JP2016102762A - 半導体センサ装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1〜図5は、第1の実施の形態に係る半導体センサ装置を例示する図である。なお、図1(a)は正面図、図1(b)は斜視図、図2(a)は平面図、図2(b)は底面図、図3(a)は図2のA−A線に沿う断面図、図3(b)は図3(a)のC部の拡大図、図4は図2のB−B線に沿う断面図、図5は基板のみを示す平面図である。又、図6は、半導体センサ素子実装部近傍の詳細図である。
図1〜図5に示すように、半導体センサ装置1は、大略すると、基板10と、シリンダ70と、ノズル80と、外部端子90とを有する。シリンダ70とノズル80とは基板10を挟んだ状態で接合されている。
次に、図6を参照しながら、半導体センサ素子20の実装部近傍の詳細な構造について説明する。図6は、第1の実施の形態に係る半導体センサ素子20の実装部近傍を例示する図であり、図6(b)は平面図、図6(a)は図6(b)のC−C線に沿う断面図である。但し、図6(b)では一部の構成要素の図示が省略されている。
第1の実施の形態の変形例では、半導体センサ素子の実装部近傍の構造の他の例を示す。なお、第1の実施の形態の変形例において、既に説明した実施の形態と同一構成部についての説明は省略する場合がある。
10 基板
10x 圧力媒体導入孔
10y 位置決め孔
10z 外部端子挿入孔
11 素子搭載領域
11a 圧力媒体導入孔の周辺領域
11b 圧力媒体導入孔と接する領域
12 ボンディングパッド
13 部品実装用パッド
14 外部端子実装用パッド
15 ソルダーレジスト
15a、15b レジストスペーサ
16 スルーホール
17 基材
18 テスト用パッド
19 銅膜
20 半導体センサ素子
20a 半導体センサ素子の底面が配される部分
30 制御IC
40 実装部品
51、52、53 接着樹脂
54 シール用接着樹脂
55 ノズル接着樹脂
58 デバイス保護ゲル
59 基板保護ゲル
60 金属線
70 シリンダ
70x 開口部
70y 位置決め孔
70z 段差部
80 ノズル
81 圧力媒体導入孔
82 流量制限部
83 バッファ部
89 位置決め部
90 外部端子
190 金めっき膜
Claims (8)
- 基板と、
前記基板に設けられた貫通孔と、
前記基板の一方の側に実装され、前記基板の他方の側から前記貫通孔を介して導入された圧力媒体の圧力を検出する半導体センサ素子と、を有し、
前記基板の前記圧力媒体が導入される経路となる部分が金属膜で被覆されている半導体センサ装置。 - 少なくとも前記貫通孔の内壁面、及び前記基板の一方の側の前記半導体センサ素子が実装される領域が銅膜で被覆されている請求項1記載の半導体センサ装置。
- 前記基板の他方の側に実装され、前記貫通孔を介して前記半導体センサ素子に前記圧力媒体を導入する圧力媒体導入部材を有し、
前記基板の他方の側の前記圧力媒体導入部材から前記圧力媒体が導入される経路となる部分が銅膜で被覆されている請求項2記載の半導体センサ装置。 - 前記銅膜の表面が金めっき膜で被覆されている請求項2又は3記載の半導体センサ装置。
- 前記銅膜の表面が錫合金めっき膜で被覆されている請求項2又は3記載の半導体センサ装置。
- 前記半導体センサ素子は、接着樹脂を介して前記基板の一方の側に実装され、
前記接着樹脂が塗布される領域は、前記基板の一方の側に形成された前記銅膜上である請求項2乃至5の何れか一項記載の半導体センサ装置。 - 前記接着樹脂が塗布される領域の前記銅膜の表面が粗化されている請求項6記載の半導体センサ装置。
- 前記基板の端面が銅膜で被覆されている請求項2乃至7の何れか一項記載の半導体センサ装置。
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JP2014242204A JP6507595B2 (ja) | 2014-11-28 | 2014-11-28 | 半導体センサ装置 |
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JP2003254849A (ja) * | 2002-02-28 | 2003-09-10 | Sunx Ltd | 圧力検出器及び圧力センサ |
US7377177B1 (en) * | 2007-04-13 | 2008-05-27 | Honeywell International Inc. | Pressure sensor method and apparatus |
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2014
- 2014-11-28 JP JP2014242204A patent/JP6507595B2/ja active Active
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JP2003254849A (ja) * | 2002-02-28 | 2003-09-10 | Sunx Ltd | 圧力検出器及び圧力センサ |
US7377177B1 (en) * | 2007-04-13 | 2008-05-27 | Honeywell International Inc. | Pressure sensor method and apparatus |
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---|---|
JP6507595B2 (ja) | 2019-05-08 |
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