JP2016065828A - 推定プログラム、推定方法および推定装置 - Google Patents

推定プログラム、推定方法および推定装置 Download PDF

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Abstract

【課題】充電率を推定する際の収束性を向上する。
【解決手段】実施形態の推定プログラムは、コンピュータに、電池の測定電流および測定端子電圧に基づいて、カルマンフィルタを用いて電池の充電率および予測端子電圧を算出し、測定端子電圧と予測端子電圧との差分を算出する処理を実行させる。また、推定プログラムは、コンピュータに、カルマンフィルタを用いた充電率の算出開始または差分の異常の終了を契機に、カルマンフィルタの予測ノイズの寄与度を所定値より大きくする処理を実行させる。また、推定プログラムは、コンピュータに、寄与度を大きくしてから所定時間が経過した時に、カルマンフィルタの予測ノイズの寄与度が所定値となるように制御する処理を実行させる。
【選択図】図1

Description

本発明の実施形態は、推定プログラム、推定方法および推定装置に関する。
近年、電気自動車や電動バイク等では、二次電池をモジュールごとに交換することで、充電時間による使用時間のロスを無くす運用が知られている。また、電気自動車や電動バイク等に用いられる二次電池として、リチウムイオン二次電池が用いられる場合がある。電池モジュールを交換する運用では、個々の電池モジュールにおけるリチウムイオン二次電池の充電率であるSoC(States of Charge)を管理することが必要である。SoCは、リチウムイオン二次電池内部の電気量を測ることで測定可能であるが、実運用中に測定することは難しい。このため、実運用中のSoCは、測定可能な端子電圧と電流から推定する。SoCの推定は、リチウムイオン二次電池を電気回路としてとらえた等価電気回路モデルに対して、カルマンフィルタを適用することで推定する。
特開2008−010420号公報 特開2012−149947号公報
しかしながら、カルマンフィルタによるSoCの推定では、クーロンカウンタと、等価電気回路モデルによる逆算によるSoCの推定とのバランスを取りながらSoCを推定することから、推定値がずれた場合における、その後の推定値の収束性が悪く、推定精度が劣化する問題がある。
例えば、カルマンフィルタによるSoCの推定では、等価電気回路モデルの誤差が大きいため、等価電気回路モデルの寄与度を小さく設定し、クーロンカウンタ重視のバランスにすることによって精度を上げている。このため、推定開始時のずれや、異常データによって推定値がずれた場合には、その後SoCが収束するまで時間がかかる。なお、等価電気回路モデルの寄与度を予め大きくする場合も考えられるが、この場合は、収束性は向上するが、等価電気回路モデルの誤差の影響を受けてSoCの推定精度を劣化させる。
1つの側面では、充電率を推定する際の収束性を向上できる推定プログラム、推定方法および推定装置を提供することを目的とする。
第1の案では、推定プログラムは、コンピュータに、電池の測定電流および測定端子電圧に基づいて、カルマンフィルタを用いて電池の充電率および予測端子電圧を算出し、測定端子電圧と予測端子電圧との差分を算出する処理を実行させる。また、推定プログラムは、コンピュータに、カルマンフィルタを用いた充電率の算出開始または差分の異常の終了を契機に、カルマンフィルタの予測ノイズの寄与度を所定値より大きくする処理を実行させる。また、推定プログラムは、コンピュータに、寄与度を大きくしてから所定時間が経過した時に、カルマンフィルタの予測ノイズの寄与度が所定値となるように制御する処理を実行させる。
本発明の1実施態様によれば、充電率を推定する際の収束性を向上できる。
図1は、実施形態にかかる推定装置の構成例を示すブロック図である。 図2は、リチウムイオン二次電池の等価電気回路モデルの一例を示す説明図である。 図3は、OCV特性曲線の一例を示すグラフである。 図4は、カルマンフィルタを用いたSoC推定処理の一例を示す説明図である。 図5は、Σvの設定処理の一例を示すフローチャートである。 図6は、電流と充電率の推移の一例を説明する説明図である。 図7は、推定プログラムを実行するコンピュータの一例を示す説明図である。
