JP2016034005A - Method for manufacturing wiring board - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wiring board which allows a semiconductor device to be operated with stability.SOLUTION: A method for manufacturing a wiring board comprises the steps of: preparing a dielectric plate 1 having many product forming regions M, and a marginal region N surrounding each product forming region M; forming, in each product forming region M, first and second pads 4 and 5, and wiring conductors 2 including inter-pad connection conductors 6, and forming conductors 9 for electrical conduction which are connected to the second pads 5 and extend from the product forming region M to the marginal region N; forming a solder resist layer 3 so that the first and second pads 4 and 5 and the conductors 9 for electrical conduction in the marginal region N are exposed, and at least other parts of the wiring conductors 2 are covered; depositing an electrolytic gold plating layer 7 on each second pad 5; and etching the conductors 9 for electrical conduction so that parts of the conductors 9 for electrical conduction in the marginal region N are left at least electrically connected to parts of the second pads 5.SELECTED DRAWING: Figure 10

Description

本発明は、半導体素子等を搭載するための配線基板の製造方法に関するものである。   The present invention relates to a method of manufacturing a wiring board for mounting a semiconductor element or the like.

図12(a)および図12(b)に半導体集積回路素子等の半導体素子を搭載するための従来の配線基板Bを示す。ここで、図12(a)は図12(b)に示すX−X切断線における断面図である。配線基板Bは、図12(a)に示すように、上面中央部に半導体素子を搭載するための半導体素子搭載部21aおよびその周囲に回路基板を搭載するための回路基板搭載部21bを有するとともに、上下に貫通する複数の貫通孔21cを有する絶縁板21と、絶縁板21の上下面および貫通孔21c内に被着された配線導体22と、絶縁板21の上下面に被着されたソルダーレジスト層23とを有している。絶縁板21やソルダーレジスト層23は、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含有する樹脂系絶縁材料から成る。また、配線導体22は、銅から成る。   12 (a) and 12 (b) show a conventional wiring board B for mounting a semiconductor element such as a semiconductor integrated circuit element. Here, FIG. 12A is a cross-sectional view taken along the line XX shown in FIG. As shown in FIG. 12A, the wiring board B has a semiconductor element mounting portion 21a for mounting a semiconductor element at the center of the upper surface and a circuit board mounting portion 21b for mounting a circuit board around the semiconductor element mounting portion 21b. The insulating plate 21 having a plurality of through holes 21c penetrating vertically, the upper and lower surfaces of the insulating plate 21 and the wiring conductor 22 deposited in the through holes 21c, and the solder deposited on the upper and lower surfaces of the insulating plate 21 And a resist layer 23. The insulating plate 21 and the solder resist layer 23 are made of a resin-based insulating material containing a thermosetting resin such as an epoxy resin. The wiring conductor 22 is made of copper.

絶縁板21の上面に被着された配線導体22は、図12(b)に示すように、第1のパッド24と、第2のパッド25とを含んでいる。第1のパッド24および第2のパッド25は、上面側のソルダーレジスト層23に設けた開口部23a内および23b内にそれぞれ露出している。第1のパッド24は、半導体素子搭載部21aに配置されており、半導体素子の電極が半田を介して接続される。第2のパッド25は、回路基板搭載部21bに配置されており、別の回路基板の接続パッドが半田を介して接続される。この第2のパッド25と一部の第1のパッド24とはパッド間接続導体26を介して互いに電気的に接続されている。なお、第1のパッド24の表面は銅がむき出しとなっており、第2のパッド25の表面には、電解めっき法による金めっき層27が被着されている。
そして、第1のパッド24に半導体素子の電極を半田を介して接続するとともに、第2のパッド25に別の回路基板の接続パッドを半田を介して接続することにより、半導体素子および別の回路基板が搭載された複合基板が完成する。なお、第1のパッド24は半導体素子の電極に接続されるために小さな面積であるのに対し、第2のパッド25は別の回路基板の接続パッドに接続されるために第1のパッド24よりもはるかに大きな面積となっている。
The wiring conductor 22 deposited on the upper surface of the insulating plate 21 includes a first pad 24 and a second pad 25 as shown in FIG. The first pad 24 and the second pad 25 are exposed in the openings 23a and 23b provided in the solder resist layer 23 on the upper surface side, respectively. The first pad 24 is disposed on the semiconductor element mounting portion 21a, and the electrodes of the semiconductor element are connected via solder. The second pad 25 is disposed on the circuit board mounting portion 21b, and a connection pad of another circuit board is connected via solder. The second pads 25 and some of the first pads 24 are electrically connected to each other via inter-pad connection conductors 26. The surface of the first pad 24 is exposed from copper, and the surface of the second pad 25 is covered with a gold plating layer 27 by an electrolytic plating method.
Then, the electrode of the semiconductor element is connected to the first pad 24 via solder, and the connection pad of another circuit board is connected to the second pad 25 via solder, whereby the semiconductor element and another circuit are connected. A composite substrate on which the substrate is mounted is completed. The first pad 24 has a small area because it is connected to the electrode of the semiconductor element, whereas the second pad 25 is connected to a connection pad of another circuit board, so that the first pad 24 is connected. It has a much larger area.

絶縁板21の下面に被着された配線導体22は、複数の第3のパッド28を含んでいる。第3のパッド28は、下面側のソルダーレジスト層23に設けた開口部23c内に露出している。そして、この第3のパッド28に、外部基板の電極を半田を介して接続することで、上述した複合基板が外部基板に搭載される。   The wiring conductor 22 attached to the lower surface of the insulating plate 21 includes a plurality of third pads 28. The third pad 28 is exposed in the opening 23c provided in the solder resist layer 23 on the lower surface side. The composite substrate described above is mounted on the external substrate by connecting the electrode of the external substrate to the third pad 28 via solder.

