JP2016103561A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】活性領域のp型柱状領域の電荷とn型柱状領域の電荷との比と外周領域のp型柱状領域の電荷とn型柱状領域の電荷との比を変更すること無く、容易に活性領域の耐圧を低減できる半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】第1導電型の第1半導体領域と、第1半導体領域上に配置された第2導電型の第2半導体領域と、第2半導体領域上に配置された第1導電型の第3半導体領域と、を含む半導体基体と、第2半導体領域上及び第2半導体領域上から第1半導体領域上に延びる絶縁膜上に配置された制御電極と、第1半導体領域に接して配置され、第1半導体領域と交互に繰り返し配置された第2導電型の第4半導体領域と、を有し、第2半導体領域上の制御電極の第1の部分との距離は、第1半導体領域上の制御電極の第2の部分との距離よりも近く、制御電極の第1の部分から第2の部分の間に第1半導体領域上で距離が増加する移行部を有する半導体装置。【選択図】図1
Description
本発明は、スイッチング動作を行う半導体装置に関する。
従来、スーパージャンクション構造を有する半導体装置が知られている。
特許文献1には、ドリフト領域内にスーパージャンクション構造を有する活性領域と、活性領域の周囲のドリフト領域内にスーパージャンクション構造を有する外周領域とを備えた半導体装置が開示されている。この半導体装置の活性領域のドリフト領域内では、複数の第1p型柱状領域と複数の第1n型柱状領域とが交互に形成されている。更に、外周領域のドリフト領域内では、複数の複数の第2p型柱状領域と複数の第2n型柱状領域とが交互に形成されている。更に、外周領域では、上述のp型柱状領域とn型柱状領域の上層に、第3p型柱状領域が形成されている。
特許文献1の半導体装置では、第3p型柱状領域の間隔を活性領域から離れるにつれて狭くなっている。これにより、p型柱状領域の電荷とn型柱状領域の電荷との比(チャージ比)をほぼ一定とする関係を保ちながら、空乏層を外周領域内のより外側へと良好に伸ばし、耐圧の向上を実現している。
特許文献1の半導体装置では、第3p型柱状領域の間隔を活性領域から離れるにつれて狭くなっている。これにより、p型柱状領域の電荷とn型柱状領域の電荷との比(チャージ比)をほぼ一定とする関係を保ちながら、空乏層を外周領域内のより外側へと良好に伸ばし、耐圧の向上を実現している。
しかしながら、特許文献1のようなスーパージャンクション構造を有する半導体装置において、活性領域におけるp型柱状領域の電荷とn型柱状領域の電荷との比(チャージ比)は、外周領域におけるp型柱状領域の電荷とn型柱状領域の電荷との比(チャージ比)とほぼ一定となっている。
このため、p型柱状領域やn型柱状領域の不純物濃度を変更することが難しく、活性領域の耐圧を外周領域の耐圧よりも低くすることが困難である。また、p型柱状領域の電荷とn型柱状領域の電荷との比(チャージ比)は半導体装置毎のバラつきが大きく、半導体装置の耐圧が設計値から変動するという問題もある。
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、上記問題点を解決する発明を提供することを目的とする。
本発明は、上記課題を解決すべく、以下に掲げる構成とした。
本発明の半導体装置は、第1導電型の第1半導体領域と、第1半導体領域上に配置された第2導電型の第2半導体領域と、第2半導体領域上に配置された第1導電型の第3半導体領域と、を含む半導体基体と、第2半導体領域上及び第2半導体領域上から第1半導体領域上に延びる絶縁膜上に配置された制御電極と、第1半導体領域に接して配置され、第1半導体領域と交互に繰り返し配置された第2導電型の第4半導体領域と、を有し、第2半導体領域上の制御電極の第1の部分との距離は、第1半導体領域上の制御電極の第2の部分との距離よりも近く、制御電極の第1の部分から第2の部分の間に第1半導体領域上で距離が増加する移行部を有することを特徴とする。
本発明は以上のように構成されているので、活性領域におけるp型柱状領域の電荷とn型柱状領域の電荷との比(チャージ比)と外周領域におけるp型柱状領域の電荷とn型柱状領域の電荷との比(チャージ比)を変更することも無く、容易に活性領域の耐圧を低減することができる。
以下、本発明の実施の形態となる半導体装置について説明する。
以下、図面を参照して、FET(電界効果トランジスタ)を複数有する半導体装置に本発明を適用した実施形態について説明する。図1は、半導体装置の断面図である。図2は、半導体装置のゲート構造を部分的に示した断面図である。図3は、半導体装置の平面概略図である。尚、図1は、図3のI−I線に沿った断面図である。図4は活性領域のゲート構造に注目した平面図である。以下の説明において、図1の矢印で示す外内を、外側及び内側とする。図3は、p型ベース領域及び電界緩和領域の平面形状を説明するためのものであり、不要な構成を省略している。
図1〜図3に示すように、半導体装置1は、活性領域2と、外周領域3と、等電位リング領域4とを有する。活性領域2は、スーパージャンクション構造を有する複数の半導体装置(FET)6が形成された領域である。
図1〜図4に示すように、活性領域2は、基板11と、n−型ドリフト領域(請求項の第1導電型領域に相当)12と、複数のp−型柱状領域(請求項の第1柱状領域に相当)13と、p型ベース領域14と、n型ソース領域15と、ゲート電極16と、ゲート絶縁膜17と、ソース電極18と、ドレイン電極19とを備えている。尚、以下の説明において、構成11〜15を半導体基体7とする。
基板11は、シリコン(Si)等の半導体にn型の不純物であるリン(P)等がドープされたn+型半導体からなる。基板11は、ドレイン領域として機能する。
n−型ドリフト領域12は、基板11の一方の主面11aに形成されている。n−型ドリフト領域12は、基板11よりも低い不純物濃度を有する。
p−型柱状領域13は、シリコン(Si)等の半導体にp型の不純物であるボロン(B)等がドープされたp−型半導体からなる。p−型柱状領域13は、n−型ドリフト領域12の内部に形成され、p−型柱状領域13とn−型ドリフト領域12が交互に接するように配置されている。p−型柱状領域13は、半導体基体7の上下方向に延びるように形成されている。p−型柱状領域13は、平面視にて、ドット状に形成されている。
p−型柱状領域13と隣接するp−型柱状領域13との距離(ピッチ)Dは、全て等しくなるように配置されている。尚、ここでいう距離とは、平面視において、隣接するp−型柱状領域13の中心間距離のことである。各p−型柱状領域13の深さ、不純物濃度及び幅(平面積)は、全て等しくなるように構成されている。
p型ベース領域14は、p型半導体からなる。p型ベース領域14の不純物濃度は、p−型柱状領域13の不純物濃度よりも高い。p型ベース領域14は、p−型柱状領域13の上部に形成されている。p型ベース領域14の上面は、半導体基体7の一方の主面7aに露出している。p型ベース領域14は、図3及び図4に示すように、平面視にて、六角形状のドット状に形成されている。p型ベース領域14と隣接するp型ベース領域14との距離(ピッチ)は、全て等しくなるように配置されている。各p型ベース領域14の深さ、不純物濃度及び幅は、全て等しくなるように構成されている。
n型ソース領域15は、各p型ベース領域14の内側に島状に形成されている。n型ソース領域15は、半導体基体7の一方の主面7aに露出している。
絶縁膜17は、半導体基体7とゲート電極16と絶縁するゲート絶縁膜の部分と、ゲート電極16とソース電極18と絶縁する層間絶縁膜の部分が含まれる。
ゲート電極16は、多結晶シリコンからなる。ゲート電極16は、平面視にて、網目状に形成されている。ゲート電極16の端部は、ゲート端子(図示略)に接続されている。ゲート電極16は、n−型ドリフト領域12とn型ソース領域15とを跨ぐようにp型ベース領域14上に配置されている。これによりゲート電極16と対向する領域のp型ベース領域14には、チャネルが形成される。ゲート電極16はp型ベース領域14と対向する第1の部分161と、n−型ドリフト領域12と対向する第2の部分163と、第1の部分161から第2の部分163へと移行する移行部162とを有する。ここで、第2の部分163と半導体基体7の一方の主面7aとの距離は、第1の部分161と半導体基体7の一方の主面7aとの距離よりも長くなっており、第2の部分163と半導体基体7の一方の主面7aとの間の絶縁膜17の部分は、第1の部分161と半導体基体7の一方の主面7aとの間の絶縁膜17の部分よりも厚くなっている。移行部162は半導体基体7との角度が5度〜65度(例えば、45度)になっており、第1の部分161から第2の部分163に向かって一定の角度を有する傾斜面となっている。ただし、移行部162と半導体基体7とが成す角度は、第1の部分161から第2の部分163に向かって徐々に急にしても良い。
また、図4で示すように、平面視にて、ゲート電極16の第1の部分161は六角のリング形状になっている。また、ゲート電極16の移行部162は、ゲート電極16の第1の部分161を囲むように配置されている。ゲート電極16の第2の部分163は、ゲート電極16の移行部162を囲み、ゲート電極16の第2の部分163の一部は隣り合うゲート電極16の第2の部分163の一部と共有しており、網目形状になっている。活性領域2のp−型柱状領域13が六角形の角部にドット状に配置されている場合、ゲート電極16の第2の部分163の面積は活性領域2のp−型柱状領域13をストライプ状に配置した場合のゲート電極16の第2の部分163の面積に比べて大きくなってしまうが、第2の部分163と半導体基体7の一方の主面7aとの距離は、第1の部分161と半導体基体7の一方の主面7aとの距離よりも長くなっており、半導体装置1のドレイン・ゲート間容量(Crss)を低く抑えることができる。
また、図4で示すように、平面視にて、ゲート電極16の第1の部分161は六角のリング形状になっている。また、ゲート電極16の移行部162は、ゲート電極16の第1の部分161を囲むように配置されている。ゲート電極16の第2の部分163は、ゲート電極16の移行部162を囲み、ゲート電極16の第2の部分163の一部は隣り合うゲート電極16の第2の部分163の一部と共有しており、網目形状になっている。活性領域2のp−型柱状領域13が六角形の角部にドット状に配置されている場合、ゲート電極16の第2の部分163の面積は活性領域2のp−型柱状領域13をストライプ状に配置した場合のゲート電極16の第2の部分163の面積に比べて大きくなってしまうが、第2の部分163と半導体基体7の一方の主面7aとの距離は、第1の部分161と半導体基体7の一方の主面7aとの距離よりも長くなっており、半導体装置1のドレイン・ゲート間容量(Crss)を低く抑えることができる。
ソース電極18は、n型ソース領域15に電子を注入するものである。ソース電極18は、p型ベース領域14及びn型ソース領域15とオーミック接続されている。
外周領域3は、活性領域2の外周を囲むように形成され、耐圧を向上させるためのものである。図1及び図3に示すように、外周領域3は、基板11と、n−型ドリフト領域12と、複数のp−型柱状耐圧向上領域23n(n=1、2・・)と、p型電界緩和領域24n(n=1、2・・)と、絶縁膜27とを備えている。p−型柱状耐圧向上領域23nが、請求項の第2柱状領域に相当する。尚、外周領域3の構成のうち、活性領域2と同じ構成には、同じ符号を付けて説明を省略する。
外周領域3のp−型柱状耐圧向上領域(以下、p−型柱状領域という)23nは、活性領域2のp−型柱状領域13と同じ構成を有する。即ち、p−型柱状領域23nと隣接するp−型柱状領域23n±1との距離Dは、p−型柱状領域13と全て等しくなるように配置されている。各p−型柱状領域23nの深さ、不純物濃度及び幅は、p−型柱状領域13と全て等しくなるように構成されている。このような関係にするためには、活性領域2のp−型柱状領域13及びp−型柱状領域23nは六角形の角部にドット状に配置にすることが望ましい。もし、活性領域2のp−型柱状領域13がストライプ状に配置されていた場合、p−型柱状領域13の外周領域3側の端部と外周領域3のp−型柱状領域23nの配置を上記構成にすることが困難となる。
このような構造により、外周領域3におけるn−型ドリフト領域12の電荷とp−型柱状領域23nの電荷との比(以下、チャージ比)が、活性領域2におけるn−型ドリフト領域12とp−型柱状領域13とのチャージ比と等しくなる。
p型電界緩和領域24nは、p型半導体からなる。p型電界緩和領域24nの不純物濃度は、p型ベース領域14の不純物濃度と略等しい。p型電界緩和領域24nは、p−型柱状領域23nの上部に形成されている。p型電界緩和領域24nの上面は、半導体基体7の一方の主面7aに露出している。p型電界緩和領域24nは、図3に示すように、平面視にて、ドット状に形成されている。
p型電界緩和領域24nと隣接するp型電界緩和領域24n±1との距離Dは、全て等しくなるように配置されている。尚、ここでいう距離とは、平面視において、隣接するp型電界緩和領域24nの中心間距離のことである。
図1に示すように、p型電界緩和領域24nの幅Wnは、外周領域3の内側から外側に近づくに連れて徐々に小さくなるように形成されている。即ち、
W1>W2>W3
となる。尚、ここでいう幅Wnとは、外内方向上の幅のことである。一例として、「D1×0.9=D2」、「D2×0.9=D3」と、0.1ずつ幅Wnが小さくなるように設定してもよい。これにより、p型電界緩和領域24nと隣接するp型電界緩和領域24n+1との間隔Snは、外側に近づくに連れて徐々に大きくなる。即ち、
S1<S2
となる。
W1>W2>W3
となる。尚、ここでいう幅Wnとは、外内方向上の幅のことである。一例として、「D1×0.9=D2」、「D2×0.9=D3」と、0.1ずつ幅Wnが小さくなるように設定してもよい。これにより、p型電界緩和領域24nと隣接するp型電界緩和領域24n+1との間隔Snは、外側に近づくに連れて徐々に大きくなる。即ち、
S1<S2
となる。
p型電界緩和領域24nの深さは、外側にいくに連れて、徐々に浅くなるように形成されている。各p型電界緩和領域24nの不純物濃度は、全て略等しくなるように形成されている。
絶縁膜27は、シリコン酸化膜からなる。絶縁膜27は、外周領域3の半導体基体7の主面7aを覆うように形成されている。
等電位リング領域4は、外周領域3の外周を囲むように構成されている。図1に示すように、等電位リング領域4は、外周領域3を囲むリング電極31を有する。リング電極31は、ドリフト領域12と接続される。これにより、等電位リング領域4は、空乏層が半導体基体7の側面に延びることを抑制する機能とともに、絶縁膜27の表面の電荷を安定させる機能とを有する。
(半導体装置1の動作)
次に、上述した半導体装置1の動作について説明する。
次に、上述した半導体装置1の動作について説明する。
まず、FETである半導体装置1がオン状態になる場合について説明する。
ドレイン電極19とソース電極18との間に、ドレイン電極19の電位がソース電極18の電位よりも高くなるような電圧を印加する。この状態で、ゲート電極16に閾値以上の電圧が印加されると、ゲート電極16と対向する領域のp型ベース領域14にキャリア(電子)が、蓄積される。これにより、チャネルが、p型ベース領域14の上面部の当該領域に形成される。この結果、ソース電極18から注入されたキャリア(電子)が、n型ソース領域15、p型ベース領域14のチャネル、n−型ドリフト領域12、基板11を流れて、ドレイン電極19に達する。尚、電流は、ドレイン電極19からソース電極18へと流れる。
次に、FETである半導体装置1がオフ状態の場合について説明する。
オフ状態では、空乏層が、活性領域2のp−型柱状領域13間のみならず外周領域3のp−型柱状領域23n間にも広がる。これにより、活性領域2の外周での電界集中が抑制される。更に、外周領域3では、電界緩和領域24nの幅Wnが、外側に近づくに連れて、小さくなるように構成されている。このため、空乏層は、外周領域3の最も外側のp−型柱状領域233の外側まで広がり、且つ、空乏層の厚みは、外周領域3の外側に近づくに連れて、緩やかに小さくなる。これにより、外周領域3の外側においても電界が緩和されて、電界集中が抑制される。この結果、外周領域3の外側においてもリーク電流が抑制されて、耐圧が向上する。ここで、ゲート電極16は移行部162を有しているので、半導体基体7に対し、移行部162及び第2の部分163におけるフィールドプレート効果が、第1の部分161におけるフィールドプレート効果が低減される。その結果、移行部162と対向するn−型ドリフト領域12の領域に電界集中点が生じる。以上から、p−型柱状領域13や外周領域3のp−型柱状領域23nの不純物濃度や形状等を変更してp層とn層のチャージ比を変更することもなく、外周領域3側の耐圧よりも活性領域2側の耐圧を良好に下げることができ、活性領域2側でリーク電流を流すことができる。
また、半導体装置1は、半導体基体7に対し、移行部162及び第2の部分163が第1の部分161よりも離間していることで、ドレイン・ゲート間容量(Crss)をn−型ドリフト領域12の不純物濃度等を変更することなく、低減することができる。
(電位分布シミュレーションによる実証)
次に、上述した効果を実証するために実施した電位分布シミュレーションについて説明する。
上述した実施形態による半導体装置1に対応する実施例と、実施例と比較するための比較例について電位分布シミュレーションを行った。
次に、上述した効果を実証するために実施した電位分布シミュレーションについて説明する。
上述した実施形態による半導体装置1に対応する実施例と、実施例と比較するための比較例について電位分布シミュレーションを行った。
実施例は、実施形態に基づいて、移行部を有するゲート電極を備えるものである。
比較例は、移行部を備えない構成とした。尚、その他のパラメータは、実施例と同じ数である。
実施例、比較例の電位分布シミュレーションの結果をそれぞれ図5及び図6に示す。
図5に示すように、実施例では、ゲート電極16は移行部162の下のn−型ドリフト領域12の領域において、図6の比較例の場合に比べて電界が高くなっていることがわかる。この結果、実施例では、比較例に比べて活性領域2側の耐圧を外周領域3側の耐圧より低くできることがわかる。
以上、実施形態を用いて本発明を詳細に説明したが、本発明は本明細書中に説明した実施形態に限定されるものではない。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載及び特許請求の範囲の記載と均等の範囲により決定されるものである。以下、上記実施形態を一部変更した変更形態について説明する。
例えば、上述した実施形態の各構成の形状、数値、材料等は適宜変更可能である。
上述した実施形態では、外周領域のp−型柱状領域及び電界緩和領域を3個配列する構成を示したが、電界緩和領域の個数は適宜変更可能である。
上述した実施形態では、電界緩和領域の幅を、外側に近づくに連れて徐々に小さくしたが、幅の変化の仕方は変更可能である。例えば、最も内側の電界緩和領域の幅と最も外側の電界緩和領域の幅とを異ならせて、電界緩和領域の幅が等しくする領域を途中に設けてもよい。換言すれば、最も内側の電界緩和領域間の間隔と最も外側の電界緩和領域の間隔とを異ならせて、電界緩和領域間の間隔が等しくする領域を途中に設けてもよい。
上述した実施形態では、電界緩和領域の深さを、外側に近づくに連れて徐々に浅くしたが、深さの変化の仕方は変更可能である。例えば、電界緩和領域の深さを全て等しくしてもよい。また、電界緩和領域の深さが等しくする領域を途中に設けてもよい。更に、電界緩和領域の深さをベース領域よりも深くしてもよい。
上述した実施形態では、p−型柱状領域を複数回積層することによって形成するスタック型について説明したが、ドレイン層にトレンチを形成した後、埋め込みによってp型柱状領域を形成するトレンチ型に本発明を適用しても、上述した実施形態と同様の効果が得られる。
上述した実施形態では、平面視にて、電界緩和領域をドット状に形成したが、活性領域を囲むようにリング状に形成してもよい。尚、電界緩和領域をリング状にする場合でも、活性領域及び外周領域において、p型柱状領域は、平面視にて、ドット状が好ましい。
上述した実施形態におけるp型及びn型は、一例であり、反転させてもよい。
1 半導体装置
2 活性領域
3 外周領域
4 等電位リング領域
7 半導体基体
7a 主面
11 基板
11a 主面
11b 主面
12 n−型ドリフト領域
13 p−型柱状領域
14 p型ベース領域
15 n型ソース領域
16 ゲート電極
17 ゲート絶縁膜
18 ソース電極
19 ドレイン電極
23n p−型柱状耐圧向上領域
24n p型電界緩和領域
27 絶縁膜
31 リング電極
35a〜35g n型ドリフト領域層
36、38、39 レジスト膜
36a、38a、39a 開口部
37a〜37f p型不純物領域
D 距離
Sn 間隔
Wn 幅
2 活性領域
3 外周領域
4 等電位リング領域
7 半導体基体
7a 主面
11 基板
11a 主面
11b 主面
12 n−型ドリフト領域
13 p−型柱状領域
14 p型ベース領域
15 n型ソース領域
16 ゲート電極
17 ゲート絶縁膜
18 ソース電極
19 ドレイン電極
23n p−型柱状耐圧向上領域
24n p型電界緩和領域
27 絶縁膜
31 リング電極
35a〜35g n型ドリフト領域層
36、38、39 レジスト膜
36a、38a、39a 開口部
37a〜37f p型不純物領域
D 距離
Sn 間隔
Wn 幅
Claims (5)
- 第1導電型の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域上に配置された第2導電型の第2半導体領域と、
前記第2半導体領域上に配置された第1導電型の第3半導体領域と、
を含む半導体基体と、
前記第2半導体領域上及び前記第2半導体領域上から前記第1半導体領域上に延びる絶縁膜上に配置された制御電極と、
前記第1半導体領域に接して配置され、前記第1半導体領域と交互に繰り返し配置された第2導電型の第4半導体領域と、
を有し、
前記第2半導体領域上の前記制御電極の第1の部分との距離は、前記第1半導体領域上の前記制御電極の第2の部分との距離よりも近く、前記制御電極の前記第1の部分から前記第2の部分の間に前記第1半導体領域上で距離が増加する移行部を有することを特徴とする半導体装置。
- 前記移行部と前記半導体基体との成す角度が5〜60度であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 平面視にて、前記移行部は、前記第1の部分を囲み、
前記第2の部分は、前記移行部を囲っていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。 - 隣り合う前記制御電極の前記第2の部分は共有していることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の半導体装置。
- 前記第1の部分は六角のリング形状になっていることを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載の半導体装置。
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