以下、図面を参照して、実施形態にかかる推定プログラム、推定方法および推定装置を説明する。実施形態において同一の機能を有する構成には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。なお、以下の実施形態で説明する推定プログラム、推定方法および推定装置は、一例を示すに過ぎず、実施形態を限定するものではない。また、以下の各実施形態は、矛盾しない範囲内で適宜組みあわせてもよい。
図1は、実施形態にかかる推定装置100の構成例を示すブロック図である。図1に示すように、推定装置100は、測定部101と、出力部102と、操作部103と、記憶部120と、制御部130とを有する。推定装置100は、例えば、リチウムイオン二次電池モジュールに組み込まれる。また、推定装置100は、セルの充放電を制御する制御部を含んでもよい。なお、推定装置100は、例えば、電気自動車や電動バイク等の制御装置の一機能として実装して、リチウムイオン二次電池モジュールを制御するようにしてもよい。
測定部101は、リチウムイオン二次電池の電流および端子電圧を測定する。測定部101は、例えば、電流計および電圧計で、それぞれ電流および端子電圧を測定する。測定部101は、測定された電流および端子電圧を、それぞれ測定電流および測定端子電圧として制御部130に出力する。また、測定部101は、リチウムイオン二次電池の動作モードを取得して制御部130に出力する。
出力部102は、制御部130から充電率情報が入力されると、充電率情報を、例えば、他の装置に出力する。ここで、他の装置は、例えば、電気自動車や電動バイク等であれば、車両の制御装置であり、例えば、スマートフォン等の携帯情報端末であれば、画面を表示する表示部である。他の装置は、充電率情報が入力されると、例えば、使用者が視認できるように、車両のメータや表示部に充電率を表示する。
操作部103は、操作キーの入力操作等を介したユーザからの操作入力を受け付ける。操作部103は、受け付けた操作入力を入力情報として制御部130へ出力する。この入力情報としては、例えば、カルマンフィルタの各種パラメータ、等価電気回路モデルの各パラメータ、閾値等の他、設定部132における設定処理時のカウンタ値や係数などであってもよい。制御部130では、操作部103からの入力情報をもとに条件記憶部121に記憶されたパラメータや数値を更新する。
記憶部120は、例えば、RAM(Random Access Memory)、フラッシュメモリ(Flash Memory)等の半導体メモリ素子、ハードディスクや光ディスク等の記憶装置によって実現される。記憶部120は、条件記憶部121を有する。また、記憶部120は、制御部130での処理に用いる情報を記憶する。
条件記憶部121は、OCV(Open Circuit Voltage)特性曲線、カルマンフィルタの各種パラメータ、等価電気回路モデルの各パラメータ、閾値等を記憶する。OCV特性曲線は、リチウムイオン二次電池のOCV−SoC特性を示すグラフであり、詳細は後述する。カルマンフィルタの各種パラメータとしては、例えば、予測ノイズを示すΣv、このΣvの設定処理時のカウンタ値・係数および測定ノイズを示すΣw等が挙げられる。等価電気回路モデルの各パラメータは、後述するR、R、R、C、C等が挙げられる。なお、等価電気回路モデルの各パラメータは、予め実際のリチウムイオン二次電池に合致するように設定する。
制御部130は、例えば、CPU(Central Processing Unit)やMPU(Micro Processing Unit)等によって、内部の記憶装置に記憶されているプログラムがRAMを作業領域として実行されることにより実現される。また、制御部130は、例えば、ASIC(Application Specific Integrated Circuit)やFPGA(Field Programmable Gate Array)等の集積回路により実現されるようにしてもよい。制御部130は、算出部131と、設定部132とを有し、以下に説明する情報処理の機能や作用を実現または実行する。なお、制御部130の内部構成は、図1に示した構成に限られず、後述する情報処理を行う構成であれば他の構成であってもよい。
算出部131は、測定部101から測定電流および測定端子電圧が入力されると、カルマンフィルタを用いて、SoC(充電率)、および、予測端子電圧を算出する。また、算出部131は、測定端子電圧と予測端子電圧との差分y(k)を誤差として算出する。さらに、算出部131は、算出した差分y(k)と、カルマンゲインG(k)とに基づいて算出した状態推定値を修正するための修正値(詳細は後述する)を、1ステップごとに設定部132に出力する。また、算出部131は、設定部132から当該設定部132での処理が完了した予測ノイズΣvが1ステップごとに入力されて設定される。
