JP2015518174A - ニッケル系電極を用いた高分子分散液晶型調光体およびその製造方法 - Google Patents
ニッケル系電極を用いた高分子分散液晶型調光体およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015518174A JP2015518174A JP2015501578A JP2015501578A JP2015518174A JP 2015518174 A JP2015518174 A JP 2015518174A JP 2015501578 A JP2015501578 A JP 2015501578A JP 2015501578 A JP2015501578 A JP 2015501578A JP 2015518174 A JP2015518174 A JP 2015518174A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nickel
- liquid crystal
- light control
- polymer
- electrode base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 223
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 111
- 239000004983 Polymer Dispersed Liquid Crystal Substances 0.000 title claims abstract description 88
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 44
- 229910000623 nickel–chromium alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 74
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 68
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 58
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 55
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 49
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 38
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 35
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 17
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 13
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 13
- 238000001723 curing Methods 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 10
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 9
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 8
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 claims description 8
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- VFHVQBAGLAREND-UHFFFAOYSA-N diphenylphosphoryl-(2,4,6-trimethylphenyl)methanone Chemical group CC1=CC(C)=CC(C)=C1C(=O)P(=O)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 VFHVQBAGLAREND-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 7
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 5
- 239000012956 1-hydroxycyclohexylphenyl-ketone Substances 0.000 claims description 2
- ILKOAJGHVUCDIV-UHFFFAOYSA-N FC1=CC=C(N2C=CC=C2)C(F)=C1[Ti]C(C=1F)=C(F)C=CC=1N1C=CC=C1 Chemical compound FC1=CC=C(N2C=CC=C2)C(F)=C1[Ti]C(C=1F)=C(F)C=CC=1N1C=CC=C1 ILKOAJGHVUCDIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GUCYFKSBFREPBC-UHFFFAOYSA-N [phenyl-(2,4,6-trimethylbenzoyl)phosphoryl]-(2,4,6-trimethylphenyl)methanone Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1C(=O)P(=O)(C=1C=CC=CC=1)C(=O)C1=C(C)C=C(C)C=C1C GUCYFKSBFREPBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N bis[2-(1-hydroxycyclohexyl)phenyl]methanone Chemical compound C=1C=CC=C(C(=O)C=2C(=CC=CC=2)C2(O)CCCCC2)C=1C1(O)CCCCC1 MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 claims description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract description 23
