JP2016109663A - 電流検出装置 - Google Patents

Abstract

【課題】バスバーの強度の低下を抑制しつつ、検出感度を調整可能とする電流検出装置を提供すること。【解決手段】バスバー１０と、バスバー１０を流れる電流によってバスバー１０の周囲に発生する磁界を検出する磁気センサ素子２０と、を備えた電流検出装置である。バスバー１０には、バスバー１０の長手方向に対して斜めに延びたスリット１１が１本もしくは複数本設けられており、磁気センサ素子２０が、バスバー１０上においてスリット１１の近傍に配置されている。【選択図】図１

Description

本発明は電流検出装置に関し、特に、バスバー上に磁気センサ素子を備えた電流検出装置に関する。

バスバーを流れる電流を検出する電流検出装置として、バスバーを流れる電流によってバスバーの周囲に発生する磁界を磁気センサ素子により検出するものが知られている。このような電流検出装置では、従来は、バスバーの周囲を取り囲むように設けられたリング状の磁性体コアを用いたものが一般的であった。他方、磁気センサ素子の性能向上や小型化の要請により、磁性体コアを用いないコアレスタイプの電流検出装置も登場している。

特許文献１には、バスバーである被測定電流導体に切欠き部を設け、当該切欠き部に磁気センサ素子を配置したコアレスタイプの電流検出装置が開示されている。切欠き部では、電流経路の幅が狭くなっているため、断面積が小さくなり、電流密度が高くなる。その結果、被測定電流導体の周囲に発生する磁界の磁束密度も高くなり、電流検出装置の検出感度が上がる。

特開２０１３−４４７０５号公報

上述の通り、特許文献１に開示された電流検出装置では、バスバーに切欠き部を設けることにより、バスバーの電流密度よりも検出する切欠き部での電流密度を大きくし、検出感度を上げている。しかしながら、切欠き部ではバスバーの断面積が小さくなっているため、その分バスバーの強度が低下するという問題があった。なお、特許文献１のように切欠き部を設けた場合、検出感度を上げることしかできないが、例えばバスバーの電流密度が大き過ぎる場合などには、逆に検出感度を下げたい場合もあり得る。

本発明は、上記を鑑みなされたものであって、バスバーの強度の低下を抑制しつつ、検出感度を調整可能とする電流検出装置を提供することを目的とする。

本発明の一態様に係る電流検出装置は、
バスバーと、
前記バスバーを流れる電流によって前記バスバーの周囲に発生する磁界を検出する磁気センサ素子と、を備えた電流検出装置であって、
前記バスバーには、前記バスバーの長手方向に対して斜めに延びたスリットが１本もしくは複数本設けられており、
前記磁気センサ素子が、前記バスバー上において前記スリットの近傍に配置されたものである。

本発明の一態様に係る電流検出装置では、バスバーの長手方向に対して斜めに延びたスリットが１本もしくは複数本設けられており、磁気センサ素子が、バスバー上においてスリットの近傍に配置されている。スリットの幅は十分に小さく、スリットが形成された部位でも、バスバーの断面積はほとんど減少しないため、強度低下を抑制することができる。また、スリットの近傍にバスバーよりも電流密度つまりは磁束密度が高い領域もしくは低い領域が形成されるため、磁気センサ素子によって検出する磁束密度を調整することができる。すなわち、バスバーの強度の低下を抑制しつつ、検出感度を調整することができる。

前記磁気センサ素子が、前記スリットによって分岐された電流経路の１つにおいて、最も幅が狭くなっている位置の近傍に配置されていることが好ましい。このような構成により、検出密度を上げることができる。他方、前記磁気センサ素子が、前記スリットによって分岐された電流経路の１つにおいて、最も幅が広くなっている位置の近傍に配置されていることも好ましい。このような構成により、検出感度を下げることができる。

また、前記スリットが、１本であって、かつ、平面視で点対称な形状を有しており、前記スリットによって分岐された２つの電流経路が、前記スリットの対称中心に関して互いに点対称な位置関係にあることが好ましい。このような構成により、２つの電流経路におけるインダクタンス値が等しくなり、分流比率が電流の周波数に依存しなくなる。従って、電流の周波数が変化しても、電流値を正確に測定することができる。

さらに、前記スリットが、平面視でＳ字形状を有していることが好ましい。このような構成により、磁気センサ素子を固定する位置のばらつきに対するロバスト性が向上する。

本発明により、バスバーの強度の低下を抑制しつつ、検出感度を調整可能とする電流検出装置を提供することができる。

第１の実施形態に係る電流検出装置の模式的斜視図である。 第１の実施形態に係る電流検出装置の模式的平面図である。 第１の実施形態に係る電流検出装置のシミュレーション結果を示すグラフである。 第１の実施形態に係る電流検出装置のシミュレーション結果を示すグラフである。 比較例に係る電流検出装置のシミュレーション結果を示すグラフである。 第１の実施形態に係る電流検出装置の変形例の模式的平面図である。 第２の実施形態に係る電流検出装置の模式的平面図である。 第２の実施形態に係る電流検出装置のシミュレーション結果を示すグラフである。 第２の実施形態に係る電流検出装置の第１の変形例の模式的平面図である。 第２の実施形態に係る電流検出装置の第１の変形例のシミュレーション結果を示すグラフである。 第２の実施形態に係る電流検出装置の第２の変形例の模式的平面図である。 第２の実施形態に係る電流検出装置の第２の変形例のシミュレーション結果を示すグラフである。 第２の実施形態に係る電流検出装置の第３の変形例の模式的平面図である。 第２の実施形態に係る電流検出装置の第３の変形例のシミュレーション結果を示すグラフである。 第２の実施形態に係る電流検出装置の第４の変形例の模式的平面図である。 第２の実施形態に係る電流検出装置の第４の変形例のシミュレーション結果を示すグラフである。

以下、本発明を適用した具体的な実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。ただし、本発明が以下の実施形態に限定される訳ではない。また、説明を明確にするため、以下の記載及び図面は、適宜、簡略化されている。

（第１の実施形態）
まず、図１、図２を参照して、第１の実施形態に係る電流検出装置について説明する。図１は、第１の実施形態に係る電流検出装置の模式的斜視図である。図２は、第１の実施形態に係る電流検出装置の模式的平面図である。

図１、図２に示すように、第１の実施形態に係る電流検出装置は、バスバー１０、磁気センサ素子２０を備えている。また、バスバー１０にはスリット１１が設けられている。図２では、磁気センサ素子２０は省略されている。
なお、当然のことながら、図１、図２に示した右手系ｘｙｚ座標は、構成要素の位置関係を説明するための便宜的なものである。ｘ軸はバスバー１０の幅方向、ｙ軸はバスバー１０の長手方向、ｚ軸はバスバー１０の主面の法線方向に一致している。

バスバー１０は、少なくとも長手方向の所定の区間において、一定の幅Ｗ、厚さｔを有する板状の導電部材である。代表的には、幅Ｗは１０ｍｍ程度、厚さｔは１ｍｍ程度である。バスバー１０は、例えば銅、アルミニウム、それらを主成分とする合金など、高い導電率を有する金属材料から構成されている。

磁気センサ素子２０は、バスバー１０を流れる電流によってバスバー１０の周囲に発生する磁界を検出する。電流検出装置は、磁気センサ素子２０が検出した磁界に基づいて、バスバー１０を流れる電流を検出することができる。ここで、電流経路を流れる電流の電流密度が高くなると、その周囲に発生する磁界の磁束密度も高くなる。図１に示すように、磁気センサ素子２０は、バスバー１０上においてスリット１１ａ、１１ｂの近傍に配置されている。磁気センサ素子２０は、バスバー１０に樹脂製の接着剤やはんだにより固定されているが、バスバー１０とは電気的に絶縁されている。

なお、図１における磁気センサ素子２０の配置位置はあくまでも代表例である。磁気センサ素子２０の配置位置を変更することにより、検出感度を調整することができる。磁気センサ素子２０の配置位置の詳細については、図２を参照して説明する。

図１、図２に示すように、スリット１１ａ、１１ｂはいずれも、バスバー１０の長手方向に対して斜めに延設された貫通孔である。図２に示すように、スリット１１ａは、バスバー１０のｘ軸マイナス側の側面近傍からｙ軸プラス方向に進むにつれて中心線に近付くように設けられている。図１、図２では、バスバー１０の中心線が一点鎖線で示されている。図２に示すように、スリット１１ｂは、バスバー１０のｘ軸プラス側の側面近傍からｙ軸プラス方向に進むにつれて中心線に近付くように設けられている。スリット１１ａ、１１ｂは、図２に示すように、バスバー１０の中心線に関して互いに線対称な位置関係にあることが好ましい。

ここで、スリット１１ａ、１１ｂの幅は、例えば０．５ｍｍ程度であって、十分に小さい。そのため、スリット１１ａ、１１ｂが形成された部位でも、バスバー１０の断面積はほとんど減少しない。従って、切欠き部を形成する場合に比べ、効果的に強度低下を抑制することができる。スリット１１ａ、１１ｂの幅は、バスバー１０の電流経路を分岐させることができれば、小さい程好ましい。

図２に示すように、２本のスリット１１ａ、１１ｂにより、バスバー１０は３つの電流経路１０ａ、１０ｂ、１０ｃに分岐される。電流経路１０ａは、バスバー１０のｘ軸マイナス側の側面とスリット１１ａとに挟まれた電流経路である。電流経路１０ｂは、スリット１１ａとスリット１１ｂとに挟まれた電流経路である。電流経路１０ｃは、バスバー１０のｘ軸プラス側の側面とスリット１１ｂとに挟まれた電流経路である。

電流経路１０ａの幅Ｗａは、ｙ軸プラス方向に進むにつれて徐々に大きくなる。すなわち、電流経路１０ａの幅Ｗａは、スリット１１ａのｙ軸マイナス側端部で最も小さくなっており、スリット１１ａのｙ軸プラス側端部で最も大きくなっている。図２に示すように、バスバー１０に電流を流すと、電流経路１０ａにおいて幅Ｗａが最も小さくなる位置のスリット１１ａの近傍に局所的に電流密度が大きくなる極大領域Ｈ１が形成される。他方、電流経路１０ａにおいて幅Ｗａが最も大きくなる位置のスリット１１ａの近傍に局所的に電流密度が小さくなる極小領域Ｌ１が形成される。

電流経路１０ｂの幅Ｗｂは、ｙ軸プラス方向に進むにつれて徐々に小さくなる。すなわち、電流経路１０ｂの幅Ｗｂは、スリット１１ａ、１１ｂのｙ軸マイナス側端部で最も大きくなっており、スリット１１ａ、１１ｂのｙ軸プラス側端部で最も小さくなっている。図２に示すように、バスバー１０に電流を流すと、電流経路１０ｂにおいて幅Ｗｂが最も大きくさくなる位置のスリット１１ａ、１１ｂの近傍に局所的に電流密度が小さくなる極小領域Ｌ２、Ｌ３がそれぞれ形成される。他方、電流経路１０ｂにおいて幅Ｗｂが最も小さくなる位置のスリット１１ａ、１１ｂの近傍すなわちスリット１１ａ、１１ｂの間に局所的に電流密度が大きくなる極大領域Ｈ２が形成される。このように、スリットの近傍には、バスバーよりも電流密度（つまりは磁束密度）が高い領域もしくは低い領域が形成される。

電流経路１０ｃの幅Ｗｃは、ｙ軸プラス方向に進むにつれて徐々に大きくなる。すなわち、電流経路１０ｃの幅Ｗｃは、スリット１１ｂのｙ軸マイナス側端部で最も小さくなっており、スリット１１ｂのｙ軸プラス側端部で最も大きくなっている。図２に示すように、バスバー１０に電流を流すと、電流経路１０ｃにおいて幅Ｗｃが最も小さくなる位置のスリット１１ｂの近傍に、局所的に電流密度が大きくなる極大領域Ｈ３が形成される。他方、電流経路１０ｃにおいて幅Ｗｃが最も大きくなる位置のスリット１１ｂの近傍に、局所的に電流密度がバスバー１０よりも小さくなる極小領域Ｌ４が形成される。

上述の通り、第１の実施形態に係る電流検出装置では、バスバー１０の長手方向に対して斜めに延びたスリット１１が設けられている。スリット１１により電流経路を複数に分岐され、かつ、分岐された電流経路の幅がバスバー１０の長手方向で徐々に変化する。その結果、電流経路の幅が最も小さくなる位置かつスリット１１の近傍に、バスバー１０よりも電流密度が大きい極大領域Ｈ１〜Ｈ３が形成される。一方、電流経路の幅が最も大きくなる位置かつスリット１１の近傍に、バスバー１０よりも電流密度が小さい極小領域Ｌ１〜Ｌ４が形成される。

すなわち、バスバー１０の長手方向に対して斜めに延びたスリット１１の近傍に磁気センサ素子２０を配置することにより、検出感度を調整することができる。具体的には、極大領域Ｈ１〜Ｈ３に磁気センサ素子２０を配置することにより、バスバー１０の電流密度よりも大きい電流密度（つまりは磁束密度）を検出することができる。すなわち、電流検出装置の検出感度を上げることができる。他方、極小領域Ｌ１〜Ｌ４に磁気センサ素子２０を配置することにより、バスバー１０の電流密度よりも小さい電流密度（つまりは磁束密度）を検出することができる。すなわち、電流検出装置の検出感度を下げることができる。
なお、電流は、ｙ軸プラス向きもしくはｙ軸マイナス向きに流れるが、いずれの場合であっても、極大領域Ｈ１〜Ｈ３、極小領域Ｌ１〜Ｌ４が同様に形成される。また、バスバー１０の電流密度とは、スリット１１が形成されていない領域での電流密度である。

また、上述の通り、スリット１１が形成された部位でも、バスバー１０の断面積はほとんど減少しないため、強度低下を抑制することができる。
このように、第１の実施形態に係る電流検出装置では、バスバー１０の強度の低下を抑制しつつ、検出感度を調整することができる。
ここで、従来の電流検出装置において検出感度を下げるには、磁気センサ素子２０をバスバー１０から遠ざけて設置したり、バスバー１０の断面積を大きくしたりする必要があった。そのため、電流検出装置が大型化してしまっていた。第１の実施形態に係る電流検出装置では、このような大型化を招くことなく、かつ、容易に検出感度を下げることができる。

次に、図３〜図５を参照して、図１、図２に示した第１の実施形態に係る電流検出装置のシミュレーション結果について説明する。図３、図４は、第１の実施形態に係る電流検出装置のシミュレーション結果を示すグラフである。図５は、比較例に係る電流検出装置のシミュレーション結果を示すグラフである。
シミュレーションには、電磁界解析ソフトウェアＪＭＡＧを用いた。４００Ａの直流電流をｙ軸マイナス方向に流した。ここで、バスバー１０の断面形状は、幅Ｗを１０ｍｍ、厚さｔを１ｍｍとした。また、図２における電流経路１０ａの幅Ｗａ、電流経路１０ｂの幅Ｗｂ、電流経路１０ｃの幅Ｗｃの最小値をいずれも１ｍｍとした。さらに、図２におけるスリット１１ａ、１１ｂのｘ軸方向の幅をいずれも０．５ｍｍ、ｙ軸方向の長さをいずれも７ｍｍとした。

まず、比較例である図５について説明する。図５のグラフは、左側に示したスリットが形成されていないバスバー１におけるｘ軸上での磁束密度の変化を示している。横軸は距離（ｍｍ）、縦軸は磁束密度（Ｔ）を示している。図５に示すように、横軸の距離５ｍｍから１５ｍｍの区間にバスバー１が位置している。図５のグラフに示すように、磁束密度は、全幅に亘り０．０２２Ｔ程度で略一定している。

次に、図３のグラフは、左側に示したバスバー１０におけるｘ１軸上での磁束密度の変化を示している。ｘ１軸は、スリット１１ａ、１１ｂのｙ軸マイナス側の端部に位置している。シミュレーションの結果、このｘ１軸上には、図２を参照して説明したように、スリット１１ａの近傍に極大領域Ｈ１、極小領域Ｌ２が形成され、スリット１１ｂの近傍に極大領域Ｈ３、極小領域Ｌ３が形成された。

図３では、図５と同様に、横軸は距離（ｍｍ）、縦軸は磁束密度（Ｔ）を示している。比較例に係るバスバー１の磁束密度０．０２２Ｔを基準値として一点鎖線で示している。図３のグラフに示すように、極大領域Ｈ１、Ｈ３では、スリットのない領域での磁束密度０．０２２Ｔより高い磁束密度０．０２６Ｔ程度となった。一方、極小領域Ｌ２、Ｌ３では、スリットのない領域での磁束密度０．０２２Ｔより低い磁束密度０．０１６Ｔ程度となった。

次に、図４のグラフは、左側に示したバスバー１０におけるｘ２軸上での磁束密度の変化を示している。ｘ２軸は、スリット１１ａ、１１ｂのｙ軸プラス側の端部に位置している。シミュレーションの結果、このｘ２軸上には、図２を参照して説明したように、スリット１１ａの近傍に極小領域Ｌ１が形成され、スリット１１ｂの近傍に極小領域Ｌ４が形成され、スリット１１ａ、１１ｂの間に極大領域Ｈ２が形成された。

図４では、図５と同様に、横軸は距離（ｍｍ）、縦軸は磁束密度（Ｔ）を示している。比較例に係るバスバー１の磁束密度０．０２２Ｔを基準値として一点鎖線で示している。図４のグラフに示すように、極大領域Ｈ２では、スリットのない領域での磁束密度０．０２２Ｔより高い磁束密度０．０３８Ｔ程度となった。一方、極小領域Ｌ１、Ｌ４では、スリットのない領域での磁束密度０．０２２Ｔより低い磁束密度０．０１６Ｔ程度となった。

（第１の実施形態の変形例）
次に、図６を参照して、第１の実施形態に係る電流検出装置の変形例について説明する。図６は、第１の実施形態に係る電流検出装置の変形例の模式的平面図である。図６に示すように、スリット１１は、バスバー１０の長手方向に対して斜めに延びていれば、１本でもよい。また、スリット１１は、分岐される電流経路の幅が徐々に変化するのであれば、直線状でなく湾曲していてもよい。図６では、スリット１１は、ｙ軸方向を長軸方向とし、ｘ軸プラス側に突出した略半楕円状に形成されている。

図６に示すように、１本のスリット１１により、バスバー１０は２つの電流経路１０ａ、１０ｂに分岐される。電流経路１０ａは、バスバー１０のｘ軸マイナス側の側面とスリット１１とに挟まれた電流経路である。電流経路１０ｂは、バスバー１０のｘ軸プラス側の側面とスリット１１とに挟まれた電流経路である。

電流経路１０ａの幅Ｗａは、ｙ軸プラス方向に進むにつれて徐々に大きくなり、スリット１１の長手方向（ｙ軸方向）中央部で最大となり、その後徐々に小さくなっている。すなわち、電流経路１０ａの幅Ｗａは、スリット１１の両端部で最も小さくなっており、スリット１１の中央部で最も大きくなっている。図６に示すように、バスバー１０に電流を流すと、電流経路１０ａにおいて幅Ｗａが最も大きくなる位置のスリット１１の近傍に局所的に電流密度が小さくなる極小領域Ｌ１が形成される。

電流経路１０ｂの幅Ｗｂは、ｙ軸プラス方向に進むにつれて徐々に小さくなり、スリット１１の長手方向（ｙ軸方向）中央部で最小となり、その後徐々に大きくなっている。すなわち、電流経路１０ｂの幅Ｗｂは、スリット１１の両端部で最も大きくなっており、スリット１１の中央部で最も小さくなっている。図６に示すように、バスバー１０に電流を流すと、電流経路１０ｂにおいて幅Ｗｂが最も小さくなる位置のスリット１１の近傍に局所的に電流密度が大きくなる極大領域Ｈ１が形成される。

すなわち、第１の実施形態に係る電流検出装置の変形例でも、バスバー１０の長手方向に対して斜めに延びたスリット１１の近傍に磁気センサ素子２０を配置することにより、検出感度を調整することができる。具体的には、バスバー１０よりも大きい電流密度（つまりは磁束密度）を検出し、検出感度を上げたい場合には、極大領域Ｈ１に磁気センサ素子２０を配置すればよい。他方、バスバー１０よりも小さい電流密度（つまりは磁束密度）を検出し、検出感度を下げたい場合には、極小領域Ｌ１に磁気センサ素子２０を配置すればよい。

また、スリット１１が形成された部位でも、バスバー１０の断面積はほとんど減少しないため、強度低下を抑制することができる。
このように、第１の実施形態に係る電流検出装置の変形例でも、バスバー１０の強度の低下を抑制しつつ、検出感度を調整することができる。
ここで、第１の実施形態に係る電流検出装置の変形例でも、第１の実施形態に係る電流検出装置と同様に、大型化を招くことなく、かつ、容易に検出感度を下げることができる。

