JP2016034005A - Method for manufacturing wiring board - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体素子等を搭載するための配線基板の製造方法に関するものである。 The present invention relates to a method of manufacturing a wiring board for mounting a semiconductor element or the like.
図12(a)および図12(b)に半導体集積回路素子等の半導体素子を搭載するための従来の配線基板Bを示す。ここで、図12(a)は図12(b)に示すX−X切断線における断面図である。配線基板Bは、図12(a)に示すように、上面中央部に半導体素子を搭載するための半導体素子搭載部21aおよびその周囲に回路基板を搭載するための回路基板搭載部21bを有するとともに、上下に貫通する複数の貫通孔21cを有する絶縁板21と、絶縁板21の上下面および貫通孔21c内に被着された配線導体22と、絶縁板21の上下面に被着されたソルダーレジスト層23とを有している。絶縁板21やソルダーレジスト層23は、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含有する樹脂系絶縁材料から成る。また、配線導体22は、銅から成る。
12 (a) and 12 (b) show a conventional wiring board B for mounting a semiconductor element such as a semiconductor integrated circuit element. Here, FIG. 12A is a cross-sectional view taken along the line XX shown in FIG. As shown in FIG. 12A, the wiring board B has a semiconductor
絶縁板21の上面に被着された配線導体22は、図12(b)に示すように、第1のパッド24と、第2のパッド25とを含んでいる。第1のパッド24および第2のパッド25は、上面側のソルダーレジスト層23に設けた開口部23a内および23b内にそれぞれ露出している。第1のパッド24は、半導体素子搭載部21aに配置されており、半導体素子の電極が半田を介して接続される。第2のパッド25は、回路基板搭載部21bに配置されており、別の回路基板の接続パッドが半田を介して接続される。この第2のパッド25と一部の第1のパッド24とはパッド間接続導体26を介して互いに電気的に接続されている。なお、第1のパッド24の表面は銅がむき出しとなっており、第2のパッド25の表面には、電解めっき法による金めっき層27が被着されている。
そして、第1のパッド24に半導体素子の電極を半田を介して接続するとともに、第2のパッド25に別の回路基板の接続パッドを半田を介して接続することにより、半導体素子および別の回路基板が搭載された複合基板が完成する。なお、第1のパッド24は半導体素子の電極に接続されるために小さな面積であるのに対し、第2のパッド25は別の回路基板の接続パッドに接続されるために第1のパッド24よりもはるかに大きな面積となっている。
The
Then, the electrode of the semiconductor element is connected to the
絶縁板21の下面に被着された配線導体22は、複数の第3のパッド28を含んでいる。第3のパッド28は、下面側のソルダーレジスト層23に設けた開口部23c内に露出している。そして、この第3のパッド28に、外部基板の電極を半田を介して接続することで、上述した複合基板が外部基板に搭載される。
The
次に、このような従来の配線基板Bの製造方法の一例について、図13〜図21を基にして、図12と同様の箇所には同様の符号を付して説明する。
なお、このような配線基板Bは生産性を考慮して、個別の製品となる複数の製品形成領域Mが縦横の並びに配置されるとともに、各製品形成領域Mを囲繞する所定幅の捨て代領域Nから成る集合基板から生産される。そして、集合基板を製品形成領域Mに沿って切断することで多数の配線基板Bが同時に生産される。
本例では、簡便のために一つの製品形成領域Mおよびその周囲の捨て代領域Nを図示して説明する。
また、各図(a)は、各図(b)におけるY−Y切断線における断面図である。
Next, an example of a method for manufacturing such a conventional wiring board B will be described with reference to FIGS.
In this wiring board B, in consideration of productivity, a plurality of product forming areas M, which are individual products, are arranged vertically and horizontally, and a disposal margin area having a predetermined width surrounding each product forming area M. It is produced from a collective substrate consisting of N. A large number of wiring boards B are produced simultaneously by cutting the aggregate substrate along the product formation region M.
