JP2016062945A - 半導体発光素子および発光装置 - Google Patents

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倫太郎 岡本
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Abstract

【課題】光強度の低下が抑制される半導体発光素子および発光装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体発光素子は、第１面と、前記第１面とは反対側の第２面と、前記第１面および前記第２面に連なる第３面と、を有する半導体基板と、前記半導体基板の前記第３面の少なくとも一部に接する第１光反射膜と、前記半導体基板の前記第２面の側に設けられ、第１半導体層と、第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する積層体と、を備える。【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、半導体発光素子および発光装置に関する。
ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等の半導体発光素子を備えた発光装置は、半導体発光素子の発光層から発せられる光と、蛍光体から発せられる光とを混合させた混合色を放出する。蛍光体は、例えば、半導体発光素子の周りに設けられた樹脂層に分散されている。
しかし、発光層から発せられる光は、樹脂層に分散された蛍光体に当たり、励起されるが、一部は蛍光体や樹脂を構成する成分によって反射する。このため、発光層から発せられる光は、樹脂層内で散乱する。この散乱した光が半導体発光素子の基板に当たると、基板が半導体基板の場合には光が基板に吸収され、発光装置の光強度が低下する場合がある。
特開２０１４−０３８９２０号公報
本発明が解決しようとする課題は、高い発光強度を有する半導体発光素子および発光装置を提供することである。
実施形態の半導体発光素子は、第１面と、前記第１面とは反対側の第２面と、前記第１面および前記第２面に連なる第３面と、を有する半導体基板と、前記半導体基板の前記第３面の少なくとも一部に接する第１光反射膜と、前記半導体基板の前記第２面の側に設けられ、第１半導体層と、第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する積層体と、を備える。
図１（ａ）は、第１実施形態に係る半導体発光素子を表す模式的断面図であり、図１（ｂ）は、第１実施形態に係る半導体発光素子を表す模式的平面図である。 図２（ａ）〜図２（ｃ）は、第１実施形態に係る半導体発光素子の製造過程を表す模式的断面図である。 図３（ａ）〜図３（ｃ）は、第１実施形態に係る半導体発光素子の製造過程を表す模式的断面図である。 図４は、第１実施形態に係る発光装置を表す模式的断面図である。 図５は、第２実施形態に係る発光装置を表す模式的断面図である。 図６（ａ）は、第３実施形態に係る半導体発光素子を表す模式的断面図であり、図６（ｂ）は、第３実施形態に係る半導体発光素子および半導体発光素子が載置される基板の斜視模式図である。
以下、図面を参照しつつ、実施形態について説明する。以下の説明では、同一の部材には同一の符号を付し、一度説明した部材については適宜その説明を省略する。
（第１実施形態）
図１（ａ）は、第１実施形態に係る半導体発光素子を表す模式的断面図であり、図１（ｂ）は、第１実施形態に係る半導体発光素子を表す模式的平面図である。
図１（ａ）は、図１（ｂ）のＡ−Ａ’線に沿った位置での断面が表されている。また、以下に表す図面には３次元座標が導入されている。
第１実施形態に係る半導体発光素子１は、半導体基板１０と、第１光反射膜（以下、例えば、光反射膜２０）と、積層体３０と、金属含有膜４０と、を備える。
半導体基板１０は、第１面（以下、例えば、下面１０ｄ）と、下面１０ｄとは反対側の第２面（以下、例えば、上面１０ｕ）と、下面１０ｄおよび上面１０ｕに連なる第３面（以下、例えば、側面１０ｓｗ）と、を有する。半導体基板１０の厚さは、例えば、１００μｍ〜３００μｍである。半導体基板１０は、シリコン（Ｓｉ）を含んでいる。例えば、半導体基板１０はシリコンウェーハから個片化されたシリコン基板である。
