JP2016046490A - ウエーハの加工方法 - Google Patents

Abstract

【課題】加工時間が長くなることを抑制しながらも、デバイス領域を広げる事が可能となるウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】ウエーハの加工方法は第１研削ステップと第２研削ステップとを備える。第１研削ステップは第１研削砥石を研削装置のチャックテーブルの保持面と直交する方向の加工送り方向に移動してウエーハＷを研削し、ウエーハＷの裏面ＷＲに第１円形凹部Ｒ１を形成する。第２研削ステップは、第１研削砥石より細かい砥粒で形成された第２研削砥石３４を、ウエーハＷの中心側からウエーハＷの外周に向かって斜め方向に下降させ、第１円形凹部Ｒ１を研削する。
【選択図】図６

Description

本発明は、ウエーハの加工方法、特に所謂ＴＡＩＫＯ研削方法に関する。

半導体ウエーハを極薄に研削しつつハンドリング性を向上させるための加工として、所謂ＴＡＩＫＯ研削が知られている（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。ＴＡＩＫＯ研削では、粗研削により大まかに円形凹部を形成後、デバイス領域の抗折強度を高める目的で、円形凹部の底面を細かい粒径の砥石で更に仕上げ研削を行う。粗研削で形成された円形凹部の内周壁に仕上げ研削砥石が衝突すると、仕上げ研削砥石が摩耗したり、内周壁にカケが発生するため、仕上げ研削砥石は内周壁より僅かに内側を下降して、所定距離上方から仕上げ研削速度で底面を研削する。所定距離上方の位置までは、仕上げ研削砥石は研削を行っていないため、高速で下降し、加工時間を短縮している。

特開２００９−１７６８９６号公報 特開２００８−４２０８１号公報

仕上げ研削砥石を円形凹部の内周壁からどの位置に位置付けるかで、デバイス領域（チップの量）が決定されるため、できるだけ内周壁に近い位置に仕上げ研削砥石を位置付けることが要望される。円形凹部の内周壁と底面を繋ぐ角は、粗研削砥石の消耗による変形のため曲面状となっており、仕上げ研削砥石を外周に近づけるほど、仕上げ研削砥石で曲面部も研削する必要がある。曲面部の体積は僅かではあるが、高速で加工すると仕上げ研削砥石の消耗による変形が促進され、結局仕上げ加工後の曲面部の増大からデバイスとして取れる領域が小さくなってしまう。そのため、従来は曲面部よりも内側を仕上げ研削砥石で研削しており、曲面部から仕上げ研削砥石を内側へ逃がした分と、仕上げ研削砥石の変形分がデバイスにできない領域となっていた。

そこで、曲面部を研削してデバイスとして取れる領域を大きくする事が検討され、曲面部を通過する際にも仕上げ研削速度で下降する方法も検討されるが、曲面部はその高さが例えば２００μｍ程度有る場合、仕上げ研削速度で加工する下降距離が２００μｍ加算されるため、加工時間が非常に長くなるという課題があった。

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、加工時間が長くなることを抑制しながらも、デバイス領域を広げる事が可能となるウエーハの加工方法を提供することである。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のウエーハの加工方法は、表面に格子状に形成された複数のストリートによって区画された領域にデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備えたウエーハを、チャックテーブルの保持面に保持し該デバイス領域に対応する裏面の領域を研削砥石で研削し、該デバイス領域の厚さを所定の仕上げ厚さに形成するウエーハの加工方法であって、第１研削砥石を該保持面と直交する方向の加工送り方向に移動してウエーハを研削し、ウエーハの裏面に第１円形凹部を形成する第１研削ステップと、該第１研削砥石より細かい砥粒で形成された第２研削砥石を、ウエーハの中心側からウエーハの外周に向かって斜め方向に下降させ該第１円形凹部を研削する第２研削ステップと、を備えることを特徴とする。

