JP2016054300A - Ｌｅｄに基づくディスプレイ用の集積型バック電源アーキテクチャ - Google Patents

Ｌｅｄに基づくディスプレイ用の集積型バック電源アーキテクチャ Download PDF

Info

Publication number
JP2016054300A
JP2016054300A JP2015211092A JP2015211092A JP2016054300A JP 2016054300 A JP2016054300 A JP 2016054300A JP 2015211092 A JP2015211092 A JP 2015211092A JP 2015211092 A JP2015211092 A JP 2015211092A JP 2016054300 A JP2016054300 A JP 2016054300A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
leds
package
control module
die
led
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Abandoned
Application number
JP2015211092A
Other languages
English (en)
Inventor
チャン、ワンフェン
Wanfeng Zhang
ウー、アルバート
Wu Albert
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Marvell World Trade Ltd
Original Assignee
Marvell World Trade Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Marvell World Trade Ltd filed Critical Marvell World Trade Ltd
Publication of JP2016054300A publication Critical patent/JP2016054300A/ja
Abandoned legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/30—Driver circuits
    • H05B45/32—Pulse-control circuits
    • H05B45/325—Pulse-width modulation [PWM]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/30—Driver circuits
    • H05B45/37—Converter circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/30—Driver circuits
    • H05B45/37—Converter circuits
    • H05B45/3725—Switched mode power supply [SMPS]
    • H05B45/375—Switched mode power supply [SMPS] using buck topology
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/30—Driver circuits
    • H05B45/395—Linear regulators
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/40—Details of LED load circuits
    • H05B45/44—Details of LED load circuits with an active control inside an LED matrix
    • H05B45/48—Details of LED load circuits with an active control inside an LED matrix having LEDs organised in strings and incorporating parallel shunting devices
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B47/00—Circuit arrangements for operating light sources in general, i.e. where the type of light source is not relevant
    • H05B47/10—Controlling the light source
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
    • Y02B20/30—Semiconductor lamps, e.g. solid state lamps [SSL] light emitting diodes [LED] or organic LED [OLED]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

【課題】ＬＥＤおよびバック電源のシリコン系構成要素をＩＣパッケージに実装するにおいて、単一の実装プロセスを提供する。【解決手段】複数の発光ダイオードＬＥＤと、パルス幅変調パルスを発生してＬＥＤを駆動する制御モジュール２０４とを備え、単一の実装プロセスを用いてＬＥＤおよびバック電源のその他のシリコン系構成要素をＩＣパッケージに集積し、ＩＣパッケージは、バック電源の受動的構成要素を実装するために用いられる金属コア層を含む。【選択図】図４

Description

本開示は、主にＬＥＤに基づくディスプレイに関し、特に、ＬＥＤに基づくディスプレイ用の集積型バック電源アーキテクチャに関する。
［関連出願の相互参照］
本願は、２００９年１２月１８日出願の米国仮出願第６１／２８８，２２１号および２０１０年４月２７日出願の米国仮出願第６１／３２８，５６７号の利益を主張する２０１０年１２月１０日出願の米国出願第１２／９６５，００１号の優先権を主張する。上記出願の開示内容の全体を本明細書に参照として組み込む。
本明細書において提供される背景についての記載は、開示内容の背景を全般的に提示することを目的とする。本願において名前を提示された発明者の本背景技術の項目に記載される仕事と、出願時に先行技術としての条件を満たさない本記載の側面とは、明示的にも黙示的にも本開示内容に対する先行技術と自認するものでない。
発光ダイオード（ＬＥＤ）のＰＮ接合は、順方向バイアスされたときに発光する。一般的に、ＬＥＤはエネルギー効率が良く、信頼性があり、保守の必要性が低く、環境に優しい。したがって、ＬＥＤに基づくディスプレイ（照明器具）は、住居用および商用に様々に用いられている。たとえば、ディスプレイは、電子レンジ、広告看板、産業用の制御パネル、街灯等に使用されている。
ＬＥＤの明度は、通常、ＰＮ接合が順方向バイアスされたときのＰＮ接合に流れる順方向電流の関数である。明度はさらに、ＰＮ接合の温度（接合温度）の関数でもある。ＰＮ接合に印加される順方向電圧によって、ＰＮ接合に流れる順方向電流が決まる。順方向電圧も、接合温度の関数である。
ＬＥＤコントローラは、接合温度の変化に基づいてＬＥＤに流れる電流を制御する。電流を制御することにより、ＬＥＤコントローラは、ＬＥＤの明度を所定のレベルに維持する。ＬＥＤに電力を供給するべく、複数種類のスイッチモード電源（ＳＭＰＳ）が使用される。たとえば、ＳＭＰＳは、バックＳＭＰＳ（ｂｕｃｋ ＳＭＰＳ）、ブースト（ＳＭＰＳ）、フライバックＳＭＰＳ等であってよい。
システムは、複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）と、パルス幅変調（ＰＷＭ）パルスを発生してＬＥＤを駆動する制御モジュールとを備える。ＬＥＤおよび制御モジュールは、集積回路（ＩＣ）パッケージに集積されている。
その他の特性においては、ＬＥＤは封止されておらず、ＬＥＤは、互いに直列に接続されている。
その他の特性においては、ＬＥＤおよび制御モジュールは、ＩＣパッケージ内でダイ上に配置されている。ダイは、第１面、および第１面とは反対側の第２面を有するセラミック層と、シリコン層とを有する。ＬＥＤは、セラミック層の第１面に隣接して配置されている。シリコン層は、制御モジュールを含む。シリコン層は、セラミック層の第２面に隣接している。ＬＥＤは、シリコン層に電気的に接続されている。
その他の特性においては、ＬＥＤは、セラミック層に貫通孔を用いることにより、またはボンドワイヤを用いることにより、シリコン層に電気的に接続されている。
その他の特性においては、ダイは、複数のツェナーダイオードをさらに有する。ツェナーダイオードのうち少なくとも１つは、ＬＥＤのうち対応する１つに接続されている。ツェナーダイオードは、セラミック層の第１面に隣接して配置されているか、またはシリコン層内に配置されている。
別の特性においては、セラミック層の第１面は、反射材料でコーティングされている。
その他の特性においては、ダイは、制御モジュールによって発生されたＰＷＭパルスに基づいてＬＥＤに電力を供給するバック電源のインダクタンスおよびキャパシタンスのうち少なくとも一方を含む金属コア層をさらに有する。金属コア層は、シリコン層の、セラミック層とは反対側の面に配置されている。
その他の特性においては、ＬＥＤは、ＩＣパッケージ内で第１のダイ上に配置されており、制御モジュールは、ＩＣパッケージ内で第２のダイ上に配置されている。
その他の特性においては、第１のダイは、複数のツェナーダイオードをさらに有する。ツェナーダイオードのうち少なくとも１つは、ＬＥＤのうち対応する１つに接続されている。
その他の特性においては、第２のダイは、第１のダイに隣接する第１面、および第１面とは反対側の第２面を有するセラミック層と、シリコン層とを有する。シリコン層は、制御モジュールを含む。シリコン層は、セラミック層の第２面に隣接する。ＬＥＤは、シリコン層に電気的に接続されている。ＬＥＤは、ボンドワイヤを用いて電気的に接続されている。
その他の特性においては、第２のダイは、制御モジュールによって発生されたＰＷＭパルスに基づいてＬＥＤに電力を供給するバック電源のインダクタンスおよびキャパシタンスのうち少なくとも一方を含む金属コア層をさらに有する。金属コア層は、シリコン層のセラミック層とは反対側の面に配置されている。
その他の特性においては、ＩＣパッケージは、ＬＥＤに隣接する第１面と、第１面とは反対側の第２面とを有する。第２面は、露出パッドを有する。
その他の特性においては、ＩＣパッケージは、ＬＥＤに隣接する第１面と、第１面とは反対側の第２面とを有する。ヒートシンクが、第２面に取り付けられている。
別の特性においては、ＩＣパッケージのサイズは、ＬＥＤのルーメン対ワット比に基づいて決定される。
別の特性においては、ＩＣパッケージのサイズは、ＬＥＤのルーメン対ワット比に反比例する。
別の特性においては、ＬＥＤおよび制御モジュールは、単一の実装プロセスを用いてＩＣパッケージに集積される。
さらに他の特性においては、方法は、複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）を集積回路（ＩＣ）パッケージ内に配置する段階と、制御モジュールを用いてパルス幅変調（ＰＷＭ）パルスを発生してＬＥＤを駆動する段階とを備える。ＬＥＤおよび制御モジュールは、ＩＣパッケージ内に集積されている。ＬＥＤは封止されておらず、互いに直列に接続されている。方法は、複数のツェナーダイオードをＩＣパッケージ内に配置する段階と、ツェナーダイオードのうち少なくとも１つを、ＬＥＤのうち対応する１つに接続する段階と、ＬＥＤ、制御モジュール、およびツェナーダイオードを、単一の実装プロセスを用いてＩＣパッケージ内に集積する段階とをさらに備える。