光反射膜２０は、半導体基板１０の下面１０ｄと、半導体基板１０の側面１０ｓｗの少なくとも一部と、に接している。光反射膜２０は、半導体基板１０の側面１０ｓｗの全域に接触してもよい。さらに、光反射膜２０は、金属含有膜４０の側面４０ｓｗの少なくとも一部に接してもよい。
光反射膜２０は、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、亜鉛（Ｚｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、銅（Ｃｕ）、錫（Ｓｎ）、炭素（Ｃ）、マグネシウム（Ｍｇ）、クロム（Ｃｒ）、テルル（Ｔｅ）、セレン（Ｓｅ）、チタン（Ｔｉ）、酸素（Ｏ）、水素（Ｈ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、セラミックの群から選択される少なくとも１つの元素を含む。
光反射膜２０は、多層であってもよい。この場合、多層のそれぞれの層には、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、亜鉛（Ｚｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、銅（Ｃｕ）、錫（Ｓｎ）、炭素（Ｃ）、マグネシウム（Ｍｇ）、クロム（Ｃｒ）、テルル（Ｔｅ）、セレン（Ｓｅ）、チタン（Ｔｉ）、酸素（Ｏ）、水素（Ｈ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、セラミックの群から選択される少なくとも１つの元素が含まれる。
光反射膜２０の耐熱性、耐薬品性を向上させるには、光反射膜２０の材料として、上述した金属の群の少なくとも２つを含む合金であってもよい。
積層体３０は、半導体基板１０の上面１０ｕの側に設けられている。積層体３０は、第１半導体層（以下、例えば、半導体層３０ｐ）と、第２半導体層（以下、例えば、半導体層３０ｎ）と、発光層（活性層）３０ｅと、を有する。半導体層３０ｐは、ｐ側のクラッド層であり、半導体層３０ｎは、ｎ側のクラッド層である。
半導体層３０ｐ、発光層３０ｅ、および半導体層３０ｎは、半導体基板１０の下面１０ｄから上面１０ｕに向かう方向（図１（ａ）のＺ方向）に並んでいる。発光層３０ｅは、半導体層３０ｐと半導体層３０ｎとの間に設けられている。
半導体層３０ｐは、窒化物半導体を含む。半導体層３０ｐは、例えば、ドーパントとしてマグネシウム（Ｍｇ）を含む。半導体層３０ｎは、窒化物半導体を含む。半導体層３０ｎは、例えば、ドーパントとしてシリコン（Ｓｉ）を含む。発光層３０ｅは、窒化物半導体を含む。発光層３０ｅは、例えば、単一量子井戸（ＳＱＷ：Single Quantum Well）構造を有してもよく、多重量子井戸（ＭＱＷ:Multi Quantum Well）構造を有してもよい。
また、半導体層３０ｎの上面３０ｎｕは、発光層３０ｅから放出される光の取り出し効果を上げるために凹凸になっている。
金属含有膜４０は、積層体３０と半導体基板１０との間に設けられている。半導体発光素子１は、積層体３０と半導体基板１０とを金属含有膜４０によって接合させることにより形成される（後述）。金属含有膜４０は、金属、または金属の化合物を含む。
積層体３０と金属含有膜４０との間には、第２光反射膜（以下、例えば、光反射膜４１）が設けられている。
光反射膜４１は、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、亜鉛（Ｚｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、銅（Ｃｕ）、錫（Ｓｎ）、炭素（Ｃ）、マグネシウム（Ｍｇ）、クロム（Ｃｒ）、テルル（Ｔｅ）、セレン（Ｓｅ）、チタン（Ｔｉ）、酸素（Ｏ）、水素（Ｈ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）の群から選択される少なくとも１つの元素を含む。
光反射膜４１は、多層であってもよい。この場合、多層のそれぞれの層には、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、亜鉛（Ｚｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、銅（Ｃｕ）、錫（Ｓｎ）、炭素（Ｃ）、マグネシウム（Ｍｇ）、クロム（Ｃｒ）、テルル（Ｔｅ）、セレン（Ｓｅ）、チタン（Ｔｉ）、酸素（Ｏ）、水素（Ｈ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）の群から選択される少なくとも１つの元素が含まれる。
光反射膜４１の耐熱性、耐薬品性を向上させるには、光反射膜４１の材料として、上述した金属群の少なくとも２つを含む合金であってもよい。
半導体層３０ｎには、ｎ側の電極５０ｎが接続されている。電極５０ｎは、Ｚ方向から半導体発光素子１を見た場合、半導体発光素子１の略中央に位置している。また、金属含有膜４０には、ｐ側の電極５０ｐが接続されている。
電極５０ｐ、５０ｎは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）等の群から選ばれる少なくとも１つを含む。
また、積層体３０の側部の上、および積層体３０の側部から積層体３０の内部の一部にかけては、保護膜７０が設けられている。
図２（ａ）〜図３（ｃ）は、第１実施形態に係る半導体発光素子の製造過程を表す模式的断面図である。
図２（ａ）に表すように、構造体６０Ａと、構造体６０Ｂと、を対向させる。構造体６０Ａにおいては、半導体基板１０の上に金属含有膜４０Ａが設けられている。構造体６０Ｂにおいては、半導体基板１１の下に積層体３０が設けられ、積層体３０の下に選択的に光反射膜４１が設けられ、積層体３０および光反射膜４１の下に金属含有膜４０Ｂが設けられている。半導体基板１１は、シリコン基板、サファイヤ基板等である。
次に、図２（ｂ）に表すように、金属含有膜４０Ａと金属含有膜４０Ｂとを接触させて、半導体基板１０と積層体３０との間、および半導体基板１０と光反射膜４１との間に金属含有膜４０を形成する。すなわち、半導体基板１０と積層体３０、および半導体基板１０と光反射膜４１とを金属含有膜４０によって接合する。
次に、図２（ｃ）に表すように、積層体３０から半導体基板１１を剥離する。
次に、図３（ａ）に表すように、金属含有膜４０の上および光反射膜４１の上に設けられた積層体３０を、例えば、ドライエッチングにより分割する。また、積層体３０に含まれる半導体層３０ｎの上面３０ｎｕを凹凸に加工する。
次に、図３（ｂ）に表すように、半導体基板１０、金属含有膜４０、光反射膜４１、および積層体３０を有する構造体６０Ｃを、ダイシングシート８０の上に載置する。ここでは、半導体基板１０をダイシングシート８０に接触させる。
続いて、隣り合う積層体３０間に位置する金属含有膜４０の一部と、さらにその下の半導体基板１０の一部をダイシングによって除去する。このダイシングによって構造体６０Ｃにトレンチ６１が形成される。すなわち、構造体６０Ｃが複数の構造体６０Ｄに個片化される。
次に、図３（ｃ）に表すように、樹脂シート８１を準備する。樹脂シート８１は、粘着性、弾性等を有する。続いて、樹脂シート８１に積層体３０側の構造体６０Ｄを押し付ける。さらに、樹脂シート８１を、樹脂シート８１のシート面に沿って伸縮し、隣り合う構造体６０Ｄの間隔ｄを調整する。
次に、構造体６０Ｄの半導体基板１０の下面１０ｄと、側面１０ｓｗの少なくとも一部とに、例えば、スパッタリング法によって光反射膜２０を形成する。スパッタリングでは、光反射膜２０は、半導体基板１０の下面１０ｄに形成されるほか、半導体基板１０の側面１０ｓｗにまで回り込む。ここでは、光反射膜２０が半導体基板１０の下面１０ｄと、側面１０ｓｗの少なくとも一部と、に形成されるように、間隔ｄまたはスパッタリング条件が適宜調整される。
この後、構造体６０Ｄに電極５０ｐ、５０ｎ、保護膜７０等が形成されて、半導体発光素子１が形成される。
図４は、第１実施形態に係る発光装置を表す模式的断面図である。
第１実施形態に係る発光装置１００は、容器２００と、基板２０１ｐと、基板２０１ｎと、半導体発光素子１と、樹脂層２０２と、蛍光体２０３と、ワイヤ２０４ｐと、ワイヤ２０４ｎと、を備える。発光装置１００に含まれる半導体発光素子は、第１実施形態に係る半導体発光素子１に限らず、後述する半導体発光素子であってもよい。
容器２００は、その上側が開口された樹脂容器である。容器２００は、凹部２００ｃを有している。基板２０１ｐおよび基板２０１ｎは、凹部２００ｃの中に設けられている。半導体発光素子１は、基板２０１ｐの上に設けられている。基板２０１ｐおよび基板２０１ｎは、例えば、銅（Ｃｕ）を含む。
