JP2015507446A - 効率が改善されたlincトランスミッタ - Google Patents
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Abstract
Description
(1) S(t)=A(t)eiθ(t)
ここで、A(t)は信号エンベロープであり、θ(t)は信号位相である。信号生成器102はその後、信号S(t)から信号S1(t)及びS2(t)を生成することができ、これは、下記のように表すことができる。
(4)c≧max(A(t))
これは、信号S1(t)及びS2(t)が概して一定のエンベロープを有することを意味する。その結果、高効率で非線形の電力増幅器(PA)をPA104−1及び104−2として用いて信号O1(t)及びO2(t)を生成することができ、これらの信号はその後、可変エンベロープを有する信号O(t)を生成するためコンバイナ106で結合され得る。
Chung et al. "Asymmetric Multilevel Outphasing Architecture for Multi-standard Transmitters," 2009 IEEE Radio Frequency Integrate Circuits Symposium, pp. 237-240 Godoy et al, "A Highly Efficient 1.95-GHz, 18-W Asymmetric Multilevel Outphasing Transmitter for Wideband Applications," Microwave Symposium Digest (MTT), 2011 IEEE MTT-S International, June 5-10, 2011, pp. 1-4
Claims (20)
- 装置であって、
相補的無線周波数(RF)信号の第1のセットを受信するように構成される第1のドライバ、
相補的RF信号の第2のセットを受信するように構成される第2のドライバ、
前記第1のドライバに結合される第1の回復回路、
前記第2のドライバに結合される第2の回復回路、
前記第1及び第2の回復回路に結合されるブリッジ回路、及び
前記第1及び第2の回復回路に結合される出力回路、
を含み、
前記第1の回復回路、前記第2の回復回路、及び前記ブリッジ回路が、同相インピーダンス及び差動インピーダンスを提供し、前記同相インピーダンスが前記差動インピーダンスより低い、
装置。 - 請求項1に記載の装置であって、前記第1及び第2の回復回路が更に、第1及び第2のインダクタ・キャパシタ(LC)回路を含む、装置。
- 請求項2に記載の装置であって、前記装置が、
前記第1のドライバに結合される第1の相殺回路、及び
前記第2のドライバに結合される第2の相殺回路、
を更に含み、
前記第1及び第2の相殺回路がピーク効率を増大させる、
装置。 - 請求項3に記載の装置であって、前記ブリッジ回路が更に、前記第1及び第2の回復回路間に結合されるインダクタを含む、装置。
- 請求項4に記載の装置であって、RFパルスの前記第1のセットからの連続するパルス間に及びRFパルスの前記第2のセットからの連続するパルス間にフリーフライ(free-fly)インタバルがあり、前記第1及び第2の相殺回路の少なくとも1つが、各フリーフライインタバルの間、高調波回復を提供するように構成される、装置。
- 請求項5に記載の装置であって、前記第1及び第2の相殺回路が更に、第3及び第4のLC回路を含む、装置。
- 請求項6に記載の装置であって、前記出力回路がコンバイナを更に含む、装置。
- 装置であって、
入力信号を受信するように構成され、且つ、相補的RF信号の複数のセットを生成するように構成される信号生成器、
前記信号生成器に結合される複数のドライバであって、各ドライバが、前記相補的RF信号のセットのうち少なくとも1つを受け取るように構成される、前記複数のドライバ、
各々が、前記ドライバの少なくとも1つに結合される、複数の回復回路、
前記回復回路の各々に結合されるブリッジ回路、及び
各回復ネットワークに結合される出力回路、
を含み、
前記複数の回復回路及び前記ブリッジ回路が、同相インピーダンス及び差動インピーダンスを提供し、前記同相インピーダンスが前記差動インピーダンスより低い、
装置。 - 請求項8に記載の装置であって、各回復回路がLC回路を更に含む、装置。
- 請求項2に記載の装置であって、前記装置が複数の相殺回路を更に含み、各相殺回路が前記ドライバの少なくとも1つに結合され、前記複数の相殺回路がピーク効率を増大させる、装置。
- 請求項10に記載の装置であって、前記ブリッジ回路が更に、前記複数の回復回路間に結合されるインダクタを含む、装置。
- 請求項11に記載の装置であって、RFパルスの各セットからの連続するパルス間にフリーフライインタバルがあり、前記複数の相殺回路の少なくとも1つが、各フリーフライインタバルの間、高調波回復を提供するように構成される、装置。
- 請求項12に記載の装置であって、前記出力回路がコンバイナを更に含む、装置。
- 装置であって、
入力信号を受信するように構成され、且つ、第1、第2、第3、及び第4のRF信号を生成するように構成される信号生成器であって、前記入力信号が可変エンベロープを有し、前記第1及び第2のRF信号が相補的であり、前記第3及び第4のRF信号が相補的であり、前記第1、第2、第3、及び第4のRF信号の連続するパルス間にフリーフライインタバルがある、前記信号生成器、
第1のドライバであって、
第1の受動電極と第2の受動電極と制御電極とを有する第1のトランジスタであって、前記第1のトランジスタの前記制御電極が、前記第1のRF信号を受け取るように前記信号生成器に結合される、前記第1のトランジスタと、
第1の受動電極と第2の受動電極と制御電極とを有する第2のトランジスタであって、前記第2のトランジスタの前記制御電極が、前記第2のRF信号を受け取るように前記信号生成器に結合され、前記第2のトランジスタの前記第1の受動電極が、第1のノードにおいて前記第1のトランジスタの前記第2の受動電極に結合される、前記第2のトランジスタと、
を有する、前記第1のドライバ、
第2のドライバであって、
第1の受動電極と第2の受動電極と制御電極とを有する第3のトランジスタであって、前記第3のトランジスタの前記制御電極が、前記第3のRF信号を受け取るように前記信号生成器に結合される、前記第3のトランジスタと、
第1の受動電極と第2の受動電極と制御電極とを有する第4のトランジスタであって、前記第4のトランジスタの前記制御電極が、前記第4のRF信号を受け取るように前記信号生成器に結合され、前記第4のトランジスタの前記第1の受動電極が、第2のノードにおいて前記第3のトランジスタの前記第2の受動電極に結合される、前記第4のトランジスタと、
を有する、前記第2のドライバ、
前記第1のノードに結合される第1の回復回路、
前記第2のノードに結合される第2の回復回路、
それぞれ、第3及び第4のノードにおいて前記第1及び第2の回復回路に結合される出力回路、及び
第3及び第4のノードに結合されるブリッジ回路、
を含み、
前記第1の回復回路、前記第2の回復回路、及び前記ブリッジ回路が、同相インピーダンス及び差動インピーダンスを提供し、前記同相インピーダンスが前記差動インピーダンスより低い、
装置。 - 請求項14に記載の装置であって、前記第1及び第3のトランジスタが更に、それぞれ、第1及び第2のPMOSトランジスタを含み、前記第2及び第4のトランジスタが更に、それぞれ、第1及び第2のNMOSトランジスタを含む、装置。
- 請求項15に記載の装置であって、前記ブリッジ回路が、第3及び第4のノードに結合されるインダクタを更に含む、装置。
- 請求項16に記載の装置であって、
前記インダクタが第1のインダクタを更に含み、
前記第1の回復回路が、
前記第1及び第3のノード間に結合される第2のインダクタと、
前記第1及び第3のノード間に結合される第1のキャパシタと、
を更に含み、
前記第2の回復回路が、
前記第2及び第4のノード間に結合される第3のインダクタと、
前記第2及び第4のノード間に結合される第2のキャパシタと、
を更に含む、装置。 - 請求項17に記載の装置であって、前記装置が、前記第1のノードに結合される第1の相殺回路と、前記第2のノードに結合される第2の相殺回路とを更に含む、装置。
- 請求項18に記載の装置であって、前記第1の相殺回路が、互いに直列に結合される第3のキャパシタ及び第4のインダクタを更に含み、前記第2の相殺回路が、互いに直列に結合される第4のキャパシタ及び第5のインダクタを更に含む、装置。
- 請求項19に記載の装置であって、前記出力回路がコンバイナを更に含む、装置。
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