本開示内容のさらなる応用領域が、詳細な記載、特許請求の範囲、および図面から明らかになるであろう。詳細な記載および特定の実施例は、例示目的だけを意図されており、本開示内容の範囲を限定することは意図されていない。
開示内容は、詳細な記載および添付の図面からより完全に理解されるであろう。
ＬＥＤ用のバック電源の概略図である。
集積されたトランジスタＱ、ダイオードＤ、およびＬＥＤを示すＬＥＤ用バック電源の概略図である。
集積されたトランジスタＱ、ダイオードＤ、ＬＥＤ、および制御モジュールを示すＬＥＤ用バック電源の概略図である。
集積されたＬＥＤストリングおよびリニアレギュレータを示すＬＥＤ用リニア電源の概略図である。
ＬＥＤと、ＬＥＤ用のバック電源またはリニア電源の構成要素とを備える集積回路（ＩＣ）パッケージの多様な構成を示す。 ＬＥＤと、ＬＥＤ用のバック電源またはリニア電源の構成要素とを備える集積回路（ＩＣ）パッケージの多様な構成を示す。 ＬＥＤと、ＬＥＤ用のバック電源またはリニア電源の構成要素とを備える集積回路（ＩＣ）パッケージの多様な構成を示す。 ＬＥＤと、ＬＥＤ用のバック電源またはリニア電源の構成要素とを備える集積回路（ＩＣ）パッケージの多様な構成を示す。
以下の記載は、本来的に例示的であり、開示内容またはその用途もしくは利用を限定することは全く意図されていない。明瞭性を期する目的で、図面において同一の参照番号を使用して類似の要素を表す。本明細書において使用されるＡ、Ｂ、およびＣの少なくとも１つという文言は、論理学上の非排他的論理ＯＲを用いる（ＡまたはＢまたはＣ）を意味すると解釈されるべきである。方法に含まれる各段階は、本開示内容の原理を変更することなく異なる順序で実行してよい。
本明細書において使用されるモジュールという文言は、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、電子回路、組み合わせ論理回路、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、コードを実行するプロセッサ（共有、専用、もしくはグループ）、記載される機能を提供するその他の適切な部材、または上記のうちのいくつかもしくは全てをたとえばシステムオンチップのように組み合わせたものを示してよく、それの一部であってよく、もしくは、それを含んでよい。モジュールという文言は、プロセッサにより実行されるコードを格納するメモリ（共有、専用、もしくはグループ）を含んでよい。
上に使用されたコードという文言は、ソフトウェア、ファームウェア、および／またはマイクロコードを含んでよく、プログラム、ルーチン、関数、クラス、および／またはオブジェクトを示してよい。上に使用された共有という文言は、複数のモジュールからのコードのうちいくつかもしくは全てを単一の（共有）プロセッサを使用して実行してよいことを意味する。さらに、複数のモジュールからのコードのうちいくつかもしくは全てを単一の（共有）メモリに格納してよい。上に使用されたグループという文言は、単一のモジュールからのコードのうちいくつかもしくは全てをプロセッサ群を使用して実行してよいことを意味する。さらに、単一のモジュールからのコードのうちいくつかもしくは全てをメモリ群を使用して格納してよい。
図１を参照すると、ＬＥＤ用の典型的なバック電源１００が示されている。バック電源１００は、制御モジュール１０２、トランジスタＱ、ダイオードＤ、インダクタンスＬ、入力キャパシタンスＣｉｎ、出力キャパシタンスＣｏ、および負荷としてのＬＥＤを備える。キャパシタンスＣｉｎおよびＣｏ、並びにインダクタンスＬは、バック電源１００の受動的構成要素である。
ＡＣ／ＤＣ変換器またはＤＣ／ＤＣ変換器（不図示）は、入力電圧Ｖｉｎをバック電源１００に供給する。バック電源１００は、ＬＥＤ間に出力電圧Ｖｏを発生させる。入力キャパシタンスＣｉｎは、入力電圧Ｖｉｎをフィルタリングする。出力キャパシタンスＣｏは、出力電圧Ｖｏをフィルタリングする。
制御モジュール１０２は、パルス幅変調（ＰＷＭ）を用いてパルスを生成し、トランジスタＱを所定のデューティサイクルで駆動する。トランジスタＱがオンしているとき、インダクタンスＬ、ＬＥＤ、およびトランジスタＱを電流が流れる。トランジスタＱがオフしているとき、インダクタンスＬ、ＬＥＤ、およびダイオードＤを電流が流れる。
バック電源１００において、入力キャパシタンスＣｉｎおよび出力キャパシタンスＣｏは、一般的に電解キャパシタンスである。電解キャパシタンスの寿命は、通常、約１０３時間である。対照的に、ＬＥＤは、通常、平均故障間隔（ＭＴＢＦ）が約１０５から１０６時間である。電解キャパシタンスはＬＥＤより寿命が短いので、電解キャパシタンスを用いたＬＥＤに基づくディスプレイは、ＬＥＤの寿命よりも早くに寿命が終わる傾向がある。
さらに、電解キャパシタンスの大きさおよび電解キャパシタンスによるフィルタリングの質は、これらキャパシタンスの値に比例する。つまり、フィルタリングの程度を高めるには、より大きい電解キャパシタンスが通常用いられる。したがって、バック電源のいくつかの構成要素は集積回路（ＩＣ）に集積することができるのであるが、電解キャパシタンスはＩＣに集積できない。さらに、バック電源のシリコン系構成要素（ｓｉｌｉｃｏｎ−ｂａｓｅｄ ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ）をＩＣパッケージに実装するには、ＬＥＤを実装するのとは異なる実装プロセスが必要である。したがって、ＬＥＤおよびバック電源のシリコン系構成要素のＩＣパッケージへの実装には問題がある。
本開示内容は、ＬＥＤおよびバック電源のシリコン系構成要素をＩＣパッケージに実装するにおいて、単一の実装プロセスを用いることに関する。具体的には、非封止型ＬＥＤ（つまり、樹脂またはレンズ等の材料によって封止されていないＬＥＤ；つまり、ＬＥＤのシリコン系部位（ｓｉｌｉｃｏｎ−ｂａｓｅｄ ｐｏｒｔｉｏｎｓ））およびバック電源のシリコン系構成要素をダイ上に配置することができる。ダイをＩＣパッケージに実装する。
または、非封止型ＬＥＤを第１のダイに配置し、バック電源のシリコン系構成要素を第２のダイに配置することができる。第１のダイを貫通孔、ワイヤボンディング、またはその他の種類の接続を用いて第２のダイに電気的に接続する。第１のダイおよび第２のダイをＩＣパッケージに実装する。