ここで、図2および図3を用いて、カルマンフィルタを用いたSoC推定処理について説明する。図2は、リチウムイオン二次電池の等価電気回路モデルの一例を示す説明図である。図2に示すように、リチウムイオン二次電池の等価電気回路モデルは、SoCの変化に応じて変化する電位差OCVを表す電流源VOCV_DC(SoC)、および、VOCV_CC(SoC)を有する。ここで、電流源VOCV_DC(SoC)、および、VOCV_CC(SoC)は、それぞれ、放電時の電位差OCVおよび充電時の電位差OCVを表す。また、図2に示す等価電気回路モデルは、電流変化に対して発生する電圧vの変化を表す抵抗R、電流変化に対して過渡的な電圧v、vの変化を表すRC回路(R、および、R)を有する。つまり、等価電気回路モデルは、リチウムイオン二次電池の内部抵抗を、測定電流iに依存する関数とするために用いる。なお、内部抵抗の正確性は、カルマンフィルタを用いたSoC推定精度に大きな影響を与える。
図2に示す等価電気回路モデルの端子電圧vは、電位差OCVと、電圧vと、電圧vと、電圧vとの和で表現される。つまり、端子電圧vは、下記の式(1)で表すことができる。算出部131は、カルマンフィルタを用いて、OCVがSoCに応じて変化することを利用して、SoCの推定を行う。
Figure 2016065828
図3は、OCV特性曲線の一例を示すグラフである。図3に示すOCV特性曲線は、条件記憶部121に記憶されている。算出部131は、カルマンフィルタを用いてSoCの推定を行う際に、条件記憶部121に記憶されたOCV特性曲線を参照する。
算出部131は、等価電気回路モデルを用いて、1ステップ前のv、v、およびOCVと、入力される測定電流iとに基づいて、現在のv、v、およびOCVと、予測端子電圧とを予測する。また、算出部131は、OCV特性曲線を用いてOCVからSoCを算出する。ここで、下記の式(2)〜(4)に、対応する式を示す。ここで、式(2)は現在の状態推定値を示す。式(3)は、OCV特性に基づく端子電圧を示す。式(4)は、1ステップ前の状態推定値を示す。
Figure 2016065828
Figure 2016065828
Figure 2016065828
次に、算出部131は、実際に測定された測定端子電圧と、予測端子電圧との差分を算出する。算出部131は、v、v、およびSoCと、端子電圧とに想定されるノイズを考慮して、測定端子電圧と予測端子電圧との誤差の原因となるv、v、およびSoCの誤差を推定する。算出部131は、推定したv、v、およびSoCの誤差を、予測したv、v、およびSoCに加えて補正することで、正しいSoCの推定値を充電率情報として出力部102に出力する。
続いて、図4を用いてカルマンフィルタを用いたSoC推定処理の詳細について説明する。図4は、カルマンフィルタを用いたSoC推定処理の一例を示す説明図である。まず、図4の説明に用いる文字を説明する。kは、カルマンフィルタのステップ数を示す。
[文字1]
Figure 2016065828
上記の[文字1]は、ステップk−1のカルマンフィルタの状態推定値を示し、以下、1ステップ前の状態推定値という。
[文字2]
Figure 2016065828
上記の[文字2]は、ステップkのカルマンフィルタの状態推定値を示し、以下、状態推定値という。
[文字3]
Figure 2016065828
上記の[文字3]は、ステップkの測定端子電圧を示し、以下、測定端子電圧という。
[文字4]
Figure 2016065828
上記の[文字4]は、ステップkのカルマンフィルタの状態推定値の逆行列を示し、以下、状態推定値の逆行列という。
[文字5]
Figure 2016065828
上記の[文字5]は、ステップkのカルマンフィルタの状態推定値の修正値を示し、以下、修正値という。G(k)は、ステップkのカルマンゲインを示す。Aは、ヤコビアンを示す。P(k)は、ステップkの誤差の共分散行列、つまり推定値の精度を示す。Σvは、予測ノイズを示す。Σwは、測定ノイズを示す。
カルマンフィルタは、フィードバック系の処理であるので、図4のSoC推定処理の説明では、便宜上「S」から処理を説明する。ここで、本実施形態では、以下のカルマンフィルタのS11〜S19に相当する処理を算出部131で実行し、S20に相当する処理を設定部132で実行する。従って、以下の説明では、制御部130がカルマンフィルタの処理を実行するものとして説明する。
