JP2016122785A - 光学ユニット、光学ユニットの固定構造および半導体レーザモジュール - Google Patents

光学ユニット、光学ユニットの固定構造および半導体レーザモジュール Download PDF

Info

Publication number
JP2016122785A
JP2016122785A JP2014263063A JP2014263063A JP2016122785A JP 2016122785 A JP2016122785 A JP 2016122785A JP 2014263063 A JP2014263063 A JP 2014263063A JP 2014263063 A JP2014263063 A JP 2014263063A JP 2016122785 A JP2016122785 A JP 2016122785A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical unit
base
semiconductor laser
fixing member
optical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2014263063A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6655287B2 (ja
Inventor
英広 谷口
Hidehiro Taniguchi
英広 谷口
順自 吉田
Junji Yoshida
順自 吉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Furukawa Electric Co Ltd
Original Assignee
Furukawa Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Furukawa Electric Co Ltd filed Critical Furukawa Electric Co Ltd
Priority to JP2014263063A priority Critical patent/JP6655287B2/ja
Priority to CN201580063624.0A priority patent/CN107005022B/zh
Priority to PCT/JP2015/085716 priority patent/WO2016104449A1/ja
Publication of JP2016122785A publication Critical patent/JP2016122785A/ja
Priority to US15/622,897 priority patent/US10944236B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6655287B2 publication Critical patent/JP6655287B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0235Method for mounting laser chips
    • H01S5/02355Fixing laser chips on mounts
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0225Out-coupling of light
    • H01S5/02251Out-coupling of light using optical fibres
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/023Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02325Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024Arrangements for thermal management
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4012Beam combining, e.g. by the use of fibres, gratings, polarisers, prisms
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4075Beam steering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/02208Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
    • H01S5/02216Butterfly-type, i.e. with electrode pins extending horizontally from the housings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0225Out-coupling of light
    • H01S5/02253Out-coupling of light using lenses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024Arrangements for thermal management
    • H01S5/02476Heat spreaders, i.e. improving heat flow between laser chip and heat dissipating elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar

Abstract

【課題】 放熱性の高い基台を適用可能な光学ユニット等を提供する。【解決手段】 基台19上には、回路導体25が設けられる。回路導体25には半導体レーザ5が接続される。基台19の例えば四隅近傍には、回路導体25が形成されない切欠き部が設けられ、当該部位には、それぞれ、孔20が設けられる。孔20は基台19を貫通する。孔20には、固定部材21が挿通される。固定部材21は、例えば雄ねじである。固定部材21の頭部は切欠き部に位置するため、固定部材21と回路導体25とは接触しない。台座17には、光学ユニット23の孔20に対応した部位に孔が形成され内面に雌ねじが形成される。したがって、固定部材21と台座17とが接合される。この結果、光学ユニット23が台座17に固定される。【選択図】図3

Description

本発明は、基台上に半導体レーザが固定された光学ユニット等に関するものである。
半導体レーザから出力された光を、光ファイバに結合する半導体レーザモジュールがある。このような、半導体レーザモジュールには、半導体レーザが基台(サブマウント)上に固定された光学ユニットが用いられる(例えば特許文献1)。
特開2013−12708号公報
通常、光学ユニットは、台座やパッケージ、または冷却機器等に半田で固定される。したがって、半導体レーザモジュールに一度組み込まれた光学ユニットを取り外すことはできなかった。このため、光学ユニットが故障した場合には、半導体レーザモジュールの全体を交換する必要があった。特に、複数の光学ユニットを有する半導体レーザモジュールの場合には、一つの光学ユニットが故障した場合に、故障した光学ユニットのみを交換することができなかった。
本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、容易に着脱が可能な光学ユニット等を提供することを目的とする。
前述した目的を達するために第1の発明は、基台と、前記基台上に配置される半導体レーザと、を具備し、前記基台には、固定部材を挿通可能な孔が形成されることを特徴とする光学ユニットである。
前記半導体レーザから出射する光をコリメートするレンズが接合されていることが望ましい。
前記基台の表面であって、前記孔の周囲には金属層が露出し、前記金属層は、前記基台上の回路パターンと絶縁されていてもよい。
前記孔は、前記半導体レーザの両側方に配置されることが望ましい。
第1の発明によれば、基台に固定部材用の孔を形成するため、台座に対して基台を固定部材で固定することができる。このため、基台と台座とを半田で固定する必要がない。このため、従来の半田接合の場合と比較して、基台の材質と台座の材質の熱膨張係数差をあまり考慮せずに材質選択を行うことができる。また、固定部材によって、光学ユニットを台座等に固定するため、光学ユニットの脱着が可能である。このため、光学ユニットを容易に交換することもできる。
また、光学ユニットにレンズが一体で接合されることで、光学ユニットの交換がさらに容易である。
また、孔の周囲に金属層を露出させることで、固定部材を孔に挿通した際に、固定部材の座面が金属層と接触する。このため、金属層が座金として機能し、固定部材の緩みを防止することができる。
第2の発明は、基台と、前記基台上に配置される半導体レーザと、を具備する光学ユニット、または、前記光学ユニットに台座が接合された台座付光学ユニットを用い、前記基台または前記台座には、固定部材を挿通可能な孔が形成され、前記光学ユニットが、台座、パッケージまたは冷却器に対して、前記固定部材で固定されるか、または、前記台座付光学ユニットが、パッケージまたは冷却器に対して、前記固定部材で固定されることを特徴とする光学ユニットの固定構造である。
第2の発明によれば、光学ユニットを台座等に対して容易に脱着可能であり、半田等の破損の恐れがない。
第3の発明は、第1の発明にかかる光学ユニットと、前記半導体レーザから出射されるレーザ光が結合される光ファイバと、前記光学ユニットを収容するパッケージと、を具備し、前記光学ユニットが、直接または間接的に前記パッケージに対して、前記固定部材で固定されることを特徴とする半導体レーザモジュールである。
複数の前記光学ユニットが前記パッケージに収容され、それぞれの前記半導体レーザから出射されるレーザ光を、それぞれ反射する複数の反射ミラーと、複数の前記反射ミラーで反射されたレーザ光を集光する集光レンズと、をさらに具備し、複数のそれぞれの前記光学ユニットを、個々に脱着可能であってもよい。
前記基台の下面には、熱伝導性シートが配置され、前記光学ユニットが前記熱伝導性シートを介して接続対象と接触してもよい。
前記光ファイバは、マルチモード光ファイバであることが望ましい。
第3の発明によれば、光学ユニットを台座等に対して容易に脱着可能であり、半田等の破損の恐れがない。特に、複数の光学ユニットが配置された際には、一つの光学ユニットが故障した場合に、容易に光学ユニットを交換することができる。
また、基台の下面と台座等との間に、熱伝導性シートを配置することで、基台の放熱性を高めることができる。
また、半導体レーザおよび光ファイバがマルチモード用であれば、シングルモードと比較して、高い調芯精度が要求されないため、固定部材による固定で生じるわずかな芯ずれを許容することができる。
本発明によれば、容易に着脱が可能な光学ユニット等を提供することができる。
半導体レーザモジュール1を示す斜視図。 半導体レーザモジュール1を示す平面図。 (a)は、光学ユニット23を示す平面図、(b)は(a)のA−A線断面図。 (a)は、他の光学ユニット23を示す平面図、(b)は(a)のB−B線断面図。 他の光学ユニット23を示す平面図。 他の光学ユニット23の固定構造を示す平面図。 台座付光学ユニット23aの固定構造を示す側面図。 半導体レーザモジュール1aを示す断面図。
以下、図面を参照しながら、本発明の第1の実施形態について説明する。図1は、半導体レーザモジュール1を示す図であり、図1は斜視図、図2は平面図である。なお、図1は、パッケージ3の上面および図中手前側の側壁を透視した図である。半導体レーザモジュール1は、主に、パッケージ3、レンズ7、9、13、反射ミラー11、光ファイバ15、台座17、光学ユニット23等から構成される。
パッケージ3は、底部と、側壁から構成される。パッケージ3は、例えば銅、銅合金、アルミニウム、高熱伝導率を有するセラミック(例えば、窒化アルミ:AlN、酸化ベリリウム:BeO)等で構成される。
パッケージ3の内部において、徐々に高さが高くなるように、階段状に台座17が形成される。それぞれの段上が、光学ユニット23の設置面となる。なお、パッケージ3と台座17とは別部材であってもよく、パッケージ3の底部を階段状に形成して両者を一体化してもよい。また、光学ユニット23を直接パッケージ3に固定してもよい。この場合は、パッケージ3底部が光学ユニット23の設置面となる。すなわち、光学ユニット23は、直接または間接的にパッケージ3に固定される。以下、光学ユニット23が台座17上に配置される例について説明する。
それぞれの台座17には、光学ユニット23(チップオンサブマウント:COS)が固定される。光学ユニット23は、基台19(サブマウント)と、半導体レーザ5、レンズ7等からなる。半導体レーザ5は基台19上に固定される。また、半導体レーザ5の前方(出射方向)の基台19の端面には、レンズ7が固定される。なお、光学ユニット23と台座17との固定方法については後述する。
光学ユニット23のレンズ7のさらに前方には、レンズ9が配置される。レンズ7、9は、半導体レーザ5から出射した光を、縦方向および横方向それぞれにコリメートするものである。レンズ7は、半導体レーザ5に対する位置を調整後、基台19の端面に固定してもよい。
コリメートレンズ付き光学ユニットの場合、光学ユニットを台座17に固定する際の、結合効率に対する位置ずれ許容度が高くなるので好ましい。また、光学ユニット23を脱着時に、光学ユニット23とレンズ7との結合ずれが起きないため好ましい。
レンズ9の前方には、反射ミラー11が固定される。反射ミラー11は、前述したレンズ7、9によってコリメートされた光を略垂直に反射する。なお、レンズ7、9、反射ミラー11は、それぞれの半導体レーザ5毎に配置され、台座17上に配置される。
反射ミラー11によって反射されたレーザ光は、さらにレンズ13で集光される。レンズ13は、パッケージ3の底部に固定される。また、レンズ13の前方には、パッケージ3を貫通するように、光ファイバ15が設けられる。レンズ13で集光されたレーザ光は光ファイバ15に結合される。
すなわち、複数の光学ユニット23が、それぞれの高さの台座17に併設され、それぞれ略同一方向にレーザ光を出射する。半導体レーザ5の出射方向には、同一方向に、順に、レンズ7、9、反射ミラー11が配置される。したがって、レーザ光は、レンズ7、9を介して、反射ミラー11に照射される。さらに、それぞれの反射ミラー11では、略同一方向に向けてレーザ光が反射される。それぞれの反射ミラー11で反射されたレーザ光は、レンズ13で集光されて光ファイバ15に結合される。
ここで、本発明が適用される光ファイバ15は、マルチモード光ファイバであることが望ましい。マルチモード光ファイバの場合には、シングルモード光ファイバと比較してコア径が大きく(たとえば、100μm〜200μm)、調芯が容易であり、許容される芯ずれ量も大きい。また、半導体レーザ5としては、高温駆動時の特性劣化が小さい半導体レーザ5であることが好ましい。このような半導体レーザ5としては、たとえば、量子井戸層と、障壁層または光ガイド層とを有し、該障壁層または該光ガイド層は、該量子井戸層を厚さ方向より挟んで形成され、該量子井戸層よりもバンドギャップエネルギーが100meV以上である。
なお、光学ユニット23の数や配置等は、図示した例に限られない。ただし、本発明は、半導体レーザモジュール1が光学ユニット23を複数個備える場合に特に好適に用いることができる。光学ユニット23を複数個備える場合、1つの光学ユニット23が故障した場合に、従来のように光学ユニット23が半田で固定されていると、故障した光学ユニット23のみを取り替えることができなかったが、本発明によれば故障した光学ユニット23のみを取り替えることが可能である。また、反射ミラー11の反射面が曲面、球面等で形成され、半導体レーザ5から出射されたレーザ光の縦方向または横方向の広がりを、反射ミラー11によってコリメートすることが可能であれば、対応するレンズ7、9は必ずしも必要ではない。
図3(a)は、光学ユニット23の平面図であり、図3(b)は図3(a)のA−A線断面図である。基台19の上面には、回路導体25が設けられる。回路導体25には半導体レーザ5が接続される。なお、回路導体25は、互いに離間して一対形成され、半導体レーザ5の表裏の端子部にそれぞれ電気的に接続される。なお、半導体レーザ5と回路導体25とを接続するためのリード線等は図示を省略する。
基台19は、例えば、従来から使用されている窒化アルミを使用することもできるが、他の材質であってもよい。従来のように光学ユニット23を半田を用いて固定する場合は、例えば基台と台座の材質として、互いの熱膨張係数差の大きな組み合わせを選択すると、使用時の熱膨張によって、半田に過剰な応力が加わり、破損等の恐れがあった。このため、従来は基台等の材質の選択肢がないため、通常は、比較的高価な窒化アルミの表面に金めっきを施して用いられていた。
しかしながら、本実施形態によれば、このように熱膨張係数差を考慮する必要がなく、また、金めっき等も不要である。
このように、基台の材質の選択肢が広がることで、より安価な材質を選択することも可能であり、冷却効率の高い光学ユニットを得ることも可能となる。すなわち、光学ユニットと台座等に対して、熱膨張係数差の大きな材質同士の組合せでも破損等のない光学ユニットが得られる。
以下に、光学ユニット23と台座17との固定方法について説明する。なお、以下の説明では、まず、基台19が絶縁体である場合について説明する。
基台19の例えば四隅近傍には、回路導体25が形成されない切欠き部が設けられ、当該部位には、それぞれ、孔20(図3(b))が設けられる。孔20は基台19を貫通する。孔20には、固定部材21が挿通される。固定部材21は、例えば雄ねじである。固定部材21の頭部は切欠き部に位置するため、固定部材21と回路導体25とは接触しない。すなわち、回路導体25と固定部材21とは絶縁される。
なお、固定部材21を銅、アルミニウムなどの高熱伝導性部材で構成することで、高い放熱性を得ることができる。また、固定部材21が絶縁性部材で構成する場合には、回路導体25の一部を切欠き状に形成しなくてもよい。
台座17には、光学ユニット23の孔20に対応した部位に、孔が形成され内面に雌ねじが形成される。したがって、固定部材21と台座17とを接合することができる。この結果、光学ユニット23が台座17に固定される。なお、光学ユニット23が直接パッケージ3に固定される場合には、パッケージ3に固定部材21と接続可能な雌ねじを設ければよい。また、図示は省略するが、冷却機器上に光学ユニット23を固定する場合には、冷却機器に固定部材21と接続可能な雌ねじを設ければよい(以下、光学ユニット23の固定対象を、単に「台座17等」とする。)。
なお、固定部材21の外周面には、半田や接着剤を塗布しておき、固定部材21の緩み止めとしてもよい。
このように、本実施形態によれば、台座17等に対して、光学ユニット23が固定部材21によって固定される。このため、光学ユニット23は、容易に台座17に対して脱着することが可能である。このため、光学ユニット23が故障した際には、故障した光学ユニット23のみを交換することができる。
また、本実施形態では、光学ユニット23と台座17等とを半田や接着剤で接合する必要がない。このように半田や接着剤を使用しないため、基台19の材質と台座17等の材質との熱膨張係数差が大きくても、半田等に過剰な応力が加わることがなく、半田等の破損による光学ユニット23の脱落や、放熱性の低下などの恐れがない。
また、本発明では、基台19として、熱伝導性に優れる金属やカーボン、ダイヤなどを用いることもできる。すなわち、従来、半田接合が困難であったり、台座17等との熱膨張係数差が大きくて、適用が困難であった材質を適用することができる。このような材質を選択することで、例えば、放熱性に優れた光学ユニット23を得ることができる。この結果、より高出力の半導体レーザ5を適用することも可能である。
なお、基台19の材質として導電材を適用する場合には、回路導体25と、基台19または台座17と電気的に導通されない構造とすればよい。たとえば、回路導体25と基台19とのあいだに絶縁層を形成してもよく、また、基台と19と台座17との間に絶縁層を形成してもよい。回路導体25と基台19とが電気的に導通している場合は、固定部材21を絶縁物にするか、絶縁コートすればよい。
以下、他の実施形態について説明する。なお、以下の説明において、前述した実施形態と同様の機能を奏する構成については、同一の符号を付し、重複する説明を省略する。図4(a)は、光学ユニット23の平面図であり、図4(b)は図4(a)のB−B線断面図である。
第2の実施形態では、基台19の四隅近傍に形成された回路導体25の切欠き部に、金属層27が形成される。金属層27と回路導体25との間には隙間が形成されて互いに導通しない。
固定部材21の座面は金属層27と接触する。このため、固定部材21をねじ込んだ際に、金属層27は、固定部材21の座金として機能する。なお、金属層27は、基台19の材質よりも柔らかいことが望ましい。また、金属層27と回路導体25とは絶縁されているため、固定部材21が回路導体25と導通することはない。また、金属層27と回路導体25とは、同じ材料からなるものとしてもよい。このようにすることで、金属層27と回路導体25とを同時に形成できる。
第2の実施形態によれば、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、金属層27を固定部材21の座金として利用できるため、固定部材21の緩みを防止することができる。
次に、第3の実施形態について説明する。図5は、第3の実施形態を示す光学ユニット23の平面図である。第3の実施形態は、前述した実施形態とは、固定部材21の固定位置が異なる。
図5に示す例では、固定部材21は半導体レーザ5の両側方に配置される。なお、半導体レーザ5の両側方とは、半導体レーザ5に対して近い部位を指し、例えば、半導体レーザ5の側部と基台19の側部との間隔の中心よりも、半導体レーザ5に近い位置である。すなわち、固定部材21は、基台19の四隅近傍ではなく、半導体レーザ5の近傍に配置される。
この場合には、固定部材21の固定位置に、回路導体25の切欠き部が形成される。すなわち、固定部材21と回路導体25とは絶縁される。なお、切欠き部に金属層27を形成してもよい。
第3の実施形態によれば、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、固定部材21を半導体レーザ5の近傍に配置することで、基台19が熱膨張した際に、半導体レーザ5へ加わる影響を抑制することができる。
次に、第4の実施形態について説明する。図6は、第4の実施形態を示す光学ユニット23の断面図である。第4の実施形態は、前述した実施形態に対し、熱伝導性シート29が配置される点で異なる。
図6に示す例では、基台19と台座17との間に、基台19の略全面にわたって熱伝導性シート29が挟み込まれる。固定部材21は、基台19および熱伝導性シート29を貫通して、下部の台座17等に接合される。なお、熱伝導性シート29は、例えば、カーボンシートである。また、基台19の材質として導電材を適用する場合には、熱伝導性シート29は、絶縁性であればよい。
第4の実施形態によれば、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、熱伝導性シート29を配置することで、基台19から台座17等への放熱性をさらに高めることができる。
次に、第5の実施形態について説明する。図7は、第5の実施形態を示す台座付光学ユニット23aの正面図である。第5の実施形態は、固定部材21で基台19を台座17等に固定するのではなく、固定部材21によって台座17aをパッケージ3に固定する点で異なる。
前述した各実施形態では、基台19に孔20を設け、孔20に固定部材21を挿通して、台座17等に固定した。しかし、光学ユニット23のサイズが小さい場合や、孔20のスペースがない場合には、光学ユニットの下部にサブの台座17aを設けた台座付光学ユニット23aに適用することができる。すなわち、本実施形態における台座付光学ユニット23aは、光学ユニットが台座17aと半田31で固定され、台座17aには、基台19と干渉しない位置に孔20aが設けられる。
孔20aには、固定部材21が挿通され、固定対象であるパッケージ3と接合される。すなわち台座付光学ユニット23aが、固定部材21によってパッケージ3に固定される。したがって、台座付光学ユニット23aとパッケージ3との固定には、半田や接着剤が不要である。
なお、台座付光学ユニット23aは、パッケージ3ではなく、図示しない冷却機器に固定することもできる。
第5の実施形態によれば、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、固定部材21を取り外すことで、台座付光学ユニット23aを容易に脱着することができる。なお、本実施形態では、基台19および台座17aを高熱伝導材(例えば金属)で構成することができる。このため、高い放熱性を得ることができる。
なお、上述した光学ユニット23および台座付光学ユニット23aは、図1に示すような半導体レーザモジュール1のように、複数が併設される場合には限られない。図8に示す半導体レーザモジュール1aのように、光学ユニットを一つ配置する場合にも適用可能である。
半導体レーザモジュール1aのパッケージ3上には、冷却器33が載置される。冷却器33上には、台座17が固定される。さらに、台座17上には、半導体レーザ5が搭載された基台19が固定される。
光ファイバ15は、パッケージ3の筒状孔部を介してパッケージ3内に挿入される。半導体レーザ5の前方(出射方向)の基台19上には、光ファイバ15の固定部が設けられ、光ファイバ15が固定される。光ファイバ15は、例えばレンズドファイバである。なお、半導体レーザ5と光ファイバ15との間にさらにレンズ等の光学部品を配置してもよい。
受光部35は、半導体レーザ5の光出力を受光して、半導体レーザ5の光出力をモニタする。受光部35は、半導体レーザ5の高反射膜側に設けられる。受光部35は、例えばフォトダイオードである。
本実施形態において、基台19は固定部材21によって台座17に固定される。すなわち、基台19と台座17等の接合には、半田等は不要である。なお、台座17と冷却器33とを固定部材21で固定してもよい。
このように、本発明は、光学ユニット23または台座付光学ユニット23aを半田ではなく、固定部材21によって固定するため、脱着が可能であり、また、材質選択の自由度が高い。このため、放熱性に優れ、故障時には光学ユニット等のみを交換することもできる。
以上、添付図を参照しながら、典型的なサイズを基に、本発明の実施の形態を説明したが、本発明の技術的範囲は、前述した実施の形態に左右されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
例えば、前述した各種の実施形態は、互いに組み合わせることもできる。また、各実施形態における、各構成の配置や形態は、図示した例には限られない。
1、1a………半導体レーザモジュール
3………パッケージ
5………半導体レーザ
7………レンズ
9………レンズ
11………反射ミラー
13………レンズ
15………光ファイバ
17、17a………台座
19………基台
20、20a………孔
21………固定部材
23………光学ユニット
23a………台座付光学ユニット
25………回路導体
27………金属層
29………熱伝導性シート
31………半田
33………冷却部
35………受光部

Claims (9)

  1. 基台と、
    前記基台上に配置される半導体レーザと、
    を具備し、
    前記基台には、固定部材を挿通可能な孔が形成されることを特徴とする光学ユニット。
  2. 前記半導体レーザから出射する光をコリメートするレンズが接合されていることを特徴とする請求項1記載の光学ユニット。
  3. 前記基台の表面であって、前記孔の周囲には金属層が露出し、前記金属層は、前記基台上の回路パターンと絶縁されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の光学ユニット。
  4. 前記孔は、前記半導体レーザの両側方に配置されることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の光学ユニット。
  5. 基台と、前記基台上に配置される半導体レーザと、を具備する光学ユニット、または、前記光学ユニットに台座が接合された台座付光学ユニットを用い、
    前記基台または前記台座には、固定部材を挿通可能な孔が形成され、
    前記光学ユニットが、台座、パッケージまたは冷却器に対して、前記固定部材で固定されるか、または、前記台座付光学ユニットが、パッケージまたは冷却器に対して、前記固定部材で固定されることを特徴とする光学ユニットの固定構造。
  6. 請求項1から請求項4のいずれかに記載の光学ユニットと、
    前記半導体レーザから出射されるレーザ光が結合される光ファイバと、
    前記光学ユニットを収容するパッケージと、
    を具備し、
    前記光学ユニットが、直接または間接的に前記パッケージに対して、前記固定部材で固定されることを特徴とする半導体レーザモジュール。
  7. 複数の前記光学ユニットが前記パッケージに収容され、
    それぞれの前記半導体レーザから出射されるレーザ光を、それぞれ反射する複数の反射ミラーと、
    複数の前記反射ミラーで反射されたレーザ光を集光する集光レンズと、
    をさらに具備し、
    複数のそれぞれの前記光学ユニットを、個々に脱着可能であることを特徴とする請求項6記載の半導体レーザモジュール。
  8. 前記基台の下面には、熱伝導性シートが配置され、前記光学ユニットが前記熱伝導性シートを介して接続対象と接触することを特徴とする請求項6または請求項7記載の半導体レーザモジュール。
  9. 前記光ファイバは、マルチモード光ファイバであることを特徴とする請求項6から請求項8のいずれかに記載の半導体レーザモジュール。
JP2014263063A 2014-12-25 2014-12-25 光学ユニット、光学ユニットの固定構造および半導体レーザモジュール Active JP6655287B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014263063A JP6655287B2 (ja) 2014-12-25 2014-12-25 光学ユニット、光学ユニットの固定構造および半導体レーザモジュール
CN201580063624.0A CN107005022B (zh) 2014-12-25 2015-12-21 光学单元、光学单元的固定结构及半导体激光器模块
PCT/JP2015/085716 WO2016104449A1 (ja) 2014-12-25 2015-12-21 光学ユニット、光学ユニットの固定構造および半導体レーザモジュール
US15/622,897 US10944236B2 (en) 2014-12-25 2017-06-14 Optical unit, fixing mechanism for optical unit, and semiconductor laser module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014263063A JP6655287B2 (ja) 2014-12-25 2014-12-25 光学ユニット、光学ユニットの固定構造および半導体レーザモジュール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016122785A true JP2016122785A (ja) 2016-07-07
JP6655287B2 JP6655287B2 (ja) 2020-02-26

Family

ID=56150467

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014263063A Active JP6655287B2 (ja) 2014-12-25 2014-12-25 光学ユニット、光学ユニットの固定構造および半導体レーザモジュール

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10944236B2 (ja)
JP (1) JP6655287B2 (ja)
CN (1) CN107005022B (ja)
WO (1) WO2016104449A1 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11025031B2 (en) 2016-11-29 2021-06-01 Leonardo Electronics Us Inc. Dual junction fiber-coupled laser diode and related methods
US10840671B2 (en) * 2017-03-27 2020-11-17 Ushio Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device
US11121526B2 (en) * 2018-05-24 2021-09-14 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Exchangeable laser resonator modules with angular adjustment
WO2020036998A1 (en) 2018-08-13 2020-02-20 Lasertel, Inc. Use of metal-core printed circuit board (pcb) for generation of ultra-narrow, high-current pulse driver
DE102019121924A1 (de) * 2018-08-14 2020-02-20 Lasertel, Inc. Laserbaugruppe und zugehörige verfahren
US11296481B2 (en) 2019-01-09 2022-04-05 Leonardo Electronics Us Inc. Divergence reshaping array
US11752571B1 (en) 2019-06-07 2023-09-12 Leonardo Electronics Us Inc. Coherent beam coupler

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003060282A (ja) * 2001-08-20 2003-02-28 Toshiba Corp サブマウント材
JP2007201285A (ja) * 2006-01-27 2007-08-09 Sony Corp 光源装置
JP2008053380A (ja) * 2006-08-23 2008-03-06 Hamamatsu Photonics Kk レーザ装置
JP2008090209A (ja) * 2006-10-05 2008-04-17 Fuji Xerox Co Ltd 露光装置の焦点位置調整方法
JP2009004701A (ja) * 2007-06-25 2009-01-08 Aisin Aw Co Ltd プリント配線基板
JP2013012708A (ja) * 2011-06-02 2013-01-17 Furukawa Electric Co Ltd:The レーザ装置および調整方法
WO2014192944A1 (ja) * 2013-05-30 2014-12-04 古河電気工業株式会社 半導体レーザモジュール

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09293917A (ja) * 1996-04-26 1997-11-11 Mitsui Petrochem Ind Ltd 半導体レーザ励起固体レーザ装置
US20070011607A1 (en) * 2003-02-07 2007-01-11 Sher & Cher Alike, Llc Business method, system and process for creating a customized book
US20080063017A1 (en) * 2004-06-01 2008-03-13 Trumpf Photonics Inc. Laser Diode Array Mounting
US7586963B2 (en) * 2005-11-22 2009-09-08 Nlight Photonics Corporation Modular diode laser assembly
US20070115617A1 (en) * 2005-11-22 2007-05-24 Nlight Photonics Corporation Modular assembly utilizing laser diode subassemblies with winged mounting blocks
US20070116071A1 (en) * 2005-11-22 2007-05-24 Nlight Photonics Corporation Modular diode laser assembly
JP5473535B2 (ja) * 2009-10-28 2014-04-16 三菱電機株式会社 光源装置
CN201868729U (zh) * 2010-07-19 2011-06-15 西安炬光科技有限公司 带实时检测功能的单发射腔半导体激光器
US8356845B2 (en) * 2010-09-14 2013-01-22 John Harbert Bernard Scoop device with articulated-arm sifting action
US8432945B2 (en) * 2010-09-30 2013-04-30 Victor Faybishenko Laser diode combiner modules
US8483249B1 (en) * 2012-04-16 2013-07-09 Coherent, Inc. Diode-laser bar package
DE102012108734A1 (de) * 2012-09-18 2014-04-10 Dr. Ing. H.C. F. Porsche Aktiengesellschaft Bolzen, Verfahren und Bolzenanordnung zum Befestigen einer Komponente an einem Trägermaterial
CN102916341A (zh) * 2012-10-31 2013-02-06 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种单管半导体激光器合束方法
WO2014192988A1 (ko) 2013-05-27 2014-12-04 Yang Dae-Ryook 압력지연식 막증류를 이용한 발전 겸용 정수화 장치

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003060282A (ja) * 2001-08-20 2003-02-28 Toshiba Corp サブマウント材
JP2007201285A (ja) * 2006-01-27 2007-08-09 Sony Corp 光源装置
JP2008053380A (ja) * 2006-08-23 2008-03-06 Hamamatsu Photonics Kk レーザ装置
JP2008090209A (ja) * 2006-10-05 2008-04-17 Fuji Xerox Co Ltd 露光装置の焦点位置調整方法
JP2009004701A (ja) * 2007-06-25 2009-01-08 Aisin Aw Co Ltd プリント配線基板
JP2013012708A (ja) * 2011-06-02 2013-01-17 Furukawa Electric Co Ltd:The レーザ装置および調整方法
WO2014192944A1 (ja) * 2013-05-30 2014-12-04 古河電気工業株式会社 半導体レーザモジュール

Also Published As

Publication number Publication date
US20170288367A1 (en) 2017-10-05
US10944236B2 (en) 2021-03-09
JP6655287B2 (ja) 2020-02-26
WO2016104449A1 (ja) 2016-06-30
CN107005022A (zh) 2017-08-01
CN107005022B (zh) 2021-04-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6655287B2 (ja) 光学ユニット、光学ユニットの固定構造および半導体レーザモジュール
US8432945B2 (en) Laser diode combiner modules
JP6272067B2 (ja) レーザ光源モジュールおよびレーザ光源装置
JP2008501236A (ja) 対称レーザビームを成形するためのレーザダイオードアレイ架台及びステップミラー
JP6361293B2 (ja) 半導体レーザ装置
JP2007027716A (ja) レーザダイオード素子のためのパッケージ、レーザダイオード素子ならびにレーザダイオード素子を製作する方法
US20070217469A1 (en) Laser diode stack side-pumped solid state laser
JP2016099573A (ja) 光モジュールの製造方法
US11515689B2 (en) Semiconductor laser module and method of manufacturing semiconductor laser module
US20220376467A1 (en) Double-Sided Cooling of Laser Diodes
EP3605754A1 (en) Optical module
WO2018142499A1 (ja) 波長可変光源
US10680405B2 (en) Semiconductor light-emitting device
JP4368563B2 (ja) レーザー装置
CN109586162B (zh) 多单管大功率半导体激光器光纤耦合封装结构及激光器
JP2018170431A (ja) 半導体レーザ装置及びその製造方法
JP2019075460A (ja) 半導体発光素子および半導体発光装置
WO2023229017A1 (ja) レーザ装置及び光学部品搭載用パッケージ
CN218770544U (zh) 激光器
US20240128711A1 (en) Semiconductor laser module and laser machining apparatus
WO2023030542A1 (zh) 激光器
US20240088620A1 (en) Semiconductor laser module and laser machining apparatus
WO2021256421A1 (ja) 半導体発光装置およびそれを備える光源装置
JP2005026333A (ja) 半導体レーザ装置
CN108352679A (zh) 激光源模块

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20171013

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20181023

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20181218

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190604

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190802

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200114

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200203

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6655287

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350