい。
(3)(1)に記載された光モジュールであって、前記導電層と前記電波吸収層が接触していることを特徴としてもよい。
(4)(1)から(3)のいずれか1項に記載された光モジュールであって、前記開口は、複数箇所のそれぞれに形成されることを特徴としてもよい。
(5)(1)から(4)のいずれか1項に記載された光モジュールであって、前記開口は、隣同士の前記伝送線路の間に形成されることを特徴としてもよい。
(6)(1)から(4)のいずれか1項に記載された光モジュールであって、チャンネルごとに、一対の前記伝送線路が差動信号を伝送することを特徴としてもよい。
(7)(1)から(6)のいずれか1項に記載された光モジュールであって、前記電波吸収層は、電波によって発生する電流を抵抗によって吸収する導電性電波吸収材料と、誘電損失によって電波を吸収する誘電性電波吸収材料と、磁気損失によって電波を吸収する磁性電波吸収材料と、からなる群より選ばれる材料から形成され、電磁波のエネルギーを熱に変換することで吸収することを特徴としてもよい。
(8)(7)に記載された光モジュールであって、前記電波吸収層は、前記導電性電波吸収材料から形成され、10〜500Ω/□のシート抵抗を有することを特徴としてもよい。
(9)(7)に記載された光モジュールであって、前記電波吸収層は、前記導電性電波吸収材料から形成され、10〜100Ω/□のシート抵抗を有することを特徴としてもよい。
(10)(1)から(9)のいずれか1項に記載された光モジュールであって、前記開口の周の長さをL、光速をλc、前記フレキシブル配線基板の実効比誘電率をEr、前記電気信号の伝送に使用される最大の駆動周波数をFとしたとき、L<λc÷√(Er)÷Fが成立することを特徴としてもよい。
(11)(1)から(9)のいずれか1項に記載された光モジュールであって、前記開口の周の長さは、0.1mm以上、6mm以下であることを特徴としてもよい。
本発明の第1の実施形態の光モジュールを示す図である。 本発明の第1の実施形態の光モジュールに適用されるフレキシブル配線基板を示す平面図である。 図1に示すフレキシブル配線基板の一点鎖線で囲む部分を切り出して拡大した斜視図である。 図3に示すフレキシブル配線基板のIV−IV線断面図である。 図5(a)〜図5(c)は、フレキシブル配線基板の製造方法を説明する図である。 本発明の第2の実施形態の光モジュールを示す図である。 本発明の第2の実施形態の光モジュールに適用されるフレキシブル配線基板を示す平面図である。 本発明の第3の実施形態の光モジュールに適用されるフレキシブル配線基板を示す平面図である。 本発明の第4の実施形態の光モジュールに適用されるフレキシブル配線基板の一部を示す斜視図である。 図9に示すフレキシブル配線基板のX−X線断面図である。 図10に示すフレキシブル配線基板の変形例1を示す断面図である。 図10に示すフレキシブル配線基板の変形例2を示す断面図である。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、図面については、同一又は同等の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
[第1の実施形態]
図1は、本発明の第1の実施形態の光モジュールを示す図である。光モジュール100は、光信号及び電気信号を少なくとも一方から他方にマルチチャンネルで変換するための光サブアセンブリ10を有する。光サブアセンブリ10は、レーザなどの発光素子を内部に有し、電気信号を光信号に変換して送信する光送信モジュール(TOSA; Transmitter Optical SubAssembly)や、内部にフォトダイオードに代表される受光素子を有し、受信した光信号を電気信号に変換する光受信モジュール(ROSA; Receiver Optical SubAssembly)、およびその両方の機能を内包したBOSA (Bidirectional Optical Subassembly)などがある。
光サブアセンブリ10の一方の端部には、光信号の入出力用の光ファイバ12が接続されている。光サブアセンブリ10の他方の端部には、電気信号の入出力用のフィードスルー14が設けられている。例えば、光受信モジュールであれば、光ファイバ12を介して入力される光信号は、レンズホルダ16に固着されたレンズにより集光またはコリメート光にされ、パッケージ18内に内包された光学部材を経て、フォトダイオードにて光信号から電気信号に変換される。この電気信号はアンプICなどにより増幅され、セラミックなどの無機材質で構成されたフィードスルー14を介してパッケージ18外に出力される。なお、パッケージ18に内包された光素子や集積回路チップなどの電気素子は、リッド20によって気密封止されている。
フィードスルー14上のパターンにはリードピン22が搭載され、半田24などを用いて、フレキシブル配線基板26に電気的に接続されている。フレキシブル配線基板26は、光サブアセンブリ10とは反対側では、プリント基板28に半田等によって電気的に接続するとともに固着されている。なお、プリント基板28には、CDR(クロック・アンド・データリカバリ)や波形成形用のデジタルICや、アンプやドライバなどのアナログICや、その他の制御素子などが搭載されることがある。
図2は、本発明の第1の実施形態の光モジュールに適用されるフレキシブル配線基板を示す平面図である。図3は、図1に示すフレキシブル配線基板の一点鎖線で囲む部分を切り出して拡大した斜視図である。図4は、図3に示すフレキシブル配線基板のIV−IV線断面図である。
フレキシブル配線基板26は、絶縁層30(ベース基板)を有する。絶縁層30は、例えば、ポリイミド樹脂、液晶ポリマなどの有機の誘電体で構成される。絶縁層30は、相互に反対側の第1面32及び第2面34を有する。
絶縁層30の第1面32には、複数の伝送線路36が設けられている。複数の伝送線路36には、マルチチャンネルの信号を送信するようになっており、それぞれのチャンネルに少なくとも1つの伝送線路36が割り当てられている。異なるチャンネルの伝送線路36が相互に隣り合うように配列されている。
絶縁層30の第2面34には、導電層38が設けられている。導電層38は、基準電位(例えばグランド)に接続されている。これにより、伝送線路36は、高周波伝送用のインピーダンス線路になっており、例えば25オーム又は50オームなど、用途によって、そのインピーダンスが調整設計されている。例えば、ポリイミド樹脂の比誘電率が3程度であり、絶縁層30の厚みが50μm程度であれば、伝送線路36の幅が約100μmのときに、50オーム系の伝送線路36が構成される。
導電層38は、開口40を有する。開口40は、隣同士の伝送線路36(異なるチャンネルの隣り合う伝送線路36)の間に形成される。開口40は、複数箇所のそれぞれに形成される。複数の開口40は、その両側にある伝送線路36の延びる方向に沿って少なくとも一列で並んでいる。
フレキシブル配線基板26は、電波吸収層42を有する。電波吸収層42は、電磁波のエネルギーを、熱に変換することで吸収する。電波吸収層42は、例えば、電波によって発生する電流を抵抗によって吸収する導電性電波吸収材料、誘電損失によって電波を吸収する誘電性電波吸収材料、又は磁気損失によって電波を吸収する磁性電波吸収材料などからなる。電波吸収層42が導電性電波吸収材料から形成されるのであれば、10〜500Ω/□(例えば10〜100Ω/□)のシート抵抗を有することが一例として挙げられる。電波吸収層42は、絶縁層30とは反対側で導電層38に重なる。図4に示すように、導電層38と電波吸収層42の間に第2絶縁層31が介在する。第2絶縁層31は接着層を含む。電波吸収層42が電磁波を損失する性能は、絶縁層30又は第2絶縁層31の3倍以上大きい。あるいは、電波吸収層42は、絶縁層30に材料を塗布することで設けてもよい。
電波吸収層42は、開口40を覆うように設けられる。したがって、導電層38の開口40から入った電波を電波吸収層42で吸収して、開口40の両側にある伝送線路36間のクロストークを軽減することができる。開口40を公知のエッチング技術などで微細に形成すれば、電波吸収層42を微細に形成しなくても、狭ピッチの伝送線路36の間に電波吸収機能を設けることができる。
