JP2016081317A - Structure analysis method, structure analysis device and program - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce irregularity on a mount surface of a substrate including a plurality of wiring layers.SOLUTION: A computer 1 divides each of wiring layers 4a-4c into regions (finite elements) 5 of the first size, and on the basis of design data 6a of a multilayer wiring board 4, allocates material information showing material included in each of a plurality of finite elements 5 to each of the plurality of finite elements 5. The computer 1 divides the multilayer wiring board 4 into a plurality of regions A-C by surfaces 4e and 4f perpendicular to a mount surface 4d and calculates, among the plurality of finite elements 5, on the basis of the material information allocated to elements (e.g. finite elements 5a-5i in the region B) included in each of the regions A-C, a percentage content of conductive material in each of the regions A-C. The computer 1 then replaces the conductive material in the regions A-C with non-conductive material so that the percentage content falls within the first range by, for example, replacing the material information allocated to the finite elements 5a-5i.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、構造解析方法、構造解析装置及びプログラムに関する。   The present invention relates to a structure analysis method, a structure analysis apparatus, and a program.

複数の配線層を含む基板(以下多層配線基板という)に電子部品を実装する際、はんだ付け工程の熱荷重によって、多層配線基板に反りが生じてしまうことがある。多層配線基板に生じる反りは、多層配線基板に実装される電子部品のバンプ接合部等に未着やショート等を引き起こし、製品の歩留まりを低下させてしまう。   When an electronic component is mounted on a substrate including a plurality of wiring layers (hereinafter referred to as a multilayer wiring substrate), the multilayer wiring substrate may be warped due to a thermal load in a soldering process. The warpage generated in the multilayer wiring board causes non-attachment or short-circuiting at a bump joint portion or the like of an electronic component mounted on the multilayer wiring board, thereby reducing the product yield.

そこで、CAD(Computer Aided Design)と有限要素法を組み合わせて、はんだ付け工程の際に多層配線基板に生じる反りをコンピュータシミュレーションで予め解析する方法が知られている。この事前予測によって、実装過程において生じる反りが少ない多層配線基板へと設計変更することができる。   In view of this, a method is known in which CAD (Computer Aided Design) and a finite element method are combined to preliminarily analyze warpage generated in a multilayer wiring board during a soldering process by computer simulation. By this prior prediction, the design can be changed to a multilayer wiring board with less warpage occurring in the mounting process.

特開2004−13437号公報JP 2004-13437 A 特開2006−209629号公報JP 2006-209629 A 特開2000−277927号公報JP 2000-277927 A

ところで、多層配線基板の実装面の下に位置する配線等の導電材料の含有率が場所によって異なると、はんだ付け工程の際に、多層配線基板の実装面に凹凸が生じてしまうことがある。多層配線基板に生じる反りと比較して、基板の形状に影響が少ない凹凸であっても、近年、多層配線基板に実装される電子部品等の高密度化が進んでいるため、実装不良(例えば、電子部品等の電気的な接続不良やショート)を引き起こしてしまうことがある。   By the way, if the content of conductive material such as wiring located below the mounting surface of the multilayer wiring board varies depending on the location, irregularities may occur on the mounting surface of the multilayer wiring board during the soldering process. Even with unevenness that has less influence on the shape of the board compared to the warp that occurs in the multilayer wiring board, since the density of electronic components mounted on the multilayer wiring board has been increasing in recent years, mounting defects (for example, Electrical connection failure or short circuit of electronic components, etc.).

そのため、多層配線基板の実装面の凹凸を軽減することが課題である。   Therefore, it is a problem to reduce the unevenness of the mounting surface of the multilayer wiring board.

発明の一観点によれば、コンピュータシミュレーションによって複数の配線層を含む基板の構造を解析する構造解析方法であって、コンピュータが、前記複数の配線層のそれぞれを、第1の大きさの複数の第1の領域に分割し、前記基板の設計データに基づき、前記複数の第1の領域のそれぞれに含まれる材料を示す材料情報を、前記複数の第1の領域のそれぞれに割り当て、前記基板を、前記基板の実装面に垂直な面で複数の第2の領域に分割し、前記複数の第1の領域のうち、前記複数の第2の領域のそれぞれに含まれる第3の領域に割り当てられた前記材料情報に基づき、前記複数の第2の領域のそれぞれにおける導電材料の第1の含有率を求め、前記複数の第2の領域のそれぞれにおいて、前記第1の含有率が第1の範囲に収まるように、前記第3の領域に割り当てられた前記材料情報を書き換えることで、前記複数の第2の領域内の導電材料と非導電材料との置き換えを行う、構造解析方法が提供される。   According to one aspect of the invention, there is provided a structural analysis method for analyzing a structure of a substrate including a plurality of wiring layers by computer simulation, wherein the computer converts each of the plurality of wiring layers to a plurality of first sizes. Dividing into first regions, and assigning material information indicating materials contained in each of the plurality of first regions to each of the plurality of first regions based on the design data of the substrate, , And is divided into a plurality of second regions on a surface perpendicular to the mounting surface of the substrate, and is assigned to a third region included in each of the plurality of second regions among the plurality of first regions. The first content rate of the conductive material in each of the plurality of second regions is obtained based on the material information, and the first content rate is in the first range in each of the plurality of second regions. Fits in To, by rewriting the material information assigned to the third area, performing replacement of the conductive material and the non-conductive material of said plurality of second regions, structural analysis method is provided.

また、発明の一観点によれば、コンピュータシミュレーションによって複数の配線層を含む基板の構造を解析する構造解析装置であって、プロセッサを有し、前記プロセッサは、前記複数の配線層のそれぞれを、第1の大きさの複数の第1の領域に分割し、前記基板の設計データに基づき、前記複数の第1の領域のそれぞれに含まれる材料を示す材料情報を、前記複数の第1の領域のそれぞれに割り当て、前記基板を、前記基板の実装面に垂直な面で複数の第2の領域に分割し、前記複数の第1の領域のうち、前記複数の第2の領域のそれぞれに含まれる第3の領域に割り当てられた前記材料情報に基づき、前記複数の第2の領域のそれぞれにおける導電材料の第1の含有率を求め、前記複数の第2の領域のそれぞれにおいて、前記第1の含有率が第1の範囲に収まるように、前記第3の領域に割り当てられた前記材料情報を書き換えることで、前記複数の第2の領域内の導電材料と非導電材料との置き換えを行う、構造解析装置が提供される。   According to another aspect of the invention, there is provided a structural analysis apparatus that analyzes a structure of a substrate including a plurality of wiring layers by computer simulation, the processor including a processor, wherein the processor includes each of the plurality of wiring layers, Material information indicating materials contained in each of the plurality of first regions is divided into a plurality of first regions having a first size and based on the design data of the substrate. And the board is divided into a plurality of second areas on a plane perpendicular to the mounting surface of the board, and included in each of the plurality of second areas among the plurality of first areas. The first content rate of the conductive material in each of the plurality of second regions is obtained based on the material information assigned to the third region, and the first content rate is determined in each of the plurality of second regions. Including A structure that replaces the conductive material and the non-conductive material in the plurality of second regions by rewriting the material information assigned to the third region so that the rate falls within the first range. An analysis device is provided.

また、発明の一観点によれば、コンピュータシミュレーションによって複数の配線層を含む基板の構造を解析する処理をコンピュータに実行させるプログラムであって、複数の配線層を含む基板において、前記複数の配線層のそれぞれを、第1の大きさの複数の第1の領域に分割し、前記基板の設計データに基づき、前記複数の第1の領域のそれぞれに含まれる材料を示す材料情報を、前記複数の第1の領域のそれぞれに割り当て、前記基板を、前記基板の実装面に垂直な面で複数の第2の領域に分割し、前記複数の第1の領域のうち、前記複数の第2の領域のそれぞれに含まれる第3の領域に割り当てられた前記材料情報に基づき、前記複数の第2の領域のそれぞれにおける導電材料の第1の含有率を求め、前記複数の第2の領域のそれぞれにおいて、前記第1の含有率が第1の範囲に収まるように、前記第3の領域に割り当てられた前記材料情報を書き換えることで、前記複数の第2の領域内の導電材料と非導電材料との置き換えを行う、処理を前記コンピュータに実行させるプログラムが提供される。   According to another aspect of the invention, there is provided a program for causing a computer to execute a process of analyzing a structure of a substrate including a plurality of wiring layers by computer simulation, wherein the plurality of wiring layers are included in the substrate including the plurality of wiring layers. Are divided into a plurality of first regions of a first size, and based on the design data of the substrate, material information indicating materials included in each of the plurality of first regions is Assigning to each of the first regions, dividing the substrate into a plurality of second regions on a plane perpendicular to the mounting surface of the substrate, and among the plurality of first regions, the plurality of second regions The first content rate of the conductive material in each of the plurality of second regions is obtained based on the material information assigned to the third region included in each of the plurality of second regions, and each of the plurality of second regions is obtained. In this case, the material information assigned to the third region is rewritten so that the first content rate falls within the first range, whereby the conductive material and the non-conductive material in the plurality of second regions are rewritten. There is provided a program for causing the computer to execute a process for performing replacement.

開示の構造解析方法、構造解析装置及びプログラムによれば、複数の配線層を含む基板の実装面の凹凸を軽減できる。   According to the disclosed structure analysis method, structure analysis apparatus, and program, unevenness on the mounting surface of a substrate including a plurality of wiring layers can be reduced.

第1の実施の形態の多層配線基板の構造解析方法の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the structure-analysis method of the multilayer wiring board of 1st Embodiment. 本実施の形態に用いるコンピュータのハードウェアの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the hardware of the computer used for this Embodiment. 構造解析対象となる多層配線基板の一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example of the multilayer wiring board used as structural analysis object. 第2の実施の形態の多層配線基板の構造解析方法の一例の流れを説明するフローチャートである。It is a flowchart explaining the flow of an example of the structural analysis method of the multilayer wiring board of 2nd Embodiment. 配線層における有限要素への分割の一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example of the division | segmentation into a finite element in a wiring layer. 配線層におけるメッシュの設定の一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example of the setting of the mesh in a wiring layer. 多層配線基板を複数の領域に分割する一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example which divides | segments a multilayer wiring board into a several area | region. 材料情報の書き換え対象とする有限要素の一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example of the finite element made into the rewriting object of material information. 材料情報の書き換え前の多層配線基板の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the multilayer wiring board before rewriting of material information. 材料情報の書き換え後の多層配線基板の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the multilayer wiring board after rewriting of material information. 第2の実施の形態の構造解析方法の解析結果に基づいて設計された多層配線基板の製造時の一例の様子を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the mode of an example at the time of manufacture of the multilayer wiring board designed based on the analysis result of the structure analysis method of 2nd Embodiment. 第2の実施の形態の構造解析方法の解析結果に基づいて設計された多層配線基板の形成例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the example of formation of the multilayer wiring board designed based on the analysis result of the structure analysis method of 2nd Embodiment. 銅材質の材料と非銅材質の材料との置き換えを行わなかった場合の多層配線基板の製造時の一例の様子を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the mode of an example at the time of manufacture of the multilayer wiring board at the time of not replacing with the material of a copper material, and the material of a non-copper material. 銅材質の材料と非銅材質の材料との置き換えを行わなかった場合の多層配線基板の形成例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the example of formation of a multilayer wiring board at the time of not replacing with the material of a copper material, and the material of a non-copper material. 領域分割の他の例を示す半導体装置の上面図である。It is a top view of the semiconductor device which shows the other example of area division. 領域分割の他の例を示す半導体装置の断面図である。It is sectional drawing of the semiconductor device which shows the other example of area | region division. 材料情報の書き換え後の半導体装置の断面図である。It is sectional drawing of the semiconductor device after rewriting of material information.

以下、発明を実施するための形態を、図面を参照しつつ説明する。
(第1の実施の形態)
本実施の形態の構造解析方法は、コンピュータシミュレーションによって複数の配線層を含む基板(以下多層配線基板という)の構造を解析するものである。
Hereinafter, embodiments for carrying out the invention will be described with reference to the drawings.
(First embodiment)
The structure analysis method of the present embodiment analyzes the structure of a substrate (hereinafter referred to as a multilayer wiring substrate) including a plurality of wiring layers by computer simulation.

図1は、第1の実施の形態の多層配線基板の構造解析方法の一例を示す図である。
多層配線基板の構造解析方法は、構造解析装置1によって実行される。
構造解析装置1は、例えば、コンピュータであり、プロセッサ2と記憶部3を有している。プロセッサ2は、記憶部3に記憶されているデータ及びプログラムに基づき、以下のような構造解析方法を実行する。
FIG. 1 is a diagram illustrating an example of a structure analysis method for a multilayer wiring board according to the first embodiment.
The structure analysis method for the multilayer wiring board is executed by the structure analysis apparatus 1.
The structural analysis apparatus 1 is a computer, for example, and includes a processor 2 and a storage unit 3. The processor 2 executes the following structure analysis method based on data and programs stored in the storage unit 3.

記憶部3は、プロセッサ2が実行するプロブラムや、各種データを記憶する。例えば、記憶部3は、多層配線基板の設計データ6a、材料物性情報6bを記憶する。
設計データ6aは、多層配線基板の配線パターンや多層配線基板の形状を示すCAD(Computer Aided Design)データである。
The storage unit 3 stores programs executed by the processor 2 and various data. For example, the storage unit 3 stores design data 6a and material property information 6b of the multilayer wiring board.
The design data 6a is CAD (Computer Aided Design) data indicating the wiring pattern of the multilayer wiring board and the shape of the multilayer wiring board.

材料物性情報6bは、多層配線基板に含まれる材料の物性値を含むデータである。材料の物性値は、例えば、材料の弾性率、熱膨張係数、密度等である。
まず、プロセッサ2は、記憶部3から設計データ6aを読み出し、多層配線基板において、複数の配線層のそれぞれを、ある大きさの領域(以下有限要素という)に分割する(ステップS1)。有限要素は、例えば、各有限要素の材料が特定できる程度の大きさの微小な立方体である。
The material physical property information 6b is data including physical property values of materials included in the multilayer wiring board. The physical property value of the material is, for example, the elastic modulus, thermal expansion coefficient, density, etc. of the material.
First, the processor 2 reads the design data 6a from the storage unit 3, and divides each of the plurality of wiring layers into a certain size area (hereinafter referred to as a finite element) in the multilayer wiring board (step S1). The finite element is, for example, a small cube having a size that allows the material of each finite element to be specified.

図1の例では、3層の多層配線基板4の配線層4a,4b,4cを、有限要素5に分割した例が示されている。
次に、プロセッサ2は、設計データ6aに基づき、複数の有限要素のそれぞれに含まれる材料を示す材料情報を、それぞれの有限要素に割り当てる(ステップS2)。材料情報とは、例えば、銅、プリプレグといった材料名を含む情報である。後述のように、プロセッサ2は、例えば、多層配線基板の設計データから、各有限要素の位置に対応する座標を用いて、各有限要素の多層配線基板における位置から材料を特定し、有限要素に材料情報を割り当てることができる。例えば、有限要素の多層配線基板における位置が配線上であれば、その有限要素に含まれる材料は、導電材料(例えば、銅材質の材料)であると特定することができる。
In the example of FIG. 1, an example is shown in which the wiring layers 4 a, 4 b, 4 c of the three-layer multilayer wiring board 4 are divided into finite elements 5.
Next, the processor 2 assigns material information indicating materials included in each of the plurality of finite elements to each finite element based on the design data 6a (step S2). The material information is information including material names such as copper and prepreg. As will be described later, the processor 2 specifies the material from the position of each finite element in the multilayer wiring board by using the coordinates corresponding to the position of each finite element from the design data of the multilayer wiring board, for example, and converts it into the finite element. Material information can be assigned. For example, if the position of the finite element on the multilayer wiring board is on the wiring, the material included in the finite element can be specified as a conductive material (for example, a copper material).

なお、1つの有限要素に導電材料と非導電材料が含まれる場合には、例えば、プロセッサ2は、その有限要素において各材料が含まれる比率に応じて、割り当てる材料を特定するようにしてもよい。   When one finite element includes a conductive material and a non-conductive material, for example, the processor 2 may specify the material to be allocated according to the ratio of each material included in the finite element. .

その後、プロセッサ2は、多層配線基板を、多層配線基板の実装面に垂直な面で複数の領域に分割する(ステップS3)。
図1では、多層配線基板4を、実装面4dに垂直な面4e,4fで3つの領域A,B,Cに分割した例が示されている。領域は、3つではなく2つまたは4つ以上に分割するようにしてもよい。
Thereafter, the processor 2 divides the multilayer wiring board into a plurality of regions on a plane perpendicular to the mounting surface of the multilayer wiring board (step S3).
FIG. 1 shows an example in which the multilayer wiring board 4 is divided into three regions A, B, and C by planes 4e and 4f perpendicular to the mounting surface 4d. The area may be divided into two or four or more instead of three.

ステップS3の処理の後、プロセッサ2は、複数の有限要素のうち、分割した各領域に含まれる有限要素に割り当てられた材料情報に基づき、各領域のそれぞれにおける導電材料の含有率を算出する(ステップS4)。   After the process of step S3, the processor 2 calculates the content ratio of the conductive material in each region based on the material information assigned to the finite element included in each divided region among the plurality of finite elements ( Step S4).

図1の例では、領域A〜Cは、それぞれ9×N個の有限要素を有しており、これらの有限要素に割り当てられた材料情報から、各領域A〜Cにおける導電材料の含有率が算出される。   In the example of FIG. 1, each of the areas A to C has 9 × N finite elements, and the content of the conductive material in each of the areas A to C is determined from the material information assigned to these finite elements. Calculated.

その後、プロセッサ2は、各領域において、導電材料の含有率が所定の範囲に収まるように、各領域内の有限要素に割り当てられた材料情報を書き換えることで、複数の領域内の導電材料と非導電材料との置き換えを行う(ステップS5)。   After that, the processor 2 rewrites the material information assigned to the finite element in each region so that the content of the conductive material is within a predetermined range in each region, so that the non-conductive material in the plurality of regions Replacement with a conductive material is performed (step S5).

図1の例では、領域A〜Cにおける導電材料の含有率がそれぞれA0,A1,A2であり、A0とA2は、所定の範囲内(T1<A0<T2、T1<A2<T2)であり、A1は、所定の範囲外(A1<T1)であるものとしている。所定の範囲は、面方向の凹凸の許容範囲に応じて、例えば、40%〜50%の範囲等と設定される。   In the example of FIG. 1, the content ratios of the conductive materials in the regions A to C are A0, A1, and A2, respectively, and A0 and A2 are within a predetermined range (T1 <A0 <T2, T1 <A2 <T2). , A1 is assumed to be outside a predetermined range (A1 <T1). The predetermined range is set, for example, as a range of 40% to 50% or the like according to the allowable range of unevenness in the surface direction.

領域Bの導電材料の含有率が、上記のように所定の範囲外である場合、プロセッサ2は、領域B内の有限要素に割り当てられた材料情報を書き換えることで、複数の領域内の導電材料と非導電材料との置き換えを行う。説明を簡単にするために、図1の領域Bの1列目の9つの有限要素に着目する。例えば、領域Bは有限要素5a,5b,5c,5d,5e,5f,5g,5h,5iを有している。このうち、斜線が施された有限要素5b,5d,5hに割り当てられている材料情報は、これらの有限要素5b,5d,5hが導電材料であることを示すものである。それ以外の有限要素5a,5c,5e〜5g,5iに割り当てられている材料情報は、これらの有限要素5a,5c,5e〜5g,5iが非導電材料であることを示すものである。   When the content rate of the conductive material in the region B is out of the predetermined range as described above, the processor 2 rewrites the material information assigned to the finite element in the region B, so that the conductive material in the plurality of regions is rewritten. And non-conductive materials are replaced. In order to simplify the description, attention is paid to nine finite elements in the first column of the region B in FIG. For example, the region B has finite elements 5a, 5b, 5c, 5d, 5e, 5f, 5g, 5h, and 5i. Of these, the material information assigned to the finite elements 5b, 5d, and 5h that are shaded indicates that these finite elements 5b, 5d, and 5h are conductive materials. The material information assigned to the other finite elements 5a, 5c, 5e-5g, 5i indicates that these finite elements 5a, 5c, 5e-5g, 5i are non-conductive materials.

上記の例では、領域Bの導電材料の含有率が、A1<T1となり、所定の範囲よりも低いため、プロセッサ2は、図1のように、例えば、領域Bに含まれる有限要素5fに割り当てられている材料情報を書き換え、導電材料を示すものとする。つまり、プロセッサ2は、有限要素5fに対応する材料を、非導電材料から導電材料に置き換える。これによって、領域Bにおける導電材料の含有率が増える。置き換え後の、領域Bの含有率(A3)が上記の範囲内(T1<A3<2)となると、ステップS5の処理が終わる。   In the above example, the content ratio of the conductive material in the region B is A1 <T1, which is lower than the predetermined range. Therefore, the processor 2 assigns the finite element 5f included in the region B as illustrated in FIG. The material information is rewritten to indicate the conductive material. That is, the processor 2 replaces the material corresponding to the finite element 5f from the nonconductive material to the conductive material. This increases the content of the conductive material in the region B. When the content rate (A3) of the region B after replacement is within the above range (T1 <A3 <2), the process of step S5 ends.

その後、プロセッサ2は、記憶部3から材料物性情報6bを読み出し、多層配線基板の構造解析を実行する(ステップS6)。プロセッサ2は、例えば、各領域の有限要素に割り当てられた材料情報で示されている材料の物性値から、各領域の導電材料及び非導電材料の密度、弾性率、熱膨張係数等を算出し、多層配線基板の面方向に生じる凹凸等を解析する。   Thereafter, the processor 2 reads the material property information 6b from the storage unit 3 and executes the structural analysis of the multilayer wiring board (step S6). For example, the processor 2 calculates the density, elastic modulus, thermal expansion coefficient, and the like of the conductive material and the non-conductive material in each region from the physical property values of the material indicated by the material information assigned to the finite element in each region. The unevenness generated in the surface direction of the multilayer wiring board is analyzed.

なお、プロセッサ2は、材料物性情報6bを、ステップS2の処理の際に、各有限要素に割り当て、ステップS5の処理で導電材料と非導電材料との置き換えが行われた有限要素については、材料物性情報6bを割り当て直すようにしてもよい。   The processor 2 assigns the material physical property information 6b to each finite element during the process of step S2, and the finite element in which the conductive material and the non-conductive material are replaced in the process of step S5 is the material. The physical property information 6b may be reassigned.

上記の構造解析結果に基づいて多層配線基板が設計される。ステップS5の処理により、ある有限要素において導電材料と非導電材料との置き換えが行われた場合、例えば、その有限要素の位置に基づき、配線の配置位置の変更等が行われる。また、非導電材料から導電材料への置き換えが行われた有限要素に対応する部分には、例えば、ダミーパターンを設け、導電材料の割合が増えるようにしてもよい。   A multilayer wiring board is designed based on the above structural analysis result. When the conductive material and the non-conductive material are replaced in a certain finite element by the processing in step S5, for example, the arrangement position of the wiring is changed based on the position of the finite element. In addition, for example, a dummy pattern may be provided in a portion corresponding to the finite element in which the non-conductive material is replaced with the conductive material so that the ratio of the conductive material is increased.

以上のように本実施の形態の構造解析方法及び構造解析装置では、多層配線基板の構造解析時、多層配線基板を実装面に垂直な面で複数領域に分割し、各領域の導電材料の含有率が所定の範囲内に収まるよう導電材料と非導電材料との置き換えが行われる。これにより、領域間の導電材料の含有率のバラつきが減り、多層配線基板の面方向の凹凸が軽減される。実装面の凹凸が少なくなるため、実装不良(例えば、電子部品等の電気的な接続不良やショート)の発生が抑制される。   As described above, in the structural analysis method and the structural analysis apparatus of the present embodiment, during the structural analysis of the multilayer wiring board, the multilayer wiring board is divided into a plurality of regions on a surface perpendicular to the mounting surface, and the conductive material in each region is contained. The conductive material and the non-conductive material are replaced so that the rate falls within a predetermined range. Thereby, the variation in the content rate of the conductive material between the regions is reduced, and the unevenness in the surface direction of the multilayer wiring board is reduced. Since the unevenness of the mounting surface is reduced, the occurrence of mounting defects (for example, electrical connection defects such as electronic components or short circuits) is suppressed.

(第2の実施の形態)
以下、多層配線基板の面方向の凹凸の軽減だけでなく、反りの抑制をも考慮して、より品質のよい多層配線基板を実現するための構造解析方法の一例を説明する。
(Second Embodiment)
Hereinafter, an example of a structural analysis method for realizing a multilayer wiring board with higher quality will be described in consideration of not only the reduction of unevenness in the surface direction of the multilayer wiring board but also suppression of warpage.

第2の実施の形態の多層配線基板の構造解析方法は、例えば、以下に示すようなコンピュータによって実行される。
図2は、本実施の形態に用いるコンピュータのハードウェアの一例を示す図である。
The structure analysis method for a multilayer wiring board according to the second embodiment is executed by a computer as shown below, for example.
FIG. 2 is a diagram illustrating an example of computer hardware used in this embodiment.

コンピュータ20は、プロセッサ21によって装置全体が制御されている。プロセッサ21には、バス29を介してRAM(Random Access Memory)22と複数の周辺機器が接続されている。プロセッサ21は、マルチプロセッサであってもよい。プロセッサ21は、例えばCPU(Central Processing Unit)、MPU(Micro Processing Unit)、DSP(Digital Signal Processor)、ASIC(Application Specific Integrated Circuit)、またはPLD(Programmable Logic Device)である。またプロセッサ21は、CPU、MPU、DSP、ASIC、PLDのうちの2以上の要素の組み合わせであってもよい。   The entire computer 20 is controlled by a processor 21. The processor 21 is connected to a RAM (Random Access Memory) 22 and a plurality of peripheral devices via a bus 29. The processor 21 may be a multiprocessor. The processor 21 is, for example, a central processing unit (CPU), a micro processing unit (MPU), a digital signal processor (DSP), an application specific integrated circuit (ASIC), or a programmable logic device (PLD). The processor 21 may be a combination of two or more elements among CPU, MPU, DSP, ASIC, and PLD.

RAM22は、コンピュータ20の主記憶装置として使用される。RAM22には、プロセッサ21に実行させるOS(Operating System)のプログラムやアプリケーションプログラムの少なくとも一部が一時的に格納される。また、RAM22には、プロセッサ21による処理に必要な各種データが格納される。   The RAM 22 is used as a main storage device of the computer 20. The RAM 22 temporarily stores at least part of an OS (Operating System) program and application programs to be executed by the processor 21. The RAM 22 stores various data necessary for processing by the processor 21.

バス29に接続されている周辺機器としては、HDD(Hard Disk Drive)23、グラフィック処理装置24、入力インタフェース25、光学ドライブ装置26、機器接続インタフェース27及びネットワークインタフェース28がある。   Peripheral devices connected to the bus 29 include an HDD (Hard Disk Drive) 23, a graphic processing device 24, an input interface 25, an optical drive device 26, a device connection interface 27, and a network interface 28.

HDD23は、内蔵したディスクに対して、磁気的にデータの書き込み及び読み出しを行う。HDD23は、コンピュータ20の補助記憶装置として使用される。HDD23には、OSのプログラム、アプリケーションプログラム、及び各種データが格納される。なお、補助記憶装置としては、フラッシュメモリ等の半導体記憶装置を使用することもできる。   The HDD 23 magnetically writes and reads data to and from the built-in disk. The HDD 23 is used as an auxiliary storage device of the computer 20. The HDD 23 stores an OS program, application programs, and various data. As the auxiliary storage device, a semiconductor storage device such as a flash memory can be used.

グラフィック処理装置24には、モニタ24aが接続されている。グラフィック処理装置24は、プロセッサ21からの命令にしたがって、画像をモニタ24aの画面に表示させる。モニタ24aとしては、CRT(Cathode Ray Tube)を用いた表示装置や液晶表示装置等がある。   A monitor 24 a is connected to the graphic processing device 24. The graphic processing device 24 displays an image on the screen of the monitor 24a in accordance with an instruction from the processor 21. Examples of the monitor 24a include a display device using a CRT (Cathode Ray Tube) and a liquid crystal display device.

入力インタフェース25には、キーボード25aとマウス25bとが接続されている。入力インタフェース25は、キーボード25aやマウス25bから送られてくる信号をプロセッサ21に送信する。なお、マウス25bは、ポインティングデバイスの一例であり、他のポインティングデバイスを使用することもできる。他のポインティングデバイスとしては、タッチパネル、タブレット、タッチパッド、トラックボール等がある。   A keyboard 25 a and a mouse 25 b are connected to the input interface 25. The input interface 25 transmits a signal sent from the keyboard 25a and the mouse 25b to the processor 21. The mouse 25b is an example of a pointing device, and other pointing devices can also be used. Examples of other pointing devices include a touch panel, a tablet, a touch pad, and a trackball.

光学ドライブ装置26は、レーザ光等を利用して、光ディスク26aに記録されたデータの読み取りを行う。光ディスク26aは、光の反射によって読み取り可能なようにデータが記録された可搬型の記録媒体である。光ディスク26aには、DVD(Digital Versatile Disc)、DVD−RAM、CD−ROM(Compact Disc Read Only Memory)、CD−R(Recordable)/RW(Rewritable)等がある。   The optical drive device 26 reads data recorded on the optical disc 26a using a laser beam or the like. The optical disk 26a is a portable recording medium on which data is recorded so that it can be read by reflection of light. The optical disk 26a includes a DVD (Digital Versatile Disc), a DVD-RAM, a CD-ROM (Compact Disc Read Only Memory), a CD-R (Recordable) / RW (Rewritable), and the like.

機器接続インタフェース27は、コンピュータ20に周辺機器を接続するための通信インタフェースである。例えば機器接続インタフェース27には、メモリ装置27aやメモリリーダライタ27bを接続することができる。メモリ装置27aは、機器接続インタフェース27との通信機能を搭載した記録媒体である。メモリリーダライタ27bは、メモリカード27cへのデータの書き込み、またはメモリカード27cからのデータの読み出しを行う装置である。メモリカード27cは、カード型の記録媒体である。   The device connection interface 27 is a communication interface for connecting peripheral devices to the computer 20. For example, the device connection interface 27 can be connected to a memory device 27a and a memory reader / writer 27b. The memory device 27 a is a recording medium equipped with a communication function with the device connection interface 27. The memory reader / writer 27b is a device that writes data to the memory card 27c or reads data from the memory card 27c. The memory card 27c is a card-type recording medium.

ネットワークインタフェース28は、ネットワーク28aに接続されている。ネットワークインタフェース28は、ネットワーク28aを介して、他のコンピュータまたは通信機器との間でデータの送受信を行う。   The network interface 28 is connected to the network 28a. The network interface 28 transmits / receives data to / from other computers or communication devices via the network 28a.

以上のようなハードウェア構成によって、第2の実施の形態の処理機能を実現することができる。なお、第1の実施の形態に示した構造解析装置1も、図2に示したコンピュータ20と同様のハードウェアにより実現することができる。   With the hardware configuration described above, the processing functions of the second embodiment can be realized. The structural analysis apparatus 1 shown in the first embodiment can also be realized by the same hardware as the computer 20 shown in FIG.

コンピュータ20は、例えばコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記録されたプログラムを実行することにより、第2の実施の形態の処理機能を実現する。コンピュータ20に実行させる処理内容を記述したプログラムは、様々な記録媒体に記録しておくことができる。例えば、コンピュータ20に実行させるプログラムをHDD23に格納しておくことができる。プロセッサ21は、HDD23内のプログラムの少なくとも一部をRAM22にロードし、プログラムを実行する。またコンピュータ20に実行させるプログラムを、光ディスク26a、メモリ装置27a、メモリカード27c等の可搬型記録媒体に記録しておくこともできる。可搬型記録媒体に格納されたプログラムは、例えばプロセッサ21からの制御により、HDD23にインストールされた後、実行可能となる。またプロセッサ21が、可搬型記録媒体から直接プログラムを読み出して実行することもできる。   The computer 20 implements the processing functions of the second embodiment by executing a program recorded on a computer-readable recording medium, for example. A program describing the processing contents to be executed by the computer 20 can be recorded in various recording media. For example, a program to be executed by the computer 20 can be stored in the HDD 23. The processor 21 loads at least a part of the program in the HDD 23 into the RAM 22 and executes the program. A program to be executed by the computer 20 can also be recorded on a portable recording medium such as the optical disk 26a, the memory device 27a, and the memory card 27c. The program stored in the portable recording medium becomes executable after being installed in the HDD 23 under the control of the processor 21, for example. The processor 21 can also read and execute the program directly from the portable recording medium.

次に、第2の形態の構造解析対象となる多層配線基板について説明する。
(多層配線基板の一例)
図3は、構造解析対象となる多層配線基板の一例を示す斜視図である。なお、図3において配線等は図示を省略している。
Next, a multilayer wiring board to be subjected to structural analysis of the second embodiment will be described.
(Example of multilayer wiring board)
FIG. 3 is a perspective view showing an example of a multilayer wiring board to be subjected to structural analysis. In FIG. 3, the wiring and the like are not shown.

構造解析対象となる多層配線基板10は、配線層11,12,13を有している。配線層11〜13は、配線や絶縁層により形成される。図3の例では、配線層11の上面が実装面10aとなっている。なお、配線層は、3つに限定されず、2つまたは4つ以上であってもよい。   A multilayer wiring board 10 to be subjected to structural analysis has wiring layers 11, 12, and 13. The wiring layers 11 to 13 are formed of a wiring or an insulating layer. In the example of FIG. 3, the upper surface of the wiring layer 11 is the mounting surface 10a. The wiring layers are not limited to three, and may be two or four or more.

(構造解析方法の一例)
図4は、第2の実施の形態の多層配線基板の構造解析方法の一例の流れを説明するフローチャートである。
(Example of structural analysis method)
FIG. 4 is a flowchart for explaining the flow of an example of the structure analysis method for a multilayer wiring board according to the second embodiment.

以下の処理は、図2に示したコンピュータ20において、設計データ6cや材料物性情報6dに基づき、プロセッサ21の制御で行われる。
設計データ6cは、図3に示した多層配線基板10の配線パターンや多層配線基板10の形状を示すCADデータである。
The following processing is performed under the control of the processor 21 based on the design data 6c and the material property information 6d in the computer 20 shown in FIG.
The design data 6c is CAD data indicating the wiring pattern of the multilayer wiring board 10 and the shape of the multilayer wiring board 10 shown in FIG.

材料物性情報6dは、多層配線基板10に含まれる材料の物性値を含むデータである。材料の物性値は、例えば、材料の弾性率、熱膨張係数、密度等である。設計データ6c、材料物性情報6dは、例えば、HDD23に予め格納されている。   The material physical property information 6 d is data including physical property values of materials included in the multilayer wiring board 10. The physical property value of the material is, for example, the elastic modulus, thermal expansion coefficient, density, etc. of the material. The design data 6c and the material property information 6d are stored in advance in the HDD 23, for example.

まず、プロセッサ21は、ステップS10,S11の処理を行う。これらの処理は、図1に示したステップS1,S2の処理と同じである。例えば、プロセッサ21は、HDD23から設計データ6cを読み出し、多層配線基板10において、複数の配線層11〜13のそれぞれを、複数の有限要素に分割する。   First, the processor 21 performs the processes of steps S10 and S11. These processes are the same as the processes in steps S1 and S2 shown in FIG. For example, the processor 21 reads the design data 6 c from the HDD 23 and divides each of the plurality of wiring layers 11 to 13 into a plurality of finite elements in the multilayer wiring board 10.

図5は、配線層における有限要素への分割の一例を示す斜視図である。
図5に示す例では、配線層11〜13は、それぞれ、7×9の有限要素に分割されている。また、有限要素として、例えば、図5に示す有限要素14のように、立方体を用いることができる。また、プロセッサ21は、有限要素に分割する際、後述のステップS11の処理等のために、有限要素の位置を示す情報として、多層配線基板10の設計データ6cから、その有限要素の位置に対応する座標を取得しておくようにしてもよい。
FIG. 5 is a perspective view showing an example of division into finite elements in the wiring layer.
In the example shown in FIG. 5, the wiring layers 11 to 13 are each divided into 7 × 9 finite elements. Further, as the finite element, for example, a cube can be used like the finite element 14 shown in FIG. Further, when the processor 21 divides into finite elements, it corresponds to the position of the finite element from the design data 6c of the multilayer wiring board 10 as information indicating the position of the finite element for the processing in step S11 described later. You may make it acquire the coordinate to do.

ステップS11の処理では、プロセッサ21は、設計データ6cに基づいて、複数の有限要素のそれぞれに含まれる材料を示す材料情報を、各有限要素に割り当てる。
上記のステップS11の処理により、有限要素に材料情報が割り当てられることで、有限要素に含まれる材料が、導電材料であるか非導電材料であるか特定される。以下の説明では、導電材料は銅材質の材料であるものとする。
In the process of step S11, the processor 21 assigns material information indicating the material included in each of the plurality of finite elements to each finite element based on the design data 6c.
Through the processing in step S11 described above, the material information is assigned to the finite element, whereby it is specified whether the material included in the finite element is a conductive material or a non-conductive material. In the following description, the conductive material is assumed to be a copper material.

次に、プロセッサ2は、多層配線基板10の配線層のそれぞれに、有限要素の大きさよりも大きい複数の領域(以下メッシュと呼ぶ)を設定する(ステップS12)。プロセッサ2は、複数の有限要素を1つにまとめて1単位とすることによりメッシュの設定を行う。また、メッシュの数や大きさは、例えば、後述のステップS20の処理による構造解析の際の計算時間、計算負荷等を考慮して設定される。   Next, the processor 2 sets a plurality of regions (hereinafter referred to as meshes) larger than the size of the finite element in each of the wiring layers of the multilayer wiring board 10 (step S12). The processor 2 sets the mesh by combining a plurality of finite elements into one unit. Further, the number and size of the meshes are set in consideration of, for example, calculation time, calculation load, and the like at the time of structural analysis by processing in step S20 described later.

図6は、配線層におけるメッシュの設定の一例を示す斜視図である。
図6に示す例では、配線層11〜13のそれぞれに4つのメッシュが設定されている。例えば、メッシュ15は、3×4個の有限要素14aを1つにまとめて1単位とすることにより設定されている。
FIG. 6 is a perspective view showing an example of setting of the mesh in the wiring layer.
In the example illustrated in FIG. 6, four meshes are set for each of the wiring layers 11 to 13. For example, the mesh 15 is set by combining 3 × 4 finite elements 14a into one unit.

ステップS12の処理後、プロセッサ21は、各メッシュに含まれる有限要素に割り当てられた材料情報に基づき、各メッシュでの導電材料の含有率(以下、例として銅材質を用い、銅の含有率を残銅率と呼ぶ)を求める(ステップS13)。   After the processing in step S12, the processor 21 uses the material information assigned to the finite element included in each mesh to determine the content ratio of the conductive material in each mesh (hereinafter, using copper material as an example, and determining the copper content ratio). (Referred to as the remaining copper ratio) (step S13).

残銅率は、例えば、各メッシュに含まれる有限要素のうち、割り当てられている材料情報が銅材質の材料を示すものである有限要素の割合を算出することにより求められる。
次に、プロセッサ21は、各メッシュでの残銅率が、所定の範囲内であるか否か判定する(ステップS14)。この範囲は、多層配線基板10の反りを抑制するために、メッシュ間で許容される残銅率のバラつきの許容範囲に基づいて予め設定される。残銅率のバラつきの許容範囲が広い場合には、設定される範囲も広く設定され、許容範囲が狭い場合には、設定される範囲も狭く設定される。
The remaining copper ratio is obtained, for example, by calculating a ratio of finite elements whose assigned material information indicates a copper material among the finite elements included in each mesh.
Next, the processor 21 determines whether or not the remaining copper ratio in each mesh is within a predetermined range (step S14). This range is set in advance based on the allowable range of variation in the remaining copper ratio allowed between the meshes in order to suppress warping of the multilayer wiring board 10. When the allowable range of variation in the remaining copper ratio is wide, the set range is also set wide. When the allowable range is narrow, the set range is also set narrow.

なお、上記の範囲は、配線層11〜13ごとに異なる範囲が設定されてもよい。配線層11〜13ごとに、配線密度が大きく異なる場合もあるためである。
残銅率が上記の範囲に収まっていないメッシュがあるときは、プロセッサ21は、ステップS15の処理を実行し、各配線層のすべてのメッシュで残銅率が上記の範囲に含まれている場合は、ステップS16の処理を行う。
Note that different ranges may be set for each of the wiring layers 11 to 13. This is because the wiring density may be greatly different for each of the wiring layers 11 to 13.
When there is a mesh whose remaining copper ratio does not fall within the above range, the processor 21 executes the process of step S15, and the remaining copper ratio is included in the above range for all the meshes of each wiring layer. Performs the process of step S16.

ステップS15の処理では、プロセッサ21は、残銅率が上記の範囲に収まっていないメッシュに含まれる有限要素に割り当てられた材料情報を書き換え、導電材料である銅材質の材料と非導電材料(非銅材質の材料(例えば、プリプレグ))との置き換えを行う。その後、プロセッサ21は、ステップS13からの処理を繰り返す。   In the process of step S15, the processor 21 rewrites the material information assigned to the finite element included in the mesh whose remaining copper ratio is not within the above range, and the copper material and the non-conductive material (non-conductive material) Replacement with a copper material (for example, prepreg) is performed. Thereafter, the processor 21 repeats the processing from step S13.

例えば、あるメッシュでの残銅率が、所定の範囲を下回っているときは、プロセッサ21は、そのメッシュに含まれる一部の有限要素に割り当てられている材料情報を書き換え、非銅材質の材料を示すものから、銅材質の材料を示すものとする。これにより、ステップS13の処理で算出される、そのメッシュにおける残銅率が上がる。   For example, when the remaining copper ratio in a certain mesh is lower than a predetermined range, the processor 21 rewrites the material information assigned to some finite elements included in the mesh, and the non-copper material From what shows, it shall show the material of a copper material. Thereby, the remaining copper rate in the mesh calculated by the process of step S13 increases.

一方、例えば、あるメッシュでの残銅率が、所定の範囲を上回っているときは、プロセッサ21は、そのメッシュに含まれる一部の有限要素に割り当てられている材料情報を書き換え、銅材質の材料を示すものから、非銅材質の材料を示すものとする。これにより、ステップS13の処理で算出される、そのメッシュにおける残銅率が下がる。   On the other hand, for example, when the remaining copper ratio in a mesh exceeds a predetermined range, the processor 21 rewrites the material information assigned to some finite elements included in the mesh, From materials showing, non-copper materials are shown. Thereby, the remaining copper rate in the mesh calculated by the process of step S13 falls.

このステップS13〜S15の処理が行われることにより、各メッシュでの残銅率が所定の範囲に含まれるようになり、多層配線基板10の面方向の残銅率のバラつきが少なくなる。   By performing the processes of steps S13 to S15, the remaining copper ratio in each mesh is included in a predetermined range, and the variation in the remaining copper ratio in the plane direction of the multilayer wiring board 10 is reduced.

ステップS16の処理は、図1に示したステップS3の処理と同様の処理である。すなわち、プロセッサ21は、多層配線基板10を、実装面に垂直な面で複数領域に分割する(ステップS16)。   The process of step S16 is the same process as the process of step S3 shown in FIG. That is, the processor 21 divides the multilayer wiring board 10 into a plurality of regions on a plane perpendicular to the mounting surface (step S16).

図7は、多層配線基板を複数の領域に分割する一例を示す斜視図である。
図7において、多層配線基板10は、実装面10aに垂直な面10b,10cで、3つの領域a,b,cに分割されている。
FIG. 7 is a perspective view showing an example of dividing a multilayer wiring board into a plurality of regions.
In FIG. 7, the multilayer wiring board 10 is divided into three regions a, b, and c by planes 10b and 10c perpendicular to the mounting surface 10a.

図7に示したように多層配線基板10を分割したとき、プロセッサ21は、各領域a〜cに含まれる有限要素に割り当てられた材料情報に基づき、各領域a〜cでの残銅率を算出する(ステップS17)。ステップS17の処理は、図1に示したステップS4の処理と同様に行われる。   When the multilayer wiring board 10 is divided as shown in FIG. 7, the processor 21 calculates the remaining copper ratio in each region ac based on the material information assigned to the finite elements included in each region ac. Calculate (step S17). The process of step S17 is performed similarly to the process of step S4 shown in FIG.

次に、プロセッサ21は、各領域での残銅率が所定の範囲内に収まっているか否か判定する(ステップS18)。所定の範囲は、面方向の凹凸の許容範囲に応じて、例えば、40%〜50%の範囲等と設定される。   Next, the processor 21 determines whether or not the remaining copper ratio in each region is within a predetermined range (step S18). The predetermined range is set, for example, as a range of 40% to 50% or the like according to the allowable range of unevenness in the surface direction.

残銅率が上記の範囲に収まっていない領域があるときは、プロセッサ21は、ステップS19の処理を実行し、すべての領域a〜cで残銅率が上記の範囲に含まれている場合は、ステップS20の処理を行う。   When there is a region where the remaining copper ratio is not within the above range, the processor 21 executes the process of step S19, and when the remaining copper ratio is included in the above range in all the regions a to c. The process of step S20 is performed.

ステップS19の処理では、プロセッサ21は、残銅率が上記の範囲に収まっていない領域に含まれる有限要素に割り当てられた材料情報を書き換え、導電材料である銅材質の材料と非導電材料(非銅材質の材料(例えば、プリプレグ))との置き換えを行う。その後、プロセッサ21は、ステップS12からの処理を繰り返す。   In the process of step S19, the processor 21 rewrites the material information assigned to the finite element included in the region where the remaining copper ratio is not within the above range, and the copper material and the non-conductive material (non-conductive material) Replacement with a copper material (for example, prepreg) is performed. Thereafter, the processor 21 repeats the processing from step S12.

例えば、ある領域での残銅率が、所定の範囲を下回っているときは、プロセッサ21は、その領域に含まれる一部の有限要素に割り当てられている材料情報を書き換え、非銅材質の材料を示すものから、銅材質の材料を示すものとする。これにより、ステップS17の処理で算出される、その領域における残銅率が上がる。   For example, when the remaining copper ratio in a certain region is lower than a predetermined range, the processor 21 rewrites material information assigned to some finite elements included in the region, and the non-copper material From what shows, it shall show the material of a copper material. As a result, the remaining copper ratio in the region calculated in the process of step S17 increases.

一方、例えば、ある領域での残銅率が、所定の範囲を上回っているときは、プロセッサ21は、その領域に含まれる一部の有限要素に割り当てられている材料情報を書き換え、銅材質の材料を示すものから、非銅材質の材料を示すものとする。これにより、ステップS17の処理で算出される、その領域における残銅率が下がる。   On the other hand, for example, when the remaining copper ratio in a certain area exceeds a predetermined range, the processor 21 rewrites material information assigned to some finite elements included in the area, From materials showing, non-copper materials are shown. Thereby, the remaining copper rate in the area | region calculated by the process of step S17 falls.

このステップS16〜S19の処理が行われることにより、各領域a〜cでの残銅率が所定の範囲に含まれるようになり、領域a〜c間の残銅率のバラつきが少なくなる。
以下、材料情報の書き換えが行われる場合の、ステップS17〜S19の処理の一例について、図8、図9、図10を用いて説明する。
By performing the processing of steps S16 to S19, the remaining copper ratio in each of the areas a to c is included in a predetermined range, and the variation in the remaining copper ratio between the areas a to c is reduced.
Hereinafter, an example of the processing in steps S17 to S19 when the material information is rewritten will be described with reference to FIGS. 8, 9, and 10. FIG.

図8は、材料情報の書き換え対象とする有限要素の一例を示す斜視図である。
図8には、ステップS6の処理により領域a〜cに分割された多層配線基板10が示されている。
FIG. 8 is a perspective view showing an example of a finite element to be rewritten as material information.
FIG. 8 shows the multilayer wiring board 10 divided into regions a to c by the process of step S6.

以下では説明を簡単にするために、多層配線基板10に含まれる3×9×N個の有限要素のうち、図8のY方向からみた1列目の3×9×1個の有限要素を対象に説明する。
図9は、材料情報の書き換え前の多層配線基板の一例を示す図である。なお、図9は、図8の矢印Y方向からみた多層配線基板10の側面図である。
For the sake of simplicity, 3 × 9 × 1 finite elements in the first column as viewed from the Y direction in FIG. 8 among 3 × 9 × N finite elements included in the multilayer wiring board 10 will be described below. Explain to the subject.
FIG. 9 is a diagram illustrating an example of a multilayer wiring board before rewriting material information. FIG. 9 is a side view of the multilayer wiring board 10 as seen from the direction of the arrow Y in FIG.

領域a〜cは、9個の有限要素をそれぞれ含む。例えば、領域aは、有限要素30,31,32,33,34,35,36,37,38を含み、領域bは、有限要素39,40,41,42,43,44,45,46,47を含む。また、領域cは、有限要素48,49,50,51,52,53,54,55,56を含む。また、有限要素30〜53のうち、有限要素30,32,36,38,40,42,46,48,50,54,56に割り当てられた材料情報は銅材質の材料を示すものであり、それ以外に割り当てられた材料情報は非銅材質の材料を示すものである。   Regions a to c each include nine finite elements. For example, the region a includes finite elements 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, and 38, and the region b includes finite elements 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47. The region c includes finite elements 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55, and 56. Moreover, the material information allocated to the finite elements 30, 32, 36, 38, 40, 42, 46, 48, 50, 54, 56 among the finite elements 30 to 53 indicates the material of the copper material. The material information assigned other than that indicates a non-copper material.

図9の例の場合、ステップS17の処理により、領域aでは、有限要素30〜38の部分での残銅率は44%、領域bでは、有限要素39〜47の部分での残銅率は33%、領域cでは、有限要素48〜56での部分での残銅率は44%と求められる。   In the case of the example in FIG. 9, the remaining copper ratio in the portion of the finite elements 30 to 38 is 44% in the region a and the remaining copper ratio in the portion of the finite elements 39 to 47 is in the region b. In 33% and the area | region c, the remaining copper rate in the part in the finite elements 48-56 is calculated | required as 44%.

ステップS18の処理での所定の範囲を、40%〜50%とした場合、領域bでの残銅率はその範囲を下回っている。そのため、プロセッサ21は、ステップS19の処理を行い、例えば、領域bの有限要素44に割り当てられた材料情報を書き換え、非銅材質の材料から銅材質の材料への置き換えを行う。これにより、領域bでの残銅率が上がる。   When the predetermined range in the process of step S18 is 40% to 50%, the remaining copper ratio in the region b is lower than the range. Therefore, the processor 21 performs the process of step S19, for example, rewrites the material information assigned to the finite element 44 in the region b, and replaces the non-copper material with the copper material. Thereby, the remaining copper rate in the region b is increased.

図10は、材料情報の書き換え後の多層配線基板の一例を示す図である。
なお、図10は図8の矢印Y方向からみた多層配線基板10Aであり、また、図10において図9に示す要素と同一の要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
FIG. 10 is a diagram illustrating an example of a multilayer wiring board after rewriting of material information.
10 shows the multilayer wiring board 10A as viewed from the direction of the arrow Y in FIG. 8. In FIG. 10, the same elements as those shown in FIG.

ステップS19の処理により、領域bの有限要素44に割り当てられた材料情報が、非銅材質の材料を示すものから、銅材質の材料を示すものに置き換えられている。
そのため、ステップS19の処理後、再度行われるステップS17の処理において、領域bの上記有限要素39〜47の部分での残銅率は、44%と求められる。これにより、領域a〜cでの残銅率は、上記の範囲内に収まることになるため、再度のステップS18の判定により、ステップS20の処理が行われる。
By the processing in step S19, the material information assigned to the finite element 44 in the region b is replaced with information indicating a copper material from information indicating a non-copper material.
Therefore, in the process of step S17 performed again after the process of step S19, the remaining copper ratio in the portion of the finite elements 39 to 47 in the region b is obtained as 44%. As a result, the remaining copper ratio in the areas a to c falls within the above range, and therefore the process of step S20 is performed by the determination of step S18 again.

上記では、説明を簡単にするため、多層配線基板10に含まれる3×9×N個の有限要素のうち、図8のY方向からみた1列目の3×9×1個の有限要素を対象に説明したが、同様の処理が、3×9×N個の有限要素に対して行われる。   In the above, for simplification of description, among the 3 × 9 × N finite elements included in the multilayer wiring board 10, 3 × 9 × 1 finite elements in the first row viewed from the Y direction in FIG. Although described in the subject, the same processing is performed on 3 × 9 × N finite elements.

ステップS20の処理では、プロセッサ21は、HDD23に格納されている材料物性情報6dを読み出し、多層配線基板10Aの構造解析を実行する。プロセッサ21は、例えば、各メッシュの有限要素に割り当てられた材料情報と材料の物性値に基づき、各メッシュの導電材料及び非導電材料の密度、弾性率、熱膨張係数等を算出し、多層配線基板10Aの平面の反り等を解析する。   In the process of step S20, the processor 21 reads the material property information 6d stored in the HDD 23 and executes the structural analysis of the multilayer wiring board 10A. The processor 21 calculates, for example, the density, elastic modulus, thermal expansion coefficient, and the like of the conductive material and non-conductive material of each mesh based on the material information assigned to the finite element of each mesh and the physical property value of the material. The warpage of the plane of the substrate 10A is analyzed.

また、プロセッサ21は、例えば、各領域の有限要素に割り当てられた材料情報と材料の物性値から、各領域の銅材質の材料及び非銅材質の材料の密度、弾性率、熱膨張係数等を算出し、多層配線基板の実装面に生じる凹凸等を解析する。   Further, for example, the processor 21 calculates the density, elastic modulus, coefficient of thermal expansion, etc. of the copper material and the non-copper material of each region from the material information assigned to the finite element of each region and the physical property value of the material. Calculate and analyze unevenness and the like generated on the mounting surface of the multilayer wiring board.

その後、構造解析結果に基づいて多層配線基板の設計が行われる。例えば、ステップS15またはステップS19の処理により、ある有限要素において銅材質の材料と非銅材質の材料との置き換えが行われた場合、例えば、その有限要素の位置に基づき、配線の配置位置の変更等が行われる。また、非銅材質の材料から銅材質の材料への置き換えが行われた有限要素に対応する部分には、例えば、ダミーパターンを設け、銅材質の材料の割合が増えるようにしてもよい。   Thereafter, a multilayer wiring board is designed based on the structural analysis result. For example, when the copper material and the non-copper material are replaced in a certain finite element by the processing in step S15 or step S19, for example, the change of the wiring arrangement position is performed based on the position of the finite element. Etc. are performed. In addition, for example, a dummy pattern may be provided in a portion corresponding to the finite element in which the non-copper material is replaced with the copper material, so that the ratio of the copper material is increased.

なお、各ステップの処理の順序は、上記に限定されるものではない。例えば、ステップS12〜S15の処理の前に、ステップS16〜S19の処理を行ってもよい。
次に、第2の形態の構造解析方法の解析結果に基づいて設計された多層配線基板を、製造する例を説明する。
Note that the processing order of each step is not limited to the above. For example, the processing of steps S16 to S19 may be performed before the processing of steps S12 to S15.
Next, an example of manufacturing a multilayer wiring board designed based on the analysis result of the structural analysis method of the second embodiment will be described.

図11は、第2の実施の形態の構造解析方法の解析結果に基づいて設計された多層配線基板の製造時の一例の様子を示す斜視図である。
図11には、2つの配線層(絶縁層と配線により形成されている)が積層される様子が示されている。
FIG. 11 is a perspective view showing an example of the manufacturing process of a multilayer wiring board designed based on the analysis result of the structural analysis method according to the second embodiment.
FIG. 11 shows a state in which two wiring layers (formed by an insulating layer and a wiring) are stacked.

絶縁層60上には配線(銅配線)61,62が形成されており、絶縁層63上には配線64,65が形成されている。点線で示されている面66は、構造解析時に設定された、領域D,Eを分割する面である。第2の実施の形態の構造解析方法によって、各領域D,Eでの残銅率が所定の範囲内に収まるように銅材質の材料と、非銅材質の材料との置き換えが行われたことで、図11の例では、面66を挟んで、均等に配線61〜65が形成されている。   Wirings (copper wirings) 61 and 62 are formed on the insulating layer 60, and wirings 64 and 65 are formed on the insulating layer 63. A surface 66 indicated by a dotted line is a surface that divides the regions D and E set during the structural analysis. By the structure analysis method of the second embodiment, replacement of the copper material and the non-copper material was performed so that the remaining copper ratio in each of the regions D and E was within a predetermined range. In the example of FIG. 11, the wirings 61 to 65 are evenly formed across the surface 66.

このような2つの配線層を図11の矢印の積層方向で積層したとき、以下のような構造が得られる。
図12は、第2の実施の形態の構造解析方法の解析結果に基づいて設計された多層配線基板の形成例を示す断面図である。なお、図12は、図11の2つの配線層を積層後の、図11のL1−L1線における断面図を示している。
When such two wiring layers are stacked in the stacking direction of the arrow in FIG. 11, the following structure is obtained.
FIG. 12 is a cross-sectional view showing an example of forming a multilayer wiring board designed based on the analysis result of the structural analysis method of the second embodiment. 12 shows a cross-sectional view taken along line L1-L1 in FIG. 11 after the two wiring layers in FIG. 11 are stacked.

第2の実施の形態の構造解析方法の解析結果に基づいて設計された多層配線基板では、領域D,領域Eでの残銅率のバラつきが少ないため、面67での凹凸の発生が軽減される。   In the multilayer wiring board designed based on the analysis result of the structural analysis method of the second embodiment, the unevenness in the surface 67 is reduced because the remaining copper ratio in the regions D and E is small. The

一方、各領域D,Eでの残銅率が所定の範囲内に収まるように銅材質の材料と、非銅材質の材料との置き換えを行わない場合は、例えば、以下のようになる。
図13は、銅材質の材料と非銅材質の材料との置き換えを行わなかった場合の多層配線基板の製造時の一例の様子を示す斜視図である。
On the other hand, when the copper material and the non-copper material are not replaced so that the remaining copper ratio in each of the regions D and E falls within a predetermined range, for example, the following is performed.
FIG. 13 is a perspective view showing an example of the manufacturing process of the multilayer wiring board when the copper material and the non-copper material are not replaced.

図13の例では、領域Dには、2つの配線61,64、領域Eには、1つの配線65が存在することになり、領域D,E間の残銅率のバラつきが大きい。このような2つの配線層を図13の矢印の積層方向で積層したとき、以下のような構造が得られる。   In the example of FIG. 13, there are two wirings 61 and 64 in the region D, and one wiring 65 in the region E, and the variation in the remaining copper ratio between the regions D and E is large. When such two wiring layers are stacked in the stacking direction of the arrow in FIG. 13, the following structure is obtained.

図14は、銅材質の材料と非銅材質の材料との置き換えを行わなかった場合の多層配線基板の形成例を示す断面図である。なお、図14は、図13の2つの配線層を積層後の、図13のL2−L2線における断面図を示している。   FIG. 14 is a cross-sectional view showing an example of forming a multilayer wiring board when the copper material and the non-copper material are not replaced. 14 shows a cross-sectional view taken along line L2-L2 of FIG. 13 after the two wiring layers of FIG. 13 are stacked.

領域D,E間の残銅率のバラつきが大きいと、図13のように、残銅率が小さい領域Eでは、積層時に絶縁層(樹脂)が押し込まれ、面67には凹凸が生じる。
上記のように本実施の形態の構造解析方法では、多層配線基板の構造解析時、多層配線基板を実装面に垂直な面で複数領域に分割し、各領域での残銅率が所定の範囲内に収まるよう銅材質の材料と非銅材質の材料との置き換えが行われる。これにより、領域間の残銅率のバラつきが減り、多層配線基板の面方向の凹凸が軽減される。実装面の凹凸が少なくなるため、実装不良(例えば、電子部品等の電気的な接続不良やショート)の発生が抑制される。
When the variation in the remaining copper ratio between the regions D and E is large, as shown in FIG. 13, in the region E where the remaining copper ratio is small, the insulating layer (resin) is pushed in during the lamination, and the surface 67 is uneven.
As described above, in the structural analysis method of the present embodiment, during the structural analysis of the multilayer wiring board, the multilayer wiring board is divided into a plurality of regions on a plane perpendicular to the mounting surface, and the remaining copper ratio in each region is within a predetermined range. Replacement of the copper material and the non-copper material is performed so as to fit inside. Thereby, the variation in the remaining copper ratio between the regions is reduced, and unevenness in the surface direction of the multilayer wiring board is reduced. Since the unevenness of the mounting surface is reduced, the occurrence of mounting defects (for example, electrical connection defects such as electronic components or short circuits) is suppressed.

また、本実施の形態の構造解析方法では、各配線層のそれぞれに、有限要素より大きい複数のメッシュを設定し、各メッシュでの残銅率が所定の範囲内に収まるよう銅材質の材料と非銅材質の材料との置き換えが行われる。これにより、メッシュ間の残銅率のバラつきが減り、反りの少ない多層配線基板を実現できる。   Further, in the structure analysis method of the present embodiment, a plurality of meshes larger than the finite element are set in each wiring layer, and the copper material is used so that the remaining copper ratio in each mesh is within a predetermined range. Replacement with non-copper material is performed. Thereby, the variation in the remaining copper ratio between meshes decreases, and a multilayer wiring board with less warpage can be realized.

(第3の実施の形態)
以下、図4のステップS16の処理における、多層配線基板を実装面に垂直な面で複数領域に分割する他の例を説明する。
(Third embodiment)
Hereinafter, another example of dividing the multilayer wiring board into a plurality of regions on a surface perpendicular to the mounting surface in the process of step S16 in FIG. 4 will be described.

図15は、領域分割の他の例を示す半導体装置の上面図である。
また、図16は、領域分割の他の例を示す半導体装置の断面図である。なお、図16は、図15のL3−L3線における断面図を示している。
FIG. 15 is a top view of a semiconductor device showing another example of region division.
FIG. 16 is a cross-sectional view of a semiconductor device showing another example of region division. FIG. 16 shows a cross-sectional view taken along line L3-L3 in FIG.

半導体装置70は、多層配線基板71、実装基板72、電子部品73を有する。
多層配線基板71は、配線や絶縁層で形成される複数の配線層を含むが、図15、図16では図示が省略されている。
The semiconductor device 70 includes a multilayer wiring board 71, a mounting board 72, and an electronic component 73.
The multilayer wiring board 71 includes a plurality of wiring layers formed of wiring and insulating layers, but is not shown in FIGS. 15 and 16.

実装基板72は、例えばパッケージ基板であり、バンプ74により、多層配線基板71と電気的に接続される。
電子部品73は、例えば、LSI(Large Scale Integration circuit)であり、実装基板72上に配置されている。
The mounting substrate 72 is a package substrate, for example, and is electrically connected to the multilayer wiring substrate 71 by bumps 74.
The electronic component 73 is, for example, an LSI (Large Scale Integration circuit), and is disposed on the mounting substrate 72.

図15、図16の例では、多層配線基板71に実装される実装基板72の直下に位置する領域が、領域F,G,Hに分割されている。各領域F〜H内の有限要素のうち斜線が施されている有限要素に割り当てられた材料情報は、銅材質の材料を示すものであり、それ以外の有限要素に割り当てられた材料情報は非銅材質の材料を示すものである。   In the example of FIGS. 15 and 16, the region located immediately below the mounting substrate 72 mounted on the multilayer wiring substrate 71 is divided into regions F, G, and H. The material information assigned to the finite elements hatched among the finite elements in each region F to H indicates the material of the copper material, and the material information assigned to the other finite elements is not. This indicates a copper material.

図4のステップS16の処理にて、上記図15、図16のように、多層配線基板71を領域F〜Hに分割したとき、ステップS17の処理では、領域F〜Hでの残銅率を算出することになる。この場合、図7に示したように多層配線基板10全体を分割して得られる領域a〜cでの残銅率を算出する場合よりも、計算範囲を狭められるため、計算量を削減できる。   When the multilayer wiring board 71 is divided into the regions F to H as shown in FIGS. 15 and 16 in the process of step S16 in FIG. 4, the remaining copper ratio in the regions F to H is calculated in the process of step S17. Will be calculated. In this case, as shown in FIG. 7, the calculation range can be narrowed compared with the case of calculating the remaining copper ratio in the areas a to c obtained by dividing the entire multilayer wiring board 10, so that the calculation amount can be reduced.

図16に示した例では、領域Fでの残銅率が54%、領域Gでの残銅率が58%、領域Hでの残銅率が54%と算出されている。
材料情報を書き換えて、銅材質の材料と非銅材質の材料とを置き換える際の所定の範囲を、55〜60%としたとき、領域F,Hでは、残銅率が上記の範囲外となっている。そのため、ステップS19の処理が行われる。
In the example illustrated in FIG. 16, the remaining copper ratio in the region F is calculated to be 54%, the remaining copper ratio in the region G is 58%, and the remaining copper ratio in the region H is calculated to be 54%.
When the predetermined range when the material information is rewritten and the copper material and the non-copper material are replaced is 55 to 60%, the remaining copper ratio is out of the above range in the regions F and H. ing. Therefore, the process of step S19 is performed.

図17は、材料情報の書き換え後の半導体装置の断面図である。
なお、図17は、図15のL3−L3線における断面図を示している。
図17の例では、領域F,Hにおける有限要素に割り当てられた材料情報が書き換えられ、非銅材質の材料から銅材質の材料の割合が増えている。これにより、ステップS17で算出される領域F,Hでの残銅率は上がる。図17の例では、領域F,Hでの残銅率は、57%となり、上記の範囲(55〜60%)に収まっている。これにより、領域F〜H間の残銅率のバラつきが抑えられ、多層配線基板71の実装面のうち、実際に実装基板72が実装される部分(領域)に凹凸が生じることを抑制できる。このため、実装不良の発生が抑制される。
FIG. 17 is a cross-sectional view of the semiconductor device after rewriting the material information.
FIG. 17 is a cross-sectional view taken along line L3-L3 in FIG.
In the example of FIG. 17, the material information assigned to the finite elements in the regions F and H is rewritten, and the ratio of the copper material to the non-copper material is increased. As a result, the remaining copper ratio in the regions F and H calculated in step S17 increases. In the example of FIG. 17, the remaining copper ratio in the regions F and H is 57%, which is within the above range (55 to 60%). Thereby, the variation in the remaining copper ratio between the regions F to H is suppressed, and it is possible to suppress the occurrence of unevenness in the portion (region) where the mounting substrate 72 is actually mounted on the mounting surface of the multilayer wiring substrate 71. For this reason, generation | occurrence | production of mounting defect is suppressed.

以上、実施の形態に基づき、本発明の構造解析方法、構造解析装置及びプログラムの一観点について説明してきたが、これらは一例にすぎず、上記の記載に限定されるものではない。   As described above, one aspect of the structural analysis method, the structural analysis apparatus, and the program according to the present invention has been described based on the embodiments. However, these are merely examples, and the present invention is not limited to the above description.

1 構造解析装置(コンピュータ)
2 プロセッサ
3 記憶部
4 多層配線基板
4a〜4c 配線層
4d 実装面
4e,4f 面
A〜C 領域
6a 設計データ
6b 材料物性情報
5,5a〜5i 有限要素
1 Structure analysis device (computer)
2 processor 3 storage unit 4 multilayer wiring board 4a-4c wiring layer 4d mounting surface 4e, 4f surface AC region 6a design data 6b material property information 5, 5a-5i finite element

Claims (5)

コンピュータシミュレーションによって複数の配線層を含む基板の構造を解析する構造解析方法であって、
コンピュータが、
前記複数の配線層のそれぞれを、第1の大きさの複数の第1の領域に分割し、
前記基板の設計データに基づき、前記複数の第1の領域のそれぞれに含まれる材料を示す材料情報を、前記複数の第1の領域のそれぞれに割り当て、
前記基板を、前記基板の実装面に垂直な面で複数の第2の領域に分割し、
前記複数の第1の領域のうち、前記複数の第2の領域のそれぞれに含まれる第3の領域に割り当てられた前記材料情報に基づき、前記複数の第2の領域のそれぞれにおける導電材料の第1の含有率を求め、
前記複数の第2の領域のそれぞれにおいて、前記第1の含有率が第1の範囲に収まるように、前記第3の領域に割り当てられた前記材料情報を書き換えることで、前記複数の第2の領域内の導電材料と非導電材料との置き換えを行う、
ことを特徴とする構造解析方法。
A structure analysis method for analyzing a structure of a substrate including a plurality of wiring layers by computer simulation,
Computer
Dividing each of the plurality of wiring layers into a plurality of first regions of a first size;
Based on the design data of the substrate, material information indicating materials included in each of the plurality of first regions is assigned to each of the plurality of first regions,
Dividing the substrate into a plurality of second regions on a surface perpendicular to the mounting surface of the substrate;
Based on the material information assigned to the third region included in each of the plurality of second regions out of the plurality of first regions, the number of conductive materials in each of the plurality of second regions. 1 content rate is obtained,
In each of the plurality of second regions, the material information assigned to the third region is rewritten so that the first content rate falls within the first range, thereby the plurality of second regions. Replace the conductive material and non-conductive material in the region,
A structural analysis method characterized by the above.
前記複数の配線層のそれぞれに、前記第1の大きさより大きい複数の第4の領域を設定し、
前記複数の第1の領域のうち、前記複数の第4の領域のそれぞれに含まれる第5の領域に割り当てられた前記材料情報に基づき、前記複数の第4の領域のそれぞれにおける前記導電材料の第2の含有率を求め、
前記複数の第4の領域のそれぞれにおいて、前記第2の含有率が第2の範囲に収まるように、前記第5の領域に割り当てられた前記材料情報を書き換えることで、前記複数の第4の領域内の前記導電材料と前記非導電材料との置き換えを行う、
ことを特徴とする請求項1に記載の構造解析方法。
A plurality of fourth regions larger than the first size are set in each of the plurality of wiring layers,
Of the plurality of first regions, the conductive material in each of the plurality of fourth regions is based on the material information assigned to the fifth region included in each of the plurality of fourth regions. Determining the second content,
In each of the plurality of fourth regions, the material information assigned to the fifth region is rewritten so that the second content rate falls within the second range, thereby the plurality of fourth regions. Replacing the conductive material and the non-conductive material in a region;
The structural analysis method according to claim 1, wherein:
前記複数の第2の領域は、前記基板において、前記基板上に配置される他の基板の直下に位置する領域に設定される、ことを特徴とする請求項1または2に記載の構造解析方法。   The structural analysis method according to claim 1, wherein the plurality of second regions are set in the substrate in a region located immediately below another substrate disposed on the substrate. . コンピュータシミュレーションによって複数の配線層を含む基板の構造を解析する構造解析装置であって、
プロセッサを有し、
前記プロセッサは、
前記複数の配線層のそれぞれを、第1の大きさの複数の第1の領域に分割し、
前記基板の設計データに基づき、前記複数の第1の領域のそれぞれに含まれる材料を示す材料情報を、前記複数の第1の領域のそれぞれに割り当て、
前記基板を、前記基板の実装面に垂直な面で複数の第2の領域に分割し、
前記複数の第1の領域のうち、前記複数の第2の領域のそれぞれに含まれる第3の領域に割り当てられた前記材料情報に基づき、前記複数の第2の領域のそれぞれにおける導電材料の第1の含有率を求め、
前記複数の第2の領域のそれぞれにおいて、前記第1の含有率が第1の範囲に収まるように、前記第3の領域に割り当てられた前記材料情報を書き換えることで、前記複数の第2の領域内の導電材料と非導電材料との置き換えを行う、
ことを特徴とする構造解析装置。
A structural analysis device for analyzing a structure of a substrate including a plurality of wiring layers by computer simulation,
Have a processor,
The processor is
Dividing each of the plurality of wiring layers into a plurality of first regions of a first size;
Based on the design data of the substrate, material information indicating materials included in each of the plurality of first regions is assigned to each of the plurality of first regions,
Dividing the substrate into a plurality of second regions on a surface perpendicular to the mounting surface of the substrate;
Based on the material information assigned to the third region included in each of the plurality of second regions out of the plurality of first regions, the number of conductive materials in each of the plurality of second regions. 1 content rate is obtained,
In each of the plurality of second regions, the material information assigned to the third region is rewritten so that the first content rate falls within the first range, thereby the plurality of second regions. Replace the conductive material and non-conductive material in the region,
A structural analysis device characterized by that.
コンピュータシミュレーションによって複数の配線層を含む基板の構造を解析する処理をコンピュータに実行させるプログラムであって、
複数の配線層を含む基板において、前記複数の配線層のそれぞれを、第1の大きさの複数の第1の領域に分割し、
前記基板の設計データに基づき、前記複数の第1の領域のそれぞれに含まれる材料を示す材料情報を、前記複数の第1の領域のそれぞれに割り当て、
前記基板を、前記基板の実装面に垂直な面で複数の第2の領域に分割し、
前記複数の第1の領域のうち、前記複数の第2の領域のそれぞれに含まれる第3の領域に割り当てられた前記材料情報に基づき、前記複数の第2の領域のそれぞれにおける導電材料の第1の含有率を求め、
前記複数の第2の領域のそれぞれにおいて、前記第1の含有率が第1の範囲に収まるように、前記第3の領域に割り当てられた前記材料情報を書き換えることで、前記複数の第2の領域内の導電材料と非導電材料との置き換えを行う、
処理を前記コンピュータに実行させるプログラム。
A program for causing a computer to execute processing for analyzing a structure of a substrate including a plurality of wiring layers by computer simulation,
In a substrate including a plurality of wiring layers, each of the plurality of wiring layers is divided into a plurality of first regions of a first size,
Based on the design data of the substrate, material information indicating materials included in each of the plurality of first regions is assigned to each of the plurality of first regions,
Dividing the substrate into a plurality of second regions on a surface perpendicular to the mounting surface of the substrate;
Based on the material information assigned to the third region included in each of the plurality of second regions out of the plurality of first regions, the number of conductive materials in each of the plurality of second regions. 1 content rate is obtained,
In each of the plurality of second regions, the material information assigned to the third region is rewritten so that the first content rate falls within the first range, thereby the plurality of second regions. Replace the conductive material and non-conductive material in the region,
A program for causing the computer to execute processing.
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