JP2016135894A - アーク放電イオンプレーティング装置及びその制御方法 - Google Patents
アーク放電イオンプレーティング装置及びその制御方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 ADRIP装置は、円筒状のプラズマチャンバ1、成膜チャンバ2及びロードロックチャンバ3よりなる。プラズマチャンバ1と成膜チャンバ2とは仕切りがなく連続し、成膜チャンバ2とロードロックチャンバ3とは仕切板4によって区切られている。ガス導通管7は成膜チャンバ2とロードロックチャンバ3とを接続し、ガス導通管7の途中にスローリーク弁8を設ける。スローリーク弁8は成膜チャンバ2の圧力とロードロックチャンバ3の圧力とが同一となるように徐々に開放するように動作する。アーク放電プラズマPにてウエハW上に薄膜を成膜し、その後、アイドリングアーク放電プラズマIPとする。アイドリングアーク放電プラズマIPの状態において、スローリーク弁8を開放した後に仕切板4を開放する。
【選択図】 図1B
Description
11:ガス導入口
11a:電磁弁
12:陰極
13:中間電極
14:小口径コイル
15:中間電極
16:陽極
17:大口径コイル
2:成膜チャンバ
21:蒸発源
22:ヒータ付ウエハ回転ホルダ
23:ガス導入口
24:真空ポンプ
26:排気口
3:ロードロックチャンバ
31:真空ポンプ
32:排気口
4:仕切板
5:直流電源
6:制御ユニット
7:ガス導通管
8:スローリーク弁
P:アーク放電プラズマ
IP:アイドリングアーク放電プラズマ
Claims (5)
- 圧力勾配型プラズマガンが設けられたプラズマチャンバと、
前記プラズマチャンバに接続された成膜チャンバと、
ロードロックチャンバと、
前記ロードロックチャンバと前記成膜チャンバとの間に設けられた仕切板と、
前記成膜チャンバと前記ロードロックチャンバとを接続するガス導通管と、
前記ガス導通管の途中に設けられたスローリーク弁と
を具備し、
前記仕切板の開放前に前記スローリーク弁を開放して前記成膜チャンバの圧力と前記ロードロックチャンバの圧力とを同一にせしめるようにしたアーク放電イオンプレーティング装置。 - 圧力勾配型プラズマガンが設けられたプラズマチャンバ、該プラズマチャンバに接続された成膜チャンバ、該成膜チャンバと仕切板によって区分されたロードロックチャンバ、該成膜チャンバと前記ロードロックチャンバとを接続するガス導通管、及び該ガス導通管の途中に設けられたスローリーク弁を具備するアーク放電イオンプレーティング装置において、
連続処理のウエハに対して、
前記スローリーク弁を閉鎖するスローリーク弁閉鎖工程と、
前記仕切板を閉鎖する仕切板閉鎖工程と、
前記スローリーク弁閉鎖工程及び前記仕切板閉鎖工程の後に、前記成膜チャンバを第1の真空度の真空にする第1の成膜チャンバ真空処理工程と、
前記第1の真空度の真空にされた成膜チャンバにおいて予め実現された後述のアーク放電プラズマアイドリング状態から第1の放電電流の第1のアーク放電プラズマ状態を実現してウエハに成膜を実行するアーク放電プラズマ処理工程と、
前記アーク放電プラズマ処理工程の後に、前記第1の真空度の真空にされた成膜チャンバにおいて前記第1の放電電流より小さい第2の放電電流のアーク放電プラズマアイドリング状態を実現するアーク放電プラズマアイドリング処理工程と、
前記アーク放電プラズマアイドリング処理工程の後に、前記スローリーク弁を開放するスローリーク弁開放工程と、
前記スローリーク弁の開放工程の後に、前記仕切板を開放する仕切板開放工程と
を具備するアーク放電イオンプレーティング装置の制御方法。 - 前記ウエハが最初ウエハである場合に、さらに、
前記成膜チャンバを前記第1の真空度より高い第2の真空度の真空にする第2の成膜チャンバ真空処理工程と、
前記第2の真空度の真空にされた成膜チャンバをグロー放電状態から異常グロー放電状態を介して初回時アーク放電プラズマ状態を実現するアーク放電プラズマ処理準備工程と、
前記アーク放電プラズマ処理準備工程の後に、前記初回時アーク放電プラズマ状態にて前記最初ウエハに成膜を実行する初回時アーク放電プラズマ処理工程と
を具備する請求項2の記載のアーク放電イオンプレーティング装置の制御方法。 - さらに、前記仕切板開放工程の後に、前記成膜されたウエハを前記成膜チャンバから前記ロードロックチャンバに搬入し、次のウエハを該ロードロックチャンバから前記成膜チャンバに搬入するチャンバ間ウエハ交換工程を具備する請求項2に記載のアーク放電イオンプレーティング装置の制御方法。
- さらに、前記スローリーク弁閉鎖工程及び前記仕切板閉鎖工程の後に、前記ロードロックチャンバを大気開放して該ロードロックチャンバと外部との間でウエハ交換を行う大気圧ウエハ交換工程を具備する請求項2に記載のアーク放電イオンプレーティング装置の制御方法。
Priority Applications (1)
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JP (1) | JP6396223B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07211761A (ja) * | 1994-01-21 | 1995-08-11 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置内の被処理体の搬送方法 |
JP2005146382A (ja) * | 2003-11-18 | 2005-06-09 | Stanley Electric Co Ltd | アーク放電型真空成膜装置および成膜方法 |
JP2007211270A (ja) * | 2006-02-07 | 2007-08-23 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 成膜装置 |
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- 2015-01-23 JP JP2015010933A patent/JP6396223B2/ja active Active
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