JP2015507693A

JP2015507693A - Ｚｒ系アモルファス合金

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Publication number: JP2015507693A
Application number: JP2014547710A
Authority: JP
Inventors: ▲愛▼▲蘭▼ 朱; 涛 ▲張▼; ▲強▼ ▲賀▼; ▲亮▼ 富
Original assignee: Huawei Technologies Co Ltd
Current assignee: Huawei Technologies Co Ltd
Priority date: 2012-11-26
Filing date: 2013-04-08
Publication date: 2015-03-12
Also published as: WO2014079188A1; EP2759616B1; EP2759616A1; EP2759616A4; CN102965599A

Abstract

Ｚｒ系アモルファス合金の化学式が（Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ）ａＣｕｂＮｉｃＡｌｄＲｅｅであり、ａ，ｂ，ｃ，ｄ及びｅは、アモルファス合金における、対応する元素の原子百分率含有量であり、４５≰ａ≰６５、１５≰ｂ≰４０、０．１≰ｃ≰１５、５≰ｄ≰１５、及び０．０５≰ｅ≰５、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ≰１００であり、且つＲｅはＬａ，Ｃｅ，Ｐｏ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｎｄ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｓｃ，Ｅｕ，Ｔｍ，Ｔｂ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｙｂ，及びＬｕの内の一つ若しくは任意の組合せ、又はＲｅはＹと、元素Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｏ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｎｄ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｓｃ，Ｅｕ，Ｔｍ，Ｔｂ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｙｂ，及びＬｕの内の一つと若しくは任意の組合せと、の組み合わせである。

Description

本発明は、金属合金、及び特にＺｒ系アモルファス合金の分野に関する。

アモルファス合金の原子配列の長期的秩序の欠落により、合金の構造体内に転位も粒子境界も存在しない。それゆえ、通常の多結晶金属材料と比較して、アモルファス合金は、高い強度、耐腐食性、耐摩耗性等のメリットを有し、マイクロ電子デバイス、スポーツ用具、贅沢品、消費者向け家電、及び同類のものを製造するための原材料として用いられ得る。アモルファス合金の一般的な製造方法は、溶融合金を特定の冷却速度で、ガラス転位温度（Ｔ_ｇ）未満に急激に冷却することである。極めて速い冷却速度は、結晶核生成及び成長を回避し、最終的に完全なアモルファス構造体を達成する。材料をアモルファス構造体へと変化するために必要な冷却速度がより遅いならば、材料の大きいサイズのアモルファス構造体を形成することがより簡単である。Ｚｒ系、パラジウム系、マグネシウム系、鉄系、銅系、ランタン系合金系等の合金系では、特定の合金の臨界冷却速度は、１０Ｋ／秒未満の大きさであり、センチメートルサイズの厚さのバルクアモルファス合金は、銅金型鋳造を介して製造され得る。

一般的に、完全にアモルファス構造体の鋳造丸棒を形成可能な臨界直径は、合金のガラス形成能（ＧＦＡ）としても用いられる。合金のガラス形成能は、合金の化学成分に第一に依存する。合金成分の複雑性及び多様性は、アモルファス構造体を形成する臨界冷却速度を減少させ、合金のガラス形成能を向上する。その中でも、多元素Ｚｒ系アモルファス合金は、優れたガラス形成能、素晴らしい機械的及び加工特性を有し、構造材料として最高の用途となる見込みのある、これまでに発見されたアモルファス合金である。

アモルファス構造体を形成するためにこれまで世界中で発展してきたＺｒ系アモルファス合金は、Ｚｒ−ＴＭ−Ａｌ又はＺｒ−ＴＭ−Ｂｅ（ＴＭはＴｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、又はＣｏ）系の中心にある。このような合金の特定の成分と共に、融液は、直径が１０ｍｍ超のアモルファス丸棒材料を形成するために冷却し得る。現在のところ、このような合金の製造は、主に研究所で行う。合金中の酸素含有量は一般的に、２００ｐｐｍ未満である。従って、原材料中に存在する、及び製造プロセス中に導入される酸素含有量は、厳密に制御されなくてはならない。

例えば、以下の合金の化学式は、鋳造された後に特定のサイズのアモルファス構造体を形成し得る。

（Ｚｒ，Ｈｆ）ａＭｂＡｌｃ

ここで、ＭはＮｉ、Ｃｕ、Ｆｅ、ＣＯ、又はそれらの任意の組合せであり、ａ、ｂ、及びｃは原子百分率であり、２５≦ａ≦８５、５≦ｂ≦７０、及び０＜ｃ≦３５である。好ましくは、真空溶融、及び通常の銅金型鋳造の後、Ｚｒ５０Ｃｕ４０Ａｌ１０合金は、直径１０ｍｍの、つまり１０ｍｍのガラス形成能を有する完全にアモルファスの丸棒を形成し得る。

合金のガラス形成能をさらに強化するために、適切な量のＮｉが合金内へと一般的に追加され、Ｃｕと組み合わされた特定の化学式へとなる。例えば、合金に５原子百分率のＮｉを追加した後、四元素Ｚｒ５５Ｃｕ３０Ｎｉ５Ａｌ１０合金が得られ、そのガラス形成能は３０ｍｍに至るまでである。一般的な製造方法は以下の通りである。特定の化学式の特定量の原材料を、真空溶錬炉内に配し、真空度を５×１０^−３Ｐａに調整し、その後保護ガスとして０．０５ＭＰａのアルゴンを満たし、均質な溶錬をし、及び炉とともに冷却した後、マスター合金を得て、その後マスター合金を再溶融のために誘導炉内に配し、その後アモルファス合金棒を得るためにマスター合金を銅金型内へ吹き付け及び鋳造する。

先行技術のＺｒ系合金のＧＦＡは、合金の酸素含有量に非常に敏感である。ジルコニウムと酸素との結合が非常に容易に起こるため、酸化ジルコニウム又はジルコニウム／酸素クラスターが溶融合金内で容易に生成され得る。それらは、非均質な核生成のコアの役割を果たし、合金のＧＦＡを減少させ得る。通常の実験室の又は工業の条件の下では、特定の量の酸素は、Ｚｒ系アモルファス合金内へ必然的に導入される。従って、生産工程において、高価な高純度原材料を用いる必要があり、溶錬及び鋳造プロセスにおいて高真空度が必要とされる。合金中の高い酸素含有量によって引き起こされるアモルファスＧＦＡの減少を防ぐために必要とされる真空度は、１０^−２Ｐａ又はより適切には１０^−３Ｐａである。高純度（９９．９％超の純度）原材料、及び厳しい保護雰囲気は、Ｚｒ系アモルファス合金の製造を非常に高コストにし、大量生産を非実用的なものにする。市場における通常の工業原材料は、特殊な次元のアモルファス構造体の成分及び生産物を製造するのに十分ではない。

本発明の実施形態は、より低い材料純度及びより低い鋳造環境の真空度等の、より低いプロセス要件に基づいたアモルファスバルクを形成する能力を保証するＺｒ系アモルファス合金を提供する。

本発明の実施形態は、Ｚｒ系アモルファス合金を提供し、Ｚｒ系アモルファス合金は以下の化学式を有する。

（Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ）_ａＣｕ_ｂＮｉ_ｃＡｌ_ｄＲｅ_ｅ

ここで、ａ，ｂ，ｃ，ｄ及びｅは、Ｚｒ系アモルファス合金における、対応する元素の原子百分率含有量であり、４５≦ａ≦６５、１５≦ｂ≦４０、０．１≦ｃ≦１５、５≦ｄ≦１５、０．０５≦ｅ≦５、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ≦１００であり、且つＲｅはＬａ，Ｃｅ，Ｐｏ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｎｄ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｓｃ，Ｅｕ，Ｔｍ，Ｔｂ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｙｂ，及びＬｕの内の一つ若しくは任意の組合せ、又はＲｅはＹと、元素Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｏ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｎｄ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｓｃ，Ｅｕ，Ｔｍ，Ｔｂ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｙｂ，及びＬｕの内の一つと若しくは任意の組合せと、の組み合わせである。

Ｚｒ系アモルファス合金の製造方法は、保護雰囲気又は真空条件下で、金属原材料を完全に溶融することと、その後、Ｚｒ系アモルファス合金を形成するために鋳造、冷却、及び成形を実施することとを含む方法であって、Ｚｒ系アモルファス合金は以下の化学式を有する。

（Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ）_ａＣｕ_ｂＮｉ_ｃＡｌ_ｄＲｅ_ｅ，

電子デバイスは、ケーシング、及びケーシング内に配された電子部品を含み、ケーシングはＺｒ系アモルファス合金から作製され、且つＺｒ系アモルファス合金は以下の化学式を有する。

（Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ）_ａＣｕ_ｂＮｉ_ｃＡｌ_ｄＲｅ_ｅ，

本発明の実施形態では、微量の希土類元素（０．０５原子百分率から５原子百分率）が、結晶化の傾向を抑制し、溶融安定性を改善するために、合金内に加えられる。希土類元素は、合金内で酸素を取り込み、合金の酸素含有量を調整し、不均一な核生成を抑制し、冷却プロセスにおける液体金属の結晶化を回避し、合金のガラス形成能を向上し、それによってアモルファス合金の製造に必要とされる原材料の選択範囲を拡大する。さらに、高いガラス形成能の製品は、高純度の原材料を用いることなく製造することができ、我々はさらに真空度等のプロセス要件を低減することができ、生産コストを大幅に削減できる。

本発明の実施形態による二つの成分のＺｒ系アモルファス合金のＸＲＤ回折分析結果図である。本発明の実施形態８による電子デバイスの概略図である。

本発明の実施形態における、又は先行技術における技術的解決法をより明確に説明するために、実施形態又は先行技術を説明するために必要な添付図を、以下で簡単に紹介する。明らかに、以下の記載における添付図は、単に本発明の複数の実施形態を示すのみであり、当業者はこれらの添付図から創造的努力なしに他の図を導き出すことができる。

本発明の実施形態における技術的解決法を、本発明の実施形態における添付図を参照にして、以下で明確に且つ完全に説明する。明らかに、記述された実施形態は、単に本発笑みの実施形態の全てよりも一部のみを示すものである。当業者が、本発明の実施形態に基づいて、創造的努力なしに得られる全ての他の実施形態は、本発明の保護範囲内に含まれるべきである。

本発明は、容易に形成可能なＺｒ系アモルファス合金を提供し、アモルファス構造体のＺｒ系アモルファス合金は、アモルファスバルク材料又はアモルファス構造体の部位を生成するために、通常の銅金型鋳造法、又は従来の鋳造法を受けることができる。Ｚｒ系アモルファス合金は、Ｚｒ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｌ，及び希土類の内の一以上の元素を含み、ＺｒはＨｆ及びＮｂで部分的に置換され得る。最終的なアモルファス合金における元素それぞれの原子百分率は、以下の一般的な化学式を満たす。

（Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ）_ａＣｕ_ｂＮｉ_ｃＡｌ_ｄＲｅ_ｅ，

ここで、ａ，ｂ，ｃ，ｄ及びｅは、Ｚｒ系アモルファス合金における、対応する元素の原子百分率含有量であり、４５≦ａ≦６５、１５≦ｂ≦４０、０．１≦ｃ≦１５、５≦ｄ≦１５、０．０５≦ｅ≦５、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ≦１００であり、且つＲｅはＬａ，Ｃｅ，Ｐｏ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｎｄ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｓｃ，Ｅｕ，Ｔｍ，Ｔｂ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｙｂ，及びＬｕの内の一つ若しくは任意の組合せ、又はＲｅはＹと、元素Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｏ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｎｄ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｓｃ，Ｅｕ，Ｔｍ，Ｔｂ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｙｂ，及びＬｕの内の一つと若しくは任意の組合せと、の組み合わせである。Ｒｅ元素群は、ミッシュメタル（ミッシュメタルは分子式に置いてＭＭで表される）を追加することによって得られ得る。複数の実施形態では、Ｒｅは好ましくは元素Ｌａ，Ｎｄ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｔｍ，及びＹｂの内の一つ又は任意の組合せである。

例えば、複数の実施形態では、Ｚｒ系アモルファス合金は、Ｚｒ６３Ｎｉ１０Ｃｕ１７．５Ａｌ７．５Ｅｒ２，Ｚｒ４６．９Ｎｉ８Ｃｕ３６Ａｌ８Ｅｒ０．１Ｙ１，Ｚｒ５４．５Ｃｕ３０Ａｌ１０Ｎｉ５Ｔｍ０．５，Ｚｒ６３Ｈｆ１．５Ｃｕ１８Ｎｉ１０Ａｌ７Ｙｂ０．５，Ｚｒ５３．５Ｈｆ１Ｃｕ３０Ｎｉ５Ａｌ１０（Ｙ，Ｅｒ）０．５，Ｚｒ６０．５Ｈｆ２Ｃｕ１９Ｎｉ１０Ａｌ８Ｎｄ０．５，Ｚｒ５０Ｃｕ３５Ａｌ１０Ｎｉ４Ｙｂ１，Ｚｒ４７Ｈｆ０．５Ｃｕ３６Ｎｉ８Ａｌ８Ｅｒ０．５等の成分を含み得る。

前述の範囲の成分におけるＺｒ系アモルファス合金とともに、棒形状、顆粒形状、又は短冊形状の合金インゴットが、（１×１０^−２Ｐａより低い）低い真空度で低純度の原材料を用いることによって、アーク溶融又は誘導溶融を介して最初に得られ得、その後合金インゴットは、アモルファス棒又は比較的大きなサイズのアモルファス部を得るために（１×１０^−２Ｐａより低い）低い真空度で再溶融又は鋳造される。

本発明は、前述の分子式のＺｒ系アモルファス合金の製造方法を提供する。本方法は、Ｚｒ系アモルファス合金における前述の（Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ）_ａＣｕ_ｂＮｉ_ｃＡｌ_ｄＲｅ_ｅのＺｒ系アモルファス合金の対応する元素の原子百分率含有量を、４５≦ａ≦６５、１５≦ｂ≦４０、０．１≦ｃ≦１５、５≦ｄ≦１５、０．０５≦ｅ≦５、及びａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ≦１００にそれぞれ設定することと、このような成分を十分に均一に混合されるまでマスター合金に溶融することと、Ｚｒ系アモルファス合金によって形成される、アモルファス棒又は他の一つの形状の一部を得るために、マスター合金に関して鋳造及び冷却を実施することと、を含む。鋳造は、注入、吸引鋳造、吹き付け鋳造、又はダイカストであり得る。例えば、本発明におけるＺｒ系アモルファス合金は、表１に記載された内の任意の一つの成分を有し得る。

Ｚｒ系アモルファス合金の製造方法は、以下のステップを含み得る。

ステップ１：成分調整

成分は、特定の原子百分率で化学式の範囲内で調整される。例えば、成分は、表１におけるそれぞれの成分及び特定の原子百分率によって調整される。

調整プロセスにおいて、合金の成分は、９９．５％の純度で、元素Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｅｒ等から作製される金属のロッド、ブロック、インゴット、及びプレート等の材料を用いることによって、表１における成分及び原子百分率によって調整され得る。

ステップ２：溶融

調整された原材料は、全ての成分の均質な融合を達成するために、保護雰囲気下又は真空条件下で溶融される。

溶融方法は限定されない。様々な金属成分が完全に溶融され且つ融合されている限り、任意の溶融方法が適切である。溶融装置は、任意のタイプの従来の溶融装置であってもよい。本発明の実施形態では、溶融装置は好ましくはアーク溶融炉又は誘導溶融炉である。つまり、調整された原材料は、アーク炉、水冷銅るつぼ、又は誘導溶融るつぼ内に配され、６×１０^−１Ｐａから９×１０^−１Ｐａまで真空引きされ、保護ガスとして０．０３ＭＰａから０．０８ＭＰａのアルゴンで満たされる。成分が完全に均質な合金材料を形成するために、溶融するまで材料は加熱される。真空度は好ましくは８×１０^−１Ｐａであり、且つアルゴン保護ガスは好ましくは０．０５ＭＰａである。

ステップ３：アモルファス合金を形成するための鋳造及び冷却

溶融された合金材料は、対応する成分による前述の分子式のＺｒ系アモルファス合金を得るために、鋳型に鋳造され冷却される。

詳細なステップは、以下の通りであり得る。特定量の調節されたマスター合金を高周波誘導炉、グラファイトるつぼに配し、０．１Ｐａ未満の真空を用意し、且つ真空に０．０５ＭＰａのアルゴンを満たし、合金材料が完全に溶融するように、合金材料の融点より高い温度までグラファイトるつぼを加熱し、グラファイトるつぼをひっくり返して、アモルファスロッドを形成するために溶融物を銅金型内へ注ぎ、又は、ダイカスト法を用いることでダイカスト装置の供給プール内へと合金を導入し、複合体の寸法の一部を形成するためにダイカスト成形を用いる。

冷却プロセスの冷却速度は、結晶化を抑制し、且つ１０ｍｍ臨界サイズの、円筒状の十分にアモルファスの合金を形成するために、１Ｋ／秒から１０Ｋ／秒である。

図１は、表からランダムにサンプリングされた二つの化学式のＸ線回折（ＸＲＤ）分析結果図である。ＸＲＤスペクトルは、典型的なアモルファスの拡散ピークであり、結晶相の回折ピークは存在せず、鋳造した棒は単一のアモルファス相であることを保証することを示唆している。図における１＃及び２＃は、二つのサンプリングされた化学式Ｚｒ６３Ｎｉ１０Ｃｕ１７．５Ａｌ７．５Ｅｒ２（２^＃）及びＺｒ５４Ｃｕ３０Ａｌ１０Ｎｉ５Ｅｒ１（５^＃）を表し、ここでＸ軸はＸＲＤ回折角度（２θ）を表し、Ｙ軸は相対回折強度を表す。

実施形態１
本発明の実施形態１は、Ｚｒ系アモルファス合金を提供し、その成分及び原子百分率は、以下の一般的な化学式を満たす。

Ｚｒ_ａＣｕ_ｂＮｉ_ｃＡｌ_ｄＲｅ_ｅ

ここで、ａ，ｃ，ｃ，ｄ，及びｅは、アモルファス合金における対応する元素の原子百分率含有量であり、５６≦ａ≦６５、１５≦ｂ≦３２、２≦ｃ≦１５、７≦ｄ≦１３、及び０．０５≦ｅ≦２をそれぞれ満たす。Ｒｅは、一以上の希土類元素、つまりＲｅはＬａ，Ｃｅ，Ｐｏ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｎｄ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｓｃ，Ｅｕ，Ｔｍ，Ｔｂ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｙｂ，及びＬｕの内の一つ若しくは任意の組合せ、又はＲｅはＹと、元素Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｏ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｎｄ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｓｃ，Ｅｕ，Ｔｍ，Ｔｂ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｙｂ，及びＬｕの内の一つと若しくは任意の組合せと、の組み合わせである。Ｒｅ元素群は、ミッシュメタルを追加することによって得られ得る。

成分調整、溶融、鋳造、及び冷却は、一般的な化学式で表されるＺｒ系アモルファス合金を形成するように、一般的な化学式及びＺｒ系アモルファス合金の製造方法によって実施される。

この実施形態では、Ｒｅは好ましくはＧｄ，Ｅｒ，及びＤｙの内の一つ又は任意の組合せである。例えば、一般的な化学式によって表されるＺｒ系アモルファス合金は、特にＺｒ５７Ｎｉ３Ｃｕ２９Ａｌ９Ｇｄ２，Ｚｒ６３Ｎｉ１０Ｃｕ１７．５Ａｌ７．５Ｅｒ２，Ｚｒ６０．５Ｎｉ２Ｃｕ２５Ａｌ１２Ｅｒ０．５，Ｚｒ６０Ｎｉ５Ｃｕ２２Ａｌ１２Ｄｙ１等を含む。

実施形態２
本発明の実施形態２は、Ｚｒ系アモルファス合金を提供し、その成分及び原子百分率は、以下の一般的な化学式を満たす。

Ｚｒ_ａＣｕ_ｂＮｉ_ｃＡｌ_ｄＲｅ_ｅ

ここで、ａ，ｃ，ｃ，ｄ，及びｅは、アモルファス合金における対応する元素の原子百分率含有量であり、４５≦ａ≦５５、２５≦ｂ≦３８、２≦ｃ≦１５、７≦ｄ≦１３、及び０．０５≦ｅ≦２をそれぞれ満たし、Ｒｅは、一以上の希土類元素、つまりＲｅはＬａ，Ｃｅ，Ｐｏ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｎｄ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｓｃ，Ｅｕ，Ｔｍ，Ｔｂ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｙｂ，及びＬｕの内の一つ若しくは任意の組合せ、又はＲｅはＹと、元素Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｏ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｎｄ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｓｃ，Ｅｕ，Ｔｍ，Ｔｂ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｙｂ，及びＬｕの内の一つと若しくは任意の組合せと、の組み合わせである。Ｒｅ元素群は、ミッシュメタルを追加することによって得られ得る。

この実施形態では、好ましくは、ＲｅはＥｒ及びＹであり、又はＥｒ，Ｔｍ，及びＹｂの内の一つ若しくは任意の組合せである。例えば、一般的な化学式によって表されるＺｒ系アモルファス合金は、特にＺｒ５４Ｃｕ３０Ａｌ１０Ｎｉ５Ｅｒ１，Ｚｒ４６．９Ｎｉ８Ｃｕ３６Ａｌ８Ｅｒ０．１Ｙ１，Ｚｒ５４．５Ｃｕ３０Ａｌ１０Ｎｉ５Ｔｍ０．５，Ｚｒ５０Ｃｕ３５Ａｌ１０Ｎｉ４Ｙｂ１等を含む。

実施形態３
本発明の実施形態３は、Ｚｒ系アモルファス合金を提供し、その成分及び原子百分率は、以下の一般的な化学式を満たす。

（Ｚｒ，Ｈｆ）_ａＣｕ_ｂＮｉ_ｃＡｌ_ｄＲｅ_ｅ

ここで、ａ，ｃ，ｃ，ｄ，及びｅは、アモルファス合金における対応する元素の原子百分率含有量であり、５８≦ａ≦６５、１５≦ｂ≦３２、２≦ｃ≦１５、７≦ｄ≦１３、及び０．０５≦ｅ≦２をそれぞれ満たし、Ｒｅは、一以上の希土類元素、つまりＲｅはＬａ，Ｃｅ，Ｐｏ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｎｄ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｓｃ，Ｅｕ，Ｔｍ，Ｔｂ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｙｂ，及びＬｕの内の一つ若しくは任意の組合せ、又はＲｅはＹと、元素Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｏ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｎｄ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｓｃ，Ｅｕ，Ｔｍ，Ｔｂ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｙｂ，及びＬｕの内の一つと若しくは任意の組合せと、の組み合わせである。Ｒｅ元素群は、ミッシュメタルを追加することによって得られ得る。

この実施形態では、Ｒｅは好ましくはＥｒ，Ｙｂ，Ｎｄ及びＴｍの内の一つ又は任意の組合せであり、（Ｚｒ，Ｈｆ）におけるＨｆの百分率含有量は、０から８である。例えば、一般的な化学式で表されるＺｒ系アモルファス合金は、特にＺｒ５９．５Ｈｆ２Ｎｉ１０Ｃｕ１９Ａｌ８Ｅｒ０．５Ｔｍ０．５Ｙ０．５，Ｚｒ６０．５Ｈｆ２Ｃｕ１９Ｎｉ１０Ａｌ８Ｅｒ０．５，Ｚｒ６０．５Ｎｉ２Ｃｕ２５Ａｌ１２Ｔｍ０．５，Ｚｒ６３Ｈｆ１．５Ｃｕ１８Ｎｉ１０Ａｌ７Ｙｂ０．５，Ｚｒ６０．５Ｈｆ２Ｃｕ１９Ｎｉ１０Ａｌ８Ｎｄ０．５等を含む。

実施形態４
本発明の実施形態４は、Ｚｒ系アモルファス合金を提供し、その成分及び原子百分率は、以下の一般的な化学式を満たす。

（Ｚｒ，Ｈｆ）_ａＣｕ_ｂＮｉ_ｃＡｌ_ｄＲｅ_ｅ

ここで、ａ，ｃ，ｃ，ｄ，及びｅは、アモルファス合金における対応する元素の原子百分率含有量であり、４８≦ａ≦５５、２５≦ｂ≦３８、２≦ｃ≦１５、７≦ｄ≦１３、及び０．０５≦ｅ≦２をそれぞれ満たし、Ｒｅは、一以上の希土類元素、つまりＲｅはＬａ，Ｃｅ，Ｐｏ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｎｄ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｓｃ，Ｅｕ，Ｔｍ，Ｔｂ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｙｂ，及びＬｕの内の一つ若しくは任意の組合せ、又はＲｅはＹと、元素Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｏ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｎｄ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｓｃ，Ｅｕ，Ｔｍ，Ｔｂ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｙｂ，及びＬｕの内の一つと若しくは任意の組合せと、の組み合わせである。Ｒｅ元素群は、ミッシュメタルを追加することによって得られ得る。

この実施形態では、好ましくは、ＲｅはＥｒ及びＹであり、又は、Ｅｒ，Ｌａ，Ｔｍ，及びＣｅの内の一つ若しくは任意の組合せである。（Ｚｒ，Ｈｆ）におけるＨｆの百分率含有量は、０から８である。例えば、一般的な化学式で表されるＺｒ系アモルファス合金は、特にＺｒ５１Ｃｕ２３Ａｌ１０Ｎｉ１５Ｅｒ１，Ｚｒ５３．５Ｈｆ１Ｃｕ３０Ｎｉ５Ａｌ１０（Ｙ，Ｅｒ）０．５，Ｚｒ５２．８Ｈｆ２Ｃｕ３０Ｎｉ５Ａｌ１０Ｌａ０．２，Ｚｒ５３Ｈｆ１Ｎｉ５Ｃｕ３０Ａｌ１０Ｃｅ１，Ｚｒ４７Ｈｆ０．５Ｃｕ３６Ｎｉ８Ａｌ８Ｅｒ０．５，Ｚｒ５１Ｈｆ１Ｃｕ３０Ａｌ１０Ｎｉ７Ｔｍ１等を含む。

実施形態５
本発明の実施形態５は、Ｚｒ系アモルファス合金を提供し、その成分及び原子百分率は、以下の一般的な化学式を満たす。

（Ｚｒ，Ｎｂ）_ａＣｕ_ｂＮｉ_ｃＡｌ_ｄＲｅ_ｅ

ここで、ａ，ｃ，ｃ，ｄ，及びｅは、アモルファス合金における対応する元素の原子百分率含有量であり、４８≦ａ≦６５、１５≦ｂ≦３８、２≦ｃ≦１５、７≦ｄ≦１３、及び０．０５≦ｅ≦２をそれぞれ満たし、Ｒｅは、一以上の希土類元素、つまりＲｅはＬａ，Ｃｅ，Ｐｏ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｎｄ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｓｃ，Ｅｕ，Ｔｍ，Ｔｂ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｙｂ，及びＬｕの内の一つ若しくは任意の組合せ、又はＲｅはＹと、元素Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｏ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｎｄ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｓｃ，Ｅｕ，Ｔｍ，Ｔｂ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｙｂ，及びＬｕの内の一つと若しくは任意の組合せと、の組み合わせである。Ｒｅ元素群は、ミッシュメタルを追加することによって得られ得る。

この実施形態では、Ｒｅは好ましくは、Ｅｒ，Ｔｍ，及びＹｂの内の一つ又は任意の組合せであり、（Ｚｒ，Ｎｂ）におけるＮｂの百分率含有量は、０から２である。例えば、一般的な化学式で表されるＺｒ系アモルファス合金は、特にＺｒ６２Ｎｂ１Ｃｕ１７Ａｌ８Ｎｉ１０Ｅｒ２，Ｚｒ６４Ｎｂ０．５Ｃｕ３０Ｎｉ５Ａｌ１０Ｅｒ０．５，Ｚｒ６０Ｃｕ１８Ｎｉ１０Ａｌ８Ｎｂ２Ｅｒ２，Ｚｒ５３Ｎｂ１Ｃｕ３０Ａｌ１０Ｎｉ５Ｔｍ１，Ｚｒ５９Ｎｂ２Ｃｕ１９Ａｌ８Ｎｉ１０Ｙｂ２等を含む。

実施形態６
図２において示されるように、本発明の実施形態９は、電子デバイスを提供し、該電子デバイスは、ケーシング１００、及びケーシング内に配された電子部品２００を提供する。ケーシング１００は、前述のＺｒ系アモルファス合金から作製される。例えば、ケーシング１００を製造するために用いられるＺｒ系アモルファス合金は、Ｚｒ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｌ，及び一以上の希土類元素を含み、ＺｒはＨｆ及びＮｂで部分的に置換され得る。最終的なアモルファス合金におけるそれぞれの元素の原子百分率は、以下の一般的な化学式を満たす。

（Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ）_ａＣｕ_ｂＮｉ_ｃＡｌ_ｄＲｅ_ｅ

ここで、ａ，ｂ，ｃ，ｄ，及びｅは、Ｚｒ系アモルファス合金における、対応する元素の原子百分率含有量であり、４５≦ａ≦６５、１５≦ｂ≦４０、０．１≦ｃ≦１５、５≦ｄ≦１５、０．０５≦ｅ≦５、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ≦１００、且つＲｅは一以上の希土類元素であり、つまり、ＲｅはＬａ，Ｃｅ，Ｐｏ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｎｄ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｓｃ，Ｅｕ，Ｔｍ，Ｔｂ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｙｂ，及びＬｕの内の一つ若しくは任意の組合せであり、又はＲｅはＹと、Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｏ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｎｄ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｓｃ，Ｅｕ，Ｔｍ，Ｔｂ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｙｂ，及びＬｕの内の一つ若しくは任意の組合せと、の組み合わせである。複数の実施形態では、Ｒｅは好ましくはＬａ，Ｎｄ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｔｍ，及びＹｂの内の一つ又は任意の組合せである。Ｒｅ元素群は、ミッシュメタルを追加することによって得られ得る。

ケーシング１００は、実施形態１から８の内の任意の一つで記載されたＺｒ系アモルファス合金から作製され得る。

Ｚｒ系アモルファス合金から作製されたケーシング１００は、高剛性、高強度、及び高弾性等の高い機械的性能を提供し、且つＺｒ系アモルファス合金の作製における低い困難性及び比較的低いコスト等のメリットを有する。

なお、本発明の実施形態において記載された成分は、酸素及び窒素等の非金属成分を含まないが、当業者は、特定の含有量の、酸素及び窒素等の非金属元素は合金内において避けられないことを知っている。例えば、本発明の実施形態におけるＺｒ系アモルファス合金を溶融するプロセスにおいて、酸化が起こり、特定の酸素含有量を取り込むことは、現在の製造プロセスにおいては不可避である。従って、特定の非金属成分と組み合わされた均質な金属成分のアモルファス合金は、本発明の保護範囲内に含まれるべきである。

当業者は、実施形態における全ての又は一部のプロセスは、関連するハードウェアに指示するコンピュータープログラムによって実施され得ることを理解する。プログラムは、コンピューターが読み書き可能な記憶媒体に格納され得る。プログラムが実行されると、実施形態における方法のプロセスが実施される。記憶媒体は、磁気ディスク、又は光ディスク、読み取り専用（リードオンリーメモリ、ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ランダムアクセスメモリ、ＲＡＭ）等であり得る。

最後に、前述の実施形態は、単に本発明の実施形態の技術的解決法を説明しようとするためのものであり、本発明を限定しようとするものではない。本発明の実施形態は、好ましい実施形態を参照することで詳細に説明されているが、当業者は、本発明の実施形態において説明される技術的解決法に変更を加えることができ、その複数の技術的特徴と等価な置換を、本発明の実施形態の技術的解決法の精神及び範疇から逸脱することなく行うことができることを理解すべきである。

１００ケーシング
２００電子部品

Claims

化学式（Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ）_ａＣｕ_ｂＮｉ_ｃＡｌ_ｄＲｅ_ｅを有するＺｒ系アモルファス合金であって、
ａ，ｂ，ｃ，ｄ及びｅは、Ｚｒ系アモルファス合金における、対応する元素の原子百分率含有量であり、４５≦ａ≦６５、１５≦ｂ≦４０、０．１≦ｃ≦１５、５≦ｄ≦１５、０．０５≦ｅ≦５、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ≦１００であり、且つＲｅはＬａ，Ｃｅ，Ｐｏ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｎｄ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｓｃ，Ｅｕ，Ｔｍ，Ｔｂ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｙｂ，及びＬｕの内の一つ若しくは任意の組合せ、又はＲｅはＹと、元素Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｏ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｎｄ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｓｃ，Ｅｕ，Ｔｍ，Ｔｂ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｙｂ，及びＬｕの内の一つと若しくは任意の組合せと、の組み合わせである、Ｚｒ系アモルファス合金。
前記Ｒｅが、Ｌａ，Ｃｅ，Ｇｄ，Ｎｄ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｔｍ，及びＹｂの内の一つ又は任意の組合せである、請求項１に記載のＺｒ系アモルファス合金。
化学式Ｚｒ_ａＣｕ_ｂＮｉ_ｃＡｌ_ｄＲｅ_ｅを有するＺｒ系アモルファス合金であって、
ａ，ｂ，ｃ，ｄ及びｅが、前記アモルファス合金における対応する元素の原子百分率含有量であり、５４≦ａ≦６５、１５≦ｂ≦３２、２≦ｃ≦１５、７≦ｄ≦１３、及び０．０５≦ｅ≦２をそれぞれ満たす、請求項１又は２に記載のＺｒ系アモルファス合金。
前記Ｒｅが、Ｇｄ，Ｅｒ，及びＤｙの内の一つ又は任意の組合せである請求項３に記載のＺｒ系アモルファス合金。
前記Ｚｒ系アモルファス合金が、化学式Ｚｒ５７Ｎｉ３Ｃｕ２９Ａｌ９Ｇｄ２，Ｚｒ６３Ｎｉ１０Ｃｕ１７．５Ａｌ７．５Ｅｒ２，Ｚｒ６０．５Ｎｉ２Ｃｕ２５Ａｌ１２Ｅｒ０．５，Ｚｒ６０Ｎｉ５Ｃｕ２２Ａｌ１２Ｄｙ１，及びＺｒ５４Ｎｉ５Ｃｕ３０Ａｌ１０Ｅｒ１の内の一つを有する、請求項４に記載のＺｒ系アモルファス合金。
化学式Ｚｒ_ａＣｕ_ｂＮｉ_ｃＡｌ_ｄＲｅ_ｅを有するＺｒ系アモルファス合金であって、
ａ，ｂ，ｃ，ｄ及びｅが、前記アモルファス合金における対応する元素の原子百分率含有量であり、４５≦ａ≦５５、２５≦ｂ≦３８、２≦ｃ≦１５、７≦ｄ≦１３、及び０．０５≦ｅ≦２をそれぞれ満たす、請求項１又は２に記載のＺｒ系アモルファス合金。
前記Ｒｅが、Ｅｒ及びＹ、又は、Ｅｒ，Ｔｍ，及びＹｂの内の一つ若しくは任意の組合せである、請求項６に記載のＺｒ系アモルファス合金。
前記Ｚｒ系アモルファス合金が、化学式Ｚｒ５４Ｃｕ３０Ａｌ１０Ｎｉ５Ｅｒ１，Ｚｒ４６．９Ｎｉ８Ｃｕ３６Ａｌ８Ｅｒ０．１Ｙ１，Ｚｒ５４．５Ｃｕ３０Ａｌ１０Ｎｉ５Ｔｍ０．５，及びＺｒ５０Ｃｕ３５Ａｌ１０Ｎｉ４Ｙｂ１の内の一つを有する、請求項１に記載のＺｒ系アモルファス合金。
化学式（Ｚｒ，Ｈｆ）_ａＣｕ_ｂＮｉ_ｃＡｌ_ｄＲｅ_ｅを有するＺｒ系アモルファス合金であって、
ａ，ｂ，ｃ，ｄ及びｅが、前記アモルファス合金における対応する元素の原子百分率含有量であり、５８≦ａ≦６５、１５≦ｂ≦３２、２≦ｃ≦１５、７≦ｄ≦１３、及び０．０５≦ｅ≦２をそれぞれ満たす、請求項１又は２に記載のＺｒ系アモルファス合金。
前記Ｈｆの百分率含有量が、０から８である、請求項９に記載のＺｒ系アモルファス合金。
前記Ｒｅが、Ｅｒ及び／又はＴｍ及びＹであり、又は、Ｅｒ，Ｙｂ，Ｎｄ，及びＴｍの内の一つ若しくは任意の組合せである、請求項１０に記載のＺｒ系アモルファス合金。
前記Ｚｒ系アモルファス合金が、化学式Ｚｒ５９．５Ｈｆ２Ｎｉ１０Ｃｕ１９Ａｌ８Ｅｒ０．５Ｔｍ０．５Ｙ０．５，Ｚｒ６０．５Ｈｆ２Ｃｕ１９Ｎｉ１０Ａｌ８Ｅｒ０．５，Ｚｒ６０．５Ｎｉ２Ｃｕ２５Ａｌ１２Ｔｍ０．５，Ｚｒ６３Ｈｆ１．５Ｃｕ１８Ｎｉ１０Ａｌ７Ｙｂ０．５，及びＺｒ６０．５Ｈｆ２Ｃｕ１９Ｎｉ１０Ａｌ８Ｎｄ０．５の内の一つを有する、請求項１１に記載のＺｒ系アモルファス合金。
化学式（Ｚｒ，Ｈｆ）_ａＣｕ_ｂＮｉ_ｃＡｌ_ｄＲｅ_ｅを有するＺｒ系アモルファス合金であって、
ａ，ｂ，ｃ，ｄ及びｅが、前記アモルファス合金における対応する元素の原子百分率含有量であり、４８≦ａ≦５５、２５≦ｂ≦３８、２≦ｃ≦１５、７≦ｄ≦１３、及び０．０５≦ｅ≦２をそれぞれ満たす、請求項１又は２に記載のＺｒ系アモルファス合金。
前記Ｒｅが、Ｅｒ及びＹであり、又は、Ｅｒ，Ｌａ，Ｃｅ，及びＴｍの内の一つ若しくは任意の組合せである、請求項１３に記載のＺｒ系アモルファス合金。
前記Ｈｆの百分率含有量が、０から８である、請求項１４に記載のＺｒ系アモルファス合金。
前記Ｚｒ系アモルファス合金が、化学式Ｚｒ５１Ｃｕ２３Ａｌ１０Ｎｉ１５Ｅｒ１，Ｚｒ５３．５Ｈｆ１Ｃｕ３０Ｎｉ５Ａｌ１０（Ｙ，Ｅｒ）０．５，Ｚｒ５２．８Ｈｆ２Ｃｕ３０Ｎｉ５Ａｌ１０Ｌａ０．２，Ｚｒ５３Ｈｆ１Ｎｉ５Ｃｕ３０Ａｌ１０Ｃｅ１，及びＺｒ４７Ｈｆ０．５Ｃｕ３６Ｎｉ８Ａｌ８Ｅｒ０．５Ｚｒ５１Ｈｆ１Ｃｕ３０Ａｌ１０Ｎｉ７Ｔｍ１の内の一つを有する、請求項１５に記載のＺｒ系アモルファス合金。
化学式（Ｚｒ，Ｎｂ）_ａＣｕ_ｂＮｉ_ｃＡｌ_ｄＲｅ_ｅを有するＺｒ系アモルファス合金であって、
ａ，ｂ，ｃ，ｄ及びｅが、前記アモルファス合金における対応する元素の原子百分率含有量であり、４８≦ａ≦６５、１５≦ｂ≦３８、２≦ｃ≦１５、７≦ｄ≦１３、及び０．０５≦ｅ≦２をそれぞれ満たす、請求項１又は２に記載のＺｒ系アモルファス合金。
前記Ｎｂの百分率含有量が、０から２である、請求項１７に記載のＺｒ系アモルファス合金。
前記Ｒｅが、Ｅｒ，Ｔｍ，及びＹｂの内の一つ、又は任意の組合せである、請求項１８に記載のＺｒ系アモルファス合金。
前記Ｚｒ系アモルファス合金が、化学式Ｚｒ６２Ｎｂ１Ｃｕ１７Ａｌ８Ｎｉ１０Ｅｒ２，Ｚｒ６４Ｎｂ０．５Ｃｕ３０Ｎｉ５Ａｌ１０Ｅｒ０．５，Ｚｒ６０Ｃｕ１８Ｎｉ１０Ａｌ８Ｎｂ２Ｅｒ２，Ｚｒ５３Ｎｂ１Ｃｕ３０Ａｌ１０Ｎｉ５Ｔｍ１，及びＺｒ５９Ｎｂ２Ｃｕ１９Ａｌ８Ｎｉ１０Ｙｂ２の内の一つを有する、請求項１９に記載のＺｒ系アモルファス合金。
保護雰囲気又は真空条件下において金属原材料を完全に溶融するプロセスと、その後Ｚｒ系アモルファス合金を形成するために鋳造、冷却、及び成形を実施するプロセスとを含むＺｒ系アモルファス合金の製造方法であって、前記Ｚｒ系アモルファス合金が、化学式（Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ）_ａＣｕ_ｂＮｉ_ｃＡｌ_ｄＲｅ_ｅを有し、
ａ，ｂ，ｃ，ｄ及びｅは、Ｚｒ系アモルファス合金における、対応する元素の原子百分率含有量であり、４５≦ａ≦６５、１５≦ｂ≦４０、０．１≦ｃ≦１５、５≦ｄ≦１５、０．０５≦ｅ≦５、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ≦１００であり、且つＲｅはＬａ，Ｃｅ，Ｐｏ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｎｄ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｓｃ，Ｅｕ，Ｔｍ，Ｔｂ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｙｂ，及びＬｕの内の一つ若しくは任意の組合せ、又はＲｅはＹと、元素Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｏ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｎｄ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｓｃ，Ｅｕ，Ｔｍ，Ｔｂ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｙｂ，及びＬｕの内の一つと若しくは任意の組合せと、の組み合わせである、Ｚｒ系アモルファス合金の製造方法。
前記Ｒｅが、Ｌａ，Ｎｄ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｔｍ，及びＹｂの内の一つ又は任意の組合せである、請求項２１に記載の製造方法。
前記溶融プロセスにおいて、真空度が８×１０^−１Ｐａであり、満たされたアルゴン保護ガスが０．０５ＭＰａである、請求項２１に記載の製造方法。
ケーシングと、前記ケーシングに配された電子部品とを含む電子デバイスであって、前記ケーシングがＺｒ系アモルファス合金から作製され、前記Ｚｒ系アモルファス合金が、化学式（Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ）_ａＣｕ_ｂＮｉ_ｃＡｌ_ｄＲｅ_ｅを有し、
ａ，ｂ，ｃ，ｄ及びｅは、Ｚｒ系アモルファス合金における、対応する元素の原子百分率含有量であり、４５≦ａ≦６５、１５≦ｂ≦４０、０．１≦ｃ≦１５、５≦ｄ≦１５、０．０５≦ｅ≦５、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ≦１００であり、且つＲｅはＬａ，Ｃｅ，Ｐｏ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｎｄ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｓｃ，Ｅｕ，Ｔｍ，Ｔｂ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｙｂ，及びＬｕの内の一つ若しくは任意の組合せ、又はＲｅはＹと、元素Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｏ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｎｄ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｓｃ，Ｅｕ，Ｔｍ，Ｔｂ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｙｂ，及びＬｕの内の一つと若しくは任意の組合せと、の組み合わせである、電子デバイス。
前記Ｒｅが、Ｌａ，Ｎｄ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｔｍ，及びＹｂの内の一つ又は任意の組合せである、請求項２４に記載の電子デバイス。
前記Ｚｒ系アモルファス合金が、化学式（Ｚｒ）_ａＣｕ_ｂＮｉ_ｃＡｌ_ｄＲｅ_ｅを有し、
ａ，ｂ，ｃ，ｄ及びｅは、前記アモルファス合金における対応する元素の原子百分率含有量であり、５６≦ａ≦６５、１５≦ｂ≦３２、２≦ｃ≦１５、７≦ｄ≦１３、及び０．０５≦ｅ≦２をそれぞれ満たす、請求項２４又は２５に記載の電子デバイス。
前記Ｚｒ系アモルファス合金が、化学式Ｚｒ_ａＣｕ_ｂＮｉ_ｃＡｌ_ｄＲｅ_ｅを有し、
ａ，ｂ，ｃ，ｄ及びｅは、前記アモルファス合金における対応する元素の原子百分率含有量であり、４５≦ａ≦５５、２５≦ｂ≦３８、２≦ｃ≦１５、７≦ｄ≦１３、及び０．０５≦ｅ≦２をそれぞれ満たす、請求項２４又は２５に記載の電子デバイス。
前記Ｚｒ系アモルファス合金が、化学式（Ｚｒ，Ｈｆ）_ａＣｕ_ｂＮｉ_ｃＡｌ_ｄＲｅ_ｅを有し、
ａ，ｂ，ｃ，ｄ及びｅは、前記アモルファス合金における対応する元素の原子百分率含有量であり、５８≦ａ≦６５、１５≦ｂ≦３２、２≦ｃ≦１５、７≦ｄ≦１３、及び０．０５≦ｅ≦２をそれぞれ満たす、請求項２４又は２５に記載の電子デバイス。
前記Ｚｒ系アモルファス合金が、化学式（Ｚｒ，Ｈｆ）_ａＣｕ_ｂＮｉ_ｃＡｌ_ｄＲｅ_ｅを有し、
ａ，ｂ，ｃ，ｄ及びｅは、前記アモルファス合金における対応する元素の原子百分率含有量であり、４８≦ａ≦５５、２５≦ｂ≦３８、２≦ｃ≦１５、７≦ｄ≦１３、及び０．０５≦ｅ≦２をそれぞれ満たす、請求項２４又は２５に記載の電子デバイス。
前記Ｚｒ系アモルファス合金が、化学式（Ｚｒ，Ｎｂ）_ａＣｕ_ｂＮｉ_ｃＡｌ_ｄＲｅ_ｅを有し、
ａ，ｂ，ｃ，ｄ及びｅは、前記アモルファス合金における対応する元素の原子百分率含有量であり、４８≦ａ≦６５、１５≦ｂ≦３８、２≦ｃ≦１５、７≦ｄ≦１３、及び０．０５≦ｅ≦２をそれぞれ満たす、請求項２４又は２５に記載の電子デバイス。