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 17
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 6
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 40
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 23
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 17
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 12
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 12
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 11
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 10
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 8
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 5
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 4
- ATVJXMYDOSMEPO-UHFFFAOYSA-N 3-prop-2-enoxyprop-1-ene Chemical group C=CCOCC=C ATVJXMYDOSMEPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N Vinyl ether Chemical compound C=COC=C QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 3
- 229960000834 vinyl ether Drugs 0.000 description 3
- 229920002818 (Hydroxyethyl)methacrylate Polymers 0.000 description 2
- ZDQNWDNMNKSMHI-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-prop-2-enoyloxypropoxy)propoxy]propan-2-yl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OC(C)COC(C)COCC(C)OC(=O)C=C ZDQNWDNMNKSMHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VOBUAPTXJKMNCT-UHFFFAOYSA-N 1-prop-2-enoyloxyhexyl prop-2-enoate Chemical compound CCCCCC(OC(=O)C=C)OC(=O)C=C VOBUAPTXJKMNCT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl prop-2-enoate Chemical compound OCCOC(=O)C=C OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005264 High molar mass liquid crystal Substances 0.000 description 2
- WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N Hydroxyethyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCO WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane triacrylate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CC)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 238000007736 thin film deposition technique Methods 0.000 description 2
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- QNODIIQQMGDSEF-UHFFFAOYSA-N (1-hydroxycyclohexyl)-phenylmethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1(O)CCCCC1 QNODIIQQMGDSEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYIGRWUIQAVBFG-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(2-ethenoxyethoxy)ethane Chemical compound C=COCCOCCOCCOC=C CYIGRWUIQAVBFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPSURBCYSCOZSE-UHFFFAOYSA-N 1-ethenoxybutan-1-ol Chemical compound CCCC(O)OC=C FPSURBCYSCOZSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RIWRBSMFKVOJMN-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-phenylpropan-2-ol Chemical compound CC(C)(O)CC1=CC=CC=C1 RIWRBSMFKVOJMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMGMDXCADSRNCX-UHFFFAOYSA-N 5,6-dihydroxy-1,3-diazepan-2-one Chemical compound OC1CNC(=O)NCC1O ZMGMDXCADSRNCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCIFJWVZZUDMRL-UHFFFAOYSA-N 6-hydroxyhexyl prop-2-enoate Chemical compound OCCCCCCOC(=O)C=C OCIFJWVZZUDMRL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920008790 Amorphous Polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000004986 Cholesteric liquid crystals (ChLC) Substances 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004990 Smectic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 241000084600 Solanum pendulum Species 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- -1 alkyl 3-mercaptopropionate Chemical compound 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001356 alkyl thiols Chemical class 0.000 description 1
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012952 cationic photoinitiator Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 239000012949 free radical photoinitiator Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002815 nickel Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 1
- 238000000411 transmission spectrum Methods 0.000 description 1
- INRGAWUQFOBNKL-UHFFFAOYSA-N {4-[(Vinyloxy)methyl]cyclohexyl}methanol Chemical compound OCC1CCC(COC=C)CC1 INRGAWUQFOBNKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1334—Constructional arrangements; Manufacturing methods based on polymer dispersed liquid crystals, e.g. microencapsulated liquid crystals
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/08—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 light absorbing layer
- G02F2201/083—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 light absorbing layer infrared absorbing
Abstract
Description
(1)PDLC型調光体製造用ニッケル蒸着PETフィルムの製造
188μmのPETフィルム上にSiO2バッファ層を熱蒸着するための装備としてはEvaporation Systemを用い、蒸発物質としては99.99%の顆粒状SiO2を用いた。熱蒸着のために、Evaporatorチャンバーに対して、低真空用ロータリーポンプを用いて真空度1.3×10−3Torrまで真空を形成した後、ブースターポンプと高真空用オイル拡散ポンプを用いて3.0×10−5Torrに基本真空度を維持した。溶着前に試片に付着した有機物を除去しかつ蒸着の際に材料と試片との付着力を向上させるために、Ar15sccmとO225sccmを注入して基板にイオンビーム処理を施した。SiO2熱蒸着の際には、蒸着工程別の薄膜の厚さを制御することが可能なInficon社製のdeposition controller(IC/5)を用いてSiO2の蒸着率が2Å/sとなるように維持し、この値に基づいて厚さが50Åとなるように蒸着時間を調節して熱蒸着した。
液晶化合物としてMerck社製のE7ネマティック液晶化合物58重量%、オリゴマーとしてNOA65(アリルエーテル基のウレタンオリゴマーとチオール系プレポリマーとの混合物、米国ノーランド社製)28重量%、モノマーとしてヘキサンジオールジアクリレート10重量%、紫外線光開始剤としてジフェニル(2,4,6−トリメチルベンゾイル)−ホスフィンオキシド4重量%(DAROCUR TPO、Ciba Speciatly Chemicals社製、380nmの波長帯領域で吸光ピークを形成)を混合して液晶分散組成物を製造した。