In this example, for the sake of convenience, one product forming region M and the surrounding margin region N are illustrated and described.
Moreover, each figure (a) is sectional drawing in the YY cut line in each figure (b).
まず、図13に示すように、複数の貫通孔21cが形成された絶縁板21を用意する。
First, as shown in FIG. 13, an
次に、図14に示すように、製品形成領域Mに第1のパッド24および第2のパッド25およびパッド間接続導体26を含む複数の配線導体22を形成するとともに、製品形成領域Mおよび捨て代領域Nに、第2のパッド25から捨て代領域Nまで延びる導通用導体29を形成する。各導通用導体29は、捨て代領域Nにおいて互いに電気的に共通に接続される。
Next, as shown in FIG. 14, a plurality of
次に、図15に示すように、絶縁板21上の製品形成領域M内に、第1および第2のパッド24、25および捨て代領域Nにおける導通用導体29を露出させるソルダーレジスト層23を形成する。
Next, as shown in FIG. 15, a
次に、図16に示すように、第2のパッド25を露出させるとともに第1のパッド24および捨て代領域Nの導通用導体29を被覆するめっきレジスト層R1を形成する。
Next, as shown in FIG. 16, a plating resist layer R <b> 1 that exposes the
次に、図17に示すように、めっきレジスト層R1から露出する第2のパッド25の表面に電解めっき法により金めっき層27を被着する。
Next, as shown in FIG. 17, a
次に、図18に示すように、めっきレジスト層R1を除去する。 Next, as shown in FIG. 18, the plating resist layer R1 is removed.
次に、図19に示すように、第1および第2のパッド24、25を被覆するとともに、捨て代領域Nにおける導通用導体29および製品形成領域Mの外周付近の導通用導体29の一部を露出させるエッチングレジスト層R2を形成する。
Next, as shown in FIG. 19, the first and
次に、図20に示すように、エッチングレジスト層R2から露出する導通用導体29をエッチング除去して各第2のパッド25を互いに電気的に独立させる。
Next, as shown in FIG. 20, the
次に、図21に示すように、例えばエッチング液でエッチングレジスト層R2を除去する。その後、製品形成領域Mに沿って切断することで、図12に示すような配線基板Bが形成される。 Next, as shown in FIG. 21, the etching resist layer R2 is removed with, for example, an etching solution. Thereafter, by cutting along the product formation region M, a wiring board B as shown in FIG. 12 is formed.
ところで、上述の製造方法においては、例えばエッチングレジスト層R2を除去する際に、第2のパッド25に接続された第1のパッド24が周知のガルバニック腐食により腐食されて小さくなってしまい、一部の第1のパッド24を所定の大きさに形成できないことがある。
ガルバニック腐食は、電位の異なる金属が電解質溶液を介して電気回路を形成した場合に卑な金属が腐食される現象であり、卑な金属に対する貴な金属の表面積が相対的に大きいほど腐食の程度は大きい。
上述の製造方法においては、卑な金属である銅が露出した面積の小さい第1のパッド24と、貴な金属である金が露出した面積の大きい第2のパッド25とがパッド間接続導体26を介して互いに電気的に接続されることにより、例えば上述のエッチングレジスト層R2を除去する際のエッチング液を介して電気回路を形成し、卑な金属である銅が大きく腐食されてしまう。
第1のパッド24を所定の大きさに形成できない場合、半導体素子と第1のパッド24との接続が不完全になり半導体素子を安定的に作動させることができない場合がある。
By the way, in the above manufacturing method, for example, when the etching resist layer R2 is removed, the
Galvanic corrosion is a phenomenon in which a base metal is corroded when metals having different potentials form an electric circuit through an electrolyte solution. Is big.
In the above-described manufacturing method, the
When the
本発明は、半導体素子の電極が接続されるパッドを所定の大きさに形成することで、半導体素子の電極とパッドとを完全に接続させる。これにより半導体素子を安定的に作動させることができる配線基板の製造方法を提供することを課題とする。 According to the present invention, a pad to which an electrode of a semiconductor element is connected is formed in a predetermined size, whereby the electrode of the semiconductor element and the pad are completely connected. Accordingly, it is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a wiring board capable of stably operating a semiconductor element.
本発明の配線基板の製造方法は、表面に銅が露出している複数の第1のパッドと、表面に金めっき層が被着されている複数の第2のパッドとを有し、一部の前記第1のパッドと、前記第2のパッドとがパッド間接続導体を介して互いに電気的に接続されて成る配線基板の製造方法であって、以下の(1)〜(8)の工程を行うことを特徴とする。
(1)前記配線基板となる多数の製品形成領域を、該製品形成領域の各々の周囲に所定幅の捨て代領域を介在させて縦横の並びに配置した絶縁板を準備する工程
(2)前記製品形成領域に、前記第1および第2のパッドおよび前記パッド間接続導体を含む複数の配線導体を形成するとともに、前記第2のパッドにそれぞれ電気的に接続されて前記製品形成領域から前記捨て代領域まで個別に延びるとともに該捨て代領域において互いに電気的に共通に接続された導通用導体を形成する工程
(3)前記第1および第2のパッドおよび前記捨て代領域における前記導通用導体を露出させるとともに少なくとも残余の部分の前記配線導体を被覆するソルダーレジスト層を形成する工程
(4)前記第2のパッドを露出させるとともに前記第1のパッドおよび前記捨て代領域の前記導通用導体を被覆するめっきレジスト層を形成する工程
(5)前記めっきレジスト層から露出する前記第2のパッドの表面に電解めっき法により前記金めっき層を被着する工程
(6)前記めっきレジスト層を除去する工程
(7)前記第1および第2のパッドを被覆するとともに前記捨て代領域における前記導通用導体を露出させるエッチングレジスト層を形成する工程
(8)前記エッチングレジスト層から露出する前記導通用導体をエッチングして前記各第2のパッド同士を互いに電気的に独立させるとともに前記捨て代領域における前記導通用導体の一部を少なくとも一部の前記第2のパッドに電気的に接続された状態で露出するように残す工程
The method for manufacturing a wiring board according to the present invention includes a plurality of first pads with copper exposed on the surface and a plurality of second pads with a gold plating layer deposited on the surface. A method of manufacturing a wiring board in which the first pad and the second pad are electrically connected to each other via an inter-pad connecting conductor, and the following steps (1) to (8) It is characterized by performing.
(1) A step of preparing an insulating plate in which a large number of product forming regions to be the wiring board are arranged vertically and horizontally with a disposal margin region having a predetermined width around each of the product forming regions. A plurality of wiring conductors including the first and second pads and the inter-pad connecting conductors are formed in the formation region, and are electrically connected to the second pads, respectively, and are discarded from the product formation region. (3) exposing the first and second pads and the conductive conductor in the discard margin region to individually extend to the region and forming a conductive conductor electrically connected to each other in the discard margin region; And forming a solder resist layer covering at least the remaining portion of the wiring conductor (4) exposing the second pad and the first pad And (5) depositing the gold plating layer on the surface of the second pad exposed from the plating resist layer by an electrolytic plating method. Step (6) Step of removing the plating resist layer (7) Step of forming an etching resist layer that covers the first and second pads and exposes the conductive conductor in the abandonment region (8) The conductive conductor exposed from the etching resist layer is etched so that the second pads are electrically independent from each other, and at least a part of the conductive conductor in the disposal margin region is part of the second pad. The process of leaving it exposed while being electrically connected to the pad
本発明の配線基板の製造方法によれば、導通用導体のエッチング時に、少なくともその一部を第2のパッドに電気的に接続された状態で捨て代領域に残しておく。このため、互いに接続された第1および第2のパッドにおいて、金めっき層で覆われた第2のパッドの露出面積と、これに接続された第1のパッドおよび導通用導体の一部を合わせた露出面積との差を小さくすることができる。
このため、上述のガルバニック腐食による第1のパッドの腐食を抑制することができる。
これにより、第1のパッドを所定の大きさに形成して半導体素子の電極と第1のパッドとを完全に接続させることが可能になり、半導体素子を安定的に作動させることができる配線基板の製造方法を提供することができる。
According to the method for manufacturing a wiring board of the present invention, at the time of etching the conductive conductor, at least a part of the conductor is left in the margin area while being electrically connected to the second pad. Therefore, in the first and second pads connected to each other, the exposed area of the second pad covered with the gold plating layer is matched with a part of the first pad connected to this and the conductive conductor. The difference from the exposed area can be reduced.
For this reason, the corrosion of the 1st pad by the above-mentioned galvanic corrosion can be controlled.
As a result, it is possible to form the first pad to a predetermined size and to completely connect the electrode of the semiconductor element and the first pad, and to stably operate the semiconductor element. The manufacturing method of can be provided.
次に、本発明の配線基板の実施形態の一例を図1(a)、(b)を基にして詳細に説明する。ここで、図1(a)は図1(b)に示すV−V切断線における断面図である。
配線基板Aは、図1(a)に示すように、上面中央部に半導体素子を搭載するための半導体素子搭載部1aおよびその周囲に外部基板を搭載するための外部基板搭載部1bを有するとともに、上下に貫通する複数の貫通孔1cを有する絶縁板1と、絶縁板1の上下面および貫通孔1c内に被着された配線導体2と、絶縁板1の上下面に被着されたソルダーレジスト層3とを有している。絶縁板1やソルダーレジスト層3は、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含有する樹脂系絶縁材料から成る。また、配線導体2は、銅から成る。
なお、絶縁板1は、この例では単層構造であるが、同一または異なる電気絶縁材料から成る複数の絶縁層を多層に積層した多層構造であってもよい。
Next, an example of an embodiment of the wiring board according to the present invention will be described in detail with reference to FIGS. Here, FIG. 1A is a cross-sectional view taken along the line VV shown in FIG.
As shown in FIG. 1A, the wiring board A has a semiconductor element mounting portion 1a for mounting a semiconductor element at the center of the upper surface and an external substrate mounting portion 1b for mounting an external substrate around the semiconductor element mounting portion 1b. Insulating
The insulating
絶縁板1の上面に被着された配線導体2は、図1(b)に示すように、第1のパッド4と、第2のパッド5とを含んでいる。第1のパッド4および第2のパッド5は、上面側のソルダーレジスト層3に設けた開口部3a内および3b内にそれぞれ露出している。第1のパッド4は、半導体素子搭載部1aに配置されており、半導体素子の電極が半田を介して接続される。第2のパッド5は、回路基板搭載部1bに配置されており、別の回路基板の接続パッドが半田を介して接続される。この第2のパッド5と一部の第1のパッド4とはパッド間接続導体6を介して互いに電気的に接続されている。なお、第1のパッド4の表面は銅がむき出しとなっており、第2のパッド5の表面には、電解めっき法による金めっき層7が被着されている。
そして、第1のパッド4に半導体素子の電極を半田を介して接続するとともに、第2のパッド5に別の回路基板の接続パッドを半田を介して接続することにより、半導体素子および別の回路基板が搭載された複合基板が完成する。なお、第1のパッド4は半導体素子の電極に接続されるために小さな面積であるのに対し、第2のパッド5は別の回路基板の接続パッドに接続されるために、第1のパッド4よりもはるかに大きな面積となっている。
The
Then, the electrode of the semiconductor element is connected to the
絶縁板1の下面に被着された配線導体2は、複数の第3のパッド8を含んでいる。第3のパッド8は、下面側のソルダーレジスト層3に設けた開口部3c内に露出している。そして、この第3のパッド8に、外部基板の電極を半田を介して接続することで、上述した複合基板が外部基板に搭載される。
The
次に、このような本発明の配線基板Aの製造方法の一例について、図2〜図10を基にして図1と同様の箇所には同様の符号を付して説明する。
なお、このような配線基板Aは生産性を考慮して、個別の製品となる複数の製品形成領域Mが縦横の並びに配置されるとともに、各製品形成領域Mを囲繞する所定幅の捨て代領域Nから成る集合基板から生産される。そして、集合基板を製品形成領域Mに沿って切断することで多数の配線基板Aが同時に生産される。
本例では、簡便のために一つの製品形成領域Mおよびその周囲の捨て代領域Yを図示して説明する。
また、各図(a)は、各図(b)におけるW−W切断線における断面図である。
Next, an example of the method for manufacturing the wiring board A according to the present invention will be described with reference to FIGS.
In this wiring board A, in consideration of productivity, a plurality of product forming areas M, which are individual products, are arranged vertically and horizontally, and a disposal margin area having a predetermined width surrounding each product forming area M. It is produced from a collective substrate consisting of N. Then, by cutting the collective substrate along the product formation region M, a large number of wiring boards A are simultaneously produced.
In this example, for the sake of convenience, one product forming area M and the surrounding margin area Y are illustrated and described.
Moreover, each figure (a) is sectional drawing in the WW cut line in each figure (b).
まず、図2に示すように、複数の貫通孔1cが形成された絶縁板1を用意する。
絶縁板1は、ガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた絶縁体を熱硬化させることで形成される。また、貫通孔1cは、ドリル加工やレーザ加工、あるいはブラスト加工により形成される。貫通孔1cの直径は、およそ50〜250μm程度である。
First, as shown in FIG. 2, an insulating
The insulating
次に、図3に示すように、製品形成領域Mに第1のパッド4および第2のパッド5およびパッド間接続導体6を含む複数の配線導体2を形成するとともに、製品形成領域Mおよび捨て代領域Nに、第2のパッド5から捨て代領域Nまで延びる導通用導体9を形成する。各導通用導体9は、捨て代領域Nにおいて互いに電気的に共通に接続される。
配線導体2は、例えば周知のサブトラクティブ法により形成される。配線導体2の幅は、およそ10〜30μm程度であり、厚みはおよそ10〜20μm程度である。
Next, as shown in FIG. 3, a plurality of
The
次に、図4に示すように、絶縁板1上の製品形成領域M内に、第1および第2のパッド4、5および捨て代領域Nにおける導通用導体9および製品形成領域Mの外周付近の導通用導体9の一部を露出させるソルダーレジスト層3を形成する。
ソルダーレジスト層3は、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂を含有する電気絶縁材料から成る樹脂ペーストまたはフィルムを絶縁板1の上に塗布または貼着して熱硬化させることにより形成される。
Next, as shown in FIG. 4, in the product formation region M on the insulating
The solder resist
次に、図5に示すように、第2のパッド5を露出させるとともに第1のパッド4および捨て代領域Nの導通用導体9を被覆するめっきレジスト層R1を形成する。
めっきレジスト層R1は、感光性を有する樹脂フィルムを絶縁板1上に真空プレス機を用いて貼着するとともに、第2のパッド5を露出させるパターンを有するように露光および現像処理することにより形成される。
Next, as shown in FIG. 5, a plating resist layer R <b> 1 that exposes the
The plating resist layer R1 is formed by sticking a photosensitive resin film on the insulating
次に、図6に示すように、めっきレジスト層R1から露出する第2のパッド5の表面に電解めっき法により金めっき層7を被着する。
金めっき層7を形成するときには、第2のパッド5の表面に、例えば電解ニッケルめっき、電解金めっきの順序で析出させても良い。金めっき層7の厚みは、およそ1〜3μm程度である。
Next, as shown in FIG. 6, a
When the
次に、図7に示すように、めっきレジスト層R1を除去する。除去するときには、水酸化ナトリウム水溶液等のエッチング液を用いればよい。 Next, as shown in FIG. 7, the plating resist layer R1 is removed. When removing, an etching solution such as a sodium hydroxide aqueous solution may be used.
次に、図8に示すように、第1および第2のパッド4、5を被覆するとともに、捨て代領域Nにおける導通用導体9を露出させるエッチングレジスト層R2を形成する。
このとき、第2のパッド5に接続された導通用導体9の一部を、捨て代領域Nにおいてエッチングレジスト層R2により被覆しておく。
エッチングレジスト層R2は、感光性を有する樹脂フィルムを絶縁板1上に真空プレス機を用いて貼着するとともに、第2のパッド5に接続された導通用導体9の一部を捨て代領域Nにおいて被覆するとともに、残余の導通用導体9を露出させるパターンを有するように露光および現像処理することにより形成される。
Next, as shown in FIG. 8, an etching resist layer R <b> 2 that covers the first and
At this time, a part of the
The etching resist layer R2 is formed by sticking a photosensitive resin film on the insulating
次に、図9に示すように、エッチングレジスト層R2から露出する導通用導体9をエッチング除去する。これにより、それぞれの第2のパッド5が電気的に独立した状態になる。さらに、捨て代領域Nにおける導通用導体9の一部が第2のパッド5に電気的に接続された状態で残る。
Next, as shown in FIG. 9, the
次に、図10に示すように、エッチングレジスト層R2を除去する。除去するときには、例えば水酸化ナトリウム水溶液等のエッチング液を用いればよい。
その後、製品形成領域Mに沿って切断することで、図1に示すような配線基板Aが形成される。切断には、例えばダイシング装置を用いればよい。
Next, as shown in FIG. 10, the etching resist layer R2 is removed. For removal, an etching solution such as a sodium hydroxide aqueous solution may be used.
Thereafter, by cutting along the product formation region M, a wiring board A as shown in FIG. 1 is formed. For the cutting, for example, a dicing apparatus may be used.
このように、本発明の配線基板の製造方法によれば、導通用導体9のエッチング時に、少なくともその一部が第2のパッド5に電気的に接続された状態で捨て代領域Nに残されている。このため、互いに接続された第1および第2のパッド4、5において、金めっき層7で覆われた第2のパッド5の露出面積と、これに接続された第1のパッド4および導通用導体9の一部を合わせた露出面積との差を小さくすることができる。
このため、上述したガルバニック腐食による第1のパッド4の腐食を抑制することができる。これにより、第1のパッド4を所定の大きさに形成して半導体素子と第1のパッド4とを完全に接続させることが可能になり、半導体素子を安定的に作動させることができる配線基板を提供することができる。
ところで、卑な金属に対する貴な金属の表面積が15倍以上である場合にはガルバニック腐食の影響が大きく、15倍未満である場合には影響が小さいことがわかっている。
このため、捨て代領域Nに導通用導体9の一部を残すときは、第1のパッド4および導通用導体9の一部を合わせた露出面積が第2のパッド5の面積の1/15倍より大きくなるように残しておくことが重要である。1/15倍以下であると、ガルバニック腐食を抑制する効果が低くなる。
また、第2のパッド5の面積が第1のパッド4の面積の15倍以上ある大面積の第2のパッド5と、第2のパッド5の面積が第1のパッド4の面積の15倍未満である小面積の第2のパッド5とが混在している場合がある。この場合には、大面積の第2のパッド5に接続される導通用導体9についてのみ、その一部を残しておくようにしても構わない。これにより、大面積の第2のパッド5と電気的に接続される第1のパッド4のガルバニック腐食を抑制できる。
As described above, according to the method for manufacturing a wiring board of the present invention, at the time of etching the
For this reason, the corrosion of the
By the way, it is known that the influence of galvanic corrosion is large when the surface area of the noble metal with respect to the base metal is 15 times or more, and the influence is small when the surface area is less than 15 times.
