JP5625921B2 - Circuit design support program, circuit design support method, and circuit design support apparatus - Google Patents

Circuit design support program, circuit design support method, and circuit design support apparatus Download PDF

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Description

本発明は回路設計支援プログラム、回路設計支援方法および回路設計支援装置に関する。   The present invention relates to a circuit design support program, a circuit design support method, and a circuit design support apparatus.

部品を搭載する前の基板に対して、部品の搭載位置や穴開け位置を決定したり、基板に反りが発生しないかを検討したりする際に、配線パターンをプリントした基板の特性を等価な物性値に換算して有限要素法にてシミュレーションする技術が知られている。例えば、物性値として熱膨張率を考慮する場合には、基板の膨張する領域と膨張しない領域を踏まえて、部品の搭載位置を決定する技術が知られている。   When deciding the mounting position and drilling position of a component, and examining whether the substrate will be warped, the characteristics of the printed circuit board are equivalent. There is known a technique of converting into a physical property value and performing a simulation by a finite element method. For example, when the coefficient of thermal expansion is considered as a physical property value, a technique for determining a mounting position of a component based on a region where the substrate expands and a region where the substrate does not expand is known.

基板の膨張する領域と膨張しない領域は、例えば基板の銅配線の配置状態から各領域に存在する銅の割合を算出することにより特定する方法が知られている。また、各層の平面内の銅配線の配線方向を考慮することにより特定する方法が知られている。   For example, a method is known in which the region where the substrate expands and the region where the substrate does not expand are identified by calculating the ratio of copper present in each region from the arrangement of copper wirings on the substrate. In addition, a method is known in which the wiring direction of the copper wiring in the plane of each layer is considered in consideration.

特開2007−80111号公報JP 2007-80111 A

精度の高い等価物性値を算出するには、有限要素解析等、計算量が膨大なシミュレーションを実行することになる。これに対し、例えば上記特許文献1では、予め配線パターンを登録し、登録した配線パターンに対する物性等価値を算出することで、計算コストの削減を図っている。   In order to calculate an equivalent physical property value with high accuracy, a simulation with a large amount of calculation such as finite element analysis is executed. On the other hand, for example, in Patent Document 1, a wiring pattern is registered in advance, and a physical property equivalent value for the registered wiring pattern is calculated, thereby reducing calculation cost.

しかしながら、この方法では登録した配線パターンに一致するものが存在しない場合は別途シミュレーションを実行しているため、シミュレーションに時間がかかると言う問題があった。   However, this method has a problem that it takes time for the simulation because a simulation is separately performed when there is no match with the registered wiring pattern.

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、等価物性値を少ない計算量で算出する回路設計支援プログラム、回路設計支援方法および回路設計支援装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of these points, and an object of the present invention is to provide a circuit design support program, a circuit design support method, and a circuit design support device that calculate an equivalent property value with a small amount of calculation.

上記目的を達成するために、開示の回路設計支援プログラムが提供される。このプログラムは、コンピュータに以下の処理を実行させる。
処理対象の基板モデルを複数のセルに分割する。基板モデルの平面上の少なくとも一つの方向に対して各セルに設けられる配線が基板モデルにもたらす影響を示す指標を、各セルに占める配線の割合と、前述した方向へのセルの配線の連続性を示すパラメータとに基づいて算出する。算出された指標に基づいて、配線の等価物性値を算出する。算出された等価物性値を表示装置に出力する。
In order to achieve the above object, a disclosed circuit design support program is provided. This program causes a computer to execute the following processing.
A substrate model to be processed is divided into a plurality of cells. An indicator of the effect that the wiring provided in each cell has on the board model in at least one direction on the plane of the board model is the ratio of the wiring occupying each cell and the continuity of the wiring of the cell in the aforementioned direction. It is calculated based on the parameter indicating An equivalent physical property value of the wiring is calculated based on the calculated index. The calculated equivalent property value is output to the display device.

配線パターンの影響を考慮したプリント基板有限要素法シミュレーションを高速に行うことができる。   The printed circuit board finite element method simulation considering the influence of the wiring pattern can be performed at high speed.

第1の実施の形態の回路設計支援装置を示す図である。1 is a diagram illustrating a circuit design support apparatus according to a first embodiment. 第2の実施の形態の回路設計支援装置のハードウェアの一構成例を示す図である。It is a figure which shows one structural example of the hardware of the circuit design assistance apparatus of 2nd Embodiment. 第2の実施の形態の回路設計支援装置の機能を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the function of the circuit design support apparatus of 2nd Embodiment. 基板モデルの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of a board | substrate model. 層毎の材料物性値の入力の受け付けを説明する図である。It is a figure explaining reception of the input of the material physical property value for every layer. 等価物性値パラメータ入力画面を説明する図である。It is a figure explaining an equivalent property value parameter input screen. 残銅率算出部の算出結果を説明する図である。It is a figure explaining the calculation result of a remaining copper rate calculation part. 等価物性値パラメータ入力画面を説明する図である。It is a figure explaining an equivalent property value parameter input screen. 面内の複合則算出を説明する図である。It is a figure explaining the compound rule calculation in a plane. 厚さ方向まで含めた等価物性値の算出を説明する図である。It is a figure explaining calculation of the equivalent physical property value included to the thickness direction. 残銅率算出部が有する機能を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the function which a remaining copper ratio calculation part has. セルを説明する図である。It is a figure explaining a cell. 各種パラメータの算出方法を説明する図である。It is a figure explaining the calculation method of various parameters. 各種パラメータの算出方法を説明する図である。It is a figure explaining the calculation method of various parameters. 各種パラメータの算出方法を説明する図である。It is a figure explaining the calculation method of various parameters. 各種パラメータの算出方法を説明する図である。It is a figure explaining the calculation method of various parameters. 各種パラメータの算出方法を説明する図である。It is a figure explaining the calculation method of various parameters. 寄与度算出部の処理を説明する図である。It is a figure explaining the process of a contribution calculation part. 残銅率算出部の処理を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the process of a remaining copper ratio calculation part.

以下、実施の形態の回路設計支援装置を、図面を参照して詳細に説明する。
まず、実施の形態の回路設計支援装置について説明し、その後、実施の形態をより具体的に説明する。
Hereinafter, a circuit design support apparatus according to an embodiment will be described in detail with reference to the drawings.
First, the circuit design support apparatus according to the embodiment will be described, and then the embodiment will be described more specifically.

<第1の実施の形態>
図1は、第1の実施の形態の回路設計支援装置を示す図である。
第1の実施の形態の回路設計支援装置(コンピュータ)1は、基板モデル情報格納部1aと、配線情報格納部1bと、分割部1cと、指標算出部1dと、等価物性値算出部1eと、出力部1fとを有している。
<First Embodiment>
FIG. 1 is a diagram illustrating a circuit design support apparatus according to the first embodiment.
The circuit design support apparatus (computer) 1 according to the first embodiment includes a board model information storage unit 1a, a wiring information storage unit 1b, a division unit 1c, an index calculation unit 1d, and an equivalent property value calculation unit 1e. And an output unit 1f.

基板モデル情報格納部1aには、等価物性値を算出する対象の基板モデルが格納されている。この基板モデルは、単層基板であっても多層基板であってもよい。図1に示す基板モデル2は多層基板であり、図1にはそのうちの一層を示している。   The substrate model information storage unit 1a stores a substrate model for which an equivalent property value is calculated. This substrate model may be a single layer substrate or a multilayer substrate. A substrate model 2 shown in FIG. 1 is a multilayer substrate, and FIG. 1 shows one of them.

配線情報格納部1bには、基板モデル2に行う配線の情報が格納されている。図1では、基板モデル2の一層上に行った配線3を示している。なお、図1では基板モデル情報格納部1aおよび配線情報格納部1bを回路設計支援装置1内に設けた。しかし、基板モデル情報格納部1aおよび配線情報格納部1bのいずれか一方または両方が回路設計支援装置1外に設けられていてもよい。   In the wiring information storage unit 1b, information on wiring to be performed on the board model 2 is stored. In FIG. 1, the wiring 3 performed on one layer of the substrate model 2 is shown. In FIG. 1, the board model information storage unit 1 a and the wiring information storage unit 1 b are provided in the circuit design support apparatus 1. However, either one or both of the board model information storage unit 1a and the wiring information storage unit 1b may be provided outside the circuit design support device 1.

分割部1cは、基板モデル2を複数のセルに分割する。図1では、基板モデル2を6つに分割したセル4a〜4fを点線で示している。ここで、セル4a〜4fの辺の長さは配線3の幅(ペン幅)に基づいて決定するのが好ましい。例えば、セル4a〜4fの辺の長さを配線3のペン幅の若干小さい値(例えば90%)とすることができる。90%とすることで、処理の速度と、解析精度とのバランスを図ることができる。   The dividing unit 1c divides the substrate model 2 into a plurality of cells. In FIG. 1, cells 4a to 4f obtained by dividing the substrate model 2 into six are indicated by dotted lines. Here, the lengths of the sides of the cells 4a to 4f are preferably determined based on the width of the wiring 3 (pen width). For example, the length of the sides of the cells 4a to 4f can be set to a slightly smaller value (for example, 90%) of the pen width of the wiring 3. By setting it to 90%, it is possible to achieve a balance between the processing speed and the analysis accuracy.

以下、説明の便宜上、互いに直交するX軸およびY軸を規定する。X軸は、図1中基板モデル2の左右方向の辺に平行に設けられ、Y軸は、基板モデル2の上下方向の辺に平行に設けられているものとする。   Hereinafter, for convenience of explanation, an X axis and a Y axis that are orthogonal to each other are defined. It is assumed that the X axis is provided in parallel with the horizontal side of the substrate model 2 in FIG. 1 and the Y axis is provided in parallel with the vertical side of the substrate model 2.

指標算出部1dは、基板モデル2の平面上のX軸方向およびY軸方向に対してセル4a〜4fに設けられる配線3が基板モデル2にもたらす影響を示す指標を算出する。具体的には、指標算出部1dは、セル4a〜4fそれぞれに占める配線3の割合(以下、「配線残存率」と言う)と、X軸方向およびY軸方向へのセルの配線の連続性を示すパラメータとに基づいて指標を算出する。ここで、配線残存率は、例えば、セル4a〜4fの各頂点に存在する配線3の有無に基づいて決定することができる。例えば、0個の場合、割合を0とする。1個の場合、割合0.25とする。2個の場合、割合を0.5とする。3個の場合、割合を0.75とする。4個の場合、割合を1.0とする。なお、各頂点における配線の有無を配線残存率とすることで、指標算出部1dは、簡易に配線残存率を算出することができる。図1には、各セルの配線残存率を示すテーブルTを図示している。テーブルの#4aは、セル4aに対応している。同様に、テーブルの#4b、#4c、#4d、#4e、#4fは、それぞれセル4b、4c、4d、4e、4fに対応している。   The index calculation unit 1 d calculates an index indicating the influence that the wiring 3 provided in the cells 4 a to 4 f has on the substrate model 2 in the X-axis direction and the Y-axis direction on the plane of the substrate model 2. Specifically, the index calculating unit 1d determines the proportion of the wiring 3 in each of the cells 4a to 4f (hereinafter referred to as “wiring remaining ratio”) and the continuity of the wiring of the cells in the X-axis direction and the Y-axis direction. An index is calculated based on the parameter indicating. Here, the wiring remaining rate can be determined based on, for example, the presence or absence of the wiring 3 existing at each vertex of the cells 4a to 4f. For example, in the case of 0, the ratio is 0. In the case of one, the ratio is 0.25. In the case of two, the ratio is 0.5. In the case of three, the ratio is 0.75. In the case of four, the ratio is 1.0. In addition, the index calculation part 1d can calculate a wiring residual ratio easily by making the presence or absence of the wiring in each vertex into a wiring residual ratio. FIG. 1 shows a table T indicating the wiring remaining rate of each cell. The table # 4a corresponds to the cell 4a. Similarly, the tables # 4b, # 4c, # 4d, # 4e, and # 4f correspond to the cells 4b, 4c, 4d, 4e, and 4f, respectively.

セル4aの頂点P1、P2、P5、P6にはそれぞれ配線3が存在している。このため、セル4aの割合を1.0(100%)とする。また、セル4bの頂点P2、P6にはそれぞれ配線3が存在しており、頂点P3、P7にはそれぞれ配線3が存在していない。このため、セル4bの割合を0.5(50%)とする。セル4c〜4fについてもセル4a、4bと同様の方法で割合を求めることができる。   A wiring 3 exists at each of the vertices P1, P2, P5, and P6 of the cell 4a. For this reason, the ratio of the cells 4a is set to 1.0 (100%). Moreover, the wiring 3 exists in each of the vertices P2 and P6 of the cell 4b, and the wiring 3 does not exist in each of the vertices P3 and P7. For this reason, the ratio of the cell 4b is set to 0.5 (50%). For the cells 4c to 4f, the ratio can be obtained in the same manner as the cells 4a and 4b.

また、前述した方向へのセルの配線の連続性を示すパラメータは、例えば隣接するセルの各頂点の配線の有無に基づいて求めることができる。
そして、指標算出部1dは、セル4a〜4fそれぞれのX軸方向に平行な辺により結ばれる頂点に存在する配線の数に応じた第1のパラメータを決定する。X軸方向に平行な辺により結ばれる頂点に存在する配線の数が0個の場合、第1のパラメータを0に決定する。1個の場合、第1のパラメータを50に決定する。2個の場合、第1のパラメータを100に決定する。指標算出部1dは、1つのセルが有するX軸方向に平行な2辺について、上記第1のパラメータをそれぞれ算出する。そして、指標算出部1dは、求めた第1のパラメータのうち、いずれか大きい方を、セルのX軸方向の連続性を示すパラメータ(以下、Xパラメータと言う)に決定する。なお、頂点に存在する配線の数に基づいて、連続性を示すパラメータを算出することで、指標算出部1dは、簡易に連続性を示すパラメータを算出することができる。
The parameter indicating the continuity of the cell wiring in the above-described direction can be obtained based on the presence / absence of the wiring at each vertex of the adjacent cell, for example.
Then, the index calculation unit 1d determines a first parameter according to the number of wirings present at the vertices connected by the sides parallel to the X-axis direction of each of the cells 4a to 4f. When the number of wirings existing at the vertices connected by the sides parallel to the X-axis direction is zero, the first parameter is determined to be zero. In the case of one, the first parameter is determined to be 50. In the case of two, the first parameter is determined to be 100. The index calculation unit 1d calculates the first parameter for each of two sides parallel to the X-axis direction of one cell. Then, the index calculation unit 1d determines the larger one of the obtained first parameters as a parameter indicating the continuity of the cell in the X-axis direction (hereinafter referred to as X parameter). Note that by calculating a parameter indicating continuity based on the number of wirings present at the apex, the index calculating unit 1d can easily calculate a parameter indicating continuity.