前記製造されたPDLC型調光体製造用液晶分散組成物を前記製造されたニッケル電極基材板の一面に20μmの厚さに塗布し、その上に、前記ニッケル電極層が形成された電極基材板と同一の電極基材板を貼り合わせた。その後、365nm metal halide lamp(UV intensity:75mW/cm2、UVエネルギー:1050mJ/cm2)光源を用いて波長365nmの光を、前記電極基材板を透過させて、塗布された調光体製造用液晶分散組成物層に照射することにより、本発明の図1に示したような構造のPDLC型調光体を製造した。
互いに対向する2つの電極基材板として、一つは前記実施例1で製造されたニッケル電極基材板を使用し、残りの一つは日本東レ社から購入したITO蒸着電極フィルム(酸化インジウム(InO3)に酸化スズ(SnO2)が10重量%含有されたターゲットからPETフィルム基材に蒸着されて製造されたものであって、550nmの可視光線透過率が88%、面抵抗が100Ω/□を満足するもの)を使用したことを除いては、実施例1と同様にして高分子分散液晶型調光体を製造した。
互いに対向する2つの電極基材板として、一つは前記実施例1で製造されたニッケル電極基材板を使用し、残りの一つはニッケルターゲットの代わりにニッケル−クロム8:2の含量比(重量比)を有するターゲットを用いて、実施例1と同様の方法で製造されたニッケル−クロム合金電極基材板(可視光線領域550nmにおける透過率44%、近赤外線領域2000nmにおける透過率37%、面抵抗195Ω/□)を使用したことを除いては、実施例1と同様にして高分子分散液晶型調光体を製造した。
互いに対向する2つの電極基材板として、ニッケルターゲットの代わりに、ニッケル−クロム8:2の含量比(重量比)を有するターゲットを用いて、実施例1と同様の方法で製造されたニッケル−クロム合金電極基材板を使用したことを除いては、実施例1と同様にして高分子分散液晶型調光体を製造した。
互いに対向する2つの電極基材板として、一つは前記実施例3で製造されたニッケル−クロム合金電極基材板を使用し、残りの一つは日本東レ社から購入したITO蒸着電極フィルムを使用したことを除いては、実施例2と同様にして高分子分散液晶型調光体を製造した。
互いに対向する2つの電極基材板の両方とも、日本東レ社から購入したITO蒸着電極フィルム(酸化インジウム(InO3)に酸化スズ(SnO2)が10重量%含有されたターゲットからPETフィルム基材に蒸着されて製造されたものであって、550nmの可視光線透過率が88%、面抵抗が100Ω/□を満足するもの)を使用したことを除いては、実施例1と同様にして高分子分散液晶型調光体を製造した。
ON状態の2000nmでの透過率は、熱線(800〜3000nm)の中心波長で透過率がスペクトラムのベースラインに近接するから、熱線の透過率評価指標として活用した。前記高分子分散液晶型調光体のON状態の透過率スペクトルから2000nmでの透過率を表示した。
剥離接着力は、ASTM D3654方法に従ってTinus Olsen社製のH5KS機器を用いて測定した。この際、剥離角度は180°、剥離速度は300nm/minであった。
振り子硬度は、ASTM D4366方法に従ってSheen社製のKonig ref.707KP機器を用いて測定した。Konig振子は、三角形の形状をしており、200±0.2gの重量を有する。直径5mmの2つのボールベアリングが回転軸に取り付けられており、振り子硬度値は時間単位たる秒(s)で表現され、振動周期は1.4±0.02sである。振り子硬度はサンプルの軟性(softness)を測定する上で有用である。
Offヘイズ(off haze)およびコントラスト比(contrast ratio)は、Avantes社製のAvaspec−2048 visible spectrometerを用いて測定した。光源はハロゲンランプ(Avalight−HAL、Avantes)を使用した。
(1)PDLC型調光体製造用ニッケル蒸着ガラス基材の製造
ガラス基材上にスパッタリング法でニッケル薄膜を蒸着した。本発明で使用した装備は、量産用DCマグネトロンスパッタであって、ロータリーポンプとクライオポンプが取り付けられたシステムから構成されており、DCパワーを供給するために2.2kWの直流発生器を用いてプラズマを形成させた。ニッケルターゲットは99.99%の純度および166×380mmのサイズを有し、試片から約60mm程度離れた距離に位置させた。ニッケル薄膜蒸着のために、ガラス基材をスパッタの16角形の治具(jig)の片面に磁石を用いて固定させ、蒸着の際に治具が5.22Hzの速度で回転するように設定してニッケル薄膜の蒸着率が35Å/sとなるように維持した。ニッケルスパッタの蒸着工程を2.5×10−5Torrとし、蒸着時のガス組成をO2/(Ar+O2)の比率が2%となるようにし、蒸着圧力を2.6×10−3Torrに維持しながら、常温で約100Åの厚さに蒸着した。これにより、可視光線領域である550nmでの透過率が46%、近赤外線領域である2000nmでの透過率が40%、面抵抗が131Ω/□であるニッケル電極基材板を製造した。
液晶化合物としてMerck社製のE7ネマティック液晶化合物58重量%、オリゴマーとしてNOA65(アリルエーテル基のウレタンオリゴマーとチオール系プレポリマーとの混合物、米国ノーランド社製)28重量%、モノマーとしてヘキサンジオールジアクリレート10重量%、紫外線光開始剤としてジフェニル(2,4,6−トリメチルベンゾイル)−ホスフィンオキシド4重量%(DAROCUR TPO、Ciba Speciatly Chemicals社製、380nmの波長帯領域で吸光ピークを形成)を混合して液晶分散組成物を製造した。