また、前記ウエーハの加工方法では、該第２研削ステップは、該第１円形凹部の内周壁より僅かに内側、且つ該第１円形凹部の底面より僅かに上方となる位置まで該第２研削砥石の先端外周を斜めに下降させ、該第１円形凹部の内周壁と底面とを繋ぐ曲面部の一部を研削し、該第２研削ステップを実施した後に、該第２研削砥石を該加工送り方向に移動して該第１円形凹部の底面を研削し、該デバイス領域の厚さを所定の仕上げ厚さに形成する第３研削ステップを備えることとすることができる。

そこで、本願発明のウエーハの加工方法では、第２研削砥石を下降させる際に、ウエーハの中心側の斜め上方からウエーハの外周に向かって斜めに下降させることで、加工時間が長くなることを抑制しながらも、デバイス領域に対応したウエーハの裏面の平坦な領域を広げる事が可能となると言う効果を奏する。

図１は、実施形態１に係るウエーハの加工方法により加工されるウエーハの斜視図である。 図２は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の保持部材配設ステップを示す斜視図である。 図３は、実施形態１に係るウエーハの加工方法を実施する研削装置の要部の斜視図である。 図４は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の第１研削ステップの概要を示す側面図である。 図５は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の第２研削ステップの概要を示す側面図である。 図６は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の第２研削ステップの第２研削砥石を第１円形凹部の底面に接触させた状態を示す側面図である。 図７は、図６中のＶＩＩ部を拡大して示す側面図である。 図８は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の第２研削ステップの仕上げ厚さまで研削した状態を示す側面図である。 図９は、実施形態２に係るウエーハの加工方法の第２研削ステップの概要を示す側面図である。 図１０は、実施形態２に係るウエーハの加工方法の第２研削ステップ後の概要を示す側面図である。 図１１は、図１０中のＸＩ部を拡大して示す側面図である。 図１２は、実施形態２に係るウエーハの加工方法の第２研削ステップの概要を拡大して示す側面図である。 図１３は、実施形態２に係るウエーハの加工方法の第２研削ステップ後の概要を拡大して示す側面図である。

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。

〔実施形態１〕
実施形態１に係るウエーハの加工方法を、図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係るウエーハの加工方法により加工されるウエーハの斜視図である。

実施形態１に係るウエーハの加工方法（以下、単に加工方法と記す）は、図１に示すウエーハＷを加工する方法である。

実施形態１に係る加工方法により加工されるウエーハＷは、実施形態１ではシリコン、サファイア、ガリウムなどを母材とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハである。ウエーハＷは、図１に示すように、表面ＷＳに格子状に形成された複数のストリートＳによって区画された領域にデバイスＤが形成されたデバイス領域Ｗ１と、デバイス領域Ｗ１を囲繞する外周余剰領域Ｗ２とを備えている。なお、図１では、便宜的にデバイス領域Ｗ１と外周余剰領域Ｗ２との境界を一点鎖線で示しているが、実際には境界に線は存在しない。

次に、加工方法について説明する。図２は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の保持部材配設ステップを示す斜視図、図３は、実施形態１に係るウエーハの加工方法を実施する研削装置の要部の斜視図、図４は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の第１研削ステップの概要を示す側面図、図５は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の第２研削ステップの概要を示す側面図、図６は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の第２研削ステップの第２研削砥石を第１円形凹部の底面に接触させた状態を示す側面図、図７は、図６中のＶＩＩ部を拡大して示す側面図、図８は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の第２研削ステップの仕上げ厚さまで研削した状態を示す側面図である。

加工方法は、ウエーハＷを研削装置１（図３に示す）のチャックテーブル１０の保持面１０ａに保持し、デバイス領域Ｗ１に対応する裏面ＷＲの領域を研削砥石２４，３４（図４及び図５に示す）で研削し、デバイス領域Ｗ１の厚さを所定の仕上げ厚さＴ（図８に示す）に形成する方法である。研削装置１は、図３に示すように、ウエーハＷを保持するチャックテーブル１０と、チャックテーブル１０に保持されたウエーハＷに第１研削ステップを施す第１研削ユニット２０と、チャックテーブル１０に保持されたウエーハＷに第２研削ステップを施す第２研削ユニット３０（図５に示す）とを備えている。

チャックテーブル１０は、保持面１０ａを構成する部分がポーラスセラミック等から形成された円盤形状であり、図示しない真空吸引経路を介して図示しない真空吸引源と接続され、保持面１０ａに載置されたウエーハＷを吸引することで保持する。なお、チャックテーブル１０は、回転駆動源（図示せず）により鉛直方向のＺ軸と平行な軸心回りに回転自在に設けられている。また、チャックテーブル１０は、研削装置１の軸心回りに回転自在に設けられるターンテーブル（図示せず）上に少なくとも一つ設けられている。

第１研削ユニット２０は、図３に示すように、鉛直方向のＺ軸と平行な軸心回りに回転される図示しないスピンドルと、スピンドルの下端に装着された研削ホイール２２とで構成されている。スピンドルは、スピンドルケース２１内に回転自在に設けられ、モータ２６により軸心回りに回転される。また、スピンドル即ち第１研削ユニット２０は、図示しない加工送り手段によりＺ軸方向に移動自在に設けられかつ図示しない水平方向移動手段により水平方向と平行なＹ軸方向に移動自在に設けられている。

研削ホイール２２は、加工方法において使用するものであって、図３に示すように、円盤状の第１砥石基台２３と、複数の第１研削砥石２４とを具備している。第１砥石基台２３は、スピンドルの先端に設けられたフランジ部２５にボルトにより取り付けられる。第１研削砥石２４は、第１砥石基台２３の下面に円環状に装着されている。複数の第１研削砥石２４の外周縁で囲む円の直径は、ウエーハＷの半径よりも小さく形成されている。第１研削砥石２４は、例えば、砥粒径♯３２〜６００程度のレジン又はビトリファイドボンド砥粒で構成された粗研削用の研削砥石である。

第２研削ユニット３０は、第１研削ユニット２０のターンテーブルの回転方向の下流側に配置されている。第２研削ユニット３０は、図５に示すように、鉛直方向のＺ軸方向と平行な軸心回りに回転される図示しないスピンドルと、スピンドルの下端に装着された研削ホイール３２とで構成されている。スピンドルは、図示しないスピンドルケース内に回転自在に設けられ、図示しないモータにより軸心回りに回転される。また、スピンドル即ち第２研削ユニット３０は、図示しない加工送り手段によりＺ軸方向に移動自在に設けられかつ図示しない水平方向移動手段によりＹ軸方向に移動自在に設けられている。

研削ホイール３２は、加工方法において使用するものであって、図５に示すように、円盤状の第２砥石基台３３と、複数の第２研削砥石３４とを具備している。第２砥石基台３３は、スピンドルの先端に設けられたフランジ部３５にボルトにより取り付けられる。第２研削砥石３４は、第２砥石基台３３の下面に円環状に装着されている。複数の第２研削砥石３４の外周縁で囲む円の直径は、ウエーハＷの半径よりも小さく形成されている。第２研削砥石３４は、例えば、第１研削砥石２４の砥粒よりも細かい砥粒で形成された仕上げ研削用の研削砥石である。

加工方法は、図２に示す保持部材配設ステップと、図４に示す第１研削ステップと、図５に示す第２研削ステップとを備える。保持部材配設ステップは、図２に示すように、ウエーハＷの表面ＷＳにウエーハＷと略同じ大きさの円板状の保持部材Ｐを貼着して、第１研削ステップに進む。保持部材Ｐは、例えば、７０〜２００μｍ程度の厚みのポリオレフィンなどの軟らかい基材フィルムの片面に５〜２０μｍ程度の厚みの粘着材が塗布されたものが用いられる。

第１研削ステップは、まず、ウエーハＷの表面ＷＳに貼着された保持部材Ｐをチャックテーブル１０の保持面１０ａ上に載置し、ウエーハＷの表面ＷＳ側を保持部材Ｐを介してチャックテーブル１０上に吸引保持する。そして、チャックテーブル１０を軸心回りに回転するとともに、第１研削ユニット２０の第１研削砥石２４を軸心回りに回転させ、ターンテーブルを回転して、ウエーハＷの外周余剰領域Ｗ２の裏面の内周縁に対応する箇所と、ウエーハＷの中心との上方に第１研削ホイール２２の第１研削砥石２４の外周縁とを対向させる。

そして、図４に示すように、加工送り手段により第１研削砥石２４を保持面１０ａと直交する方向のＺ軸と平行な加工送り方向に移動（即ち、下降）して、ウエーハＷを研削し、ウエーハＷの裏面ＷＲにデバイス領域Ｗ１に対応した第１円形凹部Ｒ１を形成する。第１研削ステップでは、第１研削砥石２４がウエーハＷの裏面ＷＲに当接するまで、比較的高速で加工送り（即ち、下降）し、第１研削砥石２４がウエーハＷの裏面ＷＲに当接すると、当接するまでの速度よりも低速で加工送り（即ち、下降）する。そして、第１研削ステップでは、ウエーハＷの第１円形凹部Ｒ１の底部の厚さが所定の厚さになると、第１研削ユニット２０を上昇させて、第２研削ステップに進む。

なお、第１円形凹部Ｒ１は、平面形状が円形に形成され、かつウエーハＷの裏面ＷＲから凹に形成されている。第１円形凹部Ｒ１は、図６及び図７に示すように、保持面１０ａと平行で平坦な底面Ｂ１と、底面Ｂ１の外縁に連なった曲面部Ｃ１と、曲面部Ｃ１に連なりかつ保持面１０ａと直交する内周壁Ｉ１とで構成されている。曲面部Ｃ１は、内周壁Ｉ１と底面Ｂ１とを繋ぎ、かつ底面Ｂ１と内周壁Ｉ１との双方との間に稜線が形成されていない曲面に形成されている。

第２研削ステップは、ターンテーブルを回転させて、チャックテーブル１０に保持されたウエーハＷの第１円形凹部Ｒ１の上方に第２研削ユニット３０の第２研削砥石３４を位置付けるとともに、第２研削ユニット３０の第２研削砥石３４を軸心回りに回転させる。そして、図５に示すように、加工送り手段と水平方向移動手段により、第２研削砥石３４を保持面１０ａに交差し、かつウエーハＷの中心側からウエーハＷの外周に向かって斜め方向に下降させ、第２研削砥石３４を第１円形凹部Ｒ１内に押し当てて第１円形凹部Ｒ１内を研削する。

具体的には、第２研削ステップでは、第２研削砥石３４をウエーハＷの中心側からウエーハＷの外周に向かって斜め方向に下降させて、第２研削砥石３４を図６及び図７に示すように第１円形凹部Ｒ１の底面Ｂ１の内周壁Ｉ１寄りの外縁部に当接させる。そして、第２研削砥石３４を更にウエーハＷの中心側からウエーハＷの外周に向かって斜め方向に下降させて、図８に示すように、第２研削砥石３４の先端外周３４ａにより曲面部Ｃ１を研削し、第２研削砥石３４により第１円形凹部Ｒ１の底面Ｂ１を研削する。図８に示すように、ウエーハＷのデバイス領域Ｗ１の厚さを仕上げ厚さＴに形成すると、第２研削ユニット３０を上昇させる。なお、第２研削ステップにおいても、第２研削砥石３４が第１円形凹部Ｒ１の底面Ｂ１に当接するまで、比較的高速で加工送り（即ち、下降）し、第２研削砥石３４が第１円形凹部Ｒ１の底面Ｂ１に当接すると、当接するまでの速度よりも低速で加工送り（即ち、下降）する。なお、第２研削砥石３４が第１円形凹部Ｒ１の底面Ｂ１に当接した後のＺ軸方向の第２研削砥石３４の加工送り速度は、第２研削砥石３４がＺ軸方向のみに加工送りされる従来の加工送り速度と同等の速度にするのが望ましい。

第２研削ステップ後のウエーハＷには、図８に示すように、第１円形凹部Ｒ１の内側に第２円形凹部Ｒ２が形成される。第２円形凹部Ｒ２は、平面形状が円形に形成され、かつ第１円形凹部Ｒ１の底面Ｂ１から凹に形成されている。第２円形凹部Ｒ２は、図８に示すように、保持面１０ａと平行で平坦な第２底面Ｂ２と、第２底面Ｂ２の外縁に連なった第２曲面部Ｃ２と、第２曲面部Ｃ２に連なりかつ保持面１０ａと直交するとともに第１円形凹部Ｒ１の曲面部Ｃ１に連なる内周面Ｉ２とで構成されている。第２曲面部Ｃ２は、内周面Ｉ２と第２底面Ｂ２とを繋ぎ、かつ第２底面Ｂ２と内周面Ｉ２との双方との間に稜線が形成されていない曲面に形成されている。第２曲面部Ｃ２の曲率半径は、第２研削砥石３４をＺ軸と平行に下降させる場合よりも小さく形成されている。

そして、研削装置１は、ターンテーブルを回転し、第２研削ステップが施されたウエーハＷをチャックテーブル１０から取り外して、第１研削ステップ及び第２研削ステップが実施されていないウエーハＷをチャックテーブル１０に保持して、先ほどと同様に第１研削ステップ及び第２研削ステップを順に実施する。

実施形態１に係る加工方法によれば、第２研削砥石３４を第１円形凹部Ｒ１の内周壁Ｉ１にできるだけ近くの底面Ｂ１に下降させる際に、ウエーハＷの中心側から外周に向かって斜め方向に下降させるので、曲面部Ｃ１に第２研削砥石３４の先端外周３４ａがウエーハＷの中心側から外周に向かって斜め方向に押し付けられる。このために、第２研削砥石３４をＺ軸と平行に下降させる場合と比較し、第２研削砥石３４を底面Ｂ１に接触するまで比較的高速で下降させて、曲面部Ｃ１を僅かに第２研削砥石３４で研削しても、第２研削砥石３４の摩耗（変形）が抑えられる。したがって、第２円形凹部Ｒ２の第２曲面部Ｃ２の曲率半径を第２研削砥石３４をＺ軸と平行に下降させる場合の曲率半径よりも小さく形成することができる。よって、実施形態１に係る加工方法によれば、加工時間が長くなることを抑制しながらも、仕上げ研削後に形成される第２円形凹部Ｒ２の第２底面Ｂ２が広くなり、ウエーハＷのデバイス領域Ｗ１に対応したウエーハの裏面の平坦な領域（即ち、第２底面Ｂ２）を広げる事が可能となると言う効果を奏する。

〔実施形態２〕
実施形態２に係るウエーハの加工方法を、図面に基づいて説明する。図９は、実施形態２に係るウエーハの加工方法の第２研削ステップの概要を示す側面図、図１０は、実施形態２に係るウエーハの加工方法の第２研削ステップ後の概要を示す側面図、図１１は、図１０中のＸＩ部を拡大して示す側面図、図１２は、実施形態２に係るウエーハの加工方法の第２研削ステップの概要を拡大して示す側面図、図１３は、実施形態２に係るウエーハの加工方法の第２研削ステップ後の概要を拡大して示す側面図である。なお、図９〜図１３において、実施形態１と同一部分には、同一符号を付して説明を省略する。

実施形態２に係るウエーハの加工方法（以下、単に加工方法と記す）は、実施形態１の加工方法と同様な保持部材配設ステップ及び第１研削ステップと、図９などに示す第２研削ステップと、図１２に示す第３研削ステップとを備える。

実施形態２に係る加工方法の第２研削ステップは、実施形態１と同様に、ターンテーブルを回転させて、チャックテーブル１０に保持されたウエーハＷの第１円形凹部Ｒ１の上方に第２研削ユニット３０の第２研削砥石３４を位置付けるとともに、第２研削ユニット３０の第２研削砥石３４を軸心回りに回転させる。そして、加工送り手段と水平方向移動手段により、図９に示すように、第２研削砥石３４を保持面１０ａに交差し、かつウエーハＷの中心側からウエーハＷの外周に向かって斜め方向に下降させ、第２研削砥石３４を第１円形凹部Ｒ１内に押し当てて第１円形凹部Ｒ１内を研削する。

具体的には、実施形態２に係る第２研削ステップは、第１円形凹部Ｒ１の内周壁Ｉ１より僅かに内側、且つ第１円形凹部Ｒ１の底面Ｂ１より僅かに上方となる位置まで、第２研削砥石３４の先端外周３４ａをウエーハＷの中心側からウエーハＷの外周に向かって斜めに下降させて、図１０及び図１１に示すように、第２研削砥石３４の先端外周３４ａにより第１円形凹部Ｒ１の内周壁Ｉ１と底面Ｂ１とを繋ぐ曲面部Ｃ１の一部を研削する。そして、第３研削ステップに進む。なお、実施形態２に係る加工方法の第２研削ステップにおいても、第２研削砥石３４が第１円形凹部Ｒ１の曲面部Ｃ１を研削するまで、比較的高速で加工送り（即ち、下降）する。

第３研削ステップは、第２研削ステップを実施した後に、図１２に示すように、加工送り手段により第２研削砥石３４をＺ軸と平行な加工送り方向に移動して、第２研削砥石３４の先端外周３４ａにより第１円形凹部Ｒ１の曲面部Ｃ１をさらに研削するとともに、第２研削砥石３４により第１円形凹部Ｒ１の底面Ｂ１を研削する。そして、第１円形凹部Ｒ１の曲面部Ｃ１と底面Ｂ１を研削し、デバイス領域Ｗ１の厚さを所定の仕上げ厚さＴ（図１３に示す）に形成すると、第２研削ユニット３０を上昇させる。なお、第３研削ステップにおいても、第２研削ステップにおいて第２研削砥石３４が第１円形凹部Ｒ１の曲面部Ｃ１を研削するまでの速度よりも低速で加工送り（即ち、下降）する。

第３研削ステップ後のウエーハＷには、図１３に示すように、第１円形凹部Ｒ１の内側に第２円形凹部Ｒ２が形成される。第２円形凹部Ｒ２は、平面形状が円形に形成され、かつ第１円形凹部Ｒ１の底面Ｂ１から凹に形成されている。第２円形凹部Ｒ２は、図１３に示すように、保持面１０ａと平行で平坦な第２底面Ｂ２と、底面Ｂ１の外縁に連なった第２曲面部Ｃ２と、第２曲面部Ｃ２に連なりかつ保持面１０ａと直交するとともに第１円形凹部Ｒ１の曲面部Ｃ１に連なる内周面Ｉ２とで構成されている。第２曲面部Ｃ２は、内周面Ｉ２と第２底面Ｂ２とを繋ぎ、かつ第２底面Ｂ２と内周面Ｉ２との双方との間に稜線が形成されていない曲面に形成されている。第２曲面部Ｃ２の曲率半径は、第２研削砥石３４をＺ軸と平行に下降させる場合よりも小さく形成されている。

そして、研削装置１は、ターンテーブルを回転し、第３研削ステップが施されたウエーハＷをチャックテーブル１０から取り外して、第１研削ステップ、第２研削ステップ及び第３研削ステップが実施されていないウエーハＷをチャックテーブル１０に保持して、先ほどと同様に第１研削ステップ、第２研削ステップ及び第３研削ステップを順に実施する。

実施形態２に係る加工方法によれば、第２研削砥石３４を第１円形凹部Ｒ１の内周壁Ｉ１にできるだけ近くの曲面部Ｃ１に下降させる際に、ウエーハＷの中心側から外周に向かって斜め方向に下降させるので、曲面部Ｃ１に第２研削砥石３４の先端外周３４ａがウエーハＷの中心側から外周に向かって斜め方向に押し付けられる。このために、第２研削砥石３４をＺ軸と平行に下降させる場合と比較し、第２研削砥石３４を底面Ｂ１に接触するまで比較的高速で下降させて、曲面部Ｃ１を僅かに第２研削砥石３４で研削しても、第２研削砥石３４の摩耗（変形）が抑えられる。さらに、第３研削ステップでは、Ｚ軸と平行に第２研削砥石３４を加工送りする。したがって、第２円形凹部Ｒ２の第２曲面部Ｃ２の曲率半径を第２研削砥石３４をＺ軸と平行に下降させる場合よりも小さく形成することができる。よって、実施形態２に係る加工方法によれば、加工時間が長くなることを抑制しながらも、仕上げ研削後に形成される第２円形凹部Ｒ２の第２底面Ｂ２が広くなり、ウエーハＷのデバイス領域Ｗ１に対応したウエーハの裏面の平坦な領域（即ち、第２底面Ｂ２）を広げる事が可能となると言う効果を奏する。

次に、本発明の発明者は、前述した実施形態１及び実施形態２に係る加工方法の効果を確認した。確認にあたっては、直径が２００ｍｍのウエーハＷの裏面ＷＲに厚さが２．５ｍｍの内周壁Ｉ１を有するように第１円形凹部Ｒ１を形成した後に、デバイス領域Ｗ１の厚さが５０μｍとなるように、本発明品１（実施形態１相当品）、本発明品２（実施形態２相当品）及び比較例（従来技術相当品）の加工方法により第２研削砥石３４により第２円形凹部Ｒ２を形成した際の第２円形凹部Ｒ２の第２底面Ｂ２の直径及び第２曲面部Ｃ２の曲率半径を測定した。本発明品１、本発明品２及び比較例ともに同じビトリファイドボンドで構成された第２研削砥石３４を用いた。その結果、比較例（従来技術相当品）より、本発明品１（実施形態１相当品）では０．７ｍｍ、本発明品２（実施形態２相当品）では１ｍｍの第２底面Ｂ２の直径拡大が確認できた。

したがって、第２研削ステップにおいて、第２研削砥石３４をウエーハＷの中心側から外周に向かって斜め方向に移動させることで、第２研削砥石３４の先端外周３４ａが摩耗しにくくなり、デバイス領域Ｗ１を広げる事が可能となることが明らかとなった。

なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。

１０ チャックテーブル
１０ａ 保持面
２４ 第１研削砥石（研削砥石）
３４ 第２研削砥石（研削砥石）
Ｄ デバイス
Ｓ ストリート
Ｔ 仕上げ厚さ
Ｗ ウエーハ
Ｗ１ デバイス領域
Ｗ２ 外周余剰領域
ＷＳ 表面
ＷＲ 裏面
Ｒ１ 第１円形凹部
Ｂ１ 底面
Ｃ１ 曲面部
Ｉ１ 内周壁

Claims (2)

1. 表面に格子状に形成された複数のストリートによって区画された領域にデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備えたウエーハを、チャックテーブルの保持面に保持し該デバイス領域に対応する裏面の領域を研削砥石で研削し、該デバイス領域の厚さを所定の仕上げ厚さに形成するウエーハの加工方法であって、
   第１研削砥石を該保持面と直交する方向の加工送り方向に移動してウエーハを研削し、ウエーハの裏面に第１円形凹部を形成する第１研削ステップと、
   該第１研削砥石より細かい砥粒で形成された第２研削砥石を、ウエーハの中心側からウエーハの外周に向かって斜め方向に下降させ該第１円形凹部を研削する第２研削ステップと、を備えることを特徴とするウエーハの加工方法。
2. 該第２研削ステップは、
   該第１円形凹部の内周壁より僅かに内側、且つ該第１円形凹部の底面より僅かに上方となる位置まで該第２研削砥石の先端外周を斜めに下降させ、該第１円形凹部の内周壁と底面とを繋ぐ曲面部の一部を研削し、
   該第２研削ステップを実施した後に、該第２研削砥石を該加工送り方向に移動して該第１円形凹部の底面を研削し、該デバイス領域の厚さを所定の仕上げ厚さに形成する第３研削ステップを備えることを特徴とするウエーハの加工方法。

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