CN104685349A - 用于检查光电模块的方法和设备 - Google Patents
用于检查光电模块的方法和设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104685349A CN104685349A CN201380042306.7A CN201380042306A CN104685349A CN 104685349 A CN104685349 A CN 104685349A CN 201380042306 A CN201380042306 A CN 201380042306A CN 104685349 A CN104685349 A CN 104685349A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- optical
- electric module
- suo shu
- signal
- video camera
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 66
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 claims description 29
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 28
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 17
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims description 9
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 5
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 abstract description 8
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 7
- 238000001931 thermography Methods 0.000 description 6
- 206010038743 Restlessness Diseases 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 3
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 3
- 101100258233 Caenorhabditis elegans sun-1 gene Proteins 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000001537 neural effect Effects 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000010009 beating Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 1
- 239000011435 rock Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000011664 signaling Effects 0.000 description 1
- GOLXNESZZPUPJE-UHFFFAOYSA-N spiromesifen Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1C(C(O1)=O)=C(OC(=O)CC(C)(C)C)C11CCCC1 GOLXNESZZPUPJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000153 supplemental effect Effects 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
- H02S50/00—Monitoring or testing of PV systems, e.g. load balancing or fault identification
- H02S50/10—Testing of PV devices, e.g. of PV modules or single PV cells
- H02S50/15—Testing of PV devices, e.g. of PV modules or single PV cells using optical means, e.g. using electroluminescence
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/66—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light electrically excited, e.g. electroluminescence
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
- H02S50/00—Monitoring or testing of PV systems, e.g. load balancing or fault identification
- H02S50/10—Testing of PV devices, e.g. of PV modules or single PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
给出一种用于检查光电模块的方法和设备,其中,将由光电模块(12)获取或输出的功率加以调制(fQ);利用摄影机(26)来扫描光电模块(12);以及对由摄影机(26)产生的摄影机信号加以评估,以便获得光电模块(12)的发光图像;其中,光电模块(12)仅在正向上运行,以及在应用滤波器(24)的情况下对摄影机信号加以评估,所述滤波器优选为数字滤波器。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于检查光电模块的方法,具有下列步骤:将交流电压调制加载到光电模块上;利用摄影机对光电模块进行扫描;以及对由摄影机产生的摄影机信号加以评估,以便获得光电模块的发光图像。
本发明还涉及一种用于检查光电模块的设备,具有:用于将交流电压信号调制加载到光电模块上的装置;用于扫描光电模块的摄影机,该摄影机输出摄影机信号;以及用来基于摄影机信号计算发光图像的评估装置。
背景技术
此类方法以及此类设备由EP 2421052A2公知。
根据公知的方法以及公知的设备,将交流电压信号加载到光电模块的两个连接部上并且调制既在光电模块的正向上实施,又在光电模块的负向上实施,并且对所产生的电致发光加以评估。在此,对在正向上以及负向上的发光图像加以检测并且将其相互叠加。