次に、このような従来の配線基板Bの製造方法の一例について、図13〜図21を基にして、図12と同様の箇所には同様の符号を付して説明する。
なお、このような配線基板Bは生産性を考慮して、個別の製品となる複数の製品形成領域Mが縦横の並びに配置されるとともに、各製品形成領域Mを囲繞する所定幅の捨て代領域Nから成る集合基板から生産される。そして、集合基板を製品形成領域Mに沿って切断することで多数の配線基板Bが同時に生産される。
本例では、簡便のために一つの製品形成領域Mおよびその周囲の捨て代領域Nを図示して説明する。
また、各図(a)は、各図(b)におけるY−Y切断線における断面図である。
Next, an example of a method for manufacturing such a conventional wiring board B will be described with reference to FIGS.
In this wiring board B, in consideration of productivity, a plurality of product forming areas M, which are individual products, are arranged vertically and horizontally, and a disposal margin area having a predetermined width surrounding each product forming area M. It is produced from a collective substrate consisting of N. A large number of wiring boards B are produced simultaneously by cutting the aggregate substrate along the product formation region M.
In this example, for the sake of convenience, one product forming region M and the surrounding margin region N are illustrated and described.
Moreover, each figure (a) is sectional drawing in the YY cut line in each figure (b).

まず、図13に示すように、複数の貫通孔21cが形成された絶縁板21を用意する。   First, as shown in FIG. 13, an insulating plate 21 having a plurality of through holes 21c is prepared.

次に、図14に示すように、製品形成領域Mに第1のパッド24および第2のパッド25およびパッド間接続導体26を含む複数の配線導体22を形成するとともに、製品形成領域Mおよび捨て代領域Nに、第2のパッド25から捨て代領域Nまで延びる導通用導体29を形成する。各導通用導体29は、捨て代領域Nにおいて互いに電気的に共通に接続される。   Next, as shown in FIG. 14, a plurality of wiring conductors 22 including the first pad 24, the second pad 25, and the inter-pad connection conductor 26 are formed in the product formation region M, and the product formation region M and the waste are discarded. A conductive conductor 29 extending from the second pad 25 to the disposal margin region N is formed in the substitution region N. The conductive conductors 29 are electrically connected to each other in the discard margin region N.

次に、図15に示すように、絶縁板21上の製品形成領域M内に、第1および第2のパッド24、25および捨て代領域Nにおける導通用導体29を露出させるソルダーレジスト層23を形成する。   Next, as shown in FIG. 15, a solder resist layer 23 for exposing the first and second pads 24, 25 and the conductive conductor 29 in the disposal margin region N is formed in the product formation region M on the insulating plate 21. Form.

次に、図16に示すように、第2のパッド25を露出させるとともに第1のパッド24および捨て代領域Nの導通用導体29を被覆するめっきレジスト層R1を形成する。   Next, as shown in FIG. 16, a plating resist layer R <b> 1 that exposes the second pad 25 and covers the first pad 24 and the conductive conductor 29 in the disposal margin region N is formed.

次に、図17に示すように、めっきレジスト層R1から露出する第2のパッド25の表面に電解めっき法により金めっき層27を被着する。   Next, as shown in FIG. 17, a gold plating layer 27 is deposited on the surface of the second pad 25 exposed from the plating resist layer R1 by electrolytic plating.

次に、図18に示すように、めっきレジスト層R1を除去する。   Next, as shown in FIG. 18, the plating resist layer R1 is removed.

次に、図19に示すように、第1および第2のパッド24、25を被覆するとともに、捨て代領域Nにおける導通用導体29および製品形成領域Mの外周付近の導通用導体29の一部を露出させるエッチングレジスト層R2を形成する。   Next, as shown in FIG. 19, the first and second pads 24 and 25 are covered, and a part of the conductive conductor 29 in the disposal margin region N and the conductive conductor 29 near the outer periphery of the product forming region M is formed. An etching resist layer R2 that exposes the film is formed.

次に、図20に示すように、エッチングレジスト層R2から露出する導通用導体29をエッチング除去して各第2のパッド25を互いに電気的に独立させる。   Next, as shown in FIG. 20, the conductive conductor 29 exposed from the etching resist layer R2 is removed by etching to make the second pads 25 electrically independent from each other.

次に、図21に示すように、例えばエッチング液でエッチングレジスト層R2を除去する。その後、製品形成領域Mに沿って切断することで、図12に示すような配線基板Bが形成される。   Next, as shown in FIG. 21, the etching resist layer R2 is removed with, for example, an etching solution. Thereafter, by cutting along the product formation region M, a wiring board B as shown in FIG. 12 is formed.

ところで、上述の製造方法においては、例えばエッチングレジスト層R2を除去する際に、第2のパッド25に接続された第1のパッド24が周知のガルバニック腐食により腐食されて小さくなってしまい、一部の第1のパッド24を所定の大きさに形成できないことがある。
ガルバニック腐食は、電位の異なる金属が電解質溶液を介して電気回路を形成した場合に卑な金属が腐食される現象であり、卑な金属に対する貴な金属の表面積が相対的に大きいほど腐食の程度は大きい。
上述の製造方法においては、卑な金属である銅が露出した面積の小さい第1のパッド24と、貴な金属である金が露出した面積の大きい第2のパッド25とがパッド間接続導体26を介して互いに電気的に接続されることにより、例えば上述のエッチングレジスト層R2を除去する際のエッチング液を介して電気回路を形成し、卑な金属である銅が大きく腐食されてしまう。
第1のパッド24を所定の大きさに形成できない場合、半導体素子と第1のパッド24との接続が不完全になり半導体素子を安定的に作動させることができない場合がある。
By the way, in the above manufacturing method, for example, when the etching resist layer R2 is removed, the first pad 24 connected to the second pad 25 is corroded by the well-known galvanic corrosion and becomes small. The first pad 24 may not be formed to a predetermined size.
Galvanic corrosion is a phenomenon in which a base metal is corroded when metals having different potentials form an electric circuit through an electrolyte solution. Is big.
In the above-described manufacturing method, the first pad 24 with a small area where copper, which is a base metal, is exposed, and the second pad 25, with a large area where gold, which is a noble metal, is exposed, are connected between the pads 26. As a result of being electrically connected to each other via, for example, an electric circuit is formed via the etching solution used to remove the above-described etching resist layer R2, and copper, which is a base metal, is greatly corroded.
When the first pad 24 cannot be formed to a predetermined size, the connection between the semiconductor element and the first pad 24 may be incomplete, and the semiconductor element may not be stably operated.

特開2005−79129号公報JP 2005-79129 A

本発明は、半導体素子の電極が接続されるパッドを所定の大きさに形成することで、半導体素子の電極とパッドとを完全に接続させる。これにより半導体素子を安定的に作動させることができる配線基板の製造方法を提供することを課題とする。   According to the present invention, a pad to which an electrode of a semiconductor element is connected is formed in a predetermined size, whereby the electrode of the semiconductor element and the pad are completely connected. Accordingly, it is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a wiring board capable of stably operating a semiconductor element.

本発明の配線基板の製造方法は、表面に銅が露出している複数の第1のパッドと、表面に金めっき層が被着されている複数の第2のパッドとを有し、一部の前記第1のパッドと、前記第2のパッドとがパッド間接続導体を介して互いに電気的に接続されて成る配線基板の製造方法であって、以下の(1)〜(8)の工程を行うことを特徴とする。
(1)前記配線基板となる多数の製品形成領域を、該製品形成領域の各々の周囲に所定幅の捨て代領域を介在させて縦横の並びに配置した絶縁板を準備する工程
(2)前記製品形成領域に、前記第1および第2のパッドおよび前記パッド間接続導体を含む複数の配線導体を形成するとともに、前記第2のパッドにそれぞれ電気的に接続されて前記製品形成領域から前記捨て代領域まで個別に延びるとともに該捨て代領域において互いに電気的に共通に接続された導通用導体を形成する工程
(3)前記第1および第2のパッドおよび前記捨て代領域における前記導通用導体を露出させるとともに少なくとも残余の部分の前記配線導体を被覆するソルダーレジスト層を形成する工程
(4)前記第2のパッドを露出させるとともに前記第1のパッドおよび前記捨て代領域の前記導通用導体を被覆するめっきレジスト層を形成する工程
(5)前記めっきレジスト層から露出する前記第2のパッドの表面に電解めっき法により前記金めっき層を被着する工程
(6)前記めっきレジスト層を除去する工程
(7)前記第1および第2のパッドを被覆するとともに前記捨て代領域における前記導通用導体を露出させるエッチングレジスト層を形成する工程
(8)前記エッチングレジスト層から露出する前記導通用導体をエッチングして前記各第2のパッド同士を互いに電気的に独立させるとともに前記捨て代領域における前記導通用導体の一部を少なくとも一部の前記第2のパッドに電気的に接続された状態で露出するように残す工程
The method for manufacturing a wiring board according to the present invention includes a plurality of first pads with copper exposed on the surface and a plurality of second pads with a gold plating layer deposited on the surface. A method of manufacturing a wiring board in which the first pad and the second pad are electrically connected to each other via an inter-pad connecting conductor, and the following steps (1) to (8) It is characterized by performing.
(1) A step of preparing an insulating plate in which a large number of product forming regions to be the wiring board are arranged vertically and horizontally with a disposal margin region having a predetermined width around each of the product forming regions. A plurality of wiring conductors including the first and second pads and the inter-pad connecting conductors are formed in the formation region, and are electrically connected to the second pads, respectively, and are discarded from the product formation region. (3) exposing the first and second pads and the conductive conductor in the discard margin region to individually extend to the region and forming a conductive conductor electrically connected to each other in the discard margin region; And forming a solder resist layer covering at least the remaining portion of the wiring conductor (4) exposing the second pad and the first pad And (5) depositing the gold plating layer on the surface of the second pad exposed from the plating resist layer by an electrolytic plating method. Step (6) Step of removing the plating resist layer (7) Step of forming an etching resist layer that covers the first and second pads and exposes the conductive conductor in the abandonment region (8) The conductive conductor exposed from the etching resist layer is etched so that the second pads are electrically independent from each other, and at least a part of the conductive conductor in the disposal margin region is part of the second pad. The process of leaving it exposed while being electrically connected to the pad

本発明の配線基板の製造方法によれば、導通用導体のエッチング時に、少なくともその一部を第2のパッドに電気的に接続された状態で捨て代領域に残しておく。このため、互いに接続された第1および第2のパッドにおいて、金めっき層で覆われた第2のパッドの露出面積と、これに接続された第1のパッドおよび導通用導体の一部を合わせた露出面積との差を小さくすることができる。
このため、上述のガルバニック腐食による第1のパッドの腐食を抑制することができる。
これにより、第1のパッドを所定の大きさに形成して半導体素子の電極と第1のパッドとを完全に接続させることが可能になり、半導体素子を安定的に作動させることができる配線基板の製造方法を提供することができる。
According to the method for manufacturing a wiring board of the present invention, at the time of etching the conductive conductor, at least a part of the conductor is left in the margin area while being electrically connected to the second pad. Therefore, in the first and second pads connected to each other, the exposed area of the second pad covered with the gold plating layer is matched with a part of the first pad connected to this and the conductive conductor. The difference from the exposed area can be reduced.
For this reason, the corrosion of the 1st pad by the above-mentioned galvanic corrosion can be controlled.
As a result, it is possible to form the first pad to a predetermined size and to completely connect the electrode of the semiconductor element and the first pad, and to stably operate the semiconductor element. The manufacturing method of can be provided.

図1(a)および(b)は、本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す概略断面図および上面図である。1A and 1B are a schematic cross-sectional view and a top view showing an example of an embodiment of a wiring board according to the present invention. 図2(a)および(b)は、本発明の配線基板の製造工程毎の形態の一例を示す概略断面図および上面図である。2A and 2B are a schematic cross-sectional view and a top view showing an example of a form for each manufacturing process of the wiring board of the present invention. 図3(a)および(b)は、本発明の配線基板の製造工程毎の形態の一例を示す概略断面図および上面図である。FIGS. 3A and 3B are a schematic cross-sectional view and a top view showing an example of a form for each manufacturing process of the wiring board of the present invention. 図4(a)および(b)は、本発明の配線基板の製造工程毎の形態の一例を示す概略断面図および上面図である。FIGS. 4A and 4B are a schematic cross-sectional view and a top view showing an example of a form for each manufacturing process of the wiring board of the present invention. 図5(a)および(b)は、本発明の配線基板の製造工程毎の形態の一例を示す概略断面図および上面図である。FIGS. 5A and 5B are a schematic cross-sectional view and a top view showing an example of a form for each manufacturing process of the wiring board of the present invention. 図6(a)および(b)は、本発明の配線基板の製造工程毎の形態の一例を示す概略断面図および上面図である。6A and 6B are a schematic cross-sectional view and a top view showing an example of a form for each manufacturing process of the wiring board of the present invention. 図7(a)および(b)は、本発明の配線基板の製造工程毎の形態の一例を示す概略断面図および上面図である。FIGS. 7A and 7B are a schematic cross-sectional view and a top view showing an example of a form for each manufacturing process of the wiring board of the present invention. 図8(a)および(b)は、本発明の配線基板の製造工程毎の形態の一例を示す概略断面図および上面図である。FIGS. 8A and 8B are a schematic cross-sectional view and a top view showing an example of a form for each manufacturing process of the wiring board of the present invention. 図9(a)および(b)は、本発明の配線基板の製造工程毎の形態の一例を示す概略断面図および上面図である。FIGS. 9A and 9B are a schematic cross-sectional view and a top view showing an example of a form for each manufacturing process of the wiring board of the present invention. 図10(a)および(b)は、本発明の配線基板の製造工程毎の形態の一例を示す概略断面図および上面図である。FIGS. 10A and 10B are a schematic cross-sectional view and a top view showing an example of a form for each manufacturing process of the wiring board of the present invention. 図11(a)および(b)は、本発明の別の実施形態の一例を示す要部拡大上面図である。FIGS. 11A and 11B are enlarged top views of main parts showing an example of another embodiment of the present invention. 図12(a)および(b)は、従来の配線基板の実施の形態の一例を示す概略断面図および上面図である。12A and 12B are a schematic cross-sectional view and a top view showing an example of an embodiment of a conventional wiring board. 図13(a)および(b)は、従来の配線基板の製造工程毎の形態の一例を示す概略断面図および上面図である。FIGS. 13A and 13B are a schematic cross-sectional view and a top view showing an example of a form for each manufacturing process of a conventional wiring board. 図14(a)および(b)は、従来の配線基板の製造工程毎の形態の一例を示す概略断面図および上面図である。14 (a) and 14 (b) are a schematic cross-sectional view and a top view showing an example of a form for each manufacturing process of a conventional wiring board. 図15(a)および(b)は、従来の配線基板の製造工程毎の形態の一例を示す概略断面図および上面図である。15 (a) and 15 (b) are a schematic cross-sectional view and a top view showing an example of a form for each manufacturing process of a conventional wiring board. 図16(a)および(b)は、従来の配線基板の製造工程毎の形態の一例を示す概略断面図および上面図である。16 (a) and 16 (b) are a schematic cross-sectional view and a top view showing an example of a form for each manufacturing process of a conventional wiring board. 図17(a)および(b)は、従来の配線基板の製造工程毎の形態の一例を示す概略断面図および上面図である。FIGS. 17A and 17B are a schematic cross-sectional view and a top view showing an example of a form for each manufacturing process of a conventional wiring board. 図18(a)および(b)は、従来の配線基板の製造工程毎の形態の一例を示す概略断面図および上面図である。18 (a) and 18 (b) are a schematic cross-sectional view and a top view showing an example of a form for each manufacturing process of a conventional wiring board. 図19(a)および(b)は、従来の配線基板の製造工程毎の形態の一例を示す概略断面図および上面図である。FIGS. 19A and 19B are a schematic cross-sectional view and a top view showing an example of a form for each manufacturing process of a conventional wiring board. 図20(a)および(b)は、従来の配線基板の製造工程毎の形態の一例を示す概略断面図および上面図である。20 (a) and 20 (b) are a schematic cross-sectional view and a top view showing an example of a form for each manufacturing process of a conventional wiring board. 図21(a)および(b)は、従来の配線基板の製造工程毎の形態の一例を示す概略断面図および上面図である。FIGS. 21A and 21B are a schematic cross-sectional view and a top view showing an example of a form for each manufacturing process of a conventional wiring board.

次に、本発明の配線基板の実施形態の一例を図1(a)、(b)を基にして詳細に説明する。ここで、図1(a)は図1(b)に示すV−V切断線における断面図である。
配線基板Aは、図1(a)に示すように、上面中央部に半導体素子を搭載するための半導体素子搭載部1aおよびその周囲に外部基板を搭載するための外部基板搭載部1bを有するとともに、上下に貫通する複数の貫通孔1cを有する絶縁板1と、絶縁板1の上下面および貫通孔1c内に被着された配線導体2と、絶縁板1の上下面に被着されたソルダーレジスト層3とを有している。絶縁板1やソルダーレジスト層3は、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含有する樹脂系絶縁材料から成る。また、配線導体2は、銅から成る。
なお、絶縁板1は、この例では単層構造であるが、同一または異なる電気絶縁材料から成る複数の絶縁層を多層に積層した多層構造であってもよい。
Next, an example of an embodiment of the wiring board according to the present invention will be described in detail with reference to FIGS. Here, FIG. 1A is a cross-sectional view taken along the line VV shown in FIG.
As shown in FIG. 1A, the wiring board A has a semiconductor element mounting portion 1a for mounting a semiconductor element at the center of the upper surface and an external substrate mounting portion 1b for mounting an external substrate around the semiconductor element mounting portion 1b. Insulating plate 1 having a plurality of through holes 1c penetrating vertically, wiring conductor 2 deposited in the upper and lower surfaces of insulating plate 1 and through hole 1c, and solder deposited on the upper and lower surfaces of insulating plate 1 And a resist layer 3. The insulating plate 1 and the solder resist layer 3 are made of a resin-based insulating material containing a thermosetting resin such as an epoxy resin. The wiring conductor 2 is made of copper.
The insulating plate 1 has a single-layer structure in this example, but may have a multilayer structure in which a plurality of insulating layers made of the same or different electrical insulating materials are stacked.

