KR101471551B1 - 니켈계 전극을 이용한 고분자 분산액정형 조광체 및 그 제조방법 - Google Patents
니켈계 전극을 이용한 고분자 분산액정형 조광체 및 그 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 기존의 전극으로 사용된 인듐틴옥사이드(ITO) 전극 대신 니켈 또는 니켈-크롬 합금 증착된 전극이 사용된 고분자 분산 액정형 조광체에 관한 것으로 전극이 형성된 2장의 전극기재판과, 2장의 전극기재판 사이에 형성된 조광층을 포함하고, 조광층은 2장의 전극기재판 중 적어도 1면은 니켈계 전극을 포함하여, ON 상태에서의 근적외선 차단효과가 우수하고, 상업적으로 적용되는데 있어서 적합한 정도의 박리접착력, 필름의 진자경도, 헤이즈 그리고 콘트라스트비를 나타낼 수 있어 궁극적으로 원가절감은 물론 열선차단효과에 따른 에너지 절감 등의 유리한 효과를 갖는다.
Description
본 발명은 기존의 전극으로 사용된 인듐틴옥사이드(ITO) 전극 대신 니켈계 박막을 포함하는 전극이 사용된 고분자 분산액정(Polymer Dispered Liquid Crystal)형 조광체에 관한 것이다.
고분자 분산액정(Polymer Dispered Liquid Crystal, 이하 PDLC)형 조광체는 고분자 물질의 매트릭스 안에 미세한 액정방울들이 형성되어 외부에서 인가되는 전압에 반응하여, 전압이 인가된 상태(on 상태)에서는 액정이 인가되는 전계 방향에 따라 정렬되어 조광체를 투과하는 빛의 방향과 일치하게 되어 빛을 투과시키고, 전압이 인가되지 않은 상태(off 상태)에서는 액정이 불규칙하게 배열되어 조광체를 투과하는 빛의 진행 방향에 따라 배열되지 않기 때문에 빛을 산란시키게 된다. 즉, PDLC형 조광체는 전압의 인가 여부에 따라, 빛이 투과되는 상태와 산란되는 상태의 두 가지 상태로 구동될 수 있다.
이러한 PDLC형 조광체는 네마틱을 사용하는 다른 액정디스플레이와는 다르게 편광판을 사용하지 않고도 휘도가 좋고, 액정을 배향하기 위한 러빙 공정을 생략할 수 있으므로 제조 공정이 간단하여, 창문의 차폐막과 같은 기구에 널리 응용되며, 넓은 면적의 디스플레이 장치에도 응용될 수 있다.
통상, PDLC형 조광체는 액정, 올리고머, 모노머 및 광개시제를 포함하는 액정 분산 조성물을 전극층이 형성된 2장의 전극기재판 사이에 도포하여 조광체 제조용 액정 분산 조성물층을 형성하고, 상기 2장의 전극기재판 사이에 형성된 상기 조광체 제조용 액정 분산 조성물층에 자외선을 조사하면, 조성물 내에 포함된 광개시제에 의하여 올리고머, 모노머 등이 광경화 반응을 일으켜 고분자 물질 매트릭스가 형성되면서 고분자 물질 매트릭스 사이에 액정방울(액적 : Liquid Crystal droplet)들이 형성되도록 제조한다. 물론 전자선에 의한 경화를 유도하는 경우라면 액정 분산 조성물에는 광개시제를 포함하지 않을 수 있다.
PDLC형 조광체와 관련한 종래 기술의 일예로 국내특허공개 10-2011-0062215에는 투명전극이 형성된 2장의 투명기재판과, 2장의 투명기재판 사이에 형성된 조광층을 포함하고, 조광층은 2장의 투명기재판 중 일면의 투명기재판을 제거한 후 측정된 진자경도가 30s 이상인 PDLC형 조광체에 대하여 기재하고 있다.
이러한 종래기술 및 그 외의 일반적인 PDLC형 조광체에 있어서 전극기재판으로는 금속산화막인 ITO의 전극기재판이 전기전도도 및 투명도가 우수하여 널리 사용되어 왔다. 좀 더 구체적으로, 종래의 PDLC형 조광체의 전극기재판으로 사용된 ITO 증착 PET 필름의 경우 가시광선 투과율이 83~85% 정도이고 면저항이 100~250 Ω/□ 영역을 갖는 특성을 갖는다. 물론 ITO 증착막 두께를 더 두껍게 조절하면 전기전도도는 수십 Ω/□ 영역까지 증가시킬 수 있지만 가시광선 투과율은 감소하는 단점을 가지고 있다. PDLC형 조광체의 투명기재판으로 사용되고 있는 ITO 증착 PET 필름의 경우 산화인듐(InO3)에 산화주석(SnO2)이 10 중량% 함유된 타겟으로부터 제조될 수 있다. 이 때 사용되고 있는 ITO의 인듐(In)이 지구상 희금속으로 자원이 고갈되고 있기 때문에 시간이 지날수록 가격상승으로 인하여 PDLC형 조광체의 원가에 차지하는 비중이 매우 커지고 있는바, 이에 대한 해결방안이 요구되고 있다. 또한 ITO 전극기재판이 적용된 PDLC형 조광체는 대부분의 적외선을 투과하여 열선 차단 혹은 흡수기능이 미미하다. 이것은 건축물에 PDLC형 조광체가 시공되었을 때, 태양광의 열선을 선택적으로 차단하거나 투과를 조절할 수 없어 여름철의 냉방비 및 겨울철의 난방비의 부담을 줄일 수 없는 문제점을 낳고 있다. 특히 PDLC형 조광체가 자동차 썬루프 등으로 적용되었을 경우, 태양광의 열선 차단기능이 없어 자동차 냉난방을 위한 에너지 소비가 높아 자동차로의 적용을 어렵게 하고 있다.
본 발명자들은 적외선 차단효과가 있는 PDLC형 조광체에 대하여 예의 연구한 결과, 전극기재판으로 니켈계 전극기재판을 적용하는 경우 ITO 전극 대비 적외선 차단효과가 우수하다는 결과를 발견하였다. 본 발명은 이 결과를 토대로 ITO 전극을 니켈계 전극으로 대체함으로써 원가절감은 물론 열선차단기능을 부여하여 에너지 절감기능이 우수한 PDLC형 조광체 및 이의 제조방법을 제공하고자 한다.
본 발명은 PDLC형 조광체의 전극기재판으로 사용된 ITO 전극기재판을 니켈계 전극기재판으로 대체하여 원가절감은 물론 열선인 적외선영역의 투과를 줄여 에너지 절감기능이 부여된 PDLC형 조광체 및 이의 제조방법을 제공하는 것이다. PDLC형 조광체의 전극기재판으로 니켈계 증착막의 적용은 적절한 전기전도도를 제공하고 적외선 투과도를 효율적으로 조절할 수 있는 것을 이용하여 기존 열선의 투과문제를 해결하였다.
본 발명에 의하면 니켈계 전극기재판을 포함하는 PDLC형 조광체의 경우 ON 상태에서의 근적외선 차단효과가 우수하고, 상업적으로 적용되는데 있어서 적합한 정도의 박리접착력, 필름의 진자경도, 헤이즈 그리고 콘트라스트비를 나타낼 수 있어 궁극적으로 원가절감은 물론 열선차단효과에 따른 에너지 절감 등의 유리한 효과를 갖는다.
도 1은 니켈계 전극기재판-PDLC 코팅층-니켈계 전극기재판으로 되는 PDLC형 조광체 구조의 개략도.
도 2는 니켈계 전극기재판-PDLC 코팅층-ITO 전극기재판으로 되는 PDLC형 조광체 구조의 개략도.
도 3은 실시예 1, 2, 4, 5 및 비교예 1의 PDLC형 조광체에 대한 OFF 상태 광투과율 그래프.
도 4는 실시예 1, 2, 4, 5 및 비교예 1의 PDLC형 조광체에 대한 ON 상태 광투과율 그래프.
도 5는 실시예 6, 7, 9, 10 및 비교예 2의 PDLC형 조광체에 대한 OFF 상태 광투과율 그래프.
도 6은 실시예 6, 7, 9, 10 및 비교예 2의 PDLC형 조광체에 대한 ON 상태 광투과율 그래프.
도 2는 니켈계 전극기재판-PDLC 코팅층-ITO 전극기재판으로 되는 PDLC형 조광체 구조의 개략도.
도 3은 실시예 1, 2, 4, 5 및 비교예 1의 PDLC형 조광체에 대한 OFF 상태 광투과율 그래프.
도 4는 실시예 1, 2, 4, 5 및 비교예 1의 PDLC형 조광체에 대한 ON 상태 광투과율 그래프.
도 5는 실시예 6, 7, 9, 10 및 비교예 2의 PDLC형 조광체에 대한 OFF 상태 광투과율 그래프.
도 6은 실시예 6, 7, 9, 10 및 비교예 2의 PDLC형 조광체에 대한 ON 상태 광투과율 그래프.
이하, 본 발명을 보다 상세히 설명한다.
본 발명의 니켈계 전극을 이용한 PDLC형 조광체는 고분자 분산액정형 조광체 제조용 액정 분산 조성물을 제조하는 단계; 상기 조광체 제조용 액정 분산 조성물을 서로 대향하는 2장의 전극기재판 사이에 도포하여 조광체 제조용 액정 분산 조성물층을 형성하되, 적어도 하나의 전극기재판은 니켈계 박막층을 포함하는 전극기재판인 단계; 및 상기 서로 대향하는 2장의 전극기재판 사이에 형성된 상기 조광체 제조용 액정 분산 조성물층을 경화시키는 단계를 포함하여 제조될 수 있다.
상기 경화시키는 단계는 전자선 조사에 의한 경화, 열 경화, 공기산소 경화, 광에 의한 경화 등을 그 한정이 있는 것은 아니나, 니켈계 전극기재판의 투과도에 따른 경화효율 측면에서 상기 서로 대향하는 2장의 전극기재판 사이에 형성된 상기 조광체 제조용 액정 분산 조성물층에 330~410 nm 범위의 파장대인 광을 조사하여 광경화시키는 것이 바람직하다.
상기 및 이하의 기재에서 니켈계 박막층을 포함하는 전극기재판이라는 용어는 당업계에서 니켈계 전극기재판으로 일컬어지는 모든 형태의 전극기재판으로 이해될 수 있으며, 유리 또는 필름기재 상에 니켈계 박막층을 포함하는 것이라면 그 형태 및 구조에 한정이 있는 것이 아님은 물론이다.
특히 본 발명의 니켈계 박막층을 포함하는 전극기재판은 니켈 또는 니켈-크롬 합금 타겟으로부터 유리 또는 폴리에스테르계 필름기재에 증착되어 제조된 것으로, 이하의 기재에서는 이와 같은 의미로 "니켈 전극기재판" 또는 "니켈-크롬 합금 전극기재판"이라 약칭한다.
일예로, 상기 니켈 전극기재판은 유리에 니켈 타겟을 증착하여 제조할 수 있으나 폴리에스테르계 필름기재, 구체적으로 비결정형 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름을 롤투롤(roll-to-roll) 스퍼터를 이용하여 제조된 플렉서블 전극기재판이 바람직하다. 이때 필름기재는 니켈 증착막과 부착성을 향상하기 위해 프라이머 처리를 할 수 있다. 만약 니켈 증착막의 부착성이 부족하면 니켈박막 표면에 원하지 않는 hillock, hole 등의 생성원인이 되어 박막의 비저항 및 광학적 특성을 변화시키는 간접적인 원인이 된다. 필름기재가 PET 필름인 경우, 프라이머로는 여러 가지 유기 혹은 무기 물질이 사용되고 있으며 구체적 예로는 SiO2 프라이머를 들 수 있다(한국표면공학회 42 (2009) 21-25). 니켈의 박막증착은 프라이머 처리된 PET 필름을 DC 마그네트론 스퍼터링법을 이용할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 개시하고 있는 PET 필름 기재에의 니켈 박막증착 공정을 들어 설명하면 구체적으로 다음과 같다. PET 필름위에 SiO2 버퍼층을 열증착하기 위한 장비로 Evaporation System을 이용하고, 증발 물질로는 99.99%의 과립상 SiO2를 이용한다. 열증착을 위한 조건으로는 Evaporator 챔버 내 진공도는 저진공용 로타리 펌프를 이용 1.3x10-3 Torr까지 진공을 형성한 후, 부스터 펌프와 고진공용 오일확산 펌프를 이용하여 3.0x10-5 Torr로 기본 진공도를 유지하고, 증착전에 시편에 묻어있을 수 있는 유기물의 제거 및 증착시에 재료와 시편간의 부착력 향상을 위해 Ar 15 sccm, O2 25 sccm을 주입하여 기판에 이온빔 처리를 실시한다. SiO2 열증착시에는 증착 공정별 박막의 두께를 제어할 수 있는 Inficon사의 deposition controller (IC/5)를 이용하여 SiO2의 증착율이 2 Å/s가 되도록 유지하였고, 이 값을 바탕으로 두께가 10 Å, 50 Å, 100 Å이 되도록 증착 시간을 조절하여 열증착한다.
다음으로, PET 기재 위에 SiO2 프라이머 증착 후 스퍼터링법으로 니켈 박막을 증착한다. 본 발명 일 실시예에서 사용한 장비는 양산용 DC마그네트론 스퍼터로써 로타리펌프와 크라이오펌프가 부착된 시스템으로 구성되어 있으며 DC파워를 공급하기 위해 2.2 kW 직류 발생기를 사용하여 플라즈마를 형성시킨다. 니켈 타겟은 99.99%의 순도로 166x380 mm의 크기를 가지며 시편과 약 60 mm 정도 떨어진 거리에 위치시킨다. 니켈 박막 증착을 위해 SiO2가 프라이머 코팅된 PET 기재를 스퍼터의 16각형 지그(jig)의 한쪽면에 자석을 이용하여 고정시키고, 증착 시 지그가 5.22 Hz의 속도로 회전하도록 설정하여 니켈 박막의 증착율이 30 Å/s이 되도록 유지한다. 니켈 스퍼터의 증착공정은 2.5x10-5 Torr로 하고, 증착시 가스조성은 O2/(Ar+O2)비율이 2%가 되도록 하며, 증착압력은 2.5x10-3 Torr로 유지하며 상온에서 약 150 Å 두께로 증착한다.
상술한 일련의 니켈 박막 증착 방법은 본 발명에서 니켈 전극기재판을 포함하는 조광체를 제조하는 데 있어서 적용될 수 있는 여러 방법들 중의 하나이며, 이러한 방법으로 니켈 전극기재판의 제조가 한정되는 것이 아님은 물론이다.
니켈-크롬 합금 박막 역시 상술한 니켈 박막 증착 방법에 따라 제조될 수 있으며, 단, 타겟을 니켈 타겟 대신 필요에 따라 함량비가 각기 다른 니켈-크롬 합금 타겟으로 대체하여 제조될 수 있다.
니켈 전극기재판은 400~800 nm의 가시광선 영역에서 투과율이 10~60%인 것이 PDLC형 조광체의 ON시 시인성 확보와 태양광의 가시광선차단의 절충 측면에서 바람직하고, 또한 800~3000 nm의 근적외선 영역에서 투과도가 5~60%인 것이 태양광의 열선차단 측면에서 바람직하며, 면저항이 50~300 Ω/□인 것이 PDLC형 조광체의 구동이 가능케한 측면에서 바람직하다. 단, 니켈 박막층은 공기 중에 노출 시 쉽게 산화되는 특성이 있으므로 PDLC 조광체의 단자 형성작업 시 전극 부분이 공기 중에 노출되지 않도록 각별히 주의를 기울여야 한다. 본 발명자들은 이러한 니켈의 산화 방지 방안을 모색한 결과, 니켈-크롬 합금을 전극기재판으로 사용할 경우 니켈의 산화 방지에 탁월한 효과가 있음을 발견하였다.
니켈-크롬 합금 박막 증착 시, 니켈-크롬 합금 박막층에서 니켈의 함량은 70~90중량%이고, 크롬의 함량은 10~30 중량%가 바람직하다. 크롬의 함량이 10 중량% 미만일 경우에는 산화 방지 효과가 미미하며, 30 중량% 초과할 경우에는 면저항이 상승하여 전기전도도가 저하되는 단점이 있다. 가장 바람직한 크롬의 함량은 15~25 중량%이다. 또한, 니켈의 함량이 70중량% 미만이면 면저항이 상승하여 전기전도도가 저하되는 단점이 있고, 니켈의 함량이 90중량% 초과이면 산화 방지 효과가 저하되는 문제가 있다. 따라서, 이 함량 범위 내에서 바람직한 니켈의 산화 방지 효과와 PDLC 조광체용 전극기재판으로서 구동하는 데에 가장 적절한 전기전도도를 확보할 수 있다.
니켈-크롬 박막 증착 전극기재판의 산화 방지 효과를 알아보기 위하여 니켈-크롬의 함량비가 각기 다른 타겟으로부터 증착된 시료를 65℃, 95%를 유지하는 오븐에 방치하여 고온고습 신뢰성 테스트를 실시하였다. 시료의 초기 면저항 값과 고온고습 테스트 1000 hr 후의 면저항을 저항측정기(R-CHECK 4 point meter, EDTM, USA)로 측정한 평균값을 표1에 나타내었다. 표1에서 살펴보면 크롬 함량이 증가함에 따라 초기 면저항이 증가됨을 알 수 있다. 또한, 1000 hr 이후 면저항 값은 크롬 함량이 0인 경우 니켈표면이 산화되어 면저항이 무한대 값을 나타냈고, 크롬 함량이 점차 증가하는 경우에는 면저항 값이 크게 상승하지 않아 니켈의 산화 방지 효과에 우수함을 알 수 있었다.
| Ni:Cr 함량비 | 면저항 (Ω/□) | |
| 초기 | 10hr | |
| 10:0 | 134 | ∞ |
| 9:1 | 172 | 340 |
| 8:2 | 195 | 207 |
| 7:1 | 310 | 314 |
니켈-크롬 합금 전극기재판은 400~800nm의 가시광선 영역에서 투과율이 10~60%인 것이 PDLC형 조광체의 ON시 시인성 확보와 태양광의 가시광선차단의 절충 측면에서 바람직하고, 또한 800~3000nm의 근적외선 영역에서 투과도가 5~60%인 것이 태양광의 열선차단 측면에서 바람직하며, 면저항이 50~300 Ω/□인 것이 PDLC형 조광체의 구동이 가능케 한 측면에서 바람직하다.
본 발명의 일 구현예에 의한 PDLC형 조광체에 있어서 서로 대향하는 2장의 전극기재판은 모두가 상기한 것과 같은 니켈계 전극기재판일 수 있으며, 2장의 전극기재판 중 하나는 니켈계 전극기재판 또는 종래의 조광체를 구성하는 ITO 전극기재판일 수 있다. 전압이 인가된 상태에서의 근적외선 영역(800~3000 nm)에서 차단율이 더욱 우수하기로는 공히 니켈계 전극기재판을 적용한 것이며, 하나는 ITO 전극기재판이고 나머지 하나가 니켈계 전극기재판인 경우라 하더라도 공히 ITO 전극기재판인 경우에 비하여 근적외선 영역인 열선을 효과적으로 차단할 수 있다.
이때 ITO 전극기재판은 투명전극으로 알려진 다양한 형태의 ITO 전극기재판을 적용할 수 있음은 물론이나, 바람직한 일예로 ITO 전극기재판은 산화인듐(InO3)에 산화주석(SnO2)이 10 중량% 함유된 타겟으로부터 유리 또는 폴리에스테르계 필름기재에 증착되어 제조된 것이며, 400~800 nm의 가시광선 투과율이 83~85%이고 면저항이 10~300 Ω/□ 인 것이다. 산화인듐에 산화주석이 10중량% 함유된 타겟으로부터 제조된 ITO 박막은 투명도가 우수하다는 점에서 유리할 수 있다. 또한 PDLC형 조광체를 구동하는데 필요한 면저항이 10~300 Ω/□를 갖는 ITO 박막은 기술적으로 도달할 수 있는 400~800 nm의 가시광선 투과율이 83~90%이다.
한편, PDLC형 조광체 제조용 액정 분산 조성물을 제조하는 단계에서 제조되는 액정 분산 조성물은 올리고머(프리폴리머), 다관능성 또는 단관능성인 모노머, 액정화합물을 포함하고, 광경화를 고려하여 광개시제를 포함할 수 있다. 이때 광개시제는 330~410 nm 범위의 파장대 영역에서 흡광피크가 형성되는 것이 바람직하다. 이외에도 염료를 포함할 수 있다.
PDLC형 조광체 제조용 액정 분산 조성물은 전극기판에 도포되어 경화되어 경화막을 형성함으로써, 궁극적으로는 고분자 물질 매트릭스와 고분자 물질 매트릭스에 분산된 액정방울들을 갖는 조광층을 형성하는 것으로 본 발명의 안출 의도에 따르면 이러한 액정 분산 조성물의 각 조성에 각별한 한정이 있는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시예에 의한 액정 분산 조성물은 일예로, 적어도 하나 이상의 싸이올기를 갖는 싸이올계 프리폴리머 10~50 중량%; 다관능성 또는 단관능성의 아크릴계 모노머, 또는 비닐에테르계 모노머 10~60 중량%; 액정화합물 20~70 중량% 및 광개시제 2~7 중량%를 포함하는 것일 수 있다.
여기서 싸이올기를 갖는 싸이올계 프리폴리머라 함은 싸이올계 프리폴리머 단독으로 포함되거나, 싸이올계 프리폴리머 이외에 다른 올리고머, 일예로 놀랜드사에서 시판되고 있는 NOA 65와 같이 알릴에테르 그룹들의 우레탄올리고머 및 싸이올계 프리폴리머 혼합물의 형태를 모두 포함할 수 있다. 이러한 싸이클릭 우레아를 갖는 부착증진 단량체는 고분자 분산형 액정막 수지 조성물에 첨가되어 투명기재판과의 부착성이 우수한 고분자 분산형 액정막 수지 조성물을 제공할 수 있다.
싸이올계 프리폴리머는 적어도 하나 이상의 싸이올기를 갖는 싸이올계 수지로서, 예를들어 알킬 3-메캅토프로피오네이트, 알킬티오코레트, 알킬싸이올 등을 들 수 있고, 이외에도 놀랜드사의 NOA 65, 68 등과 같이 싸이올계 프리폴리머와 다른 올리고머와의 혼합물을 사용할 수 있다. 그 사용량은 최종 사용물을 기준으로 10~50 중량%인 것이 바람직한데, 이때 10 중량%에 미달되면 액정과 상분리가 되지 않을 수 있고, 만약 50 중량%를 초과하게 되면 광학특성이 저하될 수 있다.
한편, 상기 다관능성 또는 단관능성인 아크릴계 모노머로는 히드록시에틸 아크릴레이트(HEA), 히드록시 에틸메타크릴레이트 HEMA), 1,6-헥산디올아크릴레이트(HDDA), 트리프로필렌글리콜디아크릴레이트(TPGDA) 및 트리메틸올 프로판 트리아크릴레이트(TMPTA) 등을 들 수 있으며, 비닐에테르 모노머로서는 부탄디올 모노비닐에테르, 1,4-시클로헥산 디메탄올 모노비닐에테르 및 트리에틸렌글리콜 디비닐에테르 등이 있다. 이 때 상기 아크릴계 모노머 또는 비닐에테르계 모노머의 사용량은 최종생성물을 기준으로 약 10~60 중량%가 바람직한데, 이때 10 중량%에 미달되면 경화속도가 저하될 수 있고, 만약 60 중량%를 초과하게 되면 광학특성인 응답속도가 저하될 수 있다.
또한, 상기 액정화합물은 네마틱, 스메틱 또는 콜레스테릭 액정화합물이 바람직하며, 예를 들어, 현재 시판되는 EM 또는 Merk사의 E7, E63 및 HoffmanLaRoche사의 ROTN 404가 사용될 수 있다. 이때 상기 액정 화합물의 사용량은 최종생성물을 기준으로 20~70 중량%가 바람직한데, 이때 20 중량%에 미달되면 광학특성이 저하될 수 있고, 만약 70 중량%를 초과하게 되면 경화속도가 저하될 수 있다.
한편, 광개시제는 330~410 nm 범위의 파장대 영역에서 흡광피크가 형성되는 것이라면 그 제한이 있는 것은 아니며, 니켈 증착막 또는 니켈-크롬 합금 증착막이 광경화시 필요한 자외선 투과를 일부 저해할 수 있기 때문에 이를 고려하여 알려져 있는 광개시제들 중 채택하여 적용할 수 있다.
상기 광개시제는 자유라디칼계 광개시제로서는 디페닐(2,4,6-트리메틸벤조일)-포스핀옥사이드, 페닐비스 (2,4,6-트리메틸벤조일)-포스핀옥사이드, 비스(에타 5-2,4-시클로펜타디엔-1-일)비스[2,6-디플루오로-3-(1H-피롤-1-일)페닐]티타늄, 1-히드록시 시클로헥실페닐 케톤 및 α,α-디메톡시-α'-히드록시 아세토페논 등이 있으며, 현재 시판되는 스위스 시바가이기사의 Darocure TPO, Irgacure 184, Darocur 1173, 또는 코오롱유화의 UVICURE 204 등이 있다.
그 사용량은 최종 생성물을 기준으로 약 2~7 중량%가 바람직한데, 이때 2 중량%에 미달되면 미반응 물질이 생겨서 물성이 저하될 수 있고, 만약 7 중량%를 초과하게 되면 미반응 개시제가 남아 있어 내후성이 저하될 수 있다. 또한 선택적으로, 양이온계 광개시제와 기타 첨가제가 사용될 수 있으며, 상기 광개시제를 사용하지 않고 전자선에 의해 본 발명의 수지 조성물을 가교화시킬 수도 있으므로 이 역시 본 발명의 범주에 포함된다.
이와 같은 일련의 공정에 따르면, 일예로 도 1 내지 도 2로 도시한 것과 같은 구조로 나타낼 수 있는, 서로 대향하는 2장의 전극기재판과; 상기 전극기재판 사이에 형성되고, 고분자 물질 매트릭스와 고분자 물질 매트릭스에 분산된 액정방울들을 갖는 조광층을 포함하고, 상기 전극기재판 중 적어도 하나는 니켈계 박막층을 포함하는 전극기재판인 PDLC형 조광체를 얻을 수 있다.
이러한 조광체는 전압이 인가된 상태에서 적외선 800~3000 nm의 영역에서 광투과율이 60% 이하로서, 이와 같은 특징은 열선차단효과에 따른 에너지 절감 등에 있어서 유리한 효과를 발현할 수 있다.
이하 실시예 및 비교예를 통하여 본 발명을 좀 더 구체적으로 살펴보지만, 하기 예에 본 발명의 범주가 한정되는 것은 아니다.
실시예 1: 니켈 증착기재판(필름기재)-PDLC층-니켈 증착기재판(필름기재) 구조의 조광체 제조
(1) PDLC형 조광체 제조용 니켈 증착 PET 필름 제조
188㎛ PET 필름 위에 SiO2 버퍼층을 열증착하기 위한 장비로 Evaporation System을 사용하였고 증발 물질로는 99.99%의 과립상 SiO2를 이용하였다. 열증착을 위한 조건으로는 Evaporator 챔버내 진공도는 저진공용 로타리 펌프를 이용 1.3 x 10-3 Torr까지 진공을 형성한 후, 부스터 펌프와 고진공용 오일확산 펌프를 이용하여 3.0 x 10-5 Torr로 기본 진공도를 유지하였고, 증착전에 시편에 묻어있을 수 있는 유기물의 제거 및 증착 시에 재료와 시편간의 부착력 향상을 위해 Ar 15 sccm, O2 25 sccm을 주입하여 기판에 이온빔 처리를 실시하였다. SiO2 열증착 시에는 증착 공정별 박막의 두께를 제어할 수 있는 Inficon사의 deposition controller (IC/5)를 이용하여 SiO2의 증착율이 2 Å/s가 되도록 유지하였고, 이 값을 바탕으로 두께가 50 Å 이 되도록 증착 시간을 조절하여 열증착하였다.
PET 기재 위에 SiO2 프라이머 증착후 스퍼터링법으로 니켈 박막을 증착하였다. 본 발명에서 사용한 장비는 양산용 DC마그네트론 스퍼터로써 로타리펌프와 크라이오펌프가 부착된 시스템으로 구성되어 있으며 DC파워를 공급하기 위해 2.2 kW 직류 발생기를 사용하여 플라즈마를 형성시켰다. 니켈 타겟은 99.99%의 순도로 166x380 mm의 크기를 가지며 시편과 약 60 mm 정도 떨어진 거리에 위치시켰다. 니켈 박막 증착을 위해 SiO2가 프라이머 코팅된 PET 기재를 스퍼터의 16각형 지그(jig)의 한쪽 면에 자석을 이용하여 고정시키고, 증착 시 지그가 5.22 Hz의 속도로 회전하도록 설정하여 니켈 박막의 증착율이 30 Å/s이 되도록 유지하였다. 니켈 스퍼터의 증착공정은 2.5x10-5 Torr로 하였고, 증착 시 가스조성은 O2/(Ar+O2)비율이 2%가 되도록 하였으며, 증착압력은 2.5x10-3 Torr로 유지하며 상온에서 약 150 Å 두께로 증착하였다. 이로써 가시광선 영역인 550 nm 투과율은 45%이고, 근적외선 영역인 2000 nm에서의 투과율이 38%이며, 면저항이 134 Ω/□인 니켈 전극기재판을 제조하였다.
(2) PDLC형 조광체 제조용 고분자 액정 분산 조성물
액정 화합물로서 Merk사의 E7 네마틱 액정 화합물 58 중량%, 올리고머로서, NOA 65(알릴에테르 그룹들의 우레탄올리고머 및 싸이올계 프리폴리머 혼합물, 미국 놀랜드사 제품) 28 중량%, 모노머로서 헥산디올디아크릴레이트 10 중량% 및 자외선 광개시제로서 디페닐(2,4,6-트리메틸벤조일)-포스핀옥사이드 4 중량%(DAROCUR TPO, Ciba Specialty Chemicals사 제품, 380 nm 범위의 파장대 영역에서 흡광피크 형성)를 혼합하여 액정 분산 조성물을 제조하였다.
