JP2015527863A - 光電変換モジュールをテストするための方法および装置 - Google Patents

光電変換モジュールをテストするための方法および装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2015527863A
JP2015527863A JP2015525898A JP2015525898A JP2015527863A JP 2015527863 A JP2015527863 A JP 2015527863A JP 2015525898 A JP2015525898 A JP 2015525898A JP 2015525898 A JP2015525898 A JP 2015525898A JP 2015527863 A JP2015527863 A JP 2015527863A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photoelectric conversion
conversion module
modulation frequency
signal
camera
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015525898A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6376606B2 (ja
Inventor
シュトイツェスク,リヴィウ−ミハイ
ロイター,ミヒャエル
ハー. ヴァルナー,ユルゲン
ハー. ヴァルナー,ユルゲン
Original Assignee
ゾラールツェントルム シュトゥットガルト ゲーエムベーハー
ゾラールツェントルム シュトゥットガルト ゲーエムベーハー
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ゾラールツェントルム シュトゥットガルト ゲーエムベーハー, ゾラールツェントルム シュトゥットガルト ゲーエムベーハー filed Critical ゾラールツェントルム シュトゥットガルト ゲーエムベーハー
Publication of JP2015527863A publication Critical patent/JP2015527863A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6376606B2 publication Critical patent/JP6376606B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02SGENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
    • H02S50/00Monitoring or testing of PV systems, e.g. load balancing or fault identification
    • H02S50/10Testing of PV devices, e.g. of PV modules or single PV cells
    • H02S50/15Testing of PV devices, e.g. of PV modules or single PV cells using optical means, e.g. using electroluminescence
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/62Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
    • G01N21/66Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light electrically excited, e.g. electroluminescence
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02SGENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
    • H02S50/00Monitoring or testing of PV systems, e.g. load balancing or fault identification
    • H02S50/10Testing of PV devices, e.g. of PV modules or single PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

【課題】暗い部屋を必要とせず、単純化された行程を実行できる、光電変換モジュールをテストするための改良された方法および改良された装置を提供する。【解決手段】光電変換モジュール(12)が出力されまたはそこから引き出される電力を変調し、光電変換モジュール(12)を、カメラ(26)を用いて走査する。カメラ(26)によって生じるカメラ信号を評価し、光電変換モジュール(12)の蛍光画像(32)を得る。そこにおいて、光電変換モジュール(12)は順方向においてのみ作動され、カメラ信号はフィルタ好ましくはデジタルフィルタを使用して評価される。【選択図】図1

Description

本発明は光電変換(photovoltaic)モジュールをテストする方法に関するものである。この方法は次の工程から成る:
AC電圧が、光電変換モジュール上へ変調される、
光電変換モジュールがカメラを使用して走査される、そして、
カメラによって作られたカメラ信号が光電変換モジュールの蛍光画像を得るために評価される。
本発明はさらに、光電変換モジュール上へAC電圧信号を変調する装置と、光電変換モジュールを走査するためカメラ信号を出力するカメラと、カメラ信号に基づき蛍光画像を計算するための評価装置とを有する光電変換モジュールをテストする装置に関する。
この種の方法およびこの種の装置は、特許文献1から公知である。
公知の方法および公知の装置によれば、AC電圧信号は光電変換モジュールの両方の端子に接続される。そして、変調は順方向において、そして、光電変換モジュールの逆方向において実行され、結果として生じるエレクトロルミネセンス(蛍光)が評価される。蛍光画像は順方向において、そして、逆方向において撮影されて、互いに重畳させられる。
前記公知の方法は、光電変換モジュールの製造時、品質管理のために用いられる。蛍光に基づくすべての現在公知の方法のように、それは、光電変換モジュールそのものからも離れて、いかなる照明もない暗い部屋において実行されることを必要とする。加えて、その方法は統合されたバイパス・ダイオードを備えた光電変換モジュールに使用することはできない。
非特許文献1は、エレクトロルミネセンスによって、大規模な光電変換モジュールを製造する時の品質管理を開示する。この場合、光電池は順方向に直流電圧が印加されると、それらは近赤外範囲においてルミネッセンスを放射する。この場合も、試験は昼光の存在しない暗い部屋において実行される。
欧州特許出願公開第2 421 052 A2号明細書
J. Coello, "Introducing Electroluminescence Technique as a Quality Control of Large PV Plants" 26th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, 3469-3472、2011年 O. Breitenstein、W. WartaおよびM. Langenkamp, "Lock- in Thermography" Basics and Use for Evaluating Electronic Devices and Materials online issue(Springer-Verlag Berlin Heidelberg, Berlin, Heidelberg, 2010年)
この種の試験方法は光電池の製造時、良好な品質管理を確実にすることに基本的に適しているにもかかわらず、既存の光電変換モジュール上に使用するためには、問題のモジュールが暗い部屋において、取り外されて、点検されることを必要とする。
これは、経費の非常に高いレベルを意味して、点検の間、対応する損失をもたらす。
前記に鑑み、本発明は、好ましくは暗い部屋を必要とせず、単純化された工程を実行できる、光電変換モジュールをテストするための改良された方法および改良された装置を提供することを目的とする。
本発明の光電変換モジュールをテストする方法は、次の工程から成る:
少なくとも一つの変調周波数を用いて光電変換モジュールから引き出されるかまたはそれから出力される電力を変調する工程、
カメラを用いて光電変換モジュールを走査する工程、および、
光電変換モジュールの蛍光画像を得るために、カメラからのカメラ信号を評価する工程。
光電変換モジュールはその順方向においてのみ作動され、カメラ信号はフィルタを使用して評価される。
本発明の装置に関しては、本発明の目的は、光電変換モジュールをテストする次の装置によって達成される。
光電変換モジュールをテストする装置は、少なくとも一つの変調周波数を用いて、光電変換モジュールによって引き出されるかまたは出力される電力上へAC電圧信号を変調するための装置と、光電変換モジュールを走査するためカメラ信号を出力するカメラと、
カメラ信号から蛍光画像を計算するための評価装置とを有し、
光電変換モジュールは順方向においてのみ作動され、カメラ信号はフィルタを使用して評価される。
このようにして、本発明の目的は、完全に達成される。
本発明によれば、モジュールの電力が変調されるときに、エレクトロルミネセンスの選択的な評価および光電変換モジュールの動作の間に現れる干渉源(例えば太陽からの、または、環境からの反射)の隔離は、フィルタを用いて可能になる。
「順方向」は、モジュールに存在する電圧が、無負荷における照明の下でのモジュールの電圧低下と同じ極性を有するという意味に理解される。
本発明の好適な態様において、カメラはその上流に接続されるフィルタシステムを備えている。フィルタシステムは、光電変換モジュールの蛍光信号を含む波長範囲を伝達する。特にフィルタシステムは、光電変換モジュールが結晶シリコンでできている場合、近赤外範囲(NIR)を透過させる。その波長範囲(NIR)の端において光学フィルタを使用することもできる。これにより、エレクトロルミネセンスの波長範囲の最適感度が得られ、干渉信号の残りからの良好な隔離が可能となる。
本発明によれば、光電変換モジュールは、昼光または他の照射において、好ましくは光電変換モジュールの動作の間、テストされることができる。
カメラ信号は、好ましくはデジタルフィルタにより評価される。
「デジタルフィルタ」は本明細書において、特定の周波数レンジを遮断するかまたは通過させる操作をするための数学的フィルタを意味するために、理解される。デジタルフィルタは、連続信号を処理しなくて、むしろ離散時間および散散値の信号を処理する。離散時間信号は、時間に応じた信号プロフィールを表す個々のパルスだけから成る(この場合:画像)。各サンプルは(この場合:画素の輝度値)、時間的に周期的なシーケンスとなる。サンプルはデジタル数の表現は有限解像度のみを提供するので離散的な値をとる。
デジタルフィルタは、例えば、昼光下の光電変換モジュールにおいて生ずる重いバックグラウンド・ノイズにもかかわらず、蛍光画像を取り出して、評価するために、用いることができる。
デジタルフィルタが用いられる場合、広帯域の干渉が広帯域の信号と同時に存在していない場合だけ、カメラの上流の(光学の)フィルタシステムの更なる接続が意味をなす。(a)広帯域の干渉があり、そして、狭帯域の信号(例えば昼の蛍光)が現れる場合、フィルタの正しい選択が与えられたなら、信号対雑音比(SNR)は10〜100倍に増加できる。(b)もし、干渉および信号のスペクトル範囲が全く異なる(例えば暗い部屋の光ルミネセンス)場合、SNRを10以上倍に増加することさえできる。
前記ケース(a)が概して続く場合、カメラの前段の光学的フィルタシステムの接続は、デジタルフィルタを使用する意味がある。
更なる本発明の好ましい実施例によれば、カメラ信号は、ロックイン法(lock-in method)を使用して評価される。
ロックイン法は、静的ノイズの背景に対して、信号を増幅する必要があるときに多用され、従来技術において、基本的に公知である。
非特許文献2で詳述するように(この文献は参照により本願明細書に組み込まれる)、ロックイン法は、検出より前に、そして、第1の利得段より前に周期的にパルス化された特定周波数(ロックイン周波数)を使用して振幅変調される主要信号を必要とする。
ロックイン法の目的は、検出された信号の振動しているAC電圧部分だけを評価することである。ロックイン法のアナログ適用の場合、ノイズがないAC基準信号は、信号生成プロセスに由来して、移相信号として、交替に、電子スイッチを使用して、または直接雑音の多い信号に重畳されるか、または反転された雑音の多い信号に重畳される。このようにして、ノイズが大いに低減された信号を抽出することができる。上述したアナログロックイン法の代わりに、デジタル形式においても実現できることは、言うまでもない(非特許文献2参照)。ロックイン法は、このようにデジタルフィルタ方法とよく似ている。
本発明の他の実施態様によれば、光電変換モジュールには、少なくとも2つの動作点(KS、LL、MPP、VR)の間を周期的に変化する変調周波数(f)が印加される。
この場合、使用する動作点は、短絡(KS)、無負荷(LL)、最大の電力点(MPP)または順方向の任意の点(VR)からなるグループから、選択される少なくとも2つであってもよい。
本発明の好適な態様において、情報は、異なる動作点(KS、LL、MPP、VR)の、形の違う蛍光信号から得られる。
さまざまな動作点の蛍光信号は、蛍光に関して異なる情報を含む。その情報は本発明により評価される。例えば短絡蛍光(KL)、光ルミネセンス(PL)、限られた抵抗のエレクトロルミネセンス(EL)および背景(H)が関係する。
例えば、無負荷(LL)、そして短絡(KS)の下で蛍光信号を減算することによって、光ルミネセンス(PL)を抽出することができる:LL−KS=PL。
太陽電池の無負荷の電圧が、光電変換モジュールに取り入れられる。結果として、非接触(死んでいる)領域、マイクロ亀裂(microfissure)および電圧誘起出力低下(PID)が決められる。
加えて、順方向の蛍光信号(VR)から、無負荷(LL)の蛍光信号を減算することによって、限られた抵抗のエレクトロルミネセンス(EL)を、抽出できる:EL=VR−LL。
これは、ローカルな直列抵抗に関して情報を提供する。劣った電気接続(割込されたフィンガー電極、貧しいハンダ接合部および壊れたセル間コネクタ)、更にはマイクロ亀裂を有する領域および電圧誘起出力低下(PID)を確認することが簡単にできる。
加えて、順方向(VR)の蛍光信号から、短絡(KS)の蛍光信号を減算することによって、混合された蛍光信号(EL+PL)を抽出できる:EL+PL=VR−KS。
これは、特にマイクロ亀裂および電圧誘起出力低下について光電変換モジュールの一般の品質の情報を提供する。高いSNRの利点が利用できる。
カメラ映像周波数(フレームレート)fは、明記されなくて、今日の技術によってむしろ制限される。現時点では、最大は、400Hzである、しかしながら、急な増加を、ここ数年に予想することができる。
従来は、ロックイン法で信号を増幅するとき、「オーバーサンプリング」が使われる。単相のロックインの場合、変調周波数fとしてf≦f/2があてはまる。そして、二重位相ロックインの場合f≦f/4が有効である。これは、ナイキスト条件として公知である。
しかしながら、「過小サンプリング」を使用することもできる。この場合、fは、fから独立している。fはfより大きくてもよい。しかしながら、この場合、「禁止」周波数といった若干の特色がある(非特許文献2を参照)。変調周波数fは、固定する必要はない。例えば画像のすべてのピクセルの合計からの抽出などで、変調信号がわかっている場合、非同期ロックインを、所望の信号を増幅するために用いることもできる。
ロックイン法が本発明の方法において用いられる場合、非常に弱いエレクトロルミネセンス信号でも(昼光下の光電変換モジュールに起こる)重いバックグラウンド・ノイズからきれいに分離することができて、光電変換モジュールの蛍光像を生成するために評価することができる。
ロックイン法の代わりに、弱い周期的信号を検出することに適している、他のいかなるデジタルまたはアナログフィルタ方法も使用することもできることは、言うまでもない。
非特許文献2から知られるロックインサーモグラフィ方法を基礎として、太陽電池は、外部電圧源または放射源を経て、ロックイン参照周波数を使用して変調される。評価の目的で、2μmから5μmの間の波長の中赤外領域において感度が高い赤外線カメラが使われる。雑音の多いフレームから熱画像を作り出すロックイン法を使用するために、変調された電圧源または放射源および赤外線カメラはこの場合極めて正確に互いに同期してある。そして、その熱画像は、太陽電池の欠陥およびその正確な位置を示す。
対照的に、本発明は、暗がりもしくは昼光下、または他の照射下において、蛍光画像を雑音が多い画像から評価しまたは作り出すために、ロックイン法の、または、弱い周期的信号が検出できる他の方法の使用を促す。この点で、非特許文献2に示される従来技術において、公知のサーモグラフィ方法は、本発明の主題を示すことに適していない。
周期的信号は、光学的に(加算または減算した(補足の)照射によって)、機械的に(例えばモジュールを振るか、またはチョッパーによって)、電気的に、または、熱的に(周期的な冷却または加熱によって)、または磁気的に作り出すことができる。
本発明のより有利な実施態様によれば、試験は、接続される負荷により好ましくはインバータを用いて、実行される。
この実施態様は、実際には特に都合よく使うことができる。その理由は、テストされる光電変換モジュールは取り外される必要はなくて、インバータ自体を利用する必要があれば動作の間にテストされることができるからである。
本発明のより有利な実施態様によれば、変調周波数fは、周期的な切換オン/オフによって、好ましくは半導体スイッチによって、作ることができる。
これは、変調周波数fを生じる特に単純な方法である。
この場合、インバータの周波数は、必要あれば、MPP検索(Maximum PowerPoint Search)のために使うことができる。
本発明の他の実施例によれば、インバータは、変調周波数fを用いて被接続モジュールを変調するために、インタフェースを介して作動する。
最近のインバータが作動のためのインタフェースを通常備えているので、光電変換モジュール上へ、または、継続接続された光電変換モジュール上へ、インバータの位相で、AC電圧信号の特に単純な変調ができるようになる。
本発明の他の実施態様によれば、光電変換モジュールは、半導体スイッチを介して好ましくは周期的に短絡する。
この方法も、変調周波数の単純な生成を可能にする。
本発明の他の実施態様によれば、テストされる光電変換モジュールは、同じモジュール上、もしくは、同じ位相においてもしくは同じインバータによって接続されるモジュール上、または、前記モジュールの部分上への変調周波数fを用いた照射によって、変調される。
例えば、この方法は、特定の周期的なシェーディングにより行うことができる(例えば、変調周波数fで、チョッパーによって)。
この出願の範囲内で、照射は、いかなるタイプの電磁放射も含む:X線照射からUVまで、可視、赤外、中央赤外、遠赤外、マイクロ波。
50Hzのフレーム周波数を有するカメラが用いられるときに、例えば1から25Hzまでの範囲、または、好ましくは2から10Hzまでの範囲、より好ましくは3から7Hzまで範囲の変調周波数を使用して、よい結果が得られた。
フィルタシステムは、比較的弱いエレクトロルミネセンス信号を除去する。該信号は結晶シリコンでできている光電変換モジュールの場合、バックグラウンド・ノイズの中で950から1330nmまでの範囲の近赤外範囲(1130nmで最大値を有する)である。このようにロックイン法を使用して良好な増幅を得ることができる。一般的に用いられるCCDカメラは、NIR範囲に比較的低い感度を有し、可視範囲により大きな感度を有する。
これらの不利な点は、前記フィルタに加えて、例えばモジュールの蛍光範囲と合致するカメラ(結晶シリコンでできているモジュールのための950から1350nmへの波長範囲に高感度を有するカメラ)を使用することにより、補償される。
カドミウム・テルル化物(CdTe)の薄い層のモジュールは、700−900nmから範囲の光を発する。これは、適応された光学的フィルタシステムを有するSiCCDカメラの使用に適している。
層の構造に応じて、CIGS(また、CIGSSeまたはCIS)の薄いレイヤ・モジュールは、800―1300nmの範囲の光を発する。これは、適応された光学的フィルタシステムを有するSiCCDカメラの使用に適している。
市場に存在しているすべてのモジュール技術のために、低い波長(400−1700nm)の方へ延長されたスペクトル範囲を有するInGaAsカメラは、適切である。光学的フィルタシステムは、それに応じて適応されなければならない。
前述の特徴および更に下で説明される特徴は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、それぞれ示された組合せでだけでなく、他の組合せでも使用されることができる。
本発明の更なる特徴および効果は、図面を用いて下記の好適な実施形態により説明される。
光電変換モジュールをテストするための本発明の装置を示す概要図。 太陽発電装置内の光電変換モジュールをテストするための変調方法の基本的な実例を示す図。 結晶シリコン(その蛍光信号は最大約ほぼ1130nmを有する)でできているソーラー・モジュールからの蛍光信号に適用されるフィルタシステムの感度スペクトルと、それに対比されるバックグラウンド・ノイズのスペクトルとを示す概略図。 本発明のテスト装置の更に基本的な具体例を示す。そこにおいて、変調周波数が光電変換モジュールの回路によって生成され、その結果、AC電圧信号が生成される。 光電変換モジュールの出力を変調するために用いる変調周波数が正弦波信号の形である、本発明の別の実施例を示す図。 変調周波数を生じるためのさまざまなオプションを含む、インバータの位相で直列接続された光電変換モジュールを有する太陽発電装置の簡略図を示す。 光電変換モジュールの電流/電圧特性を示す図(さまざまな動作点を説明している)。
図1は、太陽発電装置40における光電変換モジュール12をテストする装置10の簡略図を示す。太陽発電装置40は複数の光電変換モジュールを有する。例としてこの場合図面参照符号12で示される。
図式的に変調源14あるいは、変調源14’で示されるように、太陽発電装置40の電力は少なくとも一つの変調周波数fにより変調される。一例として、14に示すように、動作の間、変調周波数fを用いて光電変換モジュール12の出力電力を変調する。該変調は、電気的に、機械的に、または、磁気的に実行されることができる。あるいは、例えば、光電変換モジュール12に入射する太陽1の光放射は、例えば、14’に示すように、周期的に陰を生じるチョッパーによって変調されることもできる。
光電変換モジュール12から出力され、変調周波数fを用いて変調される電力は、ビデオ・カメラ26を用いて走査される。ビデオ・カメラ26からの出力信号「ビデオ出力」は、光電変換モジュール12の蛍光画像を引き出すためにロックイン(lock-in)アルゴリズムを使用している評価装置28(通常PC)によって、分析される。
図2は、図式的に、変調方法を示す。例えば、図の左側の半分に示すように、モジュールの特性は、方形波信号を使用して変調される。図の右の半分に示すように、カメラ26は、個々のピクセルを測定するために用いる。画像のすべてのピクセルの合計から、変調周波数を決定することができる。各ピクセルの雑音が多い信号から、この場合好ましくはロックインアルゴリズムの形で、光電変換モジュールの蛍光画像は、デジタルフィルタによって、引き出される。
図3は、蛍光信号36とバックグラウンド信号(任意のユニットa.u.の強度I)35を示し、そして、使用するフィルタシステム24を示す。フィルタシステム24は、感度を蛍光信号の最大の領域(結晶シリコンでできている光電変換モジュールの場合1130nm)に入れるためのものである。950nmから1350nmまで範囲において、主に感度がある。他のモジュール技術(例えば薄いレイヤ・モジュール)のために、測定システムは、それに応じて適合されることができる。
図4は、光電変換モジュール12をテストする装置10の更なる具体例を示す。
光電変換モジュール12は、外部の負荷20が接続されるときに、それが完成された回路を形成するために使用する2つの接続21、22を持っている。この回路は、重畳する周期的信号を生成するための他の変調源14も含んでいる。
本発明によれば、変調源14は周期的AC電圧信号を生成するために用いる。それの振幅は、光電変換モジュール12が常にその順方向において作動されるように、選択される。一例として、前記信号は正弦波信号でもよくその振幅は、図式的に示された太陽1の太陽光線16によって照射を受ける光電変換モジュール12によって生成されるDC信号の振幅より小さい。結果として脈動信号が生成され、図5において図式的に示されるように、その振幅はl1とl2の間を脈動する。
順方向において操作されるときに、光電変換モジュール12によって生じた放射蛍光18は、例えば、図3に示される太陽スペクトル35のバックグラウンド・ノイズから蛍光信号を抽出するために、フィルタシステム24(それは最大値の約1130nmを含む950から1350nmまで範囲において、機能する)を用いて、フィルタリングされる。カメラ26は、フィルタシステム24を通した信号を受信して、光電変換モジュール12の表面を探査する。一例として、カメラ26のフレーム周波数は、50Hz(f=50Hz)でもよい。変調周波数fとして、例えば、5Hzの周波数を使用することができる。
カメラ26からの出力信号「ビデオ出力」は、評価のため、評価装置28(例えばPC)に供給される。エレクトロルミネセンス信号を雑音が多い映像信号から抽出するために、評価装置28はデジタルロックインアルゴリズムを使用し、それを増幅する。そして、光電変換モジュール12の蛍光画像32を生じる。蛍光画像32は、光電変換モジュール12の欠陥を可視化するか、またはこの種の欠陥を自動評価するために用いることができる。
上ですでに説明したように、光電変換モジュール12が順方向において作動されることが確実に保証されるならば、励起信号はいかなる方法で生じるものであってもよい。加えて、矩形波または正弦波励起信号の他に、他のいかなる周期的な変調信号も、採用できる。
すでに前述したように、図5で示す正弦波信号の代わりに、例えば、図2で示した方形波信号が使われることもできる。一例として、この種類の方形波信号は光電変換モジュール12の回路において、周期的に回路を開閉するスイッチを含む負荷20を用いて簡単な方法で作成することができる。
この場合、図4に示される変調源14は、半導体スイッチである。あるいは、例えば、光電変換モジュール12を半導体スイッチを介して周期的に短絡してもよい。
インバータに接続される励起信号の生成例を、太陽発電装置40に基づいて、図6に示す。
この場合は、光電変換モジュール12、12’が直列に接続されて、インバータ44に接続する位相(phase)42を形成する。簡単のために図示しないが太陽発電装置40が通常複数の位相を有することは言うまでもない。
この場合は、位相42は、光電変換モジュール12、12’と直列に接続された半導体スイッチ14を含む。従って、半導体スイッチ14は位相電流を周期的に遮断できる。その結果、図2に示される状況が得られる。
あるいは、インバータ44の2つの入力側は、それらに接続された変調源14’’’を備えることもできる。変調源14’’’は例えば電流プローブを用いる。電流プローブには、テストサイクルの時間中、付加的な周期的負荷によって生成された信号が変調のために印加される。
図6の更なる変更例として、インバータ44のインタフェース46の使用が示される。インターフェース46は、インバータ44の入力回路上へ適切な信号を変調するために、インタフェースは変調源14’’を経て作動される。
図6の変調のための更なる変更例は、図1の14’で示されるような励起を生じるために、太陽発電装置の一部の、または、光電変換モジュールの周期的なシェーディング(shading)である。
他のいかなる変更例も、考えられる。
図7は、図式的に、光電変換モジュールの電流/電圧特性を示す。示されるさまざまな動作点は、特に、短絡KS、無負荷LLおよび順方向動作VRである。バイパス・ダイオードがあるために、電圧が0.5ボルトの閾値電圧より大きくなれば、底の左端で低下が得られる。無負荷の電圧は、ほぼ36〜45ボルトである。
短絡する場合KSにおいて、ほとんどすべての過剰な電荷担体は、完全な接触から離れて吸引される。従って、蛍光信号(それは右側尺度から読みとることが可能である)は、ほぼ0である。無負荷の場合LLにおいて、光ルミネセンスPLだけは得られる。その理由は、光による刺激だけが起こるからである。
順方向VR(VR=PL+EL)の動作の間、そこにおいて、良好な電流源を有する領域でELはPLよりずっと大きい(EL>>PL)。それ故、直列抵抗は、VRとLLの違いを決定する。
さらに下がって、最大の出力電力の位置はMPPにより示される。
光電変換モジュールが変調周波数fを使用して変調されるときに、少なくとも2つの動作点の間で、周期的な変化がなされる。さまざまな動作点で生じる蛍光信号は、異なる情報を含む。注目する動作点は、短絡(KS)、無負荷(LL)、順方向(VR)の位置、最大の電力位置(MPP)である。
短絡する位置KSにおいて、すべてのキャリアが吸引される。すなわち短絡する場合は蛍光KL≒0である。短絡時において、光電変換モジュールの画像は、背景放射Hだけから成る。KL≒0ゆえにKS≒Hである。
負荷LLのない場合、光電変換モジュールの画像は、光ルミネセンスPLおよび背景Hから成る:LL≒PL+H。
順方向VRにおいて、モジュールは負荷に接続される。光電変換モジュールの画像は、エレクトロルミネセンス(EL)、光ルミネセンス(PL)および背景(H)から成る。VR≒EL+PL+Hが得られる。
さまざまな動作点の間で変化するときに、以下の変化を、検出できる:
a) 光ルミネセンスPLは、無負荷LLでの蛍光信号と、短絡KSでの蛍光信号との差から得られる:PL=LL−KS。
光ルミネセンス画像からの情報は、光電変換モジュールに含まれる太陽電池の無負荷の電圧である。
非接触(死んでいる)領域を決定することもできる。その理由は、動作点の変更が接触領域においてだけ起こるということである。変化が起こらない領域は、このように電気的に接続されない。加えて、マイクロ亀裂および電圧誘起出力低下(PID)が誘発される可能性を決定することも可能である。
b)順方向VRの蛍光と無負荷LLでの蛍光の差は、電流により誘発されたエレクトロルミネセンスEL(EL=VR― LL)である。
情報は、ローカル直列抵抗RSである。高い直列抵抗の領域は少ない電流が流れ、その小さな変化が検出される。
劣化した電気接続(例えば割込みされたフィンガー電極、貧しいハンダ接合部および壊れたセルコネクタ)が存在する領域を確認することは、単純な事項である。マイクロ亀裂および電圧誘起出力低下を特定することも可能である。
c) 順方向VRの蛍光と短絡KSの蛍光の差は、一般の蛍光を生じる:
PL+EL=VR−KS。
これは、光電変換モジュールの一般の品質、特にマイクロ亀裂および特に高いSNRでの電圧誘起出力低下の評価を許容する。




















Claims (32)

  1. 光電変換モジュールをテストする方法であって、
    少なくとも一つの変調周波数(f)を用いて光電変換モジュール(12)から引き出されるかまたはそれから出力される電力を変調する工程、
    カメラ(26)を用いて光電変換モジュール(12)を走査する工程、および、
    カメラ(26)からのカメラ信号を評価することによって、光電変換モジュール(12)の蛍光画像(32)を生成する工程を備え、
    光電変換モジュール(12)はその順方向においてのみ作動され、カメラ信号はフィルタ(24)を使用して評価される方法。
  2. カメラ(26)はその入射側に接続されるフィルタシステム(24)を備え、該フィルタシステム(24)は、光電変換モジュール(12)からの蛍光信号を含む波長範囲、例えば結晶シリコンでできている光電変換モジュール(12)の場合、特に近赤外範囲(NIR)を透過する、請求項1に記載の方法。
  3. 試験は、好ましくは光電変換モジュール(12)の動作の間、昼光下においても実行される、請求項1または請求項2に記載の方法。
  4. カメラ信号は、デジタルフィルタにより評価される、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の方法。
  5. カメラ信号は、ロックイン法を使用して評価される、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の方法。
  6. 変調周波数(f)は、光電変換モジュール上へ適用され、そこにおいて、変調周波数は、少なくとも2つの動作点(KS、LL、MPP、VR)の間で周期的に変化する、請求項4または請求項5に記載の方法
  7. 使用される動作点は、短絡(KS)、無負荷(LL)、最大の電力(MPP)および順方向(VR)の任意の位置から成るグループから選択される最低2つの点である、請求項6に記載の方法。
  8. 異なる動作点(KS、LL、MPP、VR)での蛍光信号から得られる違いを抽出することによって情報を引き出す、請求項6または請求項7に記載の方法。
  9. 無負荷(LL)、短絡(KS)の下での蛍光信号を減算(LL−KS=PL)することによって、光ルミネセンス(PL)を抽出する、請求項6から請求項8のいずれか1項に記載の方法
  10. 順方向(VR)から無負荷(LL)の蛍光信号を減算(EL=VR−LL)することによって、電流により誘発されたエレクトロルミネセンス(EL)を抽出する、請求項6から請求項9のいずれか1項に記載の方法
  11. 蛍光信号(EL+PL)が順方向(VR)から短絡(KS)の下の蛍光信号を減算(EL+PL=VR−KS)して抽出される、請求項6から請求項10のいずれか1項に記載の方法。
  12. 試験は、接続負荷(20)を使用して、好ましくはインバータ(44)を使用して実行される、請求項1から請求項11のいずれか1項に記載の方法。
  13. 変調周波数(f)が、周期的なオン/オフ切換によって、好ましくは半導体スイッチ(14’)によって生成される、請求項1から請求項12のいずれか1項に記載の方法。
  14. インバータ(44)の振動数が、MPP検索のための変調周波数(f)として使われる、請求項12または請求項13に記載の方法。
  15. インバータ(44)は、変調周波数(f)を用いたインタフェース(46)を介して作動する、請求項12から請求項14のいずれか1項に記載の方法。
  16. 光電変換モジュール(12)が周期的に、好ましくは半導体スイッチ(14’’’)を介して短絡される、請求項1から請求項15のいずれか1項に記載の方法。
  17. 変調周波数(f)を使用して、太陽発電装置の一部への照射を周期的に変調することによって、光電変換モジュールは作動する、請求項1から請求項16のいずれか1項に記載の方法。
  18. モジュールによって引き出されるかまたは出力される電力の周期的な変調は光学的に生じ、特に補助照射を付加または減算することによって生じる、請求項1から請求湯項17のいずれか1項に記載の方法。
  19. モジュールによって引き出されるかまたは出力される電力の周期的な変調は機械的に生じ、特にモジュールを振ることによって、またはチョッパーで断続することによって生じる、請求項1から請求項18のいずれか1項に記載の方法。
  20. モジュールによって引き出されるかまたは出力される電力の周期的な変調は、電気的、熱的に、または、磁気的に、特に周期的な冷却または加熱によって生じる、請求項1から請求項19のいずれか1項に記載の方法。
  21. 少なくとも一つの変調周波数(f)は、1Hzから25Hzまで、好ましくは2Hzから10Hzまで、より好ましくは3Hzから7Hzの範囲にある、請求項1から請求項20のいずれか1項に記載の方法。
  22. 光電変換モジュール(12)をテストする装置であって、少なくとも一つの変調周波数(f)を用いて、光電変換モジュール(12)によって引き出されるかまたはそこから出力される電力上へAC電圧信号を変調するための装置(14)と、
    光電変換モジュール(12)を走査してカメラ信号を出力するカメラ(26)と、
    カメラ信号に基づいて蛍光画像を計算するための評価装置(28)とを有し、
    光電変換モジュール(12)は順方向において作動され、カメラ信号はフィルタ(24)を使用して評価される装置。
  23. カメラはそれの入射側に接続されるフィルタシステム(24)を備え、光電変換モジュール(12)から蛍光信号を含む波長範囲を透過させ、例えば結晶シリコンでできている光電変換モジュールまたは薄いレイヤ・モジュール(CIS、CIGS、CdTe、a―Si)の特に近赤外範囲(NIR)を透過させる、請求項22に記載の装置。
  24. 評価装置は、特にロックイン法を用いて、カメラ信号を評価するためのデジタルフィルタ形の回路(30)を備える、請求項22または請求項23に記載の装置。
  25. 光電変換モジュール(12)は、変調周波数(f)を使用して、回路を周期的に中断するスイッチ(14’)、好ましくは半導体スイッチを含む、請求項22から請求項24のいずれか1項に記載の装置。
  26. 光電変換モジュール(12)は、少なくとも一つの変調周波数(f)を使用して光電変換モジュール(12)を周期的に短絡させるスイッチ(14’’ ’)、好ましくは半導体スイッチを含む、請求項22から請求項25のいずれか1項に記載の装置。
  27. 光電変換モジュール(12)は、少なくとも一つの変調周波数(f)を用いたインタフェース(46)を介して作動するインバータ(44)に接続されている、請求項22〜請求項26のいずれか1項に記載の装置。
  28. 光電変換モジュール(12)は、少なくとも一つの変調周波数(f)を使用して、存在する光を周期的に変調することによって作動する、請求項22から請求項27のいずれか1項に記載の装置。
  29. 光電変換モジュールから引き出されるもしくは出力される電力の、少なくとも一つの変調周波数(f)による変調は、光学的に行われ、特に補助照射を付加もしくは減算することによって行われる、請求項22から請求項28のいずれか1項に記載の装置。
  30. 光電変換モジュールから引き出されもしくは出力される電力の、少なくとも一つの変調周波数(f)による周期的な変調は、機械的に、特に光電変換モジュールを振ることによってまたはチョッパーを使うことによって行われる、請求項22から請求項29のいずれか1項に記載の装置。
  31. 少なくとも一つの変調周波数(f)によって光電変換モジュールから引き出されもしくは出力される電力の周期的な変調は、電気的に、熱的に、または、磁気的に、特に周期的な冷却または加熱によって行われる、請求項22から請求項30のいずれか1項に記載の装置。
  32. 変調周波数(f)は、1Hzから25Hzまで、好ましくは2Hzから10Hzまで、より好ましくは3Hzから7Hzの範囲にある、請求項22から請求項31のいずれか1項に記載の装置。
JP2015525898A 2012-08-09 2013-08-09 光電変換モジュールをテストするための方法および装置 Active JP6376606B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102012107316.3A DE102012107316B4 (de) 2012-08-09 2012-08-09 Verfahren und Vorrichtung zum Prüfen von Photovoltaikmodulen
DE102012107316.3 2012-08-09
PCT/EP2013/066701 WO2014023823A1 (de) 2012-08-09 2013-08-09 Verfahren und vorrichtung zum prüfen von photovoltaikmodulen

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015527863A true JP2015527863A (ja) 2015-09-17
JP6376606B2 JP6376606B2 (ja) 2018-08-22

Family

ID=48949155

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015525898A Active JP6376606B2 (ja) 2012-08-09 2013-08-09 光電変換モジュールをテストするための方法および装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9680412B2 (ja)
EP (1) EP2883042B1 (ja)
JP (1) JP6376606B2 (ja)
CN (1) CN104685349B (ja)
DE (1) DE102012107316B4 (ja)
WO (1) WO2014023823A1 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016220471A (ja) * 2015-05-25 2016-12-22 株式会社アクティブ・ソーラー・イノベーション 太陽光発電システムの評価方法および評価システム
JP2017153177A (ja) * 2016-02-22 2017-08-31 株式会社日立製作所 太陽光発電装置の検査装置および検査方法
JP2017158273A (ja) * 2016-03-01 2017-09-07 東京電力ホールディングス株式会社 太陽光パネルの発電能力推定方法
JP6208843B1 (ja) * 2016-12-26 2017-10-04 株式会社アイテス 太陽電池パネルの検査装置、及び太陽電池パネルの検査方法
JP6999911B1 (ja) * 2021-06-29 2022-01-19 株式会社アイテス 太陽電池パネルの検査装置、及び検査方法

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10069306B2 (en) 2014-02-21 2018-09-04 Solarlytics, Inc. System and method for managing the power output of a photovoltaic cell
US10103547B2 (en) 2014-02-21 2018-10-16 Solarlytics, Inc. Method and system for applying electric fields to multiple solar panels
US9564854B2 (en) 2015-05-06 2017-02-07 Sunpower Corporation Photonic degradation monitoring for semiconductor devices
EP3282249A1 (de) * 2016-08-09 2018-02-14 Saint-Gobain Glass France Verfahren und vorrichtung zur detektion von gasen in kunststoffschichten durch lock-in-infrarotthermographie
SG11201908988TA (en) * 2017-03-29 2019-10-30 Agency Science Tech & Res Reconfigurable laser stimulated lock-in thermography for micro-crack detection
CN107192759B (zh) * 2017-06-09 2019-08-27 湖南大学 一种基于感应光热辐射的光伏电池无损检测方法及系统
CN107607517A (zh) * 2017-09-19 2018-01-19 哈尔滨工业大学 一种太阳能电池及光伏组件的电致锁相发光成像检测方法与系统
US10931229B2 (en) * 2018-12-13 2021-02-23 Industrial Technology Research Institute Solar cell testing system and testing method thereof
CN110752825A (zh) * 2019-09-26 2020-02-04 华为技术有限公司 光伏组件的故障检测方法和故障检测装置
EP4297272A4 (en) * 2021-02-23 2024-04-10 Huawei Digital Power Tech Co Ltd METHOD AND DEVICE FOR TESTING PHOTOVOLTAIC CELLS AS WELL AS SYSTEM, MEDIUM AND CHIP
CN113358697B (zh) * 2021-04-27 2022-03-29 东南大学 基于非线性调频的高分辨率光热脉冲压缩热成像检测方法
CN114530523A (zh) * 2022-01-24 2022-05-24 江苏日托光伏科技股份有限公司 背接触光伏电池片的在线检测方法及光伏组件生产方法
WO2023224886A1 (en) * 2022-05-16 2023-11-23 Onsight Technology, Inc. Machines and methods for monitoring photovoltaic systems

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003234489A (ja) * 2002-02-08 2003-08-22 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 光電変換特性評価方法およびそのための装置
WO2010019992A1 (en) * 2008-08-19 2010-02-25 Bt Imaging Pty Ltd Method and apparatus for defect detection
JP2010278192A (ja) * 2009-05-28 2010-12-09 Lasertec Corp 太陽電池評価装置
WO2011016441A1 (ja) * 2009-08-04 2011-02-10 国立大学法人奈良先端科学技術大学院大学 太陽電池の評価方法、評価装置、メンテナンス方法、メンテナンスシステム、および太陽電池モジュールの製造方法
US20110153228A1 (en) * 2009-12-23 2011-06-23 General Electric Company Photon imaging system for detecting defects in photovoltaic devices, and method thereof
JP2012512419A (ja) * 2008-12-17 2012-05-31 ケーエルエー−テンカー・コーポレーション 欠陥の検出及び応答

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4440167A1 (de) * 1994-11-10 1996-08-29 Max Planck Gesellschaft Verfahren und Anordnung zur Messung der lateralen Stromverteilung in Halbleiterbauelementen
DE10240060A1 (de) * 2002-08-30 2004-03-25 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren und Anordnung zur strahlungsinduzierten Bestimmung der lokalen Verteilung von Verlustströmen bzw. Verlustleistung in Halbleiterbauelementen
DE102007007140B4 (de) 2007-02-09 2009-01-29 Astrium Gmbh Verfahren und Anordnung zur Detektion mechanischer Defekte eines Halbleiter-Bauelements, insbesondere einer Solarzelle oder Solarzellen-Anordnung
DE102007010516A1 (de) * 2007-03-05 2008-09-18 Intego Gmbh Verfahren zur Identifizierung der Herkunft eines polykristallinen Produkts sowie Vorrichtung mit einer Bilderfassungseinheit zur Erstellung von Produktbildern eines polykristallinen Produkts
JP4153021B1 (ja) * 2007-10-22 2008-09-17 日清紡績株式会社 太陽電池の検査装置
US7709794B2 (en) * 2008-02-05 2010-05-04 Kla-Tencor Corporation Defect detection using time delay lock-in thermography (LIT) and dark field LIT
US20090297017A1 (en) * 2008-03-25 2009-12-03 Hudgings Janice A High resolution multimodal imaging for non-destructive evaluation of polysilicon solar cells
JP2010181328A (ja) * 2009-02-06 2010-08-19 Kobe Steel Ltd 太陽電池ウェハ表面の検査装置,太陽電池ウェハ表面の検査用プログラム,太陽電池ウェハ表面の検査方法
US8278937B2 (en) * 2009-02-07 2012-10-02 Tau Science Corporation High speed detection of shunt defects in photovoltaic and optoelectronic devices
KR101055790B1 (ko) 2009-04-17 2011-08-09 주식회사 맥사이언스 태양전지 교류 전계발광 화상검사 장치
DE102010010509A1 (de) * 2010-03-06 2011-09-08 Adensis Gmbh Verfahren zur Identifizierung leistungsschwacher Photovoltaikmodule in einer bestehenden PV-Anlage
US20120160295A1 (en) * 2010-06-25 2012-06-28 International Business Machines Corporation Solar cell classification method
EP2410319A1 (de) * 2010-07-23 2012-01-25 Solarpower GmbH Verfahren und System zur Detektion von defekten Solarmodulen
JP2012038805A (ja) * 2010-08-04 2012-02-23 Precise Gauges Co Ltd 電界分布またはキャリア分布を高次高調波の強度に基づいて検出する検出装置
CN102629968A (zh) * 2012-04-11 2012-08-08 湖南镭目科技有限公司 一种图像处理装置、方法及系统

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003234489A (ja) * 2002-02-08 2003-08-22 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 光電変換特性評価方法およびそのための装置
WO2010019992A1 (en) * 2008-08-19 2010-02-25 Bt Imaging Pty Ltd Method and apparatus for defect detection
JP2012512419A (ja) * 2008-12-17 2012-05-31 ケーエルエー−テンカー・コーポレーション 欠陥の検出及び応答
JP2010278192A (ja) * 2009-05-28 2010-12-09 Lasertec Corp 太陽電池評価装置
WO2011016441A1 (ja) * 2009-08-04 2011-02-10 国立大学法人奈良先端科学技術大学院大学 太陽電池の評価方法、評価装置、メンテナンス方法、メンテナンスシステム、および太陽電池モジュールの製造方法
US20110153228A1 (en) * 2009-12-23 2011-06-23 General Electric Company Photon imaging system for detecting defects in photovoltaic devices, and method thereof

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016220471A (ja) * 2015-05-25 2016-12-22 株式会社アクティブ・ソーラー・イノベーション 太陽光発電システムの評価方法および評価システム
JP2017153177A (ja) * 2016-02-22 2017-08-31 株式会社日立製作所 太陽光発電装置の検査装置および検査方法
JP2017158273A (ja) * 2016-03-01 2017-09-07 東京電力ホールディングス株式会社 太陽光パネルの発電能力推定方法
JP6208843B1 (ja) * 2016-12-26 2017-10-04 株式会社アイテス 太陽電池パネルの検査装置、及び太陽電池パネルの検査方法
JP2018105680A (ja) * 2016-12-26 2018-07-05 株式会社アイテス 太陽電池パネルの検査装置、及び太陽電池パネルの検査方法
JP6999911B1 (ja) * 2021-06-29 2022-01-19 株式会社アイテス 太陽電池パネルの検査装置、及び検査方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP2883042A1 (de) 2015-06-17
CN104685349B (zh) 2017-10-13
WO2014023823A1 (de) 2014-02-13
CN104685349A (zh) 2015-06-03
US9680412B2 (en) 2017-06-13
JP6376606B2 (ja) 2018-08-22
US20150155829A1 (en) 2015-06-04
DE102012107316A1 (de) 2014-02-13
DE102012107316B4 (de) 2019-08-14
EP2883042B1 (de) 2018-07-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6376606B2 (ja) 光電変換モジュールをテストするための方法および装置
Du et al. Nondestructive inspection, testing and evaluation for Si-based, thin film and multi-junction solar cells: An overview
US8301409B2 (en) Photon imaging system for detecting defects in photovoltaic devices, and method thereof
JP5051854B2 (ja) 太陽電池の評価方法及び評価装置並びにその利用
US10554172B2 (en) Illuminated outdoor luminescence imaging of photovoltaic modules
US20150070487A1 (en) Method and a device for the purpose of elctroluminescence inspection and/or photoluminescence inspection
Guada et al. Daylight luminescence system for silicon solar panels based on a bias switching method
JPWO2006059615A1 (ja) 太陽電池の評価方法及び評価装置並びにその利用
CN102089874A (zh) 薄膜成像方法和设备
Johnston Contactless electroluminescence imaging for cell and module characterization
Adams et al. The influence of defects on the cellular open circuit voltage in CuInGaSe2 thin film solar modules—An illuminated lock-in thermography study
CN110243839A (zh) 一种半导体材料及器件内部缺陷无损测试方法及系统
US9537444B2 (en) Methods and systems for characterizing photovoltaic cell and module performance at various stages in the manufacturing process
Tariq et al. Fusion of thermal and visible acquisitions for evaluating production-borne scratches and shunts in photo-voltaic PV cells
Kasemann et al. Spatially resolved silicon solar cell characterization using infrared imaging methods
CN117561434A (zh) 经由光学串调制进行光伏阵列的户外光致发光成像
JP7149534B2 (ja) 太陽電池パネルの検査装置、及び検査方法
Terrados et al. Comparison of outdoor and indoor PL and EL images in Si solar cells and panels for defect detection and classification
Xu et al. Transport efficiency imaging in multi-junction solar cells by luminescence analysis
Ke et al. High-performance inspecting system for detecting micro-crack defects of solar wafer
Zaunbrecher et al. Identification and analysis of distinct features in imaging thin-film solar cells
KR101876628B1 (ko) 야외 태양전지모듈 위상잠금 발광 화상 검사 장치 및 방법
Zaunbrecher Imaging as characterization techniques for thin-film cadmium telluride photovoltaics
US20240178791A1 (en) Intelligent detection system
Vukovic et al. A review of imaging methods for detection of photoluminescence in field-installed photovoltaic modules

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160805

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170621

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170706

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20171006

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20171130

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180215

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20180515

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180612

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180628

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180719

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6376606

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250