JP2016157878A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2016157878A5
JP2016157878A5 JP2015035938A JP2015035938A JP2016157878A5 JP 2016157878 A5 JP2016157878 A5 JP 2016157878A5 JP 2015035938 A JP2015035938 A JP 2015035938A JP 2015035938 A JP2015035938 A JP 2015035938A JP 2016157878 A5 JP2016157878 A5 JP 2016157878A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
oxide semiconductor
layer
semiconductor film
main component
crystalline oxide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015035938A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP6876895B2 (ja
JP2016157878A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2015035938A priority Critical patent/JP6876895B2/ja
Priority claimed from JP2015035938A external-priority patent/JP6876895B2/ja
Publication of JP2016157878A publication Critical patent/JP2016157878A/ja
Publication of JP2016157878A5 publication Critical patent/JP2016157878A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6876895B2 publication Critical patent/JP6876895B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2015035938A 2015-02-25 2015-02-25 結晶性酸化物半導体膜、半導体装置 Active JP6876895B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015035938A JP6876895B2 (ja) 2015-02-25 2015-02-25 結晶性酸化物半導体膜、半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015035938A JP6876895B2 (ja) 2015-02-25 2015-02-25 結晶性酸化物半導体膜、半導体装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019226565A Division JP7016489B2 (ja) 2019-12-16 2019-12-16 結晶性酸化物半導体膜、半導体装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2016157878A JP2016157878A (ja) 2016-09-01
JP2016157878A5 true JP2016157878A5 (de) 2018-04-19
JP6876895B2 JP6876895B2 (ja) 2021-05-26

Family

ID=56826701

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015035938A Active JP6876895B2 (ja) 2015-02-25 2015-02-25 結晶性酸化物半導体膜、半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6876895B2 (de)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019034883A (ja) 2017-08-21 2019-03-07 株式会社Flosfia 結晶膜の製造方法
JP7160318B2 (ja) * 2018-08-01 2022-10-25 国立研究開発法人物質・材料研究機構 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP6934852B2 (ja) * 2018-12-18 2021-09-15 信越化学工業株式会社 酸化ガリウム膜の製造方法
CN113677834A (zh) * 2019-04-24 2021-11-19 日本碍子株式会社 半导体膜
JP7265624B2 (ja) * 2019-06-28 2023-04-26 日本碍子株式会社 半導体膜
CN116018260A (zh) * 2020-09-24 2023-04-25 日本碍子株式会社 层叠结构体
WO2023053817A1 (ja) 2021-09-30 2023-04-06 信越化学工業株式会社 積層構造体、半導体装置及び結晶性酸化物膜の成膜方法
WO2024122463A1 (ja) * 2022-12-06 2024-06-13 信越化学工業株式会社 結晶性酸化物半導体膜、積層構造体、及び半導体装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3929964B2 (ja) * 2003-11-14 2007-06-13 独立行政法人科学技術振興機構 薄膜積層構造体の製造方法
JP2009013028A (ja) * 2007-07-06 2009-01-22 Nippon Light Metal Co Ltd 酸化アルミニウム−酸化ガリウム固溶体およびその製造方法
JP5665676B2 (ja) * 2011-07-11 2015-02-04 Dowaエレクトロニクス株式会社 Iii族窒化物エピタキシャル基板およびその製造方法
US20140217470A1 (en) * 2011-09-08 2014-08-07 Tamura Corporation Ga2O3 SEMICONDUCTOR ELEMENT
JP5397795B1 (ja) * 2013-06-21 2014-01-22 Roca株式会社 半導体装置及びその製造方法、結晶及びその製造方法
JP6152514B2 (ja) * 2013-10-17 2017-06-28 株式会社Flosfia 半導体装置及びその製造方法、並びに結晶及びその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2016157878A5 (de)
JP2018002544A5 (de)
JP2014072533A5 (de)
JP2015015458A5 (ja) 半導体装置
JP2014232869A5 (de)
JP2015005731A5 (ja) 酸化物半導体膜
JP2014131025A5 (de)
JP2015144265A5 (de)
JP2016015484A5 (ja) 半導体装置
JP2014116588A5 (de)
JP2014198460A5 (de)
JP2013140989A5 (de)
JP2017005148A5 (de)
JP2011100994A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2010062543A5 (ja) 半導体装置
JP2013179276A5 (de)
JP2013102150A5 (de)
JP2014099599A5 (de)
JP2017038062A5 (de)
JP2015038980A5 (ja) 酸化物半導体膜および半導体装置
JP2018014372A5 (de)
JP2015078076A5 (ja) n型窒化アルミニウム単結晶基板を用いた縦型窒化物半導体デバイス
JP2014187359A5 (de)
JP2013102152A5 (de)
JP2017175101A5 (ja) 酸化物半導体膜、トランジスタ、半導体装置、表示装置、表示モジュール、電子機器