例えば、セル4aの下辺により結ばれる頂点P1、P2にはいずれも配線3が存在するため、頂点P1、P2についての第1のパラメータを100とする。セル4aの上辺により結ばれる頂点P5、P6にはいずれも配線3が存在するため、頂点P5、P6についての第1のパラメータを100に決定する。指標算出部1dは、求めた第1のパラメータはいずれも100であるため100を、セル4aのXパラメータに決定する。   For example, since the wiring 3 exists at both the vertices P1 and P2 connected by the lower side of the cell 4a, the first parameter for the vertices P1 and P2 is set to 100. Since both the vertices P5 and P6 connected by the upper side of the cell 4a have the wiring 3, the first parameter for the vertices P5 and P6 is determined to be 100. The index calculation unit 1d determines that 100 is the X parameter of the cell 4a because all the obtained first parameters are 100.

また、他の例として、セル4bの下辺により結ばれる頂点P2には配線3が存在し、頂点P3には配線3が存在しないため、頂点P2、P3についての第1のパラメータを50に決定する。セル4aの上辺により結ばれる頂点P6、P7のうち、頂点P6には配線3が存在し、頂点P7には配線3が存在しないため、頂点P6、P7についての第1のパラメータを50に決定する。指標算出部1dは、求めた第1のパラメータはいずれも50であるため、50を、セル4bのXパラメータに決定する。セル4c〜4fについてもセル4a、4bと同様の方法でXパラメータを求めることができる。   As another example, since the wiring 3 exists at the vertex P2 connected by the lower side of the cell 4b and the wiring 3 does not exist at the vertex P3, the first parameter for the vertices P2 and P3 is determined to be 50. . Of the vertices P6 and P7 connected by the upper side of the cell 4a, the wiring 3 exists at the vertex P6 and the wiring 3 does not exist at the vertex P7, so the first parameter for the vertices P6 and P7 is determined to be 50. . Since the calculated first parameters are all 50, the index calculation unit 1d determines 50 as the X parameter of the cell 4b. The X parameters can be obtained for the cells 4c to 4f in the same manner as the cells 4a and 4b.

また、指標算出部1dは、各セルのY軸方向に平行な辺により結ばれる頂点に存在する配線の数が0個の場合、第2のパラメータを0に決定する。1個の場合、第2のパラメータを50に決定する。2個の場合、第2のパラメータを100に決定する。指標算出部1dは、1つのセルが有するY軸方向に平行な2辺について、上記第2のパラメータをそれぞれ算出する。そして、指標算出部1dは、求めた2つの第2のパラメータのうち、いずれか大きい方を、セルのY軸方向の連続性を示すパラメータ(以下、Yパラメータと言う)に決定する。   Further, the index calculation unit 1d determines that the second parameter is 0 when the number of wirings existing at the vertexes connected by the sides parallel to the Y-axis direction of each cell is zero. In the case of one, the second parameter is determined to be 50. In the case of two, the second parameter is determined to be 100. The index calculation unit 1d calculates the second parameter for each of two sides parallel to the Y-axis direction of one cell. Then, the index calculation unit 1d determines the larger one of the obtained two second parameters as a parameter indicating the continuity of the cell in the Y-axis direction (hereinafter referred to as Y parameter).

例えば、各セル4aの左辺により結ばれる頂点P1、P5にはいずれも配線3が存在するため、頂点P1、P5についての第2のパラメータを100に決定する。セル4aの右辺により結ばれる頂点P2、P6にはいずれも配線3が存在するため、頂点P2、P6についての第2のパラメータを100に決定する。指標算出部1dは、求めた第2のパラメータは、いずれも100であるため、100を、セル4aのYパラメータに決定する。   For example, since the wiring 3 exists at each of the vertices P1 and P5 connected by the left side of each cell 4a, the second parameter for the vertices P1 and P5 is determined to be 100. Since both the vertices P2 and P6 connected by the right side of the cell 4a have the wiring 3, the second parameter for the vertices P2 and P6 is determined to be 100. Since the calculated second parameters are all 100, the index calculation unit 1d determines 100 as the Y parameter of the cell 4a.

また、他の例として、セル4bの左辺により結ばれる頂点P2、P6にはいずれも配線3が存在するため、頂点P2、P6についての第2のパラメータを100に決定する。セル4bの右辺により結ばれる頂点P3、P7にはいずれも配線3が存在しないため、頂点P3、P7についての第2のパラメータを0に決定する。指標算出部1dは、求めた2つの第2のパラメータのうち、大きな100を、セル4bのYパラメータに決定する。セル4c〜4fについてもセル4a、4bと同様の方法でYパラメータを求めることができる。図1には、セル4a〜4fについてそれぞれ求めた配線残存率、XパラメータおよびYパラメータを図示している。指標算出部1dは、配線残存率、XパラメータおよびYパラメータを用いて、X軸方向およびY軸方向それぞれについて配線3が基板モデル2にもたらす影響を示す指標を算出する。なお、この指標の算出方法については、第2の実施の形態にて詳述する。   As another example, since the wiring 3 exists at the vertices P2 and P6 connected by the left side of the cell 4b, the second parameter for the vertices P2 and P6 is determined to be 100. Since neither of the vertices P3 and P7 connected by the right side of the cell 4b has the wiring 3, the second parameter for the vertices P3 and P7 is determined to be zero. The index calculation unit 1d determines the larger 100 of the two obtained second parameters as the Y parameter of the cell 4b. For the cells 4c to 4f, the Y parameter can be obtained in the same manner as the cells 4a and 4b. FIG. 1 illustrates the wiring remaining ratio, the X parameter, and the Y parameter obtained for each of the cells 4a to 4f. The index calculation unit 1d calculates an index indicating the influence of the wiring 3 on the substrate model 2 in each of the X-axis direction and the Y-axis direction using the wiring remaining rate, the X parameter, and the Y parameter. This index calculation method will be described in detail in the second embodiment.

等価物性値算出部1eは、指標算出部1dにより算出された指標に基づいて、配線の等価物性値を算出する。なお、等価物性値の算出方法については、第2の実施の形態にて一例を挙げる。   The equivalent property value calculation unit 1e calculates an equivalent property value of the wiring based on the index calculated by the index calculation unit 1d. An example of a method for calculating an equivalent property value is given in the second embodiment.

出力部1fは、算出された等価物性値を、表示装置5に出力する。また、出力部1fは、指標算出部1dにより算出された指標を表示装置5に出力するようにしてもよい。
この回路設計支援装置1によれば、指標算出部1dが、配線残存率、XパラメータおよびYパラメータを用いて、X軸方向およびY軸方向それぞれについて配線3が基板モデル2にもたらす影響を示す指標を算出するようにした。そして、等価物性値算出部1eが、指標算出部1dにより算出された指標に基づいて、配線の等価物性値を算出するようにした。従って、データベースに予め配線パターンに合致するパターンを用意しておく等の処理を行わずに等価物性値を算出することができる。また、X軸方向およびY軸方向へのセルの配線の連続性を示すXパラメータおよびYパラメータを用いて、配線の等価物性値を算出するようにした。従って、シミュレーションの精度を高めることができる。また、セル4a〜4fの等価物性値を、直接有限解析法等を行って算出する場合に比べ、配線方向の影響を考慮した等価物性値の算出を迅速に行うことができる。
The output unit 1 f outputs the calculated equivalent property value to the display device 5. Further, the output unit 1 f may output the index calculated by the index calculation unit 1 d to the display device 5.
According to this circuit design support device 1, the index calculation unit 1 d uses the wiring remaining rate, the X parameter, and the Y parameter to indicate the influence of the wiring 3 on the board model 2 in each of the X axis direction and the Y axis direction. Was calculated. Then, the equivalent property value calculation unit 1e calculates the equivalent property value of the wiring based on the index calculated by the index calculation unit 1d. Therefore, the equivalent physical property value can be calculated without performing a process such as preparing a pattern that matches the wiring pattern in the database in advance. Also, the equivalent physical property value of the wiring is calculated using the X parameter and the Y parameter indicating the continuity of the cell wiring in the X-axis direction and the Y-axis direction. Therefore, the accuracy of simulation can be increased. In addition, the equivalent physical property values of the cells 4a to 4f can be quickly calculated in consideration of the influence of the wiring direction as compared with the case where the equivalent physical property values are calculated by directly performing a finite analysis method or the like.

なお、分割部1c、指標算出部1d、等価物性値算出部1eおよび出力部1fは、回路設計支援装置1が有するCPU(Central Processing Unit)が備える機能により実現することができる。また、基板モデル情報格納部1aおよび配線情報格納部1bは、回路設計支援装置1が有するRAM(Random Access Memory)やハードディスクドライブ(HDD:Hard Disk Drive)等が備えるデータ記憶領域により実現することができる。   The dividing unit 1c, the index calculating unit 1d, the equivalent property value calculating unit 1e, and the output unit 1f can be realized by functions provided in a CPU (Central Processing Unit) included in the circuit design support apparatus 1. The board model information storage unit 1a and the wiring information storage unit 1b can be realized by a data storage area provided in a RAM (Random Access Memory), a hard disk drive (HDD), or the like included in the circuit design support device 1. it can.

以下、実施の形態をより具体的に説明する。
<第2の実施の形態>
図2は、第2の実施の形態の回路設計支援装置のハードウェアの一構成例を示す図である。
Hereinafter, the embodiment will be described more specifically.
<Second Embodiment>
FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration example of hardware of the circuit design support device according to the second embodiment.

回路設計支援装置10は、CPU101によって装置全体が制御されている。CPU101には、バス108を介してRAM102と複数の周辺機器が接続されている。
RAM102は、回路設計支援装置10の主記憶装置として使用される。RAM102には、CPU101に実行させるOS(Operating System)のプログラムやアプリケーションプログラムの少なくとも一部が一時的に格納される。また、RAM102には、CPU101による処理に使用する各種データが格納される。
The entire circuit design support apparatus 10 is controlled by the CPU 101. The CPU 101 is connected to the RAM 102 and a plurality of peripheral devices via the bus 108.
The RAM 102 is used as a main storage device of the circuit design support apparatus 10. The RAM 102 temporarily stores at least part of an OS (Operating System) program and application programs to be executed by the CPU 101. The RAM 102 stores various data used for processing by the CPU 101.

バス108に接続されている周辺機器としては、ハードディスクドライブ103、グラフィック処理装置104、入力インタフェース105、ドライブ装置106、および通信インタフェース107がある。   Peripheral devices connected to the bus 108 include a hard disk drive 103, a graphic processing device 104, an input interface 105, a drive device 106, and a communication interface 107.

ハードディスクドライブ103は、内蔵したディスクに対して、磁気的にデータの書き込みおよび読み出しを行う。ハードディスクドライブ103は、回路設計支援装置10の二次記憶装置として使用される。ハードディスクドライブ103には、OSのプログラム、アプリケーションプログラム、および各種データが格納される。なお、二次記憶装置としては、フラッシュメモリ等の半導体記憶装置を使用することもできる。   The hard disk drive 103 magnetically writes data to and reads data from a built-in disk. The hard disk drive 103 is used as a secondary storage device of the circuit design support apparatus 10. The hard disk drive 103 stores an OS program, application programs, and various data. As the secondary storage device, a semiconductor storage device such as a flash memory can be used.

グラフィック処理装置104には、モニタ104aが接続されている。グラフィック処理装置104は、CPU101からの命令に従って、画像をモニタ104aの画面に表示させる。モニタ104aとしては、CRT(Cathode Ray Tube)を用いた液晶表示装置等が挙げられる。   A monitor 104 a is connected to the graphic processing device 104. The graphic processing device 104 displays an image on the screen of the monitor 104a in accordance with a command from the CPU 101. Examples of the monitor 104a include a liquid crystal display device using a CRT (Cathode Ray Tube).

入力インタフェース105には、キーボード105aとマウス105bとが接続されている。入力インタフェース105は、キーボード105aやマウス105bから送られてくる信号をCPU101に送信する。なお、マウス105bは、ポインティングデバイスの一例であり、他のポインティングデバイスを使用することもできる。他のポインティングデバイスとしては、タッチパネル、タブレット、タッチパッド、トラックボール等が挙げられる。   A keyboard 105 a and a mouse 105 b are connected to the input interface 105. The input interface 105 transmits signals sent from the keyboard 105a and the mouse 105b to the CPU 101. Note that the mouse 105b is an example of a pointing device, and other pointing devices can also be used. Examples of other pointing devices include a touch panel, a tablet, a touch pad, and a trackball.

ドライブ装置106は、例えば、光の反射によって読み取り可能なようにデータが記録された光ディスクや、USB(Universal Serial Bus)メモリ等の持ち運び可能な記録媒体に記録されたデータの読み取りを行う。例えば、ドライブ装置106が光学ドライブ装置である場合、レーザ光等を利用して、光ディスク200に記録されたデータの読み取りを行う。光ディスク200には、Blu−ray(登録商標)、DVD(Digital Versatile Disc)、DVD−RAM、CD−ROM(Compact Disc Read Only Memory)、CD−R(Recordable)/RW(ReWritable)等が挙げられる。   The drive device 106 reads data recorded on a portable recording medium such as an optical disc on which data is recorded so as to be readable by reflection of light or a USB (Universal Serial Bus) memory. For example, when the drive device 106 is an optical drive device, data recorded on the optical disc 200 is read using a laser beam or the like. Examples of the optical disc 200 include Blu-ray (registered trademark), DVD (Digital Versatile Disc), DVD-RAM, CD-ROM (Compact Disc Read Only Memory), CD-R (Recordable) / RW (ReWritable), and the like. .

通信インタフェース107は、ネットワーク50に接続されている。通信インタフェース107は、ネットワーク50を介して、他のコンピュータまたは通信機器との間でデータの送受信を行う。   The communication interface 107 is connected to the network 50. The communication interface 107 transmits and receives data to and from other computers or communication devices via the network 50.

