JP2016136602A - 連結構造及びこれを用いた磁気アニール装置、並びに連結方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】磁石190が備え付けられて固定配置され、円筒形のフランジ部30aを有する第1のドラムフランジ30を備えた磁気アニール炉200に筐体10を連結するための連結構造であって、前記筐体に取り付け固定され、前記第1のドラムフランジの前記フランジ部を外嵌又は内嵌可能なフランジ部20aを有する第2のドラムフランジ20と、前記筐体と前記第2のドラムフランジとの対向面同士の間に設けられた第1のシール材161と、前記第1のドラムフランジと前記第2のドラムフランジとの対向面同士の間に設けられた第2のシール材162と、を有する。
【選択図】図4
Description
前記筐体に取り付け固定され、前記第1のドラムフランジの前記フランジ部を外嵌又は内嵌可能なフランジ部を有する第2のドラムフランジと、
前記筐体と前記第2のドラムフランジとの対向面同士の間に設けられた第1のシール材と、
前記第1のドラムフランジと前記第2のドラムフランジとの対向面同士の間に設けられた第2のシール材と、を有する。
11 連結部
12 先端面
20、21、30、31 ドラムシール
20a、21a、30a、31a フランジ部
20b、21b、30b、31b 取り付け部
40、41 ボルト
50、51 ガイドピン
160〜163 O−リング
170 フレーム
171 位置決めガイド
172 位置決めフレーム
180 磁気アニール炉
183 フランジ面
210 磁気シールド
220 床
250、251 磁気アニール装置
Claims (17)
- 磁石が備え付けられて固定配置され、円筒形のフランジ部を有する第1のドラムフランジを備えた磁気アニール炉に筐体を連結するための連結構造であって、
前記筐体に取り付け固定され、前記第1のドラムフランジの前記フランジ部を外嵌又は内嵌可能なフランジ部を有する第2のドラムフランジと、
前記筐体と前記第2のドラムフランジとの対向面同士の間に設けられた第1のシール材と、
前記第1のドラムフランジと前記第2のドラムフランジとの対向面同士の間に設けられた第2のシール材と、を有する連結構造。 - 前記筐体と前記第2のドラムフランジとの対向面及び前記第1のドラムフランジと前記第2のドラムフランジとの対向面には、前記第1のシール材及び前記第2のシール材をそれぞれ設置可能な第1の溝及び第2の溝がそれぞれ形成されている請求項1に記載の連結構造。
- 前記第1のシール材及び前記第2のシール材は、O−リングである請求項2に記載の連結構造。
- 前記第2のシール材として用いられている前記O−リングのつぶし率は、7〜20%となるように設定された請求項3に記載の連結構造。
- 前記第1のドラムフランジ及び前記第2のドラムフランジは、前記フランジ部の一端から前記フランジ部の面と直角な面を有し、平坦面に取り付け可能な取り付け部を各々有する請求項1乃至4のいずれか一項に記載の連結構造。
- 前記磁気アニール炉は基板搬入口を有し、
前記第1のドラムフランジの前記取り付け部は、前記磁気アニール炉の前記基板搬入口周囲の平坦面に固定具で固定された請求項5に記載の連結構造。 - 前記第2のドラムフランジの前記取り付け部は、前記筐体の外壁の平坦面に前記第1のシール材を介して固定具で固定された請求項5又は6に記載の連結構造。
- 前記固定具はボルトである請求項6又は7に記載の連結構造。
- 前記第2のドラムフランジの前記フランジ部は、前記第1のドラムフランジの前記フランジ部内に、前記第2のシール材を介して挿入固定された請求項1乃至8のいずれか一項に記載の連結構造。
- 前記磁気アニール炉と前記筐体とが対向する対向面の少なくとも一方に、位置決めを行うためのガイドピンが設けられた請求項1乃至9のいずれか一項に記載の連結構造。
- 請求項1乃至10のいずれか一項に記載の磁気アニール炉と、
請求項1乃至10のいずれか一項に記載の筐体と、
請求項1乃至10のいずれか一項に記載の連結構造と、を備えた磁気アニール装置。 - 前記筐体は、前記磁気アニール炉に基板を搬入するためのロード室である請求項11に記載の磁気アニール装置。
- 前記連結構造による前記磁気アニール炉と前記筐体との連結後に前記筐体を床に固定可能な固定部材を更に有する請求項11又は12に記載の磁気アニール装置。
- 磁石が備え付けられて固定配置され、円筒形のフランジ部を有する第1のドラムフランジを備えた磁気アニール炉に筐体を連結する連結方法であって、
前記第1のドラムフランジの前記フランジ部を外嵌又は内嵌する円筒形のフランジ部と、該フランジ部の一端から該フランジ部の面に垂直に広がる平坦面を有する取り付け部とを有する第2のドラムフランジを、第1のシール部材を介して前記筐体の外壁に固定具を用いて半固定する工程と、
前記第2のドラムフランジの前記フランジ部上に第2のシール部材を設置する工程と、
前記第2のドラムフランジを、前記第2のシール部材を介して前記第1のドラムフランジに嵌め込んで前記第2のドラムフランジを前記第1のドラムフランジに連結させる工程と、
前記固定具を用いて、前記第2のドラムフランジを前記筐体の前記外壁に固定する工程と、を有する連結方法。 - 前記第2のドラムフランジを前記筐体の前記外壁に固定する工程の後、前記筐体を床に固定する工程を更に有する請求項14に記載の連結方法。
- 前記磁気アニール炉と前記筐体との対向面の少なくとも一方には位置合わせ用のガイドピンが設けられ、
該ガイドピンを用いて前記第2のドラムフランジの位置合わせを行いながら、前記第2のドラムフランジを、前記第2のシール部材を介して前記第1のドラムフランジに嵌め込んで前記第2のドラムフランジを前記第1のドラムフランジに連結させる工程を行う請求項14又は15に記載の連結方法。 - 前記固定具はボルトであり、
第2のドラムフランジを、第1のシール部材を介して前記筐体の外壁に固定具を用いて半固定する工程は、前記ボルトを途中まで締めることにより行われ、
前記第2のドラムフランジを前記筐体の前記外壁に固定する工程は、前記ボルトを最後まで締めることにより行われる請求項14乃至16のいずれか一項に記載の連結方法。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4751895A (en) * | 1985-09-03 | 1988-06-21 | Yates Cleon R | Door closure apparatus for encapsulating a wafer paddle |
JPH0888188A (ja) * | 1994-09-14 | 1996-04-02 | Kokusai Electric Co Ltd | 半導体製造装置 |
JP2006210370A (ja) * | 2005-01-25 | 2006-08-10 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | チャンバー接続装置 |
WO2014088414A1 (en) * | 2012-12-03 | 2014-06-12 | Asm Ip Holding B.V. | Modular vertical furnace processing system |
JP2014183281A (ja) * | 2013-03-21 | 2014-09-29 | Tokyo Electron Ltd | 磁気アニール装置 |
Family Cites Families (7)
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---|---|---|---|---|
US3299574A (en) * | 1964-10-07 | 1967-01-24 | Ind Ovens Inc | Vapor-tight thermal insulating door |
DE4103504A1 (de) * | 1990-04-20 | 1991-10-24 | Bergwerksverband Gmbh | Reaktorkammertuer fuer grossraumverkokungsreaktor |
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US6447232B1 (en) * | 1994-04-28 | 2002-09-10 | Semitool, Inc. | Semiconductor wafer processing apparatus having improved wafer input/output handling system |
KR100745867B1 (ko) * | 2000-08-23 | 2007-08-02 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 수직열처리장치 및 피처리체를 운송하는 방법 |
US20050183824A1 (en) * | 2004-02-25 | 2005-08-25 | Advanced Display Process Engineering Co., Ltd. | Apparatus for manufacturing flat-panel display |
US10297481B2 (en) * | 2013-03-21 | 2019-05-21 | Tokyo Electron Limited | Magnetic annealing apparatus |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4751895A (en) * | 1985-09-03 | 1988-06-21 | Yates Cleon R | Door closure apparatus for encapsulating a wafer paddle |
JPH0888188A (ja) * | 1994-09-14 | 1996-04-02 | Kokusai Electric Co Ltd | 半導体製造装置 |
JP2006210370A (ja) * | 2005-01-25 | 2006-08-10 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | チャンバー接続装置 |
WO2014088414A1 (en) * | 2012-12-03 | 2014-06-12 | Asm Ip Holding B.V. | Modular vertical furnace processing system |
JP2014183281A (ja) * | 2013-03-21 | 2014-09-29 | Tokyo Electron Ltd | 磁気アニール装置 |
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