JP2016091930A

JP2016091930A - Light emitting device

Info

Publication number: JP2016091930A
Application number: JP2014227931A
Authority: JP
Inventors: 結城　敏尚; Toshihisa Yuki; 敏尚結城; 青木　謙治; Kenji Aoki; 謙治青木; 則和水戸; Norikazu Mito
Original assignee: Tohoku Pioneer Corp; Pioneer Electronic Corp
Current assignee: Tohoku Pioneer Corp; Pioneer Corp
Priority date: 2014-11-10
Filing date: 2014-11-10
Publication date: 2016-05-23

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent the area of a non-light emitting part from increasing while suppressing peeling of an insulating film in a light emitting device.SOLUTION: A light emitting part 140 is formed on a substrate 100, and includes a first electrode 110, a second electrode 130, an insulating layer 150, and an organic layer 120. The insulating layer 150 covers the edge of the first electrode 110. The organic layer 120 is positioned between the first electrode 110 and the second electrode 130. As shown in a figure 5, at least a part of the edge of the first electrode 110 is formed with a plurality of protrusions 111 in planar view. The insulating layer 150 is brought into contact with the top face of the plurality of protrusions 111 and the side face of the plurality of protrusions 111.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、発光装置に関する。 The present invention relates to a light emitting device.

近年は有機ＥＬ素子を利用した発光装置の開発が進んでいる。この発光装置は、照明装置や表示装置として使用されており、第１電極と第２電極の間に有機層を挟んだ構成を有している。そして、一般的には第１電極には透明材料が用いられており、第２電極には金属材料が用いられている。また、特許文献１に記載されているように、第１電極と第２電極の短絡を防ぐために、第１電極の縁は絶縁膜で覆われていることが多い。 In recent years, development of light-emitting devices using organic EL elements has progressed. This light-emitting device is used as a lighting device or a display device, and has a configuration in which an organic layer is sandwiched between a first electrode and a second electrode. In general, a transparent material is used for the first electrode, and a metal material is used for the second electrode. Moreover, as described in Patent Document 1, in order to prevent a short circuit between the first electrode and the second electrode, the edge of the first electrode is often covered with an insulating film.

絶縁膜は、特許文献１に記載されているように感光性の材料を用いて形成されることが多い。一方、基板にはガラスが用いられることが多い、感光性の材料は一般的に疎水性であり、ガラスは親水性である。このため、基板と絶縁膜の密着性は低く、絶縁膜が基板から剥離する可能性が出てくる。これに対して特許文献１では、絶縁膜の縁と基板の間に、第１電極と同一の材料からなる膜を形成することが記載されている。このようにすると、絶縁膜の縁は、第１電極と同一の材料からなる膜と接することになる。 The insulating film is often formed using a photosensitive material as described in Patent Document 1. On the other hand, glass is often used for the substrate. Photosensitive materials are generally hydrophobic, and glass is hydrophilic. For this reason, the adhesiveness between the substrate and the insulating film is low, and the insulating film may be peeled off from the substrate. On the other hand, Patent Document 1 describes that a film made of the same material as the first electrode is formed between the edge of the insulating film and the substrate. In this way, the edge of the insulating film is in contact with the film made of the same material as the first electrode.

なお、特許文献２には、有機ＥＬ素子を櫛歯状にすることが記載されている。 Patent Document 2 describes that the organic EL element has a comb-like shape.

特開２００４−１１９２２６号公報JP 2004-119226 A 特開２００５−１５８４８３号公報JP-A-2005-158484

特許文献１に記載の技術では、絶縁膜が剥離することを抑制するために、第１電極と同一の材料からなる膜を第１電極の外側に形成する必要がある。しかし、このようにすると、基板の縁と有機ＥＬ素子の間の領域、すなわち非発光部の面積が大きくなってしまう。 In the technique described in Patent Document 1, it is necessary to form a film made of the same material as the first electrode on the outside of the first electrode in order to suppress the peeling of the insulating film. However, if this is done, the area between the edge of the substrate and the organic EL element, that is, the area of the non-light emitting portion will be increased.

本発明が解決しようとする課題としては、絶縁膜が剥離することを抑制しつつ、非発光部の面積が大きくならないようにすることが一例として挙げられる。 An example of a problem to be solved by the present invention is to prevent the area of the non-light-emitting portion from increasing while suppressing the separation of the insulating film.

請求項１に記載の発明は、基板と、
前記基板上に形成された発光部と、
を備え、
前記発光部は、
第１電極と、
第２電極と、
前記第１電極の縁を覆う絶縁層と、
前記第１電極と前記第２電極の間に位置する有機層と、
を備え、
平面視において、前記第１電極の縁の少なくとも一部には、複数の凸部が形成されており、
前記絶縁層は、前記複数の凸部の上面及び前記複数の凸部の側面に接している発光装置である。 The invention according to claim 1 is a substrate;
A light emitting part formed on the substrate;
With
The light emitting unit
A first electrode;
A second electrode;
An insulating layer covering an edge of the first electrode;
An organic layer positioned between the first electrode and the second electrode;
With
In a plan view, a plurality of convex portions are formed on at least a part of the edge of the first electrode,
The insulating layer is a light emitting device that is in contact with upper surfaces of the plurality of convex portions and side surfaces of the plurality of convex portions.

実施形態に係る発光装置の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the light-emitting device which concerns on embodiment. 図１から第２電極を取り除いた図である。It is the figure which removed the 2nd electrode from FIG. 図２から有機層及び絶縁層を取り除いた図である。It is the figure which removed the organic layer and the insulating layer from FIG. 図１のＡ−Ａ断面図である。It is AA sectional drawing of FIG. 図３の点線αで囲んだ領域を拡大した図である。It is the figure which expanded the area | region enclosed with the dotted line (alpha) of FIG. 図５のＢ−Ｂ断面図である。It is BB sectional drawing of FIG. 実施例１に係る発光装置の要部の構成を示す平面図である。3 is a plan view showing a configuration of a main part of the light emitting device according to Example 1. FIG. 図７のＣ−Ｃ断面図である。It is CC sectional drawing of FIG. 図７のＤ−Ｄ断面図である。It is DD sectional drawing of FIG. 実施例２に係る発光装置の要部の構成を示す平面図である。6 is a plan view illustrating a configuration of a main part of a light emitting device according to Example 2. FIG. 実施例３に係る発光装置の要部の構成を示す平面図である。6 is a plan view illustrating a configuration of a main part of a light emitting device according to Example 3. FIG. 図１１の変形例を示す平面図である。It is a top view which shows the modification of FIG.

図１は、実施形態に係る発光装置１０の構成を示す平面図である。図２は、図１から第２電極１３０を取り除いた図であり、図３は図２から有機層１２０及び絶縁層１５０を取り除いた図である。図４は図１のＡ−Ａ断面図である。図５は、図３の点線αで囲んだ領域を拡大した図である。本実施形態に係る発光装置１０は、図１〜図３に示すように、基板１００及び発光部１４０を備えている。発光部１４０は基板１００上に形成されており、第１電極１１０、第２電極１３０、絶縁層１５０、及び有機層１２０を備えている。絶縁層１５０は第１電極１１０の縁を覆っている。有機層１２０は第１電極１１０と第２電極１３０の間に位置している。そして図５に示すように、平面視において、第１電極１１０の縁の少なくとも一部には、複数の凸部１１１が形成されている。絶縁層１５０は、複数の凸部１１１の上面及び複数の凸部１１１の側面に接している。以下、詳細に説明する。 FIG. 1 is a plan view showing a configuration of a light emitting device 10 according to the embodiment. 2 is a diagram in which the second electrode 130 is removed from FIG. 1, and FIG. 3 is a diagram in which the organic layer 120 and the insulating layer 150 are removed from FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. FIG. 5 is an enlarged view of a region surrounded by a dotted line α in FIG. As shown in FIGS. 1 to 3, the light emitting device 10 according to the present embodiment includes a substrate 100 and a light emitting unit 140. The light emitting unit 140 is formed on the substrate 100 and includes a first electrode 110, a second electrode 130, an insulating layer 150, and an organic layer 120. The insulating layer 150 covers the edge of the first electrode 110. The organic layer 120 is located between the first electrode 110 and the second electrode 130. As shown in FIG. 5, a plurality of convex portions 111 are formed on at least a part of the edge of the first electrode 110 in plan view. The insulating layer 150 is in contact with the upper surfaces of the plurality of protrusions 111 and the side surfaces of the plurality of protrusions 111. Details will be described below.

まず、図１〜図４を用いて発光装置１０の構成について説明する。 First, the configuration of the light emitting device 10 will be described with reference to FIGS.

基板１００は、例えばガラス基板や樹脂基板などの透光性を有する基板である。基板１００は可撓性を有していてもよい。可撓性を有している場合、基板１００の厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。基板１００は、例えば矩形などの多角形である。基板１００が樹脂基板である場合、基板１００は、例えばＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）、又はポリイミドを用いて形成されている。また、基板１００が樹脂基板である場合、水分が基板１００を透過することを抑制するために、基板１００の少なくとも一面（好ましくは両面）に、ＳｉＮ_ｘやＳｉＯＮなどの無機バリア膜が形成されている。 The substrate 100 is a light-transmitting substrate such as a glass substrate or a resin substrate. The substrate 100 may have flexibility. In the case of flexibility, the thickness of the substrate 100 is, for example, not less than 10 μm and not more than 1000 μm. The substrate 100 is, for example, a polygon such as a rectangle. When the substrate 100 is a resin substrate, the substrate 100 is formed using, for example, PEN (polyethylene naphthalate), PES (polyethersulfone), PET (polyethylene terephthalate), or polyimide. When the substrate 100 is a resin substrate, an inorganic barrier film such as SiN _x or SiON is formed on at least one surface (preferably both surfaces) of the substrate 100 in order to prevent moisture from permeating the substrate 100. Yes.

基板１００の第１面１０２には、発光部１４０が形成されている。発光部１４０は、有機ＥＬ素子を有している。この有機ＥＬ素子は、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０をこの順に積層させた構成を有している。 A light emitting unit 140 is formed on the first surface 102 of the substrate 100. The light emitting unit 140 has an organic EL element. This organic EL element has a configuration in which a first electrode 110, an organic layer 120, and a second electrode 130 are laminated in this order.

第１電極１１０は、光透過性を有する透明電極である。透明電極の材料は、金属を含む材料、例えば、ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｕｎｇｓｔｅｎＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（ＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）等の金属酸化物である。第１電極１１０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。第１電極１１０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。なお、第１電極１１０は、カーボンナノチューブ、又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの導電性有機材料であってもよい。 The first electrode 110 is a transparent electrode having optical transparency. The material of the transparent electrode is a material containing a metal, for example, a metal oxide such as ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), IWZO (Indium Tungsten Zinc Oxide), or ZnO (Zinc Oxide). The thickness of the first electrode 110 is, for example, not less than 10 nm and not more than 500 nm. The first electrode 110 is formed using, for example, a sputtering method or a vapor deposition method. The first electrode 110 may be a carbon nanotube or a conductive organic material such as PEDOT / PSS.

有機層１２０は発光層を有している。有機層１２０は、例えば、正孔注入層、発光層、及び電子注入層をこの順に積層させた構成を有している。正孔注入層と発光層との間には正孔輸送層が形成されていてもよい。また、発光層と電子注入層との間には電子輸送層が形成されていてもよい。有機層１２０は蒸着法で形成されてもよい。また、有機層１２０のうち少なくとも一つの層、例えば第１電極１１０と接触する層は、インクジェット法、印刷法、又はスプレー法などの塗布法によって形成されてもよい。なお、この場合、有機層１２０の残りの層は、蒸着法によって形成されている。また、有機層１２０のすべての層が、塗布法を用いて形成されていてもよい。 The organic layer 120 has a light emitting layer. The organic layer 120 has a configuration in which, for example, a hole injection layer, a light emitting layer, and an electron injection layer are stacked in this order. A hole transport layer may be formed between the hole injection layer and the light emitting layer. In addition, an electron transport layer may be formed between the light emitting layer and the electron injection layer. The organic layer 120 may be formed by a vapor deposition method. In addition, at least one layer of the organic layer 120, for example, a layer in contact with the first electrode 110, may be formed by a coating method such as an inkjet method, a printing method, or a spray method. In this case, the remaining layers of the organic layer 120 are formed by vapor deposition. Moreover, all the layers of the organic layer 120 may be formed using the apply | coating method.

第２電極１３０は、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属、又はこの第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。この場合、第２電極１３０は遮光性を有している。第２電極１３０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。ただし、第２電極１３０は、第１電極１１０の材料として例示した材料を用いて形成されていてもよい。第２電極１３０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。 The second electrode 130 is made of, for example, a metal selected from the first group consisting of Al, Au, Ag, Pt, Mg, Sn, Zn, and In, or an alloy of a metal selected from the first group. Contains a metal layer. In this case, the second electrode 130 has a light shielding property. The thickness of the second electrode 130 is, for example, not less than 10 nm and not more than 500 nm. However, the second electrode 130 may be formed using the material exemplified as the material of the first electrode 110. The second electrode 130 is formed using, for example, a sputtering method or a vapor deposition method.

上記したように、第１電極１１０の縁は、絶縁層１５０によって覆われている。絶縁層１５０は例えばポリイミドなどの感光性の樹脂材料によって形成されており、第１電極１１０のうち発光部１４０の発光領域となる部分を囲んでいる。絶縁層１５０を設けることにより、第１電極１１０の縁において第１電極１１０と第２電極１３０が短絡することを抑制できる。 As described above, the edge of the first electrode 110 is covered with the insulating layer 150. The insulating layer 150 is made of, for example, a photosensitive resin material such as polyimide, and surrounds a portion of the first electrode 110 that becomes a light emitting region of the light emitting unit 140. By providing the insulating layer 150, it is possible to suppress a short circuit between the first electrode 110 and the second electrode 130 at the edge of the first electrode 110.

また、発光装置１０は、第１端子１１２及び第２端子１３２を有している。第１端子１１２は第１電極１１０に接続しており、第２端子１３２は第２電極１３０に接続している。第１端子１１２及び第２端子１３２は、例えば、第１電極１１０と同一の材料で形成された層を有している。なお、第１端子１１２と第１電極１１０の間には引出配線が設けられていてもよい。また、第２端子１３２と第２電極１３０の間にも引出配線が設けられていてもよい。 In addition, the light emitting device 10 includes a first terminal 112 and a second terminal 132. The first terminal 112 is connected to the first electrode 110, and the second terminal 132 is connected to the second electrode 130. For example, the first terminal 112 and the second terminal 132 include a layer formed of the same material as that of the first electrode 110. A lead wiring may be provided between the first terminal 112 and the first electrode 110. In addition, a lead wiring may be provided between the second terminal 132 and the second electrode 130.

第１端子１１２には、ボンディングワイヤ又はリード端子などの導電部材（電子部品の一例）を介して制御回路の正極端子が接続され、第２端子１３２には、ボンディングワイヤ又はリード端子などの導電部材を介して制御回路の負極端子が接続される。ただし第１端子１１２及び第２端子１３２の少なくとも一方には、半導体パッケージなどの回路素子が直接接続されてもよい。 A positive terminal of a control circuit is connected to the first terminal 112 via a conductive member (an example of an electronic component) such as a bonding wire or a lead terminal, and a conductive member such as a bonding wire or a lead terminal is connected to the second terminal 132. Is connected to the negative terminal of the control circuit. However, a circuit element such as a semiconductor package may be directly connected to at least one of the first terminal 112 and the second terminal 132.

次に、図５を用いて、第１電極１１０の縁の構成について説明する。平面視において、第１電極１１０は複数の凸部１１１を有している。言い換えると、凸部１１１は第1電極基板１００の本体から基板１００に水平な方向に突出している。本図に示す例において凸部１１１は矩形であるが、凸部１１１の形状はこれに限られない。凸部１１１の幅ｗ_１は、例えば１０μｍ以上であり、凸部１１１の配置間隔ｗ_２は、例えば１０μｍ以上１００μｍ以下である。また、凸部１１１の配置間隔ｗ_２は、第１電極１１０の厚さの１／２よりも小さいのが好ましい。このようにすることで、絶縁層１５０と基板１００が直接接する面積を小さくすることができるので絶縁層１５０の剥離性が下がる（すなわち絶縁層１５０は剥離しにくくなる）。他方で、第１電極１１０によって発光装置１０全体の透過性が問題となる場合においては、凸部１１１の幅ｗ_１を１０μｍ程度にして、配置間隔ｗ_２を少なくとも50μｍ程度にすることで、透過性を確保できる。また本図に示す例では、凸部１１１の先端は、絶縁層１５０によって覆われている。このため、絶縁層１５０と第１電極１１０の接触面積は大きくなる。ただし、第２電極１３０を形成する際に、絶縁層１５０に覆われていない凸部１１１の先端と第２電極１３０が接触しないようにすれば、凸部１１１の先端は、絶縁層１５０によって覆われていなくてもよい。このようにすることで、絶縁層の面積を減らすことができ、発光装置１０の透過性を高める事が出来る。 Next, the configuration of the edge of the first electrode 110 will be described with reference to FIG. The first electrode 110 has a plurality of convex portions 111 in plan view. In other words, the protrusion 111 protrudes from the main body of the first electrode substrate 100 in the horizontal direction to the substrate 100. In the example shown in this figure, the convex part 111 is a rectangle, However, The shape of the convex part 111 is not restricted to this. The width w ₁ of the convex portion 111 is, for example, 10 μm or more, and the arrangement interval w ₂ of the convex portion 111 is, for example, 10 μm or more and 100 μm or less. Further, it is preferable that the arrangement interval w ₂ of the convex portions 111 is smaller than ½ of the thickness of the first electrode 110. By doing so, an area where the insulating layer 150 and the substrate 100 are in direct contact with each other can be reduced, so that the peelability of the insulating layer 150 is lowered (that is, the insulating layer 150 is difficult to peel). On the other hand, in the case where permeability of the entire light-emitting device 10 by the first electrode 110 becomes a problem, and the width w ₁ of the convex portion 111 to approximately 10 [mu] m, the arrangement interval w ₂ by at least 50μm approximately, transparent Can be secured. In the example shown in this figure, the tip of the convex portion 111 is covered with the insulating layer 150. For this reason, the contact area of the insulating layer 150 and the 1st electrode 110 becomes large. However, when the second electrode 130 is formed, the tip of the convex portion 111 is covered with the insulating layer 150 if the tip of the convex portion 111 that is not covered with the insulating layer 150 is not in contact with the second electrode 130. It does not have to be broken. By doing in this way, the area of an insulating layer can be reduced and the transparency of the light-emitting device 10 can be improved.

図６は、図５のＢ−Ｂ断面図である。本図及び図５に示すように、絶縁層１５０は、平面視において、凸部１１１の上及び凸部１１１の間に形成されている。このため、絶縁層１５０は、凸部１１１の上面及び側面に接している。このため、絶縁層１５０と第１電極１１０の接触面積を大きくすることができる。なお、図６に示す例において、絶縁層１５０は、基板１００のうち凸部１１１の間に位置する部分に接している。 6 is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. As shown in FIG. 5 and FIG. 5, the insulating layer 150 is formed on the convex portions 111 and between the convex portions 111 in plan view. For this reason, the insulating layer 150 is in contact with the upper surface and the side surface of the convex portion 111. For this reason, the contact area of the insulating layer 150 and the 1st electrode 110 can be enlarged. In the example shown in FIG. 6, the insulating layer 150 is in contact with a portion of the substrate 100 located between the convex portions 111.

なお、図３において、第１電極１１０は矩形を有しており、その一辺が第１端子１１２となっている。凸部１１１は、少なくとも第１電極１１０のうち第１端子１１２につながる２辺（辺１１４，１１８）に形成されている。ただし、凸部１１１は、第１電極１１０の残りの辺１１６にも形成されていてもよい。 In FIG. 3, the first electrode 110 has a rectangular shape, and one side thereof serves as the first terminal 112. The convex portion 111 is formed on at least two sides (sides 114 and 118) of the first electrode 110 connected to the first terminal 112. However, the convex portion 111 may also be formed on the remaining side 116 of the first electrode 110.

以上、本実施形態によれば、第１電極１１０の外周部の少なくとも一部（例えば図３の辺１１４，１１８）には、図５に示すように複数の凸部１１１が形成されている。そして絶縁層１５０は、平面視において複数の凸部１１１の上及びその間の領域に連続的に形成されている。従って、絶縁層１５０は、凸部１１１の上面及び側面のそれぞれに接する。このため、絶縁層１５０と第１電極１１０の接触面積は増加する。第１電極１１０と絶縁層１５０の密着力は、第１電極１１０と基板１００の密着力よりも高い。従って、絶縁層１５０が剥離することを抑制できる。特に第１電極１１０がＩＴＯやＩＺＯなどの無機酸化膜からなる透光性の電極であり、絶縁層１５０がポリイミドなどの感光性の樹脂材料であり、基板１００がガラスまたは樹脂である場合、第１電極１１０と絶縁層１５０の密着力は、第１電極１１０と基板１００の密着力よりも十分高い。従って、絶縁層１５０が剥離することを十分抑制できる。 As described above, according to the present embodiment, a plurality of convex portions 111 are formed on at least a part of the outer peripheral portion of the first electrode 110 (for example, the sides 114 and 118 in FIG. 3) as shown in FIG. The insulating layer 150 is continuously formed on the plurality of convex portions 111 and in a region between them in a plan view. Therefore, the insulating layer 150 is in contact with each of the upper surface and the side surface of the convex portion 111. For this reason, the contact area between the insulating layer 150 and the first electrode 110 increases. The adhesion between the first electrode 110 and the insulating layer 150 is higher than the adhesion between the first electrode 110 and the substrate 100. Therefore, it can suppress that the insulating layer 150 peels. In particular, when the first electrode 110 is a translucent electrode made of an inorganic oxide film such as ITO or IZO, the insulating layer 150 is a photosensitive resin material such as polyimide, and the substrate 100 is glass or resin, The adhesion between the first electrode 110 and the insulating layer 150 is sufficiently higher than the adhesion between the first electrode 110 and the substrate 100. Accordingly, it is possible to sufficiently suppress the insulating layer 150 from peeling off.

（実施例１）
図７は、実施例１に係る発光装置１０の要部の構成を示す平面図であり、実施形態における図５に対応している。図８は図７のＣ−Ｃ断面図であり、図９は図７のＤ−Ｄ断面図である。本実施例に係る発光装置１０は、以下の点を除いて実施形態に係る発光装置１０と同様の構成である。 Example 1
FIG. 7 is a plan view illustrating a configuration of a main part of the light emitting device 10 according to Example 1, and corresponds to FIG. 5 in the embodiment. 8 is a sectional view taken along the line CC in FIG. 7, and FIG. 9 is a sectional view taken along the line DD in FIG. The light emitting device 10 according to this example has the same configuration as the light emitting device 10 according to the embodiment except for the following points.

まず、第１電極１１０の凸部１１１の端面は、絶縁層１５０で覆われていない。その代わりに、図８に示すように、凸部１１１の端面は有機層１２０で覆われている。詳細には、有機層１２０は、発光部１４０から、絶縁層１５０を超えて絶縁層１５０の周囲まで連続的に形成されている。また、第２電極１３０の縁は絶縁層１５０上に位置している。 First, the end surface of the convex portion 111 of the first electrode 110 is not covered with the insulating layer 150. Instead, as shown in FIG. 8, the end surface of the convex portion 111 is covered with the organic layer 120. Specifically, the organic layer 120 is continuously formed from the light emitting unit 140 to the periphery of the insulating layer 150 beyond the insulating layer 150. The edge of the second electrode 130 is located on the insulating layer 150.

本実施例によっても、実施形態と同様に、絶縁層１５０と第１電極１１０の接触面積は増加するため、絶縁層１５０が剥離することを抑制できる。また、絶縁層１５０の端の少なくとも一部は絶縁層１５０に接しているため、絶縁層１５０が端から剥離することを抑制できる。また、第２電極１３０の端面は絶縁層１５０上に位置しているため、第１電極１１０と第２電極１３０が短絡することを抑制できる。さらに、凸部１１１の端面は有機層１２０によって覆われている。従って、凸部１１１の端面が絶縁層１５０で覆われていなくても、第１電極１１０と第２電極１３０が短絡することを抑制できる。 Also in this example, as in the embodiment, the contact area between the insulating layer 150 and the first electrode 110 is increased, and thus the peeling of the insulating layer 150 can be suppressed. In addition, since at least a part of the end of the insulating layer 150 is in contact with the insulating layer 150, the insulating layer 150 can be prevented from peeling from the end. Moreover, since the end surface of the 2nd electrode 130 is located on the insulating layer 150, it can suppress that the 1st electrode 110 and the 2nd electrode 130 are short-circuited. Furthermore, the end surface of the convex part 111 is covered with the organic layer 120. Therefore, even if the end surface of the convex part 111 is not covered with the insulating layer 150, it can suppress that the 1st electrode 110 and the 2nd electrode 130 short-circuit.

（実施例２）
図１０は、実施例２に係る発光装置１０の要部の構成を示す平面図であり、実施例１における図７に対応している。本実施例に係る発光装置１０は、凸部１１１の付け根の平面形状がなだらかに湾曲している（例えば半円状になっている）点を除いて、実施例１に係る発光装置１０と同様の構成である。 (Example 2)
FIG. 10 is a plan view illustrating a configuration of a main part of the light emitting device 10 according to the second embodiment, and corresponds to FIG. 7 in the first embodiment. The light emitting device 10 according to the present example is the same as the light emitting device 10 according to the example 1 except that the planar shape of the base of the convex portion 111 is gently curved (for example, semicircular). It is the composition.

本実施例によっても、実施例１と同様に、絶縁層１５０が端から剥離することを抑制できる。また、第１電極１１０と第２電極１３０が短絡することを抑制できる。 Also according to the present embodiment, as in the first embodiment, the insulating layer 150 can be prevented from peeling from the end. Moreover, it can suppress that the 1st electrode 110 and the 2nd electrode 130 are short-circuited.

（実施例３）
図１１は、実施例３に係る発光装置１０の要部の構成を示す平面図であり、実施例１における図７に対応している。本実施例に係る発光装置１０は、凸部１１１の間において絶縁層１５０が形成されていない領域がある点を除いて、実施例１に係る発光装置１０と同様の構成である。詳細には、平面視において、絶縁層１５０は、凸部１１１の間の領域と重なる部分に、凹部１５２を有している。凹部１５２の先端は丸められている。ただし凹部１５２の平面形状は矩形であってもよい。 (Example 3)
FIG. 11 is a plan view illustrating a configuration of a main part of the light emitting device 10 according to the third embodiment, and corresponds to FIG. 7 in the first embodiment. The light emitting device 10 according to the present example has the same configuration as the light emitting device 10 according to the example 1 except that there is a region where the insulating layer 150 is not formed between the convex portions 111. Specifically, the insulating layer 150 has a concave portion 152 in a portion overlapping the region between the convex portions 111 in plan view. The tip of the recess 152 is rounded. However, the planar shape of the recess 152 may be rectangular.

なお、図１２に示すように、凸部１１１の形状を実施例２と同様にしてもよい。 In addition, as shown in FIG. 12, the shape of the convex part 111 may be the same as that of the second embodiment.

以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。 As mentioned above, although embodiment and the Example were described with reference to drawings, these are illustrations of this invention and can also employ | adopt various structures other than the above.

１０発光装置
１００基板
１１０第１電極
１１１凸部
１２０有機層
１３０第２電極
１４０発光部
１５０絶縁層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Light-emitting device 100 Substrate 110 1st electrode 111 Protruding part 120 Organic layer 130 Second electrode 140 Light-emitting part 150 Insulating layer

Claims

A substrate,
A light emitting part formed on the substrate;
With
The light emitting unit
A first electrode;
A second electrode;
An insulating layer covering an edge of the first electrode;
An organic layer positioned between the first electrode and the second electrode;
With
In a plan view, a plurality of convex portions are formed on at least a part of the edge of the first electrode,
The insulating layer is a light emitting device in contact with upper surfaces of the plurality of convex portions and side surfaces of the plurality of convex portions.

The light-emitting device according to claim 1.
The insulating layer is a light emitting device that does not cover an end face of the convex portion.

The light-emitting device according to claim 2.
The edge of the said 2nd electrode is a light-emitting device located on the said insulating layer.

In the light-emitting device as described in any one of Claims 1-3,
The first electrode is a translucent electrode;
The insulating layer is formed of a photosensitive resin material,
The light emitting device, wherein the substrate is made of glass or resin.