JP2015228354A - ヒューズ素子 - Google Patents

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Abstract

【課題】水漏れ等の異常に対し、安全に電気回路を開放させることができるヒューズ素子を提供する。
【解決手段】ヒューズエレメント11と、ヒューズエレメント11に近接して配置され、ヒューズエレメント11よりもイオン化傾向の小さい金属からなる電極12とを備えるヒューズ素子。これにより、例えばヒューズエレメント11と電極12との間に水が浸入した場合、電食作用によりヒューズエレメント11の電流定格が低下するため、安全に電気回路を開放させることができる。
【選択図】図1

Description

本発明は、定格よりも大きい電流が流れたときにジュール熱によって溶断し、電気回路を開放させるヒューズ素子に関する。
近年、携帯電話、ノートPC等の多くにリチウムイオン二次電池が採用されている。リチウムイオン二次電池は、重量エネルギー密度が高いため、ユーザ及び電子機器の安全を確保するために、一般的に、過充電保護、過放電保護等のいくつもの保護回路をバッテリパックに内蔵し、所定の場合にバッテリパックの出力を遮断する機能を有している。しかしながら、水濡れにより電池の正極/負極絶縁嵌合部が腐食した場合、電池内部の圧力がリークし、安全弁が正しく機能せずに爆発事故に繋がるリスクがある。
水濡れに対して濡れた形跡を検知するシールを添付し、警告を発するものがある(例えば、特許文献1参照)が、電池の使用を制限するものではないため、回路基板の水濡れによるマイグレーション(絶縁劣化)やショートによる回路誤動作が発生する虞がある。また、電池の異常に伴う電解液の漏れに対しても、上記と同等の不具合が発生する虞がある。
特開平11−144695号公報 特開2000−162081号公報
本発明は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、水濡れ、電池液漏れ等の異常に対し、安全に電気回路を開放させることができるヒューズ素子を提供する。
上述した課題を解決するために、本発明に係るヒューズ素子は、ヒューズエレメントと、前記ヒューズエレメントに近接して配置され、前記ヒューズエレメントよりもイオン化傾向の小さい金属からなる電極とを備えることを特徴とする。
本発明によれば、例えばヒューズエレメントと電極との間に水が浸入した場合、電食作用によりヒューズエレメントの電気抵抗が上昇し、定格電流値が低下するため、安全に電気回路を開放させることができる。
図1は、ヒューズ素子の構成例を示す斜視図である。 図2は、電食前のヒューズエレメントを模式的に示す斜視図である。 図3は、電食後のヒューズエレメントを模式的に示す斜視図である。 図4は、ヒューズエレメントが複数並列に配置されたヒューズ素子の構成例を示す斜視図である。 図5は、ヒューズエレメントが複数並列に配置されたヒューズ素子の構成例を示す断面図である。 図6は、ヒューズ素子をリチウムイオン二次電池のバッテリパック内の回路に用いた適用例を示すブロック図である。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら下記順序にて詳細に説明する。
1.ヒューズ素子の構成例
2.ヒューズ素子の適用例
<1.ヒューズ素子の構成例>
本実施の形態に係るヒューズ素子は、ヒューズエレメントと、ヒューズエレメントに近接して配置され、ヒューズエレメントよりもイオン化傾向の小さい金属からなる電極とを備える。ヒューズエレメントと電極とが近接しているため、水濡れ、電池液漏れ等の異常時にヒューズエレメントと電極との間に液体が侵入し、ヒューズエレメントが電食する。これにより、電気抵抗が上昇し、定格電流値が低下するため、ヒューズエレメントへの通電電流により自己遮断し、安全に電気回路を開放させることができる。
図1は、ヒューズ素子の構成例を示す斜視図である。ヒューズ素子10は、平板からなるヒューズエレメント11と、ヒューズエレメント11の中心部の両面に対向して配置された電極12A,12Bとを備える。ヒューズエレメント11と電極12とは、水が浸入可能なように近接しており、その距離は、0.01mm〜10mmであることが好ましい。また、ヒューズエレメント11と電極12間の距離が小さい方が、電界強度が大きく電食作用が強いため、より効率的に電気回路を開放させるためには、電極12間の距離を0.01〜1mmとすることがより好ましい。
ヒューズエレメント11は、所定の定格電流値を有し、定格電流値を超える電流が通電されると溶断する。ヒューズエレメント11は、アルミニウム、鉄、ニッケル、錫、鉛から選択されるいずれか1種を主成分とすることが好ましい。なお、本明細書において、主成分とは、材料全質量を基準として、50wt%以上である成分をいう。
電極12A,12Bは、ヒューズエレメント11の中心部の両面に対向して配置される。また、電極12A,12Bは、ヒューズエレメント11の電食する物質量が大きくなるように、ヒューズエレメント11の中心部の表面全体を覆うように配置することが好ましい。
また、電極12A,12Bは、ヒューズエレメントよりもイオン化傾向の小さい金属からなり、金、白金、銀、銅、パラジウムから選択されるいずれか1種を主成分とすることが好ましい。これにより、ヒューズエレメント11と電極12との間に水が侵入した場合、卑な金属からなるヒューズエレメント11が正極となってイオン化(腐食)し、ヒューズエレメント11が細ったり、ピンホールが発生したりしてヒューズエレメント11の導体抵抗が上昇し、定格電流値を低下させることができる。
また、ヒューズエレメント11と電極12との間にセパレータを備えることが好ましい。また、セパレータは、メッシュ状、多孔質状などの絶縁体からなることが好ましい。これにより、ヒューズエレメント11と電極12との間の直接短絡を抑制するとともに、水や電解液の保持性を確保することができる。また、セパレータは、NaCl等の電解質を担持することが好ましい。これにより、水や電解液の電気伝導度を向上し、電食を促進させることができる。
また、ヒューズエレメント11と電極12との間に吸水性又は吸湿性の絶縁物を配置してもよい。また、ヒューズエレメント11と電極12との間に、ゾル、ゲル、又は固体からなる絶縁物を配置し、水により導電性が発現するようにしてもよい。また、ヒューズエレメント11と電極12との間に、ゾル又はゲルからなる電解質が侵入したときに、ヒューズエレメント11の電食作用を発揮するようにしてもよい。
また、ヒューズエレメント11は、正極として接続され、電極12は、負極として接続されることが好ましい。これにより、電食反応を促進することができ、ヒューズエレメント11の定格電流値を早く低下させることができる。
すなわち、ヒューズ素子10は、直流電源に正極として直列接続されてなるヒューズエレメント11と、ヒューズエレメント11に近接して配置され、ヒューズエレメント11よりもイオン化傾向の小さい金属からなり、負極として接続されてなる電極12とを備える遮断回路を構成する。また、ヒューズエレメント11に通電するための第1の端子及び第2の端子と、電極12を負極として接続する第3の端子とを備え、第1の端子及び第2の端子を正極の通電経路に直列接続し、第3の端子を負極に接続し又は接地する。