半導体発光素子１は、容器２００の凹部２００ｃの中に設けられている。半導体発光素子１の光反射膜２０は、例えば、半田、銀ペースト等によって基板２０１ｐに接続されている。
半導体発光素子１の電極５０ｐは、ワイヤ２０４ｐを経由して基板２０１ｐに電気的に接続されている。つまり、発光装置１００の外部から基板２０１ｐに印加された電位は、ワイヤ２０４ｐを経由して半導体発光素子１の電極５０ｐに伝導する。ここで、電極５０ｐは、半導体発光素子１のｐ側半導体層３０ｐに接続されている。すなわち、基板２０１ｐに印加された電位は、ｐ側半導体層３０ｐに伝導する。
半導体発光素子１の電極５０ｎは、ワイヤ２０４ｎを経由して基板２０１ｎに電気的に接続されている。つまり、発光装置１００の外部から基板２０１ｎに印加された電位は、ワイヤ２０４ｎを経由して半導体発光素子１の電極５０ｎに伝導する。ここで、電極５０ｎは、半導体発光素子１のｎ側半導体層３０ｎに接続されている。すなわち、基板２０１ｎに印加された電位は、ｎ側半導体層３０ｎに伝導する。
樹脂層２０２は、基板２０１ｐの上、基板２０１ｎの上、および半導体発光素子１の上に設けられている。樹脂層２０２は、容器２００の凹部２００ｃの中に設けられている。樹脂層２０２は、蛍光体２０３を含む。蛍光体２０３は、樹脂層２０２に分散されている。樹脂層２０２には、フィラーを分散させてもよい。
発光装置１００の作用について説明する。
ｐ側の電極５０ｐに、ｎ側の電極５０ｎよりも高い電位を印加すると、ｐ側の半導体層３０ｐとｎ側の半導体層３０ｎに順バイアスが印加される。これにより、半導体発光素子１の発光層３０ｅ内では正孔と電子とが再結合する。発光層３０ｅ内で正孔と電子とが再結合すると、発光層３０ｅは、青色光９０（例えば、波長：４５０ｎｍ）を放出する。
青色光９０は、発光装置１００における一次光である。発光層３０ｅから上側に放出された青色光９０は、半導体層３０ｎを通過して半導体発光素子１の上側に放出される。発光層３０ｅから下側に放出された青色光９０は、半導体層３０ｐを通過して光反射膜４１によって反射され、半導体発光素子１の上側に放出される。
青色光９０が蛍光体２０３に当たると、蛍光体２０３は、青色光９０を吸収して、例えば、黄色光９１を発する。黄色光９１は、発光装置１００の二次光である。発光装置１００からは、一次光である青色光９０と二次光である黄色光９１とが混色して、白色光が発せられる。
ここで、半導体発光素子１から発せられる青色光９０は、蛍光体２０３によって吸収されるとともに、蛍光体２０３またフィラーによって散乱される。また、青色光９０は、容器２００の内壁、または樹脂層２０２と大気の界面によって反射され、再び樹脂層２０２内を走る場合がある。
このような散乱光または反射光が再び蛍光体２０３に当たると、蛍光体２０３は再び黄色光９１を放出し、二次光である黄色光の光強度が高くなる。これにより、発光装置１００の発光強度は高くなる。
ここで、半導体発光素子１から光反射膜２０を取り除いた構造を想定する。半導体発光素子１から光反射膜２０を取り除くと、半導体基板１０が樹脂層２０２に露出される。半導体基板１０が樹脂層２０２に露出すると、半導体基板１０に青色光の散乱光または反射光が直接当たってしまう。従って、半導体発光素子１から発せられた青色光の一部が半導体基板１０に吸収されてしまう。
これにより、半導体発光素子１から発せられる青色光９０の光強度が低くなるとともに、一次光である青色光９０の光強度が低くなることから蛍光体２０３から放出される黄色光９１の光強度も低くなる。つまり、光反射膜２０を取り除いた発光装置では、半導体発光素子１ほどの発光強度が得られず、光強度が弱くなる。
これに対して、半導体発光素子１では、光反射膜２０が半導体基板１０の側面１０ｓｗの少なくとも一部に接している。このため、半導体基板１０に青色光の散乱光または反射光が直接に当たらない。従って、半導体基板１０は、青色光の散乱光または反射光を吸収し難くなる。
さらに、半導体発光素子１では、光反射膜２０によって反射された青色光９０が再び蛍光体２０３に当たる。これにより、蛍光体２０３は青色光９０を吸収し、蛍光体２０３は黄色光９１を再び発する。この黄色光９１は、発光装置１００の光強度の増加に寄与している。
（第２実施形態）
図５は、第２実施形態に係る発光装置を表す模式的断面図である。
