JP2016019068A - 高周波増幅器 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は第1の実施形態の高周波増幅器1の各構成要素の接続関係と平面上の配置例とを模式的に示した配置図である。図1に示した高周波増幅器1は、2つの増幅回路を多段接続した多段型の増幅器である。図1に示した高周波増幅器1は、集積回路2と、パッケージ3と、端子11、12、13、14、15及び16とを備える。集積回路2は、トランジスタ21及び22と、整合回路31、32、33及び34と、抵抗器41及び42と、キャパシタ51、52及び53と、インダクタ61及び62とを備える。なお、高周波増幅器1の回路のグランドは次のように外部の図示していない電源回路等と接続することができる。すなわち、例えばパッケージ3の一部又は全部を金属で形成する。そして、パッケージ3の金属部を回路のグランドに接続することで、パッケージ3を介して回路のグランドを外部に接続することができる。また、パッケージ3は、プラスチック、セラミック等で形成してもよく、この場合、別途パッケージ3に図示していないグランド端子を設けて回路のグランドを外部と接続してもよい。グランド端子は、1つでもよいし、複数でもよい。また、グランド端子を複数設ける場合には、パッケージ3の複数の側面にグランド端子を分けて設けることができる。
図2は第2の実施形態の高周波増幅器1aの各構成要素の接続関係と平面上の配置例とを模式的に示した配置図である。なお、図2において図1に示したものと同一の構成には同一の符号を付けて説明を省略する。図2に示した高周波増幅器1aは、3つの増幅回路を多段接続した多段型の増幅器である。図2に示した高周波増幅器1aは、図1に示した高周波増幅器1に対して次の構成が追加されている。すなわち、図2に示した高周波増幅器1aは、図1に示した高周波増幅器1と比較して、端子17及び18と、トランジスタ23と、整合回路35及び36と、抵抗器43と、キャパシタ54と、インダクタ63とを新たに備える。
図3は第3の実施形態の高周波増幅器1bの各構成要素の接続関係と平面上の配置例とを模式的に示した配置図である。なお、図3において図1に示したものと同一の構成には同一の符号を付けて説明を省略する。図3に示した高周波増幅器1bは、2つの増幅回路を多段接続した多段型の増幅器である。図3に示した高周波増幅器1bは、図1に示した高周波増幅器1と比較して次の点が異なる。すなわち、図3に示した高周波増幅器1bでは、図1に示した高周波増幅器1と比較して、端子12と端子15とが省略されている。また、端子13は抵抗器42に加えて抵抗器41に接続されている。また、端子14はインダクタ61に加えてインダクタ62に接続されている。
図4は第4の実施形態の高周波増幅器1cの構成要素の配置例を模式的に示した平面図である。図4において図1に示したものと同一の構成には同一の符号を付けて説明を省略する。図4に示した第4の実施形態の高周波増幅器1cは、集積回路2がマイクロ波ハイブリッド集積回路として構成されている。また、パッケージ3が金属で構成されていて、グランド端子を兼ねている。パッケージ3において、図4に示した集積回路2の搭載面3aが金属のグランド面である。図4に示した第4の実施形態の高周波増幅器1cの回路構成は、図1に示した第1の実施形態の高周波増幅器1と同一である。ただし、図4では、高周波増幅器1cの回路構成要素のうち、トランジスタ21及び22と、整合回路31、32、33及び34とを示している。集積回路2は、回路基板71と、回路基板72と、回路基板73とを備える。回路基板71、72及び73は、例えばセラミック基板を用いて構成される。回路基板71、72及び73は、パッケージ3に固定されている。
Claims (6)
- 第1端子と、
第1整合回路と、
前記第1端子に入力された高周波信号を前記第1整合回路を介して入力して増幅する第1トランジスタと、
前記第1トランジスタの出力に接続された第2整合回路と、
第3整合回路と、
前記第1トランジスタの出力信号を少なくとも前記第2整合回路とキャパシタと前記第3整合回路とを介して入力して増幅する第2トランジスタと、
前記第2トランジスタの出力に接続された第4整合回路と、
前記第2トランジスタの出力信号を前記第4整合回路を介して出力する第2端子と
を備え、
前記第1端子と、前記第1整合回路と、前記第1トランジスタと、前記第2整合回路とが、この並びで、整列して配置され、
前記第3整合回路と、前記第2トランジスタと、前記第4整合回路と、前記第2端子とが、この並びで、前記第1端子、前記第1整合回路、前記第1トランジスタ及び前記第2整合回路が整列する列と並列に整列して配置された
高周波増幅器。 - 前記第1トランジスタの入力に第1バイアスを供給するための第3端子と、
前記第1トランジスタの出力に第1電圧を供給するための第4端子と、
前記第2トランジスタの入力に第2バイアスを供給を入力するための第5端子と、
前記第2トランジスタの出力に第2電圧を供給するための第6端子と
をさらに備え、
前記第1端子、前記第3端子及び前記第5端子が、前記第1端子、前記第1整合回路、前記第1トランジスタ及び前記第2整合回路が整列する列に対して略垂直方向に整列し、
前記第4端子、前記第6端子及び前記第2端子が、前記第1端子、前記第1整合回路、前記第1トランジスタ及び前記第2整合回路が整列する列に対して略垂直方向に整列する
請求項1に記載の高周波増幅器。 - 前記第1トランジスタの入力に第1バイアスを供給するとともに前記第2トランジスタの入力に第2バイアスを供給するための第3端子と、
前記第1トランジスタの出力に第1電圧を供給するとともに前記第2トランジスタの出力に第2電圧を供給するための第4端子と
をさらに備え、
前記第1端子及び前記第3端子が、前記第1端子、前記第1整合回路、前記第1トランジスタ及び前記第2整合回路が整列する列に対して略垂直方向に整列し、
前記第4端子及び前記第2端子が、前記第1端子、前記第1整合回路、前記第1トランジスタ及び前記第2整合回路が整列する列に対して略垂直方向に整列する
請求項1に記載の高周波増幅器。 - 前記第1トランジスタの出力信号を前記第2トランジスタへ入力するための回路が、接地部材をまたぎ曲がって形成されている
請求項1から3のいずれか1項に記載の高周波増幅器。 - 前記第1端子及び前記第2端子が、請求項1から4のいずれか1項に記載の高周波増幅器を構成する集積回路又はパッケージの対角方向の2つの角の近傍に、それぞれ配置されている
請求項1から4のいずれか1項に記載の高周波増幅器。 - 前記第1端子と、前記第1整合回路と、前記第1トランジスタと、前記第2整合回路と、前記第3整合回路と、前記第2トランジスタと、前記第4整合回路と、前記第2端子とが、マイクロ波モノリシック集積回路に含まれている
請求項1から5のいずれか1項に記載の高周波増幅器。
Priority Applications (1)
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JP2014139270A JP2016019068A (ja) | 2014-07-07 | 2014-07-07 | 高周波増幅器 |
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Family Applications (1)
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