JP2016100520A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1に、本実施形態に係る半導体装置1の構成を示す。半導体装置1は、半導体素子を含む4つの積層体を備えている。半導体装置1は、例えば車両のインバータ装置に備えられる一対の上下アームを構成するモジュールである。半導体素子として、チップに加工されたパワー半導体素子である、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)10a、IGBT10b、還流ダイオード11a、および、還流ダイオード11bが実装されている。上アームは、IGBT10aを含む積層体1Aと還流ダイオード11aを含む積層体とを有している。下アームは、IGBT10bを含む積層体1Bと還流ダイオード11bを含む積層体とを有している。
次に、図2に、半導体装置1の製造方法を示す。
本実施形態によれば、半導体素子の動作に伴って生じる高周波電流成分は、表皮効果により接合部上に形成されためっき層WDを流れる。めっき層WDは接合部の材料よりも低磁性の材料からなるので、めっき層WDの自己インダクタンスは接合部の自己インダクタンスよりも小さい。例えば、銅の透磁率はニッケルの透磁率の約180分の1であるので、導体寸法が同じであれば透磁率に比例する自己インダクタンスはニッケルの場合よりも非常に小さい。したがって、高周波電流成分がめっき層WDを流れてもサージ電圧は発生しにくい。このように、めっき層が備えられることで、接合部の存在に起因して発生する寄生インダクタンスは回路にほとんど影響しない。また、めっきという手法により、必要な部分のみを低磁性材料のめっき材で覆うという効率的な材料消費が可能である。
図3に、本実施形態の変形例に係る半導体装置2の構成および製造方法を示す。半導体装置1と同じ部材には同じ符号を付し、その説明を省略する。
1A、1B、1A’、1B’ 積層体
10a、10b IGBT
20 モールド樹脂
20z 基底面
31A、31B リードピン
11a、11b 還流ダイオード
Ba1、Ba2、Ba3、Bb1、Bb2、Bb3、Bc
接合部
La1、La2、La3、Lb1、Lb2、Lb3、La1’、La2’、La3’、Lb1’、Lb2’、Lb3’、La11、Lb11、Lb31
リードフレーム
La30、Lb10 延伸リード
WD、WE めっき層
Claims (1)
- リードフレーム上に半導体素子が積層された半導体装置であって、
前記半導体素子と前記リードフレームとを接合する接合部と、
前記接合部の側面を覆い、前記接合部の材料よりも低磁性の材料からなるめっき層と、
を備えていることを特徴とする、半導体装置。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023162722A1 (ja) * | 2022-02-24 | 2023-08-31 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体モジュール |
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