JP2015515463A5

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Publication number: JP2015515463A5
Application number: JP2015501897A
Authority: JP
Filing date: 2013-03-21
Publication date: 2016-04-28
Anticipated expiration: 2033-03-21

Description

別々の実施形態の状況において、明確にするために本明細書に記載されている特定の複数の特徴は、１つの実施形態の中で組み合わせても提供できることを理解されたい。逆に、簡潔にするため１つの実施形態の状況において説明した種々の特徴も、別々に提供することも、任意の副次的な組み合わせで提供することもできる。さらに、ある範囲内にあると記載される値への言及は、その範囲内のありとあらゆる値を含んでいる。
なお、本発明は、特許請求の範囲を含め、以下の発明を包含する。
１．式Ｉ

（式中：
Ａｒは、フェニル、ビフェニルおよびテルフェニルからなる群から選択され、Ａｒは、Ｄ、アルキル、シリル、重水素化アルキルおよび重水素化シリルからなる群から選択される１種以上の置換基を任意選択的に有し、
Ｒ¹は、Ｈ、Ｄ、アルキル、シリル、アリール、ヘテロアリール、重水素化アルキル、重水素化シリル、重水素化アリールおよび重水素化ヘテロアリールからなる群から選択され、かつ
Ｒ²〜Ｒ¹¹は、同一であるか、または異なって、Ｈ、Ｄ、アルキル、シリル、重水素化アルキルおよび重水素化シリルからなる群から選択される）を有する化合物。
２．Ａｒが、フェニル、３−ビフェニル、４−ビフェニル、４，４’−テルフェニル、４，３’−テルフェニル、３，４’−テルフェニル、３，３’−テルフェニル、３，５−テルフェニル、置換フェニル、置換３−ビフェニル、置換４−ビフェニル、置換４，４’−テルフェニル、置換４，３’−テルフェニル、置換３，４’−テルフェニル、置換３，３’−テルフェニル、置換３，５−テルフェニルおよびそれらの重水素化アナログからなる群から選択される、１に記載の化合物。
３．Ｒ¹が、１〜２０個の炭素を有するアルキル、シリル、１〜２０個の炭素を有する重水素化アルキルおよび重水素化シリルからなる群から選択される、１に記載の化合物。
４．Ｒ¹が、フェニル、ナフチル、ビフェニル、テルフェニル、それらの置換誘導体およびそれらの重水素化アナログからなる群から選択される、１に記載の化合物。
５．Ｒ¹が、カルバゾリル、フェニル置換カルバゾリル、アルキル置換カルバゾリルおよびそれらの重水素化アナログからなる群から選択される、１に記載の化合物。
６．Ｒ²〜Ｒ¹¹が、ＨおよびＤから選択される、１に記載の化合物。
７．Ｒ²〜Ｒ¹¹の少なくとも１つが、アルキル、シリル、重水素化アルキルおよび重水素化シリルから選択される、１に記載の化合物。
８．化合物Ｇ１〜Ｇ１７から選択される化合物。
９．第１の電気コンタクトと、第２の電気コンタクトと、それらの間の式Ｉ

（式中：
Ａｒは、フェニル、ビフェニルおよびテルフェニルからなる群から選択され、Ａｒは、Ｄ、アルキル、シリル、重水素化アルキルおよび重水素化シリルからなる群から選択される１種以上の置換基を任意選択的に有し、
Ｒ¹は、Ｈ、Ｄ、アルキル、シリル、アリール、ヘテロアリール、重水素化アルキル、重水素化シリル、重水素化アリールおよび重水素化ヘテロアリールからなる群から選択され、かつ
Ｒ²〜Ｒ¹¹は、同一であるか、または異なって、Ｈ、Ｄ、アルキル、シリル、重水素化アルキルおよび重水素化シリルからなる群から選択される）を有する化合物を含んでなる光活性層を含んでなる有機電子デバイス。
１０．前記光活性層が前記式Ｉの化合物を含んでなり、かつホスト材料をさらに含んでなる、９に記載のデバイス。
１１．前記光活性層が、前記式Ｉの化合物と、ホスト材料とから本質的になる、１０に記載のデバイス。
１２．前記光活性層が、発光化合物と、ホスト材料と、正孔捕獲材料として式Ｉを有する化合物とを含んでなる、９に記載のデバイス。
１３．前記光活性層が、発光化合物と、ホスト材料と、電子捕獲材料として式Ｉを有する化合物とを含んでなる、９に記載のデバイス。

Claims

式Ｉ

（式中：
Ａｒは、フェニル、ビフェニルおよびテルフェニルからなる群から選択され、Ａｒは、Ｄ、アルキル、シリル、重水素化アルキルおよび重水素化シリルからなる群から選択される１種以上の置換基を任意選択的に有し、
Ｒ¹は、Ｈ、Ｄ、アルキル、シリル、アリール、ヘテロアリール、重水素化アルキル、重水素化シリル、重水素化アリールおよび重水素化ヘテロアリールからなる群から選択され、かつ
Ｒ²〜Ｒ¹¹は、同一であるか、または異なって、Ｈ、Ｄ、アルキル、シリル、重水素化アルキルおよび重水素化シリルからなる群から選択される）を有する化合物。
Ａｒが、フェニル、３−ビフェニル、４−ビフェニル、４，４’−テルフェニル、４，３’−テルフェニル、３，４’−テルフェニル、３，３’−テルフェニル、３，５−テルフェニル、置換フェニル、置換３−ビフェニル、置換４−ビフェニル、置換４，４’−テルフェニル、置換４，３’−テルフェニル、置換３，４’−テルフェニル、置換３，３’−テルフェニル、置換３，５−テルフェニルおよびそれらの重水素化アナログからなる群から選択される、請求項１に記載の化合物。
Ｒ¹が、１〜２０個の炭素を有するアルキル、シリル、１〜２０個の炭素を有する重水素化アルキルおよび重水素化シリルからなる群から選択される、請求項１に記載の化合物。
Ｒ¹が、フェニル、ナフチル、ビフェニル、テルフェニル、それらの置換誘導体およびそれらの重水素化アナログからなる群から選択される、請求項１に記載の化合物。
Ｒ¹が、カルバゾリル、フェニル置換カルバゾリル、アルキル置換カルバゾリルおよびそれらの重水素化アナログからなる群から選択される、請求項１に記載の化合物。
Ｒ²〜Ｒ¹¹が、ＨおよびＤから選択される、請求項１に記載の化合物。
Ｒ²〜Ｒ¹¹の少なくとも１つが、アルキル、シリル、重水素化アルキルおよび重水素化シリルから選択される、請求項１に記載の化合物。
化合物Ｇ１〜Ｇ１７から選択される化合物。
第１の電気コンタクトと、第２の電気コンタクトと、それらの間の式Ｉ

（式中：
Ａｒは、フェニル、ビフェニルおよびテルフェニルからなる群から選択され、Ａｒは、Ｄ、アルキル、シリル、重水素化アルキルおよび重水素化シリルからなる群から選択される１種以上の置換基を任意選択的に有し、
Ｒ¹は、Ｈ、Ｄ、アルキル、シリル、アリール、ヘテロアリール、重水素化アルキル、重水素化シリル、重水素化アリールおよび重水素化ヘテロアリールからなる群から選択され、かつ
Ｒ²〜Ｒ¹¹は、同一であるか、または異なって、Ｈ、Ｄ、アルキル、シリル、重水素化アルキルおよび重水素化シリルからなる群から選択される）を有する化合物を含んでなる光活性層を含んでなる有機電子デバイス。
前記光活性層が前記式Ｉの化合物を含んでなり、かつホスト材料をさらに含んでなる、請求項９に記載のデバイス。