JP2016025193A - 広帯域化高感度ａｅセンサー - Google Patents
広帯域化高感度ａｅセンサー Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016025193A JP2016025193A JP2014147819A JP2014147819A JP2016025193A JP 2016025193 A JP2016025193 A JP 2016025193A JP 2014147819 A JP2014147819 A JP 2014147819A JP 2014147819 A JP2014147819 A JP 2014147819A JP 2016025193 A JP2016025193 A JP 2016025193A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- piezoelectric
- sensor
- lead
- broadband
- sensitivity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)
Abstract
【課題】ＰＺＴをはじめとした鉛系圧電セラミックスを用いたＡＥ（アコースティックエミッション）センサーと同程度かそれよりも検出性能の高い広帯域化ＡＥセンサーを提供する。
【解決手段】圧電素子でＡＥ波を検出する広帯域化ＡＥセンサーにおいて、圧電素子の圧電材料として密度が4.0〜6.5g/cm3の鉛フリー圧電セラミックスを用いる。圧電素子からの出力を増幅するプリアンプを内蔵するもの、防水シールされたケースを具備するもの、乃至、鉛フリー圧電セラミックスが、一般式{Mx(NayLizK1-y-z)1-x}1-m{(Ti1-u-vZruHfv)x(Nb1-wTaw)1-x}O3で表される圧電固溶体組成物を含む。
【選択図】図４
【解決手段】圧電素子でＡＥ波を検出する広帯域化ＡＥセンサーにおいて、圧電素子の圧電材料として密度が4.0〜6.5g/cm3の鉛フリー圧電セラミックスを用いる。圧電素子からの出力を増幅するプリアンプを内蔵するもの、防水シールされたケースを具備するもの、乃至、鉛フリー圧電セラミックスが、一般式{Mx(NayLizK1-y-z)1-x}1-m{(Ti1-u-vZruHfv)x(Nb1-wTaw)1-x}O3で表される圧電固溶体組成物を含む。
【選択図】図４
Description
本発明は、アコースティックエミッション(Acoustic Emission)センサー(以下、「ＡＥセンサー」という。)に関する。特に、鉛を含まないで広い周波数領域に高感度を有するＡＥセンサーに関する。
アコースティックエミッションとは、材料が変形したり、亀裂の発生・進展等の破壊が生じたりする際に放出する音波(弾性波、ＡＥ波)である。ＡＥ波は主に耳に聴こえない超音波領域(数10kHz〜数MHz)の高い周波数成分を持つ。
ＡＥ波の検出には圧電素子を使ったＡＥセンサーが用いられている。ＡＥセンサーでは、電場方向と応力方向とがどちらも圧電素子の厚さ方向となる、いわゆる「たて効果」を主に利用している。
ＡＥ波は、材料が破壊に至る前の小さな変形や亀裂の発生に敏感に反応するので、ＡＥセンサーによりＡＥ波を検出することで、材料や構造物の欠陥や破壊を比較的容易かつ低コストで発見・予知することができる。
ＡＥ波は、材料が破壊に至る前の小さな変形や亀裂の発生に敏感に反応するので、ＡＥセンサーによりＡＥ波を検出することで、材料や構造物の欠陥や破壊を比較的容易かつ低コストで発見・予知することができる。
そのため、ＡＥセンサーを用いたＡＥ波の検出は、例えば、ガスタンク漏洩監視、石油タンクの腐食監視、疲労試験時の損傷発見検知、異常音検知による回転機器監視、コンクリート構造物の破壊特性評価、金型・工具損傷検知、航空機機体負荷試験時の損傷発生検知、複合材健全性検査、圧力容器耐圧試験時の損傷発生検知など、様々な分野で既に応用されたり、今後の応用が検討されたりしている。
また、近年では、社会インフラとしての橋やトンネルなどの構造物の老朽化が問題となってきているので、ＡＥセンサーによる構造物の健全性モニタリングは、構造物の安全性と保守性を向上させるためのツールとしても益々重要性が高まってきている。
ＡＥ波は非常に微弱であるため、その検出に用いられるＡＥセンサーは高感度でなければならない。また、ＡＥ波動を再現するために、ＡＥセンサーの感度は広い周波数帯において信号検出できることが求められている。
ＡＥセンサーは、その特性より共振型と広帯域型に大別できる。
共振型ＡＥセンサーは、検出素子である圧電素子の共振を利用して高い感度を得る。検出面から入ったＡＥ波は、圧電素子内で反射を繰り返し、圧電素子の共振周波数の成分がより強調されて残り、他の成分は早く減衰する。そのため、共振型ＡＥセンサーは共振周波数付近で高い感度(例えば、共振周波数150kHzの共振型ＡＥセンサーの共振周波数での感度は約70dB、0dB=1V/m/s)を有するが、周波数が高くなるにつれ、一般に感度が顕著に減少し、普通は狭帯域である。
これに対し、広帯域型ＡＥセンサーは、圧電素子の周囲をダンパ材で覆う構造になっており、共振による周波数特性のピークを少なくすることを特徴とする。これによりＡＥ波は圧電素子内での共振が抑えられ、平坦な感度−周波数特性が得られる。しかし、広帯域型ＡＥセンサーの感度は普通約50dBであり、共振型より低い。以上でわかるように、ＡＥセンサーは高感度化と広帯域化の機構が異なり、高感度化かつ広帯域化同時にすることが困難である。
ＡＥセンサーは、その特性より共振型と広帯域型に大別できる。
共振型ＡＥセンサーは、検出素子である圧電素子の共振を利用して高い感度を得る。検出面から入ったＡＥ波は、圧電素子内で反射を繰り返し、圧電素子の共振周波数の成分がより強調されて残り、他の成分は早く減衰する。そのため、共振型ＡＥセンサーは共振周波数付近で高い感度(例えば、共振周波数150kHzの共振型ＡＥセンサーの共振周波数での感度は約70dB、0dB=1V/m/s)を有するが、周波数が高くなるにつれ、一般に感度が顕著に減少し、普通は狭帯域である。
これに対し、広帯域型ＡＥセンサーは、圧電素子の周囲をダンパ材で覆う構造になっており、共振による周波数特性のピークを少なくすることを特徴とする。これによりＡＥ波は圧電素子内での共振が抑えられ、平坦な感度−周波数特性が得られる。しかし、広帯域型ＡＥセンサーの感度は普通約50dBであり、共振型より低い。以上でわかるように、ＡＥセンサーは高感度化と広帯域化の機構が異なり、高感度化かつ広帯域化同時にすることが困難である。
加えて、このようなＡＥセンサーについては、従来、圧電性能の高い鉛系圧電セラミックスＰＺＴが圧電素子の不可欠の圧電材料として用いられてきている。しかし、ＰＺＴをはじめとした鉛系圧電セラミックスは、人体や環境に有害な鉛を含むため、望ましいものではないことが知られている。ＲｏＨＳ指令(ＥＵの有害物質使用制限指令)などにおいても鉛を含む鉛系圧電セラミックスは規制対象となっているが、代替できる特性を持つ鉛フリー系圧電セラミックスがないため、同指令の適用除外となっている。現在、鉛系圧電セラミックスは、使用されている圧電セラミックス材料のほぼ９割を占めている。
ＡＥセンサーは弾性波が圧電振動子内部を伝達するときその位相差により振動子を歪ませることにより電圧を発生させる。いわゆる、ＡＥセンサーは圧電材料の正圧電効果を利用して、ＡＥ信号を検出する。圧電体の分極方向Ｐと平行に弾性波振動による力Ｆが加わった時、圧電体に生じた電圧Vが式(１)で表す。
V = g33・l・(F/S) (１)
但し、g33:圧電定数；S:電極の面積；l：圧電体の長さ。圧電体はコンデンサとみなせるので、容量をCとすると、電極面に発生する電荷Qは式(２)で表す。
Q = C・V= C・g33・l・(F/S) (２)
圧電体は平行平板型コンデンサと仮定する場合、容量Cと誘電率εT 33及び寸法(Ｓ、l)間以下の式(３)が成り立つ。
C = εT 33・(S/l) (３)
従って
Q = εT 33・(S/l) ・g33・l・(F/S) = εT 33・g33・F (４)
式(４)から、ＡＥセンサーに要求される圧電材料の特性は、圧電ｇ33定数が高いこと、及び、誘電率εT 33が大きいことであることが分かる。
V = g33・l・(F/S) (１)
但し、g33:圧電定数；S:電極の面積；l：圧電体の長さ。圧電体はコンデンサとみなせるので、容量をCとすると、電極面に発生する電荷Qは式(２)で表す。
Q = C・V= C・g33・l・(F/S) (２)
圧電体は平行平板型コンデンサと仮定する場合、容量Cと誘電率εT 33及び寸法(Ｓ、l)間以下の式(３)が成り立つ。
C = εT 33・(S/l) (３)
従って
Q = εT 33・(S/l) ・g33・l・(F/S) = εT 33・g33・F (４)
式(４)から、ＡＥセンサーに要求される圧電材料の特性は、圧電ｇ33定数が高いこと、及び、誘電率εT 33が大きいことであることが分かる。
圧電セラミックスは、鉛を含む鉛系圧電セラミックスと鉛を含まない鉛フリー系圧電セラミックスに大別できる。一般的に、鉛系圧電セラミックスより、鉛フリー圧電セラミックスの密度は低いことが特徴である。表１に、本発明者たちが開発した鉛フリー圧電セラミックス(組成１、組成２)の特性と市販の鉛系ソフト材圧電セラミックスＰＺＴ５Ａ４(Morgan Technical Ceramic ElectroCeramics)の密度と代表的な特性を比較する。これらの値に示されるように、鉛フリー系圧電セラミックスの誘電率eT 33が鉛系圧電材料と同程度である。しかし他の圧電特性、特にＡＥセンサーに重要とされた圧電定数ｇ33が鉛系圧電セラミックスにまだ及ばず、式(４)からＡＥセンサーの圧電素子に用いられることは適していないと考えられる。表１から分かるように、発明者たちが開発した鉛フリー圧電セラミックス(組成１、組成２)の密度はＰＺＴの６割未満で、かなり軽い。
特許文献４〜９には、鉛フリー系圧電セラミックスの多くの用途の１つとしてＡＥセンサー用も挙げられているものの、ＡＥセンサーの圧電素子に実用上適していないと考えられ、実際試みさえなされてこなかった。
このように、ＡＥセンサーに用いる圧電素子の圧電材料としては、圧電性能が鉛フリー系圧電セラミックスより大幅に高いＰＺＴをはじめとした鉛系圧電セラミックスが用いられるだけであり、鉛フリー系圧電セラミックス材料は、その低い圧電性能から、ＡＥセンサーの圧電素子に用いようとすることは考えられてこなかった。
本発明は、上述のような従来技術を背景としたものであり、共振周波数近傍においてＰＺＴをはじめとした鉛系圧電セラミックスを用いたＡＥセンサーと同程度かそれよりも検出性能の高く、かつ、共振周波数より高い周波数領域において高感度が得られる密度の低い圧電セラミックスを用いた広帯域化ＡＥセンサーを提供することを課題とする。
前述のとおり、ＡＥ波は極めて微弱な弾性波であるため、そのような微弱な弾性波を検出するＡＥセンサーの圧電素子に用いる圧電材料としては、圧電性能が他のものより高レベルのＰＺＴをはじめとした鉛系圧電セラミックスが用いられるだけであり、他の圧電材料は、低い圧電性能から、ＡＥセンサーに用いようとすることは想定されていなかった。
本発明者は、前述の課題を解決するための試験・研究の過程で、ＡＥセンサーにおける圧電材料を含む圧電素子は、極めて微弱なＡＥ波(弾性波)を受けてそれに対応するＡＥ信号を生成することから、圧電材料の密度の低さがＡＥ波の検出に良影響を及ぼす可能性があるとの着想を得た。そして、該着想に基づき、さらなる試験・研究を進める過程で、ＡＥセンサーの検出性能は、圧電材料の良好な圧電性能だけでなく、圧電材料の低密度も大きな影響を及ぼすことを発見した。
前述のように、一般的に、鉛フリー系圧電セラミックスの密度は鉛系圧電セラミックスより低い。例えば、ペロブスカイト構造を有する鉛フリー系圧電材料の密度は4.0〜6.5g/cm3程度で、一般に、ＰＺＴをはじめとした鉛系圧電セラミックスの密度(7.6〜8.1g/cm3程度)よりも約20〜50％程度も低いため、圧電性能が鉛系圧電セラミックスと比肩し得るものを選択することにより、鉛系圧電セラミックスを用いたＡＥセンサーよりも高感度になり得るとの従来の常識と全く懸隔した知見を得た。また、鉛は添加物、不純物あるいは助剤等として含まれる完全な鉛フリー系ではない場合も、密度はＰＺＴより低ければよい、密度は4.0〜6.5g/cm3程度であればより好ましい。
前述のように、一般的に、鉛フリー系圧電セラミックスの密度は鉛系圧電セラミックスより低い。例えば、ペロブスカイト構造を有する鉛フリー系圧電材料の密度は4.0〜6.5g/cm3程度で、一般に、ＰＺＴをはじめとした鉛系圧電セラミックスの密度(7.6〜8.1g/cm3程度)よりも約20〜50％程度も低いため、圧電性能が鉛系圧電セラミックスと比肩し得るものを選択することにより、鉛系圧電セラミックスを用いたＡＥセンサーよりも高感度になり得るとの従来の常識と全く懸隔した知見を得た。また、鉛は添加物、不純物あるいは助剤等として含まれる完全な鉛フリー系ではない場合も、密度はＰＺＴより低ければよい、密度は4.0〜6.5g/cm3程度であればより好ましい。
本発明は、そのような本発明者独自の着想や知見に基づいて完成させたものであり、本願では、次のような発明が提供される。
＜１＞圧電素子でＡＥ波を検出するＡＥセンサーにおいて、圧電素子の圧電材料として密度が4.0〜6.5g/cm3の圧電セラミックスを用いることを特徴とする広帯域化ＡＥセンサー。
＜２＞圧電素子でＡＥ波を検出するＡＥセンサーにおいて、圧電素子の圧電材料として密度が4.0〜6.5g/cm3の鉛フリー圧電セラミックスを用いることを特徴とする広帯域化ＡＥセンサー。
＜３＞圧電定数g33が12×10-3V・m/N以上であることを特徴とする＜１＞又は＜２＞に記載の広帯域化ＡＥセンサー。
＜４＞圧電素子からの出力を増幅するプリアンプを内蔵することを特徴とする＜１＞〜＜３＞のいずれか１項に記載の広帯域化ＡＥセンサー。
＜５＞防水シールされたケースを具備することを特徴とする＜１＞〜＜４＞のいずれか１項に記載の広帯域化ＡＥセンサー。
＜６＞鉛フリー圧電セラミックスが、一般式{Mx(NayLizK1-y-z)1-x}1-m{(Ti1-u-vZruHfv)x(Nb1-wTaw)1-x}O3で表される圧電固溶体組成物を含むものであることを特徴とする＜１＞〜＜５＞のいずれか１項に記載の広帯域化ＡＥセンサー。〔式中、Mは(Bi0.5K0.5)、(Bi0.5Na0.5)及び(Bi0．5Li0.5)からなる群から選ばれる少なくとも一種とBa、Sr、Ca及びMgからなる群から選ばれる少なくとも一種との組み合わせを示す；式中x,y,z,u,v,w及びmの範囲がそれぞれ0.06＜x≦0.3、0＜y≦1、0≦z≦0.3、0≦y+z≦1、0＜u≦1、0≦v≦0.75、0≦w≦0.2、0＜u+v≦1、-0.06≦m≦0.06である。〕
＜７＞鉛フリー圧電セラミックスが、一般式{(BaeSrfCagMgh)x(NayK1-y)1-x}{(Ti1-z-wZrzHfw)x(Nb1-u-vTauSbv)1-x}O3で表される圧電固溶体組成物を含むものであることを特徴とする＜１＞〜＜５＞のいずれか１項に記載の広帯域化ＡＥセンサー。〔式中e,f,g,h,x,y,z,u,v,wの範囲がそれぞれ0≦e≦1、0≦f≦1、0≦g≦1、0≦h≦1、e+f+g+h=1、0＜f+g+h＜0.05或いは0.2＜f+g+h≦1、0＜x≦0.2、0≦y≦1、0≦z≦1、0≦u≦0.5、0≦v≦0.4、0≦w≦1、z+w≦1であり、かつ(1-e)(1-f)(1-g)(1-h)+u+v+w+z＞0である。〕
＜１＞圧電素子でＡＥ波を検出するＡＥセンサーにおいて、圧電素子の圧電材料として密度が4.0〜6.5g/cm3の圧電セラミックスを用いることを特徴とする広帯域化ＡＥセンサー。