非封止型ＬＥＤを含む層とバック電源のシリコン系構成要素を含むシリコン層との間にセラミック層を設けることができる。セラミック層は、ＬＥＤを含む層とシリコン層との間の膨張係数の差を補償する。さらに、任意のヒートシンクもしくは露出パッド（ｅｘｐｏｓｅｄ ｐａｄ；Ｅ−パッド）をＩＣパッケージ上に設けて熱を放散させることもできる。
さらに、ＬＥＤに基づくディスプレイは、バック電源において入力フィルターキャパシタンスおよび出力フィルターキャパシタンスとして非電解キャパシタンスを用いることにより長寿命化することができる。たとえば、電解キャパシタンスの代わりに、セラミックキャパシタンスもしくは薄膜キャパシタンスを用いてよい。バック電源の非電解キャパシタンスおよびインダクタンスは、ＩＣパッケージの金属コア層に集積することができる。
図２から図４を参照すると、バック電源の様々な構成要素をＩＣパッケージに集積することができる。通常、異なる種類のシリコン系構成要素をＩＣパッケージに集積するには、異なる実装プロセスが用いられる。たとえば、第１の実装プロセスを用いてトランジスタおよびダイオードをＩＣパッケージに集積し、第１の実装プロセスとは異なる第２の実装プロセスを用いてＬＥＤをＩＣパッケージに集積してよい。しかし、本開示内容によると、単一の実装プロセスを用いてＬＥＤおよびバック電源のその他のシリコン系構成要素をＩＣパッケージに集積してよい。さらに、ＩＣパッケージは、バック電源の受動的構成要素を実装するために用いられる金属コア層を含む。金属コア層は、ＩＣパッケージのＬＥＤおよびその他の構成要素が発する熱を放散させる。金属コア層は、アルミニウム、銅合金、鉄合金、または炭素であってよい。金属コア層の組成は、ＩＣパッケージの熱放散および重量等の要因により決まる。
たとえば、図２では、ダイオードＤ、トランジスタＱ、およびＬＥＤをＩＣパッケージに集積することができ、単一の実装プロセスを用いてダイオードＤ、トランジスタＱ、およびＬＥＤをダイ上に集積してよい。さらに、受動的構成要素（つまり、インダクタンスＬ並びにキャパシタンスＣｉｎおよびＣｏ）は、ＩＣパッケージの金属コア層に集積することができる。
図３では、ダイオードＤ、トランジスタＱ、およびＬＥＤに加えて、制御モジュール１０２をダイ上に集積することができる。繰り返すが、単一の実装プロセスを用いてダイオードＤ、トランジスタＱ、ＬＥＤ，および制御モジュール１０２をダイ上に集積してよい。さらに、受動的構成要素（つまり、インダクタンスＬ並びにキャパシタンスＣｉｎおよびＣｏ）は、ＩＣパッケージの金属コア層に集積することができる。
図２および図３では、キャパシタンスＣｉｎおよびＣｏは、非電解キャパシタンスである。たとえば、キャパシタンスＣｉｎおよびＣｏは、セラミックキャパシタンスもしくは薄膜キャパシタンスを含むことができる。ＡＣ／ＤＣ変換器が入力電圧Ｖｉｎを供給する場合、入力キャパシタンスＣｉｎは、以下のように選択することができる。入力キャパシタンスＣｉｎは、出力電圧Ｖｏより高い入力電圧Ｖｉｎを保持するのに十分な値を有することができる。ＤＣ／ＤＣ変換器が入力電圧Ｖｉｎを供給する場合、入力電圧Ｖｉｎは出力電圧Ｖｏより高い。さらに、制御モジュール１０２は、力率を補正することができる。
図４では、ＬＥＤストリング用リニア電源２００が示されている。ＬＥＤストリングは、直列接続された複数のＬＥＤを含む。図示のように、ツェナーダイオード（Ｚ）が、各ＬＥＤに接続されている。ツェナーダイオードは、ツェナーダイオードに接続されたＬＥＤが誤動作したときに電流を伝導する。したがって、ＬＥＤストリングは、ＬＥＤストリングに含まれるＬＥＤが誤動作したとき、用を成せなくならない。
リニア電源２００は、リニアレギュレータ２０２を備える。リニアレギュレータ２０２、制御モジュール２０４およびトランジスタＱを有する。制御モジュール２０４は、トランジスタＱを所定の振幅に駆動する制御信号を生成する。リニアレギュレータ２０２は、ＬＥＤストリングを流れる電流を定数に制御する。
リニアレギュレータ２０２、ＬＥＤストリング、およびツェナーダイオードは、ＩＣパッケージに集積することができる。リニアレギュレータ２０２、ＬＥＤストリング、およびツェナーダイオードは、単一の実装プロセスを用いてダイ上に集積することができる。または、ＬＥＤストリングを第１のダイ上に配置し、リニアレギュレータ２０２を第２のダイ上に配置することができる。ツェナーダイオードは、第１のダイまたは第２のダイに含めることができる。第１のダイは、貫通孔、ワイヤボンディング、またはその他の種類の接続を用いて第２のダイに電気的に接続される。第１のダイおよび第２のダイは、単一の実装プロセスを用いてＩＣパッケージに実装される。
バック電源１００と異なり、リニア電源２００は、インダクタンスＬ、ダイオードＬ、もしくは出力キャパシタンスＣｏを用いない。リニア電源２００の入力キャパシタンスＣｉｎは、セラミックキャパシタンスまたは薄膜キャパシタンスを含むことができる。入力キャパシタンスＣｉｎは、ＩＣパッケージの金属コア層に集積することができる。
図５Ａから５Ｄを参照すると、ＬＥＤと、バック電源１００またはリニア電源２００の１つ以上の構成要素とを含むＩＣパッケージが示されている。図示のＬＥＤは、封止されていない。図５Ａおよび５Ｂは、ＬＥＤと、バック電源１００またはリニア電源２００の１つ以上の構成要素とが単一のダイに配置されたＩＣパッケージを示す。図５Ｃおよび５Ｄは、ＬＥＤが第１のダイに配置され、バック電源１００またはリニア電源２００の１つ以上の構成要素が第２のダイに配置されたＩＣパッケージを示す。
図５Ａから５Ｄでは、参照番号によって示される要素は、例示目的においてだけ図示されている。要素は、いかなる尺度に合わせても図示されていない。図面は、図示される要素の実際の配置を表していない。以下の記載では、図４に示されるＬＥＤおよびリニア電源２００は、例示としてだけ用いられる。以下に記載される教示は、１つ以上のＬＥＤ、および図２と図３とに示されるバック電源１００の１つ以上の構成要素を集積するのに適用することができる。
図５Ａでは、ＩＣパッケージ３００は、ＬＥＤ３０２−１、３０２−２、・・・、および３０２−Ｎ（まとめて、ＬＥＤ３０２）を備え、Ｎは、１より大きい整数である。さらに、ＩＣパッケージ３００は、セラミック層３０４、シリコン層３０６、金属コア層３０８、およびヒートシンク３１０を備える。ヒートシンク３１０は任意である。ＬＥＤ３０２、セラミック層３０４、シリコン層３０６、および金属コア層３０８は、単一のダイ上に配置される。
セラミック層３０４は、ＬＥＤ３０２とシリコン層３０６との間にバッファを提供する。セラミック層３０４は、ＬＥＤ３０２とシリコン層３０６との間の膨張係数の差を補償する。セラミック層３０４のＬＥＤ３０２に隣接する面は、ＬＥＤ３０２が発光した光を反射する反射材料でコーティングすることができる。反射性コーティングは、たとえば、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、銀コーティング、金属コーティング、またはミラーコーティング（ｍｉｒｒｏｒ ｃｏａｔｉｎｇ）であってよい。
シリコン層３０６は、リニア電源２００のリニアレギュレータ２０２、およびツェナーダイオード（まとめて、リニア電源２００のシリコン系構成要素）を含む。さらに、シリコン層３０６は、ＬＥＤ３０２およびリニア電源２００のシリコン系構成要素用の静電放電（ＥＳＤ）保護を含んでよい。ＬＥＤ３０２のコンタクト３１２は、図示のように、セラミック層３０４にボンドを有する貫通孔３１６を用いることにより、シリコン層３０６のコンタクト３１４に電気的に接続してよい。
金属コア層３０８は、リニア電源２００の受動的構成要素（たとえば、キャパシタンスＣｉｎ）を含む。ヒートシンク３１０は任意である。または、ＩＣパッケージの露出した金属プレートである露出パッド（Ｅ−パッド）（不図示）を用いることができる。Ｅ−パッドは、通常、ＩＣパッケージのリードと同一の金属（たとえば、スズ）もしくは合金でメッキされる。Ｅ−パッドは、プリント配線基板（ＰＣＢ）に直接的に半田付けされる。Ｅ−パッドによって、ＩＣパッケージの電力損失特性が高められる。
図５Ｂでは、ＩＣパッケージ３５０はボンドワイヤを用いる。ＬＥＤ３０２のコンタクト３１２は、以下のようにボンドワイヤ３２０を用いることにより、シリコン層３０６のコンタクト３１４に電気的に接続される。ＬＥＤ３０２のコンタクト３１２を、ボンドワイヤ３２０を用いてセラミック層３０４上のコンタクト３１８に電気的に接続する。セラミック層３０４のコンタクト３１８を、図示のようにセラミック層３０４にボンドを有する貫通孔３１６を用いて、シリコン層３０６のコンタクト３１４に電気的に接続する。ＩＣパッケージ３５０は、図５Ａを参照して記載したように、セラミック層３０４、シリコン層３０６、金属コア層３０８、任意のヒートシンク３１０等を備える。
図５Ｃでは、ＩＣパッケージ３７０は、２つのダイを備える。第１のダイ３７２は、図示のように接続されたＬＥＤ３０２およびツェナーダイオード３０３を有する。第２のダイは、セラミック層３０４、リニア電源２００のリニアレギュレータ２０２を含むシリコン層３０６、および金属コア層３０８を有する。例示目的において、２つのダイが、点線３７５−１および３７５−２により隔離されて図示されているが、２つのダイは互いに電気的および／熱的に接触している。ヒートシンク３１０は任意である。または、Ｅ−パッドを使用することができる。
ＬＥＤ３０２のストリングの第１端は、第１のダイ３７２上のコンタクト３７４に接続されている。ＬＥＤ３０２のストリングの第２端は、第１のダイ３７２上のコンタクト３７６に接続されている。コンタクト３７４および３７６は、図示のようにセラミック層３０４にボンドを有する貫通孔３１６を用いることにより、シリコン層３０６のコンタクト３７８および３８０にそれぞれ電気的に接続されている。
図５Ｄでは、ＩＣパッケージ３９０は、図５Ｃを参照して記載したように２つのダイを備える。ＩＣパッケージ３９０は、ボンドワイヤを用いる。コンタクト３７４および３７６は、ボンドワイヤ３９６を用いて、セラミック層３０４上のコンタクト３９２および３９４に電気的に接続されている。セラミック層３０４のコンタクト３９２および３９４は、図示のようにセラミック層３０４にボンドを有する貫通孔３１６を用いて、シリコン層３０６のコンタクト３７８および３８０に電気的に接続されている。
ＩＣパッケージ３００、３５０、３７０、および３９０において、ＬＥＤ３０２およびリニア電源２００の構成要素が集積される１つ以上のダイのサイズ（つまり、ダイサイズ）は、ＬＥＤ３０２のルーメン対ワット比によって決まる。したがって、ＩＣパッケージ３００、３５０、３７０、および３９０のサイズも、ＬＥＤ３０２のルーメン対ワット比によって決まる。
特に、ダイサイズ（およびＩＣパッケージのサイズ）は、ＬＥＤ３０２のルーメン対ワット比に反比例する。これは、ＬＥＤ３０２のルーメン対ワット比が増えるにつれ、より少ない数のＬＥＤで所望の光量を発光できるからである。使用されるＬＥＤの数が少なくなるので、ＬＥＤ３０２が発する熱が少なくなる。したがって、ＬＥＤ３０２のルーメン対ワット比が高いほど、ダイサイズ並びにＩＣパッケージ３００、３５０、３７０、および３９０のサイズが小さくなる。
または、ルーメン対ワット比が比較的低いＬＥＤを用いる場合、所望の光量を発光するにはより多くのＬＥＤが必要になる。ＬＥＤ３０２の数が増えるほど、ＬＥＤ３０２が発する熱の量が増える。したがって、ルーメン対ワット比が比較的低いＬＥＤを用いる場合には、ヒートシンクまたはＥ−パッドを用いてＬＥＤ３０２が発した熱を放散することができる。
図示されていないが、ＩＣパッケージ３００、３５０、３７０、および３９０において、ＬＥＤ３０２は、シリコン層３０６のシリコン系構成要素に、その他の方法で（たとえば、フリップチップボンディングを用いて）電気的に接続することができる。さらに、ウェハレベルボンディングの一種であるＡｕ−Ｓｎ共晶接合を用いてダイと、ＩＣパッケージ３００、３５０、３７０、および３９０の基板とを接合することができる。基板は、上部に回路が形成もしくは製造される支持材料である。Ａｕ−Ｓｎ共晶接合によって、ダイと基板との間に電気的接触が与えられる。さらに、Ａｕ−Ｓｎ共晶接合によって、ダイに機械的な支持が与えられ、ＩＣパッケージの放熱特性が改善される。
本開示内容の広範な教示は、多様な形態で実施することができる。したがって、本開示内容は特定の例を含むが、図面、明細書、および以下の特許請求の範囲を検討することでその他の変形例が明らかになるので、本開示内容の真実の範囲を特定の例だけに限定するべきではない。

Claims (20)

  1. 複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）と、
    パルス幅変調（ＰＷＭ）パルスを発生して前記複数のＬＥＤを駆動する制御モジュールと
    を備え、
    前記複数のＬＥＤおよび前記制御モジュールは、集積回路（ＩＣ）パッケージに集積されている
    システム。
  2. 前記複数のＬＥＤは封止されておらず、
    前記複数のＬＥＤは、互いに直列に接続されている
    請求項１に記載のシステム。
  3. 前記複数のＬＥＤおよび前記制御モジュールは、前記ＩＣパッケージ内でダイ上に配置されており、
    前記ダイは、
    第１面、および前記第１面とは反対側の第２面を有するセラミック層と、
    前記制御モジュールを含むシリコン層と
    を有し、
    前記複数のＬＥＤは、前記セラミック層の前記第１面に隣接して配置され、
    前記シリコン層は、前記セラミック層の前記第２面に隣接し、
    前記複数のＬＥＤは、前記シリコン層に電気的に接続されている
    請求項１に記載にシステム。
  4. 前記複数のＬＥＤは、前記セラミック層に貫通孔を用いることにより、前記シリコン層に電気的に接続されている
    請求項３に記載のシステム。
  5. 前記複数のＬＥＤは、ボンドワイヤを用いることにより電気的に接続されている
    請求項３に記載のシステム。
  6. 前記ダイは、複数のツェナーダイオードをさらに有し、
    前記複数のツェナーダイオードのうち少なくとも１つは、前記複数のＬＥＤのうち対応する１つに接続され、
    前記複数のツェナーダイオードは、前記セラミック層の前記第１面に隣接して配置され、または前記シリコン層内に配置される
    請求項３に記載のシステム。
  7. 前記セラミック層の前記第１面は、反射材料でコーティングされている
    請求項３に記載のシステム。
  8. 前記ダイは、前記制御モジュールによって発生された前記ＰＷＭパルスに基づいて前記複数のＬＥＤに電力を供給するバック電源のインダクタンスおよびキャパシタンスのうち少なくとも一方を含む金属コア層をさらに有し、
    前記金属コア層は、前記シリコン層の、前記セラミック層とは反対側の面に配置されている
    請求項３に記載のシステム。
  9. 前記複数のＬＥＤは、前記ＩＣパッケージ内で第１のダイ上に配置されており、
    前記制御モジュールは、前記ＩＣパッケージ内で第２のダイ上に配置されている
    請求項１に記載のシステム。
  10. 前記第１のダイは、複数のツェナーダイオードをさらに有し、
    前記複数のツェナーダイオードのうち少なくとも１つは、前記複数のＬＥＤのうち対応する１つに接続されている
    請求項９に記載のシステム。
  11. 前記第２のダイは、
    前記第１のダイに隣接する第１面、および前記第１面とは反対側の第２面を有するセラミック層と、
    前記制御モジュールを含み、前記セラミック層の前記第２面に隣接するシリコン層と
    を有し、
    前記複数のＬＥＤは、前記シリコン層に電気的に接続されている
    請求項９に記載のシステム。
  12. 前記複数のＬＥＤは、ボンドワイヤを用いて電気的に接続されている
    請求項１１に記載のシステム。
  13. 前記第２のダイは、前記制御モジュールにより発生された前記ＰＷＭパルスに基づいて前記複数のＬＥＤに電力を供給するバック電源のインダクタンスとキャパシタンスのうち少なくとも一方を含む金属コア層をさらに有し、
    前記金属コア層は、前記シリコン層の、前記セラミック層とは反対側の面に配置されている
    請求項１１に記載のシステム。
  14. 前記ＩＣパッケージは、前記複数のＬＥＤに隣接する第１面と、前記第１面とは反対側の第２面とを有し、前記第２面は露出パッドを有する
    請求項１に記載のシステム。
  15. 前記ＩＣパッケージは、前記複数のＬＥＤに隣接する第１面と、前記第１面とは反対側の第２面とを有し、ヒートシンクが前記第２面に取り付けられている
    請求項１に記載のシステム。
  16. 前記ＩＣパッケージのサイズは、前記複数のＬＥＤのルーメン対ワット比に基づいて決定される
    請求項１に記載のシステム。
  17. 前記ＩＣパッケージのサイズは、前記複数のＬＥＤのルーメン対ワット比に反比例する
    請求項１に記載のシステム。
  18. 前記複数のＬＥＤおよび前記制御モジュールは、単一の実装プロセスを用いて前記ＩＣパッケージに集積される
    請求項１に記載のシステム。
  19. 複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）を集積回路（ＩＣ）パッケージ内に配置する段階と、
    制御モジュールを用いてパルス幅変調（ＰＷＭ）パルスを発生して前記複数のＬＥＤを駆動する段階と
    を備え、
    前記複数のＬＥＤおよび前記制御モジュールは、前記ＩＣパッケージに集積される
    方法。
  20. 前記複数のＬＥＤは、封止されておらず、
    前記複数のＬＥＤは、互いに直列に接続され、
    複数のツェナーダイオードを前記ＩＣパッケージ内に配置する段階と、
    前記複数のツェナーダイオードのうち少なくとも１つを、前記複数のＬＥＤのうち対応する１つに接続する段階と、
    前記複数のＬＥＤ、前記制御モジュール、および前記複数のツェナーダイオードを、単一の実装プロセスを用いて前記ＩＣパッケージ内に集積する段階と
    をさらに備える請求項１９に記載の方法。
JP2015211092A 2009-12-18 2015-10-27 Ｌｅｄに基づくディスプレイ用の集積型バック電源アーキテクチャ Abandoned JP2016054300A (ja)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US28822109P 2009-12-18 2009-12-18
US61/288,221 2009-12-18
US32856710P 2010-04-27 2010-04-27
US61/328,567 2010-04-27
US12/965,001 US8748910B2 (en) 2009-12-18 2010-12-10 Systems and methods for integrating LED displays and LED display controllers
US12/965,001 2010-12-10

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012544730A Division JP5910969B2 (ja) 2009-12-18 2010-12-15 Ｌｅｄに基づくディスプレイ用の集積型バック電源アーキテクチャ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2016054300A true JP2016054300A (ja) 2016-04-14

Family

ID=44150078

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012544730A Expired - Fee Related JP5910969B2 (ja) 2009-12-18 2010-12-15 Ｌｅｄに基づくディスプレイ用の集積型バック電源アーキテクチャ
JP2015211092A Abandoned JP2016054300A (ja) 2009-12-18 2015-10-27 Ｌｅｄに基づくディスプレイ用の集積型バック電源アーキテクチャ

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012544730A Expired - Fee Related JP5910969B2 (ja) 2009-12-18 2010-12-15 Ｌｅｄに基づくディスプレイ用の集積型バック電源アーキテクチャ

Country Status (7)

Country Link
US (2) US8748910B2 (ja)
EP (1) EP2514272B1 (ja)
JP (2) JP5910969B2 (ja)
KR (1) KR101780366B1 (ja)
CN (1) CN102656947B (ja)
TW (1) TWI524513B (ja)
WO (1) WO2011075499A1 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8400064B2 (en) * 2009-09-09 2013-03-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Zener diode protection network in submount for LEDs connected in series
US8587018B2 (en) * 2011-06-24 2013-11-19 Tsmc Solid State Lighting Ltd. LED structure having embedded zener diode
US20150028754A1 (en) * 2012-01-20 2015-01-29 Osram Sylvania Inc. Zero energy storage driver integrated in led chip carrier
DE102013202904A1 (de) * 2013-02-22 2014-08-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zu seiner Herstellung
DE112013007722T5 (de) * 2013-12-27 2016-09-15 Intel Corporation Optoelektronische Packungsbaugruppen
US10164517B2 (en) * 2016-08-17 2018-12-25 Altera Corporation Voltage regulator with jitter control