第２実施形態に係る発光装置１０１は、半導体発光素子２を備える。
半導体発光素子２の電極５０ｎは、ワイヤ２０４ｎを経由して基板２０１ｎに電気的に接続されている。つまり、発光装置１０１の外部から基板２０１ｎに印加された電位は、ワイヤ２０４ｎを経由して半導体発光素子２の電極５０ｎに伝導する。すなわち、基板２０１ｎに印加された電位は、電極５０ｎを経由して、半導体発光素子２のｎ側半導体層３０ｎに伝導する。
また、半導体発光素子２の半導体基板１０の導電率は、半導体発光素子１の半導体基板１０の導電率よりも高く設定されている。ここで、光反射膜２０は、光反射膜のほか、ｐ側の電極になっている。従って、発光装置１０１の外部から基板２０１ｐに印加された電位は、光反射膜２０、金属含有膜４０、および光反射膜４１を経由して半導体発光素子２のｐ側半導体層３０ｐに伝導する。
つまり、半導体発光素子２においては、基板２０１ｐに基板２０１ｎよりも高い電位を印加することにより、電極５０ｎと電極５０ｎの下側に位置する光反射膜２０との間で通電が可能になっている。
これにより、ｐ側の半導体層３０ｐからｎ側の半導体層３０ｎに流れる電流は、半導体発光素子１に比べてより均一に分散される。従って、半導体発光素子２の光強度は、半導体発光素子１の光強度に比べて増加する。つまり、発光装置１０１の光強度は、発光装置１００の光強度に比べて増加する。
第２実施形態では、光反射膜２０は、半導体基板１０の側面１０ｓｗの一部に接触し、金属含有膜４０の側面４０ｓｗには接していないことが望ましい。これにより、Ｚ方向の電流流束が増し、ｐ側の半導体層３０ｐからｎ側の半導体層３０ｎに流れる電流がより均一に分散される。
第２実施形態では、光反射膜２０をｐ側の電極として用いているため、ｐ側の電極５０ｐを要しない。従って、素子設計の自由度が増加する。なお、電極５０ｐは、半導体発光素子２から除去せず、検査用端子として用いてもよい。
（第３実施形態）
図６（ａ）は、第３実施形態に係る半導体発光素子を表す模式的断面図であり、図６（ｂ）は、第３実施形態に係る半導体発光素子および半導体発光素子が載置される基板の斜視模式図である。
第３実施形態に係る半導体発光素子３は、半導体基板１０と、光反射膜２０と、積層体３０と、金属含有膜４０と、樹脂層２０２と、蛍光体２０３と、を備える。半導体発光素子３では、電極５０ｎと光反射膜２０との間で通電が可能になっている。
樹脂層２０２は、光反射膜２０、半導体基板１０、金属含有膜４０、および積層体３０に接している。つまり、光反射膜２０、半導体基板１０、金属含有膜４０、および積層体３０は、樹脂層２０２によって封止されている。また、半導体基板１０の下面１０ｄに接する光反射膜２０と、半導体基板１０の側面１０ｓｗに接する光反射膜２０の一部と、は、樹脂層２０２から露出している。
半導体発光素子３では、光反射膜２０が半導体基板１０の側面１０ｓｗの少なくとも一部に接している。このため、半導体基板１０に青色光の散乱光または反射光が直接に当たらない。従って、半導体基板１０は、青色光の散乱光または反射光を吸収し難くなる。つまり、半導体発光素子３は、半導体発光素子１と同様の効果を奏する。
また、図６（ｂ）には、半導体発光素子３と、凹部２０１ｃが設けられた基板２０１ｐが表されている。半導体発光素子３の光反射膜２０と基板２０１ｐの凹部２０１ｃとは、半導体発光素子３を凹部２０１ｃに向かって降下させることによって勘合する。また、半導体発光素子３では、容器２００を要しない。このため、発光装置の小型化が実現する。
また、実施形態においては、発光層３０ｅの下側にｎ形の半導体層３０ｎが設けられ、発光層３０ｅの上側にｐ形の半導体層３０ｐが設けられた構造も実施形態に含まれる。
また、半導体基板１０および積層体３０の平面形状は矩形に限らず、円形でもよい。
また、実施形態において、「積層」とは、互いに接して重ねられる場合の他に、間に他の層が挿入されて重ねられる場合も含む。また、「上に設けられる」とは、直接接して設けられる場合の他に、間に他の層が挿入されて設けられる場合も含む。
また、実施形態において、「窒化物半導体」とは、ＢｘＩｎｙＡｌｚＧａ１−ｘ−ｙ−ｚＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦１，ｘ＋ｙ＋ｚ≦１）なる化学式において組成比ｘ、ｙ及びｚをそれぞれの範囲内で変化させた全ての組成の半導体を含むものとする。またさらに、上記化学式において、Ｎ（窒素）以外のＶ族元素もさらに含むもの、導電形などの各種の物性を制御するために添加される各種の元素をさらに含むもの、及び、意図せずに含まれる各種の元素をさらに含むものも、「窒化物半導体」に含まれるものとする。
以上、具体例を参照しつつ実施形態について説明した。しかし、実施形態はこれらの具体例に限定されるものではない。すなわち、これら具体例に、当業者が適宜設計変更を加えたものも、実施形態の特徴を備えている限り、実施形態の範囲に包含される。前述した各具体例が備える各要素およびその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
また、前述した各実施形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて複合させることができ、これらを組み合わせたものも実施形態の特徴を含む限り実施形態の範囲に包含される。その他、実施形態の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例および修正例に想到し得るものであり、それら変更例および修正例についても実施形態の範囲に属するものと了解される。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
１、２、３ 半導体発光素子、 １０、１１ 半導体基板、 １０ｄ 下面、 １０ｓｗ、４０ｓｗ 側面、 １０ｕ 上面、 ２０、４１ 光反射膜、 ３０ 積層体、 ３０ｅ 発光層、 ３０ｎ、３０ｐ 半導体層、 ３０ｎｕ 上面、 ４０、４０Ａ、４０Ｂ 金属含有膜、 ４０ｓｗ 側面、 ５０ｎ、５０ｐ 電極、 ６０Ａ、６０Ｂ、６０Ｃ、６０Ｄ 構造体、 ６１ トレンチ、 ７０ 保護膜、 ８０ ダイシングシート、 ８１ 樹脂シート、 ９０ 青色光、 ９１ 黄色光、 １００、１０１ 発光装置、 ２００ 容器、 ２００ｃ、２０１ｃ 凹部、 ２０１ｎ、２０１ｐ 基板、 ２０２ 樹脂層、 ２０３ 蛍光体、 ２０４ｎ、２０４ｐ ワイヤ

Claims (7)

  1. 第１面と、前記第１面とは反対側の第２面と、前記第１面および前記第２面に連なる第３面と、を有する半導体基板と、
    前記半導体基板の前記第３面の少なくとも一部に接する第１光反射膜と、
    前記半導体基板の前記第２面の側に設けられ、第１半導体層と、第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する積層体と、
    を備えた半導体発光素子。
  2. 前記第１半導体層、前記発光層、および前記第２半導体層は、前記第１面から前記第２面に向かう方向に並び、
    前記第２半導体層に電気的に接続された電極をさらに備え、
    前記電極と前記第１光反射膜との間で通電が可能な請求項１に記載の半導体発光素子。
  3. 前記積層体と前記半導体基板との間に設けられた金属含有膜と、
    前記積層体と前記金属含有膜との間に設けられた第２光反射膜と、
    をさらに備えた請求項１または２に記載の半導体発光素子。
  4. 前記第１光反射膜、前記半導体基板、前記金属含有膜、および前記積層体に接する樹脂層をさらに備え、
    前記半導体基板の前記第１面に接する前記第１光反射膜と、前記半導体基板の前記第３面に接する前記第１光反射膜の一部と、は、前記樹脂層から露出している請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
  5. 前記樹脂層は、前記発光層から発せられる光を吸収して蛍光を発する蛍光体を含む請求項４に記載の半導体発光素子。
  6. 前記半導体基板は、シリコンを含む請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
  7. 凹部を有する容器と、
    前記凹部内に設けられた基板と、
    前記基板の上に設けられ、前記凹部内に設けられた請求項１〜３、６のいずれか１つに記載の半導体発光素子と、
    前記凹部内に設けられ、前記基板の上および前記半導体発光素子の上に設けられた樹脂層と、
    を備えた発光装置。
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