(3) PDLC형 조광체의 제조
상기 제조된 PDLC형 조광체 제조용 액정 분산 조성물을 상기 제조된 니켈 전극기재판의 일면에 20㎛의 두께로 도포하고, 그 위에 상기 니켈 전극층이 형성된 전극기재판과 동일한 전극기재판을 합지하였다. 그 후, 365nm metal halide lamp(UV intensity: 75 mW/cm2, UV energy: 1050 mJ/cm2) 광원을 이용하여 365 nm의 파장을 가진 광을 상기 전극기재판을 투과하여 도포된 조광체 제조용 액정 분산 조성물층에 조사하여 본 발명의 도 1로 도시한 것과 같은 구조의 PDLC형 조광체를 제조하였다.
실시예 2: 니켈 증착기재판(필름기재)-PDLC층-ITO 증착기재판(필름기재)의 구조의 조광체 제조
서로 대향되는 2개의 전극기재판으로써, 하나는 상기 실시예 1에서 제조된 니켈 전극기재판을 사용하고, 나머지 하나는 일본 Toray사로부터 구입한 ITO 증착 전극필름(산화인듐(InO3)에 산화주석(SnO2)이 10 중량% 함유된 타겟으로부터 PET 필름기재에 증착되어 제조된 것이며, 550 nm의 가시광선 투과율이 88%이고 면저항이 100 Ω/□를 만족하는 것임)을 사용한 것을 제외하고 실시예 1과 동일하게 고분자 분산액정형 조광체를 제조하였다.
구체적으로, 상기 제조된 PDLC형 조광체 제조용 액정 분산 조성물을 상기 제조된 니켈 전극기재판의 일면에 20㎛의 두께로 도포하고, 그 위에 일본 Toray사로부터 구입한 ITO 증착 전극필름의 전극기재판을 합지하였다. 그 후, 365 nm metal halide lamp(UV intensity: 75 mW/cm2, UV energy: 1050 mJ/cm2) 광원을 이용하여 365 nm의 파장을 가진 광을 상기 투명기재판을 투과하여 도포된 조광체 제조용 액정 분산 조성물 층에 조사하여 본 발명의 도 2로 도시한 것과 같은 구조의 PDLC형 조광체를 제조하였다.
실시예 3: 니켈 증착기재판(필름기재)-PDLC층-니켈-크롬 합금 증착기재판(필름기재)의 구조의 조광체 제조
서로 대향되는 2개의 전극기재판으로써, 하나는 상기 실시예 1에서 제조된 니켈 전극기재판을 사용하고, 나머지 하나는 니켈 타겟 대신 니켈-크롬 8:2의 함량비(중량비)를 갖는 타겟을 사용하여 실시예 1과 같은 방법으로 제조된 니켈-크롬 합금 전극기재판(가시광선 영역 550 nm 투과율 44%, 근적외선 영역 2000 nm 투과율 37%, 면저항 195 Ω/□)을 사용한 것을 제외하고 실시예 1과 동일하게 고분자 분산 액정형 조광체를 제조하였다.
구체적으로, 상기 제조된 PDLC형 조광체 제조용 액정 분산 조성물을 상기 제조된 니켈 전극기재판의 일면에 20㎛의 두께로 도포하고, 그 위에 니켈-크롬 합금 전극기재판을 합지하였다. 그 후, 365 nm metal halide lamp(UV intensity: 75 mW/cm2, UV energy: 1050 mJ/cm2) 광원을 이용하여 365 nm의 파장을 가진 광을 상기 투명기재판을 투과하여 도포된 조광체 제조용 액정 분산 조성물 층에 조사하여 본 발명의 도 1로 도시한 것과 같은 구조의 PDLC형 조광체를 제조하였다.
실시예 4: 니켈-크롬 합금 증착기재판(필름기재)-PDLC층-니켈-크롬 합금 증착기재판(필름기재)의 구조의 조광체 제조
서로 대향되는 2개의 전극기재판으로써, 니켈 타겟 대신 니켈-크롬 8:2의 함량비(중량비)를 갖는 타겟을 사용하여 실시예 1과 같은 방법으로 제조된 니켈-크롬 합금 전극기재판을 사용한 것을 제외하고 실시예 1과 동일하게 고분자 분산액정형 조광체를 제조하였다.
구체적으로, 상기 제조된 PDLC형 조광체 제조용 액정 분산 조성물을 상기 제조된 니켈-크롬 합금 전극기재판의 일면에 20㎛의 두께로 도포하고, 그 위에 니켈-크롬 합금 전극기재판을 합지하였다. 그 후, 365 nm metal halide lamp(UV intensity: 75 mW/cm2, UV energy: 1050 mJ/cm2) 광원을 이용하여 365 nm의 파장을 가진 광을 상기 투명기재판을 투과하여 도포된 조광체 제조용 액정 분산 조성물 층에 조사하여 본 발명의 도 1로 도시한 것과 같은 구조의 PDLC형 조광체를 제조하였다.
실시예 5: 니켈-크롬 합금 증착기재판(필름기재)-PDLC층-ITO 증착기재판(필름기재)의 구조의 조광체 제조
서로 대향되는 2개의 전극기재판으로써, 하나는 상기 실시예 3에서 제조된 니켈-크롬 합금 전극기재판을 사용하고, 나머지 하나는 일본 Toray사로부터 구입한 ITO 증착 전극필름을 사용한 것을 제외하고 실시예 2와 동일하게 고분자 분산액정형 조광체를 제조하였다.
구체적으로, 상기 제조된 PDLC형 조광체 제조용 액정 분산 조성물을 상기 제조된 니켈-크롬 합금 전극기재판의 일면에 20 ㎛의 두께로 도포하고, 그 위에 일본 Toray사로부터 구입한 ITO 증착 전극필름의 전극기재판을 합지하였다. 그 후, 365 nm metal halide lamp(UV intensity: 75 mW/cm2, UV energy: 1050 mJ/cm2) 광원을 이용하여 365 nm의 파장을 가진 광을 상기 투명기재판을 투과하여 도포된 조광체 제조용 액정 분산 조성물 층에 조사하여 본 발명의 도 2로 도시한 것과 같은 구조의 PDLC형 조광체를 제조하였다.
비교예 1: ITO 증착기재판(필름기재)-PDLC층-ITO 증착기재판(필름기재) 구조의 조광체 제조
서로 대향되는 2개의 전극기재판 모두를, 일본 Toray사로부터 구입한 ITO 증착 전극필름(산화인듐(InO3)에 산화주석(SnO2)이 10 중량% 함유된 타겟으로부터 PET 필름기재에 증착되어 제조된 것이며, 550 nm의 가시광선 투과율이 88%이고 면저항이 100 Ω/□를 만족하는 것임)을 사용한 것을 제외하고 실시예 1과 동일하게 고분자 분산액정형 조광체를 제조하였다.
구체적으로, 상기 제조된 PDLC형 조광체 제조용 액정 분산 조성물을 일본 Toray사로부터 구입한 ITO 전극층이 형성된 전극기재판(188 ㎛, PET 필름)의 일면에 20 ㎛의 두께로 도포하고, 그 위에 일본 Toray사로부터 구입한 ITO 증착 전극기재판을 합지하였다. 그 후, 365 nm metal halide lamp(UV intensity: 75 mW/cm2, UV energy: 1050 mJ/cm2) 광원을 이용하여 365 nm의 파장을 가진 광을 상기 전극기재판을 투과하여 도포된 조광체 제조용 액정 분산 조성물층에 조사하여 본 발명의 비교예 1의 PDLC형 조광체를 제조하였다.
상기의 기재에서, 니켈계 전극기재판과 ITO 전극기재판에 대한 400~800 nm의 가시광선 영역에서 투과율은 베리언사의 캐리500스캔으로 평가하였고, 800~3000 nm의 근적외선 영역에서 투과율은 베리언사의 캐리500스캔으로 평가하였으며, 면저항은 저항측정기(R-CHECK 4 point meter, EDTM, USA)로 평가하였다.