図2及び図3は、それぞれ電食前及び電食後のヒューズエレメントを模式的に示す斜視図である。図2に示すように、電食前のヒューズエレメント11は、短形形状を保っている。ヒューズエレメント11と電極12との間に水が侵入した場合、図3に示すように卑な金属からなるヒューズエレメント11が正極となってイオン化(腐食)し、ヒューズエレメント11が細ったり、ピンホールが発生したりする。このため、ヒューズエレメント11の導体抵抗が上昇し、定格電流値が低下する。導体抵抗の上昇に伴う発熱により、ヒューズエレメント11と電極12との間の水や電解液が蒸発することがあるが、定格電流値が低下しているため、ヒューズエレメント11への通電電流により自己遮断し、安全に電気回路を開放させることができる。
また、ヒューズ素子は、前述した構成例に限られず、例えば、ヒューズエレメントが複数並列に配置され、電極がヒューズエレメント間に配置されていてもよい。図4は、ヒューズエレメントが複数並列に配置されたヒューズ素子の構成例を示す斜視図であり、図5は、ヒューズエレメントが複数並列に配置されたヒューズ素子の構成例を示す断面図である。このヒューズ素子は、図5に示すように、第1の電極22Aと、第1のセパレータ23Aと、第1のヒューズエレメント21Aと、第2のセパレータ23Bと、第2の電極22Bと、第3のセパレータ23Cと、第2のヒューズエレメント21Bと、第4のセパレータ23Dと、第3の電極22Cと、第5のセパレータ23Eと、第3のヒューズエレメント21Cと、第6のセパレータ23Fと、第4の電極22Dとがこの順で積層されている。
第1〜第3のヒューズエレメント21A,21B,21C、第1〜第4の電極22A,22B,22C,22D、及び第1〜第6のセパレータ23A,23B,23C,23D,23E,23Fは、それぞれ前述したヒューズエレメント11、電極12、及びセパレータと同様であり、ここでは説明を省略する。
このようにヒューズエレメントを複数並列に配置することにより、定格電流を大きくすることができるとともに、ヒューズエレメントと電極との間に水が侵入した場合におけるヒューズエレメントの電食を促進させることができる。
<2.ヒューズ素子の適用例>
図6は、ヒューズ素子をリチウムイオン二次電池のバッテリパック内の回路に用いた適用例を示すブロック図である。ヒューズ素子10は、図6に示すように、例えば、合計4個のリチウムイオン二次電池のバッテリセル31〜34からなるバッテリスタック35を有するバッテリパック30に組み込まれて使用される。
バッテリパック30は、バッテリスタック35と、バッテリスタック35の充放電を制御する充放電制御回路40と、異常時にバッテリスタック35の出力を遮断するヒューズ素子10と、各バッテリセル31〜34の電圧を検出する検出回路36とを備える。
バッテリスタック35は、過充電及び過放電状態から保護するための制御を要するバッテリセル31〜34が直列接続されたものであり、バッテリパック30の正極端子30a、負極端子30bを介して、着脱可能に充電装置45に接続され、充電装置45からの充電電圧が印加される。充電装置45により充電されたバッテリパック30を正極端子30a、負極端子30bをバッテリで動作する電子機器に接続することによって、この電子機器を動作させることができる。
充放電制御回路40は、バッテリスタック35から充電装置45に流れる電流経路に直列接続された2つの電流制御素子41、42と、これらの電流制御素子41、42の動作を制御する制御部43とを備える。電流制御素子41、42は、例えば、電界効果トランジスタ(以下、FETと呼ぶ。)により構成され、制御部43によりゲート電圧を制御することによって、バッテリスタック35の電流経路の導通と遮断とを制御する。制御部43は、充電装置45又はバッテリスタック35から電力供給を受けて動作し、検出回路36による検出結果に応じて、バッテリスタック35が過放電又は過充電であるとき、電流経路を遮断するように、電流制御素子41、42の動作を制御する。
ヒューズ素子10は、ヒューズエレメント11に通電するための第1の端子及び第2の端子と、電極12を負極として接続する第3の端子とを備え、例えば、第1の端子及び第2の端子をバッテリスタック35と充放電制御回路40との間の充放電電流経路上に接続し、第3の端子を負極側に接続する。
検出回路36は、各バッテリセル31〜34と接続され、各バッテリセル31〜34の電圧値を検出し、異常時に電流制御素子38に信号を出力して通電させ、保護素子37の動作により充放電電流経路を遮断する。
保護素子37は、例えば、バッテリスタック35と充放電制御回路40との間の充放電電流経路上に接続され、その動作が電流制御素子38によって制御される。保護素子10は、例えば、可溶導体と、可溶導体の接続点を介して通電して発熱させることによって可溶導体を溶融する発熱体とからなる回路構成を有し、可溶導体が充放電電流経路上に直列接続され、発熱体が電流制御素子38と接続される。
電流制御素子38は、検出回路36から出力される検出信号によって、バッテリセル31〜34の電圧値が所定の過放電又は過充電状態を超える電圧になったとき、保護素子37を動作させて、バッテリスタック35の充放電電流経路を電流制御素子31、32のスイッチ動作によらず遮断するように制御する。
このような適用例によれば、水漏れ等の異常時にヒューズエレメント11と電極12との間に水が侵入し、ヒューズエレメント11が電食する。これにより、定格電流値が低下するため、ヒューズエレメント11への通電電流により自己遮断し、安全に電気回路を開放させることができる。
なお、上記異常時に効率良く電気回路を開放する上で、ヒューズエレメント11が正極として接続され、電極12が負極として接続されれば、ヒューズ素子10の第3の端子の接続先は、特に限定されるものではない。例えば、第3の端子の接続先を検出回路36とすることにより、ヒューズエレメント11と電極12との間に水が侵入したことを検出することができる。また、例えば、一次電池を用いて、正極側をヒューズエレメント11に接続し、負極側を第3の端子に接続させてもよい。また、第3の端子を接地させてもよい。また、原理的にイオン化傾向の異なる2つの金属を電解液に浸すだけで、イオン化傾向の大きい金属が電食されるので、第3の端子を開放状態としてもよい。
10 ヒューズ素子、11 ヒューズエレメント、12 電極、21A,21B,21C 第1〜第3のヒューズエレメント、22A,22B,22C,22D 第1〜第4の電極、23A,23B,23C,23D,23D,23E,23F 第1〜第6のセパレータ、30 バッテリパック、30a 正極端子、30b 負極端子、31〜34 バッテリセル、35 バッテリスタック、36 検出回路、37 保護素子、38 電流制御素子、40 充放電制御回路、41,42 電流制御素子、43 制御部、45 充電装置