フレキシブル配線基板26は、図2に示すように、光サブアセンブリ10との接続側の端部に、伝送線路36に接続するパッド44aと、導電層38に接続するパッド44bを有する。絶縁層30の第1面32及び第2面34の両方にパッド44が設けられ、両者を貫通するスルーホール46aが形成されている。スルーホール46aに、図1に示すリードピン22が挿入されて半田24で固定される。
フレキシブル配線基板26は、プリント基板28(図1参照)との接続側の端部に、図2に示すように、伝送線路36に接続するパッド44cと、導電層38に接続するパッド44dを有する。絶縁層30の第1面32及び第2面34の両方にパッド44が設けられ、両者を貫通するスルーホール46bが形成されているので、第1面32及び第2面34の一方から他方に熱を伝えやすくなっている。プリント基板28と対向するパッド44c,44dは、電気的及び物理的な接続のため、幅広の形状であり、半田24による接続強度が十分とられる形状となっている(図1参照)。
図4に示すカバー層48は、伝送線路36を覆って、伝送線路36が傷ついたりさびたりすることから保護する。導電層38を覆うカバー層48も同じ目的で設けられる。カバー層48の形成には、ポリイミド、液晶ポリマなどの有機材質が使われることがある。カバー層48は、絶縁層30に接着剤49を介して接着されている。電波吸収層42は、接着剤52によってカバー層48に接着されている。第2絶縁層31は、カバー層48、接着剤49からなる層及び接着剤52からなる層を含む。カバー層48は、パッド44を避けるように設けられている。パッド44には金メッキや半田メッキなどがなされることが多い。
図5(a)〜図5(c)は、フレキシブル配線基板の製造方法を説明する図である。図5(a)に示すように、絶縁層30を、その両面に銅などの金属箔50を貼り付けて用意する。両面からのエッチングなどにより、金属箔50をパターニングして、第1面32に伝送線路36を形成し、第2面34に開口40を有する導電層38を形成する。公知のエッチング技術では、導電層38に形成される開口40は、形状と位置が±約50μmの高精度となるようにパターニングすることが可能である。
図5(b)に示すように、伝送線路36及び導電層38を保護するために、これらを覆うように、絶縁層30の両面にカバー層48を接着剤49で固着する。カバー層48の固着に代えて、レジストなどの有機材質を塗布してもよい。
図5(c)に示すように、開口40を覆うように、電波吸収層42を接着剤52によって導電層38に固着する。接着剤52による貼り合わせは一般的に精度を高くすることができず、たとえば300μm程度のずれが生じる。しかし、開口40の加工精度が±50μm程度と高い。電波吸収層42によって電波を吸収または損失させる作用は、開口40を介してのみ、伝送線路36に作用する。したがって、電波吸収層42の位置精度が低くても、開口40の加工精度が高いので、伝送線路36に過度な電気的伝送ロスを生じさせることなく、クロストークのみを抑制することが可能となる。
[第2の実施形態]
図6は、本発明の第2の実施形態の光モジュールを示す図である。図7は、本発明の第2の実施形態の光モジュールに適用されるフレキシブル配線基板を示す平面図である。
本実施形態では、光モジュール200のフィードスルー214には、第1の実施形態で説明したリードピン22の代わりに、図示しないパッドが設けられる。フレキシブル配線基板226のパッドもこれに対応した形状になっており、半田や導電性接着材等によって導通固着される。
また、導電層238には、複数の四角形状の開口240が形成されている。複数の開口240が形成された領域では、導電層238はメッシュ状になっている。開口240の形状や数は、フレキシブル配線基板226の強度や用途に応じて、適宜設計することができる。本実施形態のその他の詳細には、第1の実施形態で説明した内容を適用することができる。
[第3の実施形態]
図8は、本発明の第3の実施形態の光モジュールに適用されるフレキシブル配線基板を示す平面図である。
導電層338に形成する開口340は、共振の原因となるのでその対策が必要である。例えば25Gbpsの信号伝送を実現するためには、誤動作の原因となる25GHzまで共振等が抑制される必要がある。
そこで、開口340の周の長さをL(mm)、光速をλc(3.0×108 (m))、フレキシブル配線基板326の実効比誘電率をEr、電気信号の伝送に使用される最大の駆動周波数をF(Hz)としたとき、
L<λc÷√(Er)÷F
が成立することが好ましい。
実効比誘電率は、絶縁層、カバー層及び電波吸収層の材質と、その寸法によって決まる。実効比誘電率が2だとすると、
L≦8.48mm、
実効比誘電率が3だとすると、
L≦6.93mm、
実効比誘電率が4だとすると、
L≦6mmである。
例えば、絶縁層及びカバー層の材料が、誘電率3程度のポリイミド系の樹脂であれば、Lを6.9mm以下にすればよいが、実効比誘電率を計算することは難しいため、余裕を見てLを6mm以下にすることが好ましい。
例えば、開口340の周の長さは、0.1mm以上、6mm以下であることが好ましい。開口340が長方形状であれば、フレキシブル配線基板326の幅方向の短辺L及び長さ方向の長辺Lについて、
L=2×L+2×L
であり、
=0.2mm
であれば、
≦2.8mm
が適当である。
[第4の実施形態]
図9は、本発明の第4の実施形態の光モジュールに適用されるフレキシブル配線基板26の一部を示す斜視図である。図10は、図9に示すフレキシブル配線基板のX−X線断面図である。
本実施形態では、チャンネルごとに、一対の伝送線路436が割り当てられている。それぞれのチャンネルの一対の伝送線路436には差動信号が伝達される。異なるチャンネルの伝送線路436が相互に隣り合うように配列されている。本実施形態のその他の詳細には、第1の実施形態で説明した内容を適用することができる。
[変形例1]
図11は、図10に示すフレキシブル配線基板の変形例1を示す断面図である。この例では、カバー層448に電波吸収層442が直接的に設けられている。電波吸収層442は、カバー層448の、導電層438を向く面に設けられている。カバー層448又は電波吸収層442と絶縁層430又は導電層438との間には接着剤449が介在する。変形例として、電波吸収層442を、カバー層448の、導電層438とは反対を向く面に設けてもよい。
電波吸収層442は、予め、カバー層448に、貼り合わせ、塗布又は描画などによって設ける。そして、電波吸収層442が設けられたカバー層448を、絶縁層430に接着層449を介して固定する。この製造プロセスは、電波吸収層442が薄い場合に好適である。カバー層448の上に、抵抗体を数μm〜数オングストローム程度の膜厚で描画すれば、1平方mm当たり、数Ω〜数千Ω程度の薄い電波吸収層442を形成することができる。
いずれかのチャンネルの伝送線路436から生じた電気力線の一部は、開口440を通り抜け、抵抗薄膜で構成された電波吸収層442を貫入する。その場合、電波吸収層442に誘起電流が流れるが、その電流は電波吸収層442ですぐさま損失を受ける。これにより、電気力線は、他チャンネルの伝送線路436に届かなくなり、クロストークが発生しなくなることが期待される。
[変形例2]
図12は、図10に示すフレキシブル配線基板の変形例2を示す断面図である。この例では、導電層538と電波吸収層542が接触している。電波吸収層542は、電波損失物質をレジストなどの有機物に溶かし、塗布するなどの方法によって設ける。この場合、電波吸収層542は、電波損失や吸収の役割に加えて、導電層538を保護する。
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
10 光サブアセンブリ、12 光ファイバ、14 フィードスルー、16 レンズホルダ、18 パッケージ、20 リッド、22 リードピン、24 半田、26 フレキシブル配線基板、28 プリント基板、30 絶縁層、31 第2絶縁層、32 第1面、34 第2面、36 伝送線路、38 導電層、40 開口、42 電波吸収層、44 パッド、44a パッド、44b パッド、44c パッド、44d パッド、46a スルーホール、46b スルーホール、48 カバー層、49 接着剤、50 金属箔、52 接着剤、100 光モジュール、200 光モジュール、214 フィードスルー、226 フレキシブル配線基板、238 導電層、240 開口、326 フレキシブル配線基板、340 開口、430 絶縁層、436 伝送線路、436 伝送線路、438 導電層、440 開口、442 電波吸収層、448 カバー層、449 接着剤、538 導電層、542 電波吸収層。

Claims (11)

  1. 光信号及び電気信号を少なくとも一方から他方にマルチチャンネルで変換するための光サブアセンブリと、
    前記光サブアセンブリに電気的に接続するフレキシブル配線基板と、
    を有する光モジュールであって、
    前記フレキシブル配線基板は、
    相互に反対側の第1面及び第2面を有する絶縁層と、
    異なるチャンネルの伝送線路が相互に隣り合うように前記絶縁層の前記第1面に配列された複数の伝送線路と、
    前記絶縁層の前記第2面に配置された導電層と、
    前記絶縁層とは反対側で前記導電層に重なる電波吸収層と、
    を有し、
    前記導電層は、前記異なるチャンネルの隣り合う前記伝送線路の間に開口を有し、
    前記電波吸収層は、前記開口を覆うように設けられることを特徴とする光モジュール。
  2. 請求項1に記載された光モジュールであって、
    前記導電層と前記電波吸収層の間に介在する第2絶縁層をさらに有することを特徴とする光モジュール。
  3. 請求項1に記載された光モジュールであって、
    前記導電層と前記電波吸収層が接触していることを特徴とする光モジュール。
  4. 請求項1から3のいずれか1項に記載された光モジュールであって、
    前記開口は、複数箇所のそれぞれに形成されることを特徴とする光モジュール。
  5. 請求項1から4のいずれか1項に記載された光モジュールであって、
    前記開口は、隣同士の前記伝送線路の間に形成されることを特徴とする光モジュール。
  6. 請求項1から4のいずれか1項に記載された光モジュールであって、
    チャンネルごとに、一対の前記伝送線路が差動信号を伝送することを特徴とする光モジュール。
  7. 請求項1から6のいずれか1項に記載された光モジュールであって、
    前記電波吸収層は、電波によって発生する電流を抵抗によって吸収する導電性電波吸収材料と、誘電損失によって電波を吸収する誘電性電波吸収材料と、磁気損失によって電波を吸収する磁性電波吸収材料と、からなる群より選ばれる材料から形成され、電磁波のエネルギーを熱に変換することで吸収することを特徴とする光モジュール。
  8. 請求項7に記載された光モジュールであって、
    前記電波吸収層は、前記導電性電波吸収材料から形成され、10〜500Ω/□のシート抵抗を有することを特徴とする光モジュール。
  9. 請求項7に記載された光モジュールであって、
    前記電波吸収層は、前記導電性電波吸収材料から形成され、10〜100Ω/□のシート抵抗を有することを特徴とする光モジュール。
  10. 請求項1から9のいずれか1項に記載された光モジュールであって、
    前記開口の周の長さをL、光速をλc、前記フレキシブル配線基板の実効比誘電率をEr、前記電気信号の伝送に使用される最大の駆動周波数をFとしたとき、
    L<λc÷√(Er)÷F
    が成立することを特徴とする光モジュール。
  11. 請求項1から9のいずれか1項に記載された光モジュールであって、
    前記開口の周の長さは、0.1mm以上、6mm以下であることを特徴とする光モジュール。
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