JP2016139505A - 監視装置、イオン注入装置、及び監視方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ビーム電流と同様にしてノイズ成分を測定する場合に比べ、ビーム電流に含まれるノイズを高精度に把握することができる監視装置、イオン注入装置、及び監視方法を提供する。【解決手段】監視装置３０は、イオン注入装置１０のファラデーカップ２０より入力されるビーム電流の高周波成分及び低周波成分のうちの少なくとも一方を抽出して出力するフィルタ回路３８と、ビーム電流の高周波成分の含有率に相当する値、及びビーム電流の低周波成分の含有率に相当する値の少なくとも一方を算出する算出部５２と、を含む。【選択図】図１

Description

本発明は、監視装置、イオン注入装置、及び監視方法に関する。

イオンビームを生成し、生成したイオンビームを半導体基板であるウェハに対して照射することで、ウェハに不純物を注入するイオン注入装置が知られている。イオンビームの状態は、ウェハの物性に大きな影響を与えるため、イオンビームの状態を精度良く把握することが求められている。

イオン注入装置には、オシロスコープが接続されたファラデーカップが備えられており、イオンビームがファラデーカップに照射されることで生じるビーム電流がオシロスコープによって測定され、これにより、イオンビームの状態の良否の判断が可能となる。

ところで、イオンビームの生成工程及び照射工程では、様々なノイズが発生し、発生したノイズはビーム電流に重畳される。ビーム電流にノイズが重畳されると、オシロスコープによる測定結果からイオンビームの状態の良否を精度良く判断することが困難となる。

イオンビームの状態の良否の高精度な判断に寄与する技術としては、ビーム電流の値に応じた電流値積算データから、ビーム電流と同様にして測定されたノイズ成分を減算する技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。

特開平７−５７６７１号公報

しかしながら、上記の技術では、ビーム電流の大まかな状態を把握することは可能であるものの、ビーム電流から一切のノイズが除去されているわけではなく、ビーム電流から除去されきれていないノイズを把握することは困難である。

なお、ビーム電流から除去されきれていないノイズの一例としては、経時的な劣化や汚れ等が原因で生じたノイズが挙げられる。経時的な劣化や汚れ等が原因で生じたノイズとは、例えば、イオンビームの形成に必要な電圧を印加するために絶縁を保たなければならない箇所で、経時的な劣化や汚れ等により絶縁不良が発生したことに起因して生じるノイズを指す。また、電源の劣化や故障から生じるノイズもビーム電流から除去されない。

本発明は、ビーム電流と同様にしてノイズ成分を測定する場合に比べ、ビーム電流に含まれるノイズを高精度に把握することができる監視装置、イオン注入装置、及び監視方法を提供することが目的である。

上記目的を達成するために、請求項１に記載の監視装置は、イオン注入装置の検知出力部より入力されるビーム電流の高周波成分及び低周波成分のうちの少なくとも一方を抽出して出力するフィルタ部と、前記ビーム電流の前記高周波成分の含有率に相当する値、及び前記ビーム電流の前記低周波成分の含有率に相当する値の少なくとも一方を算出する算出部と、を含む。

上記目的を達成するために、請求項４に記載のイオン注入装置は、請求項１から請求項３の何れか１項に記載の監視装置と、イオンビームを生成して照射する生成照射部と、前記生成照射部により照射されたイオンビームによるビーム電流を検知して前記監視装置に出力する検知出力部と、を含む。

上記目的を達成するために、請求項６に記載の監視方法は、イオン注入装置の検知出力部より入力されるビーム電流の高周波成分及び低周波成分のうちの少なくとも一方を抽出して出力し、前記ビーム電流の前記高周波成分の含有率に相当する値、及び前記ビーム電流の前記低周波成分の含有率に相当する値の少なくとも一方を算出することを含む。

本発明によれば、ビーム電流と同様にしてノイズ成分を測定する場合に比べ、ビーム電流に含まれるノイズを高精度に把握することができる、という効果が得られる。

実施形態に係るイオン注入システムの全体構成の一例を示す概略構成図である。 実施形態に係るイオン注入システムのイオン注入装置に含まれる円盤の一例を示す概略正面図である。 実施形態に係るイオン注入システムの監視装置によって実行される監視処理の流れの一例を示すフローチャートである。

