JP2015537351A - バックライトユニット - Google Patents

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Abstract

【課題】スリム化を実現するとともに、周縁の非発光領域を最小化することができるバックライトユニットが開示される。【解決手段】開示されたバックライトユニットは、全体が平坦な構造の導光板と、導光板の少なくとも一側に設けられた発光素子と、導光板の下に位置し、一側が発光素子が位置する領域まで延びた第１反射部と、発光素子上に位置する第２反射部と、導光板、発光素子及び第１及び第２反射部を収納するハウジングと、を含み、ハウジングは、発光素子が収納される側部端面が下面と定義される第１面を基準として上部方向に垂直に延びた第２面と、第２面を基準として内部方向に垂直に延びた第３面と、を有する。

Description

本発明は、バックライトユニットに関し、特に、スリム化を実現するとともに、周縁の非発光領域を最小化することができるバックライトユニットに関する。
一般的なバックライトユニットは、液晶表示装置に光を供給するためのディスプレイ用または面照明装置用として広く使用されている。
液晶表示装置に設けられたバックライトユニットは、発光素子の位置に応じて、直下方式またはエッジ方式に区分される。
前記直下方式は、液晶表示装置の大きさが２０インチ以上に大型化し始めてから重点的に開発され始めたものであり、拡散板の下部面に複数個の光源を配置して液晶表示パネルの全面に光を直接照光するものである。かかる直下方式のバックライトユニットは、エッジ方式に比べて光の利用効率が高いことから、高輝度を要求する大画面の液晶表示装置に主に使用される。
前記エッジ方式は、主にラップトップパソコン及びデスクトップパソコンのモニタのように比較的に大きさが小さい液晶表示装置に適用されるものであり、光の均一性に優れ、寿命が長く、液晶表示装置の薄型化に有利である。
図１は一般的な小型液晶表示装置に設けられたバックライトユニットを概略的に示す断面図である。
図１に示すように、一般的な小型液晶表示装置に設けられたバックライトユニット１００は、上面が開口されたハウジング１７０に反射シート１６０、導光板１５０及び光学シート１３０が収納され、前記ハウジング１７０の一側に回路基板１１１及び発光素子１１０が配置される。
前記バックライトユニット１００は、前記回路基板１１１の上部面及び光学シート１３０の上部面の一部に遮光テープ１９０が付着されて一つのモジュールを構成する。
図面に詳細に図示されていないが、前記発光素子１１０は、発光ダイオードチップを含み、前記発光ダイオードチップは、フレームの内部に実装されてパッケージ形態の構造を有する。
前記導光板１５０は、前記発光素子１１０と隣接した領域から遠い領域に向かって厚さが薄くなる第１領域ＦＡと、所定の厚さを有する第２領域ＳＡと、を含む。ここで、一般的なパッケージ方式の発光素子１１０は、構造的特徴により所定の大きさ以上の小型化を実現するには限界がある。したがって、前記第１領域ＦＡは、前記発光素子１１０の大きさに対応する光の入射面を有し、前記第２領域ＳＡの厚さに対応するように徐々に薄くなる構造を有する。
一般的なバックライトユニット１００は、徐々に厚さが薄くなる第１領域ＦＡを含む導光板１５０により前記発光素子１１０から入射される光の損失を最小化できるという特徴を有する。しかし、一般的なバックライトユニット１００は、前記発光素子１１０の大きさに応じて導光板１５０の厚さを減少させるには限界がある。したがって、バックライトユニットが徐々に薄くなる最近の傾向に対応することが難しいという問題があった。さらに、前記第１領域ＦＡは、上部に傾斜面１５１が形成され、前記傾斜面１５１によって光漏れ、全反射などによる光損失が発生する問題があった。
本発明が解決しようとする課題は、バックライトユニットをスリム化することができる技術を提供することである。
本発明が解決しようとする他の課題は、バックライトユニットの周縁の非発光領域を最小化して、外観に優れたバックライトユニットを提供することである。
本発明が解決しようとするさらに他の課題は、光効率に優れた発光ダイオードチップを用いてスリム化を実現し、最小化した非発光領域を有するバックライトユニットを提供することである。
本発明の実施例によるバックライトユニットは、全体が平坦な構造を有する導光板と、前記導光板の少なくとも一側に設けられた発光素子と、前記導光板の下に位置し、一側が前記発光素子が位置する領域まで延びた第１反射部と、前記発光素子上に位置する第２反射部と、前記導光板、前記発光素子及び前記第１及び第２反射部を収納するハウジングと、を含み、前記ハウジングは、前記発光素子が収納される側部端面が下面と定義される第１面を基準として上部方向に垂直に延びた第２面と、前記第２面を基準として内部方向に垂直に延びた第３面と、を有しており、前記発光素子は、フリップチップタイプであり、前記発光ダイオードチップの上面及び両側面を覆う波長変換層を有する。
前記バックライトユニットは、前記ハウジングの内部の前記第２面上に位置する回路基板をさらに含む。
前記回路基板の一面は前記ハウジングの内部の前記第２面と対向し、前記回路基板の他面には前記発光素子が実装された構造を有する。
前記第１反射部の上面が前記導光板の下面及び前記発光素子の一側面と対向し、前記第１反射部の先端が前記回路基板の他面の一部と対向する。
前記第２反射部の一部が、前記第２面と前記回路基板との間まで延びていることができる。
前記第２反射部の上部面の一部は前記第３面の下部面と接触することができ、前記第２反射部の下部面の一部は前記回路基板の一部と接触することができ、前記第２反射部の下部面の他の一部は前記導光板の上部面の一部と接触することができる。
前記波長変換層は、前記発光ダイオードチップの上面を覆う第１層と、前記発光ダイオードチップの両側面を覆う第２層と、を含み、前記第１層は、前記第２層より厚い厚さを有する。
前記バックライトユニットは、前記導光板上に位置する光学シートと、前記光学シートを固定し、光漏れを防止するために前記上部領域と並んで位置して前記光学シートの周縁を覆う遮光テープと、をさらに含む。
本発明の他の実施例によるバックライトユニットは、全体が平坦な構造を有する導光板と、前記導光板の少なくとも一側に設けられた発光素子と、前記導光板及び前記発光素子を収納し、前記発光素子が収納される側部端面が下面と定義される第１面を基準として上部方向に垂直に延びた第２面と、前記第２面を基準として内部方向に垂直に延びた第３面と、を有するハウジングと、を含み、前記発光素子は、フリップチップタイプの発光ダイオードチップと、前記発光ダイオードチップの上面及び両側面を覆う波長変換層と、を含み、前記波長変換層は、前記発光ダイオードチップの上面を覆う第１層と、前記発光ダイオードチップの両側面を覆う第２層と、を含み、前記第１層は、前記第２層より厚い厚さを有する。
ハウジングの「匚」状構造は、上側から下側に向かって、上部領域、側部領域及び下部領域に区分され、前記ハウジングの内部の側部領域に位置する回路基板をさらに含む。
前記回路基板の一面は前記ハウジングの内部の前記側部領域と対向し、前記回路基板の他面には前記発光素子が実装された構造を有する。
前記第１反射部は、上面が前記導光板の下面及び前記発光素子の一側面と対向し、前記第１反射部の先端は、前記回路基板の他面の一部と対向する。
前記第２反射部の一部は、前記側部領域と前記回路基板との間まで延びていることができる。
前記第２反射部の上部面の一部は前記上部領域の下面と接触することができ、前記第２反射部の下部面の一部は前記回路基板の一部と接触することができ、前記第２反射部の下部面の他の一部は前記導光板の上部面の一部と接触することができる。
前記発光素子は、前記回路基板上に直接実装されるフリップチップタイプの発光ダイオードチップと、前記発光ダイオードチップの上面及び両側面を覆う波長変換層と、を含み、前記波長変換層は、前記発光ダイオードチップの上面を覆う第１層と、前記発光ダイオードチップの両側面を覆う第２層と、を含み、前記第１層は、前記第２層より厚い厚さを有する。
前記バックライトユニットは、前記導光板上に位置する光学シートと、前記光学シートを固定し、光漏れを防止するために前記上部領域と並んで位置して前記光学シートの周縁を覆う遮光テープと、をさらに含む。
本発明の一実施例によるバックライトユニットは、全体的に平坦で薄い導光板を適用することができるように発光素子、ハウジング、反射部の最適化された構造によりスリム化に有利なだけでなく、非発光領域を最小化して優れた外観を提供することができるという利点を有する。
一般的な小型液晶表示装置に設けられたバックライトユニットを概略的に示す断面図である。 本発明のバックライトユニットに設けられた発光素子を概略的な示す断面図である。 （ａ）は、図２の発光ダイオードチップの構成を具体的に示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のI‐I´線に沿って切断した発光ダイオードチップを示す断面図である。 本発明の一実施例によるバックライトユニットが設けられた表示装置を示す分解斜視図である。 図４のII-II´線に沿って切断した表示装置を示す断面図である。
以下、添付の図面を参照して、本発明の実施例について詳細に説明する。以下で紹介する実施例は、当業者に本発明の思想が充分に伝達されるようにするために例として提供されるものである。したがって、本発明は、以下で説明する実施例に限定されず、他の形態に具体化されてもよい。また、図面において、構成要素の形状などが誇張されて表現されることもある。明細書の全体にわたり同じ参照番号は同じ構成要素を示す。本発明の技術思想範囲から逸脱しない程度の構成要素の変更は、限定的な意味を含まず、本発明の技術思想を明確に表現するための説明として請求項に記載の内容のみにより限定されることができる。
以下、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明を容易に実施するようにするために、本発明の好ましい実施例について添付の図面を参照して詳細に説明する。
図２は本発明のバックライトユニットに設けられた発光素子を概略的に示す断面図である。
図２に示すように、本発明のバックライトユニットに設けられた発光素子２００は、発光ダイオードチップ２１０と、波長変換層２４０と、を含む。
前記発光ダイオードチップ２１０は、基板２１１と、半導体積層体２１３と、を含み、また、電極パッド２１５ａ、２１５ｂを含むことができる。
前記発光ダイオードチップ２１０は、フリップチップであり、電極パッド２１５ａ、２１５ｂがチップの下部に位置する。
前記基板２１１は、半導体層を成長させるための成長基板であってもよく、例えば、サファイア基板または窒化ガリウム基板であってもよい。特に、前記基板２１１がサファイア基板である場合、半導体積層体２１３、サファイア基板２１１、波長変換層２４０へ屈折率が徐々に減少して、光取出し効率を向上させることができる。特定の実施例において、前記基板２１１は省略されてもよい。
前記半導体積層体２１３は、窒化ガリウム系の化合物半導体で形成され、紫外線または青色系の光を放出することができる。
前記発光ダイオードチップ２１０は、回路基板（図示せず）上に直接実装される。前記発光ダイオードチップ２１０は、ボンディングワイヤを使用することなくフリップボンディングされて、回路基板上の印刷回路に直接連結される。本発明は、前記発光ダイオードチップ２１０を前記回路基板上にボンディングする際にワイヤを使用しないため、ワイヤを保護するためのモールディング部を必要とせず、ボンディングパッドを露出するために波長変換層２４０の一部を除去する必要もない。したがって、フリップチップタイプの発光ダイオードチップ２１０を使用することにより、ボンディングワイヤを使用する発光ダイオードチップを使用することに比べて、色偏差や輝度ムラ現象を除去し、モジュール製造工程を単純化することができる。
前記波長変換層２４０は、発光ダイオードチップ２１０を覆う。図示したように、波長変換層２４０は、前記発光ダイオードチップ２１０の上部及び両側面をすべて囲む。例えば、蛍光体層が前記発光ダイオードチップ２１０上に形成されることができ、前記発光ダイオードチップ２１０から放出された光を波長変換することができる。前記波長変換層２４０は、発光ダイオードチップ２１０にコーティングされ、発光ダイオードチップ２１０の上面及び側面を所定の厚さで覆うことができる。
前記波長変換層２４０は、発光ダイオードチップ２１０の両側面を覆う第１層の厚さｔ１より前記発光ダイオードチップ２１０の上部面を覆う第２層の厚さｔ２がより厚く形成されることができる。ここで、前記ダイオードチップ２１０は、フリップチップタイプであり、上部方向に放出される光が、両側面に放出される光より多い。したがって、本発明の発光ダイオードチップ２１０は、所望の波長帯の光を得るために光が相対的に多く放出される第２層の厚さｔ２が前記第１層の厚さｔ１より厚く設計される。
前記発光ダイオードチップ２１０から放出された光と波長変換層２４０を用いて様々な色相の光を実現することができ、特に、白色光のような混合光を実現することができる。
本実施例において、波長変換層２４０は、発光ダイオードチップ２１０上に予め形成されて発光ダイオードチップ２１０とともに回路基板上に実装されることができる。
図３の（ａ）及び図３の（ｂ）を参照して、前記発光ダイオードチップ２１０の構造についてより詳細に説明する。
図３の（ａ）は図２の発光ダイオードチップの構成を具体的に示す平面図であり、図３の（ｂ）は図３の（ａ）のI-I´線に沿って切断した発光ダイオードチップを
示す断面図である。
図３の（ａ）及び図３の（ｂ）に示すように、本発明の発光ダイオードチップは、成長基板２１上に第１導電型半導体層２３が形成され、第１導電型半導体層２３上に互いに離隔した複数のメサＭが形成される。複数のメサＭは、それぞれ活性層２５と、第２導電型半導体層２７と、を含む。活性層２５が第１導電型半導体層２３と第２導電型半導体層２７との間に位置する。一方、複数のメサＭ上にはそれぞれ反射電極３０が位置する。
前記複数のメサＭは、図示したように、一側方向に互いに平行に延びる長い形状を有することができる。このような形状は成長基板２１上で複数のチップ領域に同じ形状の複数のメサＭを形成することを単純化する。
一方、反射電極３０は、複数のメサＭが形成された後、各メサＭ上に形成されてもよく、これに限定されず、第２導電型半導体層２７を成長させ、メサＭを形成する前に、第２導電型半導体層２７上に予め形成されてもよい。反射電極３０は、メサＭの上面のほとんどを覆い、メサＭの平面形状と大体同じ形状を有する。
前記反射電極３０は、反射層２８を含み、さらに障壁層２９を含むことができる。障壁層２９は、反射層２８の上面及び側面を覆うことができる。例えば、反射層２８のパターンを形成し、その上に障壁層２９を形成することで、障壁層２９が反射層２８の上面及び側面を覆うように形成されることができる。例えば、反射層２８は、Ａｇ、Ａｇ合金、Ｎｉ／Ａｇ、ＮｉＺｎ／Ａｇ、ＴｉＯ／Ａｇ層を蒸着及びパターニングして形成されることができる。一方、障壁層２９は、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｒｄ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｏ、ＴｉＷまたはその複合層で形成されることができ、反射層の金属物質が拡散または汚染されることを防止する。
前記複数のメサＭが形成された後、第１導電型半導体層２３の周縁もまたエッチングされることができる。これにより、基板２１の上部面が露出することができる。第１導電型半導体層２３の側面もまた傾いて形成されることができる。
本発明の発光ダイオードチップは、複数のメサＭ及び第１導電型半導体層２３を覆う下部絶縁層３１をさらに含む。前記下部絶縁層３１は、特定の領域で第１導電型半導体層２３及び第２導電型半導体層２７に電気的接続を許容するための開口部を有する。例えば、下部絶縁層３１は、第１導電型半導体層２３を露出する開口部と、反射電極３０を露出する開口部と、を有することができる。
前記開口部は、メサＭの間の領域及び基板２１周縁近くに位置することができ、メサＭに沿って延びる長い形状を有することができる。一方、開口部は、メサＭの上部に限定されて位置し、メサの同一端部側に偏って位置する。
本発明の発光ダイオードチップは、前記下部絶縁層３１上に形成された電流分散層３３を含む。前記電流分散層３３は、複数のメサＭ及び第１導電型半導体層２３を覆う。また、電流分散層３３は、それぞれのメサＭの上部領域内に位置し、反射電極を露出する開口部を有する。前記電流分散層３３は、下部絶縁層３１の開口部を介して第１導電型半導体層２３にオーミックコンタクトすることができる。電流分散層３３は、下部絶縁層３１により複数のメサＭ及び反射電極３０から絶縁される。
前記電流分散層３３の開口部は、電流分散層３３が反射電極３０に接続することを防止するために、それぞれ下部絶縁層３１の開口部より広い面積を有する。
前記電流分散層３３は、開口部以外の基板２１のほぼ全領域の上部に形成される。したがって、電流分散層３３を介して電流が容易に分散することができる。電流分散層３３は、Ａｌ層のような高反射金属層を含むことができ、高反射金属層は、Ｔｉ、ＣｒまたはＮｉなどの接着層上に形成されることができる。また、高反射金属層上にＮｉ、Ｃｒ、Ａｕなどの単層または複合層構造の保護層が形成されることができる。電流分散層３３は、例えば、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕの多層構造を有することができる。
本発明の発光ダイオードチップには、電流分散層３３上に形成された上部絶縁層３５を有する。上部絶縁層３５は、電流分散層３３を露出する開口部とともに、反射電極３０を露出する開口部を有する。
前記上部絶縁層３５は、酸化物絶縁層、窒化物絶縁層、これら絶縁層の組み合わせの層または互い違いの層、またはポリイミド、テフロン（登録商標）、パリレンなどのポリマーを用いて形成されることができる。
前記上部絶縁層３５上に第１パッド３７ａ及び第２パッド３７ｂが形成される。第１パッド３７ａは、上部絶縁層３５の開口部を介して電流分散層３３に接続し、第２パッド３７ｂは、上部絶縁層３５の開口部を介して反射電極３０に接続する。第１パッド３７ａ及び第２パッド３７ｂは、発光ダイオードを回路基板などに実装するためにバンプを接続するかＳＭＴのためのパッドとして使用されることができる。
第１及び第２パッド３７ａ、３７ｂは、同一工程によりともに形成されることができ、例えば、フォトリソグラフィー技術またはリフトオフ技術を使用して形成されることができる。第１及び第２パッド３７ａ、３７ｂは、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉなどの接着層と、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ又はＡｕなどの高導電性金属層と、を含むことができる。第１及び第２パッド３７ａ、３７ｂは、先端部が同一平面上に位置するように形成されることができ、したがって、発光ダイオードチップが回路基板上に同じ高さに形成された導電パターン上にフリップボンディングされることができる。
その後、成長基板２１を個別の発光ダイオードチップ単位に分割することで発光ダイオードチップが完成される。成長基板２１は、個別の発光ダイオードチップ単位に分割される前または後に発光ダイオードチップから除去されてもよい。
以上のように、回路基板に直接フリップボンディングされる本発明の発光ダイオードチップは、一般的なパッケージ形態の発光素子に比べて、高効率及び小型化を実現することができる利点を有する。
図４は本発明の一実施例によるバックライトユニットが設けられた表示装置を示す分解斜視図であり、図５は図４のII-II´線に沿って切断した表示装置を示す断面図
である。
図４及び図５に示すように、本発明の一実施例による小型表示装置は、映像がディスプレイされる表示パネルＤＰと、前記表示パネルＤＰ（Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）の背面に配置されて光を照射するバックライトユニットＢＬＵ（Ｂａｃｋｌｉｇｈｔ Ｕｎｉｔ）と、を含む。
前記表示パネルＤＰは、互いに対向して均一なセルギャップが維持されるように合着されたカラーフィルタ基板ＦＳと、薄膜トランジスタ基板ＳＳと、を含む。前記表示パネルＤＰは、種類に応じて、前記カラーフィルタ基板ＦＳと薄膜トランジスタ基板ＳＳとの間に液晶層をさらに含んでもよい。
図面には詳細に図示されていないが、前記薄膜トランジスタ基板ＳＳは、複数のゲートライン及びデータラインが交差して画素を定義し、それぞれの交差領域ごとに薄膜トランジスタＴＦＴ（ｔｈｉｎ ｆｌｉｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が設けられて、それぞれのピクセルに実装された画素電極と一対一に対応して連結される。前記カラーフィルタ基板ＦＳは、各ピクセルに対応するＲ、Ｇ、Ｂカラーのカラーフィルタと、これらそれぞれを囲み、ゲートラインとデータライン及び薄膜トランジスタなどを遮蔽するブラックマトリックスと、これらすべてを覆う共通電極と、を含む。
前記表示パネルＤＰの一側の周縁には、駆動ドライバーＤ‐ＩＣが実装される。前記駆動ドライバーＤ‐ＩＣは、前記外部信号に応答して表示パネルＤＰを駆動させる駆動信号を生成する。
前記表示パネルＤＰに光を供給するバックライトユニットＢＬＵは、上面の一部が開口されたハウジング２７０と、前記ハウジング２７０の内部の一側に配置された回路基板２１１と、前記回路基板２１１上に実装された複数の発光素子２００と、前記発光素子２００と並んで位置して点光を面光に変換する導光板２５０と、を含む。
また、本発明のバックライトユニットＢＬＵは、前記導光板２５０上に位置して光を拡散及び集光する光学シート２３０と、前記導光板２５０の下部に配置されて導光板２５０の下部方向に進む光を表示パネルＤＰ方向に反射させる第１反射部２６１と、前記導光板２５０の上部に配置されて前記発光素子２００からの光を前記導光板２５０の内部にガイドする第２反射部２６３と、を含み、前記光学シート２３０の周縁上に位置して光漏れを防止し、前記光学シート２３０を固定する遮光テープ２９０を含む。
前記遮光テープ２９０は、両面に接着剤を含み、全体が黒色でできており、バックライトユニットＢＬＵから出射された光が外部に漏れるか、表示パネルＤＰの周縁に漏れることを防止する役割をする。
前記ハウジング２７０は、前記発光素子２００が設けられた一側の断面が「匚」状の構造を有する。
前記「匚」状構造は、前記ハウジング２７０の下部面を第１面と定義し、前記第１面を基準として上部方向に垂直に延びた第２面と、前記第２面から前記ハウジング２７０の内側方向に垂直に延びた第３面と、を有する構造と定義することができる。
ここで、前記遮光テープ２９０は、前記「匚」状構造の第３面と並んで位置し、互いに重なる区間を有していない。
前記ハウジング２７０は、一側にのみ「匚」状構造を有することに限定して説明しているが、これに限定されず、発光素子２００の位置に応じて、バックライトユニットＢＬＵの両側または３個の側面または４個の側面すべてが「匚」状構造を有してもよい。
前記回路基板２１１は、前記ハウジング２７０の「匚」状構造の内側面に位置する。すなわち、前記回路基板２１１の一面は、前記「匚」状構造の前記第２面に固定される。すなわち、前記回路基板２１１の一面と前記第２面との間には粘着物質が形成されることができる。前記回路基板２１１の他面は、前記発光素子２００の下面と対面する。ここで、前記発光素子２００の電極が形成された面を下面と定義する。
前記発光素子２００は、発光ダイオードチップ２１０と、波長変換層２４０と、を含む。前記波長変換層２４０は、発光ダイオードチップ２１０の両側面を覆う第１層の厚さより前記発光ダイオードチップ２１０の上面を覆う第２層の厚さがより厚く形成されることができる。
前記発光素子２００の上面は前記導光板２５０の入射面と対向する。ここで、前記入射面は、発光素子２００から導光板２５０の内部に光が入射される導光板２５０の一側面と定義することができる。
また、前記発光素子２００の側面は、それぞれ第１及び第２反射部２６１、２６３と対向する。
前記第１及び第２反射部２６１、２６３は、ベース層の表面に反射物質が塗布されるか、反射物質からなるベース層からなってもよい。また、前記第１及び第２反射部２６１、２６３は、前記ベース層の表面に形成された粘着物質をさらに含んでもよい。
前記第１及び第２反射部２６１、２６３は、前記発光素子２００を囲み、前記第１及び第２反射部２６１、２６３それぞれは、前記導光板２５０の下部面の全体と上部面の一部を覆う。
前記第１反射部２６１は、前記導光板２５０の下部面の全体と接触することができ、前記第１反射部２６１の一側が前記発光素子２００方向に延びて前記回路基板２１１の他面の一部に接触し、前記発光素子２００の一側面と対向することができる。すなわち、前記第１反射部２６１の上部面は、前記導光板２５０の下部面及び前記発光素子２００の一側面と対向し、前記第１反射部２６１の先端は、前記回路基板２１１の他面の一部と対向することができる。したがって、本発明は、前記回路基板２１１の他面の一部及び前記発光素子２００の一側面を囲む前記第１反射部２６１により、前記発光素子２００から発光した光が、損失されることなく導光板２５０に入射されることができる。
前記第２反射部２６３は、前記導光板２５０の上部面の一部と接触し、前記回路基板２１１の一部と前記ハウジング２７０の前記第３面との間に位置することができる。すなわち、前記第２反射部２６３の上部面の一部は、前記ハウジング２７０の前記第３面の下部面と接触し、前記第２反射部２６３の下部面の一部は、前記回路基板２１１の一部と接触し、前記第２反射部２６３の下部面の他の一部は、前記導光板２５０の上部面の一部と接触することができる。
本発明のバックライトユニットＢＬＵは、前記「匚」状構造のハウジング２７０と前記ハウジング２７０に収納された高効率のフリップチップ構造の発光素子２００、前記第１及び第２反射部２６１、２６３が囲む構造により、一般的なバックライトユニットに比べて、全体厚さｔ３を０．２ｍｍ以上薄く作製することができる。
また、本発明のバックライトユニットＢＬＵは、前記「匚」状構造のハウジング２７０と前記ハウジング２７０に収納された高効率のフリップチップ構造の発光素子２００、前記第１及び第２反射部２６１、２６３が囲む構造により、前記発光素子２００を収納するためのマージンを最小化することで、一般的なバックライトユニットに比べて、非発光領域の幅Ｗを０．４ｍｍ以上減少させることができる。
以上のように、本発明の一実施例によるバックライトユニットＢＬＵは、全体的に平坦で薄い導光板２５０を適用することができるように発光素子２００、ハウジング２７０、第１及び第２反射部２６１、２６３の最適化した構造的特徴によりスリム化に有利なだけでなく、非発光領域を最小化して外観品質を向上させることができるという利点を有する。
以上のように、図５を参照して、本発明の前記第１反射部２６１が前記発光ダイオードチップ２１０の一側面から所定間隔離隔した構造を限定して説明しているが、これに限定されず、前記第１反射部２６１と前記発光ダイオードチップ２１０の一側面が互いに接触した構造もまた本発明の技術思想に含まれると解するべきである。
以上、様々な実施例について説明しているが、本発明は、特定の実施例に限定されるものではないと解するべきである。また、特定の実施例で説明した構成要素は、本発明の思想から逸脱しない限り、他の実施例において同一または類似に適用されてもよい。

Claims (15)

  1. 全体が平坦な構造を有する導光板と、
    前記導光板の少なくとも一側に設けられた発光素子と、
    前記導光板の下に位置し、一側が前記発光素子が位置する領域まで延びた第１反射部と、
    前記発光素子上に位置する第２反射部と、
    前記導光板、前記発光素子及び前記第１及び第２反射部を収納するハウジングと、を含み、
    前記ハウジングは、前記発光素子が収納される側部端面が下面と定義される第１面を基準として上部方向に垂直に延びた第２面と、前記第２面を基準として内部方向に垂直に延びた第３面と、を有しており、
    前記発光素子は、フリップチップタイプであり、前記発光ダイオードチップの上面及び両側面を覆う波長変換層を有する、バックライトユニット。
  2. 前記ハウジングの内部の前記第２面に位置する回路基板をさらに含む、請求項１に記載のバックライトユニット。
  3. 前記回路基板の一面は前記ハウジングの内部の前記第２面と対向し、前記回路基板の他面には前記発光素子が実装されている、請求項２に記載のバックライトユニット。
  4. 前記第１反射部の上面が前記導光板の下面及び前記発光素子の一側面と対向し、前記第１反射部の先端が前記回路基板の他面の一部と対向する、請求項３に記載のバックライトユニット。
  5. 前記第２反射部の一部が、前記第２面と前記回路基板との間まで延びている、請求項２に記載のバックライトユニット。
  6. 前記第２反射部の上部面の一部は前記第３面の下部面と接触し、前記第２反射部の下部面の一部は前記回路基板の一部と接触し、前記第２反射部の下部面の他の一部は前記導光板の上部面の一部と接触する、請求項２に記載のバックライトユニット。
  7. 前記波長変換層は、前記発光ダイオードチップの上面を覆う第１層と、前記発光ダイオードチップの両側面を覆う第２層と、を含み、前記第１層は、前記第２層より厚い厚さを有する、請求項１に記載のバックライトユニット。
  8. 前記導光板上に位置する光学シートと、
    前記光学シートを固定し、光漏れを防止するために前記第３面と並んで位置して前記光学シートの周縁を覆う遮光テープと、をさらに含む、請求項２に記載のバックライトユニット。
  9. 全体が平坦な構造を有する導光板と、
    前記導光板の少なくとも一側に設けられた発光素子と、
    前記導光板及び前記発光素子を収納し、前記発光素子が収納される側部端面が下面と定義される第１面を基準として上部方向に垂直に延びた第２面と、前記第２面を基準として内部方向に垂直に延びた第３面と、を有するハウジングと、を含み、
    前記発光素子は、フリップチップタイプの発光ダイオードチップと、前記発光ダイオードチップの上面及び両側面を覆う波長変換層と、を含み、
    前記波長変換層は、前記発光ダイオードチップの上面を覆う第１層と、前記発光ダイオードチップの両側面を覆う第２層と、を含み、前記第１層は、前記第２層より厚い厚さを有する、バックライトユニット。
  10. 前記ハウジングの内部の前記第２面に位置する回路基板をさらに含む、請求項９に記載のバックライトユニット。
  11. 前記導光板の下に位置し、一側が前記発光素子が位置する領域まで延びた第１反射部をさらに含む、請求項９に記載のバックライトユニット。
  12. 前記第１反射部は、上面が前記導光板の下面及び前記発光素子の一側面と対面し、前記第１反射部の先端は、前記回路基板の他面の一部と対面する、請求項１１に記載のバックライトユニット。
  13. 前記導光板の上面の一部分上に位置する第２反射部をさらに含み、
    前記第２反射部の一部は、前記第２面と前記回路基板との間まで延びている、請求項９に記載のバックライトユニット。
  14. 前記第２反射部の上部面の一部は前記第３面の下部面と接触し、前記第２反射部の下部面の一部は前記回路基板の一部と接触し、前記第２反射部の下部面の他の一部は前記導光板の上部面の一部と接触する、請求項１３に記載のバックライトユニット。
  15. 前記導光板上に位置する光学シートと、
    前記光学シートを固定し、光漏れを防止するために前記第３面と並んで位置して前記光学シートの周縁を覆う遮光テープと、をさらに含む、請求項９に記載のバックライトユニット。
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