Claims (8)

  1. ヒューズエレメントと、
    前記ヒューズエレメントに近接して配置され、前記ヒューズエレメントよりもイオン化傾向の小さい金属からなる電極と
    を備えるヒューズ素子。
  2. 前記ヒューズエレメントが、アルミニウム、鉄、ニッケル、錫、鉛から選択されるいずれか1種を主成分とし、
    前記電極が、金、白金、銀、銅、パラジウムから選択されるいずれか1種を主成分とする請求項1記載のヒューズ素子。
  3. 前記ヒューズエレメントが、平板からなり、
    前記電極が、前記ヒューズエレメントの中心部の両面に対向して配置される請求項1又は2記載のヒューズ素子。
  4. 前記ヒューズエレメントと前記電極との間にセパレータを備える請求項1乃至3のいずれか1項に記載のヒューズ素子。
  5. 前記セパレータが、電解質を担持してなる請求項4記載のヒューズ素子。
  6. 前記ヒューズエレメントが、複数並列に配置されてなり、
    前記電極が、前記ヒューズエレメント間に配置されてなる請求項1乃至5のいずれか1項に記載のヒューズ素子。
  7. 前記ヒューズエレメントが、正極として接続されてなり、
    前記電極が、負極として接続されてなる請求項1乃至6のいずれか1項に記載のヒューズ素子。
  8. 直流電源に正極として直列接続されてなるヒューズエレメントと、
    前記ヒューズエレメントに近接して配置され、前記ヒューズエレメントよりもイオン化傾向の小さい金属からなり、負極として接続されてなる電極と
    を備える遮断回路。
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