公知的方法用于在制造光电模块时进行质量监控。这种方法如同所有现今公知的基于发光设计的方法一样,必须在暗室中在排除任何光源(除光电模块本身外)的情况下实施。另外,这种方法不能在构造有旁路二极管的光电模块中使用。
由J.Coello在2011年的“第二十六届欧洲光电太阳能会议与展览(26th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition)”的第3469-3472页发表的“电致发光技术用作大型太阳能电站的质量监控的简介(Introducing Electroluminescence Technique as a Quality Control ofLarge PV Plants)”,公知一种在大规模制造光电模块时通过电致发光进行的质量监控。在此情况下,光电电池被以沿正向的直流电压加载,从而该光电电池在近红外区域内发光。在此情况下,也要在暗室中进行测试,而不让日光射入。
这种测试方法虽然原则上适合于在制造光伏电池时确保良好的质量监控,但前提是使用已经存在的光电模块,相关的模块被拆卸并且在暗室中接受检查。
这意味着非常高昂的花费以及在检查阶段期间相应的损失。
发明内容
基于上述背景,本发明的目的在于,提出用于检查光电模块的、改善的方法和改善的设备,由此,能够尽可能在无需暗室的情况下执行简化的检查。
所述目的根据本发明通过一种用于检查光电模块的方法来实现,所述方法具有下列步骤:将由光电模块获取或输出的功率以至少一个调制频率加以调制;利用摄影机来扫描光电模块;以及对由摄影机产生的摄影机信号加以评估,以便获得光电模块的发光图像;其中,光电模块仅在其正向上运行,以及在应用滤波器的情况下对摄影机信号加以评估。
在设备方面,本发明的目的还通过一种用于检查光电模块的设备来实现,其具有:用于将交流电压信号以至少一个调制频率调制到由光电模块获取或输出的功率上的装置;用于扫描光电模块的摄影机;以及用来基于摄影机信号计算发光图像的评估装置,其中,光电模块仅在其正向上运行,以及在应用滤波器的情况下对摄影机信号加以评估。
本发明的目的以上述方式完美实现。
根据本发明,实现了对电致发光进行选择性评估以及在滤波器辅助下对在光电模块运行期间存在的干扰光源(例如太阳光或环境的反射)进行分离,而与此同时模块的功率得到调制。
对于“正向”在本申请中被理解为是如下的电压范围,在该电压范围中,加在模块上的电压具有相同的极性,如在空载中照明的情况下在模块处下降的电压。
在本发明的优选的改进方案中,在摄影机前面接有滤波系统,滤波系统在光电模块的发光信号所处的波长范围内是可通过的,例如对于由晶体硅制成的光电模块特别是在近红外区域(NIR)中是可通过的,为此例如能够应用这种滤波器。由此,获得了在电致发光的波长范围中最佳的敏感度和对于其余干扰信号良好的分离。
根据本发明,能够甚至在日光或其他光线照射下,优选甚至在光电模块运行期间来执行对光电模块的检查。
在本发明的优选构造方案中,摄影机信号借助数字滤波器来评估。
在本申请中,对于“数字滤波器”被理解为用于操作信号(例如阻止一定的频率范围或使其通过)的算术滤波器。数字滤波器不处理连续的信号,而是仅处理在时间和数值上离散的信号。时间上离散的信号按照时间上周期性的顺序仅由表现为时间上的信号分布的各脉冲(这里为图像)、各数值(在这里为像点的亮度值)构成。扫描数值在数值上是离散的,因为数字式的计数表达仅给出最终的分辨能力。
借助数字滤波器能够在尽管存在很强的背景噪声的情况下(例如在日光下在光电模块处出现的那样)干净地获取出发光图像并加以评估。
当应用数字滤波器时,仅当没有宽频干扰与宽频有效信号同时存在时,将(光学的)滤波器附加地接在摄影机前面才是有意义的。但当a)宽频干扰和窄频有效信号(例如日光发光)存在时,则在正确选用滤波器的情况下能够使信噪比(SNR)以10至100的因数得到提高。当在情形b)中,干扰信号和有效信号的光谱范围完全分开(例如暗室中的光致发光)的情况下,则信噪比(SNR)甚至以106或更高的因数得到提高。
因为一般存在的是情形a),所以除了应用数字滤波器还将光学滤波系统接在摄影机前面是有意义的。
根据本发明的另一优选构造方案,摄影机信号依照锁相方法来评估。
锁相方法原则上在现有技术中公知并且在放大信号并且必须在统计学噪声的背景下评估信号时,经常用到。如在O.Breitenstein、W.Warta和M.Langenkamp在“锁相热成像,基本原理与用于评估电学装置及材料的用途(在线发表)(Lock-in Thermography.Basics and Use forEvaluating Electronic Devices and Materials,Online-Ausg)”(Springer-Verlag Berlin Heidelberg,Berlin,Heidelberg,2010)中详细介绍的那样(其在这里完全参引而包括在内),锁相方法的前提是:初级信号在检测之前以及在第一放大阶段之前周期性地脉冲或者以某种方式以一定的频率(锁相频率)调制放大。
锁相方法的目标在于:仅对所检测信号的振荡的交流电压部分加以评估。在锁相方法的模拟变型中,无噪声的AC(交流)-基准信号从信号产生过程中导出并且作为相移信号与混有噪声的测定信号在应用电子开关的情况下交替地要么直接叠加,要么与逆变的混有噪声的信号叠加。按照这种方式,能够尽可能无噪声地获取信号。不言而喻的是:替代前面提到的模拟锁相方法地,也可以数字式地实现锁相方法,如详细地在O.Breitenstein等人的上述内容中所述那样。优选的是锁相方法也同样是数字滤波方法。
根据本发明的另一构造方案,对于光电模块施加如下的调制频率(fQ),凭借其周期性地在至少两个工作点(KS、LL、MPP、VR)之间变换。
在此情况下,用作工作点的是从下述组中选出的两个,所述组由短接(KS)、空载(LL)、最大功率点(MPP)或正向(VR)上的任意点构成。
在本发明的优选改进方案中,从不同的工作点(KS、LL、MPP、VR)上的发光信号中通过构造差值来获取信息。
不同的工作点下的发光信号包括关于发光的各种信息,对这些信息根据本发明加以评估。在本文中,例如关注的是:短接发光(KL)、光致发光(PL)、受电阻限制的电致发光(EL)以及背景(H)。
于是例如能够通过空载(LL)中与短接(KS)时的发光信号做差来获取光致发光(PL):LL-KS=PL。
由此获得构造于光电模块中的太阳能电池的空载电压。也可以发现未接触的(死)区域、微裂纹和潜在电势诱导衰减(PID)。
潜在电势诱导衰减(PID)被发现。
另外,受电阻限制的电致发光(EL)通过沿正向(VR)的和空载(LL)中的发光信号做差而被获取:EL=VR-LL。
这提供了关于局部串联电阻的信息。能够发现未良好地电连接的完好区域(接触指断开、焊点质量差以及电池单元连接件断开)以及微裂纹和潜在电势诱导衰减(PID)。
另外,可以通过将沿正向(VR)的与短接(KS)中的发光信号做差来获取混合的发光信号(EL+PL):EL+PL=VR-KS。
这提供了关于光电模块总体质量的指示,特别是关于微裂纹和潜在电势诱导衰减。高信号比的优点能够得到充分利用。
摄影机视频频率(帧数)fK并不是固定的,而是fK受到当今技术的限制。现今,最大值为400Hz;但是在以后几年中可望迅速提高。
按照典型方式,为了借助锁相放大信号,利用“过采样”。在此,适用于调制频率fQ的是:对于单相锁相的情况为fQ<=fK/2,以及对于双相锁相的情况为fQ<=fK/4。这是所谓的Nyquist条件。但也可以利用“过疏采样”。在此,fQ独立于fK。fQ甚至可以大于fK。但在此要注意一些特别之处,例如“禁止”频率(也参见O.Breitenstein等人的上述内容)。调制频率fQ不必是固定的。当调制信号例如通过从图像中的所有像素的总和中的获取而已知时,则借助非对称的锁相仍可以放大所需要的信号。
当锁相方法与根据本发明的方法相关地应用时,则也可以将非常弱的电致发光信号从非常强的背景噪声(例如在日光中在光电模块处出现的那样)中干净地分离并加以评估,以便产生光电模块的发光图像。
不言而喻的是,替代锁相方法也可以应用各种其他合适用于检测弱的周期性信号的、数字的或模拟的过滤方法。
根据由O.Breitenstein等人公开的锁相热成像方法,借助外部电压源或照射源以锁相基准频率对太阳能电池进行调制。为了进行评估,在中红外范围内对于2μm与5μm之间的波长敏感的红外摄影机得到使用。经调制的电压源或辐射源和红外摄影机在此最为精准地彼此同步,以便由混有噪声的单个图像应用锁相方法来产生热成像照片,该热成像照片显示出太阳能电池中缺陷的准确位置和程度。
相反,根据本发明,锁相方法或其他能够实现对弱的周期性信号加以检测的方法被用于在黑暗中、在日光照射下或在其他照射下对发光图像加以评估或产生发光图像。就此而言,基于由O.Breitenstein等人公开的热成像方法的现有技术不容易想到本发明的技术方案。
周期性信号可以要么以光学方式(通过加减附加照射)、要么以机械(例如通过在模块上的晃动或者借助斩波器)、以电学方式或热学方式(周期性冷却或加热)或者磁性方式来产生。
根据本发明的另一有利的实施方案,检查在连有用电器的情况下实现,优选连有逆变器。
这种实施方案能够在实践中特别有利地使用,这是因为有待检查的光电模块不必被拆卸,而是可以在运行期间,必要时在充分利用逆变器的情况下得到检查。
根据本发明的另一有利构成方案,调制频率fQ通过周期性的接通/关断,优选借助半导体来产生。
这是特别简便的、用以产生调制频率fQ的可行方案。
在此情况下,必要时在MPP试验(最大功率点试验)中利用逆变器的频率。
根据本发明的另一构造方案,逆变器借助界面来操控,以便对所连接的模块以调制频率fQ加以调制。
因为新型的逆变器通常构造有用于操控的界面,所以能够以这种方式实现将交流电压信号特别简便地调制加载到光电模块上或逆变器元件串中的一系列光电模块上。
根据本发明的另一构造方案,光电模块优选借助半导体被周期性地短接。
所述方法也实现了特别简单地产生调制频率。
根据本发明的另一构造方案,有待检查的光电模块通过对打在其上的或打在连接在相同的元件串中或连接在同一逆变器上的模块上的辐照或其中的部分的周期性调制被以调制频率fQ调制。
所述方法例如可以通过有针对性的周期式遮挡(例如借助斩波器)以调制频率fQ来实现。
在本申请的范围内,辐照包括各种类型的电磁辐射:借助紫外线的X光辐射、可见光、近中远红外线直至处于微波范围的辐射。
在应用50Hz图像频率的摄影机时,获得处在1至<25Hz范围内、例如处在2至<10Hz范围内、特别是处在3至<7Hz范围内的调制频率的良好效果。
滤波系统从背景噪声中对相对弱的电致发光信号进行滤波,所述相对弱的电致发光信号(对于由晶体硅制成的光电模块)处在近红外区域中,即例如处在950nm至1330nm的范围内,其中最大值处在1130nm处,并且于是实现了以锁相方法更佳的后续放大。通常应用的CCD摄影机在近红外区域中具有相对低的敏感度并且在可见光范围内具有较大的敏感度。
所述缺点除了滤波外,通过使用与模块的光致发光相匹配的摄影机来弥补,该摄影机例如针对由晶体硅制成的模块在950至1350nm的波长范围内具有高敏感度。
碲化镉薄层模块(CdTe)在700-900nm的范围内发光。在这里,提供了具有匹配的光学滤波系统的SiCCD摄影机的用途。
CIGS(还有CIGSSe或CIS)薄层模块根据层结构在800-1300nm之间的区域中发光。在这里,提供了具有匹配的光学滤波系统的SiCCD摄影机的用途。
对于所有市面存在的模块技术,适合的是朝向更低波长扩宽的光谱范围(400-1700nm)的InGaAs摄影机。光学滤波系统应当相应适配。
不言而喻的是,前面提到的以及后面还有阐述的特征能够不仅以分别说明的组合,而且还以其他组合或单独地应用,而不离开本发明的范围。
附图说明
本发明的其他特征和优点由参照附图对优选实施例的下列说明获得。其中:
图1示出用于检查光电模块的根据本发明的设备的大大简化的概览图;
图2示出用于检查光电设备中的光电模块的调制方法的原理图示;
图3示出针对由晶体硅制造的太阳能模块的发光信号的滤波系统的光谱敏感度的简化示意图,该滤波系统在大约1130nm的范围内具有最大值并且与背景噪声相对照地示出;
图4示出根据本发明的设备的另一原理图示,其中,调制频率通过光电模块电路中的源产生,由此,呈现为交流电压信号;
图5示出本发明的可替换的实施方案,其中,调制频率构造为正弦信号,凭借该正弦信号例如对光电模块的输出功率加以调制;
图6示出具有处在逆变器的元件串中的一系列串联的光电模块的光电设备的简化图示,其中,存在用于产生调制频率的不同可行方案,以及
图7示出光电模块的电流/电压特性曲线,其中,对不同的工作点加以阐释。
具体实施方式
图1示出用于检查光电设备40的光电模块12的设备10的简化示意图。光电设备40具有一系列光电模块,这些光电模块在这里仅示例性地以12标示。
光电设备40的功率借助至少一个调制频率fQ加以调制,正如示意地以源14或可替换地以源14’所示那样。调制例如能够以电学、机械或磁性的方式实现,以便对由光电模块12输出的功率在工作中以调制频率fQ进行调制,正如对于源14的情况所示那样。可替换地,例如可以对从太阳1打到光电模块12上的光束加以调制,方式为:例如通过斩波器实现周期性的接通,正如对于源14’的情况所示那样。
由光电模块12输出的、以调制频率fQ调制的功率借助视频摄影机26进行扫描。视频摄影机26的输出信号“视频输出”借助评估装置28(一般是个人计算机)凭借锁相算法加以分析,以便由此推导出光电模块12的发光图像。
在图2中示意地示出调制过程。模块特性曲线例如以矩形信号来调制,正如在图的左半部所示那样。借助摄影机26完成对各个像素的测定,正如图的右半部所示那样。由图中所有像素的总和来确定调制频率。从每一像素混有噪声的信号中借助数字滤波器(在这里优选呈锁相算法的形式)推导出光电模块的发光图像。图3示出以36标示的发光信号及所应用的主要在950至1350nm范围内敏感的滤波系统24的以35标示的背景信号的示意图(强度I,以任意单位(a.u.)计),以便将敏感度置于发光信号最大值的范围内,该最大值对于由晶体硅制成的光电模块为1130nm。对于其他模块技术(例如薄层模块),测量系统能够相应得到匹配。
图4示出用于检查光电模块12的设备10的另一图示。
光电模块12具有两个连接部21、22,所述光电模块借助所述连接部在连接外部负载20的情况下形成闭合的电路。在这种电路中另外还存在源14,用以产生叠加的周期信号。
根据本发明,借助源14产生周期交流电压信号,该交流电压信号的振幅以如下方式选取:使光电模块12总是在其正向上运行。所述交流电压信号例如可以是正弦形信号,其振幅小于通过由示意示出的太阳1发出的太阳光束16对光电模块12的照射而产生的直流信号的振幅。于是,获得了脉冲式的信号,其振幅在I1与I2之间脉冲变化,正如在图5中示意示出那样。
由光电模块12在运行中在其正向上产生的发光光束18借助例如滤波系统24(其例如在950nm至1350nm的范围内运行,在1130nm的范围内具有最大值)加以滤波,以便从根据图3的太阳光光谱35的背景噪声中获取发光信号。摄影机26获得借助滤波系统24滤波的信号并且对光电模块12的表面加以扫描。摄影机26的图像频率例如可以为50Hz(fK=50Hz)。例如可以将5Hz的频率用作调制频率fQ。
摄影机26的输出信号“视频输出”被输送给评估装置28(例如个人计算机)以用于评估。评估装置28应用数字锁相算法,以便从混有噪声的视频信号中获取发光信号并且加以放大,以及由此产生光电模块12的发光图像32。于是,发光图像32可以被用于使光电模块12的缺陷在视觉上可见或者自动对这样的缺陷加以评估。
如上面所实施的那样,不言而喻的是:激励信号能够以任意方式产生,只要考虑到光电模块12总是仅在正向上运行就行。另外,除了矩形和正弦形激励信号,还可以考虑的是任意其他的周期性调制信号。
如在前面已经提及地,例如可以替代根据图5的正弦形信号地也应用根据图2的矩形信号。这样的矩形信号能够以简单的方式例如以如下方式产生:在光电模块12的经由负载20而闭合的电路中加设开关,电路借助该开关周期性地打开和闭合。在这种情况下,根据图4的源14可以是半导体开关。可替换地,例如也可以借助半导体开关周期性地短接光电模块12。
用于与逆变器相关联地产生激励信号的变型借助图6中的示例性的光电设备40示出。
在这种情况下,串联地接有一系列光电模块12、12’...,并且形成元件串42,该元件串被连接在逆变器44上。不言而喻的是:光电设备40一般具有多个元件串,这些元件串在这里出于简略原因并未示出。
在这里的情形中,半导体开关14与光电模块12、12’串联地处在元件串42中。由此,通过半导体开关14能够周期性地中断元件串电流,从而得出根据图2的状况。
可替换地也可以将源14”’例如借助电流接线钳(Stromzange)对应检查周期的时间连接到逆变器44的两个输入侧并且对例如产生附加的周期性负载的信号加以调制。
作为图6中的其他可行方案示出的是逆变器44的界面46的应用,该界面能够借助源14”’来操控,以便将适合的信号调制加载到逆变器44的输入回路上。
用于图6中的调制的另一可行方案是周期性地遮挡用以产生激励的光电设备或光电模块的一部分,如在图1中对于源14’所示那样。
可以考虑其他任意可行方案。
在图7中示意示出光电模块的电流/电压特性曲线。作为不同的工作点给出的是:短接KS、空载LL和沿正向VR的运行。基于旁路二极管,在左下端在克服了大于0.5伏特的阈值电压之后(电流)发生下降。空载电压约为36至45伏特。
在短接情形中,几乎所有的过剩载流子被完好的接触部吸走。因此,能够在右侧坐标上读取的发光信号几乎为零。在空载情形LL中,仅实现了光致发光PL,因为激励仅通过光来实现。
在沿正向VR的运行中,VR=PL+EL,其中,在被良好馈电的区域内,EL>>PL。由此,串联电阻很大程度上确定了VR与LL之间的差值。
进一步在下面在特性曲线上,以MPP标绘出最大功率输出的点。
在以调制频率fQ对光电模块的调制中,通过在至少两个工作点之间的变换来执行周期性的改变。在不同的工作点上产生的发光信号包含各种信息。可行的工作点有:短接(KS)、空载(LL)、正向(VR)上的任意点以及最大功率点(MPP)。
在短接情形KS中,实际上所有载流子被吸收,从而在短接情形中,发光KL≈0。因而在短接中,光电模块的图像仅由背景光束H构成:KS≈H,其中KL≈0。
在空载LL中,光电模块的图像由光致发光PL和背景H构成:LL≈PL+H。
在正向VR上,将模块作为用电器接入。光电模块的图像由电致发光(EL)、光致发光(PL)和背景(H)构成。即获得了:VR≈EL+PL+H。
在不同工作点之间变换时,可以检测下列变化:
a)光致发光PL由空载LL与短接KS之间的发光信号的差值得出:PL=LL-KS。
光致发光图像的信息是构造在光电模块中的太阳能电池的空载电压。
也可以发现未接触的(死)区域。因为工作点变换仅在接触的区域发生:不发生变化的区域就没有电连接。另外,可以发现微裂纹和潜在电势诱导衰减(PID)。
b)由沿正向VR的发光与空载LL中的发光之间的差值获得电流诱导的电致发光EL=VR-LL。
信息是局部串联电阻RS。具有高串联电阻的区域较少被电流通流,也就检测到较小的变化。
能够发现未良好电连接的完好区域,例如发生接触指中断、焊点质量差以及电池单元连接件断开。也可以发现微裂纹和潜在电势诱导衰减。
c)由沿正向VR的发光与短接KS中的发光之间的差值获得整体的发光PL+EL=VR-KS。
这实现了对光电模块整体质量的评估,特别是发现微裂纹以及具有特别高信噪比(SNR)的潜在电势诱导衰减。
Claims (32)
1.一种用于检查光电模块的方法,具有下列步骤:将由光电模块(12)获取或输出的功率以至少一个调制频率(fQ)加以调制;利用摄影机(26)来扫描所述光电模块(12);以及对由所述摄影机(26)产生的摄影机信号加以评估,以便获得所述光电模块(12)的发光图像(32);其中,所述光电模块(12)仅在其正向上运行,以及在应用滤波器(24)的情况下对所述摄影机信号加以评估。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,在所述摄影机(26)前面接有滤波系统(24),所述滤波系统在所述光电模块(12)的发光信号所处的波长范围内是能够通过的,例如对于由晶体硅制成的光电模块特别是在近红外区域(NIR)中是能够通过的。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其中,所述检查在日光下,优选在所述光电模块(12)运行期间进行。
4.根据前述权利要求之一所述的方法,其中,对所述摄影机信号借助数字滤波器加以评估。
5.根据前述权利要求之一所述的方法,其中,对所述摄影机信号根据锁相方法加以评估。
6.根据权利要求4或5所述的方法,其中,对于所述光电模块施加如下的调制频率(fQ),凭借所述调制频率周期性地在至少两个工作点(KS、LL、MPP、VR)之间变换。
7.根据权利要求6所述的方法,其中,用作工作点的是选自如下组中的至少两个,所述组由短接(KS)、空载(LL)、最大功率点(MPP)或正向(VR)上的任意点构成。
8.根据权利要求6或7所述的方法,其中,从不同的工作点(KS、LL、MPP、VR)上的发光信号中通过构造差值来获取信息。
9.根据权利要求6至8之一所述的方法,其中,光致发光(PL)通过空载(LL)中的发光信号与短接(KS)时的发光信号的差值来获取:LL-KS=PL。
10.根据权利要求6至9之一所述的方法,其中,电流诱导的电致发光(EL)通过沿正向(VR)的发光信号与空载(LL)中的发光信号的差值来获取:EL=VR-LL。
11.根据权利要求6至10之一所述的方法,其中,整体的电致发光(PL+EL)由沿正向(VR)的发光信号与短接(KS)中的发光信号之间的差值来获取:EL+PL=VR-KS。
12.根据前述权利要求之一所述的方法,其中,所述检查在连有用电器(20)的情况下实现,优选连有逆变器(44)。
13.根据前述权利要求之一所述的方法,其中,所述调制频率(fQ)通过周期性接通/关断,优选借助半导体(14’)来产生。
14.根据权利要求12或13所述的方法,其中,逆变器(44)的频率在MPP试验中用作调制频率(fQ)。
15.根据权利要求12至14之一所述的方法,其中,所述逆变器(44)借助界面(46)被以所述调制频率(fQ)操控。
16.根据前述权利要求之一所述的方法,其中,所述光电模块(12)优选借助半导体开关(14”’)周期性地短接。
17.根据前述权利要求之一所述的方法,其中,所述光电模块通过对打在光电设备的一部分上的辐射的周期性调制而被以所述调制频率(fQ)操控。
18.根据前述权利要求之一所述的方法,其中,对由所述模块获取或输出的功率的周期性调制以光学的方式产生,特别是通过附加辐射的加减来产生。
19.根据前述权利要求之一所述的方法,其中,对由所述模块获取或输出的功率的周期性调制以机械的方式产生,特别是通过在所述模块处的晃动或者通过斩波器来产生。
20.根据前述权利要求之一所述的方法,其中,对由所述模块获取或输出的功率的周期性调制以电学、热学或磁性的方式产生,特别是通过周期性的冷却或加热来产生。
21.根据前述权利要求之一所述的方法,其中,应用至少一个频率处在1至<25Hz范围内、例如处在2至<10Hz范围内、特别是处在3至<7Hz范围内的调制频率(fQ)。
22.一种用于检查光电模块(12)的设备,具有:用于将交流电压信号以至少一个调制频率(fQ)调制到由所述光电模块(12)获取或输出的功率上的装置(14);用于扫描所述光电模块(12)的摄影机(26),所述摄影机输出摄影机信号;以及用来基于所述摄影机信号计算发光图像的评估装置(28),其中,所述光电模块(12)仅在其正向上运行,以及在应用滤波器(24)的情况下对所述摄影机信号加以评估。
23.根据权利要求22所述的设备,其中,在所述摄影机前面接有滤波系统(24),所述滤波系统在所述光电模块(12)的发光信号所处的波长范围内是能够通过的,例如对于由晶体硅制成的光电模块或薄层模块(CIS、CIGS、CdTe、a-Si)特别是在近红外区域(NIR)中是能够通过的。
24.根据权利要求22或23所述的设备,其中,所述评估装置具有呈特别是根据锁相方法评估所述摄影机信号的数字滤波器的形式的电路(30)。
25.根据权利要求22至24之一所述的设备,其中,在所述光电模块(12)的电路中存在开关(14’),优选为半导体开关,所述开关以所述调制频率(fQ)周期性地中断所述电路。
26.根据权利要求22至25之一所述的设备,其中,将开关(14”’)、优选为半导体开关连接到所述光电模块(12)上,所述开关以至少一个调制频率(fQ)周期性地短接所述光电模块(12)。
27.根据权利要求22至26之一所述的设备,其中,所述光电模块(12)连接到逆变器(44)上,所述逆变器(44)借助界面(46)以至少一个调制频率(fQ)操控。
28.根据权利要求22至27之一所述的设备,其中,所述光电模块(12)通过对所射入的光的周期性调制而被以至少一个调制频率(fQ)操控。
29.根据权利要求22至28之一所述的设备,其中,对由所述模块获取或输出的功率的周期性调制以至少一个调制频率(fQ)以光学的方式产生,特别是通过附加辐射的加减来产生。
30.根据权利要求22至29之一所述的方法,其中,对由所述模块获取或输出的功率的周期性调制以至少一个调制频率(fQ)以机械的方式产生,特别是通过在所述光电模块处的晃动或者通过斩波器来产生。
31.根据权利要求22至30之一所述的方法,其中,对由所述模块获取或输出的功率的周期性调制以至少一个调制频率(fQ)以电学、热学或磁性的方式产生,特别是通过周期性的冷却或加热来产生。
32.根据权利要求22至31之一所述的方法,其中,所述调制频率(fQ)处在1至25Hz范围内、优选处在2至10Hz范围内、进一步优选处在3至7Hz范围内。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102012107316.3A DE102012107316B4 (de) | 2012-08-09 | 2012-08-09 | Verfahren und Vorrichtung zum Prüfen von Photovoltaikmodulen |
DE102012107316.3 | 2012-08-09 | ||
PCT/EP2013/066701 WO2014023823A1 (de) | 2012-08-09 | 2013-08-09 | Verfahren und vorrichtung zum prüfen von photovoltaikmodulen |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104685349A true CN104685349A (zh) | 2015-06-03 |
CN104685349B CN104685349B (zh) | 2017-10-13 |
Family
ID=48949155
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201380042306.7A Active CN104685349B (zh) | 2012-08-09 | 2013-08-09 | 用于检查光电模块的方法和设备 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9680412B2 (zh) |
EP (1) | EP2883042B1 (zh) |
JP (1) | JP6376606B2 (zh) |
CN (1) | CN104685349B (zh) |
DE (1) | DE102012107316B4 (zh) |
WO (1) | WO2014023823A1 (zh) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107192759A (zh) * | 2017-06-09 | 2017-09-22 | 湖南大学 | 一种基于感应光热辐射的光伏电池无损检测方法及系统 |
CN107607517A (zh) * | 2017-09-19 | 2018-01-19 | 哈尔滨工业大学 | 一种太阳能电池及光伏组件的电致锁相发光成像检测方法与系统 |
CN113358697A (zh) * | 2021-04-27 | 2021-09-07 | 东南大学 | 基于非线性调频的高分辨率光热脉冲压缩热成像检测方法 |
CN116324873A (zh) * | 2021-02-23 | 2023-06-23 | 华为数字能源技术有限公司 | 一种光伏电池检测方法、装置、系统、介质及芯片 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10069306B2 (en) | 2014-02-21 | 2018-09-04 | Solarlytics, Inc. | System and method for managing the power output of a photovoltaic cell |
US10103547B2 (en) | 2014-02-21 | 2018-10-16 | Solarlytics, Inc. | Method and system for applying electric fields to multiple solar panels |
US9564854B2 (en) | 2015-05-06 | 2017-02-07 | Sunpower Corporation | Photonic degradation monitoring for semiconductor devices |
JP6480811B2 (ja) * | 2015-05-25 | 2019-03-13 | 西進商事株式会社 | 太陽光発電システムの評価方法および評価システム |
JP6545629B2 (ja) * | 2016-02-22 | 2019-07-17 | 株式会社日立製作所 | 太陽光発電装置の検査装置および検査方法 |
JP6705210B2 (ja) * | 2016-03-01 | 2020-06-03 | 東京電力ホールディングス株式会社 | 太陽光パネルの発電能力推定方法 |
EP3282249A1 (de) * | 2016-08-09 | 2018-02-14 | Saint-Gobain Glass France | Verfahren und vorrichtung zur detektion von gasen in kunststoffschichten durch lock-in-infrarotthermographie |
JP6208843B1 (ja) * | 2016-12-26 | 2017-10-04 | 株式会社アイテス | 太陽電池パネルの検査装置、及び太陽電池パネルの検査方法 |
SG11201908988TA (en) | 2017-03-29 | 2019-10-30 | Agency Science Tech & Res | Reconfigurable laser stimulated lock-in thermography for micro-crack detection |
US10931229B2 (en) * | 2018-12-13 | 2021-02-23 | Industrial Technology Research Institute | Solar cell testing system and testing method thereof |
CN110752825A (zh) * | 2019-09-26 | 2020-02-04 | 华为技术有限公司 | 光伏组件的故障检测方法和故障检测装置 |
CN112583351A (zh) | 2019-09-29 | 2021-03-30 | 华为技术有限公司 | 一种逆变器、汇流箱以及光伏系统 |
JP6999911B1 (ja) * | 2021-06-29 | 2022-01-19 | 株式会社アイテス | 太陽電池パネルの検査装置、及び検査方法 |
CN114530523A (zh) * | 2022-01-24 | 2022-05-24 | 江苏日托光伏科技股份有限公司 | 背接触光伏电池片的在线检测方法及光伏组件生产方法 |
WO2023224886A1 (en) | 2022-05-16 | 2023-11-23 | Onsight Technology, Inc. | Machines and methods for monitoring photovoltaic systems |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102007010516A1 (de) * | 2007-03-05 | 2008-09-18 | Intego Gmbh | Verfahren zur Identifizierung der Herkunft eines polykristallinen Produkts sowie Vorrichtung mit einer Bilderfassungseinheit zur Erstellung von Produktbildern eines polykristallinen Produkts |
US20090297017A1 (en) * | 2008-03-25 | 2009-12-03 | Hudgings Janice A | High resolution multimodal imaging for non-destructive evaluation of polysilicon solar cells |
JP2010181328A (ja) * | 2009-02-06 | 2010-08-19 | Kobe Steel Ltd | 太陽電池ウェハ表面の検査装置,太陽電池ウェハ表面の検査用プログラム,太陽電池ウェハ表面の検査方法 |
CN101960579A (zh) * | 2008-12-17 | 2011-01-26 | 恪纳腾公司 | 缺陷检测及响应 |
US20120032687A1 (en) * | 2010-08-04 | 2012-02-09 | Mikio Kyomasu | Detection apparatus for detecting electric field distribution or carrier distribution based on the intensity of high-order harmonics |
EP2421052A2 (en) * | 2009-04-17 | 2012-02-22 | MCScience Inc. | Solar cell ac electroluminescence image inspecting apparatus |
CN102365558A (zh) * | 2009-02-07 | 2012-02-29 | 拓科学股份有限公司 | 对光伏及光电设备中的分流缺陷的高速探测 |
CN102472791A (zh) * | 2009-08-04 | 2012-05-23 | 国立大学法人奈良先端科学技术大学院大学 | 太阳能电池的评价方法、评价装置、维护保养方法、维护保养系统及太阳能电池模块的制造方法 |
CN102629968A (zh) * | 2012-04-11 | 2012-08-08 | 湖南镭目科技有限公司 | 一种图像处理装置、方法及系统 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4440167A1 (de) * | 1994-11-10 | 1996-08-29 | Max Planck Gesellschaft | Verfahren und Anordnung zur Messung der lateralen Stromverteilung in Halbleiterbauelementen |
JP4370391B2 (ja) * | 2002-02-08 | 2009-11-25 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 光電変換特性評価方法およびそのための装置 |
DE10240060A1 (de) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren und Anordnung zur strahlungsinduzierten Bestimmung der lokalen Verteilung von Verlustströmen bzw. Verlustleistung in Halbleiterbauelementen |
DE102007007140B4 (de) | 2007-02-09 | 2009-01-29 | Astrium Gmbh | Verfahren und Anordnung zur Detektion mechanischer Defekte eines Halbleiter-Bauelements, insbesondere einer Solarzelle oder Solarzellen-Anordnung |
JP4153021B1 (ja) * | 2007-10-22 | 2008-09-17 | 日清紡績株式会社 | 太陽電池の検査装置 |
US7709794B2 (en) * | 2008-02-05 | 2010-05-04 | Kla-Tencor Corporation | Defect detection using time delay lock-in thermography (LIT) and dark field LIT |
CN102144284B (zh) * | 2008-08-19 | 2016-03-02 | Bt成像股份有限公司 | 用于缺陷检测的方法及设备 |
JP2010278192A (ja) * | 2009-05-28 | 2010-12-09 | Lasertec Corp | 太陽電池評価装置 |
US8301409B2 (en) * | 2009-12-23 | 2012-10-30 | General Electric Company | Photon imaging system for detecting defects in photovoltaic devices, and method thereof |
DE102010010509A1 (de) * | 2010-03-06 | 2011-09-08 | Adensis Gmbh | Verfahren zur Identifizierung leistungsschwacher Photovoltaikmodule in einer bestehenden PV-Anlage |
US20120160295A1 (en) * | 2010-06-25 | 2012-06-28 | International Business Machines Corporation | Solar cell classification method |
EP2410319A1 (de) * | 2010-07-23 | 2012-01-25 | Solarpower GmbH | Verfahren und System zur Detektion von defekten Solarmodulen |
-
2012
- 2012-08-09 DE DE102012107316.3A patent/DE102012107316B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-08-09 CN CN201380042306.7A patent/CN104685349B/zh active Active
- 2013-08-09 EP EP13747402.9A patent/EP2883042B1/de active Active
- 2013-08-09 JP JP2015525898A patent/JP6376606B2/ja active Active
- 2013-08-09 WO PCT/EP2013/066701 patent/WO2014023823A1/de active Application Filing
-
2015
- 2015-02-06 US US14/615,461 patent/US9680412B2/en active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102007010516A1 (de) * | 2007-03-05 | 2008-09-18 | Intego Gmbh | Verfahren zur Identifizierung der Herkunft eines polykristallinen Produkts sowie Vorrichtung mit einer Bilderfassungseinheit zur Erstellung von Produktbildern eines polykristallinen Produkts |
US20090297017A1 (en) * | 2008-03-25 | 2009-12-03 | Hudgings Janice A | High resolution multimodal imaging for non-destructive evaluation of polysilicon solar cells |
CN101960579A (zh) * | 2008-12-17 | 2011-01-26 | 恪纳腾公司 | 缺陷检测及响应 |
JP2010181328A (ja) * | 2009-02-06 | 2010-08-19 | Kobe Steel Ltd | 太陽電池ウェハ表面の検査装置,太陽電池ウェハ表面の検査用プログラム,太陽電池ウェハ表面の検査方法 |
CN102365558A (zh) * | 2009-02-07 | 2012-02-29 | 拓科学股份有限公司 | 对光伏及光电设备中的分流缺陷的高速探测 |
EP2421052A2 (en) * | 2009-04-17 | 2012-02-22 | MCScience Inc. | Solar cell ac electroluminescence image inspecting apparatus |
CN102472791A (zh) * | 2009-08-04 | 2012-05-23 | 国立大学法人奈良先端科学技术大学院大学 | 太阳能电池的评价方法、评价装置、维护保养方法、维护保养系统及太阳能电池模块的制造方法 |
US20120032687A1 (en) * | 2010-08-04 | 2012-02-09 | Mikio Kyomasu | Detection apparatus for detecting electric field distribution or carrier distribution based on the intensity of high-order harmonics |
CN102629968A (zh) * | 2012-04-11 | 2012-08-08 | 湖南镭目科技有限公司 | 一种图像处理装置、方法及系统 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107192759A (zh) * | 2017-06-09 | 2017-09-22 | 湖南大学 | 一种基于感应光热辐射的光伏电池无损检测方法及系统 |
CN107192759B (zh) * | 2017-06-09 | 2019-08-27 | 湖南大学 | 一种基于感应光热辐射的光伏电池无损检测方法及系统 |
CN107607517A (zh) * | 2017-09-19 | 2018-01-19 | 哈尔滨工业大学 | 一种太阳能电池及光伏组件的电致锁相发光成像检测方法与系统 |
CN116324873A (zh) * | 2021-02-23 | 2023-06-23 | 华为数字能源技术有限公司 | 一种光伏电池检测方法、装置、系统、介质及芯片 |
CN116324873B (zh) * | 2021-02-23 | 2024-04-12 | 华为数字能源技术有限公司 | 一种光伏电池检测方法、装置、系统、介质及芯片 |
CN113358697A (zh) * | 2021-04-27 | 2021-09-07 | 东南大学 | 基于非线性调频的高分辨率光热脉冲压缩热成像检测方法 |
CN113358697B (zh) * | 2021-04-27 | 2022-03-29 | 东南大学 | 基于非线性调频的高分辨率光热脉冲压缩热成像检测方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2014023823A1 (de) | 2014-02-13 |
DE102012107316B4 (de) | 2019-08-14 |
US9680412B2 (en) | 2017-06-13 |
EP2883042A1 (de) | 2015-06-17 |
JP6376606B2 (ja) | 2018-08-22 |
JP2015527863A (ja) | 2015-09-17 |
EP2883042B1 (de) | 2018-07-25 |
DE102012107316A1 (de) | 2014-02-13 |
US20150155829A1 (en) | 2015-06-04 |
CN104685349B (zh) | 2017-10-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104685349A (zh) | 用于检查光电模块的方法和设备 | |
US8301409B2 (en) | Photon imaging system for detecting defects in photovoltaic devices, and method thereof | |
US10554172B2 (en) | Illuminated outdoor luminescence imaging of photovoltaic modules | |
US20160218670A1 (en) | Luminescence imaging systems and methods for evaluating photovoltaic devices | |
Johnston | Contactless electroluminescence imaging for cell and module characterization | |
KR101055790B1 (ko) | 태양전지 교류 전계발광 화상검사 장치 | |
CN107607517A (zh) | 一种太阳能电池及光伏组件的电致锁相发光成像检测方法与系统 | |
Besold et al. | Quantitative imaging of shunts in organic photovoltaic modules using lock-in thermography | |
JP2015043395A (ja) | 太陽電池装置及びその利用 | |
KR20200064465A (ko) | 태양광 패널 고장 검출 시스템 및 방법 | |
Vuković et al. | Outdoor photoluminescence and electroluminescence imaging of photovoltaic silicon modules in a string | |
Vuković et al. | Noninvasive photoluminescence imaging of silicon PV modules in daylight | |
JP2014228517A (ja) | 太陽電池モジュールの評価方法及びその利用 | |
Song et al. | Lock-in carrierography non-destructive imaging of silicon wafers and silicon solar cells | |
Vuković et al. | Extraction of photoluminescence with Pearson correlation coefficient from images of field-installed photovoltaic modules | |
CN115753759A (zh) | 钙钛矿材料/器件的锁相载流子辐射成像测试系统与方法 | |
JP5288557B2 (ja) | 薄膜太陽電池の評価方法、評価装置および製造方法、並びに透明導電膜電極における直列抵抗の評価方法および評価装置 | |
CN117561434A (zh) | 经由光学串调制进行光伏阵列的户外光致发光成像 | |
EP3394979B1 (en) | Method and device for the determination of a measure of band gaps at optoelectronic components | |
Kumar et al. | High-Speed Laser Beam Induced Current Imaging: A Complementary Quantitative Diagnostic Tool for Modules | |
CN106301214A (zh) | 太阳能模块的检测方法 | |
Crozier et al. | Characterization of cell mismatch in a multi-crystalline silicon photovoltaic module | |
KR101876628B1 (ko) | 야외 태양전지모듈 위상잠금 발광 화상 검사 장치 및 방법 | |
dos Reis Benatto et al. | Image Quality Evaluation of Contactless Outdoor Photoluminescence Based on String Inverter’s IV Curve Sweep Capability | |
Colvin | Comparative failure analysis of photovoltaic devices |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |