JP2016150905A - チオアルドヘキソース誘導体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】３−（６−デオキシスルホアルドヘキソース）−１−プロパノール誘導体の新規合成法及び新規中間体を提供すること。
【解決手段】下記式（ＩＩＩ）で表されるチオアルドヘキソース誘導体。式中、Ｒは置換されていてもよいアルキル基又は置換されていてもよいアリール基を表し、Ｒ^２１、Ｒ^３１及びＲ^４１は同一又は異なってヒドロキシ基の保護基を表し、−ＯＲ^６１は脱離基を表す。

【選択図】なし

Description

本発明は、３−（６−デオキシスルホアルドヘキソース）−１−プロパノール誘導体の新規合成法及び新規中間体に関する。

従来より、悪性腫瘍に対する放射線療法において、放射線と同時に投与されたとき、その治療効果を強める化学的又は薬学的物質、即ち放射線増感剤として、スルホキノボシルアシルグリセロール（例えば、特許文献１）及びスルホキノボシルアシルプロパンジオール誘導体（例えば、特許文献２）並びにこれらの薬学的に許容される塩が知られている。これらの化合物については、ＭＲＩ、ＰＥＴ、Ｘ線、ＣＴ等を用いた癌の検出及び診断法に利用される造影剤としての使用も示唆されている（例えば、特許文献３）。

スルホキノボシルアシルグリセロール及びスルホキノボシルアシルプロパンジオールの合成方法としては、中間体として４，６−Ｏ−ベンジリデン−α−Ｄ−グルコピラノシドを経る方法が紹介されてきた（例えば、特許文献１〜３）。しかしながら、この合成方法は、グリコシル化反応において厳密な無水条件を必要とすることから、合成全体を困難にし、収率の低下を招くという問題があった。また、最終の保護基除去の段階で失われる官能基を導入した誘導体の合成が困難であるという問題もあった。

国際公開第２００６／００１３７４号 国際公開第２００９／０６３０５６号 国際公開第２０１０／０８２６３４号

本発明は、上記事情に鑑み、スルホキノボシルアシルグリセロール誘導体、スルホキノボシルアシルプロパンジオール誘導体等の３−（６−デオキシスルホアルドヘキソース）−１−プロパノール誘導体の新規の合成方法を提供することを目的とする。

本発明者らは、ピラノース環に結合しているヒドロキシ基の保護を工夫することにより、従来の４，６−Ｏ−ベンジリデン−α−Ｄ−グルコピラノシドを経ることなく３−（６−デオキシスルホアルドヘキソース）−１−プロパノール誘導体を合成する方法を見出し、本発明を完成するに至った。具体的には、本発明は以下である。

［１］ 下記式（ＩＩＩ）で表されるチオアルドヘキソース誘導体。

（式中、Ｒは置換されていてもよいアルキル基又は置換されていてもよいアリール基を表し、Ｒ^２１、Ｒ^３１及びＲ^４１は同一又は異なってヒドロキシ基の保護基を表し、−ＯＲ^６１は脱離基を表す。）
［２］ 下記式（ＩＶ）で表される６−デオキシ−１，６−ジチオアルドヘキソース誘導体。

（式中、Ｒは置換されていてもよいアルキル基又は置換されていてもよいアリール基を表し、Ｒ^２１、Ｒ^３１及びＲ^４１は同一又は異なってヒドロキシ基の保護基を表し、Ｒ^６２はアシル基を表す。）
［３］ 下記工程（１）及び下記工程（２）を含む、［１］記載のチオアルドヘキソース誘導体の製造方法。
工程（１）：下記式（Ｉ）

（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^６は同一又は異なってアシル基を表す。）で表されるアシル化アルドヘキソースの１位の−ＯＲ^１（Ｒ^１は上記と同じ。）を−ＳＲ（Ｒは置換されていてもよいアルキル基又は置換されていてもよいアリール基を表す。）に変換して、下記式（ＩＩ）

（式中、Ｒ、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^６は上記と同じ。）で表されるアシル化チオアルドヘキソースを得る工程
工程（２）：上記アシル化チオアルドヘキソースのヒドロキシ基の保護基を除去し、６位の−ＯＲ^６に脱離基を導入して、上記チオアルドヘキソース誘導体を得る工程
［４］ ［１］記載のチオアルドヘキソース誘導体に、−ＳＲ^６２（Ｒ^６２はアシル基を表す。）を有するチオアシル化合物を反応させることにより、［２］記載の６−デオキシ−１，６−ジチオアルドヘキソース誘導体を製造する方法。
［５］ ［２］記載の６−デオキシ−１，６−ジチオアルドヘキソース誘導体のアノマー炭素に１，３−プロパンジオール誘導体を導入し、上記６−デオキシ−１，６−ジチオアルドヘキソース誘導体の６位の−ＳＲ^６２（Ｒ^６２はアシル基を表す。）を酸化することにより、下記式（Ｖ）で表される３−（６−デオキシスルホアルドヘキソース）−１−プロパノール誘導体を製造する方法。

（式中、Ｒ^２１、Ｒ^３１及びＲ^４１は同一又は異なってヒドロキシ基の保護基を表し、Ｍはｎ価のカチオンを表し、Ｒ^７はＨ、−ＯＨ又は−ＯＣＯＨであり、−ＯＲ^９は脱離基又はＲ^９がＨ若しくはヒドロキシ基の保護基を表す。）
［６］ 下記工程（４）及び下記工程（５）を含む、下記式（ＶＩ）で表される６−デオキシスルホアルドヘキソース−アシルプロピルエーテル誘導体を製造する方法。

（式中、Ｒ^７はＨ、−ＯＨ又は−ＯＣＯＨであり、Ｒ^１１は置換されていてもよいアルキル基を表し、Ｍはｎ価のカチオンを表す。）
工程（４）：［２］記載の６−デオキシ−１，６−ジチオアルドヘキソース誘導体のアノマー炭素に１，３−プロパンジオール誘導体を導入する工程、及び、上記６−デオキシ−１，６−ジチオアルドヘキソース誘導体の６位の−ＳＲ^６２（Ｒ^６２はアシル基を表す。）を酸化する工程を含む、下記式（Ｖ）で表される３−（６−デオキシスルホアルドヘキソース）−１−プロパノール誘導体を得る工程

（式中、Ｒ^２１、Ｒ^３１及びＲ^４１は同一又は異なってヒドロキシ基の保護基を表し、Ｍはｎ価のカチオンを表し、Ｒ^７はＨ、−ＯＨ又は−ＯＣＯＨであり、−ＯＲ^９は脱離基又はＲ^９がＨ若しくはヒドロキシ基の保護基を表す。）
工程（５）：上記３−（６−デオキシスルホアルドヘキソース）−１−プロパノール誘導体に、アシル基を導入する工程、及び、ヒドロキシ基を脱保護する工程を含む、上記６−デオキシスルホアルドヘキソース−アシルプロピルエーテル誘導体を得る工程
［７］ 上記工程（５）は、工程（５Ｃ）及び工程（５Ｄ）により行う、［６］記載の６−デオキシスルホアルドヘキソース−アシルプロピルエーテル誘導体を製造する方法。
工程（５Ｃ）：前記式（Ｖ）で表される３−（６−デオキシスルホアルドヘキソース）−１−プロパノール誘導体に対し、ヒドロキシ基を脱保護し、下記式（Ｖ−Ｃ）

（式中、Ｒ^７及びＭは上記と同じ。−ＯＲ^１０は−ＯＨ又は脱離基を表す。）
で表される化合物を得る工程
工程（５Ｄ）：上記式（Ｖ−Ｃ）における−ＯＲ^１０（Ｒ^１０は上記と同じ。）に、式−ＣＯＲ^１１（Ｒ^１１は上記と同じ。）で表されるアシル基を導入することにより、上記式（ＶＩ）で表される６−デオキシスルホアルドヘキソース−アシルプロピルエーテル誘導体を得る工程

本発明によれば、合成の初期過程でチオグリコシドへ変換し、その他の水酸基の官能基変換を行った上で、１，３−プロパンジオール誘導体とのグリコシル化反応を行うことにより、従来の合成法よりもグリコシル化反応の工程数を少なくすることができるので、全体として合成を容易にし、収率を上げることもできる。本発明は、また、従来法よりも緩和された条件下での合成も可能となる、３−（６−デオキシスルホアルドヘキソース）−１−プロパノール誘導体の新規の合成方法を提供することができる。本発明は、更に、全ての保護基を除去した共通中間体を経由することができるため、様々な目的物への変換を可能にすることができる。

以下、本発明の実施形態について説明する。
本発明は、下記式（ＩＩＩ）で表されるチオアルドヘキソース誘導体である。

（式中、Ｒは置換されていてもよいアルキル基又は置換されていてもよいアリール基を表し、Ｒ^２１、Ｒ^３１及びＲ^４１は同一又は異なってヒドロキシ基の保護基を表し、−ＯＲ^６１は脱離基を表す。）

上記式（ＩＩＩ）におけるアルドヘキソースとしては、特に限定されないが、例えば、Ｄ−グルコース、Ｄ−ガラクトース、Ｄ−マンノース等が挙げられ、Ｄ−グルコースが好ましい。上記アルドヘキソースがＤ−グルコースである場合、式（ＩＩＩ）で表される化合物は、チオグリコシド誘導体と称してもよい。
上記式（ＩＩＩ）におけるピラノース環は、舟形であってもイス形であってもその混合であってもよいが、一般的にイス形の方が安定であるので好ましい。また、当該ピラノース環の１位の立体配置はαアノマーでもβアノマーでもその混合物であってもよい。
後述の式（Ｉ）で表されるアシル化アルドヘキソースから上記式（ＩＩＩ）で表されるチオアルドヘキソース誘導体等を経て、式（ＶＩ）で表される６−デオキシスルホアルドヘキソース−アシルプロピルエーテル誘導体を製造する方法を構成する各工程のうち少なくとも一部の工程も本発明の一つであるが、式（Ｉ）〜式（ＶＩ）に表されるアルドヘキソースの立体異性は、連続する工程において一貫して同じである。即ち、例えば、上記式（ＩＩＩ）におけるアルドヘキソースがＤ−グルコースである場合、該式（ＩＩＩ）に至る式（Ｉ）〜式（ＩＩ）においてもアルドヘキソースはＤ−グルコースであり、該式（ＩＩＩ）から導かれる式（ＩＶ）〜式（ＶＩ）においてもアルドヘキソースはＤ−グルコースであり、通常、式（Ｉ）〜式（ＶＩ）を通じてイス形のＤ−グルコースである。

本明細書において、アルキル基、アリール基等の炭化水素基について「置換されていてもよい」とは、置換炭化水素基又は非置換炭化水素基の何れであってもよいことを意味する。置換炭化水素基としては、例えば、置換フェニル基等の置換アリール基；置換アルキル基等が挙げられる。非置換炭化水素基としては、例えば、非置換フェニル基等の非置換アリール基；非置換アルキル基等が挙げられる。
本明細書において、「置換フェニル基」、「置換アリール基」、「置換アルキル基」及び「置換炭化水素基」とは、それぞれフェニル基、アリール基、アルキル基若しくは炭化水素基が有する少なくとも１個の水素原子が、水素原子以外の原子又は原子団により置換されている基を意味する。また、本明細書において、「非置換フェニル基」、「非置換アリール基」、「非置換アルキル基」及び「非置換炭化水素基」とは、上記「水素原子以外の原子又は原子団」により置換されていないフェニル基、アリール基、アルキル基若しくは炭化水素基をそれぞれ意味する。

従って、上記Ｒは、置換アルキル基、非置換アルキル基、置換アリール基又は非置換アリール基を表すとも言い換えられる。
上記Ｒとしては、後述の式（ＩＩ）で表されるアシル化チオアルドヘキソースから、上記式（ＩＩＩ）で表されるチオアルドヘキソース誘導体を経て、後述の式（ＩＶ）で表される６−デオキシ−１，６−ジチオアルドヘキソース誘導体を製造する過程において、アルドヘキソースの１位以外のヒドロキシ基及びその保護基に対する反応の影響を受けない基であれば特に限定されないが、非置換アルキル基、置換アルキル基又は置換アリール基が好ましく、置換アリール基がより好ましい。

上記Ｒとしての非置換アルキル基としては、特に限定されないが、炭素数１〜５の直鎖又は分岐のアルキル基が好ましく、炭素数１〜５の直鎖アルキル基がより好ましく、エチル基が更に好ましい。上記Ｒとしての非置換アルキル基としては、また、炭素数５〜２０のシクロアルキル基であってもよく、炭素数５〜８のシクロアルキル基が好ましく、炭素数５〜７のシクロアルキル基がより好ましい。

上記Ｒとしての置換アルキル基としては、特に限定されないが、アルキル基がアルコキシ基、トリアルキルシリル基等の置換基１〜５個により置換されている基等が挙げられる。上記置換アルキル基を構成する上記置換基以外のアルキル基としては、特に限定されないが、炭素数１〜２０の直鎖又は分岐のアルキル基等が挙げられ、炭素数１〜１０の直鎖又は分岐のアルキル基がより好ましく、炭素数１〜５の直鎖アルキル基が更に好ましく、エチル基が特に好ましい。上記置換アルキル基を構成する上記置換基以外のアルキル基としては、また、炭素数５〜２０のシクロアルキル基であってもよく、炭素数５〜１０のシクロアルキル基が好ましく、炭素数５〜７のシクロアルキル基がより好ましい。

上記Ｒとしての置換アリール基としては、特に限定されないが、置換フェニル基等が挙げられ、メチルフェニル基（トリル基；Ｔｏｌ）、キシリル基、メシチル基、３，４，５−トリメチルフェニル基、クメニル基等の１〜５個のアルキル基により置換されているフェニル基が好ましく、トリル基がより好ましい。

上記Ｒ^２１、Ｒ^３１及びＲ^４１としては、ヒドロキシ基を保護するものであれば特に限定されず、例えば、トリフェニルメチル基（トリチル基；Ｔｒｔ）、ベンジル基、ｐ−メトキシベンジル（ＰＭＢ）基、ジメトキシベンジル基、ニトロベンジル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基（ＴＢＤＭＳ）、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル（ＴＢＤＰＳ）基、シリル基等のエーテル系保護基；テトラヒドロピラニル基（ＴＨＰ）、メトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、エトキシエチル基、メトキシエトキシメチル基等のアセタール系保護基；メチルチオメチル基；アセチル基、ピバロイル基等のアシル系保護基；等の各種保護基が挙げられ、ベンジル基、ＰＭＢ基、ニトロベンジル基、ＴＢＤＭＳ基、ＴＢＤＰＳ基が好ましく、ベンジル基がより好ましい。Ｒ^２１、Ｒ^３１及びＲ^４１は、−ＳＲ^６２（Ｒ^６２は上記と同じ。）の導入がピラノース環の６位以外で起こらないように制御しやすい点で、相互に同一の基であることが好ましい。Ｒ^２１、Ｒ^３１及びＲ^４１は、これら相互間において同一であってもよいし、異なっていてもよい。

上記Ｒ^６１は、後述の式（ＩＶ）で表される６−デオキシ−１，６−ジチオアルドヘキソース誘導体を得る工程において−ＳＲ^６２（Ｒ^６２はアシル基を表す。）の導入がアルドヘキソースの６位以外の位置で起こらないように、Ｒ^２１、Ｒ^３１及びＲ^４１と異なる基であることが好ましい。Ｒ^６１は、また、当該工程において、アルドヘキソースの６位において−ＯＲ^６１から−ＳＲ^６２（Ｒ^６２は上記と同じ。）への変換を妨げない基であることが好ましい。−ＯＲ^６１は、脱離基であり、該脱離基としては、ｐ−トルエンスルホニル基（トシル基；Ｔｓ）、メチルスルホニル基（メシル基；Ｍｓ）、トリフラート基、ヨード基が好ましく、トシル基がより好ましい。

本発明において、上記式（ＩＩＩ）で表されるチオアルドヘキソース誘導体は、下記工程（１）及び下記工程（２）を含む方法により製造することができる。
工程（１）：下記式（Ｉ）

（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^６は同一又は異なってアシル基を表す。）で表されるアシル化アルドヘキソースの１位の−ＯＲ^１（Ｒ^１は上記と同じ。）を−ＳＲ（Ｒは上記と同じ。）に変換して、下記式（ＩＩ）

（式中、Ｒ、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^６は上記と同じ。）で表されるアシル化チオアルドヘキソースを得る工程
工程（２）：上記式（ＩＩ）で表されるアシル化チオアルドヘキソースのヒドロキシ基の保護基を除去し、６位の−ＯＲ^６に脱離基を導入して、上記式（ＩＩＩ）で表されるチオアルドヘキソース誘導体を得る工程

上記式（Ｉ）で表されるアシル化アルドヘキソースにおいて、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^６は、これら相互間において同一であってもよいし異なっていてもよいが、該アシル化アルドヘキソースの１位の−ＯＲ^１（Ｒ^１は上記と同じ。）のみを−ＳＲ（Ｒは上記と同じ。）に変換する反応を制御しやすい点で、相互に同一であることが好ましい。
Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^６としてのアシル基としては、特に限定されず、例えば、ヒドロキシ基の保護基となるアシル基等が挙げられ、脂肪族モノカルボン酸由来のアシル基が好ましく、脂肪族飽和モノカルボン酸由来のアシル基がより好ましい。
本明細書において「脂肪族モノカルボン酸由来のアシル基」とは、脂肪族モノカルボン酸が有するカルボキシ基から−ＯＨを除いた基に相当する基を意味し、「脂肪族飽和モノカルボン酸由来のアシル基」とは、脂肪族飽和モノカルボン酸が有するカルボキシ基から−ＯＨを除いた基に相当する基を意味する。
上記Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^６としての脂肪族飽和モノカルボン酸由来のアシル基としては、炭素数１〜２０の直鎖又は分岐のアシル基が好ましく、炭素数１〜１０の直鎖又は分岐のアシル基がより好ましく、炭素数１〜５の直鎖アシル基が更に好ましく、アセチル基が特に好ましい。
上記式（Ｉ）で表されるアシル化アルドヘキソースは、特に限定されず、例えば、従来法により得ることができ、例えば、アルドヘキソースに無水酢酸及び酢酸ナトリウムを加え、加熱沸騰することにより、得ることができる。

工程（１）において、上記式（Ｉ）で表されるアシル化アルドヘキソースの１位の−ＯＲ^１（Ｒ^１は上記と同じ。）を−ＳＲ（Ｒは上記と同じ。）に変換して、上記式（ＩＩ）で表されるアシル化チオアルドヘキソースを得る方法としては、特に限定されないが、例えば、ＲＳＨ（Ｒは上記と同じ。）で表されるチオール化合物を上記式（Ｉ）で表されるアシル化アルドヘキソースに反応させる方法等が挙げられる。

上記工程（１）及び上記工程（２）としては、上記式（Ｉ）及び上記式（ＩＩ）に表されるアルドヘキソースがＤ−グルコースであるものが好ましい。上記アルドヘキソースがＤ−グルコースである場合、上記工程（１）及び上記工程（２）は、下記のように表すことができる。
工程（１’）：上記式（Ｉ）（Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^６は上記と同じ。）で表されるアシル化グルコースをチオグリコシド化して、上記式（ＩＩ）（Ｒ、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^６は上記と同じ。）で表されるアシル化チオグリコシドを得る工程
工程（２’）：上記式（ＩＩ）で表されるアシル化チオグリコシドのヒドロキシ基の保護基を除去し、６位の−ＯＲ^６に脱離基を導入して、上記式（ＩＩＩ）で表されるチオグリコシド誘導体を得る工程

上述の工程（２）において、上記式（ＩＩ）で表されるアシル化チオアルドヘキソースのヒドロキシ基の保護基を除去し、６位の−ＯＲ^６に脱離基を導入して、上記式（ＩＩＩ）で表されるチオアルドヘキソース誘導体を得る工程としては、下記工程（２Ａ）〜（２Ｄ）により行うことが好ましい。
工程（２Ａ）：上記式（ＩＩ）で表されるアシル化チオアルドヘキソースの２位、３位及び４位のヒドロキシ基を脱保護し、６位の−ＯＲ^６（Ｒ^６は上記と同じ。）を−ＯＲ^６Ａ（Ｒ^６Ａは上記Ｒ^６及び上記Ｒ^６１と異なるヒドロキシ基の保護基を表す。）に変換して、下記式（ＩＩ−Ａ）

（式中、Ｒ及びＲ^６Ａは上記と同じ。）で表される化合物を得る工程
工程（２Ｂ）：上記式（ＩＩ−Ａ）で表される化合物の２位、３位及び４位のヒドロキシ基を上述の式（ＩＩＩ）で表されるチオアルドヘキソース誘導体において同じ位で対応する保護基により保護して、下記式（ＩＩ−Ｂ）

（式中、Ｒ、Ｒ^２１、Ｒ^３１、Ｒ^４１及びＲ^６Ａは上記と同じ。）で表される化合物を得る工程
工程（２Ｃ）：上記式（ＩＩ−Ｂ）で表される化合物の６位のヒドロキシ基を脱保護し、下記式（ＩＩ−Ｃ）

（式中、Ｒ、Ｒ^２１、Ｒ^３１及びＲ^４１は上記と同じ。）で表される化合物を得る工程
工程（２Ｄ）：上記式（ＩＩ−Ｃ）で表される化合物の６位のヒドロキシ基に脱離基である−ＯＲ^６１（Ｒ^６１は上記と同じ。）を導入し、上述の式（ＩＩＩ）で表されるチオアルドヘキソース誘導体を得る工程

上記式（ＩＩ−Ａ）におけるＲ^６Ａとしては、上記Ｒ^６及び上記Ｒ^６１と異なるヒドロキシ基の保護基であれば特に限定されず、例えば、トリチル基、メトキシトリチル基、ＴＢＤＰＳ基、ＴＢＤＭＳ基等が挙げられ、トリチル基が好ましい。
上記工程（２Ａ）〜（２Ｄ）において、ヒドロキシ基の保護及び脱保護の方法としては、それぞれ導入又は脱保護する対象の保護基の種類に応じて、適宜従来法等を用いることができる。

本発明は、また、下記式（ＩＶ）で表される６−デオキシ−１，６−ジチオアルドヘキソース誘導体である。

（式中、Ｒ、Ｒ^２１、Ｒ^３１及びＲ^４１は上記と同じ。Ｒ^６２はアシル基を表す。）
上記Ｒ^６２としてのアシル基としては、後述の酸化反応により、上記式（ＩＶ）における６位の−ＳＲ^６２（Ｒ^６２は上記と同じ。）を後述の−ＳＯ_３Ｍ_１／ｎ（Ｍはｎ価のカチオンを表す。）に変化させることができる基であれば特に限定されない。上記Ｒ^６２としてのアシル基としては、また、上記式（ＩＶ）における１位のアノマー炭素に後述の１，３−プロパンジオール誘導体を導入する際、該導入を妨げず且つ該導入により影響されない基であることが好ましい。上記Ｒ^６２としてのアシル基としては、例えば、チオール基の保護基となるアシル基等が挙げられ、脂肪族飽和モノカルボン酸由来のアシル基が好ましい。上記Ｒ^６２としての脂肪族飽和モノカルボン酸由来のアシル基としては、炭素数１〜２０の直鎖又は分岐のアシル基が好ましく、炭素数１〜１０の直鎖又は分岐のアシル基がより好ましく、炭素数１〜５の直鎖アシル基が更に好ましく、アセチル基が特に好ましい。
上記式（ＩＶ）で表される６−デオキシ−１，６−ジチオアルドヘキソース誘導体は、後述の放射線増感剤等を構成する化合物の中間体として有用で重要な、式（Ｖ）で表される３−（６−デオキシスルホアルドヘキソース）−１−プロパノール誘導体の中間体として、重要な化合物である。

本発明において、上記式（ＩＶ）で表される６−デオキシ−１，６−ジチオアルドヘキソース誘導体は、下記工程（３）を含む方法により製造することができる。
工程（３）：上述の式（ＩＩＩ）で表されるチオアルドヘキソース誘導体に、−ＳＲ^６２（Ｒ^６２は上記と同じ。）を有するチオアシル化合物を反応させることにより、上記式（ＩＶ）で表される６−デオキシ−１，６−ジチオアルドヘキソース誘導体を得る工程

上記チオアシル化合物としては、その化学構造の一部に−ＳＲ^６２（Ｒ^６２は上記と同じ。）で表される部分を有する化合物であれば特に限定されず、例えば、Ｒ^６２ＳＨ（Ｒ^６２は上記と同じ。）で表されるチオカルボン酸又はその塩等が挙げられ、Ｒ^６２ＳＨ（Ｒ^６２は上記と同じ。）の塩が好ましく、チオ酢酸塩がより好ましく、チオ酢酸の金属塩が更に好ましい。

本発明は、また、下記工程（４）を含む方法により、下記式（Ｖ）

（式中、Ｒ^２１、Ｒ^３１、Ｒ^４１及びＭは上記と同じ。Ｒ^７はＨ、−ＯＨ又は−ＯＣＯＨであり、−ＯＲ^９は脱離基又はＲ^９がＨ若しくはヒドロキシ基の保護基を表す。）
で表される３−（６−デオキシスルホアルドヘキソース）−１−プロパノール誘導体を製造する方法である。
工程（４）：上述の式（ＩＶ）で表される６−デオキシ−１，６−ジチオアルドヘキソース誘導体のアノマー炭素に１，３−プロパンジオール誘導体を導入する工程、及び、上記式（ＩＶ）で表される６−デオキシ−１，６−ジチオアルドヘキソース誘導体の６位の−ＳＲ^６２（Ｒ^６２は上記と同じ。）を酸化する工程を含む、上記式（Ｖ）で表される３−（６−デオキシスルホアルドヘキソース）−１−プロパノール誘導体を得る工程

上記式（Ｖ）において、Ｍはｎ価のカチオンであれば特に限定されず、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ等の１価のアルカリ金属イオン；Ｍｇ、Ｃａ等の２価のアルカリ土類金属イオン；ＮＨ_４等が挙げられ、Ｎａ、Ｋ等のアルカリ金属イオンが好ましく、Ｎａがより好ましい。Ｍは、後工程により得られる、式（ＶＩ）で表される６−デオキシスルホアルドヘキソース−アシルプロピルエーテル誘導体を放射線増感剤等として生体に投与する観点では、薬学的に許容される塩を構成することが好ましい。
上記式（Ｖ）において、Ｒ^７はＨ、−ＯＨ又は−ＯＣＯＨであってよいが、Ｈ又は−ＯＨが好ましく、Ｈがより好ましい。
上記式（Ｖ）において、−ＯＲ^９は脱離基又はＲ^９がＨ若しくはヒドロキシ基の保護基であってよいが、後工程である工程（５）におけるアシル基の導入を簡便に行うことができる点で、−ＯＲ^９は脱離基又はＲ^９がヒドロキシ基の保護基であることが好ましい。Ｒ^９のヒドロキシ基の保護基としては、後述の式（ＩＶ−Ａ）におけるＲ^８と同じであってよく、ヒドロキシ基の保護基であれば特に限定されないが、ｐ−メトキシベンジル基（ＰＭＢ）、ＴＢＤＰＳ基、ＴＢＤＭＳ基がより好ましく、ＰＭＢが更に好ましい。−ＯＲ^９の脱離基としては、特に限定されないが、メチルスルホニル基（メシル基；Ｍｓ）、ｐ−トルエンスルホニル基（トシル基；Ｔｓ）、トリフラート基、ヨード基が好ましく、メシル基がより好ましい。上記式（Ｖ）において、Ｒ^９がＨである化合物は、該式（Ｖ）においてＲ^９がヒドロキシ基の保護基である化合物から該ヒドロキシ基を脱保護することにより得ることができる。また、上記式（Ｖ）において、−ＯＲ^９が脱離基である化合物は、該式（Ｖ）においてＲ^９がＨである化合物から該−ＯＲ^９（Ｒ^９はＨである。）に脱離基を導入することにより得ることができる。

上記工程（４）は、下記工程（４Ａ）及び工程（４Ｂ）を含むことが好ましく、更に、下記工程（４Ｃ）を行うか又は下記工程（４Ｃ）及び工程（４Ｄ）を行ってもよい。
工程（４Ａ）：上述の式（ＩＶ）で表される６−デオキシ−１，６−ジチオアルドヘキソース誘導体のアノマー炭素に１，３−プロパンジオール誘導体を導入し、下記式（ＩＶ−Ａ）

（式中、Ｒ^２１、Ｒ^３１、Ｒ^４１、Ｒ^６２及びＲ^７は上記と同じ。Ｒ^８はヒドロキシ基の保護基を表す。）
で表される化合物を得る工程
工程（４Ｂ）：上記式（ＩＶ−Ａ）で表される化合物の６位の−ＳＲ^６２（Ｒ^６２は上記と同じ。）を酸化することにより、下記式（ＩＶ−Ｂ）

（式中、Ｒ^２１、Ｒ^３１、Ｒ^４１、Ｒ^６２、Ｒ^７、Ｒ^８及びＭは上記と同じ。）
で表される化合物を得る工程
工程（４Ｃ）：上記式（ＩＶ−Ｂ）で表される化合物の末端の−ＯＲ^８（Ｒ^８は上記と同じ。）を脱保護することにより、上記式（Ｖ）で表される３−（６−デオキシスルホアルドヘキソース）−１−プロパノール誘導体（但し、Ｒ^９はＨである。）を得る工程
工程（４Ｄ）：上記式（Ｖ）で表される３−（６−デオキシスルホアルドヘキソース）−１−プロパノール誘導体（但し、Ｒ^９はＨである。）の末端の−ＯＲ^９に脱離基を導入して、該式（Ｖ）で表される３−（６−デオキシスルホアルドヘキソース）−１−プロパノール誘導体（但し、−ＯＲ^９は脱離基である。）を得る工程

上記工程（４Ａ）において、上記式（ＩＶ）におけるアノマー炭素に導入する１，３−プロパンジオール誘導体としては、ＨＯＣＨ_２ＣＨＲ^７ＣＨ_２ＯＲ^８（Ｒ^７及びＲ^８は上記と同じ。）等が挙げられる。
上記Ｒ^８は、上記式（ＩＶ−Ａ）におけるＲ^８と同じであり、ヒドロキシ基の保護基であれば特に限定されないが、後工程である工程（４Ｂ）における酸化反応の影響を受けない基であることが好ましく、ｐ−メトキシベンジル基（ＰＭＢ）、ＴＢＤＰＳ基、ＴＢＤＭＳ基がより好ましく、ＰＭＢが更に好ましい。

上記工程（４Ｂ）における酸化反応は、上記式（ＩＶ−Ａ）で表される化合物の６位の−ＳＲ^６２（Ｒ^６２は上記と同じ。）を−ＳＯ_３Ｍ_１／ｎ（Ｍは上記と同じ。）に変化させることができる反応であれば特に限定されないが、上記式（ＩＶ−Ａ）における−Ｒ^７及び−ＯＲ^８（Ｒ^７及びＲ^８は上記と同じ。）に影響を与えない酸化反応であることが好ましく、例えば、酸化剤として過硫酸化合物を用いる反応等が挙げられる。上記酸化剤としては、ペルオキシ一硫酸塩、過酸化水素、過マンガン酸塩が好ましく、ペルオキシ一硫酸の金属塩がより好ましい。

上記工程（４Ｃ）において、上記式（ＩＶ−Ｂ）における−ＯＲ^８（Ｒ^８は上記と同じ。）の脱保護は、特に限定されず、Ｒ^８の種類に応じて従来法を用いることができる。
上記工程（４Ｄ）において、上記式（Ｖ）で表される３−（６−デオキシスルホアルドヘキソース）−１−プロパノール誘導体（但し、Ｒ^９はＨである。）の末端の−ＯＲ^９（即ち、−ＯＨである。）に脱離基を導入する方法としては、特に限定されず、脱離基の種類に応じて従来法を用いることができる。

上記式（Ｖ）で表される３−（６−デオキシスルホアルドヘキソース）−１−プロパノール誘導体は、末端の１級アルコールのヒドロキシ基に、アシル基を導入することにより、放射線増感剤等を得ることができる、有用で重要な化合物である。上記式（Ｖ）における末端のヒドロキシ基に導入するアシル基としては、置換されていてもよい脂肪族飽和モノカルボン酸由来のアシル基が好ましく、−ＣＯＲ^１１（Ｒ^１１は置換されていてもよいアルキル基を表す。）がより好ましい。Ｒ^１１におけるアルキル基としては、特に限定されないが、炭素数の上限は２２が好ましく、２０がより好ましく、１８が更に好ましく、１６が更により好ましく、下限は１が好ましく、２がより好ましく、３が更に好ましい。Ｒ^１１におけるアルキル基は、直鎖又は分岐であってよいが、直鎖の方が好ましい。Ｒ^１１におけるアルキル基が置換基を有する場合、その炭素数の上限は１０が好ましく、７がより好ましく、６が更に好ましい。Ｒ^１１におけるアルキル基の置換基としては、特に限定されないが、ハロゲン化アルキル基；アリール基；ハロゲン化アリール基；アリールカルボニル基；アリールカルボニルアミノ基；アリールオキシ基；ヘテロ原子として窒素原子、酸素原子、硫黄原子等を有する複素環基；ホウ素含有基；等が挙げられる。

ホウ素含有基としては、例えば、Ｂ_ｎ（ｎは６〜１２が好ましい）で表されるホウ素原子のみからなる狭義のホウ素クラスター；Ｂ_ｎＨ_ｎ ^２−、Ｂ_ｎＨ_ｎ＋４、Ｂ_ｎＨ_ｎ＋６（ｎは６〜１２が好ましい）等で表される水素化ホウ素；Ｃ_２Ｂ_ｎＨ_ｎ＋２（ｎは９〜１２が好ましい）で表されるカルボラン；Ｃ_２Ｂ_ｎＨ_ｎ（ｎは９〜１２が好ましい）で表されるカルボリン；これらの化合物のホウ素原子が金属原子に置換されたメタロボラン；等の（広義の）ホウ素クラスターから１個の水素原子等がとれてＲ^１１におけるアルキル基に結合し得る基等が挙げられる。該ホウ素クラスターは代表的には多面体型であり、ｃｌｏｓｏ−、ｎｉｄｏ−、ａｒａｃｈｎｏ−等の何れであってもよいが、Ｃ_２Ｂ_１０Ｈ_１２等のｃｌｏｓｏ−体が好ましい。ホウ素含有基は、上記ホウ素クラスターの骨格を構成するホウ素原子及び／又は炭素原子にアルキル基（炭素数１〜６が好ましい。）、アルケニル基（炭素数２〜６が好ましい。）、アリール基、複素環基等の置換基が結合しているものであってもよく、これらの置換基は、例えば、ホウ素クラスターの骨格を構成する少なくとも２個の隣接する炭素原子と組み合わさって環状基を構成していてもよい。これらの置換基を有していてもよいホウ素クラスターは、癌等の中性子捕捉療法に用いられるものであってよい。

上記式（Ｖ）で表される化合物の末端の１級アルコールにアシル基を導入する方法としては、特に限定されず、例えば従来法を用いることができるが、下記工程（５）を含む方法により、下記式（ＶＩ）

（式中、Ｍ、Ｒ^７及びＲ^１１は上記と同じ。）
で表される６−デオキシスルホアルドヘキソース−アシルプロピルエーテル誘導体を製造する方法が好ましい。
工程（５）：上記式（Ｖ）で表される３−（６−デオキシスルホアルドヘキソース）−１−プロパノール誘導体に、アシル基として−ＣＯＲ^１１（Ｒ^１１は上記と同じ。）を導入する工程及びヒドロキシ基を脱保護する工程を含む、上記式（ＶＩ）で表される６−デオキシスルホアルドヘキソース−アシルプロピルエーテル誘導体を得る工程

上記式（ＶＩ）において、Ｒ^１１としては、置換アルキル基又は非置換アルキル基の何れであってもよいが、炭素数１〜３０の置換アルキル基又は炭素数１〜３０の非置換アルキル基が好ましく、炭素数１０〜２６の置換アルキル基又は炭素数１０〜２６の非置換アルキル基がより好ましく、炭素数１４〜２２の置換アルキル基又は炭素数１４〜２２の非置換アルキル基が更に好ましい。上記置換アルキル基及び非置換アルキル基は、直鎖又は分岐の何れでもよいが、直鎖が好ましい。

上記式（ＶＩ）で表される６−デオキシスルホアルドヘキソース−アシルプロピルエーテル誘導体は、生体に投与すると腫瘍組織に特異的に蓄積しやすいので、放射線増感剤、腫瘍の治療剤、診断剤、造影剤等として利用することができる。その場合、目的に応じ、抗癌剤等の抗腫瘍物質、イメージング技術による腫瘍の診断に使用されるマーカー等の標識物質等を含有させることができる。

上記工程（５）は、下記工程（５Ａ）及び工程（５Ｂ）により行うことが好ましい。
工程（５Ａ）：上述の式（Ｖ）で表される３−（６−デオキシスルホアルドヘキソース）−１−プロパノール誘導体（但し、Ｒ^９はＨである。）にアシル基として−ＣＯＲ^１１（Ｒ^１１は上記と同じ。）を導入し、下記式（Ｖ−Ａ）

（式中、Ｒ^２１、Ｒ^３１、Ｒ^４１、Ｒ^７、Ｒ^１１及びＭは上記と同じ。）
で表される化合物を得る工程
工程（５Ｂ）：上記式（Ｖ−Ａ）で表される化合物における−ＯＲ^２１、−ＯＲ^３１及び−ＯＲ^４１（Ｒ^２１、Ｒ^３１及びＲ^４１は上記と同じ。）を脱保護することにより、上記式（ＶＩ）で表される６−デオキシスルホアルドヘキソース−アシルプロピルエーテル誘導体を得る工程

上記工程（５）は、下記工程（５Ｃ）及び工程（５Ｄ）により行うことが、アシル基の導入を簡便に行うことができる点で、より好ましく、なかでも、上述の式（Ｖ）で表される３−（６−デオキシスルホアルドヘキソース）−１−プロパノール誘導体（但し、−ＯＲ^９は脱離基又はＲ^９がヒドロキシ基の保護基である。）に工程（５Ｃ）及び工程（５Ｄ）を施すことが更に好ましい。
工程（５Ｃ）：上述の式（Ｖ）で表される３−（６−デオキシスルホアルドヘキソース）−１−プロパノール誘導体に対し、場合により末端の１級アルコールのヒドロキシ基に脱離基を導入した後、ヒドロキシ基を脱保護し、下記式（Ｖ−Ｃ）

（式中、Ｒ^７及びＭは上記と同じ。−ＯＲ^１０は−ＯＨ又は脱離基を表す。）
で表される化合物を得る工程
工程（５Ｄ）：上記式（Ｖ−Ｃ）で表される化合物の末端の１級アルコールにアシル基として−ＣＯＲ^１１（Ｒ^１１は上記と同じ。）を導入することにより、上記式（ＶＩ）で表される６−デオキシスルホアルドヘキソース−アシルプロピルエーテル誘導体を得る工程

上記工程（５Ｃ）は、上述の式（Ｖ）で表される３−（６−デオキシスルホアルドヘキソース）−１−プロパノール誘導体（但し、Ｒ^９がＨである。）に対して施す場合、末端の１級アルコールのヒドロキシ基に脱離基を導入した後、ヒドロキシ基の脱保護を行うことが好ましい。
上記工程（５Ｃ）は、導入する−ＣＯＲ^１１（Ｒ^１１は上記と同じ。）が、例えば、還元条件に弱い官能基（特に、還元条件で脱保護を行った場合に還元されてしまう官能基）が結合しているものである場合、上述の式（Ｖ）で表される３−（６−デオキシスルホアルドヘキソース）−１−プロパノール誘導体（但し、−ＯＲ^９は脱離基である。）に対して上記ヒドロキシ基の脱保護を行うか、又は、上述の式（Ｖ）で表される３−（６−デオキシスルホアルドヘキソース）−１−プロパノール誘導体（但し、Ｒ^９がＨである。）に対し、その末端の１級アルコールのヒドロキシ基に脱離基を導入した後、ヒドロキシ基の脱保護を行うことが好ましい。かかる方法により、還元条件に弱い官能基を保持したまま容易に反応を進めることができ、また、副生成物を抑制しやすい。還元条件に弱い官能基としては、特に限定されないが、例えば、ヨウ素等のハロゲン；ニトロ基；ポリエン等の炭素−炭素二重結合；ポリイン等の炭素−炭素三重結合等が挙げられる。例えば、−ＣＯＲ^１１が、近赤外領域に発光スペクトルをもち、ポリエン構造を有する、Ｃｙ３、Ｃｙ５等のシアニン系化合物に由来するＲ^１１を有する場合、工程（５Ｃ）による脱保護を経る本発明の方法を好適に用いることができる。

上記工程（５Ａ）及び工程（５Ｄ）において、アシル基として−ＣＯＲ^１１（Ｒ^１１は上記と同じ。）の導入は、特に限定されないが、例えば従来法を用いることができ、中長鎖脂肪酸等のＨＯＯＣＲ^１１（Ｒ^１１は上記と同じ。）で表されるカルボン酸を、カルボジイミド化合物、トリアジン系脱水縮合剤、ベンゾトリアゾール系縮合剤等の脱水縮合剤の存在下に反応させる方法、又は、トリエチルアミンやピリジン誘導体等の塩基存在下で酸塩化物（ＣｌＯＣＲ^１１）と反応させる方法が好ましい。

以下に、実施例を示すが、これらの例は本発明をよりよく理解するためのものであり、本発明の範囲を限定するものではない。

合成例１
本発明の式（ＩＩＩ）で表されるチオアルドヘキソース誘導体、次いで式（ＩＶ）で表される６−デオキシ−１，６−ジチオアルドヘキソース誘導体を経て、式（ＶＩ）で表される６−デオキシスルホアルドヘキソース−アシルプロピルエーテル誘導体を製造する工程の一例を以下のスキームに示す。

上記スキームにおいて、Ａｃはアセチル基を表し、Ｔｏｌはトリル基を表し、Ｔｒｔはトリチル基を表し、Ｂｎはベンジル基を表し、Ｔｓはトシル基を表し、ＰＭＢはｐ−メトキシベンジル基を表し、Ｍｓはメシル基を表す。

上記スキームの各工程の概要は以下のとおりである。
Ａ） ｐ−トルエンチオール、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体、０℃、２４時間、８６％：
Ｂ） Ｂ−１． ナトリウムメトキシド、室温、４時間：
Ｂ−２． トリチルクロライド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン、８０℃、２時間、６８％：
Ｃ） 水素化ナトリウム、ベンジルブロマイド、室温、３時間、７９％：
Ｄ） メタノール、トシル酸一水和物、室温、３時間、８１％：
Ｅ） Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン、トシルクロライド、室温、４時間、９０％：
Ｆ） チオ酢酸カリウム、還流、５時間、５９％：
Ｇ） ３−パラメトキシベンジルオキシ−１−プロパノール、Ｎ−ヨードスクシンイミド、トリフルオロメタンスルホン酸、−３０℃、２時間、α体：６３％ β体：１４％（α：β＝４．５：１）：
Ｈ） オキソン、酢酸ナトリウム、室温、２４時間、８７％：
Ｉ） ２，３−ジクロロ−３，５−ジシアノ−ｐ−ベンゾキノン、室温、９０分、８８％：
Ｊ） ５％パラジウム炭素、水素、室温、２４時間、６５％：
Ｋ） １−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩、Ｎ，Ｎ―ジメチルアミノピリジン、ステアリン酸、室温、２４時間、８５％：
Ｌ） １，２−ジカルバドデカボラン（１２）−１−ペンタノイルクロライド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン、５０℃、１６時間３０分、１１％：
Ｍ） ステアリルクロライド、ジイソプロピルエチルアミン、室温、２４時間、５．２％：
Ｎ） ５％パラジウム炭素、水素、室温、２４時間、４８％：
Ｏ） ６−（２，３，５−トリヨードベンゾイル）アミノヘキサン酸、エチルシアノ（ヒドロキシイミノ）アセテート、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩、炭酸水素ナトリウム、室温、２４時間、９．５％：
Ｐ） メシルクロライド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン、室温、５時間、６３％：
Ｑ） ５％パラジウム炭素、水素、室温、１６時間、７０％：
Ｒ） ６−（２，３，５−トリヨードベンゾイル）アミノヘキサン酸、フッ化セシウム、ヨウ化ナトリウム、７０℃、７２時間、４３％

次に各工程について、詳しく説明する。

経路Ａ： β−１−ｐ−トリルチオ−２，３，４，６−テトラ−ｏ−アセチル−Ｄ−グルコピラノース（２）の合成
化合物（１）７．８１ｇをジクロロメタン５０．０ｍＬに溶解し、その溶液にｐ−トルエンチオール３．７ｇを加え十分に溶解し、更に氷冷下にて三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体３．１６ｍＬを添加し、０℃で攪拌しながら２４時間反応させた。その後、反応液にジクロロメタン５０．０ｍＬ及び飽和炭酸水素ナトリウム水２００ｍＬを加えて反応を停止し、ジクロロメタン（３×３００ｍＬ）で抽出した。その後、有機層を合わせて精製水（１×２００ｍＬ）及び飽和食塩水（１×１００ｍＬ）で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過後、減圧濃縮した。得られた残渣を熱エタノール‐ヘキサン混合溶媒（１０：１）に溶解し、室温で５時間放置し、再結晶させることにより無色針状結晶として化合物（２）を得た。｛収量７．８５ｇ（１７．３ｍｍｏｌ），収率８６％｝

経路Ｂ： β−１−ｐ−トリルチオ−６−Ｏ−トリチル−Ｄ−グルコピラノース（３）の合成
化合物（２）７．８５ｇをメタノール５８．８ｍＬに溶解し、氷冷下その溶液にナトリウムメトキシド０．１６３ｇを添加し、その後室温で攪拌しながら４時間反応させた。反応が完了したのを確認した後、反応液に陽イオン交換樹脂をｐＨ７となるまで添加した。その後、吸引濾過によって樹脂を除去し、濾液を減圧濃縮した。続いて残渣をピリジンに溶解させ、トリチルクロライド１４．５ｇを添加し、次いでＮ，Ｎ―ジメチルアミノピリジン０．４２３ｇを添加し、攪拌しながら８０℃で２時間反応させた。その後ジクロロメタン２００ｍＬを加えて反応を停止し、１Ｎ塩酸（６０ｍＬ×２回）、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液（６０ｍＬ×１回）、飽和食塩水（５０ｍＬ×１回）で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥、濾過、減圧濃縮し、得られた残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝２：１→３：２）で精製し、無色固体として化合物（３）を得た。｛収量６．１８ｇ（１１．７ｍｍｏｌ），収率６８％｝

経路Ｃ： β−１−ｐ−トリルチオ−２，３，４−トリ−Ｏ−ベンジル−６−Ｏ−トリチル−Ｄ−グルコピラノース（４）の合成
化合物（３）６．１８ｇをＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド２３．４ｍＬに溶解し、氷冷下その溶液に５５％水素化ナトリウム３．５７ｇを少しずつ添加し、更にベンジルブロマイド１１．５ｇを加え、その後室温で攪拌しながら３時間反応させた。反応が完了したのを確認した後、メタノール５０ｍＬを加えて反応を停止し、減圧濃縮し、残渣を酢酸エチル２００ｍＬで懸濁した後、精製水（６０ｍＬ×１回）、飽和食塩水（６０ｍＬ×１回）で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥、濾過、減圧濃縮し、得られた残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝２０：１→８：１）で精製し、無色固体として化合物（４）を得た。｛収量７．３９ｇ（９．２５ｍｍｏｌ），収率７９％｝

経路Ｄ： β−１−ｐ−トリルチオ−２，３，４−トリ−Ｏ−ベンジル−Ｄ−グルコピラノース（５）の合成
化合物（４）７．２１ｇをジクロロメタン７２．１ｍＬに溶解し、次いでメタノール３６．１ｍＬを加え、更に氷冷下その溶液にトシル酸一水和物３４３ｍｇを添加し、その後室温で３時間反応させた。反応が完了したのを確認した後トリエチルアミン３００μＬ加えて反応を停止し、減圧濃縮し、残渣を酢酸エチル４００ｍＬに溶解し、２Ｎ炭酸ナトリウム水溶液（１００ｍＬ×３回）、飽和食塩水（１００ｍＬ×１回）で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥、濾過、減圧濃縮し、得られた残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝８：１）で精製し、無色固体として化合物（５）を得た。｛収量４．０８ｇ（７．３２６ｍｍｏｌ），収率８１％｝

経路Ｅ： β−１−ｐ−トリルチオ−２，３，４−トリ−Ｏ−ベンジル−６−Ｏ−トシル−Ｄ−グルコピラノース（６）の合成
化合物（５）４．０８ｇをジクロロメタン４５．６ｍＬに溶解し、次いでピリジン９．１ｍＬを加え、更にＮ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン４４８ｍｇを添加し、その後氷冷下トシルクロライド５．５９ｇを加え、室温で攪拌しながら４時間反応させた。反応が完了したのを確認した後、酢酸エチル５００ｍＬを加えて反応を停止し、２Ｎ塩酸（８０ｍＬ×２回）、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液（８０ｍＬ×２回）、飽和食塩水（８０ｍＬ×１回）で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥、濾過、減圧濃縮し、得られた残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝１２：１→８：１）で精製し、無色アモルファスとして化合物（６）を得た。｛収量４．７０ｇ（６．６１ｍｍｏｌ），収率９０％｝

経路Ｆ： β−１−ｐ−トリルチオ−２，３，４−トリ−Ｏ−ベンジル−６−チオアセチル−Ｄ−グルコピラノース（７）の合成
化合物（６）４．７０ｇをエタノール７５ｍＬで懸濁し、そこへチオ酢酸カリウム１．５１ｇを加え、その後加熱還流下、攪拌しながら５時間反応させた。反応が完了したのを確認した後、減圧濃縮し、残渣を酢酸エチル６００ｍＬに溶解し、精製水（５０ｍＬ×３回）、飽和食塩水（３０ｍＬ×１回）で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥、濾過、減圧濃縮し、得られた残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝１２：１→１０：１→８：１）で精製し、更にヘキサンで再結晶させることにより、無色針状結晶として化合物（７）を得た。｛（収量２．４０ｇ（３．９１ｍｍｏｌ），収率５９％｝
ｍ．ｐ．７９．５−７９．９℃ ^１Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，ＴＭＳ）：δ＝２．３６（ｓ，６Ｈ），３．０１−３．０４（ｄｄ，Ｊ＝６．９，１３．５Ｈｚ，１Ｈ），３．３５−３．４８（ｍ，３Ｈ），３．５３（ｄｄ，Ｊ＝２．４，１３．８Ｈｚ，１Ｈ），３．６８（ｔ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，１Ｈ），４．５５（ｄ，Ｊ＝９．９Ｈｚ，１Ｈ），４．６４（ｄ，Ｊ＝１０．８Ｈｚ，１Ｈ），４．７３（ｄ，Ｊ＝１０．２Ｈｚ，１Ｈ），４．８２−４．９３（ｍ，４Ｈ），７．１３２（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，２Ｈ），７．２８−７．４２（ｍ，１５Ｈ），７．４７（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ）ｐｐｍ．^１３Ｃ ＮＭＲ（７５ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ＝２１．０，３０．４，３０．９，７５．１，７５．３，７５．７，７７．７，８０．１，８０．８，８６．４，８７．６，１２７．７，１２７．７，１２７．９，１２８．０，１２８．１，１２８．３，１２８．３，１２８．４，１２９．４，１２９．５，１３２．８，１３７．６，１３７．７，１３７．９，１３８．１，１９４．６ｐｐｍ．ＩＲ（ＡＴＲ）：３０９１，３０６５，３０３２，２９０７，２８６９，１９４６，１８７２，１８１１，１６９６，１６０７，１５５８９，１４９５，１４５５，１３９８，１３５４，１２７３，１２５２，１２１３，１２０１，１１３２，１１０４，１００６９，１０２９，９９２，９６８，９０９，８４７，８０５，７９７，７３８，６９５，６５７，６２６，５７８，５５９，４９６，４８７ｃｍ^−１．ＨＲＭＳ（ＦＡＢ＋）：ｃａｌｃｄ ｆｏｒ ［Ｍ＋Ｎａ］^＋，Ｃ_３６Ｈ_３８Ｏ_５Ｓ_２，６３７．２０５１；ｆｏｕｎｄ，６３７．２０５１．

経路Ｇ：１−Ｏ−（２，３，４−トリ−Ｏ−ベンジル−６−チオアセチル−α−Ｄ−グルコピラノシル）−３−Ｏ−ｐ−メトキシベンジル−プロパン−１，３−ジオール（８）の合成
５０ｍＬ二口フラスコにモレキュラーシーブ４Ａ１．００ｇを入れ、フラスコ内をアルゴンで置換し、減圧下ヒートガンでドライアップした。放冷後、化合物（７）３０７ｍｇ、３−パラメトキシベンジルオキシ−１−プロパノール１８２．２ｍｇを加え、蒸留ジクロロメタン３．３０ｍＬ、脱水ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル６．７０ｍＬを加え溶解した。５分室温で攪拌した後、−４０℃でＮ−ヨードスクシンイミド５６２ｍｇを添加し、１５分攪拌した後トリフルオロメタンスルホン酸を触媒量加え、その後２時間かけて温度を−３０℃まで上げ反応を進行させた。反応が完了したことを確認し、トリエチルアミンを１００μＬ添加し反応を停止し、減圧濾過後、クロロホルム１００ｍＬ加え、１Ｎ塩酸２０ｍＬ、１０％チオ硫酸ナトリウム水溶液３０ｍＬ、飽和食塩水２０ｍＬで洗浄、無水硫酸ナトリウムで乾燥、濾過後、減圧濃縮し、得られた残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝１０：１）で精製した。得られた化合物を更にＨＰＬＣ（ＳｅｎｓｈｕＰａｋＰＥＧＡＳＩＬ２０φ×２５０ｎｍ，０．１％トリフルオロ酢酸水溶液：メタノール＝１：９、流速：１０ｍＬ／ｍｉｎ）で精製し、無色シロップ状液体として化合物（８）−α、化合物（８）−βを得た。｛化合物（８）−α：収量２１５．２ｍｇ（０．３１３ｍｍｏｌ），収率６３％；化合物（８）−β：収量４７．８ｍｇ（０．０６９６ｍｍｏｌ），収率１４％，α：β＝４．５：１｝
^１ＨＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，ＴＭＳ）：δ＝１．９２（ｍ，２Ｈ），２．２９（ｓ，３Ｈ），３．０５（ｄｄ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，１Ｈ），３．２８−３．６１（ｍ，６Ｈ），３．７２−３．８２（ｍ，５Ｈ），３．９６（ｔ，Ｊ＝９．２Ｈｚ，１Ｈ），４．４２（ｓ，２Ｈ），４．６０−４．６４（ｍ，２Ｈ），４．６８（ｄ，Ｊ＝３．６Ｈｚ，１Ｈ），４．７４（ｄ，Ｊ＝１２．０Ｈｚ，１Ｈ），４．８０（ｄ，Ｊ＝１０．５Ｈｚ，１Ｈ），４．８９（ｄ，Ｊ＝１０．５Ｈｚ，１Ｈ），４．９８（ｄ，Ｊ＝１０．５Ｈｚ，１Ｈ），６．８４−６．８８（ｍ，２Ｈ），７．２３−７．３６（ｍ，１５Ｈ）ｐｐｍ．^１３Ｃ ＮＭＲ（７５ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ＝２９．５，３０．２，３０．７，５４．９，６４．８，６６．６，６９．１，７２．４，７２．８，７５．０，７５．４，７６．６，７７．０，７７．２，７７．４，７９．９，８０．３，８１．５，９６．４，１１３．５，１２７．４，１２７．７，１２７．７，１２８．０，１２９．０，１３０．０，１３７．７，１３７．９，１３８．５，１５８．９，１９４．６ｐｐｍ．ＩＲ（ＡＴＲ）：３０８９，３０６３，３０３１，３００５，２９１１，２８６４，１６９２，１６１３，１５８６，１５１３，１４９８，１４５５，１４００，１３５７，１３０３，０２４７，１２０９，１０６７，１０２８，９５３，９１１，８２０，７３４，６９６，６２８ｃｍ^−１．ＨＲＭＳ（ＦＡＢ＋）：ｃａｌｃｄ ｆｏｒ ［Ｍ＋Ｎａ］^＋，Ｃ_４０Ｈ_４６Ｏ_８Ｓ，７０９．２８１１；ｆｏｕｎｄ，７０９．２８１４．

経路Ｈ：１−Ｏ−（２，３，４−トリ−Ｏ−ベンジル−６−スルホ−α−Ｄ−キノボピラノシル）−３−Ｏ−ｐ−メトキシベンジル−プロパン−１，３−ジオールナトリウム塩（９）の合成
化合物（８）−α１６１ｍｇ、酢酸ナトリウム３９０ｍｇを酢酸３．４ｍＬで懸濁し、そこへオキソン３６０ｍｇを加え、室温で２４時間攪拌した。反応が完了したのを確認し、精製水１０ｍＬを加え反応を停止し、酢酸エチル１２０ｍＬ加えた後、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液１０ｍＬ、飽和食塩水１０ｍＬで洗浄、無水硫酸ナトリウムで乾燥、濾過、減圧濃縮し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム：メタノール＝９：１）で精製し、無色固体として化合物（９）を得た。｛収量１４５．９ｇ（０．２０４ｍｍｏｌ），収率８７％｝
ｍ．ｐ．１８８−１８９℃．^１Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，ＴＭＳ）：δ＝１．８３７（ｍ，２Ｈ），３．１７−３．３１（ｍ，２Ｈ），３．３７−３．５１（ｍ，５Ｈ），３．６１（ｓ，３Ｈ），３．８７−３．９８（ｍ，２Ｈ），４．２６（ｔ，Ｊ＝９．０Ｈｚ，１Ｈ），４．３２（ｓ，２Ｈ），４．５２−４．５６（ｍ，３Ｈ），４．６４（ｄ，Ｊ＝１１．１Ｈｚ，１Ｈ），４．７８（ｄ，Ｊ＝１１．１Ｈｚ，１Ｈ），４．８７（ｄ，Ｊ＝１１．１Ｈｚ，１Ｈ），４．９４（ｄ，Ｊ＝３．０Ｈｚ，１Ｈ），５．３０（ｓ，２Ｈ），６．７４（ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，２Ｈ），７．１３−７．２５（ｍ，１５Ｈ）ｐｐｍ．^１３Ｃ ＮＭＲ（７５ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ＝２０．８，２９．３，５２．０，５５．０，５５．１，６５．１，６６．３，６７．４，７２．３，７２．５，７５．０，７５．４，７７．３，８０．２，８０．５，８１．７，９６．４，１１３．７，１２７．４，２４７．６，１２７．７，１２７．７，１２８．２，１２８．３，１２８．３，１２９．５，１２９．９，１３０．１，１３８．１，１３８．３，１３８．８，１５９．１，１７５．３ｐｐｍ．ＩＲ（ＡＴＲ）：３４６１，３０６４，３０３２，３００４，２９３３，２８６６，１７２８，１６１２，１５８７，１５１３，１４９８，１４５４，１４０１，１３６３，１３３０，１３０２，１２４６，１２１１，１１７５，１０８６，１０４７，１０２７，９９６，９１１，８８６，８２１，７９６，７３４，６９６，６７５，６６５，６３６，６０７，５７３，５５０，５３２，４６３ｃｍ^−１．ＨＲＭＳ（ＦＡＢ−）：ｃａｌｃｄ ｆｏｒ ［Ｍ−Ｎａ］⁻，Ｃ_１０Ｈ_１９Ｏ_１１Ｓ_２，３７９．０３６９；ｆｏｕｎｄ，３７９．０３６８．

経路Ｉ：１−Ｏ−（２，３，４−トリ−Ｏ−ベンジル−６−スルホ−α−Ｄ−キノボピラノシル）−プロパン−１．３−ジオールナトリウム塩（１０）の合成
化合物（９）４２９ｍｇをジクロロメタン２９．７ｍＬに溶解し、そこへ精製水１．６０ｍＬを加え懸濁させた後、２，３−ジクロロ−３，５−ジシアノ−ｐ−ベンゾキノン１６４ｍｇ加え、室温で９０分攪拌した。反応が完了したのを確認し、クロロホルム２００ｍＬを加え反応を止め、２Ｎ塩酸１０ｍＬ、飽和食塩水１０ｍＬで洗浄、無水硫酸ナトリウムで乾燥、濾過、減圧濃縮し、得られた残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（クロロホルム：メタノール＝８：１→６：１）で精製し、赤茶色固体として化合物（１０）を得た。｛収量３１４ｍｇ（０．５２９ｍｍｏｌ），収率８８％｝

経路Ｊ：１−Ｏ−（６−スルホ−α−Ｄ−キノボピラノシル）−プロパン−１，３−ジオールナトリウム塩（１１）の合成
化合物（９）１０２ｍｇをクロロホルム０．６００ｍＬ、メタノール１．５０ｍＬに溶解し、フラスコ内をアルゴンで置換した後５％パラジウム炭素６７０ｍｇを加え、次いで水素で置換し、室温で９時間攪拌した。その後セライトで濾過、減圧濃縮後、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（クロロホルム：メタノール＝３：１→５：２）で精製し、無色アモルファスとして化合物（１１）を得た。｛収量３０．０ｍｇ（０．０９３５ｍｍｏｌ），収率６５％｝
^１Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤ_３ＯＤ，ＴＭＳ）：δ＝１．８１−１．８９（ｍ，２Ｈ），２．９２（ｄｄ，Ｊ＝９．２，１４．２Ｈｚ，１Ｈ），３．０８（ｔ，Ｊ＝９．６Ｈｚ，１Ｈ），３．３５−３．４２（ｍ，２Ｈ），３．５０（ｄｔ，５．９，９．９Ｈｚ，２Ｈ），３．６０−３．７８（ｍ，３Ｈ），４．０３−４．１３（ｍ，２Ｈ），４．７６（ｄ，Ｊ＝４．２Ｈｚ，１Ｈ）ｐｐｍ．^１３Ｃ ＮＭＲ（７５ＭＨｚ，ＣＤ_３ＯＤ）：δ＝３３．４，５４．４，６０．２，６６．０，６９．７，７３．４，７５．０，９９．６ｐｐｍ．ＩＲ（ＡＴＲ）：３３６４，２９３２，１６４７，１４０９，１３４６，１１６５，１３４５，１１６５，１１０７，１０５１，１０３２，９５６，９０２９，８２６，７８９，７４６，６２７，５８７，５３８，５２２ｃｍ^−１．ＨＲＭＳ（ＦＡＢ−）：ｃａｌｃｄ ｆｏｒ ［Ｍ−Ｎａ］⁻，Ｃ_９Ｈ_１７Ｏ_９Ｓ，３０１．０５９３；ｆｏｕｎｄ，３０１．０５９３．

経路Ｋ：３−Ｏ−（２，３，４−トリ−Ｏ−ベンジル−６−スルホ−α−Ｄ−キノボピラノシル）−１−Ｏ−ステアロイル−プロパン−１，３−ジオールナトリウム塩（１２）の合成
化合物（１０）１０２．１ｍｇ、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩４９．２ｍｇ、Ｎ，Ｎ―ジメチルアミノピリジン２．１０ｍｇをジクロロメタン６．００ｍＬに溶解し、氷冷下ステアリン酸７３．４ｍｇを加え、室温で２４時間攪拌した。その後精製水１０ｍＬを加え反応を停止し、クロロホルム１００ｍＬを加え、次いで精製水１０ｍＬ、２Ｎ塩酸３０ｍＬ、飽和食塩水２０ｍＬで洗浄、無水硫酸ナトリウムで乾燥、濾過、減圧濃縮し、得られた残渣をシリカゲルクロマトグラフィー｛クロロホルム：メタノール＝１５：１＋１％（ｖ／ｖ）酢酸｝で精製し、白色固体として化合物（１１）を得た。｛収量１２５．２ｍｇ（０．１４５ｍｍｏｌ），収率８５％｝

経路Ｌ：３−Ｏ−（６−スルホ−α−Ｄ−キノボピラノシル）−１−Ｏ−１，２−ジカルバドデカボラン（１２）−１−ペンタノイル−プロパン−１，３−ジオールナトリウム塩（１３）の合成
化合物（１１）１１．０ｍｇ、１，２−ジカルバドデカボラン（１２）−１−ペンタノイルクロライド１５．１ｍｇをピリジン１．５０ｍＬに溶解し、次いでＮ，Ｎ―ジメチルアミノピリジン１．００ｍｇを添加し、５０℃で１６時間３０分攪拌した。その後減圧濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（クロロホルム：メタノール＝１０：１→５：１→３：１）で精製し、フィルム状無色固体として化合物（１３）を得た。｛収量２．３０ｍｇ（０．００４２９ｍｍｏｌ），収率１１％｝
^１Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤ_３ＯＤ，ＴＭＳ）：δ＝１．７１−１．８１（ｍ，２Ｈ），１．９３−２．０３（ｍ，２Ｈ），２．２８−２．３９（ｍ，４Ｈ），２．９２（ｄｄ，Ｊ＝９．２，１４．３Ｈｚ，１Ｈ），３．０８（ｔ，Ｊ＝９．３Ｈｚ，１Ｈ），３．３４−３．５０（ｍ，３Ｈ），３．６３（ｔ，９．２Ｈｚ，１Ｈ），４．０１−４．０８（ｍ，２Ｈ），４．２１−４．２５（ｍ，２Ｈ），４．５８−４．６２（ｍ，１Ｈ），４．７４（ｄ，Ｊ＝３．６Ｈｚ，１Ｈ）ｐｐｍ．ＨＲＭＳ（ＥＳＩ−）：ｃａｌｃｄ ｆｏｒ ［Ｍ−Ｎａ］⁻，Ｃ_１５Ｈ_３３Ｂ_１０Ｏ_１０Ｓ，５１５．２７２５；ｆｏｕｎｄ，５１５．２７６１．

経路Ｍ：３−Ｏ−（６−スルホ−α−Ｄ−キノボピラノシル）−１−Ｏ−ステアロイル−プロパン−１，３−ジオールナトリウム塩（１４）の合成
化合物（１１）１２．５ｍｇをピリジン１．００ｍＬ、ジクロロメタン１．００ｍＬに溶解し、０℃で
ステアリルクロライドを１２．９ｍｇ、ジイソプロピルエチルアミンを１０．０ｍｇ滴下し、室温で２４時間攪拌した。その後メタノールを５ｍＬ加え反応を停止し、減圧濃縮後、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（クロロホルム：メタノール＝３：１→２：１）で精製し、白色固体として化合物（１４）を得た。｛収量１．２ｍｇ（０．００２０３ｍｍｏｌ），収率５．２％｝

経路Ｎ：３−Ｏ−（６−スルホ−α−Ｄ−キノボピラノシル）−１−Ｏ−ステアロイル−プロパン−１．３−ジオールナトリウム塩（１４）の合成
化合物（１２）７５．３ｍｇをメタノール６．００ｍＬで懸濁させ、フラスコ内をアルゴンで置換した後５％パラジウム炭素８１９ｍｇを加え、次いで水素で置換し、室温で２４時間攪拌した。その後セライトで濾過、減圧濃縮後、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（クロロホルム：メタノール＝４：１→３：１）で精製し、白色固体として化合物（１４）を得た。｛収量２４．９ｍｇ（０．０４２２ｍｍｏｌ），収率４８％｝

経路Ｏ：３−Ｏ−（６−スルホ−α−Ｄ−キノボピラノシル）−１−Ｏ−（６−（２，３，５−トリヨードベンゾイル）アミノヘキサノイル）−プロパン−１，３−ジオールナトリウム塩（１５）の合成
６−（２，３，５−トリヨードベンゾイル）アミノヘキサン酸２９．５ｍｇ、エチルシアノ（ヒドロキシイミノ）アセテート１０．３ｍｇ、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩１３．８ｍｇ、炭酸水素ナトリウム１２．１ｍｇをＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド６０μＬに溶解させ、室温で３０分攪拌し、その溶液を、化合物（１４）７．８ｍｇとＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド２０μＬの懸濁液に滴下した。室温で２０時間攪拌した後、メタノール１ｍＬを加え反応を停止し、減圧濃縮後、得られた残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（クロロホルム：メタノール＝８：１→６：１→５：１）で精製し、得られた化合物を更にＨＰＬＣ（ＳｅｎｓｈｕＰａｋＰＥＧＡＳＩＬ２０φ×２５０ｎｍ，０．１％トリフルオロ酢酸水溶液：メタノール＝７：３→２：８（５０ｍｉｎ）、流速：１０ｍＬ／ｍｉｎ）で精製し、白色固体として化合物（１５）を得た。｛収量２．１ｍｇ（０．０２２８ｍｍｏｌ），収率９．５％｝
ｍ．ｐ．１６９−１７０℃．^１Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤ_３ＯＤ，ＴＭＳ）：δ＝１．４０−１．５０（ｍ，２Ｈ），１．５９−１．７２（ｍ，４Ｈ），１．９３−２．０１（ｍ，２Ｈ），２．３７（ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，２Ｈ），２．９１（ｄｄ，Ｊ＝９．２，１４．３Ｈｚ），３．０７（ｔ，Ｊ＝９．３Ｈｚ，１Ｈ），３．３５−３．４１（ｍ，４Ｈ），３．４５−３．５２（ｍ，１Ｈ），３．６４（ｔ，Ｊ＝９．３Ｈｚ，１Ｈ），４．０２−４．１０（ｍ，２Ｈ），４．１７−４．３１（ｍ，２Ｈ），４．７４（ｄ，Ｊ＝４．６Ｈｚ，１Ｈ），７．５４（ｄ，Ｊ＝２．４Ｈｚ，１Ｈ），８．２９（ｄ，Ｊ＝１．８Ｈｚ，１Ｈ）ｐｐｍ．^１３Ｃ ＮＭＲ（７５ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ＝２５．６，２７．６，２９．６，３４．７，４０．７，６６．０，７３．６，７５．１，９４．７，９９．６，１０７．２，１１２．８，１３６．１，１４８．５ｐｐｍ．ＩＲ（ＡＴＲ）：１２６０，２９２８，２８６０，１７２５，１６３１，４５５６，１５２０，１４３６，１４１６，１３９２，１３５９，１３００，１１５２，１１１０，１０８９，１０５０，１０２８，１０１２，９１０，８９０，８６４，８２８，７８８，７３８，６９９，６６２，６２６，５８５，５２０，５０４ｃｍ^−１．ＨＲＭＳ（ＦＡＢ−）：ｃａｌｃｄ ｆｏｒ ［Ｍ−Ｎａ］⁻，Ｃ_２２Ｈ_２９Ｉ_３ＮＯ_１１Ｓ，８９５．８５９５，ｆｏｕｎｄ，８９５．８５９７．

経路Ｐ：３−Ｏ−（２，３，４−トリ−Ｏ−ベンジル−６−スルホ−α−Ｄ−キノボピラノシル）−１−Ｏ−メシル−プロパン−１，３−ジオールナトリウム塩（１６）の合成
化合物（１０）１００ｍｇを脱水ピリジン２．５ｍＬに溶解し、０℃下でＮ，Ｎ―ジメチルアミノピリジン１０．３ｍｇ、次いでメシルクロライド７７．０ｍｇを添加し、室温で５時間攪拌した。反応が完了したことを確認後、メタノール４．０ｍＬを加え反応を停止し、減圧濃縮後クロロホルムを１００ｍＬ加え、２Ｎ塩酸４０ｍＬ、飽和食塩水４０ｍＬで洗浄、無水硫酸ナトリウムで乾燥、濾過、減圧濃縮し、得られた残渣をシリカゲルクロマトグラフィー｛クロロホルム：メタノール＝２５：１＋１％（ｖ／ｖ）酢酸｝で精製し、白色固体として化合物（１６）を得た。｛収量７１．２ｍｇ（０．１０６ｍｍｏｌ），収率６３％｝
ｍ．ｐ．１６４−１６５℃．^１Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，ＴＭＳ）：δ＝１．９９（ｂｒｓ，２Ｈ），２．８５（ｓ，３Ｈ），３．１６−３．５６（ｍ，５Ｈ），３．８８−３．９９（ｍ，２Ｈ），４．１４（ｔ，Ｊ＝９．６Ｈｚ，１Ｈ），４．２９（ｂｒｓ，２Ｈ），４．５２−４．６９（ｍ，４ＨＪ），４．７８（ｄ，Ｊ＝１０．２Ｈｚ，１Ｈ），４．９０（ｄ，Ｊ＝１０．８Ｈｚ，１Ｈ），４．９７（ｂｒｓ，１Ｈ）ｐｐｍ．^１３Ｃ ＮＭＲ（７５ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ＝１４．１，２８．９，２９．７，３６．７，５２．１，６３．５，６７．４，６８．１，７２．８，７５．０，７５．４，７７．２，８０．０，８０．７，８１．５，９６．２，１２７．５，１２７．７，１２７．８，１２８．３，１２８．４，１３７．９，１３８．１，１３８．６ｐｐｍ．ＩＲ（ＡＴＲ）：３４４１，３０３２，２９３１，１７２８，１６０５，１５６２，１４９８，１４５５，１４０６，１３５１，１２９０，１２１４，１１７０，１１１６，１０８７，１０４６，１０２７，９７５，９４１，８３７，７９０，７３５，６９６，６７４，６３５，５７９，５２７，４６１ｃｍ^−１．ＨＲＭＳ（ＦＡＢ−）：ｃａｌｃｄ ｆｏｒ ［Ｍ−Ｎａ］⁻，Ｃ_３１Ｈ_３７Ｏ_１１Ｓ_２，６４９．１７７７；ｆｏｕｎｄ，６４９．１７７５．

経路Ｑ：３−Ｏ−（６−スルホ−α−Ｄ−キノボピラノシル）−１−Ｏ−メシル−プロパン−１，３−ジオールナトリウム塩（１７）の合成
化合物（１６）５９．３ｍｇをメタノール６．０ｍＬに溶解させ、フラスコ内をアルゴンで置換した後５％パラジウム炭素５７５．０ｍｇを加え、次いで水素で置換し、室温で１６時間攪拌した。その後セライトで濾過、減圧濃縮後、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（クロロホルム：メタノール＝５：１→４：１）で精製し、無色アモルファスとして化合物（１７）を得た。｛収量２４．８ｍｇ（０．０６１６ｍｍｏｌ），収率７０％｝
^１Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤ_３ＯＤ，ＴＭＳ）：δ＝１．９９−２．１６（ｍ，２Ｈ），．２．９１（ｄｄ，Ｊ＝９．２，１４．３Ｈｚ，１Ｈ），３．０４−３．１０（ｍ，４Ｈ），３．３２−３．４３（ｍ，２Ｈ），３．４８−３．６７（ｍ，２Ｈ），４．０３−４．１２（ｍ，２Ｈ），４．３５−４．４８（ｍ，２Ｈ），４．７６（ｄ，Ｊ＝３．６Ｈｚ，１Ｈ）ｐｐｍ．^１３Ｃ ＮＭＲ（７５ＭＨｚ，ＣＤ_３ＯＤ）：δ＝３０．３，３７．１，５４．３，６４．８，６９．５，６９．７，７３．５，７５．０，７５．１，９９．７ｐｐｍ．ＩＲ（ＡＴＲ）：３３８３，３０２１，２９３３，１７２２，１６３９，１４１３，１３３８，１１６５，１０３１，９７９，９３８，８４６，８２９，７９０，７５５，７２４，６９９，６６４，６２８，５９０，５２６ｃｍ^−１．ＨＲＭＳ（ＦＡＢ−）：ｃａｌｃｄ ｆｏｒ ［Ｍ−Ｎａ］⁻，Ｃ_１０Ｈ_１９Ｏ_１１Ｓ_２，３７９．０３６９；ｆｏｕｎｄ，１７９．０３６８．

経路Ｒ：３−Ｏ−（６−スルホ−α−Ｄ−キノボピラノシル）−１−Ｏ−（６−（２，３，５−トリヨードベンゾイル）アミノヘキサノイル）−プロパン−１，３−ジオールナトリウム塩（１５）の合成
１０ｍＬナスフラスコにモレキュラーシーブ４Ａ１００ｍｇを入れ、減圧下ヒートガンで加熱し、活性化した。放冷後、化合物（１７）２４．８ｍｇを加え、無水Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１．５ｍＬに溶解し、６−（２，３，５−トリヨードベンゾイル）アミノヘキサン酸１７０ｍｇを加え、室温で５分間攪拌した。その後フッ化セシウム９３．６ｍｇを加え、室温で５分間攪拌した後、７０℃で４８時間攪拌した。その後ヨウ化ナトリウム３６．９ｍｇを加え、更に７０℃で２４時間攪拌した。放冷後、メタノール１．０ｍＬを加え反応を停止し、減圧濃縮後、得られた残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（クロロホルム：メタノール＝６：１→４：１→３：１）で精製した。得られた化合物を更にＨＰＬＣ（ＳｅｎｓｈｕＰａｋＰＥＧＡＳＩＬ２０φ×２５０ｎｍ，０．１％トリフルオロ酢酸水溶液：０．１％トリフルオロ酢酸／アセトニトリル溶液＝７８：２２、流速：１０ｍＬ／ｍｉｎ）で精製し、白色固体として化合物（１５）を得た。｛収量２４．１ｍｇ（０．０２６２ｍｍｏｌ），収率４３％｝

Claims (7)

1. 下記式（ＩＩＩ）で表されるチオアルドヘキソース誘導体。
   

   

   （式中、Ｒは置換されていてもよいアルキル基又は置換されていてもよいアリール基を表し、Ｒ^２１、Ｒ^３１及びＲ^４１は同一又は異なってヒドロキシ基の保護基を表し、−ＯＲ^６１は脱離基を表す。）
2. 下記式（ＩＶ）で表される６−デオキシ−１，６−ジチオアルドヘキソース誘導体。
   

   

   （式中、Ｒは置換されていてもよいアルキル基又は置換されていてもよいアリール基を表し、Ｒ^２１、Ｒ^３１及びＲ^４１は同一又は異なってヒドロキシ基の保護基を表し、Ｒ^６２はアシル基を表す。）
3. 下記工程（１）及び下記工程（２）を含む、請求項１記載のチオアルドヘキソース誘導体の製造方法。
   工程（１）：下記式（Ｉ）
   

   

   （式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^６は同一又は異なってアシル基を表す。）で表されるアシル化アルドヘキソースの１位の−ＯＲ^１（Ｒ^１は前記と同じ。）を−ＳＲ（Ｒは置換されていてもよいアルキル基又は置換されていてもよいアリール基を表す。）に変換して、下記式（ＩＩ）
   

   

   （式中、Ｒ、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^６は前記と同じ。）で表されるアシル化チオアルドヘキソースを得る工程
   工程（２）：前記アシル化チオアルドヘキソースのヒドロキシ基の保護基を除去し、６位の−ＯＲ^６に脱離基を導入して、前記チオアルドヘキソース誘導体を得る工程
4. 請求項１記載のチオアルドヘキソース誘導体に、−ＳＲ^６２（Ｒ^６２はアシル基を表す。）を有するチオアシル化合物を反応させることにより、請求項２記載の６−デオキシ−１，６−ジチオアルドヘキソース誘導体を製造する方法。
5. 請求項２記載の６−デオキシ−１，６−ジチオアルドヘキソース誘導体のアノマー炭素に１，３−プロパンジオール誘導体を導入し、前記６−デオキシ−１，６−ジチオアルドヘキソース誘導体の６位の−ＳＲ^６２（Ｒ^６２はアシル基を表す。）を酸化することにより、下記式（Ｖ）で表される３−（６−デオキシスルホアルドヘキソース）−１−プロパノール誘導体を製造する方法。
   

   

   （式中、Ｒ^２１、Ｒ^３１及びＲ^４１は同一又は異なってヒドロキシ基の保護基を表し、Ｍはｎ価のカチオンを表し、Ｒ^７はＨ、−ＯＨ又は−ＯＣＯＨであり、−ＯＲ^９は脱離基又はＲ^９がＨ若しくはヒドロキシ基の保護基を表す。）
6. 下記工程（４）及び下記工程（５）を含む、下記式（ＶＩ）で表される６−デオキシスルホアルドヘキソース−アシルプロピルエーテル誘導体を製造する方法。
   

   

   （式中、Ｒ^７はＨ、−ＯＨ又は−ＯＣＯＨであり、Ｒ^１１は置換されていてもよいアルキル基を表し、Ｍはｎ価のカチオンを表す。）
   工程（４）：請求項２記載の６−デオキシ−１，６−ジチオアルドヘキソース誘導体のアノマー炭素に１，３−プロパンジオール誘導体を導入する工程、及び、前記６−デオキシ−１，６−ジチオアルドヘキソース誘導体の６位の−ＳＲ^６２（Ｒ^６２はアシル基を表す。）を酸化する工程を含む、下記式（Ｖ）で表される３−（６−デオキシスルホアルドヘキソース）−１−プロパノール誘導体を得る工程
   

   

   （式中、Ｒ^２１、Ｒ^３１及びＲ^４１は同一又は異なってヒドロキシ基の保護基を表し、Ｍはｎ価のカチオンを表し、Ｒ^７はＨ、−ＯＨ又は−ＯＣＯＨであり、−ＯＲ^９は脱離基又はＲ^９がＨ若しくはヒドロキシ基の保護基を表す。）
   工程（５）：前記３−（６−デオキシスルホアルドヘキソース）−１−プロパノール誘導体に、アシル基を導入する工程及びヒドロキシ基を脱保護する工程を含む、前記６−デオキシスルホアルドヘキソース−アシルプロピルエーテル誘導体を得る工程
7. 前記工程（５）は、工程（５Ｃ）及び工程（５Ｄ）により行う、請求項６記載の６−デオキシスルホアルドヘキソース−アシルプロピルエーテル誘導体を製造する方法。
   工程（５Ｃ）：前記式（Ｖ）で表される３−（６−デオキシスルホアルドヘキソース）−１−プロパノール誘導体に対し、ヒドロキシ基を脱保護し、下記式（Ｖ−Ｃ）
   

   

   （式中、Ｒ^７及びＭは前記と同じ。−ＯＲ^１０は−ＯＨ又は脱離基を表す。）
   で表される化合物を得る工程
   工程（５Ｄ）：前記式（Ｖ−Ｃ）における−ＯＲ^１０（Ｒ^１０は前記と同じ。）に、式−ＣＯＲ^１１（Ｒ^１１は前記と同じ。）で表されるアシル基を導入することにより、前記式（ＶＩ）で表される６−デオキシスルホアルドヘキソース−アシルプロピルエーテル誘導体を得る工程