（第２の実施形態）
次に、図７を参照して、第２の実施形態に係る電流検出装置について説明する。図７は、第２の実施形態に係る電流検出装置の模式的平面図である。図２に示した第１の実施形態に係る電流検出装置や図６に示した第１の実施形態に係る電流検出装置の変形例では、電流経路１０ａ、１０ｂ、１０ｃの形状が異なっている。そのため、交流の場合、それぞれの電流経路におけるインダクタンス値が異なり、電流の周波数によって分流比率が変わってしまう。従って、電流の周波数が変化する場合、電流値を正確に測定できない。つまり、第１の実施形態に係る電流検出装置は、直流用途には適しているものの、交流用途には適していない。

これに対し、第２の実施形態に係る電流検出装置では、平面視で（バスバー１０の主面の法線方向から見て）点対称な形状を有する１本のスリット１２のみを備えている。図７の例では、スリット１２は、単純な直線形状を有している。スリット１２により、バスバー１０は２つの電流経路１０ａ、１０ｂに分岐される。電流経路１０ａは、バスバー１０のｘ軸マイナス側の側面とスリット１２とに挟まれた電流経路である。電流経路１０ｂは、バスバー１０のｘ軸プラス側の側面とスリット１２とに挟まれた電流経路である。

ここで、スリット１２によって分岐された２つの電流経路１０ａ、１０ｂは、スリット１２の対称中心に関して互いに点対称な位置関係にある。そのため、電流経路１０ａ、１０ｂにおけるインダクタンス値が等しくなり、分流比率が電流の周波数に依存しなくなる。従って、電流の周波数が変化しても、電流値を正確に測定することができる。

電流経路１０ａの幅Ｗａは、ｙ軸プラス方向に進むにつれて徐々に小さくなる。すなわち、電流経路１０ａの幅Ｗａは、スリット１２のｙ軸マイナス側端部で最も大きくなっており、スリット１２のｙ軸プラス側端部で最も小さくなっている。図７に示すように、バスバー１０に電流を流すと、電流経路１０ａにおいて幅Ｗａが最も大きくなる位置のスリット１２の近傍に局所的に電流密度が小さくなる極小領域Ｌ１が形成される。他方、電流経路１０ａにおいて幅Ｗａが最も小さくなる位置のスリット１２の近傍に局所的に電流密度が大きくなる極大領域Ｈ１が形成される。

電流経路１０ｂの幅Ｗｂは、ｙ軸プラス方向に進むにつれて徐々に大きくなる。すなわち、電流経路１０ｂの幅Ｗｂは、スリット１２のｙ軸マイナス側端部で最も小さくなっており、スリット１２のｙ軸プラス側端部で最も大きくなっている。図７に示すように、バスバー１０に電流を流すと、電流経路１０ｂにおいて幅Ｗｂが最も小さくなる位置のスリット１２の近傍に局所的に電流密度が大きくなる極大領域Ｈ２が形成される。他方、電流経路１０ｂにおいて幅Ｗｂが最も大きくなる位置のスリット１２の近傍に局所的に電流密度が小さくなる極小領域Ｌ２が形成される。

すなわち、第２の実施形態に係る電流検出装置でも、バスバー１０の長手方向に対して斜めに延びたスリット１２の近傍に磁気センサ素子２０を配置することにより、検出感度を調整することができる。具体的には、バスバー１０よりも大きい電流密度を検出したい場合には、極大領域Ｈ１、Ｈ２に磁気センサ素子２０を配置すればよい。他方、バスバー１０よりも小さい電流密度を検出したい場合には、極小領域Ｌ１、Ｌ２に磁気センサ素子２０を配置すればよい。

また、スリット１２が形成された部位でも、バスバー１０の断面積はほとんど減少しないため、強度低下を抑制することができる。
このように、第２の実施形態に係る電流検出装置でも、第１の実施形態に係る電流検出装置と同様に、バスバー１０の強度の低下を抑制しつつ、検出感度を調整することができる。
ここで、第２の実施形態に係る電流検出装置でも、第１の実施形態に係る電流検出装置と同様に、大型化を招くことなく、かつ、容易に検出感度を下げることができる。

次に、図８を参照して、図７に示した第２の実施形態に係る電流検出装置のシミュレーション結果について説明する。図８は、第２の実施形態に係る電流検出装置のシミュレーション結果を示すグラフである。シミュレーションにおいて、図７における電流経路１０ａの幅Ｗａ、電流経路１０ｂの幅Ｗｂの最小値をいずれも１ｍｍとした。さらに、図７におけるスリット１２のｘ軸方向の幅を０．５ｍｍ、ｙ軸方向の長さを７ｍｍとした。その他のシミュレーションの条件は第１の実施形態と同じである。

図８のグラフは、左側に示したバスバー１０におけるｘ２軸上での磁束密度の変化を示している。ｘ２軸は、スリット１２のｙ軸プラス側の端部に位置している。シミュレーションの結果、このｘ２軸上には、図７を参照して説明したように、スリット１２の近傍に極大領域Ｈ１、極小領域Ｌ２が形成された。他方、ｘ１軸上には、スリット１２の近傍に極小領域Ｌ１、極大領域Ｈ２が形成された。

図８において、横軸は距離（ｍｍ）、縦軸は磁束密度（Ｔ）を示している。ここでも、図５に示した第１の実施形態の比較例に係るバスバー１の磁束密度０．０２２Ｔを基準値として一点鎖線で示している。図８のグラフに示すように、極大領域Ｈ１では、スリットのない領域での磁束密度０．０２２Ｔより高い磁束密度０．０３８Ｔ程度となった。一方、極小領域Ｌ２では、スリットのない領域での磁束密度０．０２２Ｔより低い磁束密度０．０１２Ｔ程度となった。なお、左側に示したバスバー１０におけるｘ１軸上での磁束密度の変化も同様であって、具体的には図８のグラフを左右反転させたようなグラフとなるため省略する。

（第２の実施形態の第１の変形例）
次に、図９を参照して、第２の実施形態に係る電流検出装置の第１の変形例について説明する。図９は、第２の実施形態に係る電流検出装置の第１の変形例の模式的平面図である。図９に示すように、平面視で点対称な形状を有するスリット１３は、分岐される電流経路の幅が徐々に変化するのであれば、直線状でなく湾曲していてもよい。図９に示したスリット１３は、ｙ軸マイナス側においてｘ軸プラス側に張り出し、ｙ軸プラス側においてｘ軸マイナス側に張り出した曲線形状を有している。

図９に示すように、スリット１３によって分岐された２つの電流経路１０ａ、１０ｂは、スリット１３の対称中心に関して互いに点対称な位置関係にある。そのため、電流経路１０ａ、１０ｂにおけるインダクタンス値が等しくなり、分流比率が電流の周波数に依存しなくなる。従って、電流の周波数が変化しても、電流値を正確に測定することができる。

電流経路１０ａの幅Ｗａは、ｙ軸プラス方向に進むにつれて徐々に小さくなる。すなわち、電流経路１０ａの幅Ｗａは、スリット１３のｙ軸マイナス側端部で最も大きくなっており、スリット１３のｙ軸プラス側端部で最も小さくなっている。図９に示すように、バスバー１０に電流を流すと、電流経路１０ａにおいて幅Ｗａが最も大きくなる位置のスリット１３の近傍に局所的に電流密度が小さくなる極小領域Ｌ１が形成される。他方、電流経路１０ａにおいて幅Ｗａが最も小さくなる位置のスリット１３の近傍に局所的に電流密度が大きくなる極大領域Ｈ１が形成される。

電流経路１０ｂの幅Ｗｂは、ｙ軸プラス方向に進むにつれて徐々に大きくなる。すなわち、電流経路１０ｂの幅Ｗｂは、スリット１３のｙ軸マイナス側端部で最も小さくなっており、スリット１３のｙ軸プラス側端部で最も大きくなっている。図９に示すように、バスバー１０に電流を流すと、電流経路１０ｂにおいて幅Ｗｂが最も小さくなる位置のスリット１３の近傍に局所的に電流密度が大きくなる極大領域Ｈ２が形成される。他方、電流経路１０ｂにおいて幅Ｗｂが最も大きくなる位置のスリット１３の近傍に局所的に電流密度が小さくなる極小領域Ｌ２が形成される。

すなわち、第２の実施形態に係る電流検出装置の第１の変形例でも、バスバー１０の長手方向に対して斜めに延びたスリット１３の近傍に磁気センサ素子２０を配置することにより、検出感度を調整することができる。具体的には、バスバー１０よりも大きい電流密度を検出したい場合には、極大領域Ｈ１、Ｈ２に磁気センサ素子２０を配置すればよい。他方、バスバー１０よりも小さい電流密度を検出したい場合には、極小領域Ｌ１、Ｌ２に磁気センサ素子２０を配置すればよい。

また、スリット１３が形成された部位でも、バスバー１０の断面積はほとんど減少しないため、強度低下を抑制することができる。
このように、第２の実施形態に係る電流検出装置の第１の変形例でも、第１の実施形態に係る電流検出装置と同様に、バスバー１０の強度の低下を抑制しつつ、検出感度を調整することができる。
ここで、第２の実施形態に係る電流検出装置の第１の変形例でも、第１の実施形態に係る電流検出装置と同様に、大型化を招くことなく、かつ、容易に検出感度を下げることができる。

次に、図１０を参照して、第２の実施形態に係る電流検出装置の第１の変形例のシミュレーション結果について説明する。図１０は、第２の実施形態に係る電流検出装置の第１の変形例のシミュレーション結果を示すグラフである。シミュレーションにおいて、図９における電流経路１０ａの幅Ｗａ、電流経路１０ｂの幅Ｗｂの最小値をいずれも１ｍｍとした。さらに、図９におけるスリット１３のｘ軸方向の幅を０．５ｍｍ、ｙ軸方向の長さを７ｍｍとした。その他のシミュレーションの条件は第１の実施形態と同じである。

図１０のグラフは、左側に示したバスバー１０におけるｘ１軸上での磁束密度の変化を示している。ｘ１軸は、スリット１３のｙ軸マイナス側の端部に位置している。シミュレーションの結果、このｘ１軸上には、図９を参照して説明したように、スリット１３の近傍に極小領域Ｌ１、極大領域Ｈ２が形成された。他方、ｘ２軸上には、スリット１３の近傍に極小領域Ｌ２、極大領域Ｈ１が形成された。

図１０において、横軸は距離（ｍｍ）、縦軸は磁束密度（Ｔ）を示している。ここでも、図５に示した第１の実施形態の比較例に係るバスバー１の磁束密度０．０２２Ｔを基準値として一点鎖線で示している。図１０のグラフに示すように、極大領域Ｈ２では、スリットのない領域での磁束密度０．０２２Ｔより高い磁束密度０．０３８Ｔ程度となった。一方、極小領域Ｌ１では、スリットのない領域での磁束密度０．０２２Ｔより低い磁束密度０．０１０Ｔ程度となった。なお、左側に示したバスバー１０におけるｘ２軸上での磁束密度の変化も同様であって、具体的には図１０のグラフを左右反転させたようなグラフとなるため省略する。

（第２の実施形態の第２の変形例）
次に、図１１を参照して、第２の実施形態に係る電流検出装置の第２の変形例について説明する。図１１は、第２の実施形態に係る電流検出装置の第２の変形例の模式的平面図である。図１１に示したスリット１４は、ｙ軸マイナス側においてｘ軸プラス側に張り出した半円と、ｙ軸プラス側においてｘ軸マイナス側に張り出した半円とを結合したＳ字形状を有している。

図１１に示すように、スリット１４によって分岐された２つの電流経路１０ａ、１０ｂは、スリット１４の対称中心に関して互いに点対称な位置関係にある。そのため、電流経路１０ａ、１０ｂにおけるインダクタンス値が等しくなり、分流比率が電流の周波数に依存しなくなる。従って、電流の周波数が変化しても、電流値を正確に測定することができる。

電流経路１０ａの幅Ｗａは、ｙ軸プラス方向に進むにつれて徐々に大きくなり、ｙ軸マイナス側の半円の中央部において最大となる。その後、ｙ軸プラス方向に進むにつれて徐々に小さくなり、ｙ軸プラス側の半円の中央部において最小となった後、徐々に大きくなる。すなわち、電流経路１０ａの幅Ｗａは、スリット１４のｙ軸マイナス側の半円の中央部において最も大きくなっており、スリット１４のｙ軸プラス側の半円の中央部において最も小さくなっている。図１１に示すように、バスバー１０に電流を流すと、電流経路１０ａにおいて幅Ｗａが最も大きくなる位置のスリット１４の近傍に局所的に電流密度が小さくなる極小領域Ｌ１が形成される。他方、電流経路１０ａにおいて幅Ｗａが最も小さくなる位置のスリット１４の近傍に局所的に電流密度が大きくなる極大領域Ｈ１が形成される。

電流経路１０ｂの幅Ｗｂは、ｙ軸プラス方向に進むにつれて徐々に小さくなり、ｙ軸マイナス側の半円の中央部において最小となる。その後、ｙ軸プラス方向に進むにつれて徐々に大きくなり、ｙ軸プラス側の半円の中央部において最大となった後、徐々に小さくなる。すなわち、電流経路１０ｂの幅Ｗｂは、スリット１４のｙ軸マイナス側の半円の中央部において最も小さくなっており、スリット１４のｙ軸プラス側の半円の中央部において最も大きくなっている。図１１に示すように、バスバー１０に電流を流すと、電流経路１０ｂにおいて幅Ｗｂが最も大きくなる位置のスリット１４の近傍に局所的に電流密度が小さくなる極小領域Ｌ２が形成される。他方、電流経路１０ｂにおいて幅Ｗｂが最も小さくなる位置のスリット１４の近傍に局所的に電流密度が大きくなる極大領域Ｈ２が形成される。

すなわち、第２の実施形態に係る電流検出装置の第２の変形例でも、バスバー１０の長手方向に対して斜めに延びたスリット１４の近傍に磁気センサ素子２０を配置することにより、検出感度を調整することができる。具体的には、バスバー１０よりも大きい電流密度を検出したい場合には、極大領域Ｈ１、Ｈ２に磁気センサ素子２０を配置すればよい。他方、バスバー１０よりも小さい電流密度を検出したい場合には、極小領域Ｌ１、Ｌ２に磁気センサ素子２０を配置すればよい。

また、スリット１４が形成された部位でも、バスバー１０の断面積はほとんど減少しないため、強度低下を抑制することができる。
このように、第２の実施形態に係る電流検出装置の第２の変形例でも、第１の実施形態に係る電流検出装置と同様に、バスバー１０の強度の低下を抑制しつつ、検出感度を調整することができる。
ここで、第２の実施形態に係る電流検出装置の第２の変形例でも、第１の実施形態に係る電流検出装置と同様に、大型化を招くことなく、かつ、容易に検出感度を下げることができる。
さらに、図１１に示すように、スリット１４の場合、スリット１２やスリット１３の場合と比べ、極小領域Ｌ１、Ｌ２、極大領域Ｈ１、Ｈ２の面積が大きくなる。そのため、磁気センサ素子２０を固定する位置のばらつきに対するロバスト性が向上する。

次に、図１２を参照して、第２の実施形態に係る電流検出装置の第２の変形例のシミュレーション結果について説明する。図１２は、第２の実施形態に係る電流検出装置の第２の変形例のシミュレーション結果を示すグラフである。シミュレーションにおいて、図１１における電流経路１０ａの幅Ｗａ、電流経路１０ｂの幅Ｗｂの最小値をいずれも１ｍｍとした。さらに、図１１におけるスリット１４のｘ軸方向の幅を０．５ｍｍ、ｙ軸方向の長さを１４ｍｍとした。その他のシミュレーションの条件は第１の実施形態と同じである。

次に、図１２のグラフは、左側に示したバスバー１０におけるｘ１軸上での磁束密度の変化を示している。ｘ１軸は、スリット１４のｙ軸マイナス側の半円の中央部に位置している。シミュレーションの結果、このｘ１軸上には、図１１を参照して説明したように、スリット１４の近傍に極小領域Ｌ１、極大領域Ｈ２が形成された。他方、ｘ２軸上には、スリット１４の近傍に極小領域Ｌ２、極大領域Ｈ１が形成された。

図１２において、横軸は距離（ｍｍ）、縦軸は磁束密度（Ｔ）を示している。ここでも、図５に示した第１の実施形態の比較例に係るバスバー１の磁束密度０．０２２Ｔを基準値として一点鎖線で示している。図１２のグラフに示すように、極大領域Ｈ２では、スリットのない領域での磁束密度０．０２２Ｔより高い磁束密度０．０４５Ｔ程度となった。一方、極小領域Ｌ１では、スリットのない領域での磁束密度０．０２２Ｔより低い磁束密度０．０１１Ｔ程度となった。なお、左側に示したバスバー１０におけるｘ２軸上での磁束密度の変化も同様であって、具体的には図１２のグラフを左右反転させたようなグラフとなるため省略する。

（第２の実施形態の第３の変形例）
次に、図１３を参照して、第２の実施形態に係る電流検出装置の第３の変形例について説明する。図１３は、第２の実施形態に係る電流検出装置の第３の変形例の模式的平面図である。図１３に示したスリット１５は、平面視で点対称な階段形状を有している。具体的には、ｙ軸プラス側を上側と仮定した場合、スリット１５は、ｘ軸プラス側に進むにつれて上る階段形状を有する。より具体的には、スリット１５は、蹴上部１５ａと、踏面部１５ｂと、蹴上部１５ｃとを有する。蹴上部１５ａと、踏面部１５ｂと、蹴上部１５ｃとは、この順に接続している。蹴上部１５ａは、ｙ軸プラス側に略一直線状に延びて、踏面部１５ｂは、蹴上部１５ａのｙ軸プラス側端部からｘ軸プラス側に略一直線状に延びる。蹴上部１５ｃは、踏面部１５ｂのｘ軸プラス側端部からｙ軸プラス側に略一直線状に延びる。
スリット１５は、バスバー１０の長手方向に対して斜めに延びるスリットの一例である。スリット１５は、蹴上部１５ａのｙ軸マイナス側端部から蹴上部１５ｃのｙ軸プラス側端部までにおいて、総じてバスバー１０の長手方向に対して斜めに延びている。

図１３において、スリット１５によって、分岐された２つの電流経路１０ａ、１０ｂは、スリット１５の対称中心に関して互いに点対称な位置関係にある。そのため、電流経路１０ａ、１０ｂにおけるインダクタンス値が等しくなり、分流比率が電流の周波数に依存しなくなる。従って、電流の周波数が変化しても、電流値を正確に測定することができる。

電流経路１０ａは、電流経路１０ａ１と、電流経路１０ａ２とを備える。電流経路１０ａ１と、電流経路１０ａ２とは、ｙ軸プラス方向にこの順に配置し、接続している。電流経路１０ａ１は、バスバー１０のｘ軸マイナス側の側面と蹴上部１５ａとに挟まれた電流経路である。電流経路１０ａ２は、バスバー１０のｘ軸マイナス側の側面と蹴上部１５ｃとに挟まれた電流経路である。電流経路１０ａ１における幅Ｗａ１は、電流経路１０ａ２における幅Ｗａ２よりも小さい。電流経路１０ａの幅Ｗａは、ｙ軸プラス側に進んで、電流経路１０ａ１から電流経路１０ａ２に入ると、幅Ｗａ１から幅Ｗａ２まで段階的に大きくなる。
図１３に示すように、バスバー１０に電流を流すと、電流経路１０ａ１において、局所的に電流密度が大きくなる極大領域Ｈ２が形成される。他方、電流経路１０ａ２において、蹴上部１５ｃと踏面部１５ｂとの接続部近傍に、局所的に電流密度が小さくなる極大領域Ｌ２が形成される。

電流経路１０ｂは、電流経路１０ｂ１と、電流経路１０ｂ２とを備える。電流経路１０ｂ１と、電流経路１０ｂ２とは、ｙ軸プラス方向にこの順に配置し、接続している。電流経路１０ｂ１は、バスバー１０のｘ軸プラス側の側面と蹴上部１５ａとに挟まれた電流経路である。電流経路１０ｂ２は、バスバー１０のｘ軸プラス側の側面と蹴上部１５ａとに挟まれた電流経路である。電流経路１０ｂ１における幅Ｗｂ１は、電流経路１０ｂ２における幅Ｗｂ２よりも大きい。電流経路１０ａの幅Ｗｂは、ｙ軸プラス側に進んで、電流経路１０ｂ１から電流経路１０ｂ２に入ると、幅Ｗｂ１から幅Ｗｂ２まで段階的に小さくなる。
図１３に示すように、バスバー１０に電流を流すと、電流経路１０ｂ１において、踏面部１５ｂと蹴上部１５ａとの接続部近傍に、局所的に電流密度が小さくなる極大領域Ｌ１が形成される。他方、電流経路１０ｂ２において、局所的に電流密度が大きくなる極大領域Ｈ１が形成される。

すなわち、第２の実施形態に係る電流検出装置の第３の変形例でも、バスバー１０の長手方向に対して斜めに延びたスリット１５の近傍に磁気センサ素子２０を配置することにより、検出感度を調整することができる。具体的には、バスバー１０よりも大きい電流密度を検出したい場合には、極大領域Ｈ１、Ｈ２に磁気センサ素子２０を配置すればよい。他方、バスバー１０よりも小さい電流密度を検出したい場合には、極小領域Ｌ１、Ｌ２に磁気センサ素子２０を配置すればよい。

また、スリット１５が形成された部位でも、バスバー１０の断面積はほとんど減少しないため、強度低下を抑制することができる。
このように、第２の実施形態に係る電流検出装置の第３の変形例でも、第１の実施形態に係る電流検出装置と同様に、バスバー１０の強度の低下を抑制しつつ、検出感度を調整することができる。
ここで、第２の実施形態に係る電流検出装置の第３の変形例でも、第１の実施形態に係る電流検出装置と同様に、大型化を招くことなく、かつ、容易に検出感度を下げることができる。

次に、図１４を参照して、第２の実施形態に係る電流検出装置の第３の変形例のシミュレーション結果について説明する。図１４は、第２の実施形態に係る電流検出装置の第３の変形例のシミュレーション結果を示すグラフである。シミュレーションにおいて、図１４における電流経路１０ａの幅Ｗａ、電流経路１０ｂの幅Ｗｂの最小値（ここでは、幅Ｗａ１、幅Ｗｂ２）をいずれも１ｍｍとした。さらに、図１４におけるスリット１５のｘ軸方向の幅を０．５ｍｍ、ｙ軸方向の長さを７ｍｍとした。その他のシミュレーションの条件は第１の実施形態と同じである。

図１４のグラフは、左側に示したバスバー１０におけるｘ１軸上での磁束密度の変化を示している。ｘ１軸は、スリット１５の蹴上部１５ａのｙ軸プラス側の端部近傍に位置している。シミュレーションの結果、このｘ１軸上には、図１３を参照して説明したように、スリット１５の蹴上部１５ａの近傍に極小領域Ｌ１、極大領域Ｈ２が形成された。他方、ｘ２軸上には、スリット１５の蹴上部１５ｃの近傍に極小領域Ｌ２、極大領域Ｈ１が形成された。ｘ２軸は、スリット１５の蹴上部１５ｃのｙ軸マイナス側の端部近傍に位置している。

図１４において、横軸は距離（ｍｍ）、縦軸は磁束密度（Ｔ）を示している。ここでも、図５に示した第１の実施形態の比較例に係るバスバー１の磁束密度０．０２２Ｔを基準値として一点鎖線で示している。図１４のグラフに示すように、極大領域Ｈ２では、スリットのない領域での磁束密度０．０２２Ｔより高い磁束密度０．０５０Ｔ程度となった。一方、極小領域Ｌ１では、スリットのない領域での磁束密度０．０２２Ｔより低い磁束密度０．００７Ｔ程度となった。なお、左側に示したバスバー１０におけるｘ２軸上での磁束密度の変化も同様であって、具体的には図１４のグラフを左右反転させたようなグラフとなるため省略する。

（第２の実施形態の第４の変形例）
次に、図１５を参照して、第２の実施形態に係る電流検出装置の第４の変形例について説明する。図１５は、第２の実施形態に係る電流検出装置の第４の変形例の模式的平面図である。図１５に示したスリット１６は、平面視で点対称な階段形状を有している。具体的には、ｙ軸プラス側を上側とした場合、スリット１６は、ｘ軸プラス側に進むにつれて上る階段形状を有する。より具体的には、スリット１６は、蹴上部１６ａと、踏面部１６ｂと、蹴上部１６ｃと、踏面部１６ｄと、蹴上部１６ｅとを有する。蹴上部１６ａと、踏面部１６ｂと、蹴上部１６ｃと、踏面部１６ｄと、蹴上部１６ｅとは、この順に接続している。蹴上部１６ａは、ｙ軸プラス側に略一直線状に延びて、踏面部１６ｂは、蹴上部１６ａのｙ軸プラス側端部からｘ軸プラス側に略一直線状に延びる。蹴上部１６ｃは、踏面部１６ｂのｘ軸プラス側端部からｙ軸プラス側に略一直線状に延びて、踏面部１６ｄは、蹴上部１６ｃのｙ軸プラス側端部からｘ軸プラス側に略一直線状に延びる。蹴上部１６ｅは、踏面部１６ｄのｘ軸プラス側端部からｙ軸プラス側に略一直線状に延びる。
スリット１６は、バスバー１０の長手方向に対して斜めに延びるスリットの一例である。スリット１６は、蹴上部１６ａのｙ軸マイナス側端部から蹴上部１６ｅのｙ軸プラス側端部まで、バスバー１０の長手方向に対して斜めに延びる。

図１５において、スリット１６によって、分岐された２つの電流経路１０ａ、１０ｂは、スリット１６の対称中心に関して互いに点対称な位置関係にある。そのため、電流経路１０ａ、１０ｂにおけるインダクタンス値が等しくなり、分流比率が電流の周波数に依存しなくなる。従って、電流の周波数が変化しても、電流値を正確に測定することができる。

電流経路１０ａは、電流経路１０ａ１と、電流経路１０ａ２と、電流経路１０ａ３とを備える。電流経路１０ａ１と、電流経路１０ａ２と、電流経路１０ａ３とは、ｙ軸プラス方向にこの順に配置し、接続している。電流経路１０ａ１は、バスバー１０のｘ軸マイナス側の側面と蹴上部１６ａとに挟まれた電流経路である。電流経路１０ａ２は、バスバー１０のｘ軸マイナス側の側面と蹴上部１６ｃとに挟まれた電流経路である。電流経路１０ａ３は、バスバー１０のｘ軸マイナス側の側面と蹴上部１６ｅとに挟まれた電流経路である。電流経路１０ａ１における幅Ｗａ１は、電流経路１０ａ２における幅Ｗａ２よりも小さい。幅Ｗａ２は、電流経路１０ａ３における幅Ｗａ３よりも小さい。電流経路１０ａの幅Ｗａは、ｙ軸プラス側に進んで、電流経路１０ａ１から電流経路１０ａ２に入ると、幅Ｗａ１から幅Ｗａ２まで段階的に大きくなり、さらにｙ軸プラス側に進んで、電流経路１０ａ２から電流経路１０ａ３に入ると、幅Ｗａ２から幅Ｗａ３まで段階的に大きくなる。
図１５に示すように、バスバー１０に電流を流すと、電流経路１０ａ１において、局所的に電流密度が大きくなる極大領域Ｈ２が形成される。他方、電流経路１０ａ３において、蹴上部１６ｅと踏面部１６ｄとの接続部近傍に、局所的に電流密度が小さくなる極大領域Ｌ２が形成される。

電流経路１０ｂは、電流経路１０ｂ１と、電流経路１０ｂ２と、電流経路１０ｂ３とを備える。電流経路１０ｂ１と、電流経路１０ｂ２と、電流経路１０ｂ３とは、ｙ軸プラス方向にこの順に配置し、接続している。電流経路１０ｂ１は、バスバー１０のｘ軸プラス側の側面と蹴上部１６ａとに挟まれた電流経路である。電流経路１０ｂ２は、バスバー１０のｘ軸プラス側の側面と蹴上部１６ｃとに挟まれた電流経路である。電流経路１０ｂ３は、バスバー１０のｘ軸プラス側の側面と蹴上部１６ｅとに挟まれた電流経路である。
電流経路１０ｂ１における幅Ｗｂ１は、電流経路１０ｂ２における幅Ｗｂ２よりも大きい。幅Ｗｂ２は、電流経路１０ｂ３における幅Ｗｂ３よりも大きい。電流経路１０ａの幅Ｗｂは、ｙ軸プラス側に進んで、電流経路１０ｂ１から電流経路１０ｂ２に入ると、幅Ｗｂ１から幅Ｗｂ２まで段階的に小さくなり、さらにｙ軸プラス側に進んで、電流経路１０ｂ２から電流経路１０ｂ３に入ると、幅Ｗｂ２から幅Ｗｂ３まで段階的に小さくなる。
図１５に示すように、バスバー１０に電流を流すと、電流経路１０ｂ１において、踏面部１６ｂと蹴上部１６ａとの接続部近傍に、局所的に電流密度が小さくなる極大領域Ｌ１が形成される。他方、電流経路１０ｂ３において、局所的に電流密度が大きくなる極大領域Ｈ１が形成される。

すなわち、第２の実施形態に係る電流検出装置の第４の変形例でも、バスバー１０の長手方向に対して斜めに延びたスリット１６の近傍に磁気センサ素子２０を配置することにより、検出感度を調整することができる。具体的には、バスバー１０よりも大きい電流密度を検出したい場合には、極大領域Ｈ１、Ｈ２に磁気センサ素子２０を配置すればよい。他方、バスバー１０よりも小さい電流密度を検出したい場合には、極小領域Ｌ１、Ｌ２に磁気センサ素子２０を配置すればよい。

また、スリット１６が形成された部位でも、バスバー１０の断面積はほとんど減少しないため、強度低下を抑制することができる。
このように、第２の実施形態に係る電流検出装置の第４の変形例でも、第１の実施形態に係る電流検出装置と同様に、バスバー１０の強度の低下を抑制しつつ、検出感度を調整することができる。
ここで、第２の実施形態に係る電流検出装置の第４の変形例でも、第１の実施形態に係る電流検出装置と同様に、大型化を招くことなく、かつ、容易に検出感度を下げることができる。

次に、図１６を参照して、第２の実施形態に係る電流検出装置の第４の変形例のシミュレーション結果について説明する。図１６は、第２の実施形態に係る電流検出装置の第４の変形例のシミュレーション結果を示すグラフである。シミュレーションにおいて、図１６における電流経路１０ａの幅Ｗａ、電流経路１０ｂの幅Ｗｂの最小値（ここでは、幅Ｗａ１、幅Ｗｂ２）をいずれも１ｍｍとした。さらに、図１６におけるスリット１６のｘ軸方向の幅を０．５ｍｍ、ｙ軸方向の長さを７ｍｍとした。その他のシミュレーションの条件は第１の実施形態と同じである。

図１６のグラフは、左側に示したバスバー１０におけるｘ１軸上での磁束密度の変化を示している。ｘ１軸は、スリット１６の蹴上部１６ａのｙ軸プラス側の端部近傍に位置している。シミュレーションの結果、このｘ１軸上には、図１５を参照して説明したように、スリット１６の蹴上部１６ａの近傍に極小領域Ｌ１、極大領域Ｈ２が形成された。他方、ｘ２軸上には、スリット１６の蹴上部１６ｅの近傍に極小領域Ｌ２、極大領域Ｈ１が形成された。ｘ２軸は、スリット１６の蹴上部１６ｅのｙ軸マイナス側の端部近傍に位置している。

図１６において、横軸は距離（ｍｍ）、縦軸は磁束密度（Ｔ）を示している。ここでも、図５に示した第１の実施形態の比較例に係るバスバー１の磁束密度０．０２２Ｔを基準値として一点鎖線で示している。図１６のグラフに示すように、極大領域Ｈ２では、スリットのない領域での磁束密度０．０２２Ｔより高い磁束密度０．０４１Ｔ程度となった。一方、極小領域Ｌ１では、スリットのない領域での磁束密度０．０２２Ｔより低い磁束密度０．００９Ｔ程度となった。なお、左側に示したバスバー１０におけるｘ２軸上での磁束密度の変化も同様であって、具体的には図１６のグラフを左右反転させたようなグラフとなるため省略する。

なお、本発明は上記実施形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。例えば、第２の実施形態の第３の変形例及び第４の変形例では、バスバー１０には、階段形状を有するスリット１５、１６がそれぞれ設けられているが、バスバー１０には、スロット１５、１６と比較して、踏面部と蹴上部とをより多く含む階段形状を有するスリットが設けられていてもよい。

１０ バスバー
１０ａ、１０ａ１〜１０ａ３、１０ｂ、１０ｂ１〜１０ａ３、１０ｃ 電流経路
１１、１１ａ、１１ｂ、１２、１３、１４、１５、１６ スリット
２０ 磁気センサ素子
Ｈ１〜Ｈ３ 極大領域
Ｌ１〜Ｌ４ 極小領域

Claims (5)

1. バスバーと、
   前記バスバーを流れる電流によって前記バスバーの周囲に発生する磁界を検出する磁気センサ素子と、を備えた電流検出装置であって、
   前記バスバーには、前記バスバーの長手方向に対して斜めに延びたスリットが１本もしくは複数本設けられており、
   前記磁気センサ素子が、前記バスバー上において前記スリットの近傍に配置された、
   電流検出装置。
2. 前記磁気センサ素子が、
   前記スリットによって分岐された電流経路の１つにおいて、最も幅が狭くなっている位置の近傍に配置されていることを特徴とする、
   請求項１に記載の電流検出装置。
3. 前記磁気センサ素子が、
   前記スリットによって分岐された電流経路の１つにおいて、最も幅が広くなっている位置の近傍に配置されていることを特徴とする、
   請求項１に記載の電流検出装置。
4. 前記スリットが、１本であって、かつ、平面視で点対称な形状を有しており、
   前記スリットによって分岐された２つの電流経路が、前記スリットの対称中心に関して互いに点対称な位置関係にあることを特徴とする、
   請求項１〜３のいずれか一項に記載の電流検出装置。
5. 前記スリットが、平面視でＳ字形状を有していることを特徴とする、
   請求項４に記載の電流検出装置。