制御部130は、測定電流i(k)が入力されると、1ステップ前の状態推定値と、測定電流i(k)とに基づいて、下記の式(5)を用いて状態推定値の逆行列、つまり予測値を算出する(S11)。ここで、測定電流i(k)は、1秒ごとに入力される場合を示しており、下記に示す式(6)の関係となる。
Figure 2016065828
Figure 2016065828
制御部130は、測定端子電圧が入力されると、測定端子電圧と、状態推定値の逆行列と、測定電流i(k)とに基づいて、下記の式(7)を用いて測定端子電圧と予測端子電圧y(k)との差分y(k)を算出する(S12)。また、式(7)は、予測端子電圧y(k)を用いて、下記の式(8)とも表現できる。ここで、測定端子電圧は、下記の式(9)の関係となる。
Figure 2016065828
Figure 2016065828
Figure 2016065828
次に、制御部130は、1ステップ前の状態推定値に基づいて、下記の式(10)を用いてヤコビアンAを算出する(S13)。
Figure 2016065828
制御部130は、ヤコビアンAと、1ステップ前の共分散行列P(k−1)と、予測ノイズΣvとに基づいて、下記の式(11)を用いて共分散行列の逆行列P(k)を算出する(S14)。ここで、制御部130は、S14を実行する場合に、後述するS20で設定された結果に基づく予測ノイズΣvを用いて、共分散行列の逆行列P(k)を算出する。
Figure 2016065828
制御部130は、共分散行列の逆行列P(k)と、測定ノイズΣwとに基づいて、下記の式(12)を用いてカルマンゲインG(k)を算出する(S15)。
Figure 2016065828
制御部130は、カルマンゲインG(k)と、共分散行列の逆行列P(k)とに基づいて、下記の式(13)を用いて共分散行列P(k)を算出する(S16)。制御部130は、S14〜S16を1ステップごとに繰り返す。
Figure 2016065828
次に、制御部130は、S12で算出された差分y(k)と、S15で算出されたカルマンゲインG(k)とに基づいて、下記の式(14)を用いて、状態推定値を修正するための修正値を算出する(S17)。
Figure 2016065828
制御部130は、S11で算出された状態推定値の逆行列と、S17で算出された修正値とに基づいて、下記の式(15)を用いて状態推定値を算出する(S18)。ここで、状態推定値は、下記の式(16)とも表すことができる。
Figure 2016065828
Figure 2016065828
制御部130は、状態推定値に基づいて、下記の式(17)を用いてSoCを算出する(S19)。また、制御部130は、S17で算出された修正値を参照して、S14における予測ノイズΣvを設定する設定処理を行う(S20)。この設定処理の詳細は後述する。
Figure 2016065828
このように、制御部130は、SoC推定処理として、S11〜S19の処理を1ステップごとに繰り返すことによって、例えば、1秒ごとにSoCを算出できる。
図1に戻り、設定部132は、S14における予測ノイズΣvを設定する設定処理を行う。具体的には、設定部132は、カルマンフィルタを用いたSoCの算出開始時または測定端子電圧と予測端子電圧との差分の異常が終了した異常終了時に、カルマンフィルタの予測ノイズΣvの寄与度を所定値より大きく設定する。そして、設定部132は、予測ノイズΣvの寄与度を所定値より大きく設定した後に、所定時間経過したところで、その寄与度を所定値に戻すように設定する。
ここで、予測ノイズΣvの一例を下記の式(18)に示す。なお、式(18)中のl、m、nは、それぞれv、v、SoCに対応するパラメータを示す。式(18)に示す、SoCに対応するパラメータである(3,3)成分は、カルマンフィルタにおける等価電気回路モデルに対応した値である。したがって、予測ノイズΣvにおける(3,3)成分に所定の係数(1以上)をかけ合わせることで、当初の設定よりも等価電気回路モデルの寄与度を大きくすることができる。
Figure 2016065828
設定部132は、式(18)の例では、SoCに対応する成分である(3,3)成分に係数cをかけ合わせることで、予測ノイズΣvの寄与度を設定する。例えば、設定部132は、条件記憶部121に記憶された予測ノイズΣvよりも、その寄与度を大きくする場合には、係数cに1以上の値を設定する。また、設定部132は、条件記憶部121に記憶された予測ノイズΣvの値をそのまま用いる場合には、係数c=1とする。
ここで、設定部132が行う予測ノイズΣvの設定処理の詳細について説明する。図5は、Σvの設定処理の一例を示すフローチャートである。
図5に示すように、処理が開始されると、設定部132は、条件記憶部121を参照して、予測ノイズΣvの成分、閾値、係数cの算出に必要な設定値等の設定処理にかかる各種パラメータを取得する(S201)。この各種パラメータにおける閾値には、測定端子電圧と予測端子電圧との差分の異常を判定するための閾値THがある。また、係数cの算出に必要な設定値には、予測ノイズΣvの寄与度を大きく設定する場合の1以上の係数の値である設定値aと、予測ノイズΣvの寄与度を大きく設定した後に元の値に戻すまでの期間を示すカウンタ値bとがある。
次いで、設定部132は、システム起動時であるか否か、すなわち、SoCの算出開始時であるか否かを判定する(S202)。具体的には、設定部132は、リチウムイオン二次電池について、算出部131によるSoCの推定処理を開始した時であるか否かを判定する。算出部131によるSoCの推定処理を開始した時である場合(S202:YES)、設定部132はS203へ処理を進める。また、算出部131によるSoCの推定処理を開始した時でない場合(S202:NO)、設定部132はS207へ処理を進める。
S203において、設定部132は、カウンタ値bまでカウントするためのカウンタ(t)を起動する(S203)。次いで、設定部132は、予測ノイズΣvの寄与度にかかる係数cを計算する(S204)。具体的には、設定部132は、カウンタ起動直後における係数cの初期値を設定値aとし、カウンタ(t)が進むことで係数cの値が設定値aから逓減するようにカウンタ(t)に対応した係数cの値を計算する。また、設定部132は、カウンタ(t)がカウンタ値bまでカウントされた時に、逓減した係数cの値がc=1となるように、カウンタ(t)に対応した係数cを計算する。
具体的には、下記の式(19)、(20)または(21)のように、カウンタ(t)のカウント開始時(t=0)の時には、係数c=aとする。そして、カウンタ(t)が進むことで係数cがaから1まで逓減していき、カウンタ(t)がカウンタ値bまでカウントされた時には係数c=1とする。
Figure 2016065828
Figure 2016065828
Figure 2016065828
式(19)は、カウンタ(t)が進むことで係数cがaから1まで線形変化で逓減していく式の一例である。式(20)は、カウンタ(t)が進むことで係数cがaから1まで平方根変化で逓減していく式の一例である。式(21)は、カウンタ(t)が進むことで係数cがaから1まで平方変化で逓減していく式の一例である。これら式(19)〜(21)は逓減する変化の一例であり、リチウムイオン二次電池の特性などに対応した式が予め設定される。
次いで、設定部132は、条件記憶部121に記憶された予測ノイズΣvにS204で計算された係数cをかけあわせた予測ノイズΣvを設定する(S205)。これにより、S14では、設定された予測ノイズΣvを用いて、共分散行列の逆行列P(k)を算出する。
次いで、設定部132は、カウンタ(t)がカウンタ値bまでカウントしたか否かを判定する(S206)。カウンタ値bまでカウントしていない場合(S206:NO)、設定部132はカウンタ(t)をインクリメントしてS204へ処理を戻す。カウンタ値bまでカウントした場合(S206:YES)、設定部132は処理をリターンする。
S207において、設定部132は、差分y(k)と、カルマンゲインG(k)とに基づいて、式(14)を用いて算出された状態推定値を修正するための修正値が予め設定された閾値THを上回るか否かを判定する(S207)。閾値THを上回る場合(S207:YES)は、測定端子電圧と予測端子電圧との差分y(k)に突発的な異常が生じ、予測端子電圧の誤差が極めて大きくなる場合に対応する。例えば、SoCの推定に、カルマンフィルタを簡単にしたモデルを用いた場合や、電池パック内の測定器の精度が悪い場合などが挙げられる。
閾値THを上回る場合(S207:YES)、設定部132は、異常であることを計時し(S208)、S210へ処理を進める。このS208では、処理がリターンした後に閾値THを上回る状態が続く間(閾値THを下回る(S207:NO)状態に移行するまで)、カウンタ等をインクリメントすることで異常である時間が計時される。