以上のようなハードウェア構成によって、本実施の形態の処理機能を実現することができる。
このようなハードウェア構成の回路設計支援装置10内には、以下のような機能が設けられる。
With the hardware configuration as described above, the processing functions of the present embodiment can be realized.
The following functions are provided in the circuit design support apparatus 10 having such a hardware configuration.

図3は、第2の実施の形態の回路設計支援装置の機能を示すブロック図である。
ガーバーデータ格納部20には、設計対象の基板モデルが備える各層の配線の配置箇所を示すガーバーデータが格納されている。なお、図3では、ガーバーデータ格納部20が回路設計支援装置10の外部に設けられている場合を示しているが、回路設計支援装置10がガーバーデータ格納部20を有する構成としてもよい。
FIG. 3 is a block diagram illustrating functions of the circuit design support apparatus according to the second embodiment.
The gerber data storage unit 20 stores gerber data indicating the location of wiring of each layer included in the board model to be designed. 3 shows the case where the Gerber data storage unit 20 is provided outside the circuit design support device 10, the circuit design support device 10 may have a Gerber data storage unit 20.

回路設計支援装置10は、解析対象の基板モデルの熱歪み解析を実施する解析部11を有している。
解析部11は、熱歪み解析にあたり、設計者による解析対象の基板モデルに対する各種条件の入力画面をモニタ104aに表示させる表示部14を有している。
The circuit design support apparatus 10 includes an analysis unit 11 that performs thermal strain analysis of a board model to be analyzed.
The analysis unit 11 includes a display unit 14 that displays, on the monitor 104a, an input screen of various conditions for the board model to be analyzed by the designer in thermal strain analysis.

また、解析部11は、設計者による解析対象の基板モデルに対する各種条件の入力を受け付ける。また、解析部11は、設計者の指示により、ガーバーデータ格納部20に格納されているガーバーデータを読み込む。そして、解析部11は、受け付けた条件に基づいて、残銅率算出部12で基板モデル全体に残っている銅配線の割合(以下、「平均残銅率」と言う)および寄与度を算出する。また、設計者が指定した基板上の特定の領域が存在する場合には、解析部11は、その領域についての平均残銅率および寄与度を算出することもできる。ここで、寄与度は、基板モデルの平面上の少なくとも一つの方向に対して後述する各セルに設けられる配線が基板モデルにもたらす影響を示す指標である。   The analysis unit 11 also receives input of various conditions for the board model to be analyzed by the designer. Moreover, the analysis part 11 reads the Gerber data stored in the Gerber data storage part 20 by a designer's instruction | indication. Then, based on the accepted conditions, the analysis unit 11 calculates the ratio of copper wiring remaining in the entire board model (hereinafter referred to as “average remaining copper ratio”) and the degree of contribution in the remaining copper ratio calculation unit 12. . Further, when a specific region on the board specified by the designer exists, the analysis unit 11 can also calculate the average remaining copper ratio and the contribution degree for the region. Here, the degree of contribution is an index indicating the influence of wiring provided in each cell described later on the board model in at least one direction on the plane of the board model.

その後、解析部11は、残銅率算出部12が算出した平均残銅率および寄与度に基づいて等価物性値算出部13で等価物性値を算出する。また、解析部11は、残銅率算出部12が算出した平均残銅率および寄与度や、等価物性値算出部13が算出した等価物性値を表示部14でモニタ104aに表示することもできる。   Thereafter, the analysis unit 11 calculates an equivalent physical property value in the equivalent physical property value calculation unit 13 based on the average remaining copper rate and the contribution degree calculated by the remaining copper rate calculation unit 12. The analysis unit 11 can also display the average remaining copper rate and contribution calculated by the remaining copper rate calculating unit 12 and the equivalent physical property value calculated by the equivalent physical property value calculating unit 13 on the monitor 104a on the display unit 14. .

その後、解析部11は、算出された等価物性値に基づき熱歪み解析を実施する。以下、解析手順の一例を9個の工程に分けて説明する。なお、各工程は、説明の便宜上設定したものであり、工程の数や、工程の切り分けは、本実施の形態のものに限定されない。また、一部の工程が省略されたり、一部の工程が他の工程に置換されたり、他の工程が追加されたりしてもよい。   Thereafter, the analysis unit 11 performs thermal strain analysis based on the calculated equivalent physical property value. Hereinafter, an example of the analysis procedure will be described by dividing it into nine steps. Each process is set for convenience of explanation, and the number of processes and the separation of processes are not limited to those in the present embodiment. Also, some processes may be omitted, some processes may be replaced with other processes, or other processes may be added.

[工程1] 設計者の操作により、解析部11は複数の電子部品(例えばBGA(Ball Grid Array)等)が搭載された解析対象の基板モデルの外形情報が記憶されたファイルを読み込む。ファイルとしては、例えば、IDFファイル(3次元CADとPCB設計CADのデータを相互互換するために開発された中間ファイル)等が挙げられる。そして、解析部11は、読み込んだファイルの基板モデルの外形をモニタ104aに表示する。また、解析部11は、読み込んだファイルを後述する基板外形情報格納部に格納する。   [Step 1] By the operation of the designer, the analysis unit 11 reads a file in which outline information of a board model to be analyzed on which a plurality of electronic components (for example, BGA (Ball Grid Array)) are mounted is stored. Examples of the file include an IDF file (an intermediate file developed in order to make the data of the three-dimensional CAD and the PCB design CAD compatible). Then, the analysis unit 11 displays the outline of the substrate model of the read file on the monitor 104a. The analysis unit 11 stores the read file in a board outline information storage unit described later.

図4は、基板モデルの一例を示す図である。
図4には、モニタ104aに表示された状態の基板モデル30を示している。基板モデル30は、複数のIC(Integrated Circuit)部品モデル31、32、33が搭載されている。以下、説明の便宜上、互いに直交するX軸およびY軸を規定する。X軸は、図4中基板モデル30の一辺に平行に設けられ、Y軸は、基板モデル30の他辺に平行に設けられているものとする。
FIG. 4 is a diagram illustrating an example of the substrate model.
FIG. 4 shows the board model 30 displayed on the monitor 104a. The substrate model 30 has a plurality of IC (Integrated Circuit) component models 31, 32, and 33 mounted thereon. Hereinafter, for convenience of explanation, an X axis and a Y axis that are orthogonal to each other are defined. The X axis is provided in parallel with one side of the substrate model 30 in FIG. 4, and the Y axis is provided in parallel with the other side of the substrate model 30.

[工程2] 設計者が、基板モデル30に搭載されている複数の電子部品の中から評価する部品モデルを指定することにより、解析部11は、評価する部品モデルを特定する。以下、解析部11がIC部品モデル31を特定した場合について説明する。   [Step 2] When the designer designates a component model to be evaluated from among a plurality of electronic components mounted on the board model 30, the analysis unit 11 identifies the component model to be evaluated. Hereinafter, a case where the analysis unit 11 specifies the IC component model 31 will be described.

解析部11は、特定したIC部品モデル31のモールドの寸法、チップの寸法、チップ配置(部品中心からのオフセット量)、インターポーザ厚さ、はんだバンプ高さ、はんだバンプ直径、ランド高さ、X軸方向、Y軸方向のはんだバンプの数、はんだバンプのピッチ等の各種パラメータの入力画面をモニタ104aに表示する。そして、解析部11は、設計者の操作による各種パラメータの入力を受け付ける。そして解析部11は、受け付けたパラメータに基づいてIC部品モデル31のメッシュを作成する。また、解析部11は、受け付けたパラメータおよび作成したメッシュを、後述する評価IC領域格納部に格納する。   The analysis unit 11 determines the mold size, chip size, chip layout (offset amount from the center of the component), interposer thickness, solder bump height, solder bump diameter, land height, X axis of the specified IC component model 31. An input screen for various parameters such as the direction, the number of solder bumps in the Y-axis direction, and the pitch of the solder bumps is displayed on the monitor 104a. And the analysis part 11 receives the input of the various parameters by a designer's operation. And the analysis part 11 produces the mesh of the IC component model 31 based on the received parameter. In addition, the analysis unit 11 stores the received parameters and the created mesh in an evaluation IC area storage unit to be described later.

[工程3] 解析部11は、設計者の操作による基板モデル30の形状の選択を受け付ける。
[工程4] 解析部11は、基板モデル30の層構成(何層の基板か)の入力画面をモニタ104aに表示する。そして、解析部11は、設計者の操作による基板モデル30の層構成の入力を受け付ける。また、解析部11は、導体層の材質および樹脂層の材質の入力を受け付ける。また、解析部11は、基板モデル30の表層を導体層とするか否か等の入力を受け付けることもできる。
[Step 3] The analysis unit 11 accepts selection of the shape of the board model 30 by the operation of the designer.
[Step 4] The analysis unit 11 displays an input screen of the layer configuration (the number of layers of substrates) of the substrate model 30 on the monitor 104a. And the analysis part 11 receives the input of the layer structure of the board | substrate model 30 by a designer's operation. Moreover, the analysis part 11 receives the input of the material of a conductor layer, and the material of a resin layer. Further, the analysis unit 11 can also accept an input such as whether or not the surface layer of the board model 30 is a conductor layer.

[工程5] 解析部11は、基板モデル30の層毎の材料物性値の入力画面をモニタ104aに表示する。そして、解析部11は、設計者の操作による基板モデル30の層毎の材料物性値の入力を受け付ける。   [Step 5] The analysis unit 11 displays an input screen of material property values for each layer of the substrate model 30 on the monitor 104a. And the analysis part 11 receives the input of the material physical property value for every layer of the board | substrate model 30 by a designer's operation.

図5は、層毎の材料物性値の入力の受け付けを説明する図である。
図5に示すモニタ104aには、基板モデル名:sample1.brdの層毎の材料物性値の入力を受け付けるテーブルT1が表示されている。テーブルT1には、層構成、材料名、DB選択、ヤング率、ポアソン比、熱膨張係数の欄が設けられている。横方向に並べられた情報同士が互いに関連づけられている。
FIG. 5 is a diagram for explaining acceptance of input of material property values for each layer.
The monitor 104a shown in FIG. 5 includes a board model name: sample1. A table T1 for accepting input of material property values for each layer of brd is displayed. The table T1 includes columns for layer configuration, material name, DB selection, Young's modulus, Poisson's ratio, and thermal expansion coefficient. Information arranged in the horizontal direction is associated with each other.

層構成の欄には、層の構成を識別する情報が設定されている。L1、L2、L3、L4は、各層の導体層を識別する情報である。例えば、L1は、第1層の導体層を示している。また、PP1、PP2、PP3は、各層の樹脂層を識別する情報である。例えば、PP1は、第1層の樹脂層を示している。   In the column of the layer configuration, information for identifying the layer configuration is set. L1, L2, L3, and L4 are information for identifying the conductor layers of each layer. For example, L1 indicates the first conductor layer. PP1, PP2, and PP3 are information for identifying the resin layers of the respective layers. For example, PP1 indicates the first resin layer.

DB選択の欄には、材料名の欄に設定された材料に基づいたヤング率、ポアソン比、熱膨張係数を格納するデータベースを呼び出す選択ボタンB1が配置されている。設計者が選択ボタンB1を押下することにより、解析部11が図示しないデータベースを呼び出し、材料データの選択画面をモニタ104aに表示する。設計者が材料データを選択することにより、解析部11は、材料名、ヤング率、ポアソン比、熱膨張係数をテーブルT1に設定する。なお、設計者は、手入力で材料名、ヤング率、ポアソン比、熱膨張係数を入力することもできる。   In the DB selection column, a selection button B1 for calling a database storing Young's modulus, Poisson's ratio, and thermal expansion coefficient based on the material set in the material name column is arranged. When the designer presses the selection button B1, the analysis unit 11 calls a database (not shown) and displays a material data selection screen on the monitor 104a. When the designer selects material data, the analysis unit 11 sets the material name, Young's modulus, Poisson's ratio, and thermal expansion coefficient in the table T1. The designer can also manually input the material name, Young's modulus, Poisson's ratio, and thermal expansion coefficient.

[工程6] 設計者によりモニタ104a右下のボタンB2が押下されると、解析部11は、等価物性値パラメータ入力画面をモニタ104aに表示する。
図6は、等価物性値パラメータ入力画面を説明する図である。
[Step 6] When the designer presses the lower right button B2 of the monitor 104a, the analysis unit 11 displays an equivalent property value parameter input screen on the monitor 104a.
FIG. 6 is a diagram for explaining an equivalent property value parameter input screen.

図6に示すモニタ104aには、基板モデル名:sample1.brdの層毎の等価物性値パラメータの入力を受け付けるテーブルT2が表示されている。テーブルT2には、層構成、材料名、厚さ、ガーバー選択、平均残銅率、平均残銅率(部品)の欄が設けられている。横方向に並べられた情報同士が互いに関連づけられている。   The monitor 104a shown in FIG. 6 includes a board model name: sample1. A table T2 that accepts input of equivalent physical property value parameters for each layer of the brd is displayed. The table T2 includes columns of layer configuration, material name, thickness, Gerber selection, average remaining copper ratio, and average remaining copper ratio (parts). Information arranged in the horizontal direction is associated with each other.

層構成、材料名の欄には、テーブルT1に設定されている情報と同じ情報が設定されている。
厚さの欄には、設計者により各層の厚さの値が設定される。
In the column of the layer configuration and material name, the same information as that set in the table T1 is set.
In the thickness column, the thickness value of each layer is set by the designer.

ガーバー選択の欄には、材料名の欄に設定された材料に基づいたヤング率、ポアソン比、熱膨張係数を格納するデータベースを呼び出す選択ボタンB3が配置されている。
平均残銅率の欄には、残銅率算出部12が算出した基板モデル30全体の平均残銅率が設定される。
In the Gerber selection column, a selection button B3 for calling a database storing Young's modulus, Poisson's ratio, and thermal expansion coefficient based on the material set in the material name column is arranged.
In the column of the average remaining copper ratio, the average remaining copper ratio of the entire board model 30 calculated by the remaining copper ratio calculating unit 12 is set.

平均残銅率(部品)の欄には、残銅率算出部12が算出したIC部品モデル31の平均残銅率が設定される。なお、図6では1つの平均残銅率(部品)の欄を設けたが、平均残銅率(部品)の欄は、工程2において選択したIC部品モデルの数に応じて設けられる。   In the column of the average remaining copper ratio (components), the average remaining copper ratio of the IC component model 31 calculated by the remaining copper ratio calculating unit 12 is set. In FIG. 6, one average remaining copper ratio (component) column is provided, but the average remaining copper ratio (component) column is provided according to the number of IC component models selected in step 2.

なお、図6に示すように、平均残銅率および平均残銅率(部品)の欄は、当初は空欄である。設計者が選択ボタンB3を押下することにより、解析部11が図3に示すガーバーデータ格納部20を呼び出し、ガーバーデータ選択画面(図示せず)をモニタ104aに表示する。   In addition, as shown in FIG. 6, the column of an average remaining copper ratio and an average remaining copper ratio (components) is initially blank. When the designer presses the selection button B3, the analysis unit 11 calls the Gerber data storage unit 20 shown in FIG. 3, and displays a Gerber data selection screen (not shown) on the monitor 104a.

[工程7] 解析部11が設計者の操作によるガーバーデータの選択を受け付けることにより、残銅率算出部12が起動する。残銅率算出部12は、選択された層全体の平均残銅率および工程2にて受け付けたIC部品モデル31周辺の平均残銅率を算出する。また、残銅率算出部12は、選択された層全体および工程2にて受け付けたIC部品モデル31の銅配線の配線方向を考慮した平均X軸方向寄与度および平均Y軸方向寄与度を算出する。なお、平均残銅率、平均X軸方向寄与度および平均Y軸方向寄与度の算出方法については、後に詳述する。   [Step 7] When the analysis unit 11 receives selection of Gerber data by the designer's operation, the remaining copper ratio calculation unit 12 is activated. The remaining copper ratio calculation unit 12 calculates the average remaining copper ratio of the entire selected layer and the average remaining copper ratio around the IC component model 31 received in step 2. In addition, the remaining copper ratio calculation unit 12 calculates the average X-axis direction contribution and the average Y-axis direction contribution taking into consideration the entire selected layer and the wiring direction of the copper wiring of the IC component model 31 received in step 2. To do. A method for calculating the average remaining copper ratio, the average X-axis direction contribution, and the average Y-axis direction contribution will be described in detail later.

そして残銅率算出部12は、算出した平均残銅率をテーブルT2の平均残銅率の欄に設定し、算出したIC部品モデル31の平均残銅率を平均残銅率(部品)の欄に設定する。解析部11は、このテーブルT2をモニタ104aに表示する。   And the remaining copper ratio calculation part 12 sets the calculated average remaining copper ratio in the column of the average remaining copper ratio of Table T2, and calculates the average remaining copper ratio of the IC component model 31 in the column of an average remaining copper ratio (components). Set to. The analysis unit 11 displays this table T2 on the monitor 104a.

図7は、残銅率算出部の算出結果を説明する図である。
モニタ104aには、基板層選択タブTB1と、テーブルT3と、ボタンB4とが表示されている。
FIG. 7 is a diagram illustrating a calculation result of the remaining copper ratio calculation unit.
The monitor 104a displays a substrate layer selection tab TB1, a table T3, and a button B4.

設計者は、基板層選択タブTB1をクリックすることにより、平均残銅率、平均X軸方向寄与度、平均Y軸方向寄与度をモニタ104aに表示させる基板モデル30の層(基板層)を選択することができる。   The designer clicks the board layer selection tab TB1, and selects the board model 30 layer (board layer) that displays the average remaining copper ratio, the average X-axis direction contribution, and the average Y-axis direction contribution on the monitor 104a. can do.

解析部11は、設計者の基板層選択タブTB1の選択を受け付けると、選択された基板層の平均残銅率、平均X軸方向寄与度、平均Y軸方向寄与度が記載されたテーブルT3をモニタ104aに表示させる。図7では、設計者が選択した基板層L1の平均残銅率、平均X軸方向寄与度、平均Y軸方向寄与度を示すテーブルT3を示している。テーブルT3には、基板モデル30全体およびIC部品モデル31毎の領域面積、平均残銅率、平均X軸方向寄与度、平均Y軸方向寄与度が設定されている。図7では、評価IC領域2および評価IC領域3の欄は空欄になっている。   When the analysis unit 11 receives the selection of the board layer selection tab TB1 by the designer, the analysis unit 11 obtains a table T3 in which the average remaining copper ratio, the average X-axis direction contribution, and the average Y-axis direction contribution of the selected board layer are described. It is displayed on the monitor 104a. FIG. 7 shows a table T3 indicating the average remaining copper ratio, average X-axis direction contribution, and average Y-axis direction contribution of the substrate layer L1 selected by the designer. In the table T3, a region area, an average remaining copper ratio, an average contribution in the X-axis direction, and an average contribution in the Y-axis direction are set for each of the substrate model 30 and the IC component model 31. In FIG. 7, the columns of the evaluation IC area 2 and the evaluation IC area 3 are blank.

設計者によりモニタ104a右下のボタンB4が押下されると、解析部11は、等価物性値パラメータ入力画面を再びモニタ104aに表示する。
図8は、等価物性値パラメータ入力画面を説明する図である。
When the designer presses the lower right button B4 of the monitor 104a, the analysis unit 11 displays the equivalent property value parameter input screen on the monitor 104a again.
FIG. 8 is a diagram for explaining an equivalent property value parameter input screen.

モニタ104aには、テーブルT2と、ボタンB5とが表示されている。
図8に示すモニタ104aに表示されたテーブルT2の平均残銅率の欄には、残銅率算出部12により算出された基板モデル30の平均残銅率が設定される。また、テーブルT2の平均残銅率の欄には、残銅率算出部12により算出されたIC部品モデル31の平均残銅率が設定される。
A table T2 and a button B5 are displayed on the monitor 104a.
The average remaining copper ratio of the board model 30 calculated by the remaining copper ratio calculating unit 12 is set in the column of the average remaining copper ratio of the table T2 displayed on the monitor 104a shown in FIG. Further, the average remaining copper ratio of the IC component model 31 calculated by the remaining copper ratio calculating unit 12 is set in the column of the average remaining copper ratio of the table T2.

[工程8] 設計者によりモニタ104a右下のボタンB5が押下されると、解析部11は、工程1にて入力された基板外形情報と工程2にて入力された評価IC領域の情報とに基づいて、基板メッシュを作成する。基板メッシュの作成において、解析部11は、形状のメッシュ分割を行うとともに、別途、等価物性値算出部13を起動し、配線が行われた基板モデル30の等価物性値を算出する。   [Step 8] When the designer presses the lower right button B5 of the monitor 104a, the analysis unit 11 converts the board outline information input in step 1 and the evaluation IC area information input in step 2 into the information. Based on this, a substrate mesh is created. In creating the substrate mesh, the analysis unit 11 performs mesh division of the shape and separately activates the equivalent property value calculation unit 13 to calculate the equivalent property value of the substrate model 30 on which the wiring is performed.

等価物性値算出部13は、工程6にて入力された各層の厚さ、工程5にて入力された基本材料物性値、工程7にて算出された平均残銅率、平均X軸方向寄与度、平均Y軸方向寄与度に基づいてX軸方向およびY軸方向の方向性を伴った等価物性値を算出する。そして、等価物性値算出部13は、作成した要素に算出結果を割り当てる。等価物性値の算出は、まず、平均X軸方向寄与度、平均Y軸方向寄与度を加味した層毎のヤング率、ポアソン比、熱膨張係数を算出する(面内の複合則)。そして、積層材料の複合則によって、厚さ方向(Z軸方向)まで含めた等価物性値を算出する。解析部11は、算出された等価物性値をモニタ104aに表示する。以下、等価物性値の算出方法の一例を説明する。   The equivalent physical property value calculation unit 13 calculates the thickness of each layer input in step 6, the basic material physical property value input in step 5, the average remaining copper ratio calculated in step 7, and the average contribution in the X-axis direction. Based on the average contribution in the Y-axis direction, an equivalent physical property value with directivity in the X-axis direction and the Y-axis direction is calculated. Then, the equivalent property value calculation unit 13 assigns a calculation result to the created element. To calculate the equivalent physical property value, first, the Young's modulus, the Poisson's ratio, and the thermal expansion coefficient for each layer taking into account the average contribution in the X-axis direction and the average contribution in the Y-axis direction are calculated (in-plane compound rule). Then, an equivalent physical property value including the thickness direction (Z-axis direction) is calculated according to the composite law of the laminated material. The analysis unit 11 displays the calculated equivalent physical property value on the monitor 104a. Hereinafter, an example of a method for calculating the equivalent property value will be described.

図9は、面内の複合則算出を説明する図である。
基板モデル30のある1層に2つの材料(図9では銅配線と樹脂)が存在するときの各パラメータを図9に示すように定義する。なお、Z軸方向は、X軸方向およびY軸方向それぞれに対し直交する方法である。また、図9中、矢印の基端側のパラメータは、計算式に入力するパラメータであり、先端側のパラメータは、算出結果を示している。また、元の材料物性値が等方性の場合は、ヤング率、ポアソン比、熱膨張係数については、X軸方向、Y軸方向、Z軸方向のパラメータの値は同じになる。
FIG. 9 is a diagram for explaining in-plane compound rule calculation.
Each parameter when two materials (copper wiring and resin in FIG. 9) exist in one layer of the substrate model 30 is defined as shown in FIG. The Z-axis direction is a method that is orthogonal to the X-axis direction and the Y-axis direction. In FIG. 9, the parameters on the base end side of the arrows are parameters input to the calculation formula, and the parameters on the front end side indicate calculation results. When the original material property value is isotropic, the values of parameters in the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction are the same for the Young's modulus, Poisson's ratio, and thermal expansion coefficient.

前述したように、等価物性値算出部13は、層毎の等価物性値を算出する。X軸方向のヤング率E3x=E1x×KX+E2x×(1−KX)となる。Y軸方向のヤング率E3y=E1y×KY+E2y×(1−KY)となる。Z軸方向のヤング率E3z=E1z×ZAN+E2z×(1−ZAN)となる。   As described above, the equivalent property value calculation unit 13 calculates the equivalent property value for each layer. Young's modulus in the X-axis direction is E3x = E1x × KX + E2x × (1−KX). Y-axis direction Young's modulus E3y = E1y × KY + E2y × (1−KY). The Young's modulus in the Z-axis direction is E3z = E1z × ZAN + E2z × (1−ZAN).

X軸方向のポアソン比ν3x=ν1x×KX+ν2x×(1−KX)となる。Y軸方向のポアソン比ν3y=ν1y×KY+ν2y×(1−KY)となる。Z軸方向のポアソン比ν3z=ν1z×ZAN+ν2z×(1−ZAN)となる。   The Poisson's ratio in the X-axis direction is ν3x = ν1x × KX + ν2x × (1−KX). The Poisson's ratio in the Y-axis direction is ν3y = ν1y × KY + ν2y × (1−KY). The Poisson's ratio in the Z-axis direction is ν3z = ν1z × ZAN + ν2z × (1−ZAN).

X軸方向の熱膨張係数α3x={(α1x×E1x×KX)+(α2x×E2x×(1−KX))}/E3xとなる。Y軸方向の熱膨張係数α3y={(α1y×E1y×KY)+(α2y×E2y×(1−KY))}/E3yとなる。Z軸方向の熱膨張係数α3z={(α1z×E1z×ZAN)+(α2z×E2z×(1−ZAN))}/E3zとなる。   The thermal expansion coefficient in the X-axis direction α3x = {(α1x × E1x × KX) + (α2x × E2x × (1−KX))} / E3x. Y-axis direction thermal expansion coefficient α3y = {(α1y × E1y × KY) + (α2y × E2y × (1-KY))} / E3y. The coefficient of thermal expansion in the Z-axis direction is α3z = {(α1z × E1z × ZAN) + (α2z × E2z × (1-ZAN))} / E3z.

次に、等価物性値算出部13は、積層材料の複合則によって、厚さ方向まで含めた等価物性値を算出する。解析部11は、算出された厚さ方向まで含めた等価物性値をモニタ104aに表示する。   Next, the equivalent property value calculation unit 13 calculates the equivalent property value including the thickness direction according to the composite law of the laminated material. The analysis unit 11 displays the equivalent physical property value including the calculated thickness direction on the monitor 104a.

図10は、厚さ方向まで含めた等価物性値の算出を説明する図である。層毎に求めた等価物性値を図10のように定義する。なお、図10中、矢印の基端側のパラメータは、計算式に入力するパラメータであり、先端側のパラメータは、算出結果を示している。また、図10では既に銅箔層も樹脂層も、単層での等価物性値が算出されている状況での計算を前提とする。また、板厚の欄には、基板モデル30の各層の厚さが設定されている。また、t=t1+t2+・・・+tnである。   FIG. 10 is a diagram for explaining calculation of equivalent physical property values including the thickness direction. The equivalent physical property value obtained for each layer is defined as shown in FIG. In FIG. 10, the parameters on the base end side of the arrows are parameters input to the calculation formula, and the parameters on the front end side indicate calculation results. Further, in FIG. 10, it is assumed that the copper foil layer and the resin layer have already been calculated in a situation where the equivalent physical property values of the single layer have been calculated. The thickness of each layer of the substrate model 30 is set in the plate thickness column. Further, t = t1 + t2 +... + Tn.

X軸方向の厚さ方向まで含めたヤング率Ex={(E1X×t13)+(E2X×((t1+t2)3―t13))+・・・+(EnX×(t3−(t−tn)3))}/{t3/8}となる。Y軸方向の厚さ方向まで含めたヤング率Ey={(E1Y×t13)+(E2Y×((t1+t2)3―t13))+・・・+(EnY×(t3−(t−tn)3))}/{t3/8}となる。Z軸方向の厚さ方向まで含めたヤング率Ez=t/{(t1/E1Z)+(t2/E2Z)+・・・+(tn/EnZ)}となる。 Young's modulus including the thickness direction in the X-axis direction Ex = {(E1X × t1 3 ) + (E2X × ((t1 + t2) 3 −t1 3 )) +... + (EnX × (t 3 − (t− a tn) 3))} / { t 3/8}. Young's modulus including the thickness direction in the Y-axis direction Ey = {(E1Y × t1 3 ) + (E2Y × ((t1 + t2) 3 −t1 3 )) +... + (EnY × (t 3 − (t− a tn) 3))} / { t 3/8}. Young's modulus Ez = t / {(t1 / E1Z) + (t2 / E2Z) +... + (Tn / EnZ)} including the thickness direction in the Z-axis direction.

また、X軸方向の厚さ方向まで含めたポアソン比νx=ν1X×t1/t+ν2X×t2/t+・・・+νnX×tn/tとなる。Y軸方向の厚さ方向まで含めたポアソン比νy=ν1Y×t1/t+ν2Y×t2/t+・・・+νnY×tn/tとなる。Z軸方向の厚さ方向まで含めたポアソン比νz=ν1Z×t1/t+ν2Z×t2/t+・・・+νnZ×tn/tとなる。   The Poisson's ratio including the thickness direction in the X-axis direction is νx = ν1X × t1 / t + ν2X × t2 / t +... + ΝnX × tn / t. Poisson's ratio including the thickness direction in the Y-axis direction is νy = ν1Y × t1 / t + ν2Y × t2 / t +... + ΝnY × tn / t. Poisson's ratio including the thickness direction in the Z-axis direction is νz = ν1Z × t1 / t + ν2Z × t2 / t +... + ΝnZ × tn / t.

また、X軸方向の厚さ方向まで含めた熱膨張係数αx={(α1X×E1X×t1)+(α2X×E2X×t2)+・・・+(αnX×EnX×tn)}/{(E1X×t1)+(E2X×t2)+・・・+(EnX×tn)}となる。Y軸方向の厚さ方向まで含めた熱膨張係数αy={(α1Y×E1Y×t1)+(α2Y×E2Y×t2)+・・・+(αnY×EnY×tn)}/{(E1Y×t1)+(E2Y×t2)+・・・+(EnY×tn)}となる。Z軸方向の厚さ方向まで含めた熱膨張係数αz={(α1Z×E1Z×t1)+(α2Z×E2Z×t2)+・・・+(αnZ×EnZ×tn)}/{(E1Z×t1)+(E2Z×t2)+・・・+(EnZ×tn)}となる。   Further, the thermal expansion coefficient αx = {(α1X × E1X × t1) + (α2X × E2X × t2) +... + (ΑnX × EnX × tn)} / {(E1X) including the thickness direction in the X-axis direction × t1) + (E2X × t2) +... + (EnX × tn)}. Coefficient of thermal expansion αy = {(α1Y × E1Y × t1) + (α2Y × E2Y × t2) +... + (ΑnY × EnY × tn)} / {(E1Y × t1) ) + (E2Y × t2) +... + (EnY × tn)}. Thermal expansion coefficient αz = {(α1Z × E1Z × t1) + (α2Z × E2Z × t2) +... + (ΑnZ × EnZ × tn)} / {(E1Z × t1) including the thickness direction in the Z-axis direction ) + (E2Z × t2) +... + (EnZ × tn)}.

[工程9] 次に、解析部11は、例えば有限要素法プログラムにて、熱歪み解析を実施する。具体的には、解析部11は、等価物性値が定義されたメッシュデータに温度荷重条件を付加する。そして、有限要素法プログラムで数値計算を実施する。解析部11は、熱歪み解析の結果をモニタ104aに表示する。   [Step 9] Next, the analysis unit 11 performs thermal strain analysis using, for example, a finite element method program. Specifically, the analysis unit 11 adds a temperature load condition to mesh data in which equivalent physical property values are defined. Then, numerical calculation is performed by a finite element method program. The analysis unit 11 displays the result of the thermal strain analysis on the monitor 104a.

配線方向の影響(寄与度)を考慮した等価物性値で数値計算を実施することで、より実機に近い状況でシミュレーションを行うことができる。従って、例えば計算時間が短いメッシュの粗いモデルを用いた場合でもある程度の信頼性が確保されるため、シミュレーションの時間を短くすることができる。   By performing numerical calculation with equivalent physical property values considering the influence (contribution) of the wiring direction, simulation can be performed in a situation closer to the actual machine. Therefore, for example, even when a coarse model with a short calculation time is used, a certain degree of reliability is ensured, so that the simulation time can be shortened.

以下、平均残銅率の算出方法、平均X軸方向寄与度および平均Y軸方向寄与度の算出方法を詳しく説明する。
図11は、残銅率算出部が有する機能を示すブロック図である。
Hereinafter, the calculation method of the average remaining copper ratio, the average X-axis direction contribution, and the average Y-axis direction contribution will be described in detail.
FIG. 11 is a block diagram illustrating functions of the remaining copper ratio calculation unit.

残銅率算出部12は、基板外形情報格納部121と、評価IC領域格納部122と、セルサイズ決定部123と、パラメータ算出部124と、平均残銅率算出部125と、寄与度算出部126とを有している。   The remaining copper ratio calculation unit 12 includes a board outer shape information storage unit 121, an evaluation IC region storage unit 122, a cell size determination unit 123, a parameter calculation unit 124, an average remaining copper ratio calculation unit 125, and a contribution calculation unit. 126.

ここで、セルサイズ決定部123は、分割部の一例である。パラメータ算出部124、平均残銅率算出部125および寄与度算出部126は、指標算出部の一例である。
基板外形情報格納部121には、工程1にて解析部11が読み込んだ基板モデル30の外形情報が記憶されたファイルが格納されている。
Here, the cell size determining unit 123 is an example of a dividing unit. The parameter calculation unit 124, the average remaining copper ratio calculation unit 125, and the contribution calculation unit 126 are examples of an index calculation unit.
The board outline information storage unit 121 stores a file in which outline information of the board model 30 read by the analysis unit 11 in step 1 is stored.

評価IC領域格納部122には、工程2にて解析部11が特定したIC部品モデル31のパラメータおよびメッシュに関する情報が格納されている。
セルサイズ決定部123は、基板外形情報格納部121に格納されている基板モデル30の各層を、複数の矩形のセルに分割する。セルサイズ決定部123は、分割するセルのサイズを決定する。
The evaluation IC area storage unit 122 stores information on parameters and meshes of the IC component model 31 specified by the analysis unit 11 in step 2.
The cell size determination unit 123 divides each layer of the board model 30 stored in the board outline information storage unit 121 into a plurality of rectangular cells. The cell size determination unit 123 determines the size of the cell to be divided.

図12は、セルを説明する図である。
図12に示す設計対象の基板モデル30の任意の領域34を拡大して示している。領域34には、銅箔の配線35が行われている。
FIG. 12 is a diagram illustrating a cell.
An arbitrary region 34 of the board model 30 to be designed shown in FIG. 12 is shown enlarged. In the region 34, a copper foil wiring 35 is provided.

セルサイズ決定部123は、ガーバーデータ格納部20に格納されているガーバーデータに含まれる配線35のペン(銅箔塗装用)幅h1を読み取る。そして、読み取ったペン幅h1に所定の割合を乗じた値をセル36の1辺の幅h2に決定する。本実施の形態では、一例として読み取ったペン幅h1に0.9(90%)を乗じた値をセル36の1辺の幅h2に決定する。セルのサイズが大きくなるほど、処理時間は短縮するが、熱歪み解析の精度が下がる。なお、セルのサイズは設計者が任意のサイズに設定するようにしてもよい。   The cell size determination unit 123 reads the pen (for copper foil coating) width h <b> 1 of the wiring 35 included in the Gerber data stored in the Gerber data storage unit 20. Then, a value obtained by multiplying the read pen width h1 by a predetermined ratio is determined as the width h2 of one side of the cell 36. In the present embodiment, as an example, a value obtained by multiplying the read pen width h1 by 0.9 (90%) is determined as the width h2 of one side of the cell 36. As the cell size increases, the processing time decreases, but the accuracy of thermal strain analysis decreases. The cell size may be set to an arbitrary size by the designer.

パラメータ算出部124は、平均X軸方向寄与度および平均Y軸方向寄与度を算出する際に使用する各種パラメータを算出する。
図13〜図17は、各種パラメータの算出方法を説明する図である。以下、紙面左側から右側に向かう方向をX軸の正方向とし、紙面下側から上側に向かう方向をY軸の正方向とする。
The parameter calculation unit 124 calculates various parameters used when calculating the average X-axis direction contribution and the average Y-axis direction contribution.
13 to 17 are diagrams for explaining a method for calculating various parameters. Hereinafter, the direction from the left side to the right side of the paper surface is defined as the positive direction of the X axis, and the direction from the lower side of the paper surface toward the upper side is defined as the positive direction of the Y axis.

まず、パラメータ算出部124は、領域34の1行目の4つのセル36を処理対象に設定する。そして、パラメータ算出部124は、基点に設定した頂点P11からX軸の正方向に存在する頂点P12、P13、P14、P15それぞれに配線35が存在するか否かを判断する。そして、パラメータ算出部124は、配線35が存在する頂点には、「1」を設定し、配線35が存在しない頂点には「0」を設定する。そして、パラメータ算出部124は、X軸の正方向に設定した値を順に記憶した配列A1を作成する。なお、配列A1の「1」は、行数に対応している。n行目の配列は、「配列An」と表記する。図13では、配列A1の各値を()で囲って示している。図13に示す例では、配列A1(1、1、0、0、0)となる。   First, the parameter calculation unit 124 sets the four cells 36 in the first row of the region 34 as processing targets. Then, the parameter calculation unit 124 determines whether or not the wiring 35 exists at each of the vertices P12, P13, P14, and P15 existing in the positive direction of the X axis from the vertex P11 set as the base point. Then, the parameter calculation unit 124 sets “1” to the vertex where the wiring 35 exists, and sets “0” to the vertex where the wiring 35 does not exist. Then, the parameter calculation unit 124 creates an array A1 that sequentially stores values set in the positive direction of the X axis. Note that “1” in the array A1 corresponds to the number of rows. The array in the nth row is denoted as “array An”. In FIG. 13, each value of the array A1 is shown enclosed in parentheses. In the example shown in FIG. 13, the array is A1 (1, 1, 0, 0, 0).

1行目の配列A1の作成が終了すると、パラメータ算出部124は、Y軸方向にセル36の1つ分移動した2行目のセル36を処理対象に設定する。そして、頂点P16、P17、P18、P19、P20についての配列A2(1、1、0、0、0)を作成し、記憶する。同様に、パラメータ算出部124は、3行目の配列A3、4行目の配列A4を作成し、記憶する。   When the creation of the array A1 in the first row is completed, the parameter calculation unit 124 sets the cell 36 in the second row that is moved by one cell 36 in the Y-axis direction as a processing target. Then, an array A2 (1, 1, 0, 0, 0) for the vertices P16, P17, P18, P19, and P20 is created and stored. Similarly, the parameter calculation unit 124 creates and stores an array A3 in the third row and an array A4 in the fourth row.

次に、パラメータ算出部124は、配列A1の隣接する頂点間、すなわち、頂点P11、P12間、頂点P12、P13間、頂点P13、P14間および頂点P14、P15間の頂点の値の組み合わせに応じた配列B1を作成する。この配列B1は、X軸方向の配線35の連続性を示す情報となるものである。具体的には、パラメータ算出部124は、作成した配列A1の、隣接する頂点の値がいずれも0の場合は「0」を設定する。隣接する頂点の値のいずれか一方が0の場合は、「50」を設定する。隣接する頂点の値がいずれも1の場合は「100」を設定する。図13では、配列B1の各値を{}で囲って示している。図13に示す例では、配列B1(100、50、0、0、0)となる。   Next, the parameter calculation unit 124 responds to combinations of vertex values between adjacent vertices of the array A1, that is, between vertices P11 and P12, between vertices P12 and P13, between vertices P13 and P14, and between vertices P14 and P15. Array B1 is created. This array B1 is information indicating the continuity of the wiring 35 in the X-axis direction. Specifically, the parameter calculation unit 124 sets “0” when the values of the adjacent vertices in the created array A1 are all zero. If any one of the adjacent vertex values is 0, “50” is set. When the values of adjacent vertices are both 1, “100” is set. In FIG. 13, each value of the array B1 is enclosed in {}. In the example shown in FIG. 13, the array is B1 (100, 50, 0, 0, 0).

パラメータ算出部124は、作成した配列B1の各値をセル36の辺に関連づける。例えば配列B1の1つ目の{100}は、頂点P11、P12間のセル36の辺に関連づける。また、配列B1の2つ目の{50}は、頂点P12、P13間のセル36の辺に関連づける。なお、配列B1の各数値は、第1の実施の形態の第1のパラメータに対応するものである。   The parameter calculation unit 124 associates each value of the created array B1 with the side of the cell 36. For example, the first {100} of the array B1 is associated with the side of the cell 36 between the vertices P11 and P12. The second {50} of the array B1 is associated with the side of the cell 36 between the vertices P12 and P13. Each numerical value of the array B1 corresponds to the first parameter of the first embodiment.

配列B1の作成が終了すると、パラメータ算出部124は、配列A2、配列A3、A4に基づいて配列B2、B3、B4を作成し、記憶する。
次に、パラメータ算出部124は、1行目の各セル36の下辺および上辺における配線の連続性を比較し、大きい方をセル36のX軸方向の連続性を示す情報としてセル36に関連づける。具体的には、パラメータ算出部124は、配列B1と配列B2の各列の値を比較する。そして、大きい方の値を記憶した配列C1を作成する。なお、配列C1の各数値は、第1の実施の形態のXパラメータに対応するものである。図14は、配列C1の作成処理を示している。図14では、配列C1の各値を〔〕で囲って示している。例えば作成した配列C1の1つ目の〔100〕を頂点P11、P12、P16、P17により囲まれるセル36に関連づける。また、配列C1の2つ目の〔50〕を頂点P12、P13、P17、P18により囲まれるセル36に関連づける。パラメータ算出部124は、作成した配列C1(100、50、0、0)を記憶する。
When the creation of the array B1 is completed, the parameter calculation unit 124 creates and stores the arrays B2, B3, and B4 based on the arrays A2, A3, and A4.
Next, the parameter calculation unit 124 compares the continuity of the wiring on the lower side and the upper side of each cell 36 in the first row, and associates the larger one with the cell 36 as information indicating the continuity of the cell 36 in the X-axis direction. Specifically, the parameter calculation unit 124 compares values in each column of the arrays B1 and B2. Then, an array C1 storing the larger value is created. Each numerical value of the array C1 corresponds to the X parameter of the first embodiment. FIG. 14 shows a process for creating the array C1. In FIG. 14, each value of the array C1 is surrounded by []. For example, the first [100] of the created array C1 is associated with the cell 36 surrounded by the vertices P11, P12, P16, and P17. The second [50] of the array C1 is associated with the cell 36 surrounded by the vertices P12, P13, P17, and P18. The parameter calculation unit 124 stores the created array C1 (100, 50, 0, 0).