前記製造されたPDLC型調光体製造用液晶分散組成物を前記製造されたニッケル電極基材板の一面に20μmの厚さに塗布し、その上に、前記ニッケル電極層が形成された電極基材板と同一の電極基材板を貼り合わせた。その後、365nm metal halide lamp(UV intensity:75mW/cm2、UVエネルギー:1050mJ/cm2)光源を用いて波長365nmの光を、前記電極基材板を透過させて、塗布された調光体製造用液晶分散組成物層に照射することにより、本発明の図1に示したような構造のPDLC型調光体を製造した。
互いに対向する2つの電極基材板として、一つは実施例6で製造されたニッケル電極基材板(ガラス基材)を使用し、残りの一つはITO電極基材板(ITO蒸着ガラス基材電極基板、酸化インジウム(InO3)に酸化スズ(SnO2)が10重量%含有されたターゲットからガラスに蒸着されて製造されたものであって、550nmの可視光線透過率が89%、面抵抗が95Ω/□を満足するもの、ガラス基材の厚さ1mm)を使用しことを除いては、実施例6と同様にして高分子分散液晶型調光体を製造した。
互いに対向する2つの電極基材板として、一つは前記実施例6で製造されたニッケル電極基材板を使用し、残りの一つはニッケルターゲットの代わりにニッケル−クロム8:2の含量比(重量比)を有するターゲットを用いて、実施例6と同様の方法で製造されたニッケル−クロム合金電極基材板(可視光線領域550nmでの透過率45%、近赤外線領域2000nm透過率39%、面抵抗192Ω/□)を使用したことを除いては、実施例6と同様にして高分子分散液晶型調光体を製造した。
互いに対向する2つの電極基材板として、ニッケルターゲットの代わりに、ニッケル−クロム8:2の含量比(重量比)を有するターゲットを用いて、実施例6と同様の方法で製造されたニッケル−クロム合金電極基材板を使用したことを除いては、実施例6と同様にして高分子分散液晶型調光体を製造した。
互いに対向する2つの電極基材板として、一つは前記実施例8で製造されたニッケル−クロム合金電極基材板を使用し、残りの一つはITO蒸着電極ガラス基材板を使用したことを除いては、実施例7と同様にして高分子分散液晶型調光体を製造した。
互いに対向する2つの電極基材板の両方とも、ITO蒸着基材板(ITO蒸着ガラス基材電極基板、酸化インジウム(InO3)に酸化スズ(SnO2)が10重量%含有されたターゲットからガラスに蒸着されて製造されたものであって、550nmの可視光線透過率が89%、面抵抗が95Ω/□を満足するもの、ガラス基材の厚さ1mm)を使用したことを除いては、実施例6と同様にして高分子分散液晶型調光体を製造した。
Claims (18)
- 高分子分散液晶型調光体製造用液晶分散組成物を製造する段階と、
前記調光体製造用液晶分散組成物を互いに対向する2枚の電極基材板の間に塗布して調光体製造用液晶分散組成物層を形成する段階と、
前記互いに対向する2枚の電極基材板の間に形成された前記調光体製造用液晶分散組成物層を硬化させる段階とを含んでなり、
前記互いに対向する2枚の電極基材板の少なくとも一つは、ニッケル系薄膜層を含む電極基材板であることを特徴とする、高分子分散液晶型調光体の製造方法。 - 前記硬化させる段階は、前記互いに対向する2枚の電極基材板の間に形成された前記調光体製造用液晶分散組成物層に波長330〜410nmの光を照射して光硬化させる段階であることを特徴とする、請求項1に記載の高分子分散液晶型調光体の製造方法。
- 前記互いに対向する2枚の電極基材板は、ニッケル系薄膜層を含む電極基材板であることを特徴とする、請求項1または2に記載の高分子分散液晶型調光体の製造方法。
- 前記ニッケル系薄膜層はニッケル薄膜層またはニッケル−クロム合金薄膜層であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の高分子分散液晶型調光体の製造方法。
- 前記ニッケル−クロム合金薄膜層はニッケル70〜90重量%およびクロム10〜30重量%を含むものであることを特徴とする、請求項4に記載の高分子分散液晶型調光体の製造方法。
- 前記ニッケル系薄膜層としてニッケル薄膜層を含む電極基材板は、ニッケルターゲットからガラスまたはポリエステル系フィルム基材に蒸着されて製造されたものであって、400〜800nmの可視光線領域における透過率が10〜60%であり、800〜3000nmの近赤外線領域における透過率が5〜60%であり、面抵抗が50〜300Ω/□であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の高分子分散液晶型調光体の製造方法。
- 前記ニッケル系薄膜層としてニッケル−クロム合金薄膜層を含む電極基材板は、ニッケル−クロム合金ターゲットからガラスまたはポリエステル系フィルム基材に蒸着されて製造されたものであって、400〜800nmの可視光線領域における透過率が10〜60%であり、800〜3000nmの近赤外線領域における透過率が5〜60%であり、面抵抗が50〜300Ω/□であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の高分子分散液晶型調光体の製造方法。
- 前記互いに対向する2枚の電極基材板のいずれか一つはITO電極基材板であることを特徴とする、請求項1または2に記載の高分子分散液晶型調光体の製造方法。
- 前記ITO電極基材板は、酸化インジウム(InO3)に酸化スズ(SnO2)が10重量%含有されたターゲットからガラスまたはポリエステル系フィルム基材に蒸着されて製造されたものであって、400〜800nmの可視光線領域における透過率が83〜90%であり、面抵抗が10〜300Ω/□であることを特徴とする、請求項5に記載の高分子分散液晶型調光体の製造方法。
- 前記PDLC型調光体製造用液晶分散組成物を製造する段階で製造される液晶分散組成物はオリゴマー、多官能性又は単官能性のモノマー、液晶化合物および光開始剤を含み、前記光開始剤は330〜410nmの波長帯領域で吸光ピークが形成されることを特徴とする、請求項2に記載の高分子分散液晶型調光体の製造方法。
- 前記光開始剤は、ジフェニル(2,4,6−トリメチルベンゾイル)−ホスフィンオキシド、フェニルビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)−ホスフィンオキシド、ビス(η5−2,4−シクロペンタジエン−1−イル)ビス[2,6−ジフルオロ−3−(1H−ピロール−1−イル)フェニル]チタニウム、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、およびα,α−ジメトキシ−α’−ヒドロキシアセトフェノの中から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする、請求項7に記載の高分子分散液晶型調光体の製造方法。
- 互いに対向する2枚の電極基材板;および
前記電極基材板の間に形成され、高分子物質マトリクスと高分子物質マトリクスに分散した液晶滴とを有する調光体を含んでなり、
前記電極基材板の少なくとも一つは、ニッケル系薄膜層を含む電極基材板であり、電圧が印加された状態で赤外線800〜2000nmの領域における光透過率が60%以下であることを特徴とする、高分子分散液晶型調光体。 - 前記ニッケル系薄膜層はニッケル薄膜層またはニッケル−クロム合金薄膜層であることを特徴とする、請求項12に記載の高分子分散液晶型調光体。
- 前記ニッケル−クロム合金薄膜層はニッケル70〜90重量%およびクロム10〜30重量%を含むものであることを特徴とする、請求項13に記載の高分子分散液晶型調光体。
- 前記ニッケル系薄膜層としてニッケル薄膜層を含む電極基材板は、ニッケルターゲットからガラスまたはポリエステル系フィルム基材に蒸着されて製造されたものであって、400〜800nmの可視光線領域における透過率が10〜60%であり、800〜2000nmの近赤外線領域における透過率が5〜60%であり、面抵抗が50〜300Ω/□であることを特徴とする、請求項12または13に記載の高分子分散液晶型調光体。
- 前記ニッケル系薄膜層としてニッケル−クロム合金薄膜層を含む電極基材板は、ニッケル−クロム合金ターゲットからガラスまたはポリエステル系フィルム基材に蒸着されて製造されたものであって、400〜800nmの可視光線領域における透過率が10〜60%であり、800〜2000nmの近赤外線領域における透過率が5〜60%であり、面抵抗が50〜300Ω/□であることを特徴とする、請求項12または13に記載の高分子分散液晶型調光体。
- 前記互いに対向する2枚の電極基材板のいずれか一つはITO電極基材板であることを特徴とする、請求項12に記載の高分子分散液晶型調光体。
- ITO電極基材板は、酸化インジウム(InO3)に酸化スズ(SnO2)が10重量%含有されたターゲットからガラスまたはポリエステル系フィルム基材に蒸着されて製造されたものであって、400〜800nmの可視光線領域における透過率が83〜90%であり、面抵抗が10〜300Ω/□であることを特徴とする、請求項17に記載の高分子分散液晶型調光体。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20120028947 | 2012-03-21 | ||
KR10-2012-0028947 | 2012-03-21 | ||
KR1020130030080A KR101471551B1 (ko) | 2012-03-21 | 2013-03-21 | 니켈계 전극을 이용한 고분자 분산액정형 조광체 및 그 제조방법 |
KR10-2013-0030080 | 2013-03-21 | ||
PCT/KR2013/002318 WO2013141614A1 (ko) | 2012-03-21 | 2013-03-21 | 니켈계 전극을 이용한 고분자 분산 액정형 조광체 및 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015518174A true JP2015518174A (ja) | 2015-06-25 |
JP5951878B2 JP5951878B2 (ja) | 2016-07-13 |
Family
ID=49630683
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015501578A Active JP5951878B2 (ja) | 2012-03-21 | 2013-03-21 | ニッケル系電極を用いた高分子分散液晶型調光体およびその製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20150070630A1 (ja) |
EP (1) | EP2829907A4 (ja) |
JP (1) | JP5951878B2 (ja) |
KR (1) | KR101471551B1 (ja) |
CN (1) | CN104335108A (ja) |
WO (1) | WO2013141614A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017037115A (ja) * | 2015-08-07 | 2017-02-16 | ▲き▼芯科技股▲ふん▼有限公司 | 高分子分散型液晶調光構成 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI536087B (zh) * | 2014-03-07 | 2016-06-01 | Lg化學股份有限公司 | 光調製裝置及智慧窗 |
KR101612228B1 (ko) * | 2015-06-12 | 2016-04-27 | 주식회사 토러스테크날리지 | 빛의 투과율이 가변되는 필름 및 필름 어셈블리 |
TWI557473B (zh) * | 2015-07-09 | 2016-11-11 | Polymeric Dispersion Liquid Crystal Dimming Structure | |
CN106646984A (zh) * | 2015-07-22 | 2017-05-10 | 琦芯科技股份有限公司 | 高分子分散液晶调光结构 |
CN106405881B (zh) * | 2016-08-31 | 2019-11-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种光学组件及其制作方法、光学器件 |