以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態例について詳細に説明する。

一例として図１に示すように、イオン注入システム１００は、イオン注入装置１０及び監視装置３０を含む。

イオン注入装置１０は、生成照射部１２及びエンドステーション部１４を備えている。生成照射部１２は、イオンビームを生成して照射する。生成照射部１２は、イオンソース部１２Ａ、質量分析部１２Ｂ、加速部１２Ｃ、Ｑレンズ部１２Ｄ、及びスキャン部１２Ｅを有する。

イオンソース部１２Ａは、イオン源（図示省略）及び電源（図示省略）を備えており、電源がオンされるとイオン源が駆動し、イオン源からイオンが発生する。イオン源から発生したイオンは引出し電極（図示省略）によって引き出され、イオンビームとして質量分析部１２Ｂに導入される。

質量分析部１２Ｂは、イオンソース部１２Ａによって導入されたイオンビームをイオンの質量及び電荷の違いを利用して分離し、必要なイオンによるイオンビームのみを抽出して加速部１２Ｃに導入する。

加速部１２Ｃは、イオンビームに対して必要なエネルギーを付与することでイオンビームを加速させる。イオンビームに対して付与されるエネルギーは、加速部１２Ｃに印加される電圧によって制御される。加速部１２Ｃに印加される電圧は、イオンビームをウェハ１８に注入すべき深さ及び注入量に応じて定まる。

Ｑレンズ部１２Ｄは、加速部１２Ｃによって加速されたイオンビームを収束することでイオンビームの整形を行う。

スキャン部１２Ｅは、Ｑレンズ部１２Ｄによって整形されたイオンビームを鉛直方向及び水平方向に走査する。

イオン注入装置１０は、バッチ式の処理を行うイオン注入装置であるため、エンドステーション部１４には、円盤１６が設けられており、一例として図２に示すように、円盤１６の前面の周縁部には周方向に沿って複数のウェハ１８が取り付けられている。円盤１６は、モータ（図示省略）から伝達された駆動力を受けることで、例えば、図２に示す円弧矢印方向に予め定められた速度で回転する。円盤１６が回転した状態で、ウェハ１８には、スキャン部１２Ｅによりイオンビームが照射される。

円盤１６の周縁部の一部には、スリット１６Ａが形成されており、円盤１６の背面側には、スリット１６Ａの位置に対応する位置に、本発明に係る検知出力部の一例であるファラデーカップ２０が設けられている。従って、円盤１６の回転に伴ってスリット１４Ａがイオンビームの照射位置に到達すると、イオンビームは、スリット１６Ａを通過してファラデーカップ２０に照射される。ファラデーカップ２０は、イオンビームの照射を直接受けることで生じるビーム電流を検知して出力する。

イオン注入装置１０は、オシロスコープ２２及び制御装置２４を備えている。オシロスコープ２２の入力端子は、ファラデーカップ２０の出力端子に接続されており、オシロスコープ２２は、ファラデーカップ２０から入力されたビーム電流の大きさを測定し、測定結果をディスプレイ（図示省略）に表示する。

制御装置２４は、イオン注入装置１０の全体を制御する。制御装置２４は、オシロスコープ２２の出力端子に接続されている。従って、制御装置２４は、オシロスコープ２２によって測定されたビーム電流の大きさを把握することができる。

制御装置２４は、生成照射部１２に接続されており、オシロスコープ２２によって測定されたビーム電流の大きさが予め定められた大きさになるように、生成照射部１２を制御してイオンビームを調整する。

監視装置３０は、増幅器３２，３４，３６、フィルタ回路３８、Ａ／Ｄ変換回路４０，４２、ＣＰＵ（中央処理装置；Central Processing Unit）４４、第１メモリ４６、第２メモリ４８、及び表示部５０を備えている。

増幅器３２，３４，３６の入力端子は、ファラデーカップ２０の出力端子に接続されており、増幅器３２，３４，３６は、ファラデーカップ２０から入力されたビーム電流を電圧に変換する。そして、増幅器３２，３４，３６は、変換して得た電圧を示すアナログ信号を予め定められた割合で増幅して出力する。なお、以下では、説明の便宜上、増幅器３２，３４，３６から出力されるアナログ信号を「電圧アナログ信号」と称する。

増幅器３２の出力端子は、Ａ／Ｄ変換回路４２の入力端子に接続されており、Ａ／Ｄ変換回路４２は、増幅器３２から入力された電圧アナログ信号をデジタル信号に変換して出力する。なお、以下では、説明に便宜上、Ａ／Ｄ変換回路４２により変換されて得られたデジタル信号を「電圧デジタル信号」と称する。

本発明に係るフィルタ部の一例であるフィルタ回路３８は、ハイパスフィルタ３８Ａ及びローパスフィルタ３８Ｂを備えており、ファラデーカップ２０により出力されたビーム電流における高周波成分及び低周波成分を抽出して出力する。

ハイパスフィルタ３８Ａの入力端子は、増幅器３６の出力端子に接続されており、ハイパスフィルタ３８Ａは、増幅器３６から入力された電圧アナログ信号から高周波成分の信号を抽出して出力する。ここで、高周波成分とは、ノイズと認められる高周波成分として実験やシミュレーション等によって事前に知得された高周波成分を指す。なお、以下では、説明の便宜上、ハイパスフィルタ３８Ａによって抽出された高周波成分の信号を「高周波成分アナログ信号」と称する。

ローパスフィルタ３８Ｂの入力端子は、増幅器３４の出力端子に接続されており、ローパスフィルタ３８Ｂは、増幅器３４から入力された電圧アナログ信号から低周波成分の信号を抽出して出力する。ここで、低周波成分とは、ノイズと認められる低周波成分として実験やシミュレーション等によって事前に知得された低周波成分を指す。なお、以下では、説明の便宜上、ローパスフィルタ３８Ｂによって抽出された低周波成分の信号を「低周波成分アナログ信号」と称する。

本発明に係るＡ／Ｄ変換部の一例であるＡ／Ｄ変換回路４０は、高周波成分用変換部４０Ａ及び低周波成分用変換部４０Ｂを備えている。

高周波成分用変換部４０Ａの入力端子は、ハイパスフィルタ３８Ａの出力端子に接続されており、高周波成分用変換部４０Ａは、ハイパスフィルタ３８Ａから入力された高周波成分アナログ信号をデジタル信号に変換して出力する。なお、以下では、説明の便宜上、高周波成分用変換部４０Ａにより高周波成分アナログ信号が変換されて得られたデジタル信号を「高周波成分デジタル信号」と称する。

低周波成分用変換部４０Ｂは、ローパスフィルタ３８Ｂの出力端子に接続されており、低周波成分用変換部４０Ｂは、ローパスフィルタ３８Ｂから入力された低周波成分アナログ信号をデジタル信号に変換して出力する。なお、以下では、説明の便宜上、低周波成分用変換部４０Ｂにより低周波成分アナログ信号が変換されて得られたデジタル信号を「低周波成分デジタル信号」と称する。

第１メモリ４６は、揮発性のメモリであり、高周波成分用変換部４０Ａの出力端子及び低周波成分用変換部４０Ｂの出力端子に接続されている。従って、第１メモリ４６には、高周波成分用変換部４０Ａから高周波成分デジタル信号が入力され、低周波成分用変換部４０Ｂから低周波成分デジタル信号が入力され、第１メモリ４６は、入力された高周波成分デジタル信号及び低周波成分デジタル信号を保持する。

第２メモリ４８は、監視プログラム５６や各種パラメータ等を予め記憶した不揮発性のメモリ（例えば、フラッシュメモリやＨＤＤ（Hard Disk Drive）など）である。

ＣＰＵ４４は、監視装置３０の全体を制御する。ＣＰＵ４４には、Ａ／Ｄ変換回路４０，４２、第１メモリ４６、及び第２メモリ４８が接続されている。従って、ＣＰＵ４４は、Ａ／Ｄ変換回路４０を制御し、Ａ／Ｄ変換回路４２から電圧デジタル信号を取得し、第１メモリ４６から高周波成分デジタル信号及び低周波成分デジタル信号を取得し、第２メモリ４８から監視プログラム５６を取得することができる。

ＣＰＵ４４には、表示部５０が接続されており、表示部５０は、ＣＰＵ４４の制御下で各種情報を表示する。なお、表示部５０の一例としては、液晶ディスプレイが挙げられる。

ＣＰＵ４４は、入出力インタフェース（図示省略）を介してイオン注入装置１０の制御装置２４に接続されている。従って、ＣＰＵ４４は、制御装置２４を介して生成照射部１２を制御することができる。

ＣＰＵ４４は、算出部５２及び制御部５４を有する。算出部５２は、ビーム電流の高周波成分の含有率に相当する値、すなわち、ビーム電流に対する、フィルタ回路３８により出力された高周波成分の含有率に相当する値を算出する。また、算出部５２は、ビーム電流の低周波成分の含有率に相当する値、すなわち、ビーム電流に対する、フィルタ回路３８により出力された低周波成分の含有率に相当する値を算出する。制御部５４は、算出部５２により算出された値が閾値を超えた場合に、イオンビームの生成が停止されるようにイオン注入装置１０を制御する。

ＣＰＵ４４は、第２メモリ４８から監視プログラム５６を取得し、取得した監視プログラム５６を、各種プログラムの実行時のワークエリア等として用いられる揮発性のメモリ（図示省略）に展開して実行することで、算出部５２及び制御部５４として動作する。

なお、ここでは監視プログラム５６を第２メモリ４８から取得する場合を例示したが、必ずしも最初から第２メモリ４８に記憶させておく必要はない。例えば、監視装置３０に接続されて使用されるＳＳＤ（Solid State Drive）、ＤＶＤディスク、ＩＣカード、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭなどの任意の可搬型の記憶媒体に先ずは監視プログラム５６を記憶させておいてもよい。そして、ＣＰＵ４４が可搬型の記憶媒体から監視プログラム５６を取得して実行するようにしてもよい。また、通信網（図示省略）を介して監視装置３０に接続される他のコンピュータ又はサーバ装置等の記憶部に監視プログラム５６を記憶させておき、ＣＰＵ４４が他のコンピュータ又はサーバ装置等から監視プログラム５６を取得して実行してもよい。

次に、本実施形態に係るイオン注入システム１００の作用を説明する。

イオン注入装置１０では、ウェハ１８が取り付けられた円盤１６の回転が開始され、回転速度が予め定められた速度に達して安定すると、生成照射部１２により円盤１６の内周領域に対してイオンビームの照射が開始される。イオンビームは、円盤１６上のウェハ１８に照射され、これにより、ウェハ１８にイオンが注入される。また、イオンビームは、円盤１６の回転に伴って、スリット１６Ａを介してファラデーカップ２０に照射される。イオンビームがファラデーカップ２０に照射されると、ファラデーカップ２０によりビーム電流が検知されて出力される。

監視装置３０では、ファラデーカップ２０から入力されたビーム電流が増幅器３２，３４，３６の各々によって電圧アナログ信号に変換され、変換されて得られた電圧アナログ信号が増幅器３２，３４，３６の各々によって出力される。

ところで、ビーム電流には、ノイズが重畳されており、ノイズは、高周波成分のノイズと低周波成分のノイズとに大別される。

そこで、監視装置３０では、電圧アナログ信号から、高周波成分のノイズに対応する高周波成分アナログ信号がハイパスフィルタ３８Ａによって抽出されて出力される。また、電圧アナログ信号から、低周波成分のノイズに対応する低周波成分アナログ信号がローパスフィルタ３８Ｂによって抽出されて出力される。

ハイパスフィルタ３８Ａによって出力された高周波成分アナログ信号は、高周波成分用変換部４０Ａによって高周波成分デジタル信号に変換されて第１メモリ４６に出力され、高周波成分デジタル信号は、第１メモリ４６によって保持される。

ローパスフィルタ３８Ｂによって出力された低周波成分アナログ信号は、低周波成分用変換部４０Ｂによって低周波成分デジタル信号に変換されて第２メモリ４６に出力され、低周波成分デジタル信号は、第１メモリ４６によって保持される。

一方、増幅器３２からＡ／Ｄ変換回路４２に入力された電圧アナログ信号は、Ａ／Ｄ変換回路４２によって、電圧デジタル信号に変換されてＣＰＵ４４に出力される。

次に、ファラデーカップ２０でビーム電流が発生したことに応じて得られた電圧デジタル信号がＣＰＵ４４に入力された場合に、ＣＰＵ４４が監視プログラム５６を実行することで実現される監視処理について、図３を参照しつつ説明する。なお、以下では、説明の便宜上、第１メモリ４６が、ＣＰＵ４４に入力された電圧デジタル信号に関連する高周波成分デジタル信号及び低周波成分デジタル信号を既に保持していることを前提としている。

図３に示す監視処理では、先ず、ステップ２００で、算出部５２は、第１メモリ４６から高周波成分デジタル信号及び低周波成分デジタル信号を取得し、その後、ステップ２０２へ移行する。

ステップ２０２で、算出部５２は、電圧デジタル信号の信号レベルに対する高周波成分デジタル信号の信号レベルの割合（本発明に係る含有率に相当する値の一例）を算出する。また、算出部５２は、電圧デジタル信号の信号レベルの信号レベルに対する低周波成分デジタル信号の信号レベルの割合（本発明に係る含有率に相当する値の一例）を算出する。

なお、以下では、説明の便宜上、電圧デジタル信号の信号レベルに対する高周波成分デジタル信号の信号レベルの割合を「高周波成分側の割合」と称する。また、以下では、説明の便宜上、電圧デジタル信号の信号レベルに対する低周波成分デジタル信号の信号レベルの割合を「低周波成分側の割合」と称する。また、以下では、説明の便宜上、高周波成分側の割合及び低周波成分側の割合を区別して説明する必要がない場合は、単に「割合」と称する。

次のステップ２０４で、算出部５２は、ステップ２０２で算出した割合が閾値を超えているか否かを判定する。閾値は、第１閾値と第２閾値とに大別され、第１閾値は、高周波成分側の割合との比較に用いられ、第２閾値は、低周波成分側の割合との比較に用いられる。ここで、ステップ２０２で算出した割合が閾値を超えている場合とは、例えば、高周波成分側の割合、及び、低周波成分側の割合の少なくとも一方が、対応する閾値を超えている場合を意味する。

第１閾値は、高周波成分のノイズのうち、看過することができないレベルの高周波成分のノイズを検出するための値として実験やシミュレーション等によって事前に知得された値である。第２閾値は、低周波成分のノイズのうち、看過することができないレベルの低周波成分のノイズを検出するための値として実験やシミュレーション等によって事前に知得された値である。ここで、看過することができないレベルとは、例えば、このままイオンビームの照射を継続すると不良製品が製造されてしまうことが明らかなレベルとして実験やシミュレーション等によって事前に知得されたレベルを指す。

なお、本実施形態では、第１閾値及び第２閾値として、何れも不変値を採用しているが、タッチパネルやハードキーなどの受付デバイス（図示省略）によって受け付けられた指示に応じて変更可能な可変値であってもよい。

ステップ２０４において、ステップ２０２で算出した割合が閾値を超えている場合は、判定が肯定されて、ステップ２０６へ移行する。ステップ２０２において、ステップ２０２で算出した割合が閾値以下の場合は、判定が否定されて、ステップ２０８へ移行する。

ステップ２０６で、制御部５４は、イオンビームの生成の停止を指示するビーム停止信号を制御装置２４に出力する。これに応じて、制御装置２４にビーム停止信号が入力されると、制御装置２４は、生成照射部１２によるイオンビームの生成が停止されるように生成照射部１２を制御する。

次のステップ２０８で、算出部５２は、ステップ２０２で算出した割合を表示部５０に表示し、その後、本監視処理を終了する。

ステップ２０８の処理が実行されると、表示部５０では、高周波成分側の割合及び低周波側の割合が百分率で「高周波成分；▲▲％ 低周波成分；××％」等と数値化して表示される。なお、ここでは、表示部５０による可視表示を例示しているが、可視表示に代えて、スピーカ（図示省略）が出力する音声による可聴表示を採用してもよいし、可視表示及び可聴表示を併用してもよいことは言うまでもない。

以上説明したように、監視装置３０では、フィルタ回路３８により、ビーム電流における高周波成分及び低周波成分が抽出されて出力される。そして、算出部５２により、ビーム電流に対する、フィルタ回路３８により出力された高周波成分の含有率に相当する値として高周波成分側の割合が算出される。また、算出部５２により、ビーム電流に対する、フィルタ回路３８により出力された低周波成分の含有率に相当する値として低周波成分側の割合が算出される。従って、ビーム電流と同様にしてノイズ成分を測定する場合に比べ、ビーム電流に含まれる経時的な劣化や汚れ等が原因で生じたノイズを高精度に把握することができる。

このように、ビーム電流に含まれる経時的な劣化や汚れ等が原因で生じたノイズの高精度な把握が可能になると、ユーザはイオンビームの調整を精度良く行うことができるので、イオン注入工程におけるイオン注入の均一性不良に伴う不良製品（不良ウェハ）の発生を未然に防止することができる。

また、監視装置３０では、高周波成分用変換部４０Ａによって高周波成分アナログ信号が高周波成分デジタル信号に変換され、低周波成分用変換部４０Ｂによって低周波成分アナログ信号が低周波成分デジタル信号に変換される。そして、算出部５２によって、高周波成分デジタル信号及び低周波成分デジタル信号が用いられて高周波成分側の割合及び低周波成分側の割合が算出され、算出された高周波成分側の割合及び低周波成分側の割合が表示部５０に表示される。従って、高周波成分側の割合及び低周波成分側の割合が表示されない場合に比べ、ビーム電流に含まれる経時的な劣化や汚れ等が原因で生じたノイズの程度をユーザに容易に知覚させることができる。

また、監視装置３０では、算出部５２により算出された割合が閾値を超えた場合に、イオンビームの生成が停止されるように制御部５４によるイオン注入装置１０に対する制御が行われる。従って、算出部５２により算出された割合が閾値を超えてもイオンビームの生成が停止されない場合に比べ、不良製品の製造を抑制することができる。

また、イオン注入装置１０では、バッチ式の処理が行われる。従って、枚葉式の処理が行われる場合に比べ、製造効率を高めることができる。

なお、上記実施形態では、算出部５２が高周波成分側の割合及び低周波側の割合を算出する場合を例示したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、算出部５２は、電圧デジタル信号の信号レベルと高周波成分デジタル信号の信号レベルとの比、及び、電圧デジタル信号の信号レベルと低周波成分デジタル信号の信号レベルとの比の少なくとも一方を算出するようにしてもよい。このように、監視装置３０では、ビーム電流に含まれる高周波成分の含有率に相当する値、及び、ビーム電流に含まれる低周波成分の含有率に相当する値の少なくとも一方が算出部５２によって算出されるようにすればよい。

また、上記実施形態では、監視装置３０がハイパスフィルタ３８Ａ及びローパスフィルタ３８Ｂを含む場合を例示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、監視装置３０がハイパスフィルタ３８Ａ又はローパスフィルタ３８Ｂを含むようにしてもよい。

また、上記実施形態では、高周波成分側の割合及び低周波側の割合が算出される場合を例示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、高周波成分側の割合又は低周波側の割合が算出されるようにしてもよい。

また、上記実施形態では、高周波成分側の割合、及び、低周波成分側の割合の少なくとも一方が、対応する閾値を超えている場合にイオンビームの生成が停止されるようにしたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、高周波成分側の割合、及び、低周波成分側の割合の双方が、対応する閾値を超えている場合にのみイオンビームの生成が停止されるようにしてもよい。また、高周波成分側の割合が第１閾値を超えている場合にのみイオンビームの生成が停止されるようにしてもよい。更に、低周波成分側の割合が第２閾値を超えている場合にのみイオンビームの生成が停止されるようにしてもよい。

また、上記実施形態では、イオンビームの生成が停止されるように制御部５４によってイオン注入装置１０が制御される場合を例示したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、イオンビームの出力を停止させずに、現時点よりもイオンビームの出力レベルを低下させるように制御部５４によってイオン注入装置１０が制御されてもよい。

また、上記実施形態では、バッチ式のイオン注入装置１０を例示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、枚葉式のイオン注入装置に対しても本発明が適用可能であることは言うまでもない。

また、上記実施形態では、円盤１６の背面側にファラデーカップ２０を配置する例を挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、円盤１６に取り付けられているウェハ１８に隣接する位置や円盤１６の外周面側にファラデーカップ２０を配置するようにしてもよい。

また、上記実施形態では、イオン注入装置１０に対して監視装置３０が外付けされている場合を例示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、イオン注入装置１０に監視装置３０が内蔵されていてもよい。

また、上記実施形態で説明した監視処理（図３参照）はあくまでも一例である。従って、主旨を逸脱しない範囲内において不要なステップを削除したり、新たなステップを追加したり、処理順序を入れ替えたりしてもよいことは言うまでもない。

また、上記実施形態では、ＣＰＵ４４によって監視プログラム５６の各ステップを実現するソフトウェア的な形態を例示したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、各種回路（一例として、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit））を接続して構成されるハードウェア的な形態や、ソフトウェア的な形態とハードウェア的な形態とを組み合わせた形態が挙げられる。

また、上記実施形態では、高周波成分側の割合及び低周波成分側の割合が表示部５０に表示される場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、ノイズ発生源も表示部５０に表示するようにしてもよい。この場合、例えば、高周波成分側の割合及び低周波成分側の割合とノイズ発生源との対応関係を規定したノイズ発生源導出用テーブルを第２メモリ４８に予め記憶させておく。そして、算出部５２は、算出した高周波成分側の割合及び低周波成分側の割合からノイズ発生源導出用テーブルを用いてノイズ発生源を導出し、導出したノイズ発生源を特定する情報を表示部５０に表示する。

１０ イオン注入装置
１２ 生成照射部
２０ ファラデーカップ
３０ 監視装置
３８ フィルタ回路
４０ Ａ／Ｄ変換回路
５０ 表示部
５２ 算出部
５４ 制御部

Claims (6)

1. イオン注入装置の検知出力部より入力されるビーム電流の高周波成分及び低周波成分のうちの少なくとも一方を抽出して出力するフィルタ部と、
   前記ビーム電流の前記高周波成分の含有率に相当する値、及び前記ビーム電流の前記低周波成分の含有率に相当する値の少なくとも一方を算出する算出部と、
   を含む監視装置。
2. 前記フィルタ部は、前記高周波成分及び前記低周波成分をアナログ信号で出力し、
   前記アナログ信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換部を更に含み、
   前記算出部は、前記デジタル信号を用いて前記値を算出し、算出した前記値を表示部に表示させる請求項１に記載の監視装置。
3. 前記算出部により算出された前記値が閾値を超えた場合に、前記イオンビームが抑制されるように前記イオン注入装置を制御する制御部を更に含む請求項１又は請求項２に記載の監視装置。
4. 請求項１から請求項３の何れか１項に記載の監視装置と、
   イオンビームを生成して照射する生成照射部と、
   前記生成照射部により照射されたイオンビームによるビーム電流を検知して前記監視装置に出力する検知出力部と、
   を含むイオン注入装置。
5. バッチ式の処理を行う請求項４に記載のイオン注入装置。
6. イオン注入装置の検知出力部より入力されるビーム電流の高周波成分及び低周波成分のうちの少なくとも一方を抽出して出力し、
   前記ビーム電流の前記高周波成分の含有率に相当する値、及び前記ビーム電流の前記低周波成分の含有率に相当する値の少なくとも一方を算出することを含む監視方法。

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