また、パラメータ算出部124は、配列C1と同様の方法で配列C2、C3、C4を作成し、記憶する。
次に、パラメータ算出部124は、1行目の各セル36のY軸方向に隣接する頂点間、すなわち、頂点P11、P16間、頂点P12、P17間、頂点P13、P18間、頂点P14、P19間および頂点P15、P20間の頂点の配列A1値の組み合わせに応じた配列D1を作成する。この配列D1は、Y軸方向の配線35の連続性を示す情報となるものである。図15は、配列D1の作成処理を示している。パラメータ算出部124は、作成した配列A1、A2の各列の値を比較する。そして、対応する頂点の値がいずれも0の場合は「0」を設定する。対応する頂点の値のいずれか一方が0の場合は、「50」を設定する。対応する頂点の値がいずれも1の場合は「100」を設定する。図15の例では配列D1の各値を<>で囲って示している。パラメータ算出部124は作成した配列D1(100、100、0、0、0)を記憶する。なお、配列D1の各数値は、第1の実施の形態の第2のパラメータに対応するものである。パラメータ算出部124は、配列D1と同様の方法で配列D2、D3、D4を作成し、記憶する。
Further, the parameter calculation unit 124 creates and stores arrays C2, C3, and C4 in the same manner as the array C1.
Next, the parameter calculation unit 124, between vertices adjacent in the Y-axis direction of each cell 36 in the first row, that is, between vertices P11 and P16, between vertices P12 and P17, between vertices P13 and P18, and between vertices P14 and P19. An array D1 corresponding to the combination of the array A1 values of the vertices between the vertices and the vertices P15 and P20 is created. This array D1 is information indicating the continuity of the wiring 35 in the Y-axis direction. FIG. 15 shows a process for creating the array D1. The parameter calculation unit 124 compares the values of the columns of the created arrays A1 and A2. If the corresponding vertex values are all 0, “0” is set. If any one of the corresponding vertex values is 0, “50” is set. If all corresponding vertex values are 1, “100” is set. In the example of FIG. 15, each value of the array D1 is enclosed by <>. The parameter calculation unit 124 stores the created array D1 (100, 100, 0, 0, 0). Each numerical value of the array D1 corresponds to the second parameter of the first embodiment. The parameter calculation unit 124 creates and stores arrays D2, D3, and D4 in the same manner as the array D1.

次に、パラメータ算出部124は、1行目の各セル36の左辺および右辺における配線の連続性を比較し、大きい方をセル36のY軸方向の連続性を示す情報としてセル36に関連づける。具体的には、パラメータ算出部124は、配列D1の隣接する値同士を比較する。そして、大きい方の値を記憶した配列E1を作成する。なお、配列E1の各数値は、第1の実施の形態のYパラメータに対応するものである。図16は、配列E1の作成処理を示している。図16では、配列E1の各値を〔〕で囲って示している。例えば作成した配列E1の1つ目の〔100〕を頂点P11、P12、P16、P17により囲まれるセル36に関連づける。また、配列E1の2つ目の〔50〕をP12、P13、P17、P18により囲まれるセル36に関連づける。パラメータ算出部124は、作成した配列E1(100、50、0、0)を記憶する。また、パラメータ算出部124は、配列E1と同様の方法で配列E2、E3、E4を作成し、記憶する。   Next, the parameter calculation unit 124 compares the continuity of the wiring on the left side and the right side of each cell 36 in the first row, and associates the larger one with the cell 36 as information indicating the continuity of the cell 36 in the Y-axis direction. Specifically, the parameter calculation unit 124 compares adjacent values in the array D1. Then, an array E1 storing the larger value is created. Each numerical value of the array E1 corresponds to the Y parameter of the first embodiment. FIG. 16 shows a process for creating the array E1. In FIG. 16, each value of the array E1 is surrounded by []. For example, the first [100] of the created array E1 is associated with the cell 36 surrounded by the vertices P11, P12, P16, and P17. Further, the second [50] of the array E1 is associated with the cell 36 surrounded by P12, P13, P17, and P18. The parameter calculation unit 124 stores the created array E1 (100, 50, 0, 0). Further, the parameter calculation unit 124 creates and stores arrays E2, E3, and E4 in the same manner as the array E1.

次に、パラメータ算出部124は、各セル36の中央部にドットd1を発生させる。そして、パラメータ算出部124は、配線35が存在するドットd1には、「1」を設定し、配線35が存在しないドットd1には「0」を設定した配列F1を記憶する。図17は、配列F1の作成処理を示している。図17では、配列F1の各値を()で囲って示している。パラメータ算出部124は、作成した配列F1(1、1、0、0)を記憶する。また、また、パラメータ算出部124は、配列F1と同様の方法で配列F2、F3、F4を作成し、記憶する。記憶した配列F1に基づき平均残銅率を算出することで熱歪み解析の精度が高まる。なお、配列F1の算出処理は、省略することもできる。   Next, the parameter calculation unit 124 generates a dot d1 at the center of each cell 36. Then, the parameter calculation unit 124 stores an array F1 in which “1” is set for the dot d1 where the wire 35 exists and “0” is set for the dot d1 where the wire 35 does not exist. FIG. 17 shows a process for creating the array F1. In FIG. 17, each value of the array F1 is shown enclosed in parentheses. The parameter calculation unit 124 stores the created array F1 (1, 1, 0, 0). Further, the parameter calculation unit 124 creates and stores arrays F2, F3, and F4 in the same manner as the array F1. The accuracy of the thermal strain analysis is increased by calculating the average remaining copper ratio based on the stored array F1. Note that the calculation processing of the array F1 can be omitted.

次に、パラメータ算出部124は、各セル36の各頂点およびドットd1における配線の有無に基づいて、各セル36の残銅率を示す配列Gnを作成する。例えば、パラメータ算出部124は、頂点P11、P12、P16、P17により囲まれるセル36について、頂点P11、P12の配線の有無は、配列A1(1、1、0、0、0)から配線が存在すると判断する。また、頂点P16、P17の配線の有無は、配列A2(1、1、0、0、0)から配線が存在すると判断する。また、ドットd1の配線の有無は、配列F1(1、1、0、0)から配線が存在すると判断する。   Next, the parameter calculation unit 124 creates an array Gn indicating the remaining copper ratio of each cell 36 based on each vertex of each cell 36 and the presence or absence of wiring at the dot d1. For example, for the cell 36 surrounded by the vertices P11, P12, P16, and P17, the parameter calculation unit 124 determines whether or not the vertices P11 and P12 are wired from the array A1 (1, 1, 0, 0, 0). Judge that. Further, the presence / absence of wiring at the vertices P16 and P17 is determined from the array A2 (1, 1, 0, 0, 0). The presence / absence of the wiring of the dot d1 is determined from the array F1 (1, 1, 0, 0).

本実施の形態では、配線35が存在する頂点およびドットd1の個数(0〜5)を残銅率に換算する。例えば、配線35が存在する頂点およびドットd1の個数が0個の場合、残銅率0%とする。配線35が存在する頂点およびドットd1の個数が1個の場合、残銅率20%とする。配線35が存在する頂点およびドットd1の個数が2個の場合、残銅率40%とする。配線35が存在する頂点およびドットd1の個数が3個の場合、残銅率60%とする。配線35が存在する頂点およびドットd1の個数が4個の場合、残銅率80%とする。配線35が存在する頂点およびドットd1の個数が5個の場合、残銅率100%とする。そして、セル36毎に残銅率を記憶した配列Gnを作成し、記憶する。図17に示す例では、配列G1(100、60、0、0)となる。なお、配列G1の各数値は、第1の実施の形態の配線残存率に対応するものである。   In the present embodiment, the number of vertices and dots d1 (0 to 5) where the wiring 35 exists is converted into the remaining copper ratio. For example, when the number of vertices where the wiring 35 exists and the number of dots d1 are zero, the remaining copper ratio is set to 0%. When the number of vertices where the wiring 35 exists and the number of dots d1 are one, the remaining copper ratio is 20%. If the number of vertices where the wiring 35 exists and the number of dots d1 are two, the remaining copper ratio is 40%. When the number of vertices and dots d1 where the wiring 35 exists is 3, the remaining copper ratio is 60%. When the number of vertices and dots d1 where the wiring 35 exists is 4, the remaining copper ratio is 80%. When the number of vertices and dots d1 where the wiring 35 exists is 5, the remaining copper ratio is set to 100%. And the array Gn which memorize | stored the remaining copper rate for every cell 36 is created, and it memorize | stores. In the example illustrated in FIG. 17, the array G1 (100, 60, 0, 0) is obtained. Each numerical value of the array G1 corresponds to the wiring remaining rate of the first embodiment.

なお、配列F1の作成を省略した場合には、配線35が存在する頂点の個数を残銅率に換算する。例えば、配線35が存在する頂点の個数が0個の場合、残銅率0%とする。配線35が存在する頂点の個数が1個の場合、残銅率25%とする。配線35が存在する頂点の個数が2個の場合、残銅率50%とする。配線35が存在する頂点の個数が3個の場合、残銅率75%とする。配線35が存在する頂点の個数が4個の場合、残銅率100%とする。   When the creation of the array F1 is omitted, the number of vertices where the wiring 35 exists is converted into the remaining copper ratio. For example, when the number of vertices where the wiring 35 exists is 0, the remaining copper ratio is set to 0%. When the number of vertices where the wiring 35 exists is 1, the remaining copper ratio is 25%. When the number of vertices where the wiring 35 exists is two, the remaining copper ratio is set to 50%. When the number of vertices where the wiring 35 exists is 3, the remaining copper ratio is set to 75%. When the number of vertices where the wiring 35 exists is four, the remaining copper ratio is set to 100%.

平均残銅率算出部125は、パラメータ算出部124が算出した基板モデル30全体の配列Cn、En、Gnに基づいて、基板モデル30全体の平均残銅率および、選択されたIC部品モデル31が配置されている領域の平均残銅率を算出する。   Based on the array Cn, En, Gn of the entire board model 30 calculated by the parameter calculation unit 124, the average remaining copper ratio calculation unit 125 calculates the average remaining copper ratio of the entire board model 30 and the selected IC component model 31. The average remaining copper ratio of the arranged region is calculated.

具体的には、平均残銅率算出部125は、基板モデル30に実装されたIC部品モデル31を取り囲むように、IC部品モデル31の表面積の105%の領域(以下、設定領域と言う)を設定する。そして、設定領域内に存在する各セル36の残銅率の平均を取ることにより、設定領域の平均残銅率を算出する。平均残銅率の算出には次式(1)を使用する。   Specifically, the average remaining copper ratio calculation unit 125 sets a region (hereinafter referred to as a setting region) of 105% of the surface area of the IC component model 31 so as to surround the IC component model 31 mounted on the board model 30. Set. And the average remaining copper ratio of a setting area | region is calculated by taking the average of the remaining copper ratio of each cell 36 which exists in a setting area | region. The following formula (1) is used to calculate the average remaining copper ratio.

平均残銅率=Σ(Gi(j))/ij・・・(1)
ここでiは、算出対象の範囲のX軸方向のセル36の数を示し、jは、算出対象の範囲のY軸方向のセル36の数を示す。
Average residual copper ratio = Σ (Gi (j)) / ij (1)
Here, i represents the number of cells 36 in the X-axis direction of the range to be calculated, and j represents the number of cells 36 in the Y-axis direction of the range to be calculated.

図18は、寄与度算出部の処理を説明する図である。
例えば式(1)のGi(j)は、領域34の左下を基点としたときにX軸方向のi個目、Y軸方向のj個目の配列Gnの値を示している。すなわち、頂点P11、P12、P16、P17に囲まれたセル36の配列G1の値はG1(1)と表記する。また、頂点P12、P13、P17、P18に囲まれたセル36の配列G1の値はG1(2)と表記する。
FIG. 18 is a diagram for explaining the processing of the contribution calculation unit.
For example, Gi (j) in Expression (1) indicates the value of the i-th array Gn in the X-axis direction and the j-th array Gn in the Y-axis direction when the lower left of the region 34 is the base point. That is, the value of the array G1 of the cell 36 surrounded by the vertices P11, P12, P16, and P17 is expressed as G1 (1). In addition, the value of the array G1 of the cells 36 surrounded by the vertices P12, P13, P17, and P18 is expressed as G1 (2).

寄与度算出部126は、パラメータ算出部124が算出した基板モデル30全体の配列Cn、En、Gnおよびi、jに基づいて、基板モデル30全体および、設定領域の平均X軸方向寄与度、平均Y軸方向寄与度を算出する。   The contribution degree calculation unit 126 is based on the array Cn, En, Gn and i, j of the whole substrate model 30 calculated by the parameter calculation unit 124, and the average X-axis direction contribution degree and average of the setting region. The Y-axis direction contribution is calculated.