상기 실시예 1, 2, 4, 5 및 비교예 1로 부터 제조된 PDLC형 조광체들의 적외선 영역에서 차단율을 평가하였다. 베리언사의 캐리500스캔을 사용하여 ON 상태와 OFF 상태의 광(200~3000nm) 투과율의 스펙트럼을 각각 도 3과 4에 나타내었다. 도 3과 4에서 니켈계 전극기재판을 사용한 고분자 분산액정의 조광체가 근적외선 영역(800~2000nm)에서 차단율이 ITO 전극기재판을 사용한 그것 보다 우수함을 보여주고 있다. 이 결과는 니켈계 전극기재판을 적어도 1장 이상 사용한 PDLC형 조광체가 근적외선 영역인 열선 차단효과가 우수함을 알 수 있다.
또한 실시예 1, 2, 3, 4, 5 그리고 비교예 1의 조광체에 대하여 ON 상태 2000 nm 투과율, PDLC 조광체의 접착력, 진자경도, 헤이즈, 대조비 등을 아래와 같이 평가하였고, 그 결과는 표 2와 같다. PDLC형 조광체 접착력, 진자경도, 헤이즈, 대조비는 다음과 같다.
1) ON 상태 2000 nm 투과율
ON 상태 2000 nm 투과율은 열선(800~3000 nm)의 중심파장으로 투과율이 스펙트럼의 베이스라인에 근접하기 때문에 열선의 투과율 평가지표로 활용하였다. 고분자 분산액정 조광체의 ON 상태 투과율 스펙트럼으로부터 2000 nm에서 투과율을 표시하였다.
2) 박리 접착력(peel adhesion strength) 시험
박리 접착력은 ASTM D3654 방법에 따라 Tinus Olsen사의 H5KS 기기를 이용하여 측정하였다. 이때 박리 각도는 180°, 박리 속도는 300 mm/min였다.
3) 진자 경도(pendulum hardness) 시험
진자 경도는 ASTM D4366 방법에 따라 Sheen사의 Konig ref. 707KP 기기를 이용하여 측정하였고, Konig 진자는 삼각형 형태를 취하고 있으며 무게는 200±0.2 g이다. 직경 5 mm의 2개의 볼 베어링이 회전축에 붙어있고, 진자 경도 값은 시간 단위인 초(s)로 표현되며 진동 주기는 1.4±0.02 s이다. 진자 경도는 샘플의 연성(softness)을 측정하는 데 유용하다.
4) 광학 물성 측정
Off 헤이즈(off haze) 및 콘트라스트비(contrast ratio)는 Avantes사의 Avaspec-2048 visible spectrometer를 이용하여 측정하였다. 광원은 halogen lamp(Avalight-HAL, Avantes)를 사용하였다.
| 구분 | 조광체 구조 | ON 상태 2000 nm 투과율(%) |
진자경도 (s) |
박리접착력 (N/2.54cm) |
헤이즈 (%) |
콘트라스트비 (Ton/Toff) |
| 실시예 1 | Ni-PDLC-Ni | 23 | 42 | 1.3 | 81 | 41.3 |
| 실시예 2 | Ni-PDLC-ITO | 37 | 43 | 1.2 | 78 | 38.7 |
| 실시예 3 | Ni-PDLC-NiCr | 20 | 42 | 1.2 | 81 | 41.0 |
| 실시예 4 | NiCr-PDLC-NiCr | 19 | 41 | 1.2 | 80 | 41.5 |
| 실시예 5 | NiCr-PDLC-ITO | 36 | 43 | 1.3 | 79 | 40.6 |
| 비교예 1 | ITO-PDLC-ITO | 74 | 45 | 1.4 | 80 | 40.1 |
상기 표 2의 비교예 1과 같이 투명기재로서 니켈계 전극기재판을 포함하지 않는 고분산 분산액정 조광체의 경우에 ON 상태 2000 nm 투과율이 74%로 높아 열선영역인 근적외선 차단효과가 미미한 것으로 나타났다. 한편 니켈계 전극기재판이 도입된 고분자 분산액정 필름의 ON 상태 광 투과율은 근적외선 차단효과가 월등히 우수함을 알 수 있다. 또한 서로 대향되는 2장의 전극기재판 모두가 니켈계 전극기재판인 경우가 근적외선 차단효과가 가장 우수한 결과를 보이고 있다.
또, 상기 실시예와 비교예에서 조광체의 박리접착력, 필름의 진자경도, 헤이즈 그리고 콘트라스트비에서는 큰 차이를 나타내고 있지 않아 니켈계 전극기재판이 적용된 조광체가 상업적으로 적용되는데 문제가 없는 것으로 평가되었다. 본 발명의 결과, 니켈계 전극기재판을 포함하는 고분자 분산액정 조광체는 원가절감은 물론 열선차단효과 있어 에너지 절감기능을 가질 것으로 기대할 수 있다.
실시예 6: 니켈 증착기재판(유리기재)-PDLC층-니켈 증착기재판(유리기재) 구조의 조광체 제조
(1) PDLC형 조광체 제조용 니켈 증착 유리기재의 제조
유리 기재 위에 스퍼터링법으로 니켈 박막을 증착하였다. 본 발명에서 사용한 장비는 양산용 DC마그네트론 스퍼터로써 로타리펌프와 크라이오펌프가 부착된 시스템으로 구성되어 있으며 DC파워를 공급하기 위해 2.2 kW 직류 발생기를 사용하여 플라즈마를 형성시켰다. 니켈 타겟은 99.99%의 순도로 166x380 mm의 크기를 가지며 시편과 약 60 mm 정도 떨어진 거리에 위치시켰다. 니켈 박막 증착을 위해 유리 기재를 스퍼터의 16각형 지그(jig)의 한쪽 면에 자석을 이용하여 고정시키고, 증착 시 지그가 5.22 Hz의 속도로 회전하도록 설정하여 니켈 박막의 증착율이 35 Å/s이 되도록 유지하였다. 니켈 스퍼터의 증착공정은 2.5x10-5 Torr로 하였고, 증착 시 가스조성은 O2/(Ar+O2)비율이 2%가 되도록 하였으며, 증착압력은 2.6x10-3 Torr로 유지하며 상온에서 약 100 Å 두께로 증착하였다. 이로써 가시광선 영역인 550 nm 투과율은 46%이고, 근적외선 영역인 2000 nm에서의 투과율이 40%이며, 면저항이 131 Ω/□인 니켈 전극기재판을 제조하였다.
(2) PDLC형 조광체 제조용 고분자 액정 분산 조성물
액정 화합물로서 Merk사의 E7 네마틱 액정 화합물 58 중량%, 올리고머로서, NOA 65(알릴에테르 그룹들의 우레탄올리고머 및 싸이올계 프리폴리머 혼합물, 미국 놀랜드사 제품) 28 중량%, 모노머로서 헥산디올디아크릴레이트 10 중량% 및 자외선 광개시제로서 디페닐(2,4,6-트리메틸벤조일)-포스핀옥사이드 4 중량%(DAROCUR TPO, Ciba Specialty Chemicals사 제품, 380nm 범위의 파장대 영역에서 흡광피크 형성)를 혼합하여 액정 분산 조성물을 제조하였다.
(3) PDLC형 조광체의 제조
상기 제조된 PDLC형 조광체 제조용 액정 분산 조성물을 상기 제조된 니켈 전극기재판의 일면에 20 ㎛의 두께로 도포하고, 그 위에 상기 니켈 전극층이 형성된 전극기재판과 동일한 전극기재판을 합지하였다. 그 후, 365 nm metal halide lamp(UV intensity: 75 mW/cm2, UV energy: 1050 mJ/cm2) 광원을 이용하여 365 nm의 파장을 가진 광을 상기 전극기재판을 투과하여 도포된 조광체 제조용 액정 분산 조성물층에 조사하여 본 발명의 도 1로 도시한 것과 같은 구조의 PDLC형 조광체를 제조하였다.
실시예 7: 니켈 증착기재판(유리기재)-PDLC층-ITO 증착기재판(유리기재)의 구조의 조광체 제조
서로 대향되는 2장의 전극기판으로써, 하나는 실시예 6에서 제조된 니켈 전극기재판(유리기재)을 사용하고, 나머지 하나는 ITO 전극기재판(ITO 증착 유리기재 전극기판, 산화인듐(InO3)에 산화주석(SnO2)이 10 중량% 함유된 타겟으로부터 유리에 증착되어 제조된 것이며, 550 nm의 가시광선 투과율이 89%이고 면저항이 95 Ω/□ 인 것, 유리기재 두께 1mm)을 사용한 것을 제외하고 실시예 6과 동일하게 고분자 분산액정형 조광체를 제조하였다.
구체적으로, 상기 제조된 PDLC형 조광체 제조용 액정 분산 조성물을 상기 제조된 니켈 전극기재판의 일면에 20 ㎛의 두께로 도포하고, 그 위에 상기 ITO 전극기재판을 합지하였다. 그 후, 365 nm metal halide lamp(UV intensity: 75 mW/cm2, UV energy: 1050 mJ/cm2) 광원을 이용하여 365 nm의 파장을 가진 광을 상기 투명기재판을 투과하여 도포된 조광체 제조용 액정 분산 조성물 층에 조사하여 본 발명의 도 2로 도시한 것과 같은 구조의 PDLC형 조광체를 제조하였다.
실시예 8: 니켈 증착기재판(유리기재)-PDLC층-니켈-크롬 합금 증착기재판(유리기재)의 구조의 조광체 제조
서로 대향되는 2개의 전극기재판으로써, 하나는 상기 실시예 6에서 제조된 니켈 전극기재판을 사용하고, 나머지 하나는 니켈 타겟 대신 니켈-크롬 8:2의 함량비(중량비)를 갖는 타겟을 사용하여 실시예 6과 같은 방법으로 제조된 니켈-크롬 합금 전극기재판(가시광선 영역 550 nm 투과율 45%, 근적외선 영역 2000 nm 투과율 39%, 면저항 192 Ω/□)을 사용한 것을 제외하고 실시예 6과 동일하게 고분자 분산액정형 조광체를 제조하였다.
구체적으로, 상기 제조된 PDLC형 조광체 제조용 액정 분산 조성물을 상기 제조된 니켈 전극기재판의 일면에 20 ㎛의 두께로 도포하고, 그 위에 니켈-크롬 합금 전극기재판을 합지하였다. 그 후, 365 nm metal halide lamp(UV intensity: 75 mW/cm2, UV energy: 1050 mJ/cm2) 광원을 이용하여 365 nm의 파장을 가진 광을 상기 투명기재판을 투과하여 도포된 조광체 제조용 액정 분산 조성물 층에 조사하여 본 발명의 도 1로 도시한 것과 같은 구조의 PDLC형 조광체를 제조하였다.
실시예 9: 니켈-크롬 합금 증착기재판(유리기재)-PDLC층-니켈-크롬 합금 증착기재판(유리기재)의 구조의 조광체 제조
서로 대향되는 2개의 전극기재판으로써, 니켈 타겟 대신 니켈-크롬 8:2의 함량비(중량비)를 갖는 타겟을 사용하여 실시예 6과 같은 방법으로 제조된 니켈-크롬 합금 전극기재판을 사용한 것을 제외하고 실시예 6과 동일하게 고분자 분산액정형 조광체를 제조하였다.
구체적으로, 상기 제조된 PDLC형 조광체 제조용 액정 분산 조성물을 상기 제조된 니켈-크롬 합금 전극기재판의 일면에 20 ㎛의 두께로 도포하고, 그 위에 니켈-크롬 합금 전극기재판을 합지하였다. 그 후, 365 nm metal halide lamp(UV intensity: 75 mW/cm2, UV energy: 1050 mJ/cm2) 광원을 이용하여 365 nm의 파장을 가진 광을 상기 투명기재판을 투과하여 도포된 조광체 제조용 액정 분산 조성물 층에 조사하여 본 발명의 도 1로 도시한 것과 같은 구조의 PDLC형 조광체를 제조하였다.
실시예 10: 니켈-크롬 합금 증착기재판(유리기재)-PDLC층-ITO 증착기재판(유리기재)의 구조의 조광체 제조
서로 대향되는 2개의 전극기재판으로써, 하나는 상기 실시예 8에서 제조된 니켈-크롬 합금 전극기재판을 사용하고, 나머지 하나는 ITO 증착 전극 유리기재판을 사용한 것을 제외하고 실시예 7과 동일하게 고분자 분산액정형 조광체를 제조하였다.
구체적으로, 상기 제조된 PDLC형 조광체 제조용 액정 분산 조성물을 상기 제조된 니켈 전극기재판의 일면에 20 ㎛의 두께로 도포하고, 그 위에 ITO 증착 전극 유리기재판을 합지하였다. 그 후, 365 nm metal halide lamp(UV intensity: 75 mW/cm2, UV energy: 1050 mJ/cm2) 광원을 이용하여 365 nm의 파장을 가진 광을 상기 투명기재판을 투과하여 도포된 조광체 제조용 액정 분산 조성물 층에 조사하여 본 발명의 도 2로 도시한 것과 같은 구조의 PDLC형 조광체를 제조하였다.
비교예 2: ITO 증착기재판(유리기재)-PDLC층-ITO 증착기재판 (유리기재)구조의 조광체 제조
서로 대향하는 2장의 전극기판 모두를 ITO 증착기재판(ITO 증착 유리기재 전극기판, 산화인듐(InO3)에 산화주석(SnO2)이 10 중량% 함유된 타겟으로부터 유리에 증착되어 제조된 것이며, 550 nm의 가시광선 투과율이 89%이고 면저항이 95 Ω/□ 인 것, 유리기재 두께 1mm)을 사용한 것을 제외하고 실시예 6과 동일하게 고분자 분산액정형 조광체를 제조하였다.
구체적으로, 상기 제조된 PDLC형 조광체 제조용 액정 분산 조성물을 ITO 전극층이 형성된 전극기재판의 일면에 20 ㎛의 두께로 도포하고, 그 위에 ITO 증착 전극기재판을 합지하였다. 그 후, 365 nm metal halide lamp(UV intensity: 75 mW/cm2, UV energy: 1050 mJ/cm2) 광원을 이용하여 365 nm의 파장을 가진 광을 상기 전극기재판을 투과하여 도포된 조광체 제조용 액정 분산 조성물층에 조사하여 본 발명의 비교예 2의 PDLC형 조광체를 제조하였다.
상기의 기재에서, 니켈계 전극기재판과 ITO 전극기재판에 대한 400~800 nm의 가시광선 영역에서 투과율은 베리언사의 캐리500스캔을 사용하여 평가하였고, 800~3000 nm의 근적외선 영역에서 투과율은 베리언사의 캐리500스캔으로 평가하였으며, 면저항은 저항측정기(R-CHECK 4 point meter, EDTM, USA)로 평가하였다.
실시예 6, 7, 9, 10 및 비교예 2로 부터 제조된 PDLC형 조광체들의 적외선 영역에서 차단율을 평가하였다. 베리언사의 캐리500스캔을 사용하여 ON 상태와 OFF 상태의 광(200~3000 nm) 투과율의 스펙트럼을 각각 도 5과 도 6에 나타내었다. 도 5와 6에서 니켈계 전극기재판을 사용한 고분자 분산액정의 조광체가 근적외선 영역(800~3000 nm)에서 차단율이 ITO 전극기재판을 사용한 그것 보다 우수함을 보여주고 있다. 이 결과로부터 니켈계 전극기재판을 적어도 1장 이상 사용한 PDLC형 조광체가 근적외선 영역인 열선 차단효과가 우수함을 알 수 있다.