For this reason, when a part of the
In addition, the area of the
なお、本発明は上述の実施形態の一例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。例えば、上述の実施形態の一例では、第2のパッド5に接続される導通用導体9の一部を捨て代領域Nに残しておく例を示したが、図11(a)に示すように、導通用導体19から分岐して露出するダミー部Dを形成しておいて、図11(b)に示すように、導通用導体19のエッチング時にこのダミー部Dと第2のパッド15とが接続された状態で残しておいても構わない。
In addition, this invention is not limited to an example of above-mentioned embodiment, A various change is possible if it is a range which does not deviate from the summary of this invention. For example, in the example of the above-described embodiment, an example in which a part of the
1 絶縁板
2 配線導体
3 ソルダーレジスト層
4 第1のパッド
5 第2のパッド
6 パッド間接続導体
7 金めっき層
9 導通用導体
A 配線基板
M 製品形成領域
N 捨て代領域
R1 めっきレジスト
R2 エッチングレジスト
DESCRIPTION OF
Claims (4)
(1)前記配線基板となる多数の製品形成領域を、該製品形成領域の各々の周囲に所定幅の捨て代領域を介在させて縦横の並びに配置した絶縁板を準備する工程
(2)前記製品形成領域に、前記第1および第2のパッドおよび前記パッド間接続導体を含む複数の配線導体を形成するとともに、前記第2のパッドのそれぞれに電気的に接続されて前記製品形成領域から前記捨て代領域まで個別に延びるとともに該捨て代領域において互いに電気的に共通に接続された導通用導体を形成する工程
(3)前記第1および第2のパッドおよび前記捨て代領域における前記導通用導体を露出させるとともに、少なくとも残余の部分の前記配線導体を被覆するソルダーレジスト層を形成する工程
(4)前記第2のパッドを露出させるとともに前記第1のパッドおよび前記捨て代領域の前記導通用導体を被覆するめっきレジスト層を形成する工程
(5)前記めっきレジスト層から露出する前記第2のパッドの表面に電解めっき法により前記金めっき層を被着する工程
(6)前記めっきレジスト層を除去する工程
(7)前記第1および第2のパッドを被覆するとともに前記捨て代領域における前記導通用導体を露出させるエッチングレジスト層を形成する工程
(8)前記エッチングレジスト層から露出する前記導通用導体をエッチングして前記各第2のパッド同士を互いに電気的に独立させるとともに前記捨て代領域における前記導通用導体の一部を少なくとも一部の前記第2のパッドに電気的に接続された状態で露出するように残す工程 A plurality of first pads having copper exposed on the surface, and a plurality of second pads having a gold plating layer deposited on the surface, a part of the first pads, A wiring board manufacturing method in which two pads are electrically connected to each other via an inter-pad connecting conductor, wherein the following steps (1) to (8) are performed: Production method.
(1) A step of preparing an insulating plate in which a large number of product forming regions to be the wiring board are arranged vertically and horizontally with a disposal margin region having a predetermined width around each of the product forming regions. A plurality of wiring conductors including the first and second pads and the inter-pad connection conductors are formed in the formation region, and are electrically connected to each of the second pads and discarded from the product formation region. (3) forming conductive conductors that extend individually to the surrogate area and are electrically connected to each other in the discard margin area; and (3) the first and second pads and the conductive conductor in the discard margin area. And a step of forming a solder resist layer covering at least the remaining portion of the wiring conductor (4) exposing the second pad and exposing the first pad And (5) depositing the gold plating layer on the surface of the second pad exposed from the plating resist layer by electrolytic plating. (6) Step of removing the plating resist layer (7) Step of forming an etching resist layer that covers the first and second pads and exposes the conductive conductor in the margin region (8) The conductive conductor exposed from the etching resist layer is etched so that the second pads are electrically independent from each other, and at least a part of the conductive conductor in the disposal margin region is part of the second pad. Leaving it exposed to be electrically connected to the pad
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