平均X軸方向寄与度の算出には次式(2)を使用する。平均Y軸方向寄与度の算出には次式(3)を使用する。
平均X軸方向寄与度=Σ(Ci(j)×Gi(j)/ij・・・(2)
平均Y軸方向寄与度=Σ(Ei(j)×Gi(j)/ij・・・(3)
以下、平均残銅率算出部125および寄与度算出部126の処理を、領域34のうち6つのセル36に囲まれた領域34aについて平均残銅率、平均X軸方向寄与度、平均Y軸方向寄与度を算出する場合を例に説明する。領域34aではi=3、j=2となる。このiとjを式(1)に代入すると、平均残銅率は、(G1(1)+G1(2)+G1(3)+G2(1)+G2(2)+G2(3)/2×3)=(100+60+0+40+60+40)/6=50となる。また、このiとjを式(2)に代入すると、平均X軸方向寄与度は、(C1(1)×G1(1)+C1(2)×G1(2)+C1(3)×G1(3)+C2(1)×G2(1)+C2(2)×G2(2)+C2(3)×G2(3)/2×3=(100×1.0+50×0.6+0×0+100×0.4+50×0.6+0×0.4)/6=(100+30+0+40+30+0)/6=33.3となる。また、このiとjを式(3)に代入すると、平均Y軸方向寄与度は、(E1(1)×G1(1)+E1(2)×G1(2)+E1(3)×G1(3)+E2(1)×G2(1)+E2(2)×G2(2)+E2(3)×G2(3)/2×3=(100×1.0+100×0.6+0×0+50×0.4+50×0.6+50×0.4)/6=(100+60+0+20+30+20)/6=38.3となる。
The following equation (2) is used to calculate the average X-axis direction contribution. The following equation (3) is used to calculate the average Y-axis direction contribution.
Average X-axis direction contribution = Σ (Ci (j) × Gi (j) / ij (2)
Average Y-axis direction contribution = Σ (Ei (j) × Gi (j) / ij (3)
Hereinafter, the processes of the average remaining copper ratio calculation unit 125 and the contribution degree calculation unit 126 are performed for the area 34a surrounded by the six cells 36 in the area 34, the average remaining copper ratio, the average X-axis direction contribution, and the average Y-axis direction. A case where the contribution is calculated will be described as an example. In the region 34a, i = 3 and j = 2. By substituting i and j into equation (1), the average remaining copper ratio is (G1 (1) + G1 (2) + G1 (3) + G2 (1) + G2 (2) + G2 (3) / 2 × 3) = (100 + 60 + 0 + 40 + 60 + 40) / 6 = 50. Further, when i and j are substituted into equation (2), the average contribution in the X-axis direction is (C1 (1) × G1 (1) + C1 (2) × G1 (2) + C1 (3) × G1 (3 ) + C2 (1) × G2 (1) + C2 (2) × G2 (2) + C2 (3) × G2 (3) / 2 × 3 = (100 × 1.0 + 50 × 0.6 + 0 × 0 + 100 × 0.4 + 50 × 0.6 + 0 × 0.4) / 6 = (100 + 30 + 0 + 40 + 30 + 0) /6=33.3 In addition, when i and j are substituted into Equation (3), the average contribution in the Y-axis direction is (E1 (1 ) × G1 (1) + E1 (2) × G1 (2) + E1 (3) × G1 (3) + E2 (1) × G2 (1) + E2 (2) × G2 (2) + E2 (3) × G2 (3) ) / 2 × 3 = (100 × 1.0 + 100 × 0.6 + 0 × 0 + 50 × 0.4 + 50 × 0.6 + 50 × 0.4) / 6 = (100 + 60 + 0 + 20 + 30 + 20) /6=38.3.

解析部11は、図7に示すように、算出された平均残銅率、平均X軸方向寄与度、平均Y軸方向寄与度をモニタ104aに表示する。
次に、残銅率算出部12の処理を、フローチャートを用いて説明する。
As shown in FIG. 7, the analysis unit 11 displays the calculated average remaining copper ratio, average X-axis direction contribution, and average Y-axis direction contribution on the monitor 104a.
Next, the process of the remaining copper ratio calculation part 12 is demonstrated using a flowchart.

図19は、残銅率算出部の処理を示すフローチャートである。
[ステップS1] セルサイズ決定部123は、セル36のサイズを決定する。その後、ステップS2に遷移する。
FIG. 19 is a flowchart showing the processing of the remaining copper ratio calculation unit.
[Step S <b> 1] The cell size determination unit 123 determines the size of the cell 36. Thereafter, the process proceeds to step S2.

[ステップS2] パラメータ算出部124は、工程7にて選択された層の基点となる位置から配列An、An+1、・・・を作成する。その後、ステップS3に遷移する。
[ステップS3] パラメータ算出部124は、X軸方向の配線35の連続性を示す情報を記憶した配列Bn、配列Bn+1、・・・を作成する。その後、ステップS4に遷移する。
[Step S2] The parameter calculation unit 124 creates an array An, An + 1,... From the position serving as the base point of the layer selected in step 7. Thereafter, the process proceeds to step S3.
[Step S3] The parameter calculation unit 124 creates an array Bn, an array Bn + 1,... That store information indicating the continuity of the wiring 35 in the X-axis direction. Thereafter, the process proceeds to step S4.

[ステップS4] パラメータ算出部124は、ステップS3にて作成した配列Bnと配列Bn+1を比較し、大きい方の値を記憶したセル36のX軸方向の配線35の連続性を示す配列Cn、Cn+1、・・・を作成する。その後、ステップS5に遷移する。   [Step S4] The parameter calculation unit 124 compares the array Bn created in step S3 with the array Bn + 1, and the arrays Cn and Cn + 1 indicating the continuity of the wiring 35 in the X-axis direction of the cell 36 storing the larger value. Create ... Then, the process proceeds to step S5.

[ステップS5] パラメータ算出部124は、ステップS2にて作成した配列Anと配列An+1を比較し、組み合わせに応じた値を記憶したY軸方向の配線35の連続性を示す配列Dn、Dn+1、・・・を作成する。その後、ステップS6に遷移する。   [Step S5] The parameter calculation unit 124 compares the array An created in step S2 with the array An + 1, and the arrays Dn, Dn + 1,.・ ・ Create Then, the process proceeds to step S6.

[ステップS6] パラメータ算出部124は、配列D1と配列D2の各列の値を比較する。そして、大きい方の値を記憶した配列En、En+1、・・・を作成する。その後、ステップS7に遷移する。   [Step S6] The parameter calculation unit 124 compares the values of the columns of the arrays D1 and D2. Then, an array En, En + 1,... Storing the larger value is created. Then, the process proceeds to step S7.

[ステップS7] パラメータ算出部124は、セル36の中心の配線35の有無を示す配列Fn、Fn+1、・・・を作成する。その後、ステップS8に遷移する。
[ステップS8] パラメータ算出部124は、セル36の残銅率を示す配列Gn、Gn+1、・・・を作成する。その後、ステップS9に遷移する。
[Step S <b> 7] The parameter calculation unit 124 creates arrays Fn, Fn + 1,... Indicating the presence or absence of the wiring 35 at the center of the cell 36. Thereafter, the process proceeds to operation S8.
[Step S8] The parameter calculation unit 124 creates an array Gn, Gn + 1,... Thereafter, the process proceeds to operation S9.

[ステップS9] 平均残銅率算出部125は、ステップS8にて作成した配列Gn、Gn+1、・・・と、算出対象の範囲のX軸方向の頂点の数iと、算出対象の範囲のY軸方向の頂点の数jを式(1)に代入して基板モデル30全体の平均残銅率および設定領域の平均残銅率を算出する。その後、ステップS10に遷移する。   [Step S9] The average remaining copper ratio calculation unit 125 includes the arrays Gn, Gn + 1,... Created in Step S8, the number i of vertices in the X-axis direction of the calculation target range, and Y of the calculation target range. By substituting the number j of vertices in the axial direction into Equation (1), the average remaining copper ratio of the entire board model 30 and the average remaining copper ratio of the set region are calculated. Then, the process proceeds to step S10.

[ステップS10] 寄与度算出部126は、ステップS5にて作成した配列Dn、Dn+1、・・・とステップS8にて作成した配列Gn、Gn+1、・・・と、算出対象の範囲のX軸方向の頂点の数iと、算出対象の範囲のY軸方向の頂点の数jを式(2)に代入して基板モデル30全体および設定領域の平均X軸方向寄与度を算出する。また、寄与度算出部126は、ステップS6にて作成した配列En、En+1、・・・とステップS8にて作成した配列Gn、Gn+1、・・・と、算出対象の範囲のX軸方向の頂点の数iと、算出対象の範囲のY軸方向の頂点の数jを式(3)に代入して基板モデル30全体のおよび設定領域の平均Y軸方向寄与度を算出する。その後、図19に示す処理を終了する。   [Step S10] The contribution calculation unit 126 includes the arrays Dn, Dn + 1,... Created in Step S5, the arrays Gn, Gn + 1,... Created in Step S8, and the X-axis direction of the calculation target range. Substituting the number i of vertices i and the number j of vertices in the Y-axis direction of the calculation target range into Equation (2), the average contribution in the X-axis direction of the entire substrate model 30 and the set region is calculated. Further, the contribution calculation unit 126 includes the arrays En, En + 1,... Created in step S6, the arrays Gn, Gn + 1,... Created in step S8, and the vertex in the X-axis direction of the range to be calculated. And the number j of vertices in the Y-axis direction of the calculation target range are substituted into Equation (3) to calculate the average contribution in the Y-axis direction of the entire substrate model 30 and the set region. Then, the process shown in FIG. 19 is complete | finished.

以上で図19の処理の説明を終了する。
なお、本実施の形態では、ステップS2にて全ての行の配列An、An+1、・・・を作成した後に、ステップS3にて配列Bn、Bn+1、・・・を作成した。しかしこれに限らず、例えば、配列Anが作成された時点で(配列An+1の作成を開始する前に)、配列Bnの作成を開始してもよい。また、配列Anの隣接する2頂点の情報を取得した時点で配列Bnの対応する要素(0か50か100か)の計算を開始してもよい。
This is the end of the description of the processing in FIG.
In the present embodiment, the arrays Bn, Bn + 1,... Are created in step S3 after the arrays An, An + 1,. However, the present invention is not limited to this. For example, the creation of the array Bn may be started when the array An is created (before the creation of the array An + 1 is started). Alternatively, the calculation of the corresponding element (0, 50, or 100) of the array Bn may be started at the time when information on two adjacent vertices of the array An is acquired.

また、本実施の形態では、全ての行の配列An、An+1、および配列Bn、Bn+1を作成した後に、配列Cn〜Gnを作成した。しかしこれに限らず、例えば、配列An+1と配列Bn+1が作成された時点で配列Cn、Dnの作成を開始してもよい。   In this embodiment, arrays Cn to Gn are created after creating arrays An and An + 1 and arrays Bn and Bn + 1 of all rows. However, the present invention is not limited to this. For example, the creation of the arrays Cn and Dn may be started when the arrays An + 1 and Bn + 1 are created.

また、配列Cn、Dn、En、Fnの作成順は、特に限定されない。
以上述べたように、回路設計支援装置10によれば、残銅率算出部12が、基板上のX軸方向およびY軸方向に連なる複数のセルにおける配線の連続性を考慮した配列Cn、Cn+1、・・・、En、En+1、・・・、Gn、Gn+1、・・・を作成した。そして、残銅率算出部12が、作成した配列に基づいて平均X軸方向寄与度および平均Y軸方向寄与度を算出した。そして、解析部11が算出された平均X軸方向寄与度および平均Y軸方向寄与度に基づいて要素材料の等価物性値を算出するようにした。これにより、有限要素解析のみを用いて要素材料の等価物性値を算出する場合に比べ、処理を高速に行うことができる。また、残銅率のみを用いて解析を行う場合に比べ、実際の製品に近い環境で解析を行うことができるため、解析の精度を向上させることができる。
Further, the order of creating the arrays Cn, Dn, En, and Fn is not particularly limited.
As described above, according to the circuit design support device 10, the remaining copper ratio calculation unit 12 has the arrays Cn and Cn + 1 in consideration of the continuity of the wirings in a plurality of cells connected in the X axis direction and the Y axis direction on the substrate. ,..., En, En + 1,..., Gn, Gn + 1,. And the remaining copper ratio calculation part 12 computed the average X-axis direction contribution and the average Y-axis direction contribution based on the created arrangement | sequence. Then, the analysis unit 11 calculates the equivalent physical property value of the element material based on the calculated average X-axis direction contribution and average Y-axis direction contribution. Thereby, compared with the case where the equivalent physical property value of an element material is calculated using only finite element analysis, the processing can be performed at high speed. Moreover, since the analysis can be performed in an environment close to an actual product as compared with the case where the analysis is performed using only the remaining copper ratio, the accuracy of the analysis can be improved.

また、層毎に等価物性値を出力するようにしたので、設計者は、例えば多層基板の下側の層の熱膨張率が小さく、上側の層の熱膨張率が大きい場合に下の層の熱膨張率を大きくするような配線パターンへの変更をすることができる。   In addition, since the equivalent physical property value is output for each layer, the designer, for example, when the thermal expansion coefficient of the lower layer of the multilayer board is small and the thermal expansion coefficient of the upper layer is large, It is possible to change the wiring pattern so as to increase the coefficient of thermal expansion.

なお、回路設計支援装置10が行った処理が、複数の装置によって分散処理されるようにしてもよい。例えば、1つの装置が、残銅率の算出処理までを行って平均残銅率、平均X軸方向寄与度および平均Y軸方向寄与度を算出しておき、他の装置が、算出された値を用いて熱歪み解析を実施するようにしてもよい。   Note that the processing performed by the circuit design support device 10 may be distributed by a plurality of devices. For example, one device performs the remaining copper ratio calculation process to calculate the average remaining copper rate, the average X-axis direction contribution, and the average Y-axis direction contribution, and the other devices calculate the calculated values. The thermal strain analysis may be performed using

以上、本発明の回路設計支援プログラム、回路設計支援方法および回路設計支援装置を、図示の実施の形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物や工程が付加されていてもよい。   As described above, the circuit design support program, the circuit design support method, and the circuit design support apparatus of the present invention have been described based on the illustrated embodiment, but the present invention is not limited to this, and the configuration of each unit is as follows. Any structure having a similar function can be substituted. Moreover, other arbitrary structures and processes may be added to the present invention.

また、本発明は、前述した各実施の形態のうちの、任意の2以上の構成(特徴)を組み合わせたものであってもよい。
なお、上記の処理機能は、コンピュータによって実現することができる。その場合、回路設計支援装置1、10が有すべき機能の処理内容を記述したプログラムが提供される。そのプログラムをコンピュータで実行することにより、上記処理機能がコンピュータ上で実現される。処理内容を記述したプログラムは、コンピュータで読み取り可能な記録媒体に記録しておくことができる。コンピュータで読み取り可能な記録媒体としては、磁気記憶装置、光ディスク、光磁気記録媒体、半導体メモリ等が挙げられる。磁気記憶装置には、ハードディスクドライブ、フレキシブルディスク(FD)、磁気テープ等が挙げられる。光ディスクには、DVD、DVD−RAM、CD−ROM/RW等が挙げられる。光磁気記録媒体には、MO(Magneto-Optical disk)等が挙げられる。
Further, the present invention may be a combination of any two or more configurations (features) of the above-described embodiments.
The above processing functions can be realized by a computer. In that case, a program describing the processing contents of the functions that the circuit design support apparatuses 1 and 10 should have is provided. By executing the program on a computer, the above processing functions are realized on the computer. The program describing the processing contents can be recorded on a computer-readable recording medium. Examples of the computer-readable recording medium include a magnetic storage device, an optical disk, a magneto-optical recording medium, and a semiconductor memory. Examples of the magnetic storage device include a hard disk drive, a flexible disk (FD), and a magnetic tape. Examples of the optical disk include a DVD, a DVD-RAM, and a CD-ROM / RW. Examples of the magneto-optical recording medium include an MO (Magneto-Optical disk).

プログラムを流通させる場合には、例えば、そのプログラムが記録されたDVD、CD−ROM等の可搬型記録媒体が販売される。また、プログラムをサーバコンピュータの記憶装置に格納しておき、ネットワークを介して、サーバコンピュータから他のコンピュータにそのプログラムを転送することもできる。   When distributing the program, for example, a portable recording medium such as a DVD or a CD-ROM in which the program is recorded is sold. It is also possible to store the program in a storage device of a server computer and transfer the program from the server computer to another computer via a network.

プログラムを実行するコンピュータは、例えば、可搬型記録媒体に記録されたプログラムもしくはサーバコンピュータから転送されたプログラムを、自己の記憶装置に格納する。そして、コンピュータは、自己の記憶装置からプログラムを読み取り、プログラムに従った処理を実行する。なお、コンピュータは、可搬型記録媒体から直接プログラムを読み取り、そのプログラムに従った処理を実行することもできる。また、コンピュータは、ネットワークを介して接続されたサーバコンピュータからプログラムが転送される毎に、逐次、受け取ったプログラムに従った処理を実行することもできる。   The computer that executes the program stores, for example, the program recorded on the portable recording medium or the program transferred from the server computer in its own storage device. Then, the computer reads the program from its own storage device and executes processing according to the program. The computer can also read the program directly from the portable recording medium and execute processing according to the program. In addition, each time a program is transferred from a server computer connected via a network, the computer can sequentially execute processing according to the received program.

また、上記の処理機能の少なくとも一部を、DSP(Digital Signal Processor)、ASIC(Application Specific Integrated Circuit)、PLD(Programmable Logic Device)等の電子回路で実現することもできる。   Further, at least a part of the above processing functions can be realized by an electronic circuit such as a DSP (Digital Signal Processor), an ASIC (Application Specific Integrated Circuit), or a PLD (Programmable Logic Device).

以上の第1〜第2の実施の形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
(付記1) コンピュータに、
処理対象の基板モデルを複数のセルに分割し、
前記基板モデルの平面上の少なくとも一つの方向に対して、前記複数のセルに設けられる配線が前記基板モデルにもたらす影響を示す指標を、前記複数のセルそれぞれに占める前記配線の割合と、前記複数のセルのうち隣接するセルにおける前記方向への配線の連続性を示すパラメータとに基づいて算出し、
算出された前記指標に基づいて、前記配線の等価物性値を算出し、
算出された前記等価物性値を表示装置に出力する、
処理を実行させることを特徴とする回路設計支援プログラム。
Regarding the above first to second embodiments, the following additional notes are further disclosed.
(Supplementary note 1)
Divide the substrate model to be processed into multiple cells,
An index indicating the influence of wiring provided in the plurality of cells on the substrate model with respect to at least one direction on the plane of the substrate model is a ratio of the wiring occupying each of the plurality of cells, and the plurality of the plurality of cells. And a parameter indicating the continuity of the wiring in the direction in the adjacent cell among the cells of
Based on the calculated index, the equivalent physical property value of the wiring is calculated,
Outputting the calculated equivalent property value to a display device;
A circuit design support program characterized by causing processing to be executed.

(付記2) 前記隣接するセルの各頂点の前記配線の有無に基づいて、前記方向への前記連続性を示すパラメータを算出することを特徴とする付記1記載の回路設計支援プログラム。   (Supplementary note 2) The circuit design support program according to supplementary note 1, wherein a parameter indicating the continuity in the direction is calculated based on the presence or absence of the wiring at each vertex of the adjacent cell.

(付記3) 前記複数のセルそれぞれの各頂点に存在する配線の個数に基づいて、前記配線の割合を算出することを特徴とする付記1または2に記載の回路設計支援プログラム。   (Supplementary note 3) The circuit design support program according to supplementary note 1 or 2, wherein the ratio of the wirings is calculated based on the number of wirings present at each vertex of each of the plurality of cells.

(付記4) 前記複数のセルそれぞれについて前記連続性を示すパラメータと前記隣接するセルに占める前記配線の割合との積を取った値の総和の平均をとることにより、前記指標を算出することを特徴とする付記1ないし3のいずれかに記載の回路設計支援プログラム。   (Supplementary Note 4) For each of the plurality of cells, calculating the index by taking an average of a sum of values obtained by multiplying a parameter indicating the continuity and a ratio of the wiring occupied in the adjacent cells. 4. The circuit design support program according to any one of appendices 1 to 3,

(付記5) 前記複数のセルの辺の長さを前記配線の幅に基づいて決定することを特徴とする付記1記載の回路設計支援プログラム。
(付記6) 前記処理対象の基板モデルは複数の層を有しており、
前記コンピュータに、
前記層毎の前記等価物性値を前記表示装置に表示させる処理を実行させることを特徴とする付記1記載の回路設計支援プログラム。
(Additional remark 5) The circuit design support program of Additional remark 1 characterized by determining the length of the edge | side of these cells based on the width | variety of the said wiring.
(Appendix 6) The substrate model to be processed has a plurality of layers,
In the computer,
The circuit design support program according to appendix 1, wherein a process for causing the display device to display the equivalent physical property value for each layer is executed.

(付記7) コンピュータが、
処理対象の基板モデルを複数のセルに分割し、
前記基板モデルの平面上の少なくとも一つの方向に対して、前記複数のセルに設けられる配線が前記基板モデルにもたらす影響を示す指標を、前記複数のセルそれぞれに占める前記配線の割合と、前記複数のセルのうち隣接するセルにおける前記方向への配線の連続性を示すパラメータとに基づいて算出し、
算出された前記指標に基づいて、前記配線の等価物性値を算出し、
算出された前記等価物性値を表示装置に出力する、
ことを特徴とする回路設計支援方法。
(Supplementary note 7)
Divide the substrate model to be processed into multiple cells,
An index indicating the influence of wiring provided in the plurality of cells on the substrate model with respect to at least one direction on the plane of the substrate model is a ratio of the wiring occupying each of the plurality of cells, and the plurality of the plurality of cells. And a parameter indicating the continuity of the wiring in the direction in the adjacent cell among the cells of
Based on the calculated index, the equivalent physical property value of the wiring is calculated,
Outputting the calculated equivalent property value to a display device;
A circuit design support method characterized by the above.

(付記8) 処理対象の基板モデルを複数のセルに分割する分割部と、
前記基板モデルの平面上の少なくとも一つの方向に対して、前記複数のセルに設けられる配線が前記基板モデルにもたらす影響を示す指標を、前記複数のセルそれぞれに占める前記配線の割合と、前記複数のセルのうち隣接するセルにおける前記方向への配線の連続性を示すパラメータとに基づいて算出する指標算出部と、
算出された前記指標に基づいて、前記配線の等価物性値を算出する等価物性値算出部と、
算出された前記等価物性値を表示装置に出力する出力部と、
を有することを特徴とする回路設計支援装置。
(Supplementary Note 8) A dividing unit that divides a substrate model to be processed into a plurality of cells;
An index indicating the influence of wiring provided in the plurality of cells on the substrate model with respect to at least one direction on the plane of the substrate model is a ratio of the wiring occupying each of the plurality of cells, and the plurality An index calculation unit for calculating based on a parameter indicating the continuity of the wiring in the direction in the adjacent cell among the cells,
Based on the calculated index, an equivalent property value calculation unit that calculates an equivalent property value of the wiring;
An output unit for outputting the calculated equivalent physical property value to a display device;
A circuit design support apparatus comprising:

1、10 回路設計支援装置
1a 基板モデル情報格納部
1b 配線情報格納部
1c 分割部
1d 指標算出部
1e、13 等価物性値算出部
1f 出力部
2、30 基板モデル
3、35 配線
4a〜4f、36 セル
5 表示装置
11 解析部
12 残銅率算出部
121 基板外形情報格納部
122 評価IC領域格納部
123 セルサイズ決定部
124 パラメータ算出部
125 平均残銅率算出部
126 寄与度算出部
14 表示部
20 ガーバーデータ格納部
31、32、33 IC部品モデル
34、34a 領域
B1〜B5 ボタン
P1〜P8 頂点
T、T1、T2、T3 テーブル
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 10 Circuit design support apparatus 1a Substrate model information storage part 1b Wiring information storage part 1c Division | segmentation part 1d Index calculation part 1e, 13 Equivalent property value calculation part 1f Output part 2, 30 Substrate model 3, 35 Wiring 4a-4f, 36 Cell 5 Display device 11 Analysis unit 12 Remaining copper ratio calculation unit 121 Substrate outline information storage unit 122 Evaluation IC area storage unit 123 Cell size determination unit 124 Parameter calculation unit 125 Average remaining copper ratio calculation unit 126 Contribution calculation unit 14 Display unit 20 Gerber data storage 31, 32, 33 IC part model 34, 34a Area B1-B5 Button P1-P8 Vertex T, T1, T2, T3 Table

Claims (7)

コンピュータに、
処理対象の基板モデルを複数のセルに分割し、
前記基板モデルの平面上の少なくとも一つの方向に対して、前記複数のセルに設けられる配線が前記基板モデルにもたらす影響を示す指標を、前記複数のセルそれぞれに占める前記配線の割合と、前記複数のセルのうち隣接するセルにおける前記方向への配線の連続性を示すパラメータとに基づいて算出し、
算出された前記指標に基づいて、前記セルの等価物性値を算出し、
算出された前記等価物性値を表示装置に出力する、
処理を実行させることを特徴とする回路設計支援プログラム。
On the computer,
Divide the substrate model to be processed into multiple cells,
An index indicating the influence of wiring provided in the plurality of cells on the substrate model with respect to at least one direction on the plane of the substrate model is a ratio of the wiring occupying each of the plurality of cells, and the plurality of the plurality of cells. And a parameter indicating the continuity of the wiring in the direction in the adjacent cell among the cells of
Based on the calculated index, calculate the equivalent physical property value of the cell ,
Outputting the calculated equivalent property value to a display device;
A circuit design support program characterized by causing processing to be executed.
前記隣接するセルの各頂点の前記配線の有無に基づいて、前記方向への前記連続性を示すパラメータを算出することを特徴とする請求項1記載の回路設計支援プログラム。   2. The circuit design support program according to claim 1, wherein a parameter indicating the continuity in the direction is calculated based on the presence / absence of the wiring at each vertex of the adjacent cell. 前記複数のセルそれぞれの各頂点に存在する配線の個数に基づいて、前記配線の割合を算出することを特徴とする請求項1または2に記載の回路設計支援プログラム。   3. The circuit design support program according to claim 1, wherein the wiring ratio is calculated based on the number of wirings existing at each vertex of each of the plurality of cells. 前記複数のセルの辺の長さを前記配線の幅に基づいて決定することを特徴とする請求項1記載の回路設計支援プログラム。   The circuit design support program according to claim 1, wherein lengths of sides of the plurality of cells are determined based on a width of the wiring. 前記処理対象の基板モデルは複数の層を有しており、
前記コンピュータに、
前記層毎の前記等価物性値を前記表示装置に表示させる処理を実行させることを特徴とする請求項1記載の回路設計支援プログラム。
The substrate model to be processed has a plurality of layers,
In the computer,
The circuit design support program according to claim 1, wherein a process for causing the display device to display the equivalent physical property value for each layer is executed.
コンピュータが、
処理対象の基板モデルを複数のセルに分割し、
前記基板モデルの平面上の少なくとも一つの方向に対して、前記複数のセルに設けられる配線が前記基板モデルにもたらす影響を示す指標を、前記複数のセルそれぞれに占める前記配線の割合と、前記複数のセルのうち隣接するセルにおける前記方向への配線の連続性を示すパラメータとに基づいて算出し、
算出された前記指標に基づいて、前記セルの等価物性値を算出し、
算出された前記等価物性値を表示装置に出力する、
ことを特徴とする回路設計支援方法。
Computer
Divide the substrate model to be processed into multiple cells,
An index indicating the influence of wiring provided in the plurality of cells on the substrate model with respect to at least one direction on the plane of the substrate model is a ratio of the wiring occupying each of the plurality of cells, and the plurality of the plurality of cells. And a parameter indicating the continuity of the wiring in the direction in the adjacent cell among the cells of
Based on the calculated index, calculate the equivalent physical property value of the cell ,
Outputting the calculated equivalent property value to a display device;
A circuit design support method characterized by the above.
処理対象の基板モデルを複数のセルに分割する分割部と、
前記基板モデルの平面上の少なくとも一つの方向に対して、前記複数のセルに設けられる配線が前記基板モデルにもたらす影響を示す指標を、前記複数のセルそれぞれに占める前記配線の割合と、前記複数のセルのうち隣接するセルにおける前記方向への配線の連続性を示すパラメータとに基づいて算出する指標算出部と、
算出された前記指標に基づいて、前記セルの等価物性値を算出する等価物性値算出部と、
算出された前記等価物性値を表示装置に出力する出力部と、
を有することを特徴とする回路設計支援装置。
A dividing unit for dividing the substrate model to be processed into a plurality of cells;
An index indicating the influence of wiring provided in the plurality of cells on the substrate model with respect to at least one direction on the plane of the substrate model is a ratio of the wiring occupying each of the plurality of cells, and the plurality of the plurality of cells. An index calculation unit for calculating based on a parameter indicating the continuity of the wiring in the direction in the adjacent cell among the cells,
Based on the calculated index, an equivalent property value calculation unit that calculates an equivalent property value of the cell ;
An output unit for outputting the calculated equivalent physical property value to a display device;
A circuit design support apparatus comprising:
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