閾値THを下回る場合(S207:NO)、設定部132は、1ステップ前の修正値が予め設定された閾値THを上回るか否かを判定する(S209)。1ステップ前の修正値が予め設定された閾値THを上回る場合(S209:YES)、現在のステップが、測定端子電圧と予測端子電圧との差分y(k)に生じた異常が終了した時ということである。
1ステップ前の修正値が予め設定された閾値THを上回る場合であり、測定端子電圧と予測端子電圧との差分y(k)に生じた異常が終了した時(S209:YES)、設定部132はS203へ処理を進める。1ステップ前の修正値が予め設定された閾値THを上回る場合でなけれ(S209:NO)、設定部132はS210へ処理を進める。
測定端子電圧と予測端子電圧との差分y(k)の異常終了時(S209:YES)のS203〜S206では、システム起動時と同様、係数c=aとして等価電気回路モデルの寄与度を大きくする予測ノイズΣvが設定される。そして、係数cを逓減し、所定時間経過した時(カウンタ値bまでカウントされた時)には、条件記憶部121に記憶された当初の予測ノイズΣvに戻るように設定される。
また、設定部132は、システム起動時(S202:YES)と、測定端子電圧と予測端子電圧との差分y(k)の異常終了時(S209:YES)とで、設定値aおよびカウンタ値bの値を異なるものとしてもよい。例えば、システム起動時(S202:YES)における設定値aおよびカウンタ値bの値を異常終了時(S209:YES)における値よりよりも大きな値としてもよい。これは、システム起動時におけるSoCの推定ずれの方が、システム起動中の突発的な異常によるSoCの推定ずれよりも一般的に大きく、収束に時間を要するためである。このように、システム起動時におけるSoCの推定ずれや、システム起動中の突発的な異常によるSoCの推定ずれに対応した設定値aおよびカウンタ値bをもとに、係数の計算を行ってもよい。
また、設定部132は、測定端子電圧と予測端子電圧との差分y(k)の異常終了時(S209:YES)においては、S208で計時された異常の時間をもとに、設定値aおよびカウンタ値bの値を設定してもよい。例えば、計時された異常の時間の長さに応じて、設定値aおよびカウンタ値bの値を大きく設定してもよい。これは、システム起動中の突発的な異常が長く続く方が、短い場合よりもSoCの推定ずれが大きく、収束に時間を要するためである。このように、システム起動中の突発的な異常の時間に対応した設定値aおよびカウンタ値bをもとに、係数の計算を行ってもよい。
S210において、設定部132は、条件記憶部121に記憶された予測ノイズΣvの成分をそのまま(係数c=1)で設定する。これにより、S14では、条件記憶部121に記憶された予測ノイズΣvをそのまま用いて、共分散行列の逆行列P(k)を算出する。
以上の設定処理により、SoCの算出開始時または差分y(k)の異常終了時には、係数c=aとして等価電気回路モデルの寄与度を大きくする予測ノイズΣvが設定され、共分散行列の逆行列P(k)が算出される。したがって、SoCの算出開始時または差分y(k)の異常終了時には、等価電気回路モデルの寄与度が所定値よりも大きく設定されることから、SoCのずれの収束性を向上することができる。次いで、所定時間経過した時(カウンタ値bまでカウントされた時)には、条件記憶部121に記憶された当初の予測ノイズΣvに戻ることから、SoCのずれの収束後において等価電気回路モデルの誤差の影響を受けることを防止できる。このため、推定装置100では、SoCの推定精度の劣化を防止できる。
図6は、電流(Current)と充電率(SoC)の推移の一例を説明する説明図である。具体的には、図6では、電気自動車における充電池の充放電を例示している。例えば、電流の変化の大きなところでは、電気自動車においてモータの駆動または回生が行われていることを示している。また、充電池の主な充電は、電気自動車の停車時に商用電源等へ接続することで行われているものとする。また、SoCのグラフにおける「Real」は、実際のSoCの推移を示している。また、SoCのグラフにおける「off」は、等価電気回路モデルの寄与度を大きくする機能を使用していない場合のSoCの推移を示している。また、SoCのグラフにおける「on」は、等価電気回路モデルの寄与度を大きくする機能を使用している場合のSoCの推移を示している。
図6に示すように、システム起動時の状態C1では、等価電気回路モデルの寄与度を大きくすることで、等価電気回路モデルの寄与度を大きくしない場合よりも「Real」のグラフに早く収束している。また、測定端子電圧と予測端子電圧との差分に突発的な異常が生じ、グラフのずれが大きくなっている状態C2も同様、等価電気回路モデルの寄与度を大きくすることで、「Real」のグラフに早く収束している。
なお、上記の実施形態では、二次電池の一例として、リチウムイオン二次電池を挙げたが、これに限定されない。推定装置100は、対象となる電池のOCV特性曲線と、等価電気回路モデルとが得られれば、他の種類の電池に対してもSoCを推定することができる。他の電池としては、例えば、リチウムイオンポリマー二次電池、カルシウムイオン二次電池、ナノワイヤバッテリ、ニッケル水素二次電池、鉛蓄電池等にも適用できる。また、リチウムイオン二次電池としては、コバルト酸リチウムイオン電池、リン酸鉄リチウムイオン電池等に適用できる。これにより、多種の電池のSoCを推定できる。
また、上記の実施形態では、等価電気回路モデルとして、電流変化に対して過渡的な電圧の変化を表すRC回路として、R、および、Rの2組のRC回路を用いたが、これに限定されない。推定装置100は、等価電気回路モデルとして、例えば、3組以上とした等価電気回路モデルを用いてもよい。これにより、等価電気回路モデルの精度が上がるので、カルマンフィルタによるSoCの推定精度が向上する。
また、図示した各部の各構成要素は、必ずしも物理的に図示の如く構成されていることを要しない。すなわち、各部の分散・統合の具体的形態は図示のものに限られず、その全部又は一部を、各種の負荷や使用状況等に応じて、任意の単位で機能的又は物理的に分散・統合して構成することができる。例えば、算出部131と設定部132とを統合してもよい。
さらに、各部で行われる各種処理機能は、CPU(又はMPU、MCU(Micro Controller Unit)等のマイクロ・コンピュータ)上で、その全部又は任意の一部を実行するようにしてもよい。また、各種処理機能は、CPU(又はMPU、MCU等のマイクロ・コンピュータ)で解析実行されるプログラム上、又はワイヤードロジックによるハードウェア上で、その全部又は任意の一部を実行するようにしてもよいことは言うまでもない。
ところで、上記の実施形態で説明した各種の処理は、予め用意されたプログラムをコンピュータで実行することで実現できる。そこで、以下では、上記の実施形態と同様の機能を有するプログラムを実行するコンピュータの一例を説明する。図7は、推定プログラムを実行するコンピュータの一例を示す説明図である。
図7が示すように、コンピュータ200は、各種演算処理を実行するCPU201と、バッテリからの情報を受け付けるバッテリ情報インタフェース202と、測定された電流および電圧の情報を受け付ける電流測定インタフェース203とを有する。また、コンピュータ200は、他の装置と接続して行う各種情報の授受、他の装置にUI(User Interface)を提供して行うコンピュータ200の操作等に用いる外部インタフェース204を有する。また、外部インタフェース204は、後述するフラッシュメモリ206に対する他の装置からのプログラム等の書き込み等にも用いることができる汎用的なインタフェースである。また、コンピュータ200は、各種情報を一時記憶するRAM205と、フラッシュメモリ206とを有する。また、各構成要素201〜206は、バス207に接続される。コンピュータ200は、例えば、電気自動車や電動バイクの制御装置、スマートフォン、ノート型のパーソナルコンピュータ等である。
フラッシュメモリ206には、算出部131および設定部132の各処理部と同様の機能を有する推定プログラムが記憶される。また、フラッシュメモリ206には、条件記憶部121が記憶される。また、フラッシュメモリ206には、推定プログラムを実現するための各種データが記憶される。バッテリ情報インタフェース202は、測定部101のリチウムイオン二次電池の動作モードを取得する機能と同様の機能を有する。電流測定インタフェース203は、測定部101の電流計および電圧計と同様の機能を有する。外部インタフェース204は、出力部102と同様の機能を有する。また、外部インタフェース204は、例えば、データロガー等が接続され、リチウムイオン二次電池の充放電の状態を記録できるようにしてもよい。
CPU201は、フラッシュメモリ206に記憶された各プログラムを読み出して、RAM205に展開して実行することで、各種の処理を行う。また、これらのプログラムは、コンピュータ200を算出部131および設定部132として機能させることができる。
