JP2016082190A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1に、本発明の第1実施形態に係るプラズマ処理装置である誘導結合プラズマ(ICP)型のドライエッチング装置10の構成を示す。ドライエッチング装置10は、減圧可能な反応室1aを有する容器1と、反応室1a内で被処理物である基板15を支持する下部電極2と、容器1の開口を塞ぐとともに被処理物15と対向する誘電体部材3と、誘電体部材3の反応室1aに対して外側に設置され、反応室1a内にプラズマを発生させるコイル4とを備える。
まず、一方の表面(第一表面)に溝3aが形成された円盤状の誘電体部材3を準備する。誘電体部材3において、溝3aの無い部分の厚みは例えば10〜40mmである。
本実施形態に係るプラズマ処理装置は、誘電体部材が、反応室側の面(第二表面)に、平坦な底面を有する凹部を有すること、および、電極層19が、この凹部の中に形成されていること以外、第1実施形態と同様である。図6は、本実施形態に係る誘電体部材と電極層の構成を模式的に示す縦断面図であり、凹部は、図示されていない第2ホルダ18と誘電体部材3との接触部分以外の部分に形成されている。第1実施形態の各要素に対応する本実施形態の各要素には、同じ符号を付している。
本実施形態に係るプラズマ処理装置は、誘電体部材の溝の形状と、誘電体部材とコイルの位置関係が異なること以外、第1実施形態と同様である。図7(a)は、本実施形態に係る誘電体部材とコイルの配置を模式的に示す縦断面図である。図7(b)は、本実施形態に係る誘電体部材の平面図である。第1実施形態の各要素に対応する本実施形態の各要素には、同じ符号を付している。なお、図7(b)では、便宜上、導体4aを省略している。
本実施形態に係るプラズマ処理装置は、コイルの形状、誘電体部材の溝の形状、並びに誘電体部材とコイルの位置関係が異なること以外、第1実施形態と同様である。図8(a)は、本実施形態に係る誘電体部材とコイルの配置を模式的に示す縦断面図である。図8(b)は、本実施形態に係る誘電体部材の平面図であり、コイル4の位置が破線で示されている。第1実施形態の各要素に対応する本実施形態の各要素には、同じ符号を付している。なお、図8(b)では、便宜上、導体4aを省略している。
Claims (14)
- 減圧可能な反応室を有する容器と、
前記反応室内で被処理物を支持する下部電極と、
前記容器の開口を塞ぐとともに前記被処理物と対向する誘電体部材と、
前記誘電体部材の前記反応室に対して外側に設置され、前記反応室内にプラズマを発生させるコイルと、を備え、
前記誘電体部材の前記反応室側の面に、電極パターンと、前記電極パターンを被覆する絶縁膜と、が形成されている、プラズマ処理装置。 - 前記電極パターンが、前記誘電体部材を加熱するための電熱ヒータを含む、請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記電極パターンが、前記誘電体部材に高周波電力を印加することにより前記反応室内のプラズマと容量結合させるための平板電極を含む、請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記電極パターンが溶射により形成されている、請求項1〜3のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記誘電体部材の前記反応室側の面に、第1電極パターンと、前記第1電極パターンを被覆する第1絶縁膜と、が形成されており、
前記第1絶縁膜の表面に、第2電極パターンと、前記第2電極パターンを被覆する第2絶縁膜と、が形成されており、
前記第1電極パターンおよび前記第2電極パターンの一方が、前記誘電体部材を加熱するための電熱ヒータであり、他方が、前記誘電体部材に高周波電力を印加することにより前記反応室内のプラズマと容量結合させるための平板電極である、請求項1に記載のプラズマ処理装置。 - 前記第1電極パターンが前記電熱ヒータであり、前記第2電極パターンが前記平板電極である、請求項5に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1電極パターンおよび前記第2電極パターンの少なくともいずれか一方が、溶射により形成されている、請求項5または6に記載のプラズマ処理装置。
- 前記誘電体部材を、前記誘電体部材に対して垂直な方向から見たとき、前記電熱ヒータが前記平板電極からはみ出さないように配置されている、請求項5〜7のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記誘電体部材の前記反応室側の面が、平坦部を有しており、
前記電極パターンが、前記平坦部に形成されている、請求項1〜8のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記誘電体部材の前記反応室に対して外側の面に溝が形成されており、
前記コイルの少なくとも一部が、前記溝の中に配置されている、請求項1〜9のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記溝が、前記コイルの中心と同じ中心を有する環状である、請求項10に記載のプラズマ処理装置。
- 前記溝が、前記中心から外側に向かって連続的または段階的に深くなっている、請求項11に記載のプラズマ処理装置。
- 前記コイルを形成する長さLの導体を、中心から0.5Lまでの中心側部分と、残りの外周側部分とに区分するとき、中心側部分が前記溝の中に配置される割合よりも、外周側部分が前記溝の中に配置される割合が大きい、請求項10〜12のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記中心側部分のコイル密度よりも、前記外周側部分のコイル密度が大きい、請求項13に記載のプラズマ処理装置。
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