絶縁板1の上面に被着された配線導体2は、図1(b)に示すように、第1のパッド4と、第2のパッド5とを含んでいる。第1のパッド4および第2のパッド5は、上面側のソルダーレジスト層3に設けた開口部3a内および3b内にそれぞれ露出している。第1のパッド4は、半導体素子搭載部1aに配置されており、半導体素子の電極が半田を介して接続される。第2のパッド5は、回路基板搭載部1bに配置されており、別の回路基板の接続パッドが半田を介して接続される。この第2のパッド5と一部の第1のパッド4とはパッド間接続導体6を介して互いに電気的に接続されている。なお、第1のパッド4の表面は銅がむき出しとなっており、第2のパッド5の表面には、電解めっき法による金めっき層7が被着されている。
そして、第1のパッド4に半導体素子の電極を半田を介して接続するとともに、第2のパッド5に別の回路基板の接続パッドを半田を介して接続することにより、半導体素子および別の回路基板が搭載された複合基板が完成する。なお、第1のパッド4は半導体素子の電極に接続されるために小さな面積であるのに対し、第2のパッド5は別の回路基板の接続パッドに接続されるために、第1のパッド4よりもはるかに大きな面積となっている。
The wiring conductor 2 deposited on the upper surface of the insulating plate 1 includes a first pad 4 and a second pad 5 as shown in FIG. The first pad 4 and the second pad 5 are exposed in the openings 3a and 3b provided in the solder resist layer 3 on the upper surface side, respectively. The first pad 4 is disposed on the semiconductor element mounting portion 1a, and the electrodes of the semiconductor element are connected via solder. The second pad 5 is disposed on the circuit board mounting portion 1b, and a connection pad of another circuit board is connected via solder. The second pads 5 and some of the first pads 4 are electrically connected to each other via inter-pad connection conductors 6. The surface of the first pad 4 is exposed from copper, and the surface of the second pad 5 is coated with a gold plating layer 7 by electrolytic plating.
Then, the electrode of the semiconductor element is connected to the first pad 4 via solder, and the connection pad of another circuit board is connected to the second pad 5 via solder, whereby the semiconductor element and another circuit are connected. A composite substrate on which the substrate is mounted is completed. The first pad 4 has a small area because it is connected to the electrode of the semiconductor element, whereas the second pad 5 is connected to a connection pad of another circuit board, so that the first pad 4 The area is much larger than 4.

絶縁板1の下面に被着された配線導体2は、複数の第3のパッド8を含んでいる。第3のパッド8は、下面側のソルダーレジスト層3に設けた開口部3c内に露出している。そして、この第3のパッド8に、外部基板の電極を半田を介して接続することで、上述した複合基板が外部基板に搭載される。   The wiring conductor 2 attached to the lower surface of the insulating plate 1 includes a plurality of third pads 8. The third pad 8 is exposed in the opening 3c provided in the solder resist layer 3 on the lower surface side. The composite substrate described above is mounted on the external substrate by connecting the electrode of the external substrate to the third pad 8 via solder.

次に、このような本発明の配線基板Aの製造方法の一例について、図2〜図10を基にして図1と同様の箇所には同様の符号を付して説明する。
なお、このような配線基板Aは生産性を考慮して、個別の製品となる複数の製品形成領域Mが縦横の並びに配置されるとともに、各製品形成領域Mを囲繞する所定幅の捨て代領域Nから成る集合基板から生産される。そして、集合基板を製品形成領域Mに沿って切断することで多数の配線基板Aが同時に生産される。
本例では、簡便のために一つの製品形成領域Mおよびその周囲の捨て代領域Yを図示して説明する。
また、各図(a)は、各図(b)におけるW−W切断線における断面図である。
Next, an example of the method for manufacturing the wiring board A according to the present invention will be described with reference to FIGS.
In this wiring board A, in consideration of productivity, a plurality of product forming areas M, which are individual products, are arranged vertically and horizontally, and a disposal margin area having a predetermined width surrounding each product forming area M. It is produced from a collective substrate consisting of N. Then, by cutting the collective substrate along the product formation region M, a large number of wiring boards A are simultaneously produced.
In this example, for the sake of convenience, one product forming area M and the surrounding margin area Y are illustrated and described.
Moreover, each figure (a) is sectional drawing in the WW cut line in each figure (b).

まず、図2に示すように、複数の貫通孔1cが形成された絶縁板1を用意する。
絶縁板1は、ガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた絶縁体を熱硬化させることで形成される。また、貫通孔1cは、ドリル加工やレーザ加工、あるいはブラスト加工により形成される。貫通孔1cの直径は、およそ50〜250μm程度である。
First, as shown in FIG. 2, an insulating plate 1 having a plurality of through holes 1c is prepared.
The insulating plate 1 is formed by thermosetting an insulator in which a glass cloth is impregnated with a thermosetting resin such as an epoxy resin or a bismaleimide triazine resin. The through hole 1c is formed by drilling, laser processing, or blasting. The diameter of the through hole 1c is about 50 to 250 μm.

次に、図3に示すように、製品形成領域Mに第1のパッド4および第2のパッド5およびパッド間接続導体6を含む複数の配線導体2を形成するとともに、製品形成領域Mおよび捨て代領域Nに、第2のパッド5から捨て代領域Nまで延びる導通用導体9を形成する。各導通用導体9は、捨て代領域Nにおいて互いに電気的に共通に接続される。
配線導体2は、例えば周知のサブトラクティブ法により形成される。配線導体2の幅は、およそ10〜30μm程度であり、厚みはおよそ10〜20μm程度である。
Next, as shown in FIG. 3, a plurality of wiring conductors 2 including the first pad 4, the second pad 5, and the inter-pad connection conductor 6 are formed in the product formation region M, and the product formation region M and the waste are discarded. A conductive conductor 9 extending from the second pad 5 to the disposal margin region N is formed in the substitution region N. The conductive conductors 9 are electrically connected to each other in the discard margin region N.
The wiring conductor 2 is formed by, for example, a well-known subtractive method. The width of the wiring conductor 2 is about 10 to 30 μm, and the thickness is about 10 to 20 μm.

次に、図4に示すように、絶縁板1上の製品形成領域M内に、第1および第2のパッド4、5および捨て代領域Nにおける導通用導体9および製品形成領域Mの外周付近の導通用導体9の一部を露出させるソルダーレジスト層3を形成する。
ソルダーレジスト層3は、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂を含有する電気絶縁材料から成る樹脂ペーストまたはフィルムを絶縁板1の上に塗布または貼着して熱硬化させることにより形成される。
Next, as shown in FIG. 4, in the product formation region M on the insulating plate 1, the first and second pads 4, 5 and the conductor for conduction 9 in the disposal margin region N and the vicinity of the outer periphery of the product formation region M A solder resist layer 3 exposing a part of the conductive conductor 9 is formed.
The solder resist layer 3 is formed by, for example, applying or pasting a resin paste or film made of an electrically insulating material containing a thermosetting resin such as an epoxy resin or a polyimide resin on the insulating plate 1 and thermosetting it. Is done.

次に、図5に示すように、第2のパッド5を露出させるとともに第1のパッド4および捨て代領域Nの導通用導体9を被覆するめっきレジスト層R1を形成する。
めっきレジスト層R1は、感光性を有する樹脂フィルムを絶縁板1上に真空プレス機を用いて貼着するとともに、第2のパッド5を露出させるパターンを有するように露光および現像処理することにより形成される。
Next, as shown in FIG. 5, a plating resist layer R <b> 1 that exposes the second pad 5 and covers the first pad 4 and the conductive conductor 9 in the disposal margin region N is formed.
The plating resist layer R1 is formed by sticking a photosensitive resin film on the insulating plate 1 using a vacuum press machine and exposing and developing so as to have a pattern exposing the second pad 5. Is done.

次に、図6に示すように、めっきレジスト層R1から露出する第2のパッド5の表面に電解めっき法により金めっき層7を被着する。
金めっき層7を形成するときには、第2のパッド5の表面に、例えば電解ニッケルめっき、電解金めっきの順序で析出させても良い。金めっき層7の厚みは、およそ1〜3μm程度である。
Next, as shown in FIG. 6, a gold plating layer 7 is deposited on the surface of the second pad 5 exposed from the plating resist layer R1 by electrolytic plating.
When the gold plating layer 7 is formed, it may be deposited on the surface of the second pad 5 in the order of electrolytic nickel plating and electrolytic gold plating, for example. The thickness of the gold plating layer 7 is about 1 to 3 μm.

次に、図7に示すように、めっきレジスト層R1を除去する。除去するときには、水酸化ナトリウム水溶液等のエッチング液を用いればよい。   Next, as shown in FIG. 7, the plating resist layer R1 is removed. When removing, an etching solution such as a sodium hydroxide aqueous solution may be used.

次に、図8に示すように、第1および第2のパッド4、5を被覆するとともに、捨て代領域Nにおける導通用導体9を露出させるエッチングレジスト層R2を形成する。
このとき、第2のパッド5に接続された導通用導体9の一部を、捨て代領域Nにおいてエッチングレジスト層R2により被覆しておく。
エッチングレジスト層R2は、感光性を有する樹脂フィルムを絶縁板1上に真空プレス機を用いて貼着するとともに、第2のパッド5に接続された導通用導体9の一部を捨て代領域Nにおいて被覆するとともに、残余の導通用導体9を露出させるパターンを有するように露光および現像処理することにより形成される。
Next, as shown in FIG. 8, an etching resist layer R <b> 2 that covers the first and second pads 4 and 5 and exposes the conductive conductor 9 in the disposal margin region N is formed.
At this time, a part of the conductive conductor 9 connected to the second pad 5 is covered with the etching resist layer R2 in the disposal margin region N.
The etching resist layer R2 is formed by sticking a photosensitive resin film on the insulating plate 1 using a vacuum press and discarding a part of the conductive conductor 9 connected to the second pad 5 in the margin region N. And is exposed and developed so as to have a pattern exposing the remaining conductive conductor 9.

次に、図9に示すように、エッチングレジスト層R2から露出する導通用導体9をエッチング除去する。これにより、それぞれの第2のパッド5が電気的に独立した状態になる。さらに、捨て代領域Nにおける導通用導体9の一部が第2のパッド5に電気的に接続された状態で残る。   Next, as shown in FIG. 9, the conductive conductor 9 exposed from the etching resist layer R2 is removed by etching. Thereby, each 2nd pad 5 will be in an electrically independent state. Further, a part of the conductive conductor 9 in the disposal margin region N remains in a state of being electrically connected to the second pad 5.

次に、図10に示すように、エッチングレジスト層R2を除去する。除去するときには、例えば水酸化ナトリウム水溶液等のエッチング液を用いればよい。
その後、製品形成領域Mに沿って切断することで、図1に示すような配線基板Aが形成される。切断には、例えばダイシング装置を用いればよい。
Next, as shown in FIG. 10, the etching resist layer R2 is removed. For removal, an etching solution such as a sodium hydroxide aqueous solution may be used.
Thereafter, by cutting along the product formation region M, a wiring board A as shown in FIG. 1 is formed. For the cutting, for example, a dicing apparatus may be used.

このように、本発明の配線基板の製造方法によれば、導通用導体9のエッチング時に、少なくともその一部が第2のパッド5に電気的に接続された状態で捨て代領域Nに残されている。このため、互いに接続された第1および第2のパッド4、5において、金めっき層7で覆われた第2のパッド5の露出面積と、これに接続された第1のパッド4および導通用導体9の一部を合わせた露出面積との差を小さくすることができる。
このため、上述したガルバニック腐食による第1のパッド4の腐食を抑制することができる。これにより、第1のパッド4を所定の大きさに形成して半導体素子と第1のパッド4とを完全に接続させることが可能になり、半導体素子を安定的に作動させることができる配線基板を提供することができる。
ところで、卑な金属に対する貴な金属の表面積が15倍以上である場合にはガルバニック腐食の影響が大きく、15倍未満である場合には影響が小さいことがわかっている。
このため、捨て代領域Nに導通用導体9の一部を残すときは、第1のパッド4および導通用導体9の一部を合わせた露出面積が第2のパッド5の面積の1/15倍より大きくなるように残しておくことが重要である。1/15倍以下であると、ガルバニック腐食を抑制する効果が低くなる。
また、第2のパッド5の面積が第1のパッド4の面積の15倍以上ある大面積の第2のパッド5と、第2のパッド5の面積が第1のパッド4の面積の15倍未満である小面積の第2のパッド5とが混在している場合がある。この場合には、大面積の第2のパッド5に接続される導通用導体9についてのみ、その一部を残しておくようにしても構わない。これにより、大面積の第2のパッド5と電気的に接続される第1のパッド4のガルバニック腐食を抑制できる。
As described above, according to the method for manufacturing a wiring board of the present invention, at the time of etching the conductive conductor 9, at least a part of the conductor 9 is left in the disposal margin region N while being electrically connected to the second pad 5. ing. Therefore, in the first and second pads 4 and 5 connected to each other, the exposed area of the second pad 5 covered with the gold plating layer 7, and the first pad 4 connected to the first pad 4 and the conduction pad The difference from the exposed area where a part of the conductor 9 is combined can be reduced.
For this reason, the corrosion of the 1st pad 4 by the galvanic corrosion mentioned above can be suppressed. As a result, the first pad 4 can be formed in a predetermined size so that the semiconductor element and the first pad 4 can be completely connected and the semiconductor element can be stably operated. Can be provided.
By the way, it is known that the influence of galvanic corrosion is large when the surface area of the noble metal with respect to the base metal is 15 times or more, and the influence is small when the surface area is less than 15 times.
For this reason, when a part of the conductive conductor 9 is left in the disposal margin region N, the exposed area of the first pad 4 and a part of the conductive conductor 9 is 1/15 of the area of the second pad 5. It is important to leave it larger than twice. The effect which suppresses galvanic corrosion becomes it low that it is 1/15 times or less.
In addition, the area of the second pad 5 is 15 times as large as the area of the first pad 4 and the area of the second pad 5 is 15 times as large as the area of the first pad 4. In some cases, the second pads 5 having a small area, which is less than the above, are mixed. In this case, only a part of the conductive conductor 9 connected to the second pad 5 having a large area may be left. Thereby, the galvanic corrosion of the 1st pad 4 electrically connected with the 2nd pad 5 of a large area can be suppressed.

なお、本発明は上述の実施形態の一例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。例えば、上述の実施形態の一例では、第2のパッド5に接続される導通用導体9の一部を捨て代領域Nに残しておく例を示したが、図11(a)に示すように、導通用導体19から分岐して露出するダミー部Dを形成しておいて、図11(b)に示すように、導通用導体19のエッチング時にこのダミー部Dと第2のパッド15とが接続された状態で残しておいても構わない。
In addition, this invention is not limited to an example of above-mentioned embodiment, A various change is possible if it is a range which does not deviate from the summary of this invention. For example, in the example of the above-described embodiment, an example in which a part of the conductive conductor 9 connected to the second pad 5 is left in the discard margin region N is shown, but as shown in FIG. A dummy portion D that is branched and exposed from the conductive conductor 19 is formed. As shown in FIG. 11B, the dummy portion D and the second pad 15 are formed when the conductive conductor 19 is etched. You can leave it connected.

1 絶縁板
2 配線導体
3 ソルダーレジスト層
4 第1のパッド
5 第2のパッド
6 パッド間接続導体
7 金めっき層
9 導通用導体
A 配線基板
M 製品形成領域
N 捨て代領域
R1 めっきレジスト
R2 エッチングレジスト
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Insulation board 2 Wiring conductor 3 Solder resist layer 4 1st pad 5 2nd pad 6 Inter-pad connection conductor 7 Gold plating layer 9 Conductive conductor A Wiring board M Product formation area N Throw margin R1 Plating resist R2 Etching resist

Claims (4)

表面に銅が露出している複数の第1のパッドと、表面に金めっき層が被着されている複数の第2のパッドとを有し、一部の前記第1のパッドと、前記第2のパッドとがパッド間接続導体を介して互いに電気的に接続されて成る配線基板の製造方法であって、以下の(1)〜(8)の工程を行うことを特徴とする配線基板の製造方法。
(1)前記配線基板となる多数の製品形成領域を、該製品形成領域の各々の周囲に所定幅の捨て代領域を介在させて縦横の並びに配置した絶縁板を準備する工程
(2)前記製品形成領域に、前記第1および第2のパッドおよび前記パッド間接続導体を含む複数の配線導体を形成するとともに、前記第2のパッドのそれぞれに電気的に接続されて前記製品形成領域から前記捨て代領域まで個別に延びるとともに該捨て代領域において互いに電気的に共通に接続された導通用導体を形成する工程
(3)前記第1および第2のパッドおよび前記捨て代領域における前記導通用導体を露出させるとともに、少なくとも残余の部分の前記配線導体を被覆するソルダーレジスト層を形成する工程
(4)前記第2のパッドを露出させるとともに前記第1のパッドおよび前記捨て代領域の前記導通用導体を被覆するめっきレジスト層を形成する工程
(5)前記めっきレジスト層から露出する前記第2のパッドの表面に電解めっき法により前記金めっき層を被着する工程
(6)前記めっきレジスト層を除去する工程
(7)前記第1および第2のパッドを被覆するとともに前記捨て代領域における前記導通用導体を露出させるエッチングレジスト層を形成する工程
(8)前記エッチングレジスト層から露出する前記導通用導体をエッチングして前記各第2のパッド同士を互いに電気的に独立させるとともに前記捨て代領域における前記導通用導体の一部を少なくとも一部の前記第2のパッドに電気的に接続された状態で露出するように残す工程
A plurality of first pads having copper exposed on the surface, and a plurality of second pads having a gold plating layer deposited on the surface, a part of the first pads, A wiring board manufacturing method in which two pads are electrically connected to each other via an inter-pad connecting conductor, wherein the following steps (1) to (8) are performed: Production method.
(1) A step of preparing an insulating plate in which a large number of product forming regions to be the wiring board are arranged vertically and horizontally with a disposal margin region having a predetermined width around each of the product forming regions. A plurality of wiring conductors including the first and second pads and the inter-pad connection conductors are formed in the formation region, and are electrically connected to each of the second pads and discarded from the product formation region. (3) forming conductive conductors that extend individually to the surrogate area and are electrically connected to each other in the discard margin area; and (3) the first and second pads and the conductive conductor in the discard margin area. And a step of forming a solder resist layer covering at least the remaining portion of the wiring conductor (4) exposing the second pad and exposing the first pad And (5) depositing the gold plating layer on the surface of the second pad exposed from the plating resist layer by electrolytic plating. (6) Step of removing the plating resist layer (7) Step of forming an etching resist layer that covers the first and second pads and exposes the conductive conductor in the margin region (8) The conductive conductor exposed from the etching resist layer is etched so that the second pads are electrically independent from each other, and at least a part of the conductive conductor in the disposal margin region is part of the second pad. Leaving it exposed to be electrically connected to the pad
前記(8)の工程において前記第2のパッドに電気的に接続された状態で露出するように残した前記導通用導体の一部は、該一部と電気的に接続された前記第1のパッドと合わせた露出面積が、該一部と電気的に接続された第2のパッドの面積の1/15倍より大きいことを特徴とする請求項1記載の配線基板の製造方法。   In the step (8), a part of the conductive conductor left exposed so as to be electrically connected to the second pad is the first electrically connected to the part. 2. The method of manufacturing a wiring board according to claim 1, wherein an exposed area combined with the pad is larger than 1/15 times an area of the second pad electrically connected to the part. 前記第2のパッドは、前記第1のパッドに対して15倍以上の面積の大面積パッドと、15倍未満の面積の小面積パッドとを含み、前記(8)の工程において、前記導通用導体の一部を、前記大面積パッドのみに電気的に接続された状態で残すことを特徴とする請求項1または2記載の配線基板の製造方法。   The second pad includes a large area pad having an area of 15 times or more of the first pad and a small area pad having an area of less than 15 times the first pad. In the step (8), the second pad 3. The method of manufacturing a wiring board according to claim 1, wherein a part of the conductor is left in a state of being electrically connected only to the large area pad. 前記捨て代領域における前記導通用導体は、該導通用導体から分岐して露出するダミー部を備え、前記(8)の工程において、該ダミー部を前記第2のパッドに電気的に接続された状態で残すことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の配線基板の製造方法。   The conductive conductor in the discard margin region includes a dummy portion that is branched and exposed from the conductive conductor, and the dummy portion is electrically connected to the second pad in the step (8). 4. The method for manufacturing a wiring board according to claim 1, wherein the wiring board is left in a state.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109219253A (en) * 2018-09-26 2019-01-15 东莞美维电路有限公司 A kind of nothing hangs nickel without lead PCB manufacture craft
CN115881675A (en) * 2023-02-08 2023-03-31 荣耀终端有限公司 Packaging substrate, preparation method thereof, packaging structure and electronic equipment

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0697619A (en) * 1992-09-16 1994-04-08 Mitsubishi Electric Corp Printed wiring board
JP2001345538A (en) * 2000-06-01 2001-12-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method of manufacturing printed wiring board
US20070087473A1 (en) * 2005-10-17 2007-04-19 E-Tung Chou Method for manufacturing semiconductor package substrate
JP2013153055A (en) * 2012-01-25 2013-08-08 Kyocer Slc Technologies Corp Manufacturing method of wiring board

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0697619A (en) * 1992-09-16 1994-04-08 Mitsubishi Electric Corp Printed wiring board
JP2001345538A (en) * 2000-06-01 2001-12-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method of manufacturing printed wiring board
US20070087473A1 (en) * 2005-10-17 2007-04-19 E-Tung Chou Method for manufacturing semiconductor package substrate
JP2013153055A (en) * 2012-01-25 2013-08-08 Kyocer Slc Technologies Corp Manufacturing method of wiring board

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109219253A (en) * 2018-09-26 2019-01-15 东莞美维电路有限公司 A kind of nothing hangs nickel without lead PCB manufacture craft
CN115881675A (en) * 2023-02-08 2023-03-31 荣耀终端有限公司 Packaging substrate, preparation method thereof, packaging structure and electronic equipment
CN115881675B (en) * 2023-02-08 2024-04-02 荣耀终端有限公司 Packaging substrate, preparation method thereof, packaging structure and electronic equipment

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