なお、上記の推定プログラムは、必ずしもフラッシュメモリ206に記憶されている必要はない。例えば、コンピュータ200が読み取り可能な記憶媒体に記憶されたプログラムを、コンピュータ200が読み出して実行するようにしてもよい。コンピュータ200が読み取り可能な記憶媒体は、例えば、CD−ROMやDVDディスク、USB(Universal Serial Bus)メモリ等の可搬型記録媒体、フラッシュメモリ等の半導体メモリ、ハードディスクドライブ等が対応する。また、公衆回線、インターネット、LAN(Local Area Network)等に接続された装置にこの推定プログラムを記憶させておき、コンピュータ200がこれらから推定プログラムを読み出して実行するようにしてもよい。なお、コンピュータ200は、例えば、リチウムイオン二次電池に組み込まれるモジュールや、MPUを用いたいわゆる組込用マイコン等としてもよい。
100…推定装置
101…測定部
102…出力部
103…操作部
120…記憶部
121…条件記憶部
130…制御部
131…算出部
132…設定部
200…コンピュータ
C1、C2…状態

Claims (8)

  1. コンピュータに、
    電池の測定電流および測定端子電圧に基づいて、カルマンフィルタを用いて前記電池の充電率および予測端子電圧を算出し、前記測定端子電圧と前記予測端子電圧との差分を算出し、
    前記カルマンフィルタを用いた前記充電率の算出開始または前記差分の異常の終了を契機に、前記カルマンフィルタの予測ノイズの寄与度を所定値より大きくするとともに、前記寄与度を大きくしてから所定時間が経過した時に、前記カルマンフィルタの予測ノイズの寄与度が前記所定値となるように制御する
    処理を実行させることを特徴とする推定プログラム。
  2. 前記制御する処理は、前記カルマンフィルタの予測ノイズの寄与度を前記所定値より大きくした後に逓減して前記所定値となるように制御する
    ことを特徴とする請求項1に記載の推定プログラム。
  3. 前記制御する処理は、前記カルマンフィルタの予測ノイズの寄与度を前記所定値より大きくする度合いと、当該寄与度を前記所定値となるまでの時間とを、前記算出開始または前記異常の終了で互いに異なるように制御する
    ことを特徴とする請求項1又は2に記載の推定プログラム。
  4. 前記制御する処理は、操作部によるユーザからの操作入力をもとに、前記カルマンフィルタの予測ノイズの寄与度を前記所定値より大きくする度合いと、当該寄与度を前記所定値となるまでの時間とを制御する
    ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の推定プログラム。
  5. 前記制御する処理は、前記差分が所定の閾値以上から当該閾値以下に切り替わった時を前記異常の終了と判定する
    ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の推定プログラム。
  6. 前記制御する処理は、前記差分が所定の閾値以上から当該閾値以下に切り替わるまでの時間をもとに、前記カルマンフィルタの予測ノイズの寄与度を前記所定値より大きくする度合いと、当該寄与度を前記所定値となるまでの時間とを制御する
    ことを特徴とする請求項5に記載の推定プログラム。
  7. コンピュータが、
    電池の測定電流および測定端子電圧に基づいて、カルマンフィルタを用いて前記電池の充電率および予測端子電圧を算出し、前記測定端子電圧と前記予測端子電圧との差分を算出し、
    前記カルマンフィルタを用いた前記充電率の算出開始または前記差分の異常の終了を契機に、前記カルマンフィルタの予測ノイズの寄与度を所定値より大きくするとともに、前記寄与度を大きくしてから所定時間が経過した時に、前記カルマンフィルタの予測ノイズの寄与度が前記所定値となるように制御する
    処理を実行することを特徴とする推定方法。
  8. 電池の測定電流および測定端子電圧に基づいて、カルマンフィルタを用いて前記電池の充電率および予測端子電圧を算出し、前記測定端子電圧と前記予測端子電圧との差分を算出する算出部と、
    前記カルマンフィルタを用いた前記充電率の算出開始または前記差分の異常の終了を契機に、前記カルマンフィルタの予測ノイズの寄与度を所定値より大きくするとともに、前記寄与度を大きくしてから所定時間が経過した時に、前記カルマンフィルタの予測ノイズの寄与度が前記所定値となるように制御する制御部と
    を有することを特徴とする推定装置。
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