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58200583A (ja) * 1982-05-19 1983-11-22 Hitachi Ltd 絶縁型信号伝送素子
JPH0926530A (ja) * 1995-07-11 1997-01-28 Nec Corp 光モジュール
CN1299360C (zh) * 2002-03-20 2007-02-07 皇家飞利浦电子股份有限公司 有源矩阵显示装置及其制造
US7646028B2 (en) * 2003-06-17 2010-01-12 Semiconductor Components Industries, L.L.C. LED driver with integrated bias and dimming control storage
TWI307945B (en) * 2003-07-15 2009-03-21 Macroblock Inc A light-emitting semiconductor device packaged with light-emitting diodes and current-driving integrated circuits
JP2007506090A (ja) * 2003-09-19 2007-03-15 コニンクリユケ フィリップス エレクトロニクス エヌ．ブイ． 半導体光システムにおける色温度制御のためのシリコンオンインシュレータフォトダイオード光監視システム
JP2006019594A (ja) * 2004-07-02 2006-01-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体ウェハ、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
US7646029B2 (en) * 2004-07-08 2010-01-12 Philips Solid-State Lighting Solutions, Inc. LED package methods and systems
US7252408B2 (en) * 2004-07-19 2007-08-07 Lamina Ceramics, Inc. LED array package with internal feedback and control
JP2006237104A (ja) * 2005-02-23 2006-09-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd サージ保護用半導体素子およびその製造方法
JP2006245336A (ja) * 2005-03-03 2006-09-14 Koito Mfg Co Ltd 発光装置
US20070139316A1 (en) * 2005-12-21 2007-06-21 Sony Ericsson Mobile Communications Ab Led module with integrated controller
US7808013B2 (en) * 2006-10-31 2010-10-05 Cree, Inc. Integrated heat spreaders for light emitting devices (LEDs) and related assemblies
US20080192508A1 (en) * 2007-02-08 2008-08-14 Skip Busby Consulting Llc Method of Lighting a Cabinet or Display Case and Lighting Assembly Therefore
US8111001B2 (en) * 2007-07-17 2012-02-07 Cree, Inc. LED with integrated constant current driver
CN101630710A (zh) * 2008-07-18 2010-01-20 富准精密工业(深圳)有限公司 发光二极管
TW201011936A (en) * 2008-09-05 2010-03-16 Advanced Optoelectronic Tech Light emitting device and fabrication thereof
US8567988B2 (en) * 2008-09-29 2013-10-29 Bridgelux, Inc. Efficient LED array
TWI379339B (en) * 2008-11-18 2012-12-11 Ind Tech Res Inst Light-emitting device of excited sulfur medium by inductively-coupled electrons
US9169988B2 (en) * 2011-08-02 2015-10-27 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting module and head lamp including the same
TWI507641B (zh) * 2012-04-17 2015-11-11 Delta Electronics Inc 照明裝置及產生白光之方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP5910969B2 (ja) 2016-04-27
US9117734B2 (en) 2015-08-25
US20110148312A1 (en) 2011-06-23
JP2013514671A (ja) 2013-04-25
US20140284635A1 (en) 2014-09-25
KR101780366B1 (ko) 2017-09-21
EP2514272B1 (en) 2017-11-29
TWI524513B (zh) 2016-03-01
CN102656947B (zh) 2015-07-15
TW201131751A (en) 2011-09-16
KR20120094015A (ko) 2012-08-23
WO2011075499A1 (en) 2011-06-23
CN102656947A (zh) 2012-09-05
US8748910B2 (en) 2014-06-10
EP2514272A1 (en) 2012-10-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2016054300A (ja) Ｌｅｄに基づくディスプレイ用の集積型バック電源アーキテクチャ
US9357604B2 (en) Light engine with LED switching array
US9538590B2 (en) Solid state lighting apparatuses, systems, and related methods
US8240882B2 (en) Light emitting diode module and method for making the same
US20100163890A1 (en) Led lighting device
JP6348595B2 (ja) Ｌｅｄモジュール
US8878228B2 (en) Method for producing large lighting with power LED
WO2015142537A1 (en) Solid state lighting apparatuses,systems, and related methods
US20100084673A1 (en) Light-emitting semiconductor packaging structure without wire bonding
KR20140121214A (ko) Led 하이브리드 파워 패키지 모듈
US8492981B2 (en) Lighting apparatus using PN junction light-emitting element
US20100044727A1 (en) Led package structure
KR100741821B1 (ko) 발광 다이오드 모듈
JP2010003946A (ja) 発光素子用パッケージ及び発光素子の製造方法
US20090153076A1 (en) Driving circuit and method for reducing operating temperature of led package
TWI656809B (zh) 發光二極體驅動電路及其照明裝置
KR100866881B1 (ko) 발광 다이오드 패키지
TWI404453B (zh) 提昇發光二極體之亮度的方法與發光二極體模組
US20120170290A1 (en) Light emitting diode package module and method of manufacturing the same
KR101467923B1 (ko) 전자 소자 조립체와 그 제조 방법
TWI655394B (zh) 發光裝置及其驅動方法
JP2018120962A (ja) 発光装置、及び、照明装置
KR20170010240A (ko) 엘이디모듈 및 컨버터 실장형 기판

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20151125

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20151125

A762 Written abandonment of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762

Effective date: 20160920

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20200407