실시예 6, 7, 8, 9, 10 그리고 비교예 2의 ON 상태 2000 nm 투과율, 진자경도, 헤이즈, 대조비 등을 상기 실시예 1, 2, 3, 4, 5 및 비교예 1의 평가방법과 동일하게 평가하였고, 그 결과는 표 3과 같다.
| 구분 | 조광체 구조 | ON 상태 2000 nm 투과율(%) | 진자경도 (s) |
헤이즈 (%) |
콘트라스트비 (Ton/Toff) |
| 실시예 6 | Ni-PDLC-Ni | 23 | 45 | 83 | 39.5 |
| 실시예 7 | Ni-PDLC-ITO | 38 | 41 | 79 | 41.0 |
| 실시예 8 | Ni-PDLC-NiCr | 21 | 43 | 81 | 41.3 |
| 실시예 9 | NiCr-PDLC-NiCr | 20 | 42 | 81 | 42.6 |
| 실시예 10 | NiCr-PDLC-ITO | 37 | 44 | 80 | 41.9 |
| 비교예 2 | ITO-PDLC-ITO | 73 | 47 | 82 | 45.3 |
상기 표 3의 비교예 2와 같이 투명기재로서 니켈계 전극기재판을 포함하지 않는 고분자 분산액정 조광체의 경우에 ON 상태 2000 nm 투과율이 73%로 높아 후 열선영역인 근적외선 차단효과 미미한 것으로 나타났다. 한편 니켈계 전극기재판이 도입된 고분자 분산액정 유리판의 ON 상태 광 투과율은 근적외선 차단효과가 월등히 우수함을 알 수 있다. 또한 서로 대향되는 2장의 전극기재판 모두가 니켈계 전극기재판인 경우가 근적외선 차단효과가 가장 우수한 결과를 보이고 있다.
또, 상기 실시예와 비교예에서 조광체의 박리접착력, 필름의 진자경도, 헤이즈 그리고 콘트라스트비에서는 큰 차이를 나타내고 있지 않아 니켈계 전극기재판이 적용된 조광체가 상업적으로 적용되는데 문제가 없는 것으로 평가되었다. 본 발명의 결과, 니켈계 전극기재판을 포함하는 고분자 분산액정 조광체는 원가절감은 물론 열선차단효과 있어 에너지 절감기능을 가질 것으로 기대할 수 있다.
Claims (18)
- 고분자 분산액정형 조광체 제조용 액정 분산 조성물을 제조하는 단계;
상기 조광체 제조용 액정분산 조성물을 서로 대향하는 2장의 전극기재판 사이에 도포하여 조광체 제조용 액정분산 조성물층을 형성하는 단계; 및
상기 서로 대향하는 2장의 전극기재판 사이에 형성된 상기 조광체 제조용 액정분산 조성물층을 경화시키는 단계를 포함하고,
상기 서로 대향하는 2장의 전극기재판 중 적어도 하나는 니켈계 박막층을 포함하는 전극기재판이고,
상기 니켈계 박막층을 포함하는 전극기재판은 니켈 타겟 또는 니켈-크롬 합금 타겟으로부터 유리 또는 폴리에스테르계 필름 기재에 증착되어 제조된 니켈 박막층 또는 니켈-크롬 합금 박막층을 포함하는 전극기재판으로서 400~800 nm의 가시광선 영역에서 투과율이 10~60%, 800~3000 nm의 근적외선 영역에서 투과도가 5~60%, 면저항이 50~300 Ω/□인 것을 특징으로 하는 고분자 분산액정형 조광체의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 경화시키는 단계는 서로 대향하는 2장의 전극기재판 사이에 형성된 상기 조광체 제조용 액정분산 조성물층에 330~410 nm 범위의 파장대인 광을 조사하여 광경화시키는 단계인 것을 특징으로 하는 고분자 분산액정형 조광체의 제조방법.
- 삭제
- 삭제
- 제1항에 있어서, 상기 니켈-크롬 합금 박막층은 니켈 70~90 중량% 및 크롬 10~30 중량%를 포함하는 것임을 특징으로 하는 고분자 분산액정형 조광체의 제조방법.
- 삭제
- 삭제
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 서로 대향하는 2장의 전극기재판 중 하나는 ITO 전극기재판인 것을 특징으로 하는 고분자 분산액정형 조광체의 제조방법.
- 제8항에 있어서, ITO 전극기재판은 산화인듐(InO3)에 산화주석(SnO2)이 10 중량% 함유된 타겟으로부터 유리 또는 폴리에스테르계 필름기재에 증착되어 제조된 것이며, 400~800 nm의 가시광선 투과율이 83~90%이고 면저항이 10~300 Ω/□ 인 것을 특징으로 하는 고분자 분산액정형 조광체의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 조광체 제조용 액정 분산 조성물을 제조하는 단계에서 제조되는 액정 분산 조성물은 올리고머, 다관능성 내지 단관능성인 모노머, 액정화합물 및 광개시제를 포함하고, 상기 광개시제는 330~410 nm 범위의 파장대 영역에서 흡광피크가 형성되는 것을 특징으로 하는 고분자 분산액정형 조광체의 제조방법.
- 제10항에 있어서, 상기 광개시제는 디페닐(2,4,6-트리메틸벤조일)-포스핀옥사이드, 페닐비스 (2,4,6-트리메틸벤조일)-포스핀옥사이드, 비스(에타 5-2,4-시클로펜타디엔-1-일)비스[2,6-디플루오로-3-(1H-피롤-1-일)페닐]티타늄, 1-히드록시 시클로헥실페닐 케톤 및 α,α-디메톡시-α'-히드록시 아세토페논 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 고분자 분산액정형 조광체의 제조방법.
- 서로 대향하는 2장의 전극기재판과;
상기 전극기재판 사이에 형성되고, 고분자 물질 매트릭스와 고분자 물질 매트릭스에 분산된 액정방울들을 갖는 조광층을 포함하고,
전압이 인가된 상태에서 적외선 800~2000 nm의 영역에서 광투과율이 60% 이하이고,
상기 서로 대향하는 2장의 전극기재판 중 적어도 하나는 니켈계 박막층을 포함하는 전극기재판이고,
상기 니켈계 박막층을 포함하는 전극기재판은 니켈 타겟 또는 니켈-크롬 합금 타겟으로부터 유리 또는 폴리에스테르계 필름 기재에 증착되어 제조된 니켈 박막층 또는 니켈-크롬 합금 박막층을 포함하는 전극기재판으로서 400~800 nm의 가시광선 영역에서 투과율이 10~60%, 800~3000 nm의 근적외선 영역에서 투과도가 5~60%, 면저항이 50~300 Ω/□인 것을 특징으로 하는 고분자 분산액정형 조광체.
- 삭제
- 제12항에 있어서, 상기 니켈-크롬 합금 박막층은 니켈 70~90 중량% 및 크롬 10~30 중량%를 포함하는 것임을 특징으로 하는 고분자 분산액정형 조광체.
- 삭제
- 삭제
- 제12항에 있어서, 서로 대향하는 2장의 전극기재판 중 하나는 ITO 전극기재판인 것을 특징으로 하는 고분자 분산액정형 조광체.
- 제17항에 있어서, ITO 전극기재판은 산화인듐(InO3)에 산화주석(SnO2)이 10 중량% 함유된 타겟으로부터 유리 또는 폴리에스테르계 필름기재에 증착되어 제조된 것이며, 400~800 nm의 가시광선 투과율이 83~90%이고 면저항이 10~300 Ω/□ 인 것을 특징으로 하는 고분자 분산액정형 조광체.
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