JP2016171244A - 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
Description
前記処理容器内へ前記反応ガスを供給する第1の工程と、
次いで、前記処理容器内を真空排気した状態で前記反応ガスの供給を停止する第2の工程と、
その後、前記処理容器内の圧力が前記反応ガスの供給の停止により低下して設定値以下になったとき、または反応ガスの供給停止時から設定時間が経過したときに、前記処理容器内へ前記原料ガスを供給する第3の工程と、を含むことを特徴とする。
前記コンピュータプログラムは、本発明の成膜方法を実行するようにステップが組まれていることを特徴とする。
前記原料ガスを前記処理容器内に供給するための原料ガス供給部と、
前記反応ガスを前記処理容器内に供給するための反応ガス供給部と、
前記処理容器内を排気して真空雰囲気を形成するための排気機構と、
前記処理容器内へ前記反応ガスを供給する第1のステップと、次いで、前記処理容器内を真空排気した状態で前記反応ガスの供給を停止する第2の工程と、その後、前記処理容器内の圧力が前記反応ガスの供給の停止により低下して設定値以下になったとき、または反応ガスの供給停止時から設定時間が経過したときに、前記処理容器内へ前記原料ガスを供給する第3のステップと、が実施されるように制御信号を出力する制御部と、
を備えたことを特徴とする。
処理空間13にH2ガスが供給され、当該H2ガスにより、ウエハWの表面部に形成された自然酸化膜が還元されて除去される。図3(a)は、この自然酸化膜除去後のウエハWを示しており、当該ウエハWのSiである表面部を60として示している。
H2ガスの供給開始から例えば30分後において、H2ガスの供給が停止されると共に、所定の流量でNH3ガスの供給が開始され(時刻t1)、処理空間13が1000Pa以下の圧力となるように排気される。このように処理空間13の圧力が比較的低い圧力にされた状態で、NH3ガスによりウエハWの極表面が窒化され、SiN膜61が形成される(図3(b))。既述したように、このSiN膜61は、後のステップで形成されるAlN膜がSi表面部60の結晶軸に沿ってエピタキシャル成長により成膜可能である膜厚、例えば4nm以下の膜厚になるように形成される。
上記の時刻t2において、処理空間13の圧力が下降し、例えば30Pa〜133Paとなるように処理空間13の圧力が調整されると共に、NH3ガスの供給が続けられる。この時刻t2以降におけるNH3ガスの流量は、例えば1.0slm(L/分)〜15.0slm(L/分)とされ、具体的には例えば10slmとされる。このように比較的大きい流量でNH3ガスが供給されることで、処理空間13内の各部におけるNH3ガスの濃度の均一性が高い状態とされる。時刻t2から例えば30秒経過すると、NH3ガスの供給が停止すると共に、パージガスであるN2ガスの供給が開始される(時刻t3)。
ステップ3の最後のサイクルが終了してパージガスの供給が停止すると共に、処理空間13へのGaCl3ガス及びNH3ガスの供給が開始される(時刻t11)。GaCl3ガスとNH3ガスとによるCVDによって、AlN膜62上にGaNが堆積し、エピタキシャル成長して、図3(d)に示すようにGaN膜63が形成される。例えば3μm〜5μmの膜厚を有するGaN膜63が形成されると、GaCl3ガス及びNH3ガスの供給が停止する。然る後、蓋部25が下降して処理空間13が開放されると共に、ボート21が処理空間13から搬出される。
(評価試験1)
評価試験1−1として、上記の成膜装置1において処理空間13の圧力を0.5torr(66.7Pa)とし、恒温槽44内を100℃にして当該恒温槽44内のAlCl3を昇華させた。そして、NH3ガスを処理空間13に2slm(L/分)で供給すると共に、恒温槽44に100sccm(mL/分)でキャリアガスであるN2ガスを供給することで処理空間13にAlCl3ガスを供給し、ウエハWに成膜処理を行った。この評価試験1−1では、処理空間13へのAlCl3ガスとNH3ガスとの供給は同時に開始し、60秒間これらのガスの供給を続けた。また、評価試験1−2として、恒温槽44内の温度を130℃にして、処理空間13に供給されるAlCl3ガスの量を増加させた他は、評価試験1−1と同様の成膜処理を行った。
1 成膜装置
13 処理空間
31 ガス導入部
35 ガス導入管
37 排気空間
40、50 配管系
60 シリコン表面部
61 SiN膜
62 AlN膜
100 制御部
Claims (6)
- 縦型の処理容器内に複数の基板を棚状に配置し、真空雰囲気中で当該基板に、原料ガスと当該原料ガスと反応する反応ガスとを供給して、反応生成物を前記基板に堆積させる成膜方法において、
前記処理容器内へ前記反応ガスを供給する第1の工程と、
次いで、前記処理容器内を真空排気した状態で前記反応ガスの供給を停止する第2の工程と、
その後、前記処理容器内の圧力が前記反応ガスの供給の停止により低下して設定値以下になったとき、または反応ガスの供給停止時から設定時間が経過したときに、前記処理容器内へ前記原料ガスを供給する第3の工程と、を含むことを特徴とする成膜方法。 - 前記第3の工程を行った後、前記処理容器内にパージガスを供給して、当該処理容器内に残留する前記原料ガス及び反応ガスをパージする第4の工程を含み、 前記基板に前記反応生成物の層を積層して成膜するために、前記第1の工程、前記第2の工程、前記第3の工程及び前記第4の工程からなるサイクルを複数回繰り返し行う工程を含むことを特徴とする請求項1記載の成膜方法。
- 前記第2の工程を行った後、前記第3の工程を行う前において、前記処理容器内における前記反応ガスの分圧を低下させるために、前記処理容器内にパージガスを供給する工程が行われることを特徴とする請求項1または2記載の成膜方法。
- 内部に複数の基板が棚状に保持される縦型の処理容器を備えた成膜装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項1ないし3のいずれか一項の成膜方法を実行するようにステップが組まれていることを特徴とする記憶媒体。 - 縦型の処理容器を備え、当該処理容器内に棚状に配置される複数の基板に原料ガスと当該原料ガスと反応する反応ガスとを供給して当該基板に反応生成物を堆積させて成膜する成膜装置において、
前記原料ガスを前記処理容器内に供給するための原料ガス供給部と、
前記反応ガスを前記処理容器内に供給するための反応ガス供給部と、
前記処理容器内を排気して真空雰囲気を形成するための排気機構と、
前記処理容器内へ前記反応ガスを供給する第1のステップと、次いで、前記処理容器内を真空排気した状態で前記反応ガスの供給を停止する第2の工程と、その後、前記処理容器内の圧力が前記反応ガスの供給の停止により低下して設定値以下になったとき、または反応ガスの供給停止時から設定時間が経過したときに、前記処理容器内へ前記原料ガスを供給する第3のステップと、が実施されるように制御信号を出力する制御部と、
を備えたことを特徴とする成膜装置。 - 前記処理容器内の前記反応ガス及び前記原料ガスをパージするためのパージガスを当該処理容器内に供給するパージガス供給部が設けられ、
前記制御部は、前記第3のステップが行われた後、前記処理容器内にパージガスを供給して当該処理容器内に残留する前記原料ガス及び前記反応ガスをパージする第4のステップが実施され、且つ前記基板に前記反応生成物の層を積層させて成膜するために、前記第1のステップ、前記第2のステップ、前記第3のステップ及び前記第4のステップからなるサイクルを複数回繰り返し行うように前記制御信号を出力することを特徴とする請求項5記載の成膜装置。
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2015
- 2015-03-13 JP JP2015051141A patent/JP2016171244A/ja active Pending
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