JP2015535210A5 - - Google Patents

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JP2015535210A5
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Claims (21)

  1. 式(XVI):
    Figure 2015535210

    (式中、Rは水素であり;
    Yはハロゲンであり;
    Lは低級アルキレンまたは低級アルケニレンであり;
    はアシルまたはアミノ保護基であり;
    はカルボキシ保護基であり;
    波線は結合のシス型立体配置、トランス型立体配置またはそれらの混合物を意味する)
    で示される化合物またはその塩の製造方法であって、アルデヒド、アミンおよび式(XV):
    Figure 2015535210

    (式中、各記号は上記と同意義である)
    で示される化合物またはその塩を反応させて、式(XVI)で示される化合物またはその塩を得ることを含んでなる、製造方法。
  2. 式(II):
    Figure 2015535210

    (式中、 5A は低級アルキルであり;
    Yはハロゲンであり;
    Lは低級アルキレンまたは低級アルケニレンであり;
    はアシルまたはアミノ保護基であり;
    はカルボキシ保護基である)
    で示される化合物またはその塩の製造方法であって、式(XVI)’
    Figure 2015535210
    (式中、 は水素または低級アルキルであり;
    波線は結合のシス型立体配置、トランス型立体配置またはそれらの混合物を意味し;
    その他の定義は上記と同意義である)
    で示される化合物またはその塩を還元して、式(II)で示される化合物またはその塩を得ることを含んでなる、製造方法。
  3. 式(III):
    Figure 2015535210
    (式中、R5Aは低級アルキルであり、
    Yはハロゲンであり;
    Lは、低級アルキレンまたは低級アルケニレンであり;
    はアシルまたはアミノ保護基であり、
    はカルボキシ保護基である)
    で示される化合物またはその塩の製造方法であって、式(II):
    Figure 2015535210

    (式中、各定義は上記と同意義である)
    で示される化合物またはその塩を還元して式(III)で示される化合物またはその塩を得ることを含んでなる、製造方法。
  4. 請求項に記載の製造方法によって得られた式(II)で示される化合物またはその塩から製造される、請求項記載の式(III)で示される化合物またはその塩の製造方法。
  5. アルデヒド、アミンおよび式(XV):
    Figure 2015535210

    (式中、各定義は上記と同意義である)
    で示される化合物またはその塩を反応させて式(XVI)
    Figure 2015535210
    (式中、各定義は上記と同意義である)
    で示される化合物またはその塩を得ることを含んでなる製造方法によって得られた式(XVI)で示される化合物またはその塩から製造される、請求項記載の式(II)で示される化合物またはその塩の製造方法。
  6. 5Aがメチルである、請求項2〜5のいずれかに記載の製造方法。
  7. Lが−CH−である、請求項1〜のいずれかに記載の製造方法。
  8. がアシルである、請求項1〜のいずれかに記載の製造方法。
  9. が置換されていてもよいアラルキルである、請求項1〜のいずれかに記載の製造方法。
  10. 式(VII):
    Figure 2015535210

    (式中、 5A は低級アルキルであり、
    Yはハロゲンであり;
    Lは、低級アルキレンまたは低級アルケニレンであり;
    はカルボキシ保護基である)
    で示される化合物またはその塩の製造方法であって、請求項記載の方法によって得られた式(III)で示される化合物またはその塩を脱プロトン化して式(VII)で示される化合物またはその塩を得ることを含んでなる、製造方法。
  11. 式(II):
    Figure 2015535210

    (式中、 5A は低級アルキルであり、
    Yはハロゲンであり;
    Lは、低級アルキレンまたは低級アルケニレンであり;
    はアシルまたはアミノ保護基であり、
    はカルボキシ保護基である)
    で示される化合物またはその塩。
  12. 式(III):
    Figure 2015535210

    (式中、 5A は低級アルキルであり、
    Yはハロゲンであり;
    Lは、低級アルキレンまたは低級アルケニレンであり;
    はアシルまたはアミノ保護基であり、
    はカルボキシ保護基である)
    で示される化合物またはその塩。
  13. 式(VII):
    Figure 2015535210

    (式中、 5A は低級アルキルであり、
    Yはハロゲンであり;
    Lは、低級アルキレンまたは低級アルケニレンであり;
    はカルボキシ保護基である)
    で示される化合物またはその塩。
  14. 式(XVI):
    Figure 2015535210

    (式中、
    Lは低級アルキレンまたは低級アルケニレンであり;
    Yはハロゲンであり;
    は水素であり;
    はアシルまたはアミノ保護基であり;
    はカルボキシ保護基であり;
    波線は結合のシス型立体配置またはトランス型立体配置、またはその混合物を意味する
    で示される化合物またはその塩。
  15. が−CH−であり;かつR5Aがメチルである、請求項11〜13のいずれかに記載の化合物。
  16. 式(XVI−2):
    Figure 2015535210

    で示される化合物またはその溶媒和物の結晶である、請求項14に記載の化合物
  17. 粉末X線回折において、回折角度(2θ):5.3 ± 0.2°, 7.0 ± 0.2°, 10.2 ± 0.2°, 14.7 ± 0.2°, 15.8 ± 0.2°, 17.4 ± 0.2°, 21.1 ± 0.2°, および21.3 ± 0.2°の主要ピークを有する結晶である、請求項16に記載の化合物
  18. 式(II−3):
    Figure 2015535210

    で示される化合物またはその溶媒和物の結晶である、請求項11に記載の化合物
  19. 粉末X線回折において、回折角度(2θ):5.7 ± 0.2°, 7.8 ± 0.2°, 11.3 ± 0.2°, 14.5 ± 0.2°, 20.8 ± 0.2°, および 21.6 ± 0.2°の主要ピークを有する結晶である、請求項18に記載の化合物
  20. 式(III−2):
    Figure 2015535210

    で示される化合物またはその溶媒和物の結晶である、請求項12に記載の化合物
  21. 粉末X線回折において、回折角度(2θ):4.8 ± 0.2°, 7.7 ± 0.2°, 8.1 ± 0.2°, 9.1 ± 0.2°, 9.6 ± 0.2°, 11.4 ± 0.2°, 14.9 ± 0.2°, 16.9 ± 0.2°,19.3 ± 0.2°, および 20.2 ± 0.2°の主要ピークを有する結晶である、請求項20に記載の化合物
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