WO2019163897A1 (ja) | 2018-02-23 | 2019-08-29 | Tdk株式会社 | 透明導電体、調光体及び電子デバイス |
KR20210066350A (ko) * | 2019-11-28 | 2021-06-07 | (주)성일이노텍 | Pdlc 글라스용 uv 경화 방법 및 장치 |
CN111057264B (zh) * | 2019-11-29 | 2022-06-14 | 佛山市水大光电科技有限公司 | 高透过率智能液晶调光膜及其制备方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03245121A (ja) * | 1990-02-23 | 1991-10-31 | Matsushita Electric Works Ltd | 液晶パネル |
JPH09329787A (ja) * | 1996-06-13 | 1997-12-22 | Seiko Instr Inc | 反射型液晶表示装置 |
JPH11167119A (ja) * | 1997-12-05 | 1999-06-22 | Canon Inc | 電極基板の製造方法、及び液晶素子の製造方法 |
JP2009294633A (ja) * | 2007-09-26 | 2009-12-17 | Nec Lcd Technologies Ltd | 液晶表示装置 |
JP2010175877A (ja) * | 2009-01-30 | 2010-08-12 | Hitachi Chem Co Ltd | 表示素子、それを用いた光学シャッター及び表示素子装置 |
WO2011068365A2 (en) * | 2009-12-03 | 2011-06-09 | Q-Sys Co., Ltd. | The method of a pdlc type light control body used light with long wavelength, the pdlc type light control body |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5680185A (en) * | 1990-11-26 | 1997-10-21 | Seiko Epson Corporation | Polymer dispersed liquid crystal (PDLC) display apparatus |
JPH07502840A (ja) * | 1992-01-10 | 1995-03-23 | ミネソタ マイニング アンド マニュファクチャリング カンパニー | 向上した電極を含む光変調装置 |
JP4920364B2 (ja) * | 2006-10-13 | 2012-04-18 | 新日鐵化学株式会社 | 表示装置 |
US20080317977A1 (en) * | 2007-06-22 | 2008-12-25 | Chiefway Engineering Co., Ltd. | Light-regulation membrane |
KR101132289B1 (ko) * | 2009-12-28 | 2012-04-05 | 재단법인대구경북과학기술원 | 고분자 분산형 액정 실리콘 표시소자 및 이의 제조 방법 |
KR20110135627A (ko) * | 2010-06-11 | 2011-12-19 | 삼성전자주식회사 | 고분자 분산형 액정 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
-
2013
- 2013-03-21 WO PCT/KR2013/002318 patent/WO2013141614A1/ko active Application Filing
- 2013-03-21 JP JP2015501578A patent/JP5951878B2/ja active Active
- 2013-03-21 CN CN201380015839.6A patent/CN104335108A/zh active Pending
- 2013-03-21 EP EP13764975.2A patent/EP2829907A4/en not_active Withdrawn
- 2013-03-21 KR KR1020130030080A patent/KR101471551B1/ko active IP Right Grant
- 2013-03-21 US US14/386,531 patent/US20150070630A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03245121A (ja) * | 1990-02-23 | 1991-10-31 | Matsushita Electric Works Ltd | 液晶パネル |
JPH09329787A (ja) * | 1996-06-13 | 1997-12-22 | Seiko Instr Inc | 反射型液晶表示装置 |
JPH11167119A (ja) * | 1997-12-05 | 1999-06-22 | Canon Inc | 電極基板の製造方法、及び液晶素子の製造方法 |
JP2009294633A (ja) * | 2007-09-26 | 2009-12-17 | Nec Lcd Technologies Ltd | 液晶表示装置 |
JP2010175877A (ja) * | 2009-01-30 | 2010-08-12 | Hitachi Chem Co Ltd | 表示素子、それを用いた光学シャッター及び表示素子装置 |
WO2011068365A2 (en) * | 2009-12-03 | 2011-06-09 | Q-Sys Co., Ltd. | The method of a pdlc type light control body used light with long wavelength, the pdlc type light control body |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017037115A (ja) * | 2015-08-07 | 2017-02-16 | ▲き▼芯科技股▲ふん▼有限公司 | 高分子分散型液晶調光構成 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104335108A (zh) | 2015-02-04 |
EP2829907A1 (en) | 2015-01-28 |
WO2013141614A1 (ko) | 2013-09-26 |
JP5951878B2 (ja) | 2016-07-13 |
KR101471551B1 (ko) | 2014-12-12 |
KR20130107251A (ko) | 2013-10-01 |
WO2013141614A9 (ko) | 2014-01-16 |
EP2829907A4 (en) | 2015-11-11 |
US20150070630A1 (en) | 2015-03-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5951878B2 (ja) | ニッケル系電極を用いた高分子分散液晶型調光体およびその製造方法 | |
KR101448324B1 (ko) | 액정 디스플레이를 위한 예비중합체 제형 | |
EP2692828B1 (en) | Liquid crystal element and liquid crystal composition | |
JPH07502840A (ja) | 向上した電極を含む光変調装置 | |
EP0566683A1 (en) | Polymer-dispersed liquid crystal device having an ultraviolet-polymerizable matrix and a variable optical transmission and a method for preparing the same | |
JP2012037558A (ja) | 調光性構造体 | |
JP4162757B2 (ja) | 帯電防止性ハードコートフィルムの製造方法 | |
JP4369092B2 (ja) | ディスプレイ用透明フィルム基板 | |
US5378391A (en) | Liquid crystal film | |
JP2020082513A (ja) | 透明導電体、調光体及び透明発熱体 | |
US20150123031A1 (en) | Method of manufacturing polymer dispersed liquid crystal | |
CN116615515A (zh) | 含有蒽醌化合物的调光用液晶组合物、其光硬化物及调光元件 | |
KR20180118446A (ko) | 저전압 구동이 가능한 인듐티타늄아연산화물/은/인듐티타늄아연산화물로 이루어진 3층 구조의 투명전극을 포함하는 pdlc형 조광체 | |
CN106847378A (zh) | 一种柔性透明导电膜及其制备方法 | |
Cho et al. | Optimization of Electro-Optical Properties of Acrylate-based Polymer-Dispersed Liquid Crystals for use in Transparent Conductive ZITO/Ag/ZITO Multilayer Films | |
CN110133841A (zh) | 透光度可调的膜及透光度调节装置 | |
JP2790196B2 (ja) | 液晶構成体 | |
JP3009496B2 (ja) | 液晶フィルム及び液晶構成体 | |
CN116165819B (zh) | 一种宽温域电控液晶调光膜及其制备方法 | |
JP6954444B2 (ja) | 透明導電体、調光体及び電子デバイス | |
Cho et al. | A Study of Electro-Optical Properties of Polyester Acrylate-Based Polymer-Dispersed Liquid Crystals Using TIZO/Ag/TIZO Multilayer Transparent Electrodes | |
JP7024852B2 (ja) | 透明導電体、調光体及び透明発熱体 | |
JPH04304422A (ja) | 液晶構成体 | |
EP4306616A1 (en) | Anthraquinone compound, liquid crystal composition containing said compound, and dimming element | |
CN116601264A (zh) | 含有蒽醌化合物的调光用液晶组合物、其光硬化物及调光元件 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150825 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151124 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160112 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160323 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160510 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160608 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5951878 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |