JP2016100458A - 光電変換装置の製造方法および電子機器の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
まず、本実施形態に係る光電変換装置としてのイメージセンサーについて、図1〜図3を参照して説明する。
続いて、本実施形態に係るフォトダイオード20の構造について、図4を参照して説明する。図4は、本実施形態に係るフォトダイオードの構造を示す模式断面図である。なお、図4は、図3におけるフォトダイオード20の部分拡大図に相当する。
次に、本実施形態に係る光電変換装置の製造方法について、図5を参照して説明する。ここでは、本発明の特徴であるフォトダイオード20の製造方法を説明する。図5は、本実施形態に係るフォトダイオードの製造方法を説明する図である。なお、図5(a)、(b)、(c)、(d)、(e)の各図には、図4と同様の断面を示している。
次に、本実施形態に係る電子機器の一例としての生体情報取得装置について、図6および図7を参照して説明する。図6は、本実施形態に係る電子機器の一例としての生体情報取得装置の構成を示す斜視図である。図7は、生体情報取得装置の電気的な構成を示すブロック図である。
次に、本実施形態に係る生体情報取得装置200が有するセンサー部150について、図8および図9を参照して説明する。図8は、センサー部の構成を示す概略斜視図である。図9は、センサー部の構造を示す概略断面図である。
センサー部150は、図9に示すように、受光部100、遮光部110、可変分光部120、発光部130、保護部140のそれぞれを互いに間隔を置いて対向配置し、接着剤(図9では図示を省略)などを用いて互いに貼り合わすことで製造できる。電子機器としての生体情報取得装置200は、図6に示すように、ベルト164の外側に本体部160を取り付け、ベルト164の内側における本体部160と対向する位置にセンサー部150を取り付けることで製造できる。これらの製造工程には公知の技術を適用できるので、詳細な説明を省略する。
上記実施形態では、図5(b)に示す第1熱処理をN2、Ar、Heなどの不活性ガスを含む不活性雰囲気で行うこととしたが、本発明はこのような形態に限定されるものではない。例えば、第1熱処理を真空中で行うこととしてもよい。なお、ここでいう「真空」とは、半導体製造工程で一般的に真空と呼ばれる圧力を意味し、概ね1000Pa程度以下の圧力の状態を指す。また、第1熱処理を還元性雰囲気中で行うこととしてもよい。還元性雰囲気としては、例えば、前述の不活性ガスに爆発下限界未満の水素(H2)を含むフォーミングガスを含む雰囲気が挙げられる。水素の爆発下限界は4.5%程度であるので、フォーミングガス中の水素濃度を3%程度以上4%程度以下とすれば、爆発の危険性を避け、安全に第1熱処理を行う事ができる。これらの雰囲気中で第1熱処理を行っても、上記実施形態と同様の効果が得られる。
上記実施形態では、p型半導体層23が、第11族元素、第13族元素、および第16族元素を含むカルコパイライト構造のCIS系やCIGS系の膜で構成されていたが、本発明はこのような形態に限定されるものではない。例えば、p型半導体層23を、第11族元素、第12族元素、第14族元素、および第16族元素を含むCZTS(Cu2ZnSnS4)系の膜で構成してもよい。例えば、図5(c)に示す工程において第2金属膜として第11族元素である銅(Cu)、第12族元素である亜鉛(Zn)、および第14族元素であるスズ(Sn)の金属膜を形成し、図5(d)に示す工程において第16族元素であるイオウ(S)を含む雰囲気中で第2熱処理を施すことにより、p型半導体層23をCZTS系の膜で構成できる。
上記実施形態では、光電変換装置として、カルコパイライト構造の半導体膜を有するフォトダイオード20を備えたイメージセンサー100を例に挙げて説明したが、本発明はこのような形態に限定されるものではない。光電変換装置は、カルコパイライト構造の半導体膜を有するフォトダイオード20を備えた太陽電池であってもよい。
上記実施形態では、電子機器として、血管の画像情報や血液中の特定成分などの情報を入手可能な携帯型の情報端末装置である生体情報取得装置200を例に挙げて説明したが、本発明はこのような形態に限定されるものではない。電子機器は、据置型など異なる形態の情報端末装置であってもよいし、指の静脈の画像情報を取得し予め登録された静脈の画像情報と比較することで個人を特定する生体認証装置であってもよい。また、電子機器は、指紋や眼球の虹彩などを撮像する固体撮像装置であってもよい。
Claims (9)
- 基板上に高融点金属からなる第1金属膜を形成する工程と、
前記第1金属膜に対して非酸化性雰囲気中で第1熱処理を施す工程と、
前記第1金属膜上に第11族元素および第13族元素を含む第2金属膜を形成する工程と、
前記第1金属膜および前記第2金属膜に対して第16族元素を含む気体の雰囲気中で第2熱処理を施す工程と、
を含むことを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 基板上に高融点金属からなる第1金属膜を形成する工程と、
前記第1金属膜に対して非酸化性雰囲気中で第1熱処理を施す工程と、
前記第1金属膜上に第11族元素、第12族元素、および第14族元素を含む第2金属膜を形成する工程と、
前記第1金属膜および前記第2金属膜に対して第16族元素を含む気体の雰囲気中で第2熱処理を施す工程と、
を含むことを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 請求項1または2に記載の光電変換装置の製造方法であって、
前記高融点金属はモリブデンであることを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 請求項1から3のいずれか一項に記載の光電変換装置の製造方法であって、
前記第1熱処理の温度は300℃以上であることを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 請求項4に記載の光電変換装置の製造方法であって、
前記第1熱処理の温度は前記第2熱処理の温度以上であることを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 請求項1から5のいずれか一項に記載の光電変換装置の製造方法であって、
前記非酸化性雰囲気は、不活性雰囲気であることを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 請求項6に記載の光電変換装置の製造方法であって、
前記不活性雰囲気は、真空であることを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 請求項1から5のいずれか一項に記載の光電変換装置の製造方法であって、
前記非酸化性雰囲気は、還元性雰囲気であることを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 請求項1から8のいずれか一項に記載の光電変換装置の製造方法を含むことを特徴とする電子機器の製造方法。
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