＜２＞圧電素子でＡＥ波を検出するＡＥセンサーにおいて、圧電素子の圧電材料として密度が4.0〜6.5g/cm3の鉛フリー圧電セラミックスを用いることを特徴とする広帯域化ＡＥセンサー。
＜３＞圧電定数g33が12×10-3V・m/N以上であることを特徴とする＜１＞又は＜２＞に記載の広帯域化ＡＥセンサー。
＜４＞圧電素子からの出力を増幅するプリアンプを内蔵することを特徴とする＜１＞〜＜３＞のいずれか１項に記載の広帯域化ＡＥセンサー。
＜５＞防水シールされたケースを具備することを特徴とする＜１＞〜＜４＞のいずれか１項に記載の広帯域化ＡＥセンサー。
＜６＞鉛フリー圧電セラミックスが、一般式{Mx(NayLizK1-y-z)1-x}1-m{(Ti1-u-vZruHfv)x(Nb1-wTaw)1-x}O3で表される圧電固溶体組成物を含むものであることを特徴とする＜１＞〜＜５＞のいずれか１項に記載の広帯域化ＡＥセンサー。〔式中、Mは(Bi0.5K0.5)、(Bi0.5Na0.5)及び(Bi0．5Li0.5)からなる群から選ばれる少なくとも一種とBa、Sr、Ca及びMgからなる群から選ばれる少なくとも一種との組み合わせを示す；式中x,y,z,u,v,w及びmの範囲がそれぞれ0.06＜x≦0.3、0＜y≦1、0≦z≦0.3、0≦y+z≦1、0＜u≦1、0≦v≦0.75、0≦w≦0.2、0＜u+v≦1、-0.06≦m≦0.06である。〕
＜７＞鉛フリー圧電セラミックスが、一般式{(BaeSrfCagMgh)x(NayK1-y)1-x}{(Ti1-z-wZrzHfw)x(Nb1-u-vTauSbv)1-x}O3で表される圧電固溶体組成物を含むものであることを特徴とする＜１＞〜＜５＞のいずれか１項に記載の広帯域化ＡＥセンサー。〔式中e,f,g,h,x,y,z,u,v,wの範囲がそれぞれ0≦e≦1、0≦f≦1、0≦g≦1、0≦h≦1、e+f+g+h=1、0＜f+g+h＜0.05或いは0.2＜f+g+h≦1、0＜x≦0.2、0≦y≦1、0≦z≦1、0≦u≦0.5、0≦v≦0.4、0≦w≦1、z+w≦1であり、かつ(1-e)(1-f)(1-g)(1-h)+u+v+w+z＞0である。〕
本発明は、次のような態様を含むことができる。
＜８＞x,y,z,u,v,w及びmの範囲がそれぞれ0.06＜x≦0.20、0.3≦y≦0.7、0≦z≦0.1、0.4≦y+z≦0.7、0＜u≦0.75、0≦v≦0.75、0≦w≦0.1、0＜u+v≦0.75、-0.03≦m≦0.03である＜６＞に記載の広帯域化ＡＥセンサー。
＜９＞x,y,z,u,v,w及びmの範囲がそれぞれ0.06＜x≦0.15、0.4≦y≦0.6、0≦z≦0.1、0≦y+z≦0.6、0＜u≦0.75、0≦v≦0.75、0≦w≦0.1、0＜u+v≦0.75、-0.03≦m≦0.03である＜８＞に記載の広帯域化ＡＥセンサー。
＜10＞e,f,g,h,x,y,z,u,v,wの範囲がそれぞれ0≦e≦1、0≦f≦1、0≦g≦1、0≦h≦1、e+f+g+h=1、0＜f+g+h＜0.05或いは0.2＜f+g+h≦1、0＜x≦0.2、0≦y≦0.8、0≦z≦0.75、0≦u≦0.5、0≦v≦0.4、0≦w≦0.75、z+w≦1である＜７＞に記載の広帯域化ＡＥセンサー。
＜11＞e,f,g,h,x,y,z,u,v,wの範囲がそれぞれ0≦e≦1、0≦f≦1、0≦g≦1、0≦h≦1、e+f+g+h=1、0＜f+g+h＜0.05或いは0.2＜f+g+h≦1、0＜x≦0.15、0≦y≦0.6、0≦z≦0.75、0≦u≦0.5、0≦v≦0.4、0≦w≦0.75、z+w≦1である＜１０＞に記載の広帯域化ＡＥセンサー。
＜12＞圧電定数g33が15×10-3V・m/N以上である＜３＞〜＜１１＞のいずれか１項に記載の広帯域化ＡＥセンサー。
＜13＞共振型である＜１＞〜＜１２＞のいずれか１項に記載の広帯域化ＡＥセンサー。
＜８＞x,y,z,u,v,w及びmの範囲がそれぞれ0.06＜x≦0.20、0.3≦y≦0.7、0≦z≦0.1、0.4≦y+z≦0.7、0＜u≦0.75、0≦v≦0.75、0≦w≦0.1、0＜u+v≦0.75、-0.03≦m≦0.03である＜６＞に記載の広帯域化ＡＥセンサー。
＜９＞x,y,z,u,v,w及びmの範囲がそれぞれ0.06＜x≦0.15、0.4≦y≦0.6、0≦z≦0.1、0≦y+z≦0.6、0＜u≦0.75、0≦v≦0.75、0≦w≦0.1、0＜u+v≦0.75、-0.03≦m≦0.03である＜８＞に記載の広帯域化ＡＥセンサー。
＜10＞e,f,g,h,x,y,z,u,v,wの範囲がそれぞれ0≦e≦1、0≦f≦1、0≦g≦1、0≦h≦1、e+f+g+h=1、0＜f+g+h＜0.05或いは0.2＜f+g+h≦1、0＜x≦0.2、0≦y≦0.8、0≦z≦0.75、0≦u≦0.5、0≦v≦0.4、0≦w≦0.75、z+w≦1である＜７＞に記載の広帯域化ＡＥセンサー。
＜11＞e,f,g,h,x,y,z,u,v,wの範囲がそれぞれ0≦e≦1、0≦f≦1、0≦g≦1、0≦h≦1、e+f+g+h=1、0＜f+g+h＜0.05或いは0.2＜f+g+h≦1、0＜x≦0.15、0≦y≦0.6、0≦z≦0.75、0≦u≦0.5、0≦v≦0.4、0≦w≦0.75、z+w≦1である＜１０＞に記載の広帯域化ＡＥセンサー。
＜12＞圧電定数g33が15×10-3V・m/N以上である＜３＞〜＜１１＞のいずれか１項に記載の広帯域化ＡＥセンサー。
＜13＞共振型である＜１＞〜＜１２＞のいずれか１項に記載の広帯域化ＡＥセンサー。
圧電素子の圧電材料として密度約4.0〜6.5g/cm3の圧電セラミックスを用いた本発明のＡＥセンサーは、共振周波数近傍において従来において通常使用されているＰＺＴを用いた鉛系ＡＥセンサーと同等程度かそれ以上の高い検出性能を示すとともに、かつ、鉛系ＡＥセンサーよりも広帯域で高感度を示し得る。特に、主成分がペロブスカイト構造を有する鉛フリー系圧電セラミックスを選択した場合や、さらに、そのうち密度が4.3〜5.0g/cm3で、(Na,K)NbO3を含有する組成物を主成分とするペロブスカイト構造の鉛フリー圧電セラミックスを選択した場合には、より広い周波数範囲において鉛系ＡＥセンサーよりも優れた検出感度を示すことができる。
この理由は現時点では明らかとなっていないが、次に述べるように、主に弾性波は、密度の高い媒質より、密度の低い媒質中を伝播する時の減衰が少ないことによるものと推定している。
媒質は厚さが波長に比べて十分薄い無限大板と仮定し、その面密度(単位面積あたりの質量)はｍ、入射波は角周波数ω=2πfの平面波が垂直入射するものとすると、超音波の透過損失(TL)は、理論的には式(５)によって定まる質量則が目安にされる。
TL = 18・log(f・m)-44 (５)
実際媒質は無限大板ではなく、式(５)は厳密的に成り立たないが、密度の高い媒質ほど、透過損失が大きく、いわゆる減衰が大きい傾向は変わらない。
よく研究されているペロブスカイト型鉛フリー系圧電セラミックスの母材であるBaTiO3、(Na0.5K0.5)NbO3、(Bi0.5Na0.5)TiO3の密度ρはそれぞれ約6.05、4.50、5.96ｇ/cm3で、ＰＺＴの約8ｇ/cm3より小さい。元素添加などにより圧電特性が高性能化されたBaTiO3、(Na0.5K0.5)NbO3、(Bi0.5Na0.5)TiO3を基礎組成とする鉛フリー圧電セラミックスも、その密度は4.0〜6.5ｇ/cm3範囲であり、ＰＺＴより小さい。従って、弾性波はＰＺＴより、鉛フリー圧電セラミックスを伝播する時の減衰が少ない。
外部から伝えられてきた弾性波がＡＥセンサーの圧電振動子内で減衰が少なくなることは、圧電振動子を歪ませる能力がより長距離においても維持できることと同等であると言える。これは、密度の小さい鉛フリー圧電セラミックスを用いた鉛フリーＡＥセンサーは広い周波数範囲で高感度を示すことに繋がっていると考えられる。
媒質は厚さが波長に比べて十分薄い無限大板と仮定し、その面密度(単位面積あたりの質量)はｍ、入射波は角周波数ω=2πfの平面波が垂直入射するものとすると、超音波の透過損失(TL)は、理論的には式(５)によって定まる質量則が目安にされる。
TL = 18・log(f・m)-44 (５)
実際媒質は無限大板ではなく、式(５)は厳密的に成り立たないが、密度の高い媒質ほど、透過損失が大きく、いわゆる減衰が大きい傾向は変わらない。
よく研究されているペロブスカイト型鉛フリー系圧電セラミックスの母材であるBaTiO3、(Na0.5K0.5)NbO3、(Bi0.5Na0.5)TiO3の密度ρはそれぞれ約6.05、4.50、5.96ｇ/cm3で、ＰＺＴの約8ｇ/cm3より小さい。元素添加などにより圧電特性が高性能化されたBaTiO3、(Na0.5K0.5)NbO3、(Bi0.5Na0.5)TiO3を基礎組成とする鉛フリー圧電セラミックスも、その密度は4.0〜6.5ｇ/cm3範囲であり、ＰＺＴより小さい。従って、弾性波はＰＺＴより、鉛フリー圧電セラミックスを伝播する時の減衰が少ない。
外部から伝えられてきた弾性波がＡＥセンサーの圧電振動子内で減衰が少なくなることは、圧電振動子を歪ませる能力がより長距離においても維持できることと同等であると言える。これは、密度の小さい鉛フリー圧電セラミックスを用いた鉛フリーＡＥセンサーは広い周波数範囲で高感度を示すことに繋がっていると考えられる。
本発明のＡＥセンサーは、圧電素子に鉛を含まない圧電材料を用いることが可能のため、橋やトンネル等の屋外の構造物に使用しても、環境が鉛に汚染される恐れが無いので、環境負荷低減の観点からも望ましいものである。
ＡＥセンサーは、例えば図１(Ａ)のように、ＡＥ波の検出対象である構造物等に取り付けられ、構造物等の亀裂の発生や進展に伴い生起するＡＥ波(弾性波)を検出する。
一般のＡＥセンサーは、例えば図１(Ｂ)のように、構造物等に接し、ＡＥ波を受信するアルミナ等の絶縁物(例えば、絶縁性セラミックス)からなる受信板と、受信板表面に取り付けられる圧電素子と、受信板の周囲に結合し、圧電体を保護したり、内部をシールドしたりするアルミやステンレス等からなるケースを含む。圧電素子を構成する圧電材料からなる圧電体は、一方の電極となる銀蒸着等を介して受信板表面に取り付けられる。前記ケースには、ＡＥ波により圧電素子に生じた検出信号をケース外に取り出すコネクタやケースを適宜開閉し得るフタを備えることができる。
一般のＡＥセンサーは、例えば図１(Ｂ)のように、構造物等に接し、ＡＥ波を受信するアルミナ等の絶縁物(例えば、絶縁性セラミックス)からなる受信板と、受信板表面に取り付けられる圧電素子と、受信板の周囲に結合し、圧電体を保護したり、内部をシールドしたりするアルミやステンレス等からなるケースを含む。圧電素子を構成する圧電材料からなる圧電体は、一方の電極となる銀蒸着等を介して受信板表面に取り付けられる。前記ケースには、ＡＥ波により圧電素子に生じた検出信号をケース外に取り出すコネクタやケースを適宜開閉し得るフタを備えることができる。
ＡＥセンサーには、図２(ａ)〜(ｃ)に示されるように、圧電素子の負極側がシステムのコモンに接続され、正極側からの信号を利用する、最も一般的な不平衡型〔図２(ａ)参照〕、二つのコネクタを用い、それらの同相成分を除去し逆位相成分を増幅し、センサー・プリアンプ間に混入する雑音を原理的にはキャンセルできる平衡型〔又は差動型；図２(ｂ)参照〕、圧電体とプリアンプ間の雑音をほぼ完全に遮断できるとともに、センサーから最大数百ｍ離れた計測装置に直接接続できる、プリアンプ内蔵型〔図２(ｃ)参照〕が存在する。
その他にも、図示しないが、防水型、防油型、高温型、２重ケース絶縁型、耐圧型などのものも存在する。
その他にも、図示しないが、防水型、防油型、高温型、２重ケース絶縁型、耐圧型などのものも存在する。
本発明のＡＥセンサーは、それらのいずれの種類であっても良く、ＡＥセンサーの圧電素子に用いる圧電材料を、本発明において規定する特定のものとする点に特徴を有している。
本発明のＡＥセンサーは、下記の実施例に記載するように、共振型(圧電素子の周囲を覆うダンパ材を有しないもの)としたときに市販のものよりも広帯域(例えば、30〜700kHz、100〜850kHz、30〜1000kHz等の範囲)で高い感度を有する。また、本発明のＡＥセンサーの圧電素子に用いられる密度の低い圧電材料は広帯域型(圧電素子の周囲を覆うダンパ材を有するもの)構造ＡＥセンサーの圧電素子としても利用することができる。
本発明のＡＥセンサーは、下記の実施例に記載するように、共振型(圧電素子の周囲を覆うダンパ材を有しないもの)としたときに市販のものよりも広帯域(例えば、30〜700kHz、100〜850kHz、30〜1000kHz等の範囲)で高い感度を有する。また、本発明のＡＥセンサーの圧電素子に用いられる密度の低い圧電材料は広帯域型(圧電素子の周囲を覆うダンパ材を有するもの)構造ＡＥセンサーの圧電素子としても利用することができる。
圧電材料としては、鉛系圧電セラミックスと鉛フリー系圧電セラミックスが存在し、それぞれ各種のものが存在するが、圧電定数d33、g33等の圧電性能は、例えば図３や表１に示されるように、鉛系圧電セラミックスの方が鉛フリー系よりも高いことが知られている。ＰＺＴの中でもソフト系のものは、より高い圧電性能を示す。一方、密度については、鉛フリー系セラミックスの方が鉛系よりも相当に低い(表１参照)。なお、本明細書において、「密度」は、「見かけ密度」を意味するが、鉛フリー系セラミックスの相対密度は通常95％以上であるので、真密度の数値との差異は通常5％以下であると考えられる。
本発明者は、ＡＥセンサーの圧電素子に用いる圧電材料として、圧電性能が高く、かつ、密度が低いものがＡＥ波の検出性能において望ましいことを発見した。
本発明で用いる、(Na,K)NbO3を含有する組成物を主成分とするペロブスカイト構造のような鉛フリー系圧電セラミックスは、圧電性能がソフトＰＺＴよりもやや劣るものの、ソフトＰＺＴよりも40％程度密度が低いため、ソフトＰＺＴと同様かそれ以上のＡＥ波検出性能を示す。
本発明で用いる、(Na,K)NbO3を含有する組成物を主成分とするペロブスカイト構造のような鉛フリー系圧電セラミックスは、圧電性能がソフトＰＺＴよりもやや劣るものの、ソフトＰＺＴよりも40％程度密度が低いため、ソフトＰＺＴと同様かそれ以上のＡＥ波検出性能を示す。
そのような鉛フリー系圧電セラミックスとしては、次の一般式(６)や一般式(７)で表される圧電固溶体組成物などが挙げられる(特許文献１０、１１参照)。
{Mx(NayLizK1-y-z)1-x}1-m{(Ti1-u-vZruHfv)x(Nb1-wTaw)1-x}O3 (６)
〔式中、Mは(Bi0.5K0.5)、(Bi0.5Na0.5)及び(Bi0．5Li0.5)からなる群から選ばれる少なくとも一種とBa、Sr、Ca及びMgからなる群から選ばれる少なくとも一種との組み合わせを示す；式中x,y,z,u,v,w及びmの範囲がそれぞれ0.06＜x≦0.3、0＜y≦1、0≦z≦0.3、0≦y+z≦1、0＜u≦1、0≦v≦0.75、0≦w≦0.2、0＜u+v≦1、-0.06≦m≦0.06である。〕
これらのもののうち、特に、0.06＜x≦0.20、0.3≦y≦0.7、0≦z≦0.1、0.3≦y+z≦0.7、0＜u≦0.75、0≦v≦0.75、0≦w≦0.1、0＜u+v≦0.75、-0.03≦m≦0.03等が好ましく、より好ましくは、0.06＜x≦0.15、0.4≦y≦0.6、0≦z≦0.1、0.4≦y+z≦0.6、0＜u≦0.75、0≦v≦0.75、0≦w≦0.1、0＜u+v≦0.75、-0.03≦m≦0.03等である。
{(BaeSrfCagMgh)x(NayK1-y)1-x}{(Ti1-z-wZrzHfw)x(Nb1-u-vTauSbv)1-x}O3 (７)
〔式中e,f,g,h,x,y,z,u,v,wの範囲がそれぞれ0≦e≦1、0≦f≦1、0≦g≦1、0≦h≦1、e+f+g+h=1、0＜f+g+h＜0.05或いは0.2＜f+g+h≦1、0＜x≦0.2、0≦y≦1、0≦z≦1、0≦u≦0.5、0≦v≦0.4、0≦w≦1、z+w≦1であり、かつ(1-e)(1-f)(1-g)(1-h)+u+v+w+z＞0である。〕
これらのもののうち、特に、0≦e≦1、0≦f≦1、0≦g≦1、0≦h≦1、e+f+g+h=1、0＜f+g+h＜0.05或いは0.2＜f+g+h≦1、0＜x≦0.2、0≦y≦0.8、0≦z≦0.75、0≦u≦0.5、0≦v≦0.4、0≦w≦0.75、z+w≦1等が好ましく、より好ましくは、0≦e≦1、0≦f≦1、0≦g≦1、0≦h≦1、e+f+g+h=1、0＜f+g+h＜0.05或いは0.2＜f+g+h≦1、0＜x≦0.15、0≦y≦0.6、0≦z≦0.75、0≦u≦0.5、0≦v≦0.4、0≦w≦0.75、z+w≦1等である。
本発明の広帯域化ＡＥセンサーにおける鉛フリー圧電セラミックスとして前記式(６)や式(７)からなるものを用いる場合、そのいずれかの成分量が100重量％であることが好ましいが、他の鉛フリー圧電セラミックスや添加元素(例えば、金属元素もしくは金属化合物)を少量(例えば、30重量％以下、好ましくは10重量％以下、より好ましくは5重量％以下)含ませることもできる。
{Mx(NayLizK1-y-z)1-x}1-m{(Ti1-u-vZruHfv)x(Nb1-wTaw)1-x}O3 (６)
〔式中、Mは(Bi0.5K0.5)、(Bi0.5Na0.5)及び(Bi0．5Li0.5)からなる群から選ばれる少なくとも一種とBa、Sr、Ca及びMgからなる群から選ばれる少なくとも一種との組み合わせを示す；式中x,y,z,u,v,w及びmの範囲がそれぞれ0.06＜x≦0.3、0＜y≦1、0≦z≦0.3、0≦y+z≦1、0＜u≦1、0≦v≦0.75、0≦w≦0.2、0＜u+v≦1、-0.06≦m≦0.06である。〕
これらのもののうち、特に、0.06＜x≦0.20、0.3≦y≦0.7、0≦z≦0.1、0.3≦y+z≦0.7、0＜u≦0.75、0≦v≦0.75、0≦w≦0.1、0＜u+v≦0.75、-0.03≦m≦0.03等が好ましく、より好ましくは、0.06＜x≦0.15、0.4≦y≦0.6、0≦z≦0.1、0.4≦y+z≦0.6、0＜u≦0.75、0≦v≦0.75、0≦w≦0.1、0＜u+v≦0.75、-0.03≦m≦0.03等である。
{(BaeSrfCagMgh)x(NayK1-y)1-x}{(Ti1-z-wZrzHfw)x(Nb1-u-vTauSbv)1-x}O3 (７)
〔式中e,f,g,h,x,y,z,u,v,wの範囲がそれぞれ0≦e≦1、0≦f≦1、0≦g≦1、0≦h≦1、e+f+g+h=1、0＜f+g+h＜0.05或いは0.2＜f+g+h≦1、0＜x≦0.2、0≦y≦1、0≦z≦1、0≦u≦0.5、0≦v≦0.4、0≦w≦1、z+w≦1であり、かつ(1-e)(1-f)(1-g)(1-h)+u+v+w+z＞0である。〕
これらのもののうち、特に、0≦e≦1、0≦f≦1、0≦g≦1、0≦h≦1、e+f+g+h=1、0＜f+g+h＜0.05或いは0.2＜f+g+h≦1、0＜x≦0.2、0≦y≦0.8、0≦z≦0.75、0≦u≦0.5、0≦v≦0.4、0≦w≦0.75、z+w≦1等が好ましく、より好ましくは、0≦e≦1、0≦f≦1、0≦g≦1、0≦h≦1、e+f+g+h=1、0＜f+g+h＜0.05或いは0.2＜f+g+h≦1、0＜x≦0.15、0≦y≦0.6、0≦z≦0.75、0≦u≦0.5、0≦v≦0.4、0≦w≦0.75、z+w≦1等である。
本発明の広帯域化ＡＥセンサーにおける鉛フリー圧電セラミックスとして前記式(６)や式(７)からなるものを用いる場合、そのいずれかの成分量が100重量％であることが好ましいが、他の鉛フリー圧電セラミックスや添加元素(例えば、金属元素もしくは金属化合物)を少量(例えば、30重量％以下、好ましくは10重量％以下、より好ましくは5重量％以下)含ませることもできる。
以下、本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明するが、本発明は、この実施例に限定されるものではない。
（実施例１）
一般式{Mx(NayLizK1-y-z)1-x}1-m{(Ti1-u-vZruHfv)x(Nb1-wTaw)1-x}O3において、Mとして(Bi0.5Li0.5)とBaとを組み合わせ、x=0.08,y=0.50,z=v=w=0,m=0としつつ、uの値を0.06とした鉛フリー圧電セラミックス(表１の組成１)を用いて、図２(ａ)に示すような、不平衡型で、プリアンプを含まない、共振周波数約150kHzの実施例１の共振型ＡＥセンサーを作製した。100〜1000kHz周波数範囲における縦波の検出感度を調べ、図４(Ａ)に示す。
一般式{Mx(NayLizK1-y-z)1-x}1-m{(Ti1-u-vZruHfv)x(Nb1-wTaw)1-x}O3において、Mとして(Bi0.5Li0.5)とBaとを組み合わせ、x=0.08,y=0.50,z=v=w=0,m=0としつつ、uの値を0.06とした鉛フリー圧電セラミックス(表１の組成１)を用いて、図２(ａ)に示すような、不平衡型で、プリアンプを含まない、共振周波数約150kHzの実施例１の共振型ＡＥセンサーを作製した。100〜1000kHz周波数範囲における縦波の検出感度を調べ、図４(Ａ)に示す。
（実施例２）
一般式{Mx(NayLizK1-y-z)1-x}1-m{(Ti1-u-vZruHfv)x(Nb1-wTaw)1-x}O3において、Mとして(Bi0.5K0.5)とCaとを組み合わせ、x=0.08,y=0.50,z=v=w=0,m=0としつつ、uの値を0.04とした鉛フリー圧電セラミックス(表１の組成２)を用いて、図２(ｂ)に示すような、不平衡型で、プリアンプを含まない、共振周波数約150kHzの実施例２の共振型ＡＥセンサーを作製した。30〜1000kHz周波数範囲における縦波の検出感度を調べ、図４(Ｂ)に示す。
一般式{Mx(NayLizK1-y-z)1-x}1-m{(Ti1-u-vZruHfv)x(Nb1-wTaw)1-x}O3において、Mとして(Bi0.5K0.5)とCaとを組み合わせ、x=0.08,y=0.50,z=v=w=0,m=0としつつ、uの値を0.04とした鉛フリー圧電セラミックス(表１の組成２)を用いて、図２(ｂ)に示すような、不平衡型で、プリアンプを含まない、共振周波数約150kHzの実施例２の共振型ＡＥセンサーを作製した。30〜1000kHz周波数範囲における縦波の検出感度を調べ、図４(Ｂ)に示す。
（比較例１との比較）
一方、比較例１として、市販のＰＺＴ製ＡＥセンサー(Physical Acoustics Corporation製、型番：R15-Alpha、共振型でかつ不平衡型)の検出感度を図４(Ｃ)に示す。
実施例１の共振周波数での感度は約70dBで、比較例１のＰＺＴ製ＡＥセンサーとほぼ同様である。実施例２の共振周波数での感度は約60dBで、比較例１のＰＺＴ製ＡＥセンサーよりやや低い。しかし、比較例１のＰＺＴ製ＡＥセンサーの感度は周波数が高くなるにつれ顕著に低下し、500kHz(0.5MHz)より高い周波数範囲で30dB以下であるのに対して、実施例１・実施例２の感度は約700kHzまで30dB以上で、比較例１より広い周波数帯において優れた検出感度を示す。特に実施例２は、30〜1000kHz周波数範囲でほぼ30dB以上の感度を示し、周波数応答性は特に優れている。
一方、比較例１として、市販のＰＺＴ製ＡＥセンサー(Physical Acoustics Corporation製、型番：R15-Alpha、共振型でかつ不平衡型)の検出感度を図４(Ｃ)に示す。
実施例１の共振周波数での感度は約70dBで、比較例１のＰＺＴ製ＡＥセンサーとほぼ同様である。実施例２の共振周波数での感度は約60dBで、比較例１のＰＺＴ製ＡＥセンサーよりやや低い。しかし、比較例１のＰＺＴ製ＡＥセンサーの感度は周波数が高くなるにつれ顕著に低下し、500kHz(0.5MHz)より高い周波数範囲で30dB以下であるのに対して、実施例１・実施例２の感度は約700kHzまで30dB以上で、比較例１より広い周波数帯において優れた検出感度を示す。特に実施例２は、30〜1000kHz周波数範囲でほぼ30dB以上の感度を示し、周波数応答性は特に優れている。
（実施例３）
実施例１と同じ組成の鉛フリー圧電セラミックス(表１の組成１)を用いて、図２(ｃ)に示すような、プリアンプ内蔵の防水型である、共振周波数は約150kHzの実施例３の共振型ＡＥセンサーを作製した。プリアンプの利得は40dBである。30〜1000kHz周波数範囲における縦波の検出感度を調べ、図５(Ａ)に示す。
実施例１と同じ組成の鉛フリー圧電セラミックス(表１の組成１)を用いて、図２(ｃ)に示すような、プリアンプ内蔵の防水型である、共振周波数は約150kHzの実施例３の共振型ＡＥセンサーを作製した。プリアンプの利得は40dBである。30〜1000kHz周波数範囲における縦波の検出感度を調べ、図５(Ａ)に示す。
（実施例４）
実施例２と同じ組成の鉛フリー圧電セラミックス(表１の組成２)を用いて、図２(ｃ)に示すような、プリアンプ内蔵の防水型である、共振周波数は約150kHzの実施例４の共振型ＡＥセンサーを作製した。プリアンプの利得は40dBである。30〜1000kHz周波数範囲における縦波の検出感度を調べ、図５(Ｂ)に示す。
実施例２と同じ組成の鉛フリー圧電セラミックス(表１の組成２)を用いて、図２(ｃ)に示すような、プリアンプ内蔵の防水型である、共振周波数は約150kHzの実施例４の共振型ＡＥセンサーを作製した。プリアンプの利得は40dBである。30〜1000kHz周波数範囲における縦波の検出感度を調べ、図５(Ｂ)に示す。
（比較例２との比較）
一方、比較例２として、市販のＰＺＴ製ＡＥセンサー(Physical Acoustics Corporation製、型番：R15I-AST、共振型、不平衡型でかつ利得40dBのプリアンプ内蔵型)の検出感度を図５(Ｃ)に示す。
実施例３・実施例４の共振周波数での感度は約110dBで、比較例２のＰＺＴ製ＡＥセンサーとほぼ同様である。しかし、比較例２のＰＺＴ製ＡＥセンサーの感度は周波数が高くなるにつれ顕著に低下し、約450kHz(0.45MHz)より高い周波数範囲で70dB以下であるのに対して、実施例３・実施例４の感度は30〜1000kHzまでの全周波数範囲で70dB以上で、比較例２より広い周波数帯において優れた検出感度を示す。
また、図７に、実施例３の鉛フリーＡＥセンサーと比較例２のＡＥセンサーの両方を橋につけて、時間経過(横軸)の際に車や振動による発生するＡＥ信号(縦軸)を同時に実測した結果を示す。実施例３は比較例２より広帯域に微弱信号の測定能力が高いことが明らかである。
一方、比較例２として、市販のＰＺＴ製ＡＥセンサー(Physical Acoustics Corporation製、型番：R15I-AST、共振型、不平衡型でかつ利得40dBのプリアンプ内蔵型)の検出感度を図５(Ｃ)に示す。
実施例３・実施例４の共振周波数での感度は約110dBで、比較例２のＰＺＴ製ＡＥセンサーとほぼ同様である。しかし、比較例２のＰＺＴ製ＡＥセンサーの感度は周波数が高くなるにつれ顕著に低下し、約450kHz(0.45MHz)より高い周波数範囲で70dB以下であるのに対して、実施例３・実施例４の感度は30〜1000kHzまでの全周波数範囲で70dB以上で、比較例２より広い周波数帯において優れた検出感度を示す。
また、図７に、実施例３の鉛フリーＡＥセンサーと比較例２のＡＥセンサーの両方を橋につけて、時間経過(横軸)の際に車や振動による発生するＡＥ信号(縦軸)を同時に実測した結果を示す。実施例３は比較例２より広帯域に微弱信号の測定能力が高いことが明らかである。
（実施例５）
実施例１と同じ組成の鉛フリー圧電セラミックス(組成１)を用いて、図２(ｃ)に示すような、プリアンプ内蔵の防水型である、共振周波数は約600kHzの実施例５の共振型ＡＥセンサーを作製した。100〜1000kHz周波数範囲における縦波の検出感度を調べ、図６(Ａ)に示す。
実施例１と同じ組成の鉛フリー圧電セラミックス(組成１)を用いて、図２(ｃ)に示すような、プリアンプ内蔵の防水型である、共振周波数は約600kHzの実施例５の共振型ＡＥセンサーを作製した。100〜1000kHz周波数範囲における縦波の検出感度を調べ、図６(Ａ)に示す。
（比較例３との比較）
一方、比較例３として、市販のＰＺＴ製ワイドバンド型ＡＥセンサー(Physical Acoustics Corporation製、型番：WDI、不平衡型、利得40dBのプリアンプ内蔵型)の検出感度を図６(Ｂ)に示す。
100〜1000kHzの周波数範囲で、比較例３のＰＺＴ製ＡＥセンサーの感度の最大値は約96dBで、最小値は約60dBで、感度の差は36dBである。同じ周波数範囲で、実施例５の感度の最大値は約99dBで、最小値は約71dBで、感度の差は約28dBで、比較例３より小さい。特に実施例５の感度は、100kHzから約850kHzまでの広い周波数範囲で99dBと80dB間の値を示し、変化が少なく、周波数応答性は特に優れている。
一方、比較例３として、市販のＰＺＴ製ワイドバンド型ＡＥセンサー(Physical Acoustics Corporation製、型番：WDI、不平衡型、利得40dBのプリアンプ内蔵型)の検出感度を図６(Ｂ)に示す。
100〜1000kHzの周波数範囲で、比較例３のＰＺＴ製ＡＥセンサーの感度の最大値は約96dBで、最小値は約60dBで、感度の差は36dBである。同じ周波数範囲で、実施例５の感度の最大値は約99dBで、最小値は約71dBで、感度の差は約28dBで、比較例３より小さい。特に実施例５の感度は、100kHzから約850kHzまでの広い周波数範囲で99dBと80dB間の値を示し、変化が少なく、周波数応答性は特に優れている。
本発明の広帯域化ＡＥセンサーは、ＡＥ波検出性能が高く、しかも、圧電材料として鉛を含まないものを使用することが可能であるから、ガスタンク漏洩監視、石油タンクの腐食監視、疲労試験時の損傷発見検知、異常音検知による回転機器監視、コンクリート構造物の破壊特性評価、金型・工具損傷検知、航空機機体負荷試験時の損傷発生検知、複合材健全性検査、圧力容器耐圧試験時の損傷発生検知、橋やトンネルなどの構造物の健全性モニタリングなどに環境汚染の恐れなく安心して使用することができる。
Claims (7)
- 圧電素子でＡＥ波を検出するＡＥセンサーにおいて、圧電素子の圧電材料として密度が4.0〜6.5g/cm3の圧電セラミックスを用いることを特徴とする広帯域化ＡＥセンサー。
- 圧電素子でＡＥ波を検出するＡＥセンサーにおいて、圧電素子の圧電材料として密度が4.0〜6.5g/cm3の鉛フリー圧電セラミックスを用いることを特徴とする広帯域化ＡＥセンサー。
- 圧電定数g33が12×10-3V・m/N以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載の広帯域化ＡＥセンサー。
- 圧電素子からの出力を増幅するプリアンプを内蔵することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の広帯域化ＡＥセンサー。
- 防水シールされたケースを具備することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の広帯域化ＡＥセンサー。
- 鉛フリー圧電セラミックスが、一般式{Mx(NayLizK1-y-z)1-x}1-m{(Ti1-u-vZruHfv)x(Nb1-wTaw)1-x}O3で表される圧電固溶体組成物を含むものであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の広帯域化ＡＥセンサー。〔式中、Mは(Bi0.5K0.5)、(Bi0.5Na0.5)及び(Bi0．5Li0.5)からなる群から選ばれる少なくとも一種とBa、Sr、Ca及びMgからなる群から選ばれる少なくとも一種との組み合わせを示す；式中x,y,z,u,v,w及びmの範囲がそれぞれ0.06＜x≦0.3、0＜y≦1、0≦z≦0.3、0≦y+z≦1、0＜u≦1、0≦v≦0.75、0≦w≦0.2、0＜u+v≦1、-0.06≦m≦0.06である。〕
- 鉛フリー圧電セラミックスが、一般式{(BaeSrfCagMgh)x(NayK1-y)1-x}{(Ti1-z-wZrzHfw)x(Nb1-u-vTauSbv)1-x}O3で表される圧電固溶体組成物を含むものであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の広帯域化ＡＥセンサー。〔式中e,f,g,h,x,y,z,u,v,wの範囲がそれぞれ0≦e≦1、0≦f≦1、0≦g≦1、0≦h≦1、e+f+g+h=1、0＜f+g+h＜0.05或いは0.2＜f+g+h≦1、0＜x≦0.2、0≦y≦1、0≦z≦1、0≦u≦0.5、0≦v≦0.4、0≦w≦1、z+w≦1であり、かつ(1-e)(1-f)(1-g)(1-h)+u+v+w+z＞0である。〕
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014147819A JP6388804B2 (ja) | 2014-07-18 | 2014-07-18 | 広帯域化高感度ａｅセンサー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014147819A JP6388804B2 (ja) | 2014-07-18 | 2014-07-18 | 広帯域化高感度ａｅセンサー |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016025193A true JP2016025193A (ja) | 2016-02-08 |
| JP6388804B2 JP6388804B2 (ja) | 2018-09-12 |
Family
ID=55271724
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014147819A Active JP6388804B2 (ja) | 2014-07-18 | 2014-07-18 | 広帯域化高感度ａｅセンサー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6388804B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109682889A (zh) * | 2017-10-19 | 2019-04-26 | 古野电气株式会社 | 收发器 |
| JP2021032287A (ja) * | 2019-08-21 | 2021-03-01 | 日立Ｇｅニュークリア・エナジー株式会社 | 状態監視システムおよび方法 |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000097682A (ja) * | 1998-09-18 | 2000-04-07 | Fuji Ceramics:Kk | 磁気ディスクグライド検査用ａｅセンサ |
| JP2000313664A (ja) * | 1999-02-24 | 2000-11-14 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | アルカリ金属含有ニオブ酸化物系圧電材料組成物 |
| JP2003034574A (ja) * | 2001-07-24 | 2003-02-07 | Kyocera Corp | 圧電磁器組成物および圧電共振子 |
| JP2006206429A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-08-10 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 圧電性固溶体組成物及びこれを焼結した圧電セラミックス並びにこの圧電セラミックスを用いた圧電・誘電素子 |
| JP2007145650A (ja) * | 2005-11-28 | 2007-06-14 | Kyocera Corp | 圧電磁器組成物および圧電磁器 |
| WO2008143160A1 (ja) * | 2007-05-16 | 2008-11-27 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | 圧電セラミックス及びこれを用いた圧電・誘電・焦電素子 |
| JP2009096668A (ja) * | 2007-10-16 | 2009-05-07 | Univ Nagoya | 圧電セラミックス |
| JP2010047465A (ja) * | 2008-07-25 | 2010-03-04 | Kyocera Corp | 圧電磁器およびそれを用いた圧電素子 |
| JP2010095404A (ja) * | 2008-10-16 | 2010-04-30 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | 非鉛圧電セラミックス及びこれを用いた圧電・誘電・焦電素子 |
| JP2011211139A (ja) * | 2010-03-12 | 2011-10-20 | Seiko Epson Corp | 液体噴射ヘッド及びそれを用いた液体噴射装置並びに圧電素子 |
| JP2013077940A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-25 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 超音波振動子、超音波探触子及び超音波画像診断装置 |
-
2014
- 2014-07-18 JP JP2014147819A patent/JP6388804B2/ja active Active
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000097682A (ja) * | 1998-09-18 | 2000-04-07 | Fuji Ceramics:Kk | 磁気ディスクグライド検査用ａｅセンサ |
| JP2000313664A (ja) * | 1999-02-24 | 2000-11-14 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | アルカリ金属含有ニオブ酸化物系圧電材料組成物 |
| JP2003034574A (ja) * | 2001-07-24 | 2003-02-07 | Kyocera Corp | 圧電磁器組成物および圧電共振子 |
| JP2006206429A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-08-10 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 圧電性固溶体組成物及びこれを焼結した圧電セラミックス並びにこの圧電セラミックスを用いた圧電・誘電素子 |
| JP2007145650A (ja) * | 2005-11-28 | 2007-06-14 | Kyocera Corp | 圧電磁器組成物および圧電磁器 |
| WO2008143160A1 (ja) * | 2007-05-16 | 2008-11-27 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | 圧電セラミックス及びこれを用いた圧電・誘電・焦電素子 |
| JP2009096668A (ja) * | 2007-10-16 | 2009-05-07 | Univ Nagoya | 圧電セラミックス |
| JP2010047465A (ja) * | 2008-07-25 | 2010-03-04 | Kyocera Corp | 圧電磁器およびそれを用いた圧電素子 |
| JP2010095404A (ja) * | 2008-10-16 | 2010-04-30 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | 非鉛圧電セラミックス及びこれを用いた圧電・誘電・焦電素子 |
| JP2011211139A (ja) * | 2010-03-12 | 2011-10-20 | Seiko Epson Corp | 液体噴射ヘッド及びそれを用いた液体噴射装置並びに圧電素子 |
| JP2013077940A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-25 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 超音波振動子、超音波探触子及び超音波画像診断装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109682889A (zh) * | 2017-10-19 | 2019-04-26 | 古野电气株式会社 | 收发器 |
| CN109682889B (zh) * | 2017-10-19 | 2023-02-28 | 古野电气株式会社 | 收发器 |
| JP2021032287A (ja) * | 2019-08-21 | 2021-03-01 | 日立Ｇｅニュークリア・エナジー株式会社 | 状態監視システムおよび方法 |
| JP7221829B2 (ja) | 2019-08-21 | 2023-02-14 | 日立Ｇｅニュークリア・エナジー株式会社 | 状態監視システムおよび方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP6388804B2 (ja) | 2018-09-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Dumoulin et al. | Real-time fast ultrasonic monitoring of concrete cracking using embedded piezoelectric transducers | |
| KR101776089B1 (ko) | 표면탄성파 센서 시스템 및 다중울림파를 이용한 측정 방법 | |
| US20140060193A1 (en) | Devices, systems, and methods for non-destructive testing of materials and structures | |
| JP6388804B2 (ja) | 広帯域化高感度ａｅセンサー | |
| Bah et al. | Ultrasonic transducers based on undoped lead-free (K0. 5Na0. 5) NbO3 ceramics | |
| Zhang et al. | Numerical approach to absolute calibration of piezoelectric acoustic emission sensors using multiphysics simulations | |
| Frau et al. | Analysis of elastic nonlinearity for impact damage detection in composite laminates | |
| Lu et al. | Conjunctive and compromised data fusion schemes for identification of multiple notches in an aluminium plate using lamb wave signals | |
| CN206020343U (zh) | 超声波探头锣型晶片及使用超声波探头锣型晶片的探头 | |
| JP4244172B2 (ja) | 高温用超音波探触子 | |
| RU2504766C1 (ru) | Преобразователь акустической эмиссии | |
| Wang et al. | Damage identification of thin plate-like structures combining improved singular spectrum analysis and multiscale cross-sample entropy (ISSA-MCSEn) | |
| CN102841146A (zh) | 用于横波探伤的斜探头和横波探伤方法 | |
| KR101263272B1 (ko) | 공진형 음향방출센서 | |
| Liu et al. | Broadband ultrasonic transducer based on textured lead-free NKN-based piezoceramics | |
| Kwong et al. | Non-destructive concrete strength evaluation using PZT based surface wave propagation technique–a comparative study | |
| CN112285202A (zh) | 一种面向变曲率pbx表面裂纹的无损检测方法及传感器 | |
| CN206960415U (zh) | 一种超声波探头 | |
| Rouffaud et al. | Electro-elastic moduli and frequency dependence of KN single crystal | |
| JPS6132837B2 (ja) | ||
| US11474074B2 (en) | Detection apparatus, convergence member, and noise cancellation system | |
| CN202757913U (zh) | 用于横波探伤的斜探头 | |
| RU123531U1 (ru) | Преобразователь акустической эмиссии | |
| CN104635226A (zh) | 一种改进型传感器 | |
| Tittmann et al. | A survey of ultrasonic piezoelectrics for high temperatures |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170615 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180314 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180320 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180511 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180814 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180815 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6388804 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |