JP2016143734A - 光装置の制御方法 - Google Patents

Abstract

【課題】所望の光出力を容易に得ることが可能であると共に小型化に寄与できる光装置の制御方法を提供する。【解決手段】光装置３０の制御方法は、信号光が入力される光減衰器１２と、信号光を増幅する光増幅器１３と、信号光の強度を検知する検知手段と、を備える光装置３０において、光減衰器１２の減衰率を第１所定値に設定する第１のステップと、光増幅器１３の増幅率を第２所定値に設定する第２のステップと、光減衰器１２及び光増幅器１３を経て検知手段に入力された光の強度の検知結果に基づいて、光の強度を目標値に近づけるように光減衰器１２の減衰率を下げる第３のステップと、第３のステップにおいて、光減衰器１２が光の強度を減衰しない場合であって、検知される光の強度が目標値まで到達しない場合、光増幅器１３の増幅率を第２所定値よりも大きい値に設定する第４のステップと、を含む。【選択図】図２

Description

本発明は、光装置の制御方法に関する。

光伝送通信を行う機器間には、半導体光アンプ（ＳＯＡ：SemiconductorOptical Amplifier）等の光増幅器を含む光増幅装置を設けることがある。この光増幅装置では、光送信器からの出力光を検知手段で検知し、所望の光出力が得られるように光増幅器を制御（ＡＰＣ：Automatic Power Control、自動出力制御）する。ここで、光増幅器に入力される光の強度は一定ではないので、所望の利得範囲に増幅された光出力を得るために一旦光を減衰することが行われる。

例えば特許文献１には、光信号を増幅する前段光増幅器及び後段光増幅器と、前段光増幅器と後段光増幅器との間に位置する可変光減衰器と、前段光増幅器から出力された光の強度を検知する第１光検出器と、可変光減衰器から出力された光の強度を検知する第２光検出器と、後段光増幅器から出力された光の強度を検知する第３光検出器とを有する光増幅装置が開示されている。

特開平８−２４８４５５号公報

上述のような光増幅装置では、第１〜第３光検出器の検出結果に応じて、前段光増幅器及び後段光増幅器の光増幅量と、可変光減衰器の光減衰量とをそれぞれ調整している。この場合、複数の光の検知結果を用いるので、所望の光出力を得るために複雑な演算が必要になる。また、光増幅装置には第１〜第３光検出器が含まれるため、当該装置が大型化してしまう。

本発明は、所望の光出力を容易に得ることが可能であると共に小型化に寄与できる光装置の制御方法を提供することを目的とする。

本発明の一形態に係る光装置の制御方法は、信号光が入力される光減衰器と、光減衰器から出力された信号光を増幅する光増幅器と、光増幅器から出力された信号光の強度を検知する検知手段と、を備える光装置において、光減衰器の減衰率を第１所定値に設定する第１のステップと、光増幅器の増幅率を第２所定値に設定する第２のステップと、光減衰器及び光増幅器を経て検知手段に入力された光の強度の検知結果に基づいて、光の強度を目標値に近づけるように光減衰器の減衰率を下げる第３のステップと、第３のステップにおいて、光減衰器が光の強度を減衰しない場合であって、検知される光の強度が目標値まで到達しない場合、光増幅器の増幅率を第２所定値よりも大きい値に設定する第４のステップと、を含む。

本発明によれば、所望の光出力を容易に得ることが可能であると共に小型化に寄与できる光装置の制御方法を提供できる。

図１は、本実施形態に係る光装置に含まれる光増幅装置の使用例を示す模式図である。 図２は、本実施形態に係る光装置のブロック図である。 図３は、光増幅装置の詳細な構成を示す平面断面図である。 図４は、図３のＩＶ−ＩＶ線矢視断面図である。 図５は、第１実施形態の光装置の制御方法を示すフローチャートである。 図６は、光増幅器に流れる電流値と光増幅器によって増幅される光の増幅率の関係を示すグラフである。 図７は、比較例に係る光装置のブロック図である。 図８は、第２実施形態の光装置の制御方法を示すフローチャートである。 図９は、光増幅装置を透過する光の強度変化を示すグラフである。

［本願発明の実施形態の説明］
最初に本願発明の実施形態の内容を列記して説明する。本願発明の一実施形態は、信号光が入力される光減衰器と、光減衰器から出力された信号光を増幅する光増幅器と、光増幅器から出力された信号光の強度を検知する検知手段と、を備える光装置において、光減衰器の減衰率を第１所定値に設定する第１のステップと、光増幅器の増幅率を第２所定値に設定する第２のステップと、光減衰器及び光増幅器を経て検知手段に入力された光の強度の検知結果に基づいて、光の強度を目標値に近づけるように光減衰器の減衰率を下げる第３のステップと、第３のステップにおいて、光減衰器が光の強度を減衰しない場合であって、検知される光の強度が目標値まで到達しない場合、光増幅器の増幅率を第２所定値よりも大きい値に設定する第４のステップと、を含む光装置の制御方法である。

この光装置の制御方法によれば、光減衰器の減衰率を第１所定値に設定した後、光減衰器及び光増幅器を経て検知手段に入力された光の強度の検知結果に基づいて、当該光の強度を目標値に近づけるように光減衰器の減衰率を下げることができる。これにより、光減衰器からの出力光の強度等を検知しない場合であっても、光増幅器から出力される光の強度を目標値に近づけるように光減衰器の減衰率を容易に調整することができる。すなわち、光装置に複数の検知手段が含まれなくとも、光減衰器の減衰率を容易に調整することができる。加えて、第３のステップにおいて、光減衰器が光の強度を減衰しない場合であって、検知される光の強度が目標値まで到達しない場合であっても、光増幅器の増幅率を第２所定値よりも大きい値に設定することにより、当該光の強度を目標値に近づけることができる。したがって、光装置の大型化を抑制すると共に、光増幅器によって所望の光出力を容易に得ることが可能である。

また、第１のステップにおいて設定される第１所定値は、検知手段が光の強度を検知できない状態にする値であってもよい。この場合、第１のステップにおいて検知手段が光を検知し、制御部が動作することが抑制される。

［本願発明の実施形態の詳細］
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。

（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る光装置に含まれる光増幅装置の使用例を示す模式図である。図１に示されるように、光増幅装置１は、光送信器２と光受信器３との間に設けられている。光増幅装置１は、コネクタ４ａが取り付けられた光ファイバ４と、コネクタ５ａが取り付けられた光ファイバ５とを有する。コネクタ４ａは、例えば光送信器２に接続される光ファイバ６のコネクタ６ａに接続されるように設けられる。コネクタ５ａは、例えば光受信器３に接続される光ファイバ７のコネクタ７ａに接続されるように設けられる。したがって、例えば光増幅装置１には光ファイバ４，６を伝搬する光が入力される。また、光増幅装置１は、例えば光ファイバ５，７を伝搬する光を光受信器３へ出力する。

図２は、第１実施形態に係る光装置のブロック図である。図２に示されるように、光装置３０は、光増幅装置１と、光増幅装置１を制御する制御部２１とを備える。光増幅装置１は、光減衰器（ＶＯＡ：Variable Optical Attenuator）１２と、光増幅器（ＳＯＡ：SemiconductorOptical Amplifier）１３と、スプリッタ１４と、光の強度を検知する光検知部（検知手段）１５とを有している。例えば、光減衰器１２には光（入力光）Ｌ１が入力されると共に光Ｌ２が出力され、光増幅器１３から光（出力光）Ｌ３が出力される。光Ｌ３の一部は、スプリッタ１４を透過して外部に出射される。光Ｌ３の他部は、スプリッタ１４によって反射し、光検知部１５に入力される。光Ｌ１〜Ｌ３は、例えば信号光又は調整用の光である。光Ｌ２は光減衰器１２を透過した光Ｌ１に相当し、光Ｌ３は光増幅器１３を透過した光Ｌ２に相当する。

光減衰器１２は、入力された光を吸収し、当該光の強度を減衰する。光減衰器１２は、半導体積層構造を有しており、例えばクラッド層、光減衰層、クラッド層、コンタクト層及び電極が順に積層された構造を有する。光減衰層は、例えば量子井戸構造（ＭＱＷ：Multi Quantum Well）を有してもよい。

光増幅器１３は、入力された光を増幅する。光増幅器１３は、光減衰器１２と同様に半導体積層構造を有しており、例えばクラッド層、光増幅層、クラッド層、コンタクト層及び電極が順に積層された構造を有する。光増幅層は、例えば量子井戸構造を有している。

制御部２１は、光減衰器１２の減衰率を所定値（第１所定値）に設定する。この所定値は、例えば光減衰器１２によって減衰可能な最大率である。制御部２１は、光検知部１５による光Ｌ３の強度の検知結果によって、光減衰器１２の減衰率を上記所定値から変化するように制御する。例えば、制御部２１は、光検知部１５の検知結果に基づいて光減衰器１２の減衰率を徐々に下げる（光減衰器１２から出力される光Ｌ２の強度を上げる）ように制御する。この制御部２１による光減衰器１２の減衰率の変化は、フィードバックによる制御であり、光減衰器１２の減衰率及び光増幅器１３の増幅率を設定した後に行われる（光増幅器１３については後述する）。

制御部２１は、光増幅器１３の増幅率を所定値（第２所定値）に設定する。この所定値は、例えば光増幅器１３が入力された光の強度を安定的に増幅できる範囲（設定範囲）にある。所定値の最大値は、例えば１５ｄＢである。また、制御部２１は、光検知部１５による光Ｌ３の強度の検知結果によって、光増幅器１３の増幅率を上記所定値から変化するように制御する。例えば、制御部２１は、光増幅器１３の増幅率を所定値よりも大きい値に設定することも可能である。具体例としては、光増幅器１３の所定値の設定範囲が５ｄＢ〜１５ｄＢとされ、光増幅器１３の増幅率を１５ｄＢとしても光Ｌ３の強度（利得）が不足であると判断された場合、制御部２１は、光増幅器１３の増幅率を１６ｄＢ〜２０ｄＢの範囲にしてもよい。この制御部２１による光増幅器１３の増幅率の変化は、フィードバックによる制御であり、光減衰器１２の制御が終了した後に行われる。

このような制御部２１の光減衰器１２及び光増幅器１３の制御によって、光増幅装置１から出力される光Ｌ３の強度を目標値に近づける。この目標値とは、図１の光受信器３に求められた、光増幅装置１が出力する光の強度である。

次に、図３及び図４を用いながら光増幅装置１の詳細な構成について説明する。図３は、光増幅装置１の詳細な構成を示す平面断面図である。図４は、図３のＩＶ−ＩＶ線矢視断面図である。図３及び図４に示されるように、光増幅装置１は、光増幅器１３及び光増幅器１３を収容するパッケージ４０、第１光接続部４１、第２光接続部４２、及びレンズ４３，４４を備える。

パッケージ４０は、略直方体状の外観を有する中空部材である。パッケージ４０は、互いに対向する側壁４０ａ及び４０ｂ、互いに対向し側壁４０ａ及び４０ｂに対して垂直な方向に延びる側壁４０ｃ及び４０ｄを有する。また、パッケージ４０は、底板４０ｉ及び天板４０ｊを有する。パッケージ４０は、底板４０ｉを除いて、例えばＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金からなる。底板４０ｉは、例えば熱伝導性に優れたＣｕＷ合金からなる。側壁４０ａは、接合面４０ｅを外面に含む。接合面４０ｅには、後述する第１光接続部４１が固定される。また、側壁４０ａには、開口部４０ｇが形成されている。この開口部４０ｇにはレンズ４３が固定されており、光減衰器１２の一端から延びる光軸Ｄ１がレンズ４３を通過する。側壁４０ｂは、接合面４０ｆを外面に含む。また、側壁４０ｂには、開口部４０ｈが形成されている。この開口部４０ｈにはレンズ４４が固定されており、光増幅器１３の一端から延びる光軸Ｄ２がレンズ４４を通過する。

パッケージ４０は、光減衰器１２及び光増幅器１３に加えて、サブキャリア４５、第１コリメートレンズ４６、第２コリメートレンズ４７、サーミスタ４８、キャリア４９ａ，４９ｂ、及び温度制御部（ＴＥＣ：Thermo Electric Cooler）Ｔを収容している。キャリア４９ａには、光減衰器１２が搭載されている。温度制御部Ｔ上のキャリア４９ｂには、光増幅器１３を搭載したサブキャリア４５、第１コリメートレンズ４６、第２コリメートレンズ４７、及びサーミスタ４８が搭載されている。

光減衰器１２は、レンズ４３と第１コリメートレンズ４６とによって挟まれている。光減衰器１２の第１端面１２ａは、レンズ４３に光学的に結合される。光減衰器１２の第２端面１２ｂは、第１コリメートレンズ４６に光学的に結合される。

光増幅器１３は、第１コリメートレンズ４６と第２コリメートレンズ４７とによって挟まれている。光増幅器１３の第１端面１３ａは第１コリメートレンズ４６に光学的に結合される。光増幅器１３の第２端面１３ｂは、第２コリメートレンズ４７に光学的に結合される。光増幅器１３の第１端面１３ａ及び第２端面１３ｂからの戻り光を低減させるために、第１端面１３ａ及び第２端面１３ｂは、光軸Ｄ１及び光軸Ｄ２に垂直な面に対して傾斜して対向している。

サブキャリア４５は、光増幅器１３を搭載する部材であり、例えばＡｌＮからなる。温度制御部Ｔは、例えばペルチェ素子である。サーミスタ４８は、光増幅器１３の温度を検知するために、光増幅器１３の近傍に設置される。

側壁４０ｄには開口部が形成されており、この開口部にはフィードスルー５０が設けられている。フィードスルー５０には、例えば金属配線５２ａ〜５２ｈが設けられ、金属配線５２ａ〜５２ｈは、それぞれ、温度制御部Ｔ、光減衰器１２、光増幅器１３、サーミスタ４８に電気的に接続される。また、フィードスルー５０には、金属配線５２ａ〜５２ｈにそれぞれ接続される外部端子５３ａ〜５３ｈが更に設けられている。外部端子５３ａ〜５３ｈは、例えば、光増幅器１３用の駆動端子、光減衰器１２用の駆動端子、温度制御部Ｔ用の端子、及びサーミスタ４８用の端子として利用される。光減衰器１２、光増幅器１３及びサーミスタ４８は、金属配線５２ａ〜５２ｈ及び外部端子５３ａ〜５３ｈを介して、光増幅装置１の外部（例えば、図２に示される制御部２１）との間で電気信号の送受信を行う。フィードスルー５０は、例えばセラミックからなり、金属配線５２ａ〜５２ｈ及び外部端子５３ａ〜５３ｈは、例えばＡｕからなる。

第１光接続部４１は、例えばステンレスからなり、パッケージ４０の接合面４０ｅに溶接等によって固定され、光減衰器１２の第１端面１２ａから延びる光軸Ｄ１を通過させる。第１光接続部４１は例えば光レセプタクルである。第１光接続部４１の内部には、スタブ６１が収容されていると共に、光ファイバを収容する光ケーブル６２が取り付けられている。スタブ６１は、レンズ４３に光学的に結合されている。スタブ６１は、光レセプタクルのための光結合部品であり、例えばセラミックからなる。光ケーブル６２は、スタブ６１に光学的に結合されている。

第２光接続部４２は、例えばステンレスからなり、パッケージ４０の接合面４０ｆに溶接等によって固定され、光増幅器１３の第２端面１３ｂから延びる光軸Ｄ２を通過させる。第２光接続部４２の内部には、スタブ６３が収容されていると共に、光ファイバを収容する光ケーブル６４が取り付けられている。

次に、図５を用いながら第１実施形態の光装置の制御方法の一例を説明する。図５は、第１実施形態の光装置の制御方法を示すフローチャートである。

図２及び図５に示されるように、まず第１ステップとして、制御部２１によって光減衰器１２の減衰率を所定値（第１所定値）に設定する（ステップＳ１）。例えば、光減衰器１２に所定の電圧を印加することにより、光減衰器１２の減衰率を設定する。第１実施形態における光減衰器１２の減衰率は、光減衰器１２によって減衰可能な最大率とする。また、光減衰器１２に印加される電圧は、例えば逆バイアス（０Ｖ未満）である。ステップＳ１では、光増幅器１３の増幅率は０とすることが好ましい。すなわち、ステップＳ１において設定される所定値は、光検知部１５が光の強度を検知できない状態にする値であることが好ましい。この場合、光増幅器１３を流れる電流は０ｍＡとなり、光増幅器１３からの自然放射増幅光（ＡＳＥ：Amplified Spontaneous Emission）が抑制されるので、好ましい。

次に第２ステップとして、光減衰器１２に光を入力する（ステップＳ２）。この光は、例えば光増幅装置１の出荷前検査時又は駆動時等に用いられる調整用の光である。光減衰器１２は、ステップＳ１にて入力された光を減衰するように設定されているので、上記光の全て又は大部分は、光減衰器１２にて吸収される。

次に第３ステップとして、第２ステップ後に光増幅器１３の増幅率を所定値（第２所定値）に設定する（ステップＳ３）。例えば、制御部２１によって光増幅器１３に所定の範囲の電流を流すように設定することにより、光増幅器１３の増幅率を設定する。図６は、光増幅器１３に流れる電流値と光増幅器１３の増幅率との関係の一例を示すグラフである。図６において、縦軸は光増幅器１３の増幅率を示し、横軸は光増幅器１３を流れる電流値ＩＳを示す。図６に示されるグラフに基づいて、例えば光増幅器１３を流れる電流を３０ｍＡ〜７０ｍＡに設定することにより、光増幅器１３の増幅率を５ｄＢ〜１５ｄＢの範囲にすることができる。

次に、第４ステップとして、光増幅器１３から出力された光の強度が目標値を越えたか否かを確認する（ステップＳ４）。光増幅器１３から出力された光の強度が目標値を越えていない場合（ステップＳ４：ＮＯ）、第５ステップとして、光増幅器１３から出力された光の強度を光検知部１５によって検知し、この検知結果に基づいて光減衰器１２の減衰率を下げる（ステップＳ５）。例えば光検知部１５による光の強度の検知結果に基づいて、光減衰器１２の減衰率を徐々に下げていくことにより、光増幅器１３から出力される光の強度を目標値に近づける。ステップＳ５の後、再度ステップＳ４を行う。

光増幅器１３から出力された光の強度が目標値を越えた場合（ステップＳ４：ＹＥＳ）、第６ステップとして、光増幅器１３から出力された光の強度を光検知部１５によって検知しつつ、光増幅器１３の増幅率を下げる（ステップＳ６）。ステップＳ６では、例えば制御部２１による自動出力制御（ＡＰＣ）が行われる。なお、ステップＳ６を行う必要がない場合、ステップＳ６を省略してもよい。

以上に説明した、第１実施形態に係る光装置３０の制御方法によって得られる効果について説明する。図７は、比較例に係る光装置のブロック図である。図７に示される比較例の光装置１３０に含まれる光増幅装置１００は、光減衰器１２及び光増幅器１３を有する。また、光増幅装置１００は、スプリッタ１０１〜１０３と、フォトダイオード１０４〜１０６とを有している。スプリッタ１０１及びフォトダイオード１０４により、光増幅装置１００に入力される光Ｌ１の強度が検知される。また、スプリッタ１０２及びフォトダイオード１０５により、光減衰器１２によって減衰された光Ｌ２の強度が検知される。スプリッタ１０３及びフォトダイオード１０６により、光増幅器１３から出力される光Ｌ３の強度が検知される。制御部２１は、フォトダイオード１０４〜１０６の検知結果に基づいて、光減衰器１２及び光増幅器１３を制御している。このような光増幅装置１００では、制御部２１の制御により所望の光出力が容易に得られるものの、スプリッタ１０１〜１０３及びフォトダイオード１０４〜１０６により光増幅装置１００が大型化してしまう問題がある。また、制御部２１は、フォトダイオード１０４〜１０６の検知結果を用いるので、光減衰器１２及び光増幅器１３を制御するために複雑な演算が必要になる。

これに対して、第１実施形態に係る光増幅装置１と制御部２１を有する光装置３０では、例えば光増幅装置１００のスプリッタ１０１及びフォトダイオード１０４を用いて光減衰器１２からの出力光の強度等を検知しない場合であっても、光増幅器１３から出力される光の強度を目標値に近づけるように光減衰器１２の減衰率を容易に調整することができる。すなわち、光増幅装置１に複数の光検知部１５が含まれなくとも、光減衰器１２の減衰率を容易に調整することができる。したがって、光装置３０の大型化を抑制すると共に、光増幅器１３によって所望の光出力を容易に得ることが可能である。

また、ステップＳ１において設定される第１所定値は、光検知部１５が光の強度を検知できない状態であってもよい。この場合、ステップＳ１において光検知部１５が光を検知し、制御部２１が動作することが抑制される。

また、ステップＳ１後であってステップＳ３前に、光減衰器１２に光を入力するステップＳ２をさらに含んでもよい。この場合、例えば光増幅装置１の調整中に光減衰器１２によって減衰されない光が光増幅器１３に入力されなくなる。これにより、光増幅器１３から過大な強度を有する光が出力され、図１に示される光受信器３等に入力されることを抑制できる。

また、ステップＳ１において設定される所定値は、光減衰器１２によって減衰可能な最大率であってもよい。この場合、ステップＳ１において光減衰器１２からの光漏れを抑制することができる。

また、第１実施形態に係る光装置３０の制御方法は、後述する第２実施形態のように、光減衰器１２の減衰率を第１所定値に設定するステップＳ１と、光増幅器１３の増幅率を第２所定値に設定するステップＳ３と、光減衰器１２及び光増幅器１３を経て光検知部１５に入力された光の強度の検知結果に基づいて、光の強度を目標値に近づけるように光減衰器１２の減衰率を下げるステップＳ５と、ステップＳ５において、光減衰器１２が光の強度を減衰しない場合であって、検知される光の強度が目標値まで到達しない場合、光増幅器１３の増幅率を第２所定値よりも大きい値に設定するステップ（第４のステップ）と、を含んでもよい。この場合、上記作用効果に加えて、光減衰器１２が光の強度を減衰しない場合であって、検知される光の強度が目標値まで到達しない場合であっても、光増幅器１３の増幅率を第２所定値よりも大きい値に設定することにより、当該光の強度を目標値に近づけることができる。

（第２実施形態）
以下では、第２実施形態に係る光装置の制御方法について説明する。第２実施形態の説明において第１実施形態と重複する記載は省略し、第１実施形態と異なる部分を記載する。つまり、技術的に可能な範囲において、第２実施形態に第１実施形態の記載を適宜用いてもよい。

図８は、第２実施形態の光装置の制御方法を示すフローチャートである。図８に示されるように、第２実施形態では、光増幅器１３から出力された光の強度が目標値を越えていない場合（ステップＳ４：ＮＯ）、光減衰器１２が光（調整用の光）を減衰しているか否かを確認する（ステップＳ１１）。光減衰器１２が光を減衰している場合（ステップＳ１１：ＹＥＳ）、ステップＳ５を行った後、再度ステップＳ４を行う。

光減衰器１２が光を減衰していない（すなわち、光減衰器１２の減衰率が０である）場合（ステップＳ１１：ＮＯ）であって、光検知部１５によって検知される光の強度が目標値を越えていない場合（すなわち、ステップＳ４：ＮＯ）、光増幅器１３の増幅率を所定値（第２所定値）よりも大きい値に設定する（ステップＳ１２）。このステップＳ１２は、光増幅器１３から出力された光の強度を光検知部１５によって検知しながら行われる。ステップＳ１２の後、ステップＳ６を行う必要があればステップＳ６を行い、動作を終了する。

上述した第２実施形態に係る光装置３０の制御方法であっても、第１実施形態と同様の作用効果が奏される。加えて、ステップＳ１２において、光減衰器１２が光の強度を減衰しない場合であって、検知される光の強度が目標値まで到達しない場合であっても、光増幅器１３の増幅率を第２所定値よりも大きい値に設定することにより、当該光の強度を目標値に近づけることができる。

また、光Ｌ３の強度は、図１に示される、光増幅装置１と接続される光受信器３内のフォトダイオード（図示しない）によって検知されてもよい。この場合、光増幅装置１内にフォトダイオードが備えられていなくても、光Ｌ３の強度に応じて光増幅器１３を好適にフィードバックにより制御できる。

ここで、調整用の光の強度が異なる場合において、上記ステップＳ１〜ステップＳ６及びステップＳ１１，Ｓ１２を行った結果の一例を下記表１に示す。下記表１は、光減衰器１２に入力された光（入力光）の強度Ｐｉｎと、光減衰器１２の減衰率ＶＯＡ：ＡＴＴと、光増幅器１３の増幅率ＳＯＡ：Ａｍｐと、光増幅器１３から出力された光（出力光）の強度Ｐｏｕｔとをそれぞれ示している。出力光の強度Ｐｏｕｔは目標値であり、一定の値とする。下記表１の結果を得るに至って、光減衰器１２の減衰率の最大値を−３０ｄＢとし、目標値である出力光の強度Ｐｏｕｔを−５ｄＢｍと設定した。また、ステップＳ３における光増幅器１３の増幅率を１５ｄＢとし、ステップＳ１２における光増幅器１３の増幅率の最大率を２０ｄＢとした。

図９は、光増幅装置１を透過する光の強度変化を示すグラフである。図９において、縦軸は光の強度を示しており、横軸は光の位置を示している。図９の横軸において、αは光減衰器１２に入力される光の任意の位置であり、ＶＯＡｉｎは光が光減衰器１２に入力される位置であり、ＳＯＡｉｎは減衰した光が光増幅器１３に入力される位置であり、βは光増幅器１３から出力される光の任意の位置である。αにおける光の強度はＰｉｎであり、βにおける光の強度はＰｏｕｔである。また、図９に示される各グラフａ〜ｈは、表１のａ〜ｈに対応している。

図９及び上記表１に示されるように、例えばグラフｈに示される光の強度Ｐｉｎは１０ｄＢｍであり、ＶＯＡｉｎを超えると−２０ｄＢｍまで減衰した。図５，７に示されるように、ステップＳ３にて光増幅器１３の増幅率は１５ｄＢであったので、ステップＳ４では光の強度Ｐｏｕｔが−５ｄＢｍとなる。これにより、図９及び上記表１に示されるように、目標値である−５ｄＢｍの強度を有する光が光増幅装置１から出力された。

また、例えばグラフｄに示される光の強度Ｐｉｎは−１０ｄＢｍである。光減衰器１２を最大限に減衰した場合、光減衰器１２の減衰率は−３０ｄＢである。よって、ＶＯＡｉｎを超えると−４０ｄＢｍまで減衰する。図５，７に示されるように、ステップＳ３にて光増幅器１３の増幅率は１５ｄＢであったので、ステップＳ４では光の強度Ｐｏｕｔが−２５ｄＢｍとなり、光増幅器１３から出力する光の強度は目標値を越えていないと判断された。この場合、ステップＳ５を経て光減衰器１２の減衰率を−１０ｄＢとすることにより、図９及び上記表１に示されるように、目標値である−５ｄＢｍの強度を有する光が光増幅装置１から出力された。

また、例えばグラフａに示される光の強度Ｐｉｎは−２５ｄＢｍである。光減衰器１２を最大限に減衰した場合、光減衰器１２の減衰率は−３０ｄＢである。よって、ＶＯＡｉｎを超えると−５５ｄＢｍまで減衰する。図５，７に示されるように、ステップＳ３にて光増幅器１３の増幅率は１５ｄＢであったので、ステップＳ４では光の強度Ｐｏｕｔが−４０ｄＢｍとなり、光増幅器１３から出力する光の強度は目標値を越えていないと判断された。ステップＳ５を経て光減衰器１２の減衰率を０ｄＢにした（すなわち、光減衰器１２は光を減衰しない）としても、ステップＳ４にて光増幅器１３から出力する光の強度は目標値を越えていないと判断された。この場合、ステップＳ１２にて光増幅器１３の増幅率を２０ｄＢに設定したことにより、図９及び上記表１に示されるように、目標値である−５ｄＢｍの強度を有する光が光増幅装置１から出力された。

本発明による光装置３０は、上述した実施形態に限られるものではなく、他に様々な変形が可能である。例えば、上記実施形態において、ステップＳ１及びステップＳ２は同時に行われてもよい。また、上記実施形態において、ステップＳ１にて設定される光減衰器１２の減衰率は、必ずしも光減衰器１２によって減衰可能な最大率でなくてもよい。例えば、上記最大率よりも減衰率が小さくてもよい。また、ステップＳ１〜Ｓ６及びステップＳ１１，Ｓ１２の少なくとも一つを行う必要がない場合、当該ステップは省略してもよい。

また、上記実施形態において、光減衰器１２の温度も制御されてもよい。この場合、光減衰器１２を搭載するキャリア４９ａは温度制御部上に搭載されてもよい。また、キャリア４９ａ上には、サーミスタ等が搭載されていてもよい。

１…光増幅装置、１２…光減衰器、１３…光増幅器、１４…スプリッタ、１５…光検知部、２１…制御部、３０…光装置、Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３…光。

Claims (2)

1. 信号光が入力される光減衰器と、前記光減衰器から出力された前記信号光を増幅する光増幅器と、前記光増幅器から出力された前記信号光の強度を検知する検知手段と、を備える光装置において、
   前記光減衰器の減衰率を第１所定値に設定する第１のステップと、
   前記光増幅器の増幅率を第２所定値に設定する第２のステップと、
   前記光減衰器及び前記光増幅器を経て前記検知手段に入力された光の強度の検知結果に基づいて、前記光の強度を目標値に近づけるように前記光減衰器の減衰率を下げる第３のステップと、
   前記第３のステップにおいて、前記光減衰器が前記光の強度を減衰しない場合であって、検知される前記光の強度が前記目標値まで到達しない場合、前記光増幅器の増幅率を前記第２所定値よりも大きい値に設定する第４のステップと、を含む光装置の制御方法。
2. 前記第１のステップにおいて設定される前記第１所定値は、前記検知手段が前記光の強度を検知できない状態にする値である、請求項１に記載の光装置の制御方法。

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