JP2016058577A - 分割方法 - Google Patents
分割方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016058577A JP2016058577A JP2014184308A JP2014184308A JP2016058577A JP 2016058577 A JP2016058577 A JP 2016058577A JP 2014184308 A JP2014184308 A JP 2014184308A JP 2014184308 A JP2014184308 A JP 2014184308A JP 2016058577 A JP2016058577 A JP 2016058577A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- resist film
- protective member
- etching
- teg
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 38
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 35
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000007888 film coating Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000009501 film coating Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 25
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
【解決手段】ウェーハ(11)の表面に保護部材(23)を貼着する保護部材貼着工程と、ウェーハの裏面側のデバイス(17a)に対応する部分にレジスト膜(25)を被覆するレジスト膜被覆工程と、ウェーハの裏面側からプラズマエッチングを施し半導体基板(13)のストリート(15)に対応する部分を除去する第1のエッチング工程と、ウェーハの裏面側からプラズマエッチングを施しデバイスとTEG(17b)との間に形成された低誘電率絶縁膜(19)を除去する第2のエッチング工程と、レジスト膜を除去するレジスト膜除去工程と、ウェーハの裏面に粘着テープ(27)を貼着するウェーハ保持工程と、ウェーハの表面から保護部材を剥離して、TEGに対応する残存部(17c)を除去する保護部材除去工程と、を含む構成とした。
【選択図】図4
Description
13 半導体基板
13a 第1面(表面)
13b 第2面(裏面)
15 ストリート(分割予定ライン)
17a デバイス
17b TEG
17c 配線層(残存部)
19 低誘電率絶縁膜
21 金属パターン
23 保護部材
25 レジスト膜
27 粘着テープ
Claims (2)
- 半導体基板の表面側を格子状のストリートで区画した複数の領域にデバイスが形成され、該ストリートと重なる領域にTEGが形成され、該デバイスと該TEGとの間に低誘電率絶縁膜が形成されたウェーハを該ストリートに沿って分割する分割方法であって、
該ウェーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
該保護部材貼着工程の後、該ウェーハの裏面側の該デバイスに対応する部分にレジスト膜を被覆するレジスト膜被覆工程と、
該レジスト膜が被覆された該ウェーハの裏面側から該半導体基板を除去するためのプラズマエッチングを施し、該半導体基板の該ストリートに対応する部分を除去して該ストリートに形成された該低誘電率絶縁膜を露出させる第1のエッチング工程と、
該第1のエッチング工程が施された該ウェーハの裏面側から該低誘電率絶縁膜を除去するためのプラズマエッチングを施し、該デバイスと該TEGとの間に形成された該低誘電率絶縁膜を除去する第2のエッチング工程と、
該第2のエッチング工程の後、該レジスト膜を除去するレジスト膜除去工程と、
該レジスト膜が除去された該ウェーハの裏面側を粘着テープに貼着し、該粘着テープを介して環状のフレームに該ウェーハを保持させるウェーハ保持工程と、
該環状のフレームに保持された該ウェーハの表面から該保護部材を剥離することで、該TEGに対応する残存部を除去する保護部材除去工程と、を含むことを特徴とする分割方法。 - 該レジスト膜被覆工程の前に、該ウェーハの裏面を研削して該ウェーハを所望の厚さにする裏面研削工程をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の分割方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014184308A JP6315470B2 (ja) | 2014-09-10 | 2014-09-10 | 分割方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014184308A JP6315470B2 (ja) | 2014-09-10 | 2014-09-10 | 分割方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016058577A true JP2016058577A (ja) | 2016-04-21 |
JP6315470B2 JP6315470B2 (ja) | 2018-04-25 |
Family
ID=55759056
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014184308A Active JP6315470B2 (ja) | 2014-09-10 | 2014-09-10 | 分割方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6315470B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018190858A (ja) * | 2017-05-09 | 2018-11-29 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
CN110546739A (zh) * | 2018-03-28 | 2019-12-06 | 古河电气工业株式会社 | 半导体芯片的制造方法、表面保护带 |
US11469180B2 (en) | 2019-10-28 | 2022-10-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device including an insulating material layer with concave-convex portions |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10112447A (ja) * | 1996-10-01 | 1998-04-28 | Samsung Electron Co Ltd | 不連続絶縁層領域を有する半導体集積回路素子及びその製造方法 |
JP2006196573A (ja) * | 2005-01-12 | 2006-07-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体チップの製造方法及び半導体ウェハ |
JP2006295067A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体チップの製造方法 |
-
2014
- 2014-09-10 JP JP2014184308A patent/JP6315470B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10112447A (ja) * | 1996-10-01 | 1998-04-28 | Samsung Electron Co Ltd | 不連続絶縁層領域を有する半導体集積回路素子及びその製造方法 |
JP2006196573A (ja) * | 2005-01-12 | 2006-07-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体チップの製造方法及び半導体ウェハ |
JP2006295067A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体チップの製造方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018190858A (ja) * | 2017-05-09 | 2018-11-29 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
CN110546739A (zh) * | 2018-03-28 | 2019-12-06 | 古河电气工业株式会社 | 半导体芯片的制造方法、表面保护带 |
CN110546739B (zh) * | 2018-03-28 | 2023-11-24 | 古河电气工业株式会社 | 半导体芯片的制造方法、表面保护带 |
US11469180B2 (en) | 2019-10-28 | 2022-10-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device including an insulating material layer with concave-convex portions |
US11935832B2 (en) | 2019-10-28 | 2024-03-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6315470B2 (ja) | 2018-04-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI654709B (zh) | 切割晶圓背側上具有焊料凸塊的晶圓 | |
US8809120B2 (en) | Method of dicing a wafer | |
JP4285455B2 (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
TWI552215B (zh) | 使用可物理性移除的遮罩之雷射及電漿蝕刻晶圓切割 | |
US10410923B2 (en) | Method of processing wafer | |
US9236264B2 (en) | Wafer processing method | |
JP2015095508A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP4338650B2 (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
US20190148132A1 (en) | Method of manufacturing small-diameter wafer | |
JP6377449B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP6315470B2 (ja) | 分割方法 | |
CN111834296A (zh) | 半导体器件和方法 | |
JP2016058578A (ja) | 分割方法 | |
JP6305269B2 (ja) | 加工方法 | |
US10115636B2 (en) | Processing method for workpiece | |
US9123797B2 (en) | Resin powder wafer processing utilizing a frame with a plurality of partitions | |
CN109979879B (zh) | 半导体芯片制造方法 | |
JP6062254B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP6573803B2 (ja) | 半導体ウエーハの分割方法 | |
JP6318046B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2014204062A (ja) | プラズマエッチング方法 | |
KR20110100723A (ko) | 반도체 장치 다이싱 방법 | |
TW201508865A (zh) | 塗佈用於雷射劃線及電漿蝕刻的水溶性光罩之方法 | |
TW201436019A (zh) | 用於使用雷射劃線和電漿蝕刻的晶圓切割之水溶性膜與可uv固化膜之雜合遮罩 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170713 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